JP7357119B2 - 薄膜高分子積層コンデンサ - Google Patents
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Description
先ず、本発明の実施形態に係る薄膜高分子積層コンデンサ1の構造について説明する。図1は薄膜高分子積層コンデンサ1を示す概略の構造図であって、図中の左側は概略の斜視図であり、図中の右側の一点鎖線で囲んだ部分Gは概略の部分断面図を拡大して示している。薄膜高分子積層コンデンサ1は、薄膜高分子の誘電体層2と、誘電体層2に第1金属が蒸着形成された第1金属層3aと前記第1金属層3aに第2金属が蒸着形成された第2金属層3bとを含む内部電極層3とを交互に積層し各層を互いに接合し条切断したチップ状積層体5と、チップ状積層体5における一端側と他端側とに各々形成された外部電極7とを有する。外部電極7は、一例として、第3金属が溶射されて形成された第1外部電極層7aと第4金属がめっき処理されて形成された第2外部電極層7bとを有する。
本実施例は、第1積層体製造装置10における真空チャンバ11内で回転ドラム12を周方向矢印12bの方向に回転させながら、回転ドラム12の外周面12aに誘電体層2と内部電極層3とを交互に積層し接合して第1積層体5aを製造するに際し、オイルマージン部2aを形成し第1金属層3aを形成するとともに、蒸着用マスク19を用いて第2金属層3bを形成することで内部電極層3を形成した。本実施例は、トリシクロデカンジメタノールジメタクリレートをモノマにして、各層における誘電体層の厚みを0.8[μm]にした。また、第1金属としてアルミニウムを蒸着して第1金属層3aを形成し、第2金属として亜鉛を蒸着して第2金属層3bを形成した。積層数は3,000であり、チップ状積層体5の厚みは約2.5[mm]である。本実施例は、製造条件を調整して第1金属層3aの電極抵抗値を30[Ω/□]、ヘビーエッジHの電極抵抗値を4[Ω/□]にした。
本実施例は、第2金属としてアルミニウムを蒸着して第2金属層3bを形成した。本実施例では、製造条件を調整して第1金属層3aの電極抵抗値を30[Ω/□]、ヘビーエッジHの電極抵抗値を4[Ω/□]にした。それ以外は実施例1と同様の構成になるように製造条件を微調整した。
本実施例は、実施例1の製造条件に比べて回転ドラム12の周方向の回転速度を速くするとともに蒸着用マスク19の貫通穴19aを周方向に長くするように製造条件を調整して第1金属層3aの電極抵抗値を45[Ω/□]、ヘビーエッジHの電極抵抗値を4[Ω/□]にした。それ以外は実施例1と同様の構成になるように製造条件を微調整した。
本実施例は、実施例1の製造条件に比べて蒸着用マスク19の貫通穴19aを周方向に短くすることで、第2金属層3bの厚さが薄くなるように製造条件を調整して第1金属層3aの電極抵抗値を30[Ω/□]、ヘビーエッジHの電極抵抗値を20[Ω/□]にした。それ以外は実施例1と同様の構成になるように製造条件を微調整した。
本比較例は、上述の特許文献1の製造方法に基づいて、蒸着用マスクのスリット中央部の開口を周方向と直交方向に拡大してヘビーエッジを有する内部電極層を形成した。しかし、第2金属は蒸着していない。モノマはトリシクロデカンジメタノールジメタクリレートであり、各層における誘電体層の厚みは0.8[μm]にした。第1金属としてアルミニウムを蒸着して内部電極層3を形成した。積層数は3,000であり、チップ状積層体5の厚みは約2.5[mm]である。本比較例は、製造条件を調整して内部電極層におけるヘビーエッジ以外の部分の電極抵抗値を30[Ω/□]、ヘビーエッジの電極抵抗値を4[Ω/□]にした。
本比較例は、第2金属は蒸着しておらず、ヘビーエッジを形成せずに内部電極層の電極抵抗値を30[Ω/□]にした。それ以外は実施例1と同様の構成になるように製造条件を微調整した。
本比較例は、比較例2の製造条件に比べて回転ドラム12の周方向の回転速度を遅くすることで第1金属層の厚さが厚くなるように調整して内部電極層の電極抵抗値を4[Ω/□]にした。それ以外は比較例2と同様の構成になるように製造条件を微調整した。
2 誘電体層
2a オイルマージン部
2b オイル
3 内部電極層
3a 第1金属層
3b 第2金属層
4a 第1領域
4a1 インナーマージン部
4b エッジ領域
4c コンデンサ機能領域
4c1 インナーマージン部
5 チップ状積層体
5a 第1積層体
5b 第2積層体
5c 第3積層体
5d 第4積層体
7 外部電極
7a 第1外部電極層
7b 第2外部電極層
8a 第1領域になる部分
8b エッジ領域になる部分
10 第1積層体製造装置
11 真空チャンバ
12 回転ドラム
13 モノマ蒸着装置
14 電子線照射装置
15 プラズマ処理装置
16 パターニング装置
17 第1金属蒸着源
18 第2金属蒸着源
19 蒸着用マスク
51 条切断装置
52 金属溶射装置
53 めっき処理装置
54 チップ切断装置
H ヘビーエッジ
Claims (5)
- モノマを蒸着し重合して形成された誘電体層と、第1金属が蒸着形成された第1金属層と前記第1金属層に第2金属が蒸着形成された第2金属層とを含む内部電極層とを交互に積層し各層を互いに接合し条切断した積層体にして、前記積層体における一端側と他端側とに外部電極を形成し、前記積層体を分断したチップ状積層体を備え、
前記チップ状積層体は、前記誘電体層に前記第1金属層が形成されて交互に積層された第1領域と、前記第1金属層のうちの前記一端側に接続される層と前記他端側に接続される層とに前記第2金属層が各々形成されて交互に積層され条切断されて形成されたエッジ領域とを有し、前記第1領域はコンデンサ機能領域を有しており、前記第1領域にインナーマージン部が形成されており、前記エッジ領域はヘビーエッジが形成されており、前記コンデンサ機能領域が各層一定の幅に形成されており、且つ、前記ヘビーエッジが積層するにしたがって各層における前記一端側に接続されるものと前記他端側に接続されるものとの間隔が大きくなるように形成されていること
を特徴とする薄膜高分子積層コンデンサ。 - 前記第1金属はアルミニウムまたはアルミニウム合金であり、前記第2金属はアルミニウムまたはアルミニウム合金または亜鉛または亜鉛合金であり、前記第1金属層の電極抵抗値は4Ω/□超かつ45Ω/□未満であり、且つ、前記ヘビーエッジの電極抵抗値は20Ω/□未満であること
を特徴とする請求項1に記載の薄膜高分子積層コンデンサ。 - 前記第1金属はアルミニウムまたはアルミニウム合金であり、前記第2金属はアルミニウムまたはアルミニウム合金または亜鉛または亜鉛合金であり、前記第1金属層の電極抵抗値は30Ω/□超であり、且つ、前記ヘビーエッジの電極抵抗値は20Ω/□未満であること
を特徴とする請求項1に記載の薄膜高分子積層コンデンサ。 - 前記モノマは、トリシクロデカンジメタノールジメタクリレートまたはトリシクロデカンジメタノールジアクリレートのいずれか一種以上であること
を特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の薄膜高分子積層コンデンサ。 - 前記外部電極は、前記エッジ領域の端に接する両側面部に第3金属が溶射形成された第1外部電極層と、前記第1外部電極層の外側に第4金属がめっき形成された第2外部電極層とを有すること
を特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の薄膜高分子積層コンデンサ。
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