JP7354034B2 - 光結合装置 - Google Patents
光結合装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7354034B2 JP7354034B2 JP2020049998A JP2020049998A JP7354034B2 JP 7354034 B2 JP7354034 B2 JP 7354034B2 JP 2020049998 A JP2020049998 A JP 2020049998A JP 2020049998 A JP2020049998 A JP 2020049998A JP 7354034 B2 JP7354034 B2 JP 7354034B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- light emitting
- light
- emitting element
- polyimide resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 73
- 230000008878 coupling Effects 0.000 title claims description 72
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 title claims description 72
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 title claims description 72
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 97
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 89
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 78
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 78
- 238000004382 potting Methods 0.000 claims description 11
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 8
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 claims description 5
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 claims description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 5
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 4
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4251—Sealed packages
- G02B6/4253—Sealed packages by embedding housing components in an adhesive or a polymer material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Description
第2ボンディングワイヤの表面には、ポリイミド系樹脂が設けられていて、第1ボンディングワイヤは、発光面を覆うポリイミド系樹脂の外部に延在し、第2ボンディングワイヤは、受光素子の表面を覆うポリイミド系樹脂の外部に延在し、第1リードフレームは、遮光性樹脂成形体の外部に延在する端子側と発光素子を支持する支持体側に分割され、第2リードフレームは、遮光性樹脂成形体の外部に延在する端子側と受光素子を支持する支持体側に分割され、第1ボンディングワイヤは、支持体側の発光素子と端子側の第1リードフレームを接続し、第2ボンディングワイヤは、支持体側の受光素子と端子側の第2リードフレームを接続する。
第2実施形態は、光結合装置に関する。第2実施形態の光結合装置は、第1実施形態の光結合装置100の変形例である。第2実施形態と第1実施形態で共通する内容についてはその説明を省略する。図2に第2実施形態の光結合装置101の断面概念図を示す。
第3実施形態は、光結合装置に関する。第3実施形態の光結合装置は、第1実施形態及び第2実施形態の光結合装置100、101の変形例である。第3実施形態と第1実施形態又は第2実施形態で共通する内容についてはその説明を省略する。図3に第3実施形態の光結合装置102の断面概念図を示す。
第4実施形態は、光結合装置に関する。第4実施形態の光結合装置は、第1実施形態、第2実施形態及び第3実施形態の光結合装置100、101、102の変形例である。第4実施形態と第1実施形態、第2実施形態又は第3実施形態で共通する内容についてはその説明を省略する。図4に第4実施形態の光結合装置103の断面概念図を示す。
1…遮光性樹脂成形体
2…発光素子
3…第1リードフレーム
4…接着層
5…第1ボンディングワイヤ
6…受光素子
7…第2リードフレーム
8…接着層
9…第2ボンディングワイヤ
10…透明性樹脂部
11…ポリイミド系樹脂
12…ポッティング樹脂
Claims (8)
- 第1リードフレームと、
前記第1リードフレーム上に設けられた発光素子と、
第2リードフレームと、
前記第2リードフレーム上に設けられ、前記発光素子と対向する受光素子と、
前記発光素子の発光面を被覆し、前記第1リードフレームに設けられたポリイミド系樹脂と、
前記発光素子と前記受光素子間に設けられた透明性樹脂部と、
前記発光素子及び前記受光素子を収容する遮光性樹脂成形体と、
を有し、
前記ポリイミド系樹脂は、前記第1リードフレームの前記発光素子が設けられた面側、前記第1リードフレームの前記発光素子が設けられた面とは反対側の面側、前記発光素子が設けられた面と前記第1リードフレームの前記発光素子が設けられた面とは反対側の面を接続する面側に設けられていて、
前記ポリイミド系樹脂は、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂及びポリイミドシリコーンからなる群より選ばれる1種以上を含み、
前記発光素子と前記第1リードフレームは第1ボンディングワイヤで接続され、
前記受光素子と前記第2リードフレームは第2ボンディングワイヤで接続され、
前記第1ボンディングワイヤの表面には、前記ポリイミド系樹脂が設けられていて、
前記第2ボンディングワイヤの表面には、前記ポリイミド系樹脂が設けられていて、
前記第1ボンディングワイヤは、前記発光面を覆う前記ポリイミド系樹脂の外部に延在し、
前記第2ボンディングワイヤは、前記受光素子の表面を覆う前記ポリイミド系樹脂の外部に延在し、
前記第1リードフレームは、前記遮光性樹脂成形体の外部に延在する端子側と前記発光素子を支持する支持体側に分割され、
前記第2リードフレームは、前記遮光性樹脂成形体の外部に延在する端子側と前記受光素子を支持する支持体側に分割され、
前記第1ボンディングワイヤは、前記支持体側の発光素子と前記端子側の第1リードフレームを接続し、
前記第2ボンディングワイヤは、前記支持体側の受光素子と前記端子側の第2リードフレームを接続する光結合装置。 - 第1リードフレームと、
前記第1リードフレーム上に設けられた発光素子と、
第2リードフレームと、
前記第2リードフレーム上に設けられ、前記発光素子と対向する受光素子と、
前記発光素子の発光面を被覆し、前記第1リードフレームに設けられたポリイミド系樹脂と、
前記発光素子と前記受光素子間に設けられた透明性樹脂部と、
前記発光素子及び前記受光素子を収容する遮光性樹脂成形体と、
を有し、
前記ポリイミド系樹脂は、前記第1リードフレームの前記発光素子が設けられた面側、前記第1リードフレームの前記発光素子が設けられた面とは反対側の面側、前記発光素子が設けられた面と前記第1リードフレームの前記発光素子が設けられた面とは反対側の面を接続する面側に設けられていて、
前記ポリイミド系樹脂は、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂及びポリイミドシリコーンからなる群より選ばれる1種以上を含み、
前記発光素子を覆う前記ポリイミド系樹脂を覆い、前記発光素子の前記発光面と直接的に接しないポッティング樹脂を有し、
前記発光素子と前記第1リードフレームは第1ボンディングワイヤで接続され、
前記受光素子と前記第2リードフレームは第2ボンディングワイヤで接続され、
前記第1ボンディングワイヤの表面には、前記ポリイミド系樹脂が設けられていて、
前記第2ボンディングワイヤの表面には、前記ポリイミド系樹脂が設けられていて、
前記第1ボンディングワイヤは、前記発光面を覆う前記ポリイミド系樹脂及び前記ポッティング樹脂の外部に延在し、
前記第2ボンディングワイヤは、前記受光素子の表面を覆う前記ポリイミド系樹脂の外部に延在し、
前記第1リードフレームは、前記遮光性樹脂成形体の外部に延在する端子側と前記発光素子を支持する支持体側に分割され、
前記第2リードフレームは、前記遮光性樹脂成形体の外部に延在する端子側と前記受光素子を支持する支持体側に分割され、
前記第1ボンディングワイヤは、前記支持体側の発光素子と前記端子側の第1リードフレームを接続し、
前記第2ボンディングワイヤは、前記支持体側の受光素子と前記端子側の第2リードフレームを接続する光結合装置。 - 前記発光素子の非発光面、前記第1リードフレームの表面、前記第2リードフレームの表面、前記受光素子の表面及び前記遮光性樹脂成形体の内壁面からなる群より選ばれる1以上に前記ポリイミド系樹脂が設けられている請求項1又は2に記載の光結合装置。
- 前記第1リードフレームの前記支持体側を向く前記第1リードフレームの前記端子側の面に前記ポリイミド系樹脂が設けられている請求項1ないし3のいずれか1項に記載の光結合装置。
- 前記ポリイミド系樹脂の厚さは1μm以上50μm以下である請求項1ないし4のいずれか1項に記載の光結合装置。
- 前記第1ボンディングワイヤと前記第2ボンディングワイヤの距離は、300μm以上である請求項1ないし4のいずれか1項に記載の光結合装置。
- 前記ポリイミド系樹脂は、前記第2リードフレームの前記受光素子が設けられた面側、前記第2リードフレームの前記受光素子が設けられた面とは反対側の面側、前記受光素子が設けられた面と前記第2リードフレームの前記受光素子が設けられた面とは反対側の面を接続する面側に設けられている請求項1ないし6のいずれか1項に記載の光結合装置。
- 前記第2リードフレームの前記支持体側を向く前記第2リードフレームの前記端子側の面側に前記ポリイミド系樹脂が設けられている請求項7に記載の光結合装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020049998A JP7354034B2 (ja) | 2020-03-19 | 2020-03-19 | 光結合装置 |
US17/201,195 US11402591B2 (en) | 2020-03-19 | 2021-03-15 | Optical coupling device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020049998A JP7354034B2 (ja) | 2020-03-19 | 2020-03-19 | 光結合装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021150534A JP2021150534A (ja) | 2021-09-27 |
JP7354034B2 true JP7354034B2 (ja) | 2023-10-02 |
Family
ID=77747988
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020049998A Active JP7354034B2 (ja) | 2020-03-19 | 2020-03-19 | 光結合装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11402591B2 (ja) |
JP (1) | JP7354034B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003163380A (ja) | 2001-09-12 | 2003-06-06 | Toshiba Corp | 光半導体装置及びその製造方法 |
JP2014041865A (ja) | 2012-08-21 | 2014-03-06 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2014135473A (ja) | 2012-12-11 | 2014-07-24 | Renesas Electronics Corp | 光結合素子 |
US20160276327A1 (en) | 2015-03-20 | 2016-09-22 | Lextar Electronics Corporation | Photocoupler package |
JP2017135214A (ja) | 2016-01-26 | 2017-08-03 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0716015B2 (ja) * | 1985-04-18 | 1995-02-22 | 株式会社東芝 | フォトカプラ |
JPS6254974A (ja) * | 1985-09-04 | 1987-03-10 | Mitsubishi Electric Corp | 光結合半導体装置 |
JP2727793B2 (ja) * | 1991-05-28 | 1998-03-18 | 日立電線株式会社 | リードフレームにポリイミド樹脂被膜を形成する方法 |
JPH0641160U (ja) * | 1992-10-27 | 1994-05-31 | シャープ株式会社 | 光結合装置 |
JPH11150291A (ja) * | 1997-11-19 | 1999-06-02 | Sharp Corp | 光結合装置 |
JPH11177126A (ja) * | 1997-12-15 | 1999-07-02 | Sharp Corp | 光半導体素子およびこれを使用した光結合装置 |
JP2005259876A (ja) | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Sharp Corp | 光結合装置、及びそれを用いた電子機器 |
JP5692971B2 (ja) | 2009-05-28 | 2015-04-01 | 京セラ株式会社 | 受発光素子及びその製造方法、並びに受発光素子を備えた光センサ装置 |
JP2013093504A (ja) * | 2011-10-27 | 2013-05-16 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および冶具 |
JP2014220275A (ja) | 2013-05-01 | 2014-11-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | フォトカプラ |
JP2014220339A (ja) | 2013-05-07 | 2014-11-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 光結合素子 |
JP6345532B2 (ja) * | 2014-08-07 | 2018-06-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 光結合装置の製造方法、光結合装置、および電力変換システム |
JP2016201450A (ja) | 2015-04-09 | 2016-12-01 | シャープ株式会社 | 光結合装置 |
JP2015195401A (ja) | 2015-07-14 | 2015-11-05 | 株式会社東芝 | 光結合装置 |
TWI635139B (zh) * | 2017-03-02 | 2018-09-11 | 律勝科技股份有限公司 | 感光性透明樹脂 |
-
2020
- 2020-03-19 JP JP2020049998A patent/JP7354034B2/ja active Active
-
2021
- 2021-03-15 US US17/201,195 patent/US11402591B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003163380A (ja) | 2001-09-12 | 2003-06-06 | Toshiba Corp | 光半導体装置及びその製造方法 |
JP2014041865A (ja) | 2012-08-21 | 2014-03-06 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2014135473A (ja) | 2012-12-11 | 2014-07-24 | Renesas Electronics Corp | 光結合素子 |
US20160276327A1 (en) | 2015-03-20 | 2016-09-22 | Lextar Electronics Corporation | Photocoupler package |
JP2017135214A (ja) | 2016-01-26 | 2017-08-03 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11402591B2 (en) | 2022-08-02 |
US20210294049A1 (en) | 2021-09-23 |
JP2021150534A (ja) | 2021-09-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100981214B1 (ko) | 발광다이오드 패키지 | |
US9412913B2 (en) | Slim LED package | |
JP4689637B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
US9054279B2 (en) | Optoelectronic component disposed in a recess of a housing and electrical componenet disposed in the housing | |
KR100637613B1 (ko) | 광 모듈 및 그의 제조 방법 | |
US10193040B2 (en) | LED package with a plurality of LED chips | |
KR101825473B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 | |
US9082685B2 (en) | Optical-coupling semiconductor device | |
US10411178B2 (en) | Light emitting device | |
US11978837B2 (en) | Light emitting diode package | |
US8441022B2 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
JP5458910B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2010153861A (ja) | 発光ダイオードパッケージ構造 | |
JP6107229B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2012502453A (ja) | オプトエレクトロニクス素子およびオプトエレクトロニクス素子の製造方法 | |
JP7354034B2 (ja) | 光結合装置 | |
JP4913099B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5172290B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR101367381B1 (ko) | Led 패키지 | |
KR20110041090A (ko) | 발광장치 | |
JP2019009171A (ja) | 半導体装置 | |
JP7292241B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2013102230A (ja) | 電子装置 | |
CN115995461A (zh) | 半导体装置 | |
KR20170024734A (ko) | 광원 엔진 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211208 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220930 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221011 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230404 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230602 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230822 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230920 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7354034 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |