JP7350719B2 - ポリ-p-ヒドロキシスチレンエポキシ樹脂、その合成および施用 - Google Patents
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Description
1.式(I)のポリマー:
Ra-Rdのそれぞれ、Ra0-Rd0のそれぞれ、Ra1-Rd1のそれぞれ、およびRa2-Rd2のそれぞれは、それぞれ独立して、H、ハロゲン、C1-C6アルキル、ハロC1-C6アルキル、C1-C6アルコキシ、ハロC1-C6アルコキシ、C3-C12シクロアルキルおよびハロC3-C12シクロアルキルからなる群より選択され;
nおよびn0は、それぞれ独立して0~40の数であり、n+n0は20~40の数であり;そして
n1およびn2は、それぞれ独立して0~5の数である]。
6.式(II)のポリマーと式(III)の化合物との反応がアルカリ触媒の存在下で行われ、該アルカリ触媒が、好ましくはNaOH、KOH、Na2CO3、K2CO3からなる群より選択される1以上、より好ましくはK2CO3である、項目5に記載の方法。
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7およびR8は、それぞれ独立して、フェニル、ハロフェニル、ニトロフェニル、C6-C10アリールまたはC1-C10アルキル置換ベンゾイルであり;そして
Y、Zは、非求核性アニオン、例えば、トリフラート、BF4 -、ClO4 -、PF6 -、AsF6 -またはSbF6 -である]。
光重合性モノマーが、N-ビニルピロリドン、メタクリル酸ヒドロキシエチルまたはそれらの混合物であり;および/または
アルカリ性添加剤が、第三級アミンおよび/または第四級アミン、より好ましくは、トリエタノールアミン、トリオクチルアミンおよびトリブチルアミンの任意の1以上であり;および/または
増感剤が、2,4-ジエチルチオキサントン、9-アントラセンメタノールおよび1-[(2,4-ジメチルフェニル)アゾ]-2-ナフトールの任意の1以上であり;および/または
フォトレジスト溶媒が、シクロペンタノン、γ-ブチロラクトン、および酢酸エチルの任意の1以上である、
前記フォトレジスト。
Ra-Rdのそれぞれ、Ra0-Rd0のそれぞれ、Ra1-Rd1のそれぞれ、およびRa2-Rd2のそれぞれは、それぞれ独立して、H、ハロゲン、C1-C6アルキル、ハロC1-C6アルキル、C1-C6アルコキシ、ハロC1-C6アルコキシ、C3-C12シクロアルキルおよびハロC3-C12シクロアルキルからなる群より選択され;
nおよびn0は、それぞれ独立して0~40の数であり、n+n0は20~40の数であり;そして
n1およびn2は、それぞれ独立して0~5の数である]。
段階1):式(II)のポリマーを溶媒中でアルカリ触媒と混合して、混合物を得る;
段階2):反応のために、段階1)で得た混合物に式(III)の化合物をゆっくりと滴下して加える;そして
段階3):反応の完了後、これを濾過し、溶媒および過剰な反応物を減圧下で留去して固体を得、これを洗浄し、濾過し、乾燥して、式(I)のポリマーを得る。
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7およびR8は、それぞれ独立して、フェニル、ハロフェニル、ニトロフェニル、C6-C10アリールまたはC1-C10アルキル置換ベンゾイルであり;そして
Y、Zは、非求核性アニオン、例えば、トリフラート、BF4 -、ClO4 -、PF6 -、AsF6 -またはSbF6 -である]。
1. 赤外分光法による特性決定法
赤外スペクトルは、Shimadzu CorporationのIRAffinity Fourier Transform Infrared Spectrometerにより4000~400cm-1の走査範囲で測定し、試料はKBr錠剤法により処理した。
2.1H NMRスペクトル特性決定法
1H NMRはBruker Avame PRX400核磁気共鳴装置により測定し、化学シフトをppmで表し、溶媒を重水素化クロロホルム、内部標準をテトラメチルシラン、走査幅を400MHz、走査数を16回とした。
3. 紫外吸収分光測定法
アセトニトリルを溶媒として用い、試料を配合して濃度30ppmの溶液にし、紫外線吸収スペクトルをShimadzu UV-2450紫外可視分光光度計により測定した。測定範囲は200~400nm、分解能は0.1nm、スペクトル幅は0.1~5nm、迷光は0.015%以下であった。
4. エポキシ価の決定方法
試料のエポキシ価を、塩酸-アセトン法により測定した。0.4gの試料を精密に秤量し、250mLの密閉三角フラスコに加えた後、25mLの0.2mol/L塩酸アセトン溶液を加え、振とうして完全に試料を溶解し、室温で2時間放置した後、3滴のフェノールフタレイン試薬を加え、溶液がピンク色になるまで0.1mol/Lの水酸化ナトリウム-エタノール標準溶液で滴定し、同じ条件でブランク滴定を2回行った。滴定に要した水酸化ナトリウム標準溶液の体積を記録し、試料のエポキシ価を式(1)に従って算出した。
E-エポキシ価、mol/100g;
V1- ブランク実験によって消費された水酸化ナトリウム-エタノール標準溶液の体積、mL;
V2- 試料によって消費された水酸化ナトリウム-エタノール標準溶液の体積、mL;
cNaOH- 水酸化ナトリウム-エタノール標準溶液の濃度、mol/L;
m-試料の質量、g。
溶媒として50mLのアセトンを選択し、これに12gのポリ-p-ヒドロキシスチレン(数平均分子量3000、n’=25)(0.1molの繰り返し単位)を加え、窒素を導入しながら電気的に撹拌し、2.4g(0.06mol)の水酸化ナトリウムを加えた。得られた反応混合物の温度を25℃に制御し、16.65gのエピクロロヒドリン(0.18mol)を定圧滴下漏斗に通してゆっくりと滴下して加え、滴下による添加を0.5時間で終了させ、その後、得られた反応混合物を25℃で8時間反応させた。反応終了後、未溶解の無機材料を濾過により取り出し、濾液を減圧蒸留し、溶媒および過剰なエピクロロヒドリンを留去して固体を得、これを水で3回洗浄し、濾過し、乾燥して、生成物を得た。これは、分析により表題ポリマーであることが示された。
溶媒として50mLのエタノールを選択し、これに14.8gのポリ3,5-ジメチル-4-ヒドロキシスチレン(数平均分子量2960、n’=20)(0.1molの繰り返し単位)を加え、窒素を導入しながら電気的に撹拌し、5.6g(0.1mol)の水酸化カリウムを加えた。得られた反応混合物の温度を20℃に制御し、18.5gのエピクロロヒドリン(0.2mol)を定圧滴下漏斗に通してゆっくりと滴下して加え、滴下による添加を0.5時間で終了させ、その後、得られた反応混合物を25℃で8時間反応させた。反応終了後、未溶解の無機材料を濾過により取り出し、濾液を減圧蒸留し、溶媒および過剰なエピクロロヒドリンを留去して固体を得、これを水で3回洗浄し、濾過し、乾燥して、生成物を得た。これは、分析により表題ポリマーであることが示された。
溶媒として50mLの酢酸エチルを選択し、これに16.4gのポリ3-エトキシ-4-ヒドロキシスチレン(数平均分子量4920、n=30)(0.1molの繰り返し単位)を加え、窒素を導入しながら電気的に撹拌し、8.28g(0.06mol)の炭酸カリウムを加えた。得られた反応混合物の温度を30℃に制御し、18.5gのエピクロロヒドリン(0.2mol)を定圧滴下漏斗に通してゆっくりと滴下して加え、滴下による添加を0.5時間で終了させ、その後、得られた反応混合物を25℃で10時間反応させた。反応終了後、未溶解の無機材料を濾過により取り出し、濾液を減圧蒸留し、溶媒および過剰なエピクロロヒドリンを留去して固体を得、これを水で3回洗浄し、濾過し、乾燥して、生成物を得た。これは、分析により表題ポリマーであることが示された。
溶媒として50mLの酢酸エチルを選択し、これに15.5gのポリ2-クロロ-4-ヒドロキシスチレン(数平均分子量3887、n=25)(0.1molの繰り返し単位)を加え、窒素を導入しながら電気的に撹拌し、6.36g(0.06mol)の炭酸ナトリウムを加えた。得られた反応混合物の温度を30℃に制御し、16.65gのエピクロロヒドリン(0.18mol)を定圧滴下漏斗に通してゆっくりと滴下して加え、滴下による添加を0.5時間で終了させ、その後、得られた反応混合物を30℃で9時間反応させた。反応終了後、未溶解の無機材料を濾過により取り出し、濾液を減圧蒸留し、溶媒および過剰なエピクロロヒドリンを留去して固体を得、これを水で3回洗浄し、濾過し、乾燥して、生成物を得た。これは、分析により表題ポリマーであることが示された。
溶媒として50mLのジクロロメタンを選択し、これに17gのポリ2-クロロメチル-4-ヒドロキシスチレン(数平均分子量5055、n=30)(0.1molの繰り返し単位)を加え、窒素を導入しながら電気的に撹拌し、2.4g(0.06mol)の水酸化ナトリウムを加えた。得られた反応混合物の温度を30℃に制御し、16.65gのエピクロロヒドリン(0.18mol)を定圧滴下漏斗に通してゆっくりと滴下して加え、滴下による添加を0.5時間で終了させ、その後、得られた反応混合物を25℃で8時間反応させた。反応終了後、未溶解の無機材料を濾過により取り出し、濾液を減圧蒸留し、溶媒および過剰なエピクロロヒドリンを留去して固体を得、これを水で3回洗浄し、濾過し、乾燥して、生成物を得た。これは、分析により表題ポリマーであることが示された。
溶媒として50mLのアセトンを選択し、これに16.4gのポリ2-メチル-5-メトキシ-4-ヒドロキシスチレン(数平均分子量5740、n=35)(0.1molの繰り返し単位)を加え、窒素を導入しながら電気的に撹拌し、11.04g(0.08mol)の炭酸カリウムを加えた。得られた反応混合物の温度を30℃に制御し、17.58gのエピクロロヒドリン(0.19mol)を定圧滴下漏斗に通してゆっくりと滴下して加え、滴下による添加を0.5時間で終了させ、その後、得られた反応混合物を25℃で8時間反応させた。反応終了後、未溶解の無機材料を濾過により取り出し、濾液を減圧蒸留し、溶媒および過剰なエピクロロヒドリンを留去して固体を得、これを水で3回洗浄し、濾過し、乾燥して、生成物を得た。これは、分析により表題ポリマーであることが示された。
溶媒として50mLのアセトンを選択し、これに16.1gのポリ3-シクロプロピル-4-ヒドロキシスチレン(数平均分子量6440、n=40)(0.1molの繰り返し単位)を加え、窒素を導入しながら電気的に撹拌し、4.2g(0.075mol)の水酸化カリウムを加えた。得られた反応混合物の温度を30℃に制御し、17.58gのエピクロロヒドリン(0.19mol)を定圧滴下漏斗に通してゆっくりと滴下して加え、滴下による添加を0.5時間で終了させ、その後、得られた反応混合物を25℃で9時間反応させた。反応終了後、未溶解の無機材料を濾過により取り出し、濾液を減圧蒸留し、溶媒および過剰なエピクロロヒドリンを留去して固体を得、これを水で3回洗浄し、濾過し、乾燥して、生成物を得た。これは、分析により表題ポリマーであることが示された。
溶媒として50mLのエタノールを選択し、これに19.85gのポリ2-クロロ-5-エトキシ-4-ヒドロキシスチレン(数平均分子量6948、n=35)(0.1molの繰り返し単位)を加え、窒素を導入しながら電気的に撹拌し、8.48g(0.08mol)の炭酸ナトリウムを加えた。得られた反応混合物の温度を30℃に制御し、18.5gのエピクロロヒドリン(0.2mol)を定圧滴下漏斗に通してゆっくりと滴下して加え、滴下による添加を0.5時間で終了させ、その後、得られた反応混合物を25℃で10時間反応させた。反応終了後、未溶解の無機材料を濾過により取り出し、濾液を減圧蒸留し、溶媒および過剰なエピクロロヒドリンを留去して固体を得、これを水で3回洗浄し、濾過し、乾燥して、生成物を得た。これは、分析により表題ポリマーであることが示された。
4つのネガ型化学増幅型フォトレジストを以下のように調製した:30gの実施例1~4で調製した各ポリマー、2gの3-ニトロフェニルジフェニルチオヘキサフルオロホスフェート、25gのN-ビニルピロリドン、1.8gのトリオクチルアミン、1gの9-アントラセンメタノール、および50gの酢酸エチルをそれぞれ秤量し、上記材料を混合し、十分に撹拌して完全に溶解させ、0.45μmのポリテトラフルオロエチレン微孔質フィルター膜に通して濾過し、これにより、4つの新しいネガ型化学増幅型フォトレジストを得た。
4つのネガ型化学増幅型フォトレジストを以下のように調製した:40gの実施例5~8で調製した各ポリマー、3gのビス(4-tert-ブチルフェニル)ヨードトリフルオロメタンスルホネート、20gのメタクリル酸ヒドロキシエチル、1.5gのトリエタノールアミン、1.5gの2,4-ジエチルチオキサントン、および50gのシクロペンタノンをそれぞれ秤量し、上記材料を混合し、十分に撹拌して完全に溶解させ、0.45μmのポリテトラフルオロエチレン微孔質フィルター膜に通して濾過し、これにより、4つの新しいネガ型化学増幅型フォトレジストを得た。
上記実施例9で得た4つのネガ型化学増幅型フォトレジストを、6インチ単結晶シリコンウエハ上にスピンコーティング(回転速度:4000rpm)によりそれぞれコーティングし、90℃で2分間ベークし、室温まで冷却した後、コーティングしたシリコンウエハを365nmの波長を有する露光機で露光し、露光後110℃で2分間ベークし、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート水溶液を現像液として60秒間現像して、リソグラフィー像を得た。実施例1~4からのポリマーによって得られたフォトレジストのリソグラフィー像を、それぞれ図1(a)~(d)に示す。
上記実施例10で得た4つのネガ型化学増幅型フォトレジストを、6インチ単結晶シリコンウエハ上にスピンコーティング(回転速度:4000rpm)によりそれぞれコーティングし、100℃で2分間ベークし、室温まで冷却した後、コーティングしたシリコンウエハを248nmの波長を有する露光機で露光し、露光後100℃で2分間ベークし、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート水溶液を現像液として50秒間現像して、リソグラフィー像を得た。実施例5~8からのポリマーによって得られたフォトレジストのリソグラフィー像を、それぞれ図2(a)~(d)に示す。
本発明は以下の態様を含む。
[1]
式(I)のポリマー:
R a -R d のそれぞれ、R a0 -R d0 のそれぞれ、R a1 -R d1 のそれぞれ、およびR a2 -R d2 のそれぞれは、それぞれ独立して、H、ハロゲン、C 1 -C 6 アルキル、ハロC 1 -C 6 アルキル、C 1 -C 6 アルコキシ、ハロC 1 -C 6 アルコキシ、C 3 -C 12 シクロアルキルおよびハロC 3 -C 12 シクロアルキルからなる群より選択され;
nおよびn 0 は、それぞれ独立して0~40の数であり、n+n 0 は20~40の数であり;そして
n 1 およびn 2 は、それぞれ独立して0~5の数である]。
[2]
R a -R d のそれぞれ、R a0 -R d0 のそれぞれ、R a1 -R d1 のそれぞれ、およびR a2 -R d2 のそれぞれが、それぞれ独立して、H、クロロ、ブロモ、C 1 -C 4 アルキル、クロロC 1 -C 4 アルキル、ブロモC 1 -C 4 アルキル、C 1 -C 4 アルコキシ、クロロC 1 -C 4 アルコキシおよびブロモC 1 -C 4 アルコキシから選択され;好ましくは、R a -R d 、R a0 -R d0 、R a1 -R d1 、およびR a2 -R d2 がすべてHである、[1]に記載のポリマー。
[3]
nおよびn 0 が、それぞれ独立して、通常は0~40の数、好ましくは0~20の数、より好ましくは12~18の数であり、n+n 0 が、20~40の数、好ましくは24~36の数、より好ましくは25~30の数である、[1]または[2]に記載の化合物。
[4]
n 1 およびn 2 が、それぞれ独立して、0~5の数、好ましくは0~2の数、より好ましくは0であり;および/または、n 1 +n 2 が、0~5の数、好ましくは0~3の数、より好ましくは0である、[1]~[3]のいずれか一項に記載のポリマー。
[5]
式(II)のポリマーを式(III)の化合物と反応させることを含む、[1]~[4]のいずれか一項に記載の式(I)のポリマーの調製方法
[6]
式(II)のポリマーと式(III)の化合物との反応がアルカリ触媒の存在下で行われ、該アルカリ触媒が、好ましくはNaOH、KOH、Na 2 CO 3 、K 2 CO 3 からなる群より選択される1以上、より好ましくはK 2 CO 3 である、[5]に記載の方法。
[7]
式(II)のポリマーおよび式(III)の化合物が、式(II)のポリマーに含有されるモノマー単位と式(III)の化合物とのモル比が1:1~1:3、好ましくは1:1.8~1:2.0であるような量で用いられる、[5]または[6]に記載の方法。
[8]
式(II)のポリマーおよびアルカリ触媒が、式(II)のポリマーに含有されるモノマー単位とアルカリ触媒とのモル比が1:0.1~1:1、好ましくは1:0.6~1:1であるような量で用いられる、[5]~[7]のいずれか一項に記載の方法。
[9]
式(II)のポリマーと式(III)の化合物との反応が、0~30℃、好ましくは25~30℃で行われる、[5]~[8]のいずれか一項に記載の方法。
[10]
フォトレジストにおけるフィルム形成樹脂としての、[1]~[4]のいずれか一項に記載の式(I)のポリマーの使用。
[11]
[1]~[4]のいずれか一項に記載の式(I)のポリマーをフィルム形成樹脂として含むフォトレジスト。
[12]
フィルム形成樹脂としての[1]~[4]のいずれか一項に記載の式(I)のポリマー、光酸発生剤、光重合性モノマー、アルカリ性添加剤、増感剤およびフォトレジスト溶媒を含む、[11]に記載のフォトレジストであって、好ましくは、フィルム形成樹脂、光酸発生剤、光重合性モノマー、アルカリ性添加剤、増感剤およびフォトレジスト溶媒の質量比が(30~40):(1~4):(20~25):(1~2):(0~2):(40~50)であり;より好ましくは、フィルム形成樹脂、光酸発生剤、光重合性モノマー、アルカリ性添加剤、増感剤およびフォトレジスト溶媒の質量比が35:3.0:25:1.5:1.5:50である、前記フォトレジスト。
[13]
光酸発生剤が、ヨードニウム塩、スルホニウム塩および複素環式酸発生剤のうちの任意の1以上であり;好ましくは、ヨードニウム塩、スルホニウム塩および複素環式酸発生剤が、それぞれ式(IV)、(V)および(VI)のものである、[12]に記載のフォトレジスト:
R 1 、R 2 、R 3 、R 4 、R 5 、R 6 、R 7 およびR 8 は、それぞれ独立して、フェニル、ハロフェニル、ニトロフェニル、C 6 -C 10 アリールまたはC 1 -C 10 アルキル置換ベンゾイルであり;そして
Y、Zは、非求核性アニオン、例えば、トリフラート、BF 4 - 、ClO 4 - 、PF 6 - 、AsF 6 - またはSbF 6 - である]。
[14]
[12]または[13]に記載のフォトレジストであって、
光重合性モノマーが、N-ビニルピロリドン、メタクリル酸ヒドロキシエチルまたはそれらの混合物であり;および/または
アルカリ性添加剤が、第三級アミンおよび/または第四級アミン、より好ましくは、トリエタノールアミン、トリオクチルアミンおよびトリブチルアミンの任意の1以上であり;および/または
増感剤が、2,4-ジエチルチオキサントン、9-アントラセンメタノールおよび1-[(2,4-ジメチルフェニル)アゾ]-2-ナフトールの任意の1以上であり;および/または
フォトレジスト溶媒が、シクロペンタノン、γ-ブチロラクトン、および酢酸エチルの任意の1以上である、
前記フォトレジスト。
Claims (11)
- フォトレジストにおけるフィルム形成樹脂としての、式(I):
Ra-Rdのそれぞれ、Ra0-Rd0のそれぞれ、Ra1-Rd1のそれぞれ、およびRa2-Rd2のそれぞれは、それぞれ独立して、H、ハロゲン、C1-C6アルキル、ハロC1-C6アルキル、C1-C6アルコキシ、ハロC1-C6アルコキシ、C3-C12シクロアルキルおよびハロC3-C12シクロアルキルからなる群より選択され;
nおよびn0は、それぞれ独立して0~40の数であり、n+n0は20~40の数であり;そして
n1およびn2は、それぞれ独立して0~3の数であり、n 1 +n 2 は0~3の数である]
のポリマーの使用。 - Ra-Rdのそれぞれ、Ra0-Rd0のそれぞれ、Ra1-Rd1のそれぞれ、およびRa2-Rd2のそれぞれが、それぞれ独立して、H、クロロ、ブロモ、C1-C4アルキル、クロロC1-C4アルキル、ブロモC1-C4アルキル、C1-C4アルコキシ、クロロC1-C4アルコキシおよびブロモC1-C4アルコキシから選択され;好ましくは、Ra-Rd、Ra0-Rd0、Ra1-Rd1、およびRa2-Rd2がすべてHである、請求項1に記載の使用。
- nおよびn0が、それぞれ独立して、0~20の数、好ましくは12~18の数であり、n+n0が、24~36の数、好ましくは25~30の数である、請求項1または2に記載の使用。
- n1およびn2が、それぞれ独立して、0~2の数、好ましくは0である、請求項1~3のいずれか一項に記載の使用。
- 式(I):
Ra-Rdのそれぞれ、Ra0-Rd0のそれぞれ、Ra1-Rd1のそれぞれ、およびRa2-Rd2のそれぞれは、それぞれ独立して、H、ハロゲン、C1-C6アルキル、ハロC1-C6アルキル、C1-C6アルコキシ、ハロC1-C6アルコキシ、C3-C12シクロアルキルおよびハロC3-C12シクロアルキルからなる群より選択され;
nおよびn0は、それぞれ独立して0~40の数であり、n+n0は20~40の数であり;そして
n1およびn2は、それぞれ独立して0~3の数であり、n 1 +n 2 は0~3の数である]
のポリマーをフィルム形成樹脂として含むフォトレジスト。 - Ra-Rdのそれぞれ、Ra0-Rd0のそれぞれ、Ra1-Rd1のそれぞれ、およびRa2-Rd2のそれぞれが、それぞれ独立して、H、クロロ、ブロモ、C1-C4アルキル、クロロC1-C4アルキル、ブロモC1-C4アルキル、C1-C4アルコキシ、クロロC1-C4アルコキシおよびブロモC1-C4アルコキシから選択され;好ましくは、Ra-Rd、Ra0-Rd0、Ra1-Rd1、およびRa2-Rd2がすべてHである、請求項5に記載のフォトレジスト。
- nおよびn0が、それぞれ独立して、0~20の数、好ましくは12~18の数であり、n+n0が、24~36の数、好ましくは25~30の数である、請求項5または6に記載のフォトレジスト。
- n1およびn2が、それぞれ独立して、0~2の数、好ましくは0である、請求項5~7のいずれか一項に記載のフォトレジスト。
- フィルム形成樹脂としての式(I)のポリマー、光酸発生剤、光重合性モノマー、アルカリ性添加剤、増感剤およびフォトレジスト溶媒を含む、請求項5~8のいずれかに記載のフォトレジストであって、好ましくは、フィルム形成樹脂、光酸発生剤、光重合性モノマー、アルカリ性添加剤、増感剤およびフォトレジスト溶媒の質量比が(30~40):(1~4):(20~25):(1~2):(0~2):(40~50)であり;より好ましくは、フィルム形成樹脂、光酸発生剤、光重合性モノマー、アルカリ性添加剤、増感剤およびフォトレジスト溶媒の質量比が35:3.0:25:1.5:1.5:50である、前記フォトレジスト。
- 光酸発生剤が、ヨードニウム塩、スルホニウム塩および複素環式酸発生剤のうちの任意の1以上であり;好ましくは、ヨードニウム塩、スルホニウム塩および複素環式酸発生剤が、それぞれ式(IV)、(V)および(VI)のものである、請求項9に記載のフォトレジスト:
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7およびR8は、それぞれ独立して、フェニル、ハロフェニル、ニトロフェニル、C6-C10アリールまたはC1-C10アルキル置換ベンゾイルであり;そして
Y、Zは、非求核性アニオン、例えば、トリフラート、BF4 -、ClO4 -、PF6 -、AsF6 -またはSbF6 -である]。 - 請求項9または10に記載のフォトレジストであって、
光重合性モノマーが、N-ビニルピロリドン、メタクリル酸ヒドロキシエチルまたはそれらの混合物であり;および/または
アルカリ性添加剤が、第三級アミンおよび/または第四級アミン、より好ましくは、トリエタノールアミン、トリオクチルアミンおよびトリブチルアミンの任意の1以上であり;および/または
増感剤が、2,4-ジエチルチオキサントン、9-アントラセンメタノールおよび1-[(2,4-ジメチルフェニル)アゾ]-2-ナフトールの任意の1以上であり;および/または
フォトレジスト溶媒が、シクロペンタノン、γ-ブチロラクトン、および酢酸エチルの任意の1以上である、
前記フォトレジスト。
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002229204A (ja) | 2001-02-02 | 2002-08-14 | Toppan Printing Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
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---|---|---|---|---|
JPS56150741A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photosensitive resin composition |
DD206518A3 (de) * | 1981-08-10 | 1984-01-25 | Akad Wissenschaften Ddr | Verfahren zur herstellung von mikrostrukturen |
JPS59175483A (ja) * | 1983-03-25 | 1984-10-04 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 新規エポキシ樹脂及びその製造方法 |
JPS60134234A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-17 | Fujitsu Ltd | ネガ型レジスト組成物 |
JPH0765032B2 (ja) * | 1983-12-29 | 1995-07-12 | 住友化学工業株式会社 | ビニルフエニルグリシジルエ−テル重合体と硬化剤とからなる封止剤用組成物 |
JPS60166340A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-08-29 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
JPS61120822A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-07 | Fujitsu Ltd | エポキシ樹脂 |
JPH08301990A (ja) * | 1995-05-09 | 1996-11-19 | Nippon Kayaku Co Ltd | 樹脂組成物、レジストインキ組成物及びその硬化物 |
US6180723B1 (en) * | 1999-04-27 | 2001-01-30 | Donald J. Keehan | Epoxy resin prepared by reacting poly-p-hydroxystyrene with epichlorohydrin |
JP5177418B2 (ja) * | 2008-12-12 | 2013-04-03 | 信越化学工業株式会社 | 反射防止膜形成材料、反射防止膜及びこれを用いたパターン形成方法 |
CN102391406B (zh) * | 2009-08-24 | 2013-01-23 | 广东生益科技股份有限公司 | 环氧树脂及其制备方法 |
CN101643525B (zh) * | 2009-08-24 | 2012-01-11 | 广东生益科技股份有限公司 | 环氧树脂及其制备方法 |
DE102010034577B4 (de) * | 2010-08-17 | 2013-01-17 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung durchschlagfester ultradünner Dielektrika in elektronischen Bauteilen unter Verwendung vernetzbarer polymerer dielektrischer Materialien |
CN102718902B (zh) * | 2012-03-09 | 2014-01-29 | 北京师范大学 | 一种基于聚对羟基苯乙烯的单组分化学增幅光致抗蚀剂材料、其合成方法及其用途 |
CN103324030B (zh) * | 2013-07-03 | 2015-09-09 | 北京科华微电子材料有限公司 | 一种正型光刻胶组合物及正型光刻胶显影工艺 |
CN103309160B (zh) * | 2013-07-03 | 2015-08-26 | 北京科华微电子材料有限公司 | 一种负性化学放大光刻胶及其成像方法 |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002229204A (ja) | 2001-02-02 | 2002-08-14 | Toppan Printing Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
US20080167433A1 (en) | 2007-01-04 | 2008-07-10 | Keith Kunitsky | Method for preparing glycidyloxystyrene monomers and polymers thereof |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
HASHIMOTO,T. et al,Selective Vinyl Cationic Polymerization of Monomers with Two Cationically Polymerizable Groups. II. p-Vinylphenyl Glycidyl Ether: An Epoxy-Functionalized Styrene,Journal of Polymer Science: Part A: Polymer Chemistry,1987年,vol.25,pp.2827-2838 |
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