JP7344485B2

JP7344485B2 - 半導体ウェーハの製造方法

Info

Publication number: JP7344485B2
Application number: JP2019181117A
Authority: JP
Inventors: 邦裕岩田; 悦郎森田; 史朗原; 夕起石田; ソマワンクンプアン
Original assignee: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Current assignee: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority date: 2019-10-01
Filing date: 2019-10-01
Publication date: 2023-09-14
Anticipated expiration: 2039-10-01
Also published as: JP2021057509A

Description

本発明は半導体ウェーハの製造方法に関する。詳しくは、ミニマルファブシステムに用いられる小口径の半導体ウェーハにおいて、表面及び裏面に所望の形状の面取り加工を行うことが可能な半導体ウェーハの製造方法に係るものである。

近年、半導体製造のファブとして、各製造プロセスの処理装置において可能な部分を標準化し、小口径化したウェーハを１枚収納した密閉搬送容器で搬送し、その処理装置のプロセス処理部と密閉容器をクリーンな雰囲気にすることにより、ファブ建設コスト、デバイス製造コスト、製造工期を最小化するミニマルファブシステムと呼ばれる製造方法が提案されている（特許文献１参照）。

このミニマルファブシステムでは、直径が例えば３００ｍｍといった大口径の半導体ウェーハを用いるのではなく、０．５インチ（約１２．５ｍｍ）の小口径の半導体ウェーハを用いて半導体チップを製造する。

なお、半導体ウェーハには、素材として、シリコンウェーハ、エピウェーハ、ＳＯＩウェーハ、さらに化合物半導体の素材、例えば、ＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＧａＮ、サファイア、ダイアモンド等が存在する。

また、ミニマルファブシステムによれば、ライン構築にかかる初期投資額を大幅に抑制しつつ、少量かつ多品種の半導体チップを効率よく製造できるものと期待されている。

ここで、ミニマルファブシステム用の半導体ウェーハを作製する方法として、例えば、大口径の半導体ウェーハ（例えば、シリコンウェーハ）を機械的に打ち抜く方法や、レーザービームを用いて切り出す方法が存在する。

しかしながら、大口径のシリコンウェーハを機械的に打ち抜く方法では、打ち抜き後に断面が損傷を受けているため、面取りやエッチング等の追加工程が必要となる。また、小口径のシリコンウェーハを面取り及びエッチングした後、再度の研磨及び洗浄を行わなければならない。

このような小口径のシリコンウェーハを研磨する場合、一度に多数を処理する作業が非常に煩雑であり、高い精度が得られにくい。また、洗浄工程では、小口径のシリコンウェーハが洗浄液から浮いてしまい、正しく洗浄することが難しい。

更に、研磨及び洗浄を行った後に、平坦度測定やパーティクル測定を行って、品質を確認する必要があるが、現在の半導体デバイスに要求される高精度な平坦度測定やパーティクル測定を、小口径のシリコンウェーハに対して実行することは容易ではない。

また、大口径のシリコンウェーハにレーザービームを照射することによって切り出す方法では、一度に多数の小口径のシリコンウェーハを切り出すことができず、生産性が低いという問題がある。

更に、レーザービームを照射する方法においても、切り出された小口径のシリコンウェーハの断面が損傷を受けているため、機械的に打ち抜く方法と同様、面取り、エッチング、研磨、洗浄等の工程が必要となってしまう。

こうしたなか、大口径のシリコンウェーハから、断面に損傷を与えることなく、小口径のシリコンウェーハを複数個同時に切り出す方法が提案されており、例えば、特許文献２に記載のシリコンウェーハの製造方法が存在する。

ここで、特許文献２に記載のシリコンウェーハの製造方法では、異方性プラズマエッチングを用いて大口径のシリコンウェーハを分割することにより、小口径のシリコンウェーハを複数個同時に切り出すものとなっている。

この特許文献２に記載のシリコンウェーハの製造方法では、異方性プラズマエッチングを用いたことで、エッチング断面に損傷が生じず、その後の処理が基本的に不要となるという利点があった。

特開２０１２－５４４１４号公報特開２０１６－１３１１７８号公報

しかしながら、上述した特許文献２に記載のシリコンウェーハの製造方法では、小口径のシリコンウェーハの裏面側において、面取りの形状が所望の形状に加工できないという問題があった。

しかも、異方性エッチング、即ち、ウェーハ面に垂直にエッチングを施すため、個片化された小口径のシリコンウェーハの端面が垂直になっており、端面形状の加工を、別途行わなくてはならない問題があった。

例えば、表面側から等方エッチングを行った場合には裏面側に、円弧状２００の加工がなされ（図１８（ａ）参照）、更にエッチングが進むと、行場を失ったエッチングガスが側方に向かってシリコンウェーハを削り、ノッチ２０１と呼ばれる溝状の形状（図１８（ｂ）参照）が形成されてしまう。

ミニマルファブシステム用の半導体ウェーハでは、上述したように、専用の密閉搬送容器で搬送がなされるが、この搬送用容器内に小口径の半導体ウェーハを載置する際には、裏面側に所定角度のテーパ状の面取りが形成されることが好ましい。

また、小口径の半導体ウェーハを種々の半導体デバイスに採用する際に、表面及び裏面が所望の形状に加工されることで、製造効率や品質の向上に寄与するものとなる。

一方、上記のような円弧状や溝状の形状が半導体ウェーハの裏面側に形成された際には、搬送用容器内において不安定な配置となるおそれがあり、ひいては、各処理部での不具合に繋がることも考えられる。

また、シリコンウェーハ上に、レジストを点状にディスペンス（塗布）して、熱を加えることで、微細なレンズ形状を作り、プラズマエッチングでシリコンレンズを形成することが一般的に行われている。

しかしながら、このような技術で作成できるレンズの大きさは、横方向及び縦方向のいずれも、たかだか数μｍ程度のサイズに限定される。

従って、ミニマルファブシステムの半導体ウェーハの製造工程で要求される、横方向や、縦方向に１００μｍ程度の長さを有する形状の面取り加工を行うことは困難であった。

本発明は、以上の点に鑑みて創案されたものであり、ミニマルファブシステムに用いられる小口径の半導体ウェーハにおいて、表面及び裏面に所望の形状の面取り加工を行うことが可能な半導体ウェーハの製造方法を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明の半導体ウェーハの製造方法は、略円筒状であり、その軸心方向における一方の端部に、他方の端部とは反対方向に突出した第１の先鋭部が形成された第１の切削部を用いて、又は、略円筒状であり、その軸心方向における一方の端部に、他方の端部とは反対方向に突出して、かつ、前記第１の先鋭部とは異なる第２の先鋭部が形成された第２の切削部、及び、前記第１の切削部を用いて、第１の半導体ウェーハから、表裏面の外周縁に面取り部が形成された第２の半導体ウェーハを製造する半導体ウェーハの製造方法であって、前記第１の半導体ウェーハの第１の面に前記第１の先鋭部を接触させた状態で、前記第１の切削部をその軸心を中心に回転させて、前記第１の面に前記面取り部を切削加工する第１の面切削工程と、前記第１の面とは反対の面である第２の面の、前記第１の先鋭部の先端が切削した位置と対応する位置に、前記第１の先鋭部の先端又は前記第２の先鋭部の先端を接触させた状態で、前記第１の切削部又は前記第２の切削部をその軸心を中心に回転させて、前記第２の面に前記面取り部を切削加工する第２の面切削工程と、前記第１の面切削工程で切削した領域と、前記第２の面切削工程で切削した領域とで挟まれた中間領域の少なくとも一部を、プラズマエッチング、フッ硝酸液を用いたウェットエッチング、又は、昇華法レーザーから選択されたいずれか１つで処理して、前記第１の半導体ウェーハから前記第２の半導体ウェーハを切り出す切出工程と、を備える。

ここで、第１の面切削工程で、略円筒状であり、その軸心方向における一方の端部に、他方の端部とは反対方向に突出した第１の先鋭部が形成された第１の切削部を用いて、第１の半導体ウェーハの第１の面に第１の先鋭部を接触させた状態で、第１の切削部をその軸心を中心に回転させることによって、第１の先鋭部が回転して形成される形状を、第１の面に反映させて加工することができる。即ち、軸心方向において、第１の先鋭部における最も突出した位置を底部の最深部とする平面視で略円形の溝を、第１の面に形成することができる。なお、第１の面切削工程に供する第１の半導体ウェーハは、従前技術で見られる、例えば単結晶インゴットをスライス、面取り及びラッピング処理した後の半導体ウェーハを用いることができる。

また、第１の面切削工程で、第１の半導体ウェーハの第１の面に第１の先鋭部を接触させた状態で、第１の切削部をその軸心を中心に回転させて、第１の面に面取り部を切削加工することによって、加工で形成した溝を第１の面の面取り部とすることができる。即ち、第１の面を面取り加工できる。なお、ここでいう、「面取り部」とは、角を落とした形状と同様の形状となる加工部を意味する。より詳しくは、本発明における「面取り部」とは、加工対象に、一旦、角が形成された上で、研磨加工でその角を落とした形状ではなく、平坦な第１の面に、回転する第１の切削部で加工した結果、角を落とした形状と同様の形状となる加工部を意味する。

また、第２の面切削工程で、第１の面とは反対の面である第２の面の、第１の先鋭部の先端が切削した位置と対応する位置に、第１の先鋭部の先端を接触させた状態で、第１の切削部をその軸心を中心に回転させることによって、第１の面における溝を形成した位置と対応する第２の面の位置に、第１の先鋭部が回転して形成される形状を反映させて加工することができる。即ち、軸心方向において、第１の先鋭部における最も突出した位置を底部の最深部とする平面視で略円形の溝を、第２の面に形成することができる。また、第２の面に形成された溝は、第１の面に形成された溝と、溝の形成位置が対応するものとなる。即ち、第１の半導体ウェーハの厚み方向と略直交する方向を基準に、第１の面の溝と、第２の面の溝の位置が線対称の位置関係となるように、第２の面の溝が形成される。

また、第２の面切削工程で、第２の面の、第１の先鋭部の先端が切削した位置と対応する位置に、第１の先鋭部の先端を接触させた状態で、第１の切削部をその軸心を中心に回転させて、第２の面に面取り部を切削加工することによって、加工で形成した溝を第２の面の面取り部とすることができる。即ち、第２の面を面取り加工できる。また、第１の面の溝と対応する位置に、第２の面の溝を加工するため、第１の面を面取り加工した位置と、対応する位置に、第２の面の面取り加工を施すことができる。なお、ここでいう、「面取り部」とは、上述したように、角を落とした形状と同様との形状となる加工部を意味するものである。

また、第２の面切削工程で、略円筒状であり、その軸心方向における一方の端部に、他方の端部とは反対方向に突出して、かつ、第１の先鋭部とは異なる第２の先鋭部が形成された第２の切削部を用いて、第２の面の、第１の先鋭部の先端が切削した位置と対応する位置に、第２の先鋭部の先端を接触させた状態で、第２の切削部をその軸心を中心に回転させることによって、第１の面における溝を形成した位置と対応する第２の面の位置に、第２の先鋭部が回転して形成される形状を反映させて加工することができる。即ち、軸心方向において、第２の先鋭部における最も突出した位置を底部の最深部とする平面視で略円形の溝を、第２の面に形成することができる。また、第２の面に形成された溝は、第１の面に形成された溝と、溝の形成位置が対応するものとなる。即ち、第１の半導体ウェーハの厚み方向と略直交する方向を基準に、第１の面の溝と、第２の面の溝の位置が線対称の位置関係となるように、第２の面の溝が形成される。また、第１の先鋭部で形成される溝とは形状が異なる、第２の先鋭部で形成される溝を第２の面に形成できる。

なお、ここでいう、第１の先鋭部とは異なる第２の先鋭部とは、例えば、第１の先鋭部及び第２の先鋭部を直径方向で切断した断面視した状態で、第１の先鋭部の突出部を構成する二辺がなす角度と、第２の先鋭部の突出部を構成する二辺がなす角度とが異なる形状がある。また、上述した断面視で、第１の先鋭部の突出部を構成する２つの線が直線であり、第２の先鋭部の突出部を構成する２つの線が曲線で構成される形状がある。また、この逆に、第１の先鋭部の突出部を構成する２つの線が曲線であり、第２の先鋭部の突出部を構成する２つの線が直線で構成される形状もある。更に、上述した断面視で、第１の先鋭部の突出部及び第２の先鋭部を構成する２つの線が曲線であり、曲率が異なる形状である場合も含まれる。

また、第２の面切削工程で、第２の面の、第１の先鋭部の先端が切削した位置と対応する位置に、第２の先鋭部の先端を接触させた状態で、第２の切削部をその軸心を中心に回転させて、第２の面に面取り部を切削加工することによって、第１の面に形成した溝とは形状が異なる溝を、第２の面の面取り部とすることができる。即ち、第２の面を面取り加工できる。また、第１の面の溝と対応する位置に、第２の面の溝を加工するため、第１の面を面取り加工した位置と、対応する位置に、第２の面の面取り加工を施すことができる。なお、ここでいう、「面取り部」とは、上述したように、角を落とした形状と同様との形状となる加工部を意味するものである。

また、切出工程で、第１の面切削工程で切削した領域と、第２の面切削工程で切削した領域とで挟まれた中間領域の少なくとも一部を、プラズマエッチング、フッ硝酸液を用いたウェットエッチング、又は、昇華法レーザーから選択されたいずれか１つで処理して、第１の半導体ウェーハから第２の半導体ウェーハを切り出すことによって、第１の半導体ウェーハから複数の第２の半導体ウェーハを同時に切り出すことが可能となる。即ち、例えば、第１の半導体ウェーハを、大口径の半導体ウェーハとすれば、第１の半導体ウェーハの第１の面に複数回、第１の面切削工程を行い、かつ、第２の面に同一回数分、第２の面切削工程を行った上で、各中間領域に対するプラズマエッチング、フッ硝酸液を用いたウェットエッチング、又は、昇華法レーザーの処理により、複数の小口径の第２の半導体ウェーハを切出し可能となる。また、切り出された第２の半導体ウェーハは、第１の面及び第２の面が所望の形状に面取り加工がされたものとなる。更に、プラズマエッチング、フッ硝酸液を用いたウェットエッチング、又は、昇華法レーザーの処理で、第２の半導体ウェーハに分割することから、従来の機械的な打ち抜きやレーザービームの照射による半導体ウェーハの切出し方法のように、切出し後にダメージを除去するための面取りやエッチング等の各工程を行う必要が無くなる。また、ダメージを除去するための各工程が不要になることから、第１の半導体ウェーハの平坦度がそのまま第２の半導体ウェーハの平坦度へと反映される。この結果、第２の半導体ウェーハに対して高精度な平坦度測定やパーティクル測定等を行う必要がなくなり、製造効率を向上させることができる。更に、第２の半導体ウェーハの表面状態を高品質なものとすることができる。また、既存技術に置いては、ウェーハから小さな個片を切り出す場合、当然加工方向は垂直になるため、結果的な切り出した個片の端面は原理的に垂直になる。このため、個片化端面の形状を制御するということが従来は不可能であった。従って、従来は、切り出した個片の端面は、切り出し後に加工する必要があった。これに対して、本発明では、第１の面切削工程及び第２の面切削工程で、第１の面及び第２の面に面取り部を形成することによって、切り出しプロセスにおいて、同時に端面形状を制御することができる。このことによって、従来の第１の半導体ウェーハから第２の半導体ウェーハを切り出した後に、第２の半導体ウェーハの面取り加工を行う製造に比べて、製造効率を大幅に向上させることができる。

また、第１の切削部、又は、第２の切削部が、他方の端部の外周形の円の直径に沿って切断した断面における断面視で、第１の先鋭部、又は、第２の先鋭部が、第１の半導体ウェーハの厚み方向と略直交する方向における両側に設けられ、かつ、第１の先鋭部の先端、又は、第２の先鋭部の先端を中心に対称な側面を有する場合には、第１の先鋭部、又は、第２の先鋭部は、第１の切削部、又は、第２の切削部の他方の端部に円周状に形成され、かつ、突出した先端を基準に、内周側と外周側が同一の形状を有するものとなる。この結果、第１の面、又は、第２の面に形成される溝は、第１の先鋭部、又は、第２の先鋭部の突出した先端で加工した位置が最も深く、かつ、同位置から内側及び外側に向けて形成される溝の内周面において、内側の内周面と外側の内周面が略同一な角度、又は、略同一な曲率を有する溝が形成されるものとなる。なお、ここでいう、先端で加工した位置から内側に向けて形成される溝の内周面が、第２の半導体ウェーハの面取り部となる。

また、第１の薄膜化工程により、第１の面切削工程の後に、第１の面及び第２の面にラッピング加工及び研削加工を行う、又は、第１の面に研削加工を行う場合には、第１の面切削工程により第１の面に生じたバリを除去して、かつ、第１の半導体ウェーハの厚みを薄くすることができる。また、バリ除去と薄膜化を、第１の半導体ウェーハに対して、一括して行うことができ、製造効率を高めることができる。

また、第２の薄膜化工程により、第２の面切削工程の後に、第１の面及び第２の面にラッピング加工及び研削加工を行う、又は、第１の面に研削加工を行う場合には、第２の面切削工程により第２の面に生じたバリを除去して、かつ、第１の半導体ウェーハの厚みをさらに薄くすることができる。また、バリ除去とさらなる薄膜化を、第１の半導体ウェーハに対して、一括して行うことができ、製造効率を高めることができる。

また、ダメージ除去工程により、第２の薄膜化工程の後に、エッチング処理を行う場合には、切削工程、ラッピング加工又は研削加工で、第１の面又は第２の面の加工面に生じたダメージを取り除くことができる。この場合、第１の面又は第２の面に対して、各加工により生じたダメージを一括して取り除くことができ、製造効率を高めることができる。なお、ここでいうエッチング処理は、例えば、従前技術に見られる化学的エッチング処理を採用することができる。また、エッチング処理の後で、かつ、切出工程の前に、第１の面及び第２の面の品質を高める為に、第１の面及び第２の面を研磨する鏡面加工を行う。

また、切出工程で、第２の面上にレジストを塗布して、中間領域に対応するパターンを形成すると共に、第１の面に接着テープを貼り付けて、第１の半導体ウェーハを固定して、又は、第１の面上にレジストを塗布して、中間領域に対応するパターンを形成すると共に、第２の面に接着テープを貼り付けて、第１の半導体ウェーハを固定して、プラズマエッチングを行う場合には、プラズマエッチングにより、第１の半導体ウェーハを複数の第２の半導体ウェーハに分割することができる。その結果、第１の面及び第２の面には、精度良く台形状面取りの加工を施すことができる。

また、切出工程で、第２の面の第２の面切削工程で切削された領域に囲まれた領域に保護テープを貼り付けると共に、第１の面に接着テープを貼り付けて、第１の半導体ウェーハを固定して、又は、第１の面の第１の面切削工程で切削された領域に囲まれた領域に保護テープを貼り付けると共に、第２の面に接着テープを貼り付けて、第１の半導体ウェーハを固定して、フッ硝酸液を用いたウェットエッチングを行う場合には、保護テープで、第２の半導体ウェーハの表面側の平坦面及び裏面側の平坦面となる領域を保護しながら、フッ硝酸液を用いたウェットエッチングにより、第１の半導体ウェーハを複数の第２の半導体ウェーハに分割することができる。その結果、第１の面及び第２の面には、精度良く台形状面取りの加工を施すことができる。

また、切出工程で、第１の面に接着テープを貼り付けて、第１の半導体ウェーハを固定して、又は、第２の面に接着テープを貼り付けて、第１の半導体ウェーハを固定して、中間領域に昇華法レーザーを照射する場合には、昇華法レーザーの照射により、第１の半導体ウェーハを複数の第２の半導体ウェーハに分割することができる。その結果、第１の面及び第２の面には、精度良く台形状面取りの加工を施すことができる。

また、上記の目的を達成するために、本発明の半導体ウェーハの製造方法は、略円筒状であり、その軸心方向における一方の端部に、他方の端部とは反対方向に突出した先鋭部が形成された切削部、及びプラズマエッチングを用いて、第１の半導体ウェーハから、表裏面の外周縁に面取り部が形成された第２の半導体ウェーハを製造する半導体ウェーハの製造方法であって、前記第１の半導体ウェーハの第１の面に前記先鋭部を接触させた状態で、前記切削部をその軸心を中心に回転させて、前記第１の面に前記面取り部を切削加工する第１の面切削工程と、前記第１の半導体ウェーハの前記第１の面とは反対の面である第２の面上にレジストを塗布して、前記先鋭部の先端が切削した位置と対応する位置の前記レジストにパターンを形成すると共に、等方性プラズマエッチング及び異方性プラズマエッチングを行い、前記第２の面に前記面取り部を加工して、前記第１の半導体ウェーハから前記第２の半導体ウェーハを切り出すプラズマエッチング工程と、を備える。

また、上記の目的を達成するために、本発明の半導体ウェーハの製造方法は、略円筒状であり、その軸心方向における一方の端部に、他方の端部とは反対方向に突出した先鋭部が形成された切削部、及びプラズマエッチングを用いて、第１の半導体ウェーハから、表裏面の外周縁に面取り部が形成された第２の半導体ウェーハを製造する半導体ウェーハの製造方法であって、前記第１の半導体ウェーハの第１の面に前記先鋭部を接触させた状態で、前記切削部をその軸心を中心に回転させて、前記第１の面に前記面取り部を切削加工する第１の面切削工程と、前記第１の半導体ウェーハの前記第１の面とは反対の面である第２の面上にレジストを塗布して、前記先鋭部の先端が切削した位置と対応する位置の前記レジストに、グレースケールリソグラフィー法でパターン形成すると共に、３次元的にレジストの厚み方向に差を設けて、プラズマエッチングを行い、前記第２の面に前記面取り部を加工して、前記第１の半導体ウェーハから前記第２の半導体ウェーハを切り出すプラズマエッチング工程と、を備える。

また、上記の目的を達成するために、本発明の半導体ウェーハは、第１の半導体ウェーハからの分割物であり、表裏面の外周縁部が面取りされ、かつ、エッジロールオフが形成されないものとなる。

ここで、表裏面の外周縁部が面取りされ、かつ、エッジロールオフが形成されないものとなる場合には、従来の機械的な打ち抜きやレーザービームの照射による半導体ウェーハの切出し方法で生じていた、表面及び裏面のエッジロールオフを含む半導体ウェーハの形状を回避することができる。即ち、半導体ウェーハの表面側の平坦面又は裏面側の平坦面と、側端縁側の面取り部とが繋がり、その間にエッジロールオフがない半導体ウェーハの形状を実現することができる。

従来の機械的な打ち抜きやレーザービームの照射による半導体ウェーハの切出し方法では、打ち抜き等の後に、第２の半導体ウェーハに対して面取り加工を行い、その後、面取り加工のダメージを除去するためのエッチングと、エッチングで荒れた面に対して研磨加工を行う必要があった。この研磨加工の際に、エッジ付近におけるウェーハの厚みが減少するエッジロールオフが生じてしまう。しかしながら、本発明では、上述したように、切出工程を行う前に、第１の面及び第２の面に面取り部が形成されるため、従来方法のような第２の半導体ウェーハに対する面取り加工から研磨加工を行うまでのプロセスを経る必要がない。また、第１の半導体ウェーハにおける平坦な第１の面及び第２の面から、第２の半導体ウェーハを切り出すことが可能なため、第２の半導体ウェーハにおけるエッジロールオフの形成を抑止することができる。

また、表面の外周縁部の面取り形状と、裏面の外周縁部の面取り形状とが異なる場合には、半導体ウェーハを種々の用途に利用しやすくなる。即ち、例えば、ミニマルファブシステムで利用される密閉搬送容器の中で、容器内に安定して配置しやすいものとすることができる。

また、上記の加工方法は、エピタキシャル層が形成された第一の半導体ウェーハにも対応可能な加工方法である。

また、例えば、ミニマルファブシステム用の半導体ウェーハのサイズで、半導体ウェーハを貼り合わせして、ＳＯＩ構造を作成する場合には、半導体ウェーハの表裏面の外周縁部が面取りされていることから、半導体ウェーハを貼り合わせた後に、貼り合せた面の下まで面取り加工を行う必要がある。しかし、本本法では、通常のエッジ形状（例えば、滑らから形状）を作ることが可能となる。即ち、より容易に、所望の面取り加工されたＳＯＩ構造を作成することが可能となる。

本発明に係る半導体ウェーハの製造方法は、ミニマルファブシステムに用いられる小口径の半導体ウェーハにおいて、表面及び裏面に所望の形状の面取り加工を行うことが可能な方法となっている。

第１のシリコンウェーハから第２のシリコンウェーハを切り出す範囲及びカップホイールで切削する領域を示す概念図であり、両面を切削加工する場合の図である。両面を切削加工する製造工程の流れを示す工程説明図である。図２に続いて、両面を切削加工する製造工程の流れを示す工程説明図である。プラズマエッチングで第２のシリコンウェーハを切り出す製造工程の流れを示す工程説明図である。フッ硝酸液のウェットエッチングで第２のシリコンウェーハを切り出す製造工程の流れを示す工程説明図である。昇華法レーザーで第２のシリコンウェーハを切り出す製造工程の流れを示す工程説明図である。第１のシリコンウェーハから第２のシリコンウェーハを切り出す範囲及びカップホイールで切削する領域を示す概念図であり、片面を切削加工する場合の図である。片面を切削加工する製造工程の流れを示す工程説明図である。図８に続いて、片面を切削加工する製造工程の流れを示す工程説明図である。プラズマエッチングによる面取り及び第２のシリコンウェーハを切り出す製造工程の流れを示す工程説明図である。図１０に続いて、等方性プラズマエッチングで面取り部を形成して、異方性プラズマエッチングで第２のシリコンウェーハを切り出す製造工程の流れを示す工程説明図である。グレースケールリソグラフィー法で面取りを形成し、プラズマエッチングで第２のシリコンウェーハを切り出す製造工程の流れを示す工程説明図である。（ａ）は、カップホイールの全体を示す概略図であり、（ｂ）は、カップホイールの先端部の構造を示す概略部分断面図であり、（ｃ）は、先端突出部の構造を示す概略部分断面図であり、（ｄ）は、第２のシリコンウェーハの縁端部の面取り形状を示す概略図である。ＳＯＩ構造を有する半導体ウェーハを製造する従来方法の流れを示す図である。ＳＯＩ構造を有する半導体ウェーハを、本発明を適用した製造方法で製造する流れを示す図である。図１５に続いて、ＳＯＩ構造を有する半導体ウェーハを、本発明を適用した製造方法で製造する流れを示す図である。ＳＯＩ構造を有する半導体ウェーハの形状について、（ａ）は、本発明を適用した製造方法で製造した半導体ウェーハであり、（ｂ）は、従来方法で製造した半導体ウェーハである。従来の製造方法におけるシリコンウェーハ裏面側の形状を示す概略図である。

以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態（以下、「実施の形態」と称する）を説明する。
なお、本実施の形態においては、各図において、第１のシリコンウェーハＷ１の表面と裏面の位置が上下で入れ替わることがあり、各図において、必要に応じて「表面」と「裏面」を示すものとする。また、以下の説明においては、同一の機能を有する部材には同一又は関連する符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

本発明の複数の実施の形態では、第１のシリコンウェーハに対して面取りを行う切削加工、薄膜化及びダメージ除去の工程が共通している。そのため、まず、各実施の形態で共通する処理工程について説明を行う。また、共通する処理工程については、第１のシリコンウェーハの「両面」を面取り加工するパターンと、「片面のみ」を面取り加工するパターンの２つがあり、各パターンについて説明する。

［１．両面への切削加工、薄膜化及びダメージ除去］
図１に示すように、本発明の実施の形態では、大口径である第１の半導体ウェーハＷ１から小口径の第２の半導体ウェーハＷ２を複数切り出す工程において、第２の半導体ウェーハＷ２の表面及び裏面に面取り加工を行う。

第１の半導体ウェーハＷ１は、既知の製造方法によって製造されるものであり、その製造方法に関する詳細な説明は省略する。また、第１の半導体ウェーハＷ１は、製造後、平坦度の測定やパーティクルの測定が行われることが好ましい。

また、第１の半導体ウェーハＷ１は、例えば、直径が１５０ｍｍ、２００ｍｍ又は３００ｍｍである高品位シリコンウェーハを用いることができる。なお、本発明が適用可能な半導体ウェーハには、素材として、シリコンウェーハ、エピウェーハ、ＳＯＩウェーハ、ダイアモンド、さらに化合物半導体の素材、例えば、ＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＧａＮ、サファイア等がある。以下では、シリコンウェーハを一例に説明を行う。

また、特に限定されるものではないが、小口径である第２の半導体ウェーハＷ２については、直径が０．５インチ（約１２．５ｍｍ）であることが好ましい。これは、ミニマルファブシステムに適した口径である。

また、第１の半導体ウェーハＷ１の厚さについては特に限定されないが、デバイスプロセスに用いられる第２の半導体ウェーハＷ２の直径を０．５インチとした場合、ハンドリング性の確保に必要な機械的強度と、プラズマエッチングの容易性とを考慮した場合、第１の半導体ウェーハＷ１の厚みは、一例として、単結晶インゴットをスライス、面取り及びラッピング処理した後の状態で、４００～７００μｍであり、各処理工程を経て、第２の半導体ウェーハＷ２として切り出す前の厚みが、２５０±１０μｍとなる。

図１の中段の図及び下段の図では、図１の符号Ｔで示す範囲を側断面で概念的に示しており、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆ及び裏面Ｂには、後述するカップホイール１００で切削加工して溝Ｓが形成される。また、以下では、第１のシリコンウェーハＷ１の表面に符号Ｆ、裏面に符号Ｂを付して示す。

より詳細には、カップホイール１００の１回の切削加工により、第１のシリコンウェーハＷ１に表面に対して、１つ分の第２のシリコンウェーハＷ２の表面の両端部の面取り加工が行われる。また、同様に、第１のシリコンウェーハＷ１に裏面に対しても、カップホイール１００の１回の切削加工により、１つ分の第２のシリコンウェーハＷ２の裏面の両端部の面取り加工が行われる。

なお、隣接する第２のシリコンウェーハＷ２の間に形成される溝Ｓは、図１の下図に示すように、溝Ｓが重なるように形成（例えば、左側に位置する第２のシリコンウェーハＷ２と右側に位置する第２のシリコンウェーハＷ２との間の位置の溝Ｓが重複している）されてもよいし、先発の切削加工で形成される溝Ｓと間隙を有して、次発の切削加工の溝Ｓが形成（２つの第２のシリコンウェーハの間に、２つの溝Ｓが形成される）されてもよい。

但し、第１のシリコンウェーハＷ１から切り出す第２のシリコンウェーハＷ２の個数を増やし、より無駄なく第１のシリコンウェーハＷ１を加工する観点からは、隣接する第２のシリコンウェーハＷ２の間に形成される溝Ｓが重なるように形成されるか、または、先発の切削加工で形成される溝Ｓと次発の切削加工の溝Ｓとの間の距離がより短く設定されることが好ましい。溝Ｓ同士の間隔は、カップホイール１００で切削する領域を制御することで、適宜変更可能である。

続いて、図２及び図３を用いて、第１のシリコンウェーハＷ１から第２のシリコンウェーハＷ２を切り出す直前までの工程を説明する。なお、以下の説明における第１のシリコンウェーハＷ１及び第２のシリコンウェーハの厚みは、ミニマルファブシステムに利用可能な第２のシリコンウェーハの製造を示す一例として採用する数値であり、本発明の内容はこれに限定されるものではない。

また、後述する図２～図６、図８～図１２の図面においては、第１のシリコンウェーハＷ１に対して、複数の第２のシリコンウェーハＷ２が形成されることを分かりやすくするために、溝Ｓの大きさに対する、第２のシリコンウェーハＷ２における半導体を製造する表面（または裏面）の大きさが非常に小さくなっている。実際には、溝Ｓが加工される範囲を１と仮定した場合、第２のシリコンウェーハＷ２における半導体を製造する表面（または裏面）の範囲は１００程度の大きさとなる関係となっている。

まず、第１のシリコンウェーハＷ１は、一般的な半導体ウェーハの製造工程（スライス、ラッピング、周辺の面取り加工）を経て、その製造が行われている（図２（ａ）参照）。この段階での第１のシリコンウェーハＷ１厚みは、４００～７００μｍである。

次に、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面に対して、カップホイール１００（図１３（ａ）参照）を取り付けた回転工具（図示省略）で、溝Ｓを形成する切削加工を行う。なお、ここでいうカップホイール１００が本願請求項における第１の切削部に該当する。また、ここでいう溝Ｓを形成する切削加工が、本願請求項における第１の面切削工程に該当する。

回転工具は、カップホイール１００を回転自在に支持可能な工具であり、カップホイール１００を回転させながら、その先端部１０１を、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面に接触させ、その面上に、平面視で略円形の溝Ｓを形成する。また、ここで形成される溝Ｓが、第２の半導体ウェーハＷ２の裏面の面取り部となる。

ここで、カップホイール１００を取り付ける回転工具としては、既知のディスクグラインダー等が採用しうる。また、カップホイール１００は、シリコンウェーハに対して切削加工が可能な、既知の素材で形成することができる。

図１３（ｂ）に示すように、筒状のカップホイール１００の直径方向で切断した断面視において、左右の両側の先端部１０１に、突出部１０２が形成されている。この突出部１０２が、第１のシリコンウェーハＷ１の表面及び裏面に溝Ｓを形成する。

また、第１のシリコンウェーハＷ１の表面（裏面）に、カップホイール１００を回転させて、突出部１０２で溝Ｓを加工する１回の工程で、１つの第２の半導体ウェーハＷ２における表面側（裏面側）の全周に渡る面取り部が形成されるものとなる。

図１３（ａ）及び図１３（ｂ）から明らかなように、突出部１０２はカップホイール１００の先端部１０１に、円周状に形成されている。

また、図１３（ｃ）に示すように、カップホイール１００の直径方向で切断した断面視において、突出部１０２を形成する２辺のなす角度が１４０度に設定されている。また、突出部１０２は、その先端を中心に、左右略対象な形状に形成されている。

これにより、図１３（ｄ）に示すように、第２のシリコンウェーハＷ２の表面及び裏面に形成される面取り部３００は、直径方向の断面視で、部分台形状の面取り部となる。また、第２のシリコンウェーハＷ２の側端縁と表面（裏面）とを繋ぐ線３０１と、側端縁の上端位置における表面（裏面）と略平行な線３０２とがなす角度が略２０度となる。

ここで、必ずしも、カップホイール１００の直径方向で切断した断面視において、突出部１０２を形成する２辺のなす角度が１４０度に設定される必要はない。例えば、第２のシリコンウェーハＷ２の表面又は裏面に形成したい面取り部の形状に合わせて、その角度は適宜設定変更することが可能である。

図２（ｂ）に示すように、上述したカップホイール１００を取り付けた回転工具により、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面に回転する突出部１０２を接触させ、裏面に溝Ｓを形成する。この際、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面を上側、表面を下側として、第１のシリコンウェーハＷ１を固定して、回転する突出部１０２を接触させる。

また、回転工具及びカップホイール１００と、第１のシリコンウェーハＷ１との間で、互いの位置を変えて、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面上で研削する位置を変えながら、回転工具で研削する工程を繰り返し行い、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面に溝Ｓを複数形成する。

図２（ｃ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面に、カップホイール１００による溝Ｓを形成する切削加工で生じたバリを取る為に、ラッピング加工及び研削加工を行う。また、同工程では、第１のシリコンウェーハＷ１の表面及び裏面の両面に対して、ラッピング加工及び研削加工を行い、第１のシリコンウェーハＷ１の厚みを薄くする。なお、ここでいうラッピング加工及び研削加工が、本願請求項における第１の薄膜化工程に該当する。また、ラッピング加工及び研削加工は、既知の方法を採用しうる。

ここで、必ずしも、ラッピング加工及び研削加工が採用される必要はなく、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面に生じたバリを取り、その厚みを、所望の厚みまで薄くすることが可能であれば、ラッピング加工のみ、又は、研削加工のみで加工を行ってもよい。

次に、図２（ｄ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の表面が上側となるように固定する。そして、裏面と同様に、上述したカップホイール１００を取り付けた回転工具により、第１のシリコンウェーハＷ１の表面に回転する突出部１０２を接触させ、表面にも複数の溝Ｓを形成する。また、ここで形成される溝Ｓが、第２の半導体ウェーハＷ２の表面の面取り部となる。なお、ここでいう溝Ｓを形成する切削加工が、本願請求項における第２の面切削工程に該当する。

ここで、第１のシリコンウェーハＷ１の表面に形成された溝Ｓと、裏面に形成された溝Ｓは、その位置が対応するように形成される。即ち、表面側に、１回の研削加工で形成された溝Ｓ１と、裏面側に、１回の研削加工で形成された溝Ｓ２とは、図２（ｄ）で見る水平方向を基準に、各溝の形成位置は線対称となる。

更に言えば、第１のシリコンウェーハＷ１を平面視した場合、略円形の溝Ｓ１と、略円形の溝Ｓ２とが重なる位置に形成される。また、複数形成された溝Ｓについても同様に、第１のシリコンウェーハＷ１の表面と裏面で位置を合わせて形成される。この溝Ｓ１と溝Ｓ２が、１つの第２のシリコンウェーハＷ２の表面及び裏面の周縁部の面取り部となる。

ここで、必ずしも、第１のシリコンウェーハＷ１の表面及び裏面を、同一形状のカップホイール１００で切削加工する必要はない。例えば、裏面をカップホイール１００で切削加工して、表面の切削加工に、カップホイール１００とは、先端部の形状が異なるカップホイールを利用することもできる。これにより、第２のシリコンウェーハＷ２の表面と裏面とで、形状が異なる面取り部を形成することが可能となる。

また、図２（ｄ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の表面にレーザー加工等により、ラインオリフラ３０を形成してもよい。

ここで、第１のシリコンウェーハＷ１の表面にラインオリフラを形成する場合、同時に、表面にモニター用のラインオリフラを形成しない第２のシリコンウェーハＷ２も準備しておく。これにより、同一の第１のシリコンウェーハＷ１から、パーティクル評価及び表面の平坦度評価が可能な、ラインオリフラを形成しない第２のシリコンウェーハＷ２が得られ、ラインオリフラを形成した第２のシリコンウェーハＷ２での品質評価を行うことができる。

次に、図３（ｅ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面が上側となるように配置する。そして、第１のシリコンウェーハＷ１の表面に、カップホイール１００による溝Ｓを形成する切削加工で生じたバリを取る為に、ラッピング加工及び研削加工を行う。また、同工程では、第１のシリコンウェーハＷ１の表面及び裏面の両面に対して、ラッピング加工及び研削加工を行い、第１のシリコンウェーハＷ１の厚みを更に薄くする。

この際、一例として、第１のシリコンウェーハＷ１の厚みは３３０μｍまで薄くなる。なお、ここでいうラッピング加工及び研削加工が、本願請求項における第２の薄膜化工程に該当する。また、ラッピング加工及び研削加工は、既知の方法を採用しうる。

ここで、必ずしも、ラッピング加工及び研削加工が採用される必要はなく、第１のシリコンウェーハＷ１の表面に生じたバリを取り、その厚みを、所望の厚みまで薄くすることが可能であれば、ラッピング加工のみ、又は、研削加工のみで加工を行ってもよい。

また、図３（ｆ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の表面及び裏面の両面に対して、切削加工、ラッピング加工及び研削加工で生じたダメージを除去するために、化学的エッチング処理を行う。ここでは、一例として、片面につき２０μｍずつエッチング処理を行い、第１のシリコンウェーハＷ１の厚みは２９０μｍまで薄くなる。なお、ここでいう化学的エッチング処理が、本願請求項におけるダメージ除去工程に該当する。また、化学的エッチング処理は、既知の方法を採用しうる。

次に、図３（ｇ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の表面が上側となるように配置して、第１のシリコンウェーハＷ１の下側から裏面に対して研磨加工を行う。この研磨加工により、裏面が鏡面加工され、きれいな面に仕上げられる。

さらに、図３（ｈ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面が上側となるように配置して、第１のシリコンウェーハＷ１の下側か表面に対して研磨加工を行う。この研磨加工により、表面が鏡面加工され、きれいな面に仕上げられる。この表面及び裏面への研磨加工により、一例として、第１のシリコンウェーハＷ１の厚みは、２５０μｍとなる。

以上までの流れにより、第２のシリコンウェーハＷ２に切り出す前の、第２のシリコンウェーハＷ２の表面及び裏面の面取り部となる部分が加工された第１のシリコンウェーハＷ１を製造できる。

続いて、第２のシリコンウェーハＷ２の表面及び裏面の面取り部となる部分が両面に加工され、２５０μｍまで薄くした第１のシリコンウェーハＷ１から、第２のシリコンウェーハＷ２を切り出す工程について説明する。

［２．プラズマエッチングによる切り出し］
図４を用いて、プラズマエッチングを利用した第２のシリコンウェーハＷ２を切り出す工程を説明する。

図４（ａ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の表面が上側となるように配置して、表面にレジスト１０を塗布する。

図４（ｂ）に示すように、ウェーハ加工用のフォトマスク（図示省略）を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成した後、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する。これにより、第１のシリコンウェーハＷ１の表面における溝Ｓが形成された部分が露出する。

次に、図４（ｃ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面にテープ６０を貼り付け、第２のシリコンウェーハＷ２へと分割される際に、第２のシリコンウェーハＷ２を固定する。

続いて、図４（ｄ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の厚み方向にかけて、表面及び裏面の溝Ｓに挟まれた領域にプラズマエッチングを行う。これにより、第１のシリコンウェーハＷ１を貫通する貫通部７０が形成される。

以上の工程により、第２のシリコンウェーハＷ２の表面及び裏面の周縁部に、カップホイール１００で切削して加工した溝Ｓによる面取り部３００が形成された、複数の複数の第２のシリコンウェーハＷ２を切り出すことができる。

本実施の形態では、プラズマエッチングにより複数の第２のシリコンウェーハＷ２を切り出して、第２のシリコンウェーハＷ２の表面だけでなく、裏面にも所望の形状の面取り部を精度高く形成した第２のシリコンウェーハＷ２を得ることができる。

また、本実施の形態では、プラズマエッチングにより複数の第２のシリコンウェーハＷ２を切り出す為、第２のシリコンウェーハＷ２において更なる面取りやエッチングといった追加工程を行う必要がなくなる。

更に、本実施の形態では、プラズマエッチングにより複数の第２のシリコンウェーハＷ２を切り出す為、第２のシリコンウェーハＷ２において、第１のシリコンウェーハＷ１の表面状態を維持することができる。

この点は、第２のシリコンウェーハＷ２を、直径が０．５インチ（約１２．５ｍｍ）の小口径のミニマルファブシステム用のウェーハとして利用する点で大きな利点となる。まず、そもそも、ミニマルファブシステム用のサイズのウェーハでは、平坦度測定やパーティクル測定における測定精度が大口径ウェーハ測定精度より劣るため、第１のシリコンウェーハＷ１の表面状態を維持することで、測定の工程なしにウェーハの品質を担保することが可能となる。

更に、例えば、第１のシリコンウェーハＷ１の直径が２００ｍｍであれば、現行のウェーハ形成技術によれば、平坦度がＧＢＩＲ＜２μｍ、ＳＢＩＲ（Ｗ２のＧＢＩＲ相当）＜０．１μｍの加工精度の表面状態とすることができる。また、パーティクルについては、０．２μｍ以上＜１個、０．１μｍ以上＜１００個以下のクリーン度で形成しうる。即ち、第２のシリコンウェーハについても、直径２００ｍｍのサイズのシリコンウェーハと同一の平坦度及びパーティクルの品質を引き継ぐことができ、高品質な表面状態のシリコンウェーハとなる。

従来のレーザーによる切出加工による小口径のシリコンウェーハの形成方法では、上述したような平坦度及びパーティクルの品質を実現することは困難であり、この点においても、本実施の形態は優れたものとなる。なお、これ以降で説明するその他の実施の形態においても同様の利点を有している。

更に、本実施の形態では、面取り加工した第２のシリコンウェーハＷ２を、第１のシリコンウェーハＷ１から複数切り出す際、第１のシリコンウェーハＷ１の表面及び裏面に、カップホイール１００による切削加工で面取り部を形成した上で、プラズマエッチングによる切り出しプロセスにおいて、同時に端面形状を制御することができるため、従来の大口径のシリコンウェーハから小口径の半導体ウェーハを切り出した後に、小口径のシリコンウェーハの面取り加工を行う製造に比べて、製造効率を大幅に向上させることができる。なお、これ以降で説明するその他の実施の形態においても同様の利点を有している。

［３．フッ硝酸液のウェットエッチングによる切り出し］
図５を用いて、フッ硝酸液のウェットエッチングを利用した第２のシリコンウェーハＷ２を切り出す工程を説明する。

図５（ａ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の表面が上側となるように配置して、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面にテープ６０を貼り付け、第２のシリコンウェーハＷ２へと分割される際に、第２のシリコンウェーハＷ２を固定する。

図５（ｂ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の表面のうち、溝Ｓで囲まれた範囲であり、かつ、平坦な面を覆うように保護テープ８０を貼り付ける。この保護テープ８０は、フッ硝酸液（HF/HNO₃）を用いたウェットエッチング処理において、第２のシリコンウェーハＷ２の表面上の平坦面となる領域を保護する部材である。

また、保護テープ８０は、平面視した状態では、略円形（切り出し後の第２のシリコンウェーハＷ２の形状）となっている。また、保護テープ８０が貼り付けられてない箇所の下部には、第１のシリコンウェーハＷ１の表面における溝Ｓが形成された部分が露出する。

続いて、図５（ｃ）に示すように、フッ硝酸液を用いたウェットエッチング処理を行う。これにより、第１のシリコンウェーハＷ１の厚み方向にかけて、表面及び裏面の溝Ｓに挟まれた領域が加工され、第１のシリコンウェーハＷ１を貫通する貫通部７０が形成される。

以上の工程により、第２のシリコンウェーハＷ２の表面及び裏面の周縁部に、カップホイール１００で切削して加工した溝Ｓによる面取り部３００が形成された、複数の第２のシリコンウェーハＷ２を切り出すことができる。

本実施の形態では、以上のように、フッ硝酸液（HF/HNO₃）を用いたウェットエッチング処理を用いて、第１のシリコンウェーハＷ１から複数の第２のシリコンウェーハＷ２を形成することができる。また、第２のシリコンウェーハＷ２の表面だけでなく、裏面にも所望の形状の面取り部を精度高く形成することができる。

また、本実施の形態では、ウェットエッチング処理により複数の第２のシリコンウェーハを切り出す為、第２のシリコンウェーハＷ２において更なる面取りやエッチングといった追加工程を行う必要がなくなる。

更に、本実施の形態では、ウェットエッチング処理により複数の第２のシリコンウェーハを切り出す為、第２のシリコンウェーハＷ２において、第１のシリコンウェーハＷ１の表面状態を維持することができる。

［４．昇華法レーザーによる切り出し］
図６を用いて、昇華法レーザーを利用した第２のシリコンウェーハＷ２を切り出す工程を説明する。

図６（ａ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の表面及び裏面に対して、熱酸化処理により保護膜９０を形成する。ここで形成した保護膜９０により、次工程の昇華法レーザーを照射する処理で、第２のシリコンウェーハＷ２の表面及び裏面の平坦面となる領域を保護する。

図６（ｂ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面にテープ６０を貼り付け、第２のシリコンウェーハＷ２へと分割される際に、第２のシリコンウェーハＷ２を固定する。

続いて、第１のシリコンウェーハＷ１に対して、昇華法レーザーを照射するレーザー処理を行う。図６（ｂ）では、符号Ｌにて昇華法レーザーを照射する位置を示している。

これにより、図６（ｃ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の厚み方向にかけて、表面及び裏面の溝Ｓに挟まれた領域が加工され、第１のシリコンウェーハＷ１を貫通する貫通部７０が形成される。

本実施の形態では、以上のように、昇華法レーザーを照射するレーザー処理を用いて、第１のシリコンウェーハＷ１から複数の第２のシリコンウェーハを形成することができる。また、第２のシリコンウェーハの表面だけでなく、裏面にも所望の形状の面取り部を精度高く形成することができる。

また、本実施の形態では、昇華法レーザーを照射するレーザー処理を用いるが、本レーザー処理は、昇華法レーザーを用いて複数の第２のシリコンウェーハを切り出す為、第２のシリコンウェーハにおいて更なる面取りやエッチングといった追加工程を行う必要がなくなる。

更に、本実施の形態では、昇華法レーザーにより複数の第２のシリコンウェーハを切り出す為、第２のシリコンウェーハＷ２において、第１のシリコンウェーハＷ１の表面状態を維持することができる。なお、昇華法レーザーは、ダメージが入らないため、切り出したウェーハをそのまま使用することが可能となる。

［５．片面への切削加工、薄膜化及びダメージ除去］
図７に示すように、大口径である第１の半導体ウェーハＷ１から小口径の第２の半導体ウェーハＷ２を複数切り出す工程において、上述したカップホイール１００で先に、第２の半導体ウェーハＷ２の裏面に面取り加工を行う方法を説明する。

図７の中段の図及び下段の図では、図７の符号Ｔで示す範囲を側断面で概念的に示しており、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂには、カップホイール１００で切削加工して溝Ｓが形成される。

より詳細には、カップホイール１００の１回の切削加工により、第１のシリコンウェーハＷ１に裏面に対して、１つ分の第２のシリコンウェーハＷ２の裏面の両端部の面取り加工が行われる。また、第１のシリコンウェーハＷ１に表面に対しては、後述するカップホイール１００の切削加工とは異なる加工により、１つ分の第２のシリコンウェーハＷ２の表面の両端部の面取り加工が行われる。

なお、隣接する第２のシリコンウェーハＷ２の間に形成される溝Ｓは、図７に示すように溝Ｓが重なるように形成（例えば、左側に位置する第２のシリコンウェーハＷ２と右側に位置する第２のシリコンウェーハＷ２との間の位置の溝Ｓが重複している）されてもよいし、先発の切削加工で形成される溝Ｓと間隙を有して、次発の切削加工の溝Ｓが形成（２つの第２のシリコンウェーハの間に、２つの溝Ｓが形成される）されてもよい。

続いて、図８及び図９を用いて、第１のシリコンウェーハＷ１から第２のシリコンウェーハＷ２を切り出す直前までの工程を説明する。なお、以下の説明における第１のシリコンウェーハＷ１及び第２のシリコンウェーハの厚みは、ミニマルファブシステムに利用可能な第２のシリコンウェーハの製造を示す一例として採用する数値であり、本発明の内容はこれに限定されるものではない。

まず、第１のシリコンウェーハＷ１は、一般的な半導体ウェーハの製造工程（スライス、ラッピング、周辺の面取り加工）を経て、その製造が行われている（図８（ａ）参照）。この段階での第１のシリコンウェーハＷ１厚みは、４００～７００μｍである。

カップホイール１００を回転させながら、その先端部１０１を、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面に接触させ、その面上に、平面視で略円形の溝Ｓを形成する（図８（ｂ）参照）。また、ここで形成される溝Ｓが、第２の半導体ウェーハＷ２の裏面の面取り部となる。

図８（ｂ）に示すように、上述したカップホイール１００を取り付けた回転工具により、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面に回転する突出部１０２を接触させ、裏面に溝Ｓを形成する。この際、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面を上側、表面を下側として、第１のシリコンウェーハＷ１を固定して、回転する突出部１０２を接触させる。

また、図８（ｃ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の表面が上側となるように固定して、第１のシリコンウェーハＷ１の表面にレーザー加工等により、ラインオリフラ３０を形成してもよい。

図８（ｄ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面が上側となるように配置する。第１のシリコンウェーハＷ１の裏面に、カップホイール１００による溝Ｓを形成する切削加工で生じたバリを取る為に、ラッピング加工及び研削加工を行う。また、同工程では、第１のシリコンウェーハＷ１の表面及び裏面の両面に対して、ラッピング加工及び研削加工を行い、第１のシリコンウェーハＷ１の厚みを薄くする。

この際、一例として、第１のシリコンウェーハＷ１の厚みは３３０μｍまで薄くなる。
なお、ここでいうラッピング加工及び研削加工が、本願請求項における薄膜化工程に該当する。また、ラッピング加工及び研削加工は、既知の方法を採用しうる。

次に、図９（ｅ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の表面及び裏面の両面に対して、切削加工、ラッピング加工及び研削加工で生じたダメージを除去するために、化学的エッチング処理を行う。ここでは、一例として、片面につき２０μｍずつエッチング処理を行い、第１のシリコンウェーハＷ１の厚みは２９０μｍまで薄くなる。なお、ここでいう化学的エッチング処理が、本願請求項におけるダメージ除去工程に該当する。また、化学的エッチング処理は、既知の方法を採用しうる。

次に、図９（ｆ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の表面が上側となるように配置して、第１のシリコンウェーハＷ１の下側から裏面に対して研磨加工を行う。この研磨加工により、裏面が鏡面加工され、きれいな面に仕上げられる。

さらに、図９（ｇ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面が上側となるように配置して、第１のシリコンウェーハＷ１の下側か表面に対して研磨加工を行う。この研磨加工により、表面が鏡面加工され、きれいな面に仕上げられる。この表面及び裏面への研磨加工により、一例として、第１のシリコンウェーハＷ１の厚みは、２５０μｍとなる。

続いて、第２のシリコンウェーハＷ２の裏面の面取り部となる部分が、その裏面に加工され、２５０μｍまで薄くした第１のシリコンウェーハＷ１から、第２のシリコンウェーハＷ２を切り出す工程について説明する。

［６．プラズマエッチングによる面取り及び切り出し］
図１０及び図１１を用いて、プラズマエッチングを利用した面取り及び第２のシリコンウェーハＷ２を切り出す工程を説明する。

本実施の形態では、これまでに述べた実施の形態と異なり、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面側のみ、カップホイール１００で切削加工して、第１のシリコンウェーハＷ１の表面側には、切削加工とは異なる方法で、第２のシリコンウェーハＷ２の表面の面取り部を形成する工程を有する。

図１０（ａ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の表面が上側となるように配置して、表面にレジスト１０を塗布する。

図１０（ｂ）に示すように、ウェーハ加工用のフォトマスク（図示省略）を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成した後、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する。これにより、第１のシリコンウェーハＷ１の表面で、その下方に位置する裏面に溝Ｓが形成された部分が露出する。

次に、図１０（ｃ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面にテープ６０を貼り付け、第２のシリコンウェーハＷ２へと分割される際に、第２のシリコンウェーハＷ２を固定する。

続いて、図１０（ｄ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の厚み方向にかけて、表面に等方性プラズマエッチングを行う。これにより、第１のシリコンウェーハＷ１の表面における、裏面の溝Ｓが形成された部分と反対側に位置する領域に、第２のシリコンウェーハＷ２の表面の面取り部３００が形成される。

さらに、図１１（ｅ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の厚み方向にかけて、表面の面取り部３００及び裏面の溝Ｓ（裏面の面取り部３００）に挟まれた領域に異方性プラズマエッチングを行う。これにより、第１のシリコンウェーハＷ１を貫通する貫通部７０が形成される。

以上の工程により、第２のシリコンウェーハＷ２の表面及び裏面の周縁部に、表面は等方性プラズマエッチングによる面取り部３００、また、裏面はカップホイール１００で切削して加工した溝Ｓによる面取り部３００が形成された、複数の第２のシリコンウェーハＷ２を切り出すことができる。

ここで、本実施の形態では、第１のシリコンウェーハＷ１の表面及び裏面に保護膜として酸化膜が形成されていない態様を説明したが、本発明では、保護膜として酸化膜が形成された第１のシリコンウェーハＷ１を用いることもできる。

また、本実施の形態では、第２のシリコンウェーハＷ２の表面及び裏面の面取り部３００を鏡面化することも可能である。面取り部３００を鏡面化することで、衝突に強い形状となり、ミクロなパーティクルの発生を防止することができる。この面取り部の鏡面化は、エッチング又は研磨テープ等を用いた既知の手法で行うことができる。なお、第２のシリコンウェーハＷ２の表面及び裏面の面取り部３００を鏡面化は、本実施の形態に限らず、以下で説明する他の実施の形態においても採用しうる。

本実施の形態では、以上のように、プラズマエッチングを用いて、第１のシリコンウェーハＷ１から複数の第２のシリコンウェーハＷ２を形成することができる。また、第２のシリコンウェーハＷ２の表面だけでなく、裏面にも所望の形状の面取り部を精度高く形成することができる。

また、本実施の形態では、プラズマエッチングにより複数の第２のシリコンウェーハを切り出す為、第２のシリコンウェーハＷ２において更なる面取りやエッチングといった追加工程を行う必要がなくなる。

更に、本実施の形態では、プラズマエッチングにより複数の第２のシリコンウェーハを切り出す為、第２のシリコンウェーハＷ２において、第１のシリコンウェーハＷ１の表面状態を維持することができる。

［７．グレースケールリソグラフィー法を用いたプラズマエッチング］
図１２を用いて、グレースケールリソグラフィー法を用いたプラズマエッチングで面取り形状の形成を行い、第２のシリコンウェーハＷ２の切り出しを行う工程を説明する。

本実施の形態では、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面側のみ、カップホイール１００で切削加工して、第１のシリコンウェーハＷ１の表面側には、切削加工とは異なる方法で、第２のシリコンウェーハＷ２の表面の面取り部を形成する工程を有する。
本実施の形態では、第１のシリコンウェーハＷ１の表面側は、グレースケールリソグラフィー法で、第２のシリコンウェーハＷ２の表面の面取り部を形成する工程を有する。

図１２（ａ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の表面が上側となるように配置して、表面にレジスト１０を塗布する。

図１２（ｂ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の表面にグレースケールリソグラフィー用のフォトマスク４５を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する。

次に、図１２（ｃ）に示すように、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する。これにより、レジスト１０には、厚み方向に差を有する領域１０ａが形成される。

また、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面にテープ６０を貼り付け、第２のシリコンウェーハＷ２へと分割される際に、第２のシリコンウェーハＷ２を固定する。

続いて、図１２（ｃ）に示すように、パターニングされたレジスト１０ａをマスクとして、図１２（ｄ）に示すように、プラズマエッチングを行う。これにより、裏面の溝Ｓが形成された部分と反対側に位置する領域に、第２のシリコンウェーハＷ２の表面の面取り部３００が形成され、同時に、第１のシリコンウェーハＷ１を貫通する貫通部７０が形成される。

以上の工程により、第２のシリコンウェーハＷ２の表面及び裏面の周縁部に、表面はグレースケールリソグラフィーを用いてプラズマエッチングによる面取り部３００、また、裏面はカップホイール１００で切削して加工した溝Ｓによる面取り部３００が形成された、複数の第２のシリコンウェーハＷ２を切り出すことができる。

ここで、グレースケールリソグラフィーを用いて面取り部３００だけを形成し、改めて第１のシリコンウェーハＷ１の表面にフォトマスクを介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成した後、表面の面取り部３００及び裏面の溝Ｓ（裏面の面取り部３００）に挟まれた領域にプラズマエッチングを行うことで、複数の第２のシリコンウェーハＷ２に切り出すことも可能である。

本実施の形態では、以上のように、グレースケールリソグラフィー法でレジストの形状をコントロールすることで、プラズマエッチングを用いて、第１のシリコンウェーハＷ１から複数の第２のシリコンウェーハＷ２を形成することができる。また、第２のシリコンウェーハＷ２の表面だけでなく、裏面にも所望の形状の面取り部を精度高く形成することができる。

更に、本実施の形態では、グレースケールリソグラフィー法でレジストの形状をコントロールすることで、プラズマエッチングにより複数の第２のシリコンウェーハを切り出す為、第２のシリコンウェーハＷ２において、第１のシリコンウェーハＷ１の表面状態を維持することができる。

［ＳＯＩ構造を有する半導体ウェーハ］
半導体ウェーハを貼り合わせして、ミニマルファブシステム用の半導体ウェーハのサイズでＳＯＩ構造を作成する場合に、本発明を適用した半導体ウェーハの製造方法を用いることで、貼り合せた面の下まで面取り加工を行う必要がなくなり、容易に所望の面取り形状を形成可能となることを説明する。

まず、従来方法を説明する。
図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示すように、表面に酸化膜２０が形成された酸化ウェーハＷ１０と、支持ウェーハＷ２０とを貼り合せる。

また、酸化ウェーハＷ１０と支持ウェーハＷ２０を貼り合せた後、強化熱処理を行い、ウェーハ間の結合力を高める（図１４（ｃ）参照）。

続いて、既知のべべリングの手法により、酸化ウェーハＷ１０の表面側から、支持ウェーハＷ２０の接合面の端部近傍まで面取りを行い、図１４（ｄ）図中の符号Ｔで示す点線部分をカットする（図１４（ｅ）参照）。

その後、酸化ウェーハＷ１０の表面側から薄膜化処理を行い、ＳＯＩ構造を有する半導体ウェーハＷ３０を完成させる（図１４（ｆ）及び図１７（ｂ）参照）。

このように、従来方法の加工では、ＳＯＩ構造を有する半導体ウェーハＷ３０を製造するにあたり、酸化ウェーハＷ１０と支持ウェーハＷ２０を貼り合せた面の下方の、支持ウェーハＷ２０の接合面の端部近傍まで面取りした形状とする必要があり、接合面の近傍に通常の面取り形状（例えば、滑らかなエッジ形状）を形成することが困難であった。

次に、本発明を適用した半導体ウェーハの製造法により、ミニマルファブシステム用の半導体ウェーハのサイズでＳＯＩ構造を作成する例を説明する。

図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示すように、表面に酸化膜２０が形成された酸化ウェーハＷ４０と、支持ウェーハＷ５０とを貼り合せる。

また、酸化ウェーハＷ４０と支持ウェーハＷ５０を貼り合せた後、強化熱処理を行い、ウェーハ間の結合力を高める（図１５（ｃ）参照）。

続いて、支持ウェーハＷ５０の裏面に対して、カップホイール１００（図１３（ａ）参照）を取り付けた回転工具（図示省略）で、溝Ｓを形成する切削加工を行う（図１５（ｄ）参照）。

次に、支持ウェーハＷ５０の裏面に研削加工を行う。また、支持ウェーハＷ５０の裏面に対して研磨加工を行う（図１５（ｅ）参照）。

また、酸化ウェーハＷ４０の表面側から薄膜化処理を行う（図１５（ｆ）参照）。

続いて、酸化ウェーハＷ４０の表面に対して、カップホイール１００を取り付けた回転工具（図示省略）で、溝Ｓを形成する切削加工を行う（図１６（ｇ）参照）。ここで、支持ウェーハＷ５０の裏面に形成された溝Ｓと、酸化ウェーハＷ４０の表面に形成された溝Ｓは、その位置が対応するように形成される。

また、酸化ウェーハＷ４０の表面側から薄膜化処理を行う。また、酸化ウェーハＷ４０の表面に対して研磨加工を行う（図１６（ｈ）参照）。

次に、図１６（ｉ）に示すように、支持ウェーハＷ５０の裏面にテープ６０を貼り付け、ＳＯＩ構造を有する半導体ウェーハＷ６０へと分割される際に、半導体ウェーハＷ６０を固定する。続いて、その厚み方向にかけて、酸化ウェーハＷ４０の表面及び支持ウェーハＷ５０裏面の溝Ｓに挟まれた領域にプラズマエッチングを行う。これにより貫通部７０が形成される。この結果、ＳＯＩ構造を有する半導体ウェーハＷ６０を切り出すことができる（図１６（ｉ）参照）。

このように、本発明を適用した半導体ウェーハの製造法によれば、ＳＯＩ構造を有する半導体ウェーハの表面及び裏面に対して、カップホイールを用いた切削加工により面取り部を形成して、接合面の近傍に通常の面取り形状（例えば、滑らかなエッジ形状）を形成することができる（図１７（ａ）参照）。また、簡易な工程により、通常の面取り形状を形成したＳＯＩ構造を有する半導体ウェーハを製造可能となる。

例えば、電気自動車等に使用されるパワー半導体においては、その性能を向上させる為にＳｉＣ、ＧａＮ、ダイアモンド等の新たな半導体材料での開発競争が起こっている。この新たな半導体材料の結晶は、ウェーハ径が小さいものが多く、ミニマルファブシステムにより効率よく研究開発から量産化まで対応することができるが、パワー半導体として活用するには、その新たな材料結晶上でＳＯＩ構造を持たせることが必須となる。ここで、本発明を適用した半導体ウェーハの製造法を利用することでそれが可能となる。

なお、ここでは、オリフラのない半導体ウェーハＷ６０について説明を行ったが、本発明を適用した半導体ウェーハの製造法では、オリフラを形成する工程を有していてもよい。

また、必ずしも、ＳＯＩ構造を有する半導体ウェーハＷ６０へと分割される際に、プラズマエッチングが採用される必要はなく、上述したフッ硝酸液のウェットエッチングや、昇華法レーザーによる切り出しが採用されてもよい。

以上のように、本発明に係る半導体ウェーハの製造方法は、ミニマルファブシステムに用いられる小口径の半導体ウェーハにおいて、表面及び裏面に所望の形状の面取り加工を行うことが可能な方法となっている。

本明細書、及び特許請求の範囲で使用している用語と表現は、あくまでも説明上のものであって、なんら限定的なものではなく、本明細書、及び特許請求の範囲に記述された特徴およびその一部と等価の用語や表現を除外する意図はない。また、本発明の技術思想の範囲内で、種々の変形態様が可能であるということは言うまでもない。

１０レジスト
２０酸化膜
３０ラインオリフラ
４５グレースケールリソグラフィー用のフォトマスク
６０テープ
７０貫通部
８０保護テープ
９０保護膜
１００カップホイール
１０１先端部
１０２突出部
３００面取り部
３０１線
３０２線

Claims

略円筒状であり、その軸心方向における一方の端部に、他方の端部とは反対方向に突出した第１の先鋭部が形成された第１の切削部を用いて、
又は、
略円筒状であり、その軸心方向における一方の端部に、他方の端部とは反対方向に突出して、かつ、前記第１の先鋭部とは異なる第２の先鋭部が形成された第２の切削部、及び、前記第１の切削部を用いて、
第１の半導体ウェーハから、表裏面の外周縁に面取り部が形成された第２の半導体ウェーハを製造する半導体ウェーハの製造方法であって、
前記第１の半導体ウェーハの第１の面に前記第１の先鋭部を接触させた状態で、前記第１の切削部をその軸心を中心に回転させて、前記第１の面に前記面取り部を切削加工する第１の面切削工程と、
前記第１の面とは反対の面である第２の面の、前記第１の先鋭部の先端が切削した位置と対応する位置に、前記第１の先鋭部の先端又は前記第２の先鋭部の先端を接触させた状態で、前記第１の切削部又は前記第２の切削部をその軸心を中心に回転させて、前記第２の面に前記面取り部を切削加工する第２の面切削工程と、
前記第１の面切削工程で切削した領域と、前記第２の面切削工程で切削した領域とで挟まれた中間領域の少なくとも一部を、異方性プラズマエッチング、フッ硝酸液を用いたウェットエッチング、又は、昇華法レーザーから選択されたいずれか１つで処理して、前記第１の半導体ウェーハから前記第２の半導体ウェーハを切り出す切出工程と、を備える
半導体ウェーハの製造方法。
前記第１の切削部、又は、前記第２の切削部は、
前記他方の端部の外周形の円の直径に沿って切断した断面における断面視で、前記第１の先鋭部、又は、前記第２の先鋭部が、前記第１の半導体ウェーハの厚み方向と略直交する方向における両側に設けられ、かつ、同第１の先鋭部の先端、又は、同第２の先鋭部の先端を中心に対称な側面を有する
請求項１に記載の半導体ウェーハの製造方法。
前記第１の面切削工程の後に、前記第１の面及び前記第２の面にラッピング加工及び研削加工を行う、又は、前記第１の面に研削加工を行う第１の薄膜化工程と、
前記第２の面切削工程の後に、前記第１の面及び前記第２の面にラッピング加工及び研削加工を行う、又は、前記第２の面に研削加工を行う第２の薄膜化工程と、
該第２の薄膜化工程の後に、エッチング処理を行うダメージ除去工程とを備える
請求項１又は請求項２に記載の半導体ウェーハの製造方法。
前記切出工程では、
前記第２の面上にレジストを塗布して、前記中間領域に対応するパターンを形成すると共に、前記第１の面に接着テープを貼り付けて、前記第１の半導体ウェーハを固定して、
又は
前記第１の面上にレジストを塗布して、前記中間領域に対応するパターンを形成すると共に、前記第２の面に接着テープを貼り付けて、前記第１の半導体ウェーハを固定して、
異方性プラズマエッチングを行う
請求項１、請求項２又は請求項３に記載の半導体ウェーハの製造方法。
前記切出工程では、
前記第２の面の前記第２の面切削工程で切削された領域に囲まれた領域に保護テープを貼り付けると共に、前記第１の面に接着テープを貼り付けて、前記第１の半導体ウェーハを固定して、
又は
前記第１の面の前記第１の面切削工程で切削された領域に囲まれた領域に保護テープを貼り付けると共に、前記第２の面に接着テープを貼り付けて、前記第１の半導体ウェーハを固定して、
フッ硝酸液を用いたウェットエッチングを行う
請求項１、請求項２又は請求項３に記載の半導体ウェーハの製造方法。
前記切出工程では、
前記第１の面に接着テープを貼り付けて、前記第１の半導体ウェーハを固定して、
又は
前記第２の面に接着テープを貼り付けて、前記第１の半導体ウェーハを固定して、
前記中間領域に昇華法レーザーを照射する
請求項１、請求項２又は請求項３に記載の半導体ウェーハの製造方法。
略円筒状であり、その軸心方向における一方の端部に、他方の端部とは反対方向に突出した先鋭部が形成された切削部、及びプラズマエッチングを用いて、
第１の半導体ウェーハから、表裏面の外周縁に面取り部が形成された第２の半導体ウェーハを製造する半導体ウェーハの製造方法であって、
前記第１の半導体ウェーハの第１の面に前記先鋭部を接触させた状態で、前記切削部をその軸心を中心に回転させて、前記第１の面に前記面取り部を切削加工する第１の面切削工程と、
前記第１の半導体ウェーハの前記第１の面とは反対の面である第２の面上にレジストを塗布して、
前記先鋭部の先端が切削した位置と対応する位置の前記レジストにパターンを形成すると共に、等方性プラズマエッチング及び異方性プラズマエッチングを行い、
前記第２の面に前記面取り部を加工して、前記第１の半導体ウェーハから前記第２の半導体ウェーハを切り出すプラズマエッチング工程と、を備える
半導体ウェーハの製造方法。
略円筒状であり、その軸心方向における一方の端部に、他方の端部とは反対方向に突出した先鋭部が形成された切削部、及びプラズマエッチングを用いて、
第１の半導体ウェーハから、表裏面の外周縁に面取り部が形成された第２の半導体ウェーハを製造する半導体ウェーハの製造方法であって、
前記第１の半導体ウェーハの第１の面に前記先鋭部を接触させた状態で、前記切削部をその軸心を中心に回転させて、前記第１の面に前記面取り部を切削加工する第１の面切削工程と、
前記第１の半導体ウェーハの前記第１の面とは反対の面である第２の面上にレジストを塗布して、
前記先鋭部の先端が切削した位置と対応する位置の前記レジストに、グレースケールリソグラフィー法でパターン形成すると共に、３次元的にレジストの厚み方向に差を設けて、プラズマエッチングを行い、
前記第２の面に前記面取り部を加工して、前記第１の半導体ウェーハから前記第２の半導体ウェーハを切り出すプラズマエッチング工程と、を備える
半導体ウェーハの製造方法。
前記第１の面切削工程の後に、前記第１の面及び前記第２の面にラッピング加工及び研削加工を行う、又は、前記第１の面に研削加工を行う薄膜化工程と、
前記第１の面切削工程で加工した前記第１の面にエッチング処理を行うダメージ除去工程とを備える
請求項７又は請求項８に記載の半導体ウェーハの製造方法。