JP2017195244A - SiCウエーハの加工方法 - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
Description
レーザー光線の波長 :1064nm
繰り返し周波数 :80kHz
平均出力 :3.2W
パルス幅 :4ns
集光スポット径 :φ10μm
集光レンズの開口数(NA):0.45
インデックス量 :500μm
4:第1の面
6:第2の面
8:デバイス領域
10:外周余剰領域
12:境界部
18:垂直軸
34:環状溝
42:強度低下部
44:改質層
46:クラック
48:剥離面
50:デバイス
52:分割予定ライン
68:ウエーハから剥離された第2の面側の部分
70:環状補強部
Claims (4)
- 第1の面及び該第1の面と反対側の第2の面を有し、該第1の面に複数のデバイスが形成されるデバイス領域と該デバイス領域を囲む外周余剰領域とを備えるSiCウエーハの加工方法であって、
仕上がり厚みに相当する厚みを該第1の面側に残して、該デバイス領域と該外周余剰領域との境界部に対応する部分に該第2の面側から環状溝を形成する環状溝形成工程と、
該第1の面側からみて仕上がり厚みに相当する深さの位置に集光点を位置付け、該SiCウエーハと該集光点とを相対的に移動させながらSiCに対して透過性を有する波長のレーザー光線を該第1の面側又は該第2の面側から該SiCウエーハに照射することによって、該第1の面側からみて仕上がり厚みに相当する深さの位置において該デバイス領域に対応する領域に改質層及びクラックからなる直線状の強度低下部を複数形成して剥離面を形成する剥離面形成工程と、
分割予定ラインによって区画された複数のデバイスを該デバイス領域に形成するデバイス形成工程とを含み、
該デバイス形成工程は該剥離面形成工程よりも後に実施し、
該環状溝形成工程、該剥離面形成工程及び該デバイス形成工程を実施した後、該剥離面を界面として該環状溝の内側に位置する該第2の面側の部分を該SiCウエーハから剥離して該デバイス領域を薄化すると共に該外周余剰領域に対応する該第2の面の領域に環状補強部を形成する薄化工程を実施し、
該薄化工程を実施した後、該環状補強部を有する該SiCウエーハの該剥離面を研削して平坦化する平坦化工程を実施するSiCウエーハの加工方法。 - 該環状溝形成工程を実施した後に該剥離面形成工程を実施し、該剥離面形成工程を実施した後に該デバイス形成工程を実施する、請求項1記載のSiCウエーハの加工方法。
- 該平坦化工程を実施した後、平坦化された該剥離面における該複数のデバイスのそれぞれに対応する領域にサブデバイスを形成する、請求項1記載のSiCウエーハの加工方法。
- 該SiCウエーハは該第1の面に垂直な垂直軸に対してC軸が傾いており、
該剥離面形成工程において、該C軸の傾く方向と直交する方向に該SiCウエーハと該集光点とを相対的に移動させながらレーザー光線を照射することによって改質層及びクラックからなる直線状の強度低下部を形成する強度低下部形成ステップと、
該C軸の傾く方向に該SiCウエーハと該集光点とを相対的に所定量インデックス送りするインデックスステップとを交互に行う、請求項1記載のSiCウエーハの加工方法。
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