JP2017205817A - 研削装置 - Google Patents
研削装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017205817A JP2017205817A JP2016098386A JP2016098386A JP2017205817A JP 2017205817 A JP2017205817 A JP 2017205817A JP 2016098386 A JP2016098386 A JP 2016098386A JP 2016098386 A JP2016098386 A JP 2016098386A JP 2017205817 A JP2017205817 A JP 2017205817A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- laser beam
- grinding
- center
- grinding wheel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 239000004575 stone Substances 0.000 abstract 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
Description
波長 :1064nm(炭化ケイ素製又はシリコン製の場合)
:355nm(サファイア製又はリチウムタンタレート製の場合)
:532nm(リチウムナイオベート製の場合)
繰り返し周波数:50kHz
平均出力 :5W
集光スポット径:φ3〜50μm
6:保持手段
8:X方向移動手段
10:研削手段
14:レーザー光線照射手段
26:チャックテーブル
50:研削ホイール
52:研削砥石
66:ウエーハ
Claims (2)
- ウエーハを保持する回転可能なチャックテーブルを含む保持手段と、
該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削砥石が環状に配置された回転可能な研削ホイールを含む研削手段と、
該研削砥石の径方向外方においてウエーハの被研削面にレーザー光線を照射して該被研削面を粗面に加工するレーザー光線照射手段と、
該研削砥石がウエーハの中心を通ると共にレーザー光線の集光点がウエーハの中心から離れた第1の位置、及び該研削砥石がウエーハの中心から離れると共にレーザー光線の集光点がウエーハの中心に接近した第2の位置の間において、該研削ホイール及びレーザー光線の集光点と該チャックテーブルとを相対的に往復させる移動手段とを備える研削装置。 - 該レーザー光線照射手段は、パルスレーザー光線を発振する発振器と、該発振器が発振したパルスレーザー光線を複数の光路に分岐する分岐手段と、該分岐手段によって複数の光路に分岐されたパルスレーザー光線のそれぞれを集光する複数の集光レンズとを含む、請求項1記載の研削装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016098386A JP6665026B2 (ja) | 2016-05-17 | 2016-05-17 | 研削装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016098386A JP6665026B2 (ja) | 2016-05-17 | 2016-05-17 | 研削装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017205817A true JP2017205817A (ja) | 2017-11-24 |
JP6665026B2 JP6665026B2 (ja) | 2020-03-13 |
Family
ID=60416130
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016098386A Active JP6665026B2 (ja) | 2016-05-17 | 2016-05-17 | 研削装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6665026B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109693039A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-04-30 | 北京航空航天大学 | 一种硅片表面激光抛光的方法 |
CN114952571A (zh) * | 2022-04-14 | 2022-08-30 | 深圳模微半导体有限公司 | 基于物联网的安全芯片制造管理系统 |
CN115229647A (zh) * | 2022-07-20 | 2022-10-25 | 华侨大学 | 一种飞秒激光辅助抛光金刚石的装置及其抛光方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61152345A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-11 | Toshiba Corp | レ−ザ併用加工法 |
JPH06328352A (ja) * | 1993-05-20 | 1994-11-29 | Seiko Seiki Co Ltd | 複合加工機 |
JP2003320466A (ja) * | 2002-05-07 | 2003-11-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザビームを使用した加工機 |
US20060172509A1 (en) * | 2003-07-02 | 2006-08-03 | Mahle Richard L | Method for reducing stress concentrations on a semiconductor wafer by surface laser treatment |
JP2010135537A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2011171451A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Disco Corp | 砥石工具による加工方法および加工装置 |
JP2012051069A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Disco Corp | 研削方法 |
JP2013258365A (ja) * | 2012-06-14 | 2013-12-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
JP2015196240A (ja) * | 2014-04-03 | 2015-11-09 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
JP2015199173A (ja) * | 2014-04-09 | 2015-11-12 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
-
2016
- 2016-05-17 JP JP2016098386A patent/JP6665026B2/ja active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61152345A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-11 | Toshiba Corp | レ−ザ併用加工法 |
JPH06328352A (ja) * | 1993-05-20 | 1994-11-29 | Seiko Seiki Co Ltd | 複合加工機 |
JP2003320466A (ja) * | 2002-05-07 | 2003-11-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザビームを使用した加工機 |
US20060172509A1 (en) * | 2003-07-02 | 2006-08-03 | Mahle Richard L | Method for reducing stress concentrations on a semiconductor wafer by surface laser treatment |
JP2010135537A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2011171451A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Disco Corp | 砥石工具による加工方法および加工装置 |
JP2012051069A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Disco Corp | 研削方法 |
JP2013258365A (ja) * | 2012-06-14 | 2013-12-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
JP2015196240A (ja) * | 2014-04-03 | 2015-11-09 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
JP2015199173A (ja) * | 2014-04-09 | 2015-11-12 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109693039A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-04-30 | 北京航空航天大学 | 一种硅片表面激光抛光的方法 |
CN114952571A (zh) * | 2022-04-14 | 2022-08-30 | 深圳模微半导体有限公司 | 基于物联网的安全芯片制造管理系统 |
CN114952571B (zh) * | 2022-04-14 | 2023-11-10 | 深圳模微半导体有限公司 | 基于物联网的安全芯片制造管理系统 |
CN115229647A (zh) * | 2022-07-20 | 2022-10-25 | 华侨大学 | 一种飞秒激光辅助抛光金刚石的装置及其抛光方法 |
CN115229647B (zh) * | 2022-07-20 | 2023-08-29 | 华侨大学 | 一种飞秒激光辅助抛光金刚石的装置及其抛光方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6665026B2 (ja) | 2020-03-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6619685B2 (ja) | SiCウエーハの加工方法 | |
JP6781639B2 (ja) | ウエーハ生成方法 | |
TWI831862B (zh) | Facet區域之檢測方法及檢測裝置和晶圓之生成方法及雷射加工裝置 | |
TWI462163B (zh) | Wafer processing method | |
TWI673127B (zh) | 雷射加工裝置 | |
JP7128067B2 (ja) | ウエーハの生成方法およびレーザー加工装置 | |
JP6755705B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
JP2017216424A (ja) | ウエーハ生成方法 | |
JP6358835B2 (ja) | 研削装置 | |
JP6685817B2 (ja) | SiCウエーハの加工方法 | |
JP2021068819A (ja) | SiCインゴットの加工方法およびレーザー加工装置 | |
JP2018186153A (ja) | ウエーハの生成方法 | |
JP6844901B2 (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
JP6665026B2 (ja) | 研削装置 | |
JP2022025566A (ja) | Si基板生成方法 | |
JP2018026470A (ja) | ウエーハ生成方法 | |
JP2019033134A (ja) | ウエーハ生成方法 | |
JP2018118296A (ja) | レーザー加工装置 | |
JP2017204607A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
US10946482B2 (en) | Laser processing apparatus | |
JP2017216266A (ja) | レーザー加工装置、およびウエーハの生成方法 | |
JP7098284B2 (ja) | レーザー加工装置およびレーザー加工方法 | |
CN107363422B (zh) | 激光加工装置 | |
JP2019181656A (ja) | 切削ブレードの整形方法 | |
KR102391850B1 (ko) | 레이저 가공 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190320 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200128 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200131 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200219 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6665026 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |