JP7335885B2 - SiC結合ダイヤモンド硬質材料粒子、SiC結合ダイヤモンド粒子で形成された多孔質成形品、その製造方法及びその使用 - Google Patents
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Description
Claims (19)
- ダイヤモンド 30体積%-65体積%、SiC 70体積%-35体積%、Si 0体積%~30体積%の組成を有するSiC結合ダイヤモンド硬質材料粒子であって、
個々の硬質材料粒子中のダイヤモンド粒子が、熱処理によって形成されたSiC及びSiによって凝集的に結合され、
50μm-5000μm、好ましくは2000μm未満、さらに好ましくは1000μm未満の粒径を有する、
SiC結合ダイヤモンド硬質材料粒子を製造する方法であって、
前記ダイヤモンド粒子が、有機バインダーと混合され、乾燥造粒工程により造粒され、
無酸素雰囲気中で熱処理を行い、有機成分を熱分解し、熱分解の過程で有機バインダーからその場で生成した炭素をダイヤモンド粒子の表面にガラス状で堆積させ、
この熱処理の間に、又は混合した粉末状ケイ素及び粒子状のスペーサー(S)を用いたその後の第2の熱処理において、ケイ化が行われ、
炭化ケイ素が、ダイヤモンド粒子の表面に析出した炭素及び/又はダイヤモンド粒子との化学反応により同時に形成されることで、前記硬質材料粒子が形成され、
個々の硬質材料粒子中のダイヤモンド粒子は、熱処理の過程で反応により形成されたSiC及びケイ素と凝集的に結合しているが、形成された造粒物の大部分が分離されているか若しくは形成された造粒物が完全に分離されているか又はそれらの表面において互いに距離を保っており、これは添加されたケイ素及び/又はスペーサー(S)によるものである、
前記有機バインダー及びその量は、使用されるダイヤモンド粒子の全質量に対して1.5質量%~20質量%の割合で炭素源として使用されるように選択される、
方法。 - 前記SiC結合ダイヤモンド硬質材料粒子において、前記硬質材料粒子中の前記ダイヤモンド粒子の平均粒径d50が5μm~500μmである、
請求項1に記載の方法。 - 前記SiC結合ダイヤモンド硬質材料粒子において、前記ダイヤモンド粒子の表面の90%以下がSiCと結合している、
請求項1又は2に記載の方法。 - 前記スペーサー(S)は、造粒物同士の強固な結合を最小限にするために、Siでは濡れにくい、Siと合金を形成しない、及び/又はSiと反応しない化学元素又は化合物であり、これらの化学元素又は化合物は、好ましくは六方晶BN、Si3N4、AlN、Al2O3、SiO2、ZrO2、及び特に周期表の第4族及び第5族から選択される遷移金属の窒化物、炭化物である、
請求項1~3のいずれかに記載の方法。 - ダイヤモンド粒子が、少なくとも二つの異なる粒度画分、好ましくは一つの粗粒度画分及び一つの微細粒度画分、より好ましくは、粗粒度の直径の0.1から0.3倍の直径を有するとともに、粗粒度画分の5体積%-50体積%の割合を有する微細粒度画分を有する、
請求項1~4のいずれかに記載の方法。 - 平均粒径d50が5μm~1000μmの範囲、好ましくは10μm~150μmの範囲であり、この範囲において、ダイヤモンド粒子の含有量に対して10体積%-200体積%、好ましくは60体積%分-160体積%の体積を有するケイ素粉末を、ケイ化前に造粒粒子に添加する、請求項1~5のいずれかに記載の方法。
- 硬質材料粒子が、好ましくはB4C、TiC及びTiB2から選択される少なくとも1つのさらなる相で形成される、
請求項1~6のいずれかに記載の方法。 - 平均粒径が10μm~50μm、好ましくは15μm~30μm、より好ましくは10μm~20μmのダイヤモンド粒子を用いる、
請求項1~7のいずれかに記載の方法。 - 硬質材料粒子が、特に押出又は鋳造法によって、規定された形状、好ましくは球状、円筒状、角柱状、ピラミッド状にされる、
請求項1~8のいずれかに記載の方法。 - 粒径が50μm~150μmの範囲のケイ素粒子を、ダイヤモンド粒子に加えて有機バインダーを含む懸濁液で覆う、又は熱処理時に分解する粉末状の有機物、好ましくはポリメチルメタクリレート、ポリウレタン、ポリエチレン若しくはポリプロピレン若しくはデンプンの粒子を添加混合し、
さらに熱分解、Si粉末とスペーサー(S)との混合、及びSiCの反応生成を伴う熱処理を行いうことで、内部が中空である硬質材料粒子を得るが、ここで、
粉末状ケイ素の添加割合は、ダイヤモンド粒子の含有量に対して10体積%~200体積%、好ましくは60体積%~160体積%である、
請求項1~9のいずれかに記載の方法。 - SiC結合ダイヤモンド粒子からなる多孔質成形品であって、
空隙率は10%~40%、好ましくは10%~30%の範囲であるとともに、その平均孔径が10μm~100μm、好ましくは20μm~50μmであり、
ダイヤモンド 30体積%-65体積%、SiC 70体積%-35体積%、Si 0体積%-30体積%、好ましくはダイヤモンド40体積%-60体積%、SiC 60体積%-40体積%、Si 2体積%-20体積%からなり、
存在するダイヤモンド粒子の平均粒径は5μm~500μm、好ましくは30μm~100μm、より好ましくは>50μm-200μmである、
成形品。 - 摩擦学的応力又は研磨応力が生じた場合に摩耗することで材料に細孔が形成されるようなスペーサー機能を有する少なくとも一つのさらなる相が存在し、
前記さらなる相は、非ダイヤモンド炭素、Si3N4ただし焼結したものを含む、Al2O3又は遷移アルミナ、不浸透性又は多孔質のガラスビーズ、又は高融点のケイ化物又はホウ化物、特にTiSi2、MoSi2、WSi2、TiB2、W2B5、WB2若しくはZrO2を伴い、様々なドーパント、少なくとも一つの他の耐火性の酸化物又はケイ酸塩、特にMgO若しくはタルク、少なくとも一つの遷移金属炭化物、オキシカーバイド、窒化物又はホウ化物で成形されている、
請求項11に記載の成形品。 - 請求項11又は12のいずれかに記載の成形品を製造する方法であって、
SiCを伴ったダイヤモンド粒子、有機バインダー及び有機物質の粒子、好ましくは細孔形成剤としての粉末プラスチック、特にポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリウレタン、ポリエチレン又はポリプロピレン又はデンプンであって、好ましくは平均粒径d50が30μm~100μmの範囲にあるものを、熱処理の前に混合し、成形プロセスによって成形し、
さらに無酸素雰囲気中で熱処理を行うが、その中で有機成分が熱分解され、熱分解の過程で有機バインダーからその場で生成された炭素がダイヤモンド粒子の表面にガラス状に堆積するが、この熱処理の間、又は外部から供給されたケイ素を用いたその後の第2の熱処理に間において、ケイ化が行われ、炭化ケイ素は、ダイヤモンド粒子の表面に堆積した炭素及び前記ダイヤモンドとの化学反応によって同時に形成され、
前記成形品の組成は、ダイヤモンド 30体積%-65体積%、SiC 70体積%-35体積%、Si 0%~30体積%であり、空隙率は10%-40%の範囲である、
方法。 - 前記有機バインダーが、使用されるダイヤモンド粒子の全質量に対して1.5質量%~20質量%の割合で炭素源として使用されるように、前記有機バインダー及びその量が選択される、
請求項13に記載の方法。 - ダイヤモンド粒子は、少なくとも二つの異なる粒度画分、好ましくは一つの粗粒度画分と一つの微細粒度画分、より好ましくは、粗粒度画分の直径の0.1倍から0.3倍の大きさと、粗粒度画分の5体積%-50体積%の割合とを有する微細粒度画分を有するものが使用される、
請求項13又は14に記載の方法。 - 有機物、好ましくは粉末プラスチック、特にポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリウレタン、ポリエチレン若しくはポリプロピレン又はデンプンの粒子を、20体積%~40体積%の範囲の割合で添加する、
請求項13~15のいずれかに記載の方法。 - 非ダイヤモンド炭素、B4C、TiC及びTiB2、Si3N4ただし焼結したものを含む、Al2O3又は遷移アルミナ、不浸透性又は多孔質ガラスビーズ、高融点のケイ化物又はホウ化物、特にTiSi2、MoSi2、WSi2、TiB2、W2B5、WB2若しくはZrO2を伴い、様々なドーパント、少なくとも一つの他の耐火性の酸化物又はケイ酸塩、特にMgO若しくはタルク、少なくとも一つの遷移金属炭化物、オキシカーバイド、窒化物又はホウ化物を含むさらなる相が、成形前に均質に混合される、
請求項13~16のいずれかに記載の方法。 - 成形前に、平均粒径d50が20μm~100μmの間にあるケイ素粉末を出発材料と混合し、成形中にその粒径を保持することで細孔をケイ化中に形成する、
請求項13~17のいずれかに記載の方法。 - 請求項1~10のいずれかに記載の方法により得られたSiC結合硬質材料粒子又は請求項11~12のいずれかに記載の成形品の使用であって、
砥石、摩耗保護のために硬質材料の粒子で補強された物品、及び摩耗保護用品であって、砥石車、軸付砥石といったものの製造、又は保護及び耐摩耗用途のための、
使用。
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