DE102015206241B4 - SiC-Diamant-Kompositwerkstoff und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
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- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 73
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 70
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 24
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 18
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 claims description 16
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 37
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 6
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 6
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 235000019589 hardness Nutrition 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910016459 AlB2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical class OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001638 boron Chemical class 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical class B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000006056 electrooxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 1
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000001198 high resolution scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000004482 other powder Substances 0.000 description 1
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- OANVFVBYPNXRLD-UHFFFAOYSA-M propyromazine bromide Chemical compound [Br-].C12=CC=CC=C2SC2=CC=CC=C2N1C(=O)C(C)[N+]1(C)CCCC1 OANVFVBYPNXRLD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007569 slipcasting Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
- C04B35/573—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide obtained by reaction sintering or recrystallisation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5053—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials non-oxide ceramics
- C04B41/5057—Carbides
- C04B41/5059—Silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
- C04B41/87—Ceramics
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
- C04B2111/90—Electrical properties
- C04B2111/94—Electrically conducting materials
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3804—Borides
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3817—Carbides
- C04B2235/3821—Boron carbides
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3891—Silicides, e.g. molybdenum disilicide, iron silicide
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
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- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/40—Metallic constituents or additives not added as binding phase
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/42—Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
- C04B2235/422—Carbon
- C04B2235/427—Diamond
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/42—Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
- C04B2235/428—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
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- C04B2235/48—Organic compounds becoming part of a ceramic after heat treatment, e.g. carbonising phenol resins
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B2235/54—Particle size related information
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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- C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
- C04B2235/616—Liquid infiltration of green bodies or pre-forms
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
- C04B2235/6586—Processes characterised by the flow of gas
-
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
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- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/75—Products with a concentration gradient
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
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Abstract
SiC-Diamant-Kompositwerkstoff, der zumindest in einem Bereich an der Oberfläche mit in SiC und/oder Si gelöstem Aluminium oder Bor und Aluminium elektrisch leitend ist; wobei Aluminium mit einem Anteil im Bereich 0,03 Masse-% bis 1 Masse-% enthalten ist.
Description
- Die Erfindung betrifft einen SiC-Diamant-Kompositwerkstoff und Verfahren zu seiner Herstellung.
- SiC-Diamant-Kompositwerkstoffe weisen üblicherweise Härten im Bereich > 35 GPa - 40 GPa auf und sind daher nur mit großem Aufwand mechanisch zu bearbeiten. Während ebene Flächen mit langsamen Läppprozessen bearbeitbar sind, können Schnitte bisher nur mittels Laserbearbeitung erhalten werden. Daher werden für so harte Werkstoffe alternative Trenn- und Bearbeitungsverfahren mit hoher Effektivität gesucht. Mögliche Alternativen sind das elektrochemische Bearbeiten (electrochemical machining (ECM)) bzw. eine elektroerosive Bearbeitung (EDM). Beide Verfahren setzten niedrige spezifische elektrische Widerstände voraus. Insbesondere für ein EDM-Verfahren werden elektrische Widerstände kleiner 100 Qcm genannt.
- Die aus
EP 1 253 123 B1 ;DE 10 2007 063 517 B3 undDE 10 2011 109 573 B3 bekannten Werkstoffe weisen zu große elektrische Widerstände auf, so dass sie mit EDM nicht bearbeitbar sind. - Aus
DE 10 2011109 573 B3 ist es bekannt, Verbundbauteile mit einem Werkstoff, bei dem B4C und Diamantpartikel bei der Herstellung genutzt werden, herzustellen. - In
DE 689 08 549 T2 sind Möglichkeiten zur Herstellung von Werkstoffen mit kompaktiertem Diamant beschrieben, die einen niedrigen spezifischen elektrischen Widerstand aufweisen. - Ein Verbundwerkstoff und ein Verfahren zu dessen Herstellung sowie dessen Verwendung ist in
WO 2010/022430 A2 - Borcarbidverbundwerkstoffe, in denen Diamantpartikel enthalten sind, sind in
EP 2 300 393 B1 beschrieben. - Es ist daher Aufgabe der Erfindung, Diamant-SiC-Kompositwerkstoffe mit erhöhter elektrischer Leitfähigkeit zur Verfügung zu stellen.
- Diese Aufgabe wird mit einem SiC-Diamant-Kompositwerkstoff, der die Merkmale des Anspruchs 1 aufweist, gelöst. Er kann mit einem Verfahren gemäß Anspruch 6 hergestellt werden. Vorteilhafte Ausgestaltungen können mit in untergeordneten Ansprüchen bezeichneten Merkmalen realisiert werden.
- Der erfindungsgemäße Kompositwerkstoff ist elektrisch leitend und mit in SiC und/oder Si gelöstem Aluminium oder Bor und Aluminium gebildet. Es besteht die Möglichkeit, den gesamten Kompositwerkstoff so herzustellen. Er kann aber auch lediglich an mindestens einer Oberfläche so und mindestens ein anderer Bereich aus einem anderen Werkstoff gebildet sein. Die Bereiche können stoffschlüssig bei der Herstellung miteinander verbunden worden sein. Vorteilhaft kann ein Kompositwerkstoff in einem Bereich mit im SiC gelöstem Aluminium oder Bor und Aluminium elektrisch leitend und in dem mindestens einen weiteren Bereich mit mit Silicium infiltriertem SiC (SiSiC) gebildet sein.
- Dabei sollte Aluminium mit einem Anteil im Bereich 0,03 Masse-% bis 1 Masse-%, bevorzugt 0,1 Masse-% bis 0,5 Masse-% und Bor mit einem Anteil 0,2 Masse-% bis 5 Masse-%, bevorzugt 0,5 Masse-% bis 5 Masse-% in gelöster Form enthalten sein.
- Vorteilhaft sollte(n) der/die Anteil(e) an in SiC und Si gelöstem Aluminium oder Bor und Aluminium ausgehend von der Oberfläche in das Innere des Werkstoffs hinein verändert sein. So kann/können der/die Anteil(e) in einem oberflächennahen Bereich größer als im Inneren sein, so dass an der Oberfläche eine erhöhte elektrische Leitfähigkeit erreicht werden kann.
- Bei einem Verfahren zur Herstellung eines SiC-Diamant-Kompositwerkstoffs kann so vorgegangen werden, dass ein Vorkörper, der aus Diamantpartikeln und einem organischen Binder durch ein keramisches Formgebungsverfahren, insbesondere durch ein Verpressen hergestellt wird. Das Verpressen kann uniaxial oder auch isostatisch erfolgen. Des Weiteren sind alle anderen pulvermetallurgischen / keramischen Formgebungsverfahren einsetzbar.
- Bei einer Wärmebehandlung, die in Vakuum oder einer inerten Atmosphäre, insbesondere Argon durchgeführt wird, erfolgt eine Pyrolyse, die zur Umsetzung des Binders in Kohlenstoff führt. Anschließend wird bei weiter erhöhter Temperatur eine Infiltration mit Silicium, ebenfalls in der inerten Atmosphäre oder Vakuum durchgeführt, bei der reaktiv SiC gebildet wird. Mit dem gebildeten SiC sowie einem Anteil an Silicium wird eine Matrix um Diamantpartikel ausgebildet.
- Eine ausreichende elektrische Leitfähigkeit des SiC-Diamant-Kompositwerkstoffs kann durch elektrisch leitfähige Diamanten, zum Beispiel mit Bor dotierten Diamantpartikeln erreicht werden. Dadurch wird das durchgehende Diamantgerüst elektrisch leitfähig. (Vorgehensweise 1). Die Vorgehensweise 1 allein ist nicht erfinderisch.
- Als Diamantpartikel können mit Bor dotierte Diamanten genutzt werden, wie dies aus
US 5,385,762 B undUS 5,609,926 B bekannt ist. Durch die B-Dotierung der Diamantpartikel wird der SiC-Kompositwerkstoff elektrisch leitfähig. Dadurch kann eine elektrische Leitfähigkeit mit der Hauptphase B-dotierter Diamant des Kompositwerkstoffs erreicht werden. - Die elektrische Leitfähigkeit des Werkstoffes kann zusätzlich durch die chemische Reaktion von Diamant mit Silicium erhöht werden.
- Durch das Umlösen des Diamant kann das Silicium und infolgedessen das sich bildende SiC auch in-situ mit B dotiert werden, so dass die Sekundärphasen auch eine höhere elektrische Leitfähigkeit haben, als dies beim Stand der Technik der Fall ist. Auf diese Weise konnte ein Werkstoff mit einem elektrischen Widerstand von 0,04 Ωcm hergestellt werden. Der elektrische Stromfluss erfolgt dabei in diesem Werkstoff im Wesentlichen über das Diamantgerüst. Daher ist dieser Werkstoff besonders stabil unter Bedingungen elektrochemischer Korrosion. Da der Diamant elektrochemisch sehr stabil ist, kann er z.B. als Substrat für Diamantelektroden eingesetzt werden.
- Mit hochauflösenden REM-Bildern kann man nachweisen, dass es Diamant/Diamant-Kontakte ohne SiC oder Si im Zwischenraum gibt. In diesen Kontakten könnten partiell noch dünne Graphitschichten vorhanden sein. Das zeigt sich auch bei der Oxidationsstabilität der Komposite, die bei 900°C bis zu einer mehrere 100 µm Tiefe oxidiert werden können. Unter diesen Bedingungen ist SiC und Si noch oxidationsstabil. Dieses Verhalten kann nur erklärt werden, wenn ein dreidimensionales Diamantgerüst im Werkstoff existiert.
- Daher ist es möglich, durch die Erhöhung der elektrischen Leitfähigkeit von Diamanten, also die Generierung eines elektrisch leitfähigen Diamantgerüstes im Kompositwerkstoff einen elektrisch leitfähigen Werkstoff zu erhalten. Dies steht im Gegensatz zur bisher in Fachkreisen vertretenen Auffassung, die nicht von einer möglichen Erreichung einer ausreichenden elektrischen Leitfähigkeit eines Diamantgerüsts ausgegangen sind, da sie davon ausgegangen sind, dass die Diamantpartikel vollständig in SiC eingeschlossen sind. Die dazu von den Erfindern durchgeführten Gefügeuntersuchungen, die das Gegenteil zeigten, machten erst diesen Ansatz der Generierung eines elektrisch leitfähigen Diamantgerüstes denkbar und sinnvoll.
- Mit einer Vorgehensweise 2 kann eine starke Erhöhung der elektrischen Leitfähigkeit des dreidimensionalen Gerüstes aus SiC und Si erreicht werden, indem die Halbleiter Silicium und SiC dotiert werden. Eine besonders effektive Dotierungsmöglichkeit ist der Einbau von Al. Dies kann auf unterschiedliche Weise erreicht werden:
- - Indem das Al oder Bor und Aluminium in Form von festen Partikeln den Diamantpartikeln untergemischt werden (z.B. B4C, AlB2) oder
- - ein organischer Binder, in dem Aluminium oder Bor und Aluminium enthalten ist/sind dem Diamant zugemischt wird und/oder
- - ein mit Aluminium oder Bor und Aluminium dotiertes Silicium für die Infiltration eingesetzt wird.
- Solche SiC-Kompositwerkstoffe können durch Mischen von Diamantpartikeln mit organischen Bindern und anschließendem Granulieren mittels Pressen oder anderen alternativen keramischen Formgebungsverfahren (z. B. Schlickergießen/Foliengießen) geformt werden. Diese so erhaltenen Formkörper werden dann pyrolisiert und mit Silicium oberhalb der Schmelztemperatur infiltriert. Während der Infiltration reagiert das flüssige Silicium mit dem Diamanten und dem durch die Pyrolyse des Binders frei gesetzten Kohlenstoff. Im Endzustand besteht der Werkstoff aus Diamant, SiC und freiem Restsilicium.
- Wird allein die Vorgehensweise 2 angewendet, werden nur leicht geringere elektrische Leitfähigkeiten im Vergleich zur Vorgehensweise 1 erreicht, obwohl die ca. 50 Vol.-% dreidimensionaler Diamantpartikel eine elektrisch isolierende Phase bilden. Der dabei genutzte Mechanismus ist die Dotierung von sich bildendem SiC und Si durch Zusätze im Ausgangssilicium oder auch durch Partikel im Diamantvorkörper, die während der Infiltration umgelöst werden. Dabei wird in der Regel eine Dotierung durch Aluminium oder Bor und Aluminium angestrebt. Bei der Infiltration von Diamantvorkörpern mit Si-Schmelzen, in denen ein hoher Anteil an Al enthalten war, wurde neben der Erniedrigung der Infiltrationstemperatur eine Al4C3-Bildung beobachtet. Diese Al4C3 Bildung ist nicht erwünscht. Sie tritt ein, wenn zu hohe Gehalte an Al in der Si Schmelze vorhanden sind. Um die gewünschte elektrische Leitfähigkeit zu erreichen, sind Dotierungen mit Al im Si und im SiC von weniger als 1 At % ausreichend.
- Bei der Herstellung eines nicht erfindungsgemäßen Kompositwerkstoffs kann man beispielsweise 5 Masse-% B4C mit einer mittleren Partikelgröße von 1 µm dem Diamantpulver zumischen. Nach der Silicium-Infiltration ist das B4C nicht mehr nachweisbar, da es sich im Si und SiC gelöst hat. Der eingesetzte pulverförmige Diamant kann dabei undotiert sein. Zur Herstellung des Vorkörpers sollten B4C-Partikel mit einem Anteil im Bereich 1 Masse-% bis 10 Masse-%, bevorzugt im Bereich 1 Masse-% bis 3 Masse % eingesetzt werden.
- Man kann auch AlB2 (Schmelztemperatur 1027 °C) dem zur Infiltration genutzten Silicium zugeben oder AlB2-Partikel mit dem Diamantpulver mischen, bevor es geformt, pyrolisiert und mit Silicium infiltriert wird. Es ist auch möglich, Aluminium oder Bor und Aluminium im SiC und/oder dem Si zu lösen, indem diese chemischen Elemente Bestandteil eines organischen Binders, der zur Herstellung eines gepressten Vorkörpers eingesetzt und als Kohlenstoffquelle für die SiC-Bildung genutzt wird, sind. So kann als organischer Binder beispielsweise Al-Stearat, oder Borsäureester eingesetzt werden.
- Als Bor- oder Aluminiumquelle können auch Wafer aus entsprechend dotiertem Silicium oder Siliciumpulver bei der Infiltration genutzt werden. Das im Si enthaltene Aluminium oder Bor und Alumnium kann sich bei der Infiltration im in situ reaktiv gebildeten SiC und im Rest Silicium lösen und die elektrische Leitfähigkeit des Kompositwerkstoffs sichern.
- Fremdphasen, insbesondere B4C, BSix sollten mit einem maximalen Anteil von 10 Masse-%, bevorzugt maximal 5 Masse-%, besonders bevorzugt maximal 3 Masse-% im erfindungsgemäßen Kompositwerkstoff enthalten sein.
- Erfindungsgemäße SiC-Diamant-Kompositwerkstoffe sollten einen spezifischen elektrischen Widerstand kleiner 1 Ωcm, bevorzugt kleiner 0,2 Qcm, besonders bevorzugt kleiner 0,1 Ωcm bzw. 0,05 Ωcm aufweisen.
- Ein erfindungsgemäßer Werkstoff mit erhöhter elektrischer Leitfähigkeit kann kann auch durch Kombination der Vorgehensweisen 1 und 2 erhalten werden.
- Nachfolgend soll die Erfindung anhand Von Beispielen näher erläutert werden.
- Beispiel 1 (nicht zur Erfindung gehörend)
- Für die Herstellung eines Beispiels eines erfindungsgemäßen Kompositwerkstoffs wird Diamantpulver mit einer mittleren Partikelgröße von 10 µm eingesetzt, das während der Diamantsynthese mit Bor dotiert wurde. Durch die Bordotierung sind die Diamantpartikel elektrisch leitend. Das Diamantpulver wird mit 5 Masse-% organischem Binder (Phenolharz), der gleichzeitig als weitere Kohlenstoffquelle dient, in Ethanol dispergiert und nach der Trocknung granuliert. Das Granulat wird in einer Presse (uniaxial bzw. isostatisch) mit 40 MPa verpresst. Der gepresste Vorkörper wird anschließend in Ar-Atmosphäre mit einer Aufheizgeschwindigkeit von 2 K/min bis 850 °C pyrolisiert und somit der organische Binder zu Kohlenstoff (C- Ausbeute ca. 50 %) umgesetzt. Mit der Flüssigphasensilicierung, bei der der pyrolisierte Diamant-Vorkörper auf einem Siliciumpulver platziert worden ist, wird der Kohlenstoff des organischen Binders und des Bor-dotierten Diamant zu Siliciumcarbid bei einer Temperatur von 1600 °C umgesetzt. Bei Temperaturen oberhalb 1650 °C kommt es zu einer beginnenden Graphitisierung des Diamant, was aber zur Reduzierung der Härte des Kompositwerkstoffs führen würde.
- Aufgrund der Löslichkeit von Kohlenstoff und B aus dem Bor-dotierten Diamantpulver im Si während der Silicierung und der Bildung von SiC, wird das reaktiv gebildete SiC zusätzlich gering mit Bor dotiert. Das halbleitende Siliciumcarbid und auch das nicht umgesetzte Si werden dadurch elektrisch leitend.
- Hierdurch wird ein dreidimensionales leitfähiges Diamantnetzwerk mit erhöhter Bor-Dotierung gebildet, was zusätzlich von einem reaktiv gebildeten dreidimensionalen SiC-Netzwerk mit geringer Dotierung durchdrungen ist. Der gemessene spezifische elektrische Widerstand liegt bei 0,03 Ωcm.
- Beispiel 2 (nicht zur Erfindung gehörend)
- Der Kompositwerkstoff wird mit einem elektrisch nicht leitfähigen Diamantpulver und einem weiteren Bor-Lieferanten hergestellt. Dieser Bor-Lieferant dotiert das reaktiv gebildete SiC stärker als im Beispiel 1.
- Das Diamantpulver (mittlere Partikelgröße von 20 µm) wird mit 5 Masse-% B4C (mittlere Partikelgröße 1,5 µm), im Turbularmischer gemischt. Das Gemisch wird mit 5 Masse-% organischem Binder (Phenolharz), der gleichzeitig als weitere Kohlenstoffquelle dient, in Ethanol dispergiert und nach der Trocknung granuliert. Das Granulat kann in einer Presse (uniaxial bzw. isostatisch) mit 40 MPa verpresst werden. Der gepresste Vorkörper wird anschließend in Ar-Atmosphäre mit einer Aufheizgeschwindigkeit von 2 K/min bis 850 °C pyrolisiert und somit der organische Binder zu Kohlenstoff umgesetzt. Während der Infiltration des Vorkörpers, bei der ein Vorkörper auf einem Siliciumsubstrat angeordnet und die Temperatur auf 1600°C erhöht wird, werden Teile des Kohlenstoffs sowie das zugesetzte B4C in der Siliciumschmelze gelöst und anschließend als Siliciumcarbid ausgeschieden. Das auf diese Weise gebildete SiC-Netzwerk ist hoch dotiert mit Bor und folglich p-leitend. Die Probe weist einen spezifischen elektrischen Widerstand von 0,2 Ωcm auf.
- Beispiel 3
- Für die Herstellung wird Bor-dotiertes Diamantpulver mit einer mittleren Partikelgröße von 10 µm eingesetzt. Durch die Bordotierung sind die Diamantpartikel elektrisch leitend. Das Diamantpulver wird mit 5 Masse-% organischem Binder (Phenolharz), der gleichzeitig als weitere Kohlenstoffquelle dient, in Ethanol dispergiert und nach der Trocknung granuliert. Das Granulat wird in einer Presse (uniaxial bzw. isostatisch) mit 40 MPa verpresst. Der gepresste Vorkörper wird anschließend in Ar-Atmosphäre mit einer Aufheizgeschwindigkeit von 2 K/min bis 850 °C pyrolisiert und somit der organische Binder zu Kohlenstoff umgesetzt. Bei der Infiltration, die wie bei den Beispielen 1 und 2 durchgeführt werden kann, wird dem Silicium vor der Wärmebehandlung AlB2 zugesetzt. Während der Silicierung wird das AlB2 im flüssigen Silicium gelöst. Wie beim Beispiel 2 wird das reaktiv gebildete SiC p-leitend dotiert. Die Dotierung erfolgt auf diesem Weg über eine Bor- und Aluminiumdotierung.
- Das auf diese Weise gebildete SiC ist hoch dotiert mit Bor und Aluminium und folglich p-leitend, so dass sowohl die SiC-Phase als auch der Diamant in der Probe eine erhöhte Dotierung und daher die Probe einen spezifischen elektrischen Widerstand von ca.0,02 Qcm aufweist.
- Beispiel 4
- Es wird ein gradierter Werkstoff aus Diamantgranulat und SiSiC Granulat durch zweilagiges Pressen bei 40 MPa (10 mm dicker SiSiC Bereich und darauf ein 3 mm Bereich aus Diamantgranulat) hergestellt, wie dies in
DE 10 2007 063517 B3 beschrieben ist. Der gepresste Vorkörper wird anschließend in Ar-Atmosphäre mit einer Aufheizgeschwindigkeit von 2 K/min bis 850 °C pyrolisiert und somit der organische Binder zu Kohlenstoff umgesetzt. Bei der Infiltration, die wie bei den Beispielen 1 und 2 durchgeführt werden kann, wird dem Silicium vor der Wärmebehandlung AlB2 zugesetzt. Während der Silicierung wird das AlB2 im flüssigen Silicium gelöst. Wie beim Beispiel 2 wird das reaktiv gebildete SiC p-leitend dotiert. Die Dotierung erfolgt auf diesem Weg über eine Aluminiumdotierung. Das auf diese Weise gebildete SiC ist hoch dotiert mit Aluminium und folglich p-leitend, so dass sowohl die SiC-Phase als auch der Diamant in der Probe eine erhöhte Dotierung und daher die Probe, in dem Bereich in dem der Werkstoff aus Diamant und SiC gebildet ist, einen spezifischen elektrischen Widerstand von ca. 0,03 Qcm aufweist.
Claims (6)
- SiC-Diamant-Kompositwerkstoff, der zumindest in einem Bereich an der Oberfläche mit in SiC und/oder Si gelöstem Aluminium oder Bor und Aluminium elektrisch leitend ist; wobei Aluminium mit einem Anteil im Bereich 0,03 Masse-% bis 1 Masse-% enthalten ist.
- SiC-Diamant-Kompositwerkstoff nach
Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass Aluminium mit einem Anteil im Bereich 0,1 Masse-% bis 0,5 Masse-% enthalten ist. - SiC-Diamant-Kompositwerkstoff nach
Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass Bor mit einem Anteil im Bereich 0,2 Masse-% bis 5 Masse-%, bevorzugt 0,5 Masse-% bis 5 Masse-% enthalten ist/sind. - SiC-Diamant-Kompositwerkstoff nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Bereich an der Oberfläche mit in SiC und/oder Si gelöstem Aluminium oder Bor und Aluminium und mindestens ein weiterer Bereich mit mit Silicium infiltriertem SiC (SiSiC) gebildet ist.
- SiC-Diamant-Kompositwerkstoff nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Werkstoff einen spezifischen elektrischen Widerstand kleiner 1 Qcm, bevorzugt ≤ 0,1 Ωcm, besonders bevorzugt kleiner 0,05 Ωcm aufweist.
- Verfahren zur Herstellung eines SiC-Diamant-Kompositwerkstoffs nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem ein Vorkörper, der aus Diamantpartikeln und einem organischen Binder durch ein keramisches Formgebungsverfahren hergestellt und bei einer Wärmebehandlung in einer inerten Atmosphäre, insbesondere Argon eine Pyrolyse, die zur Freisetzung von Kohlenstoff führt, und anschließend bei weiter erhöhter Temperatur eine Infiltration mit Silicium durchgeführt wird, bei der reaktiv SiC gebildet wird und mit dem gebildeten SiC sowie einem Anteil an Silicium eine Matrix um Diamantpartikel ausgebildet wird und dabei zur Erreichung einer ausreichenden elektrischen Leitfähigkeit des SiC-Diamant-Kompositwerkstoffs - ein organischer Binder, in dem Aluminium oder Bor und Aluminium enthalten ist/sind und/oder - ein mit Aluminium oder mit Bor und Aluminium dotiertes Silicium für die Infiltration eingesetzt wird/ werden.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102015206241.4A DE102015206241B4 (de) | 2015-04-08 | 2015-04-08 | SiC-Diamant-Kompositwerkstoff und Verfahren zu seiner Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102015206241.4A DE102015206241B4 (de) | 2015-04-08 | 2015-04-08 | SiC-Diamant-Kompositwerkstoff und Verfahren zu seiner Herstellung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102015206241A1 DE102015206241A1 (de) | 2016-10-13 |
DE102015206241B4 true DE102015206241B4 (de) | 2018-10-25 |
Family
ID=56986151
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102015206241.4A Expired - Fee Related DE102015206241B4 (de) | 2015-04-08 | 2015-04-08 | SiC-Diamant-Kompositwerkstoff und Verfahren zu seiner Herstellung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102015206241B4 (de) |
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---|---|---|---|---|
DE102018203882A1 (de) * | 2018-03-14 | 2019-09-19 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung von Hartstoffpartikeln aus SiC-gebundenem Diamant, mit dem Verfahren hergestellte Hartstoffpartikel, mit den Hartstoffpartikeln hergestellte poröse Bauteile sowie deren Verwendung |
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EP2300393B1 (de) | 2008-05-16 | 2015-01-21 | Element Six Abrasives S.A. | Borcarbid-verbundwerkstoffe |
-
2015
- 2015-04-08 DE DE102015206241.4A patent/DE102015206241B4/de not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
DE102015206241A1 (de) | 2016-10-13 |
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R020 | Patent grant now final | ||
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