JP7331590B2 - 炭化珪素半導体装置 - Google Patents
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Description
第1実施形態のSiC半導体装置について、図面を参照しつつ説明する。本実施形態では、SiC単結晶基板10を用いてMOSFETが形成された半導体装置について説明する。つまり、SiC単結晶基板10を用いて寄生ダイオードが構成されるスイッチング素子が形成された半導体装置について説明する。なお、図1では、MOSFETを構成する1セル分しか記載されていないが、実際には、図1に示すMOSFETが複数セル隣合うように配置されてSiC半導体装置が構成されている。
第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対し、ドリフト層12にも不純物元素11aが配置されるようにしたものである。その他に関しては、第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対し、SiC単結晶基板10に存在する基底面転位10cの周囲にのみ不純物元素11aを配置するようにしたものである。その他に関しては、第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
第4実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対し、SiC単結晶基板10の全体に不純物を配置するようにしたものである。その他に関しては、第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
10a 一面
10b 他面
10c 基底面転位
11a 不純物元素
12 ドリフト層(エピタキシャル層)
Claims (5)
- 炭化珪素単結晶基板(10)を有する炭化珪素半導体装置であって、
一面(10a)および前記一面と反対側の他面(10b)を有する前記炭化珪素単結晶基板と、
前記一面上に配置された炭化珪素で構成されるエピタキシャル層(12)と、を備え、
前記炭化珪素単結晶基板は、前記一面側に存在する基底面転位(10c)の周囲のみに、前記他面側よりも多い不純物元素(11a)が配置されている炭化珪素半導体装置。 - 前記炭化珪素単結晶基板は、前記一面側に、前記不純物元素として、ホウ素、水素、ヘリウム、チタン、バナジウム、およびアルミニウムのうちの少なくとも1種類が配置されている請求項1に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記エピタキシャル層には、前記炭化珪素単結晶基板側に、前記不純物元素が配置されている請求項1または2に記載の炭化珪素半導体装置。
- 炭化珪素単結晶基板(10)を有する炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
一面(10a)および前記一面と反対側の他面(10b)を有する前記炭化珪素単結晶基板を用意することと、
前記一面上に炭化珪素で構成されるエピタキシャル層(12)を成長させることと、を行い、
前記エピタキシャル層を成長させることの前に、前記一面側に存在する基底面転位(10c)の周囲のみに不純物元素(11a)が配置されるように、前記炭化珪素単結晶基板の一面に対して前記不純物元素をイオン注入することにより、前記一面側に、前記他面側よりも多い前記不純物元素を配置する炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記イオン注入することでは、前記不純物元素として、ホウ素、水素、ヘリウム、チタン、バナジウム、およびアルミニウムのうちの少なくとも1種類をイオン注入する請求項4に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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Citations (12)
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---|---|---|---|---|
JP2007246350A (ja) | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Mitsubishi Materials Corp | SiC基板の製造方法及びSiC基板並びに半導体装置 |
JP2009167047A (ja) | 2008-01-15 | 2009-07-30 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶インゴット、これから得られる基板及びエピタキシャルウェハ |
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JP2013183064A (ja) | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
WO2015064256A1 (ja) | 2013-10-28 | 2015-05-07 | 富士電機株式会社 | 炭化シリコン半導体装置及びその製造方法 |
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JP2017065955A (ja) | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 新日鐵住金株式会社 | p型低抵抗率炭化珪素単結晶基板 |
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Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007246350A (ja) | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Mitsubishi Materials Corp | SiC基板の製造方法及びSiC基板並びに半導体装置 |
JP2009167047A (ja) | 2008-01-15 | 2009-07-30 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶インゴット、これから得られる基板及びエピタキシャルウェハ |
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JP2013183064A (ja) | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
WO2015064256A1 (ja) | 2013-10-28 | 2015-05-07 | 富士電機株式会社 | 炭化シリコン半導体装置及びその製造方法 |
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