JP7287356B2 - 成膜用マスク治具および成膜装置 - Google Patents

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Description

本発明は、被成膜物の成膜時に用いる成膜用マスク治具および成膜装置に関する。
被成膜物に対して成膜を行うための成膜装置が知られている。
そのような成膜装置の一例として、特許文献１には、成膜室と、成膜源と、成膜室内において被成膜物が成膜源の上方を成膜源と対向しつつ通過するように被成膜物を搬送する搬送部と、搬送部に取り付けられ、被成膜物を収容して保持する収容部を有する保持具とを備えた成膜装置が開示されている。保持具は、被成膜物の非成膜領域への成膜を防ぐためのマスク部を備えている。この成膜装置によれば、搬送部によって、保持具の収容部に収容された被成膜物が成膜源の上方を通過することにより、マスク部によって覆われていない領域に成膜させることができる。
特開２０１８－２１２２０号公報
ここで、被成膜物によっては、厚みが薄いものもある。そのような厚みの薄い被成膜物を保持具の収容部に収容して成膜を行う場合、マスク部が設けられていない開口部に被成膜物が落下する可能性がある。
本発明は、上記課題を解決するものであり、被成膜物の落下を抑制することができる成膜用マスク治具、および、そのような成膜用マスク治具を備える成膜装置を提供することを目的とする。
本発明の成膜用マスク治具は、
被成膜物を収容する収容部と、
前記収容部の内壁を構成する枠部材と、
前記枠部材と隣接したマスキング部材と、
成膜時に前記被成膜物の下方に位置し、前記被成膜物と接する平坦部を有しており、前記被成膜物の非成膜領域への成膜を防ぐためのマスク部と、
前記マスク部が設けられていない開口部において、前記被成膜物が前記収容部に収容された状態で前記被成膜物と接触しない位置に設けられ、前記被成膜物の落下を抑制するための落下抑制部材と、
を備え、
前記収容部を構成する内壁は、互いに対向する一対の第１辺および互いに対向する一対の第２辺を含み、全体として略矩形の形状を有しており、
前記マスク部は、前記一対の第２辺が対向する方向の中央付近に設けられており、
前記落下抑制部材は、前記マスク部から前記一対の第２辺に向かって延伸しており、
前記マスキング部材は、１つの前記マスク部を備えていることを特徴とする。
本発明の成膜装置は、
成膜室と、
前記成膜室の内部に位置する成膜源と、
上述した成膜用マスク治具と、
前記成膜室内において、前記成膜用マスク治具の前記収容部に収容された前記被成膜物が前記成膜源の上方を前記成膜源と対向しつつ通過するように前記被成膜物を搬送する搬送部と、
を備えることを特徴とする。
本発明の成膜用マスク治具によれば、マスク部が設けられていない開口部に落下抑制部材が設けられているので、開口部から下方へと被成膜物が落下することを抑制することができる。
本発明の成膜装置によれば、マスク部が設けられていない開口部に設けられた落下抑制部材を成膜用マスク治具が備えているので、被成膜物が開口部から下方へと落下することを抑制することができる。
被成膜物の一例であるＬＷ逆転積層セラミックコンデンサの外観を模式的に示す斜視図である。 図１に示すＬＷ逆転積層セラミックコンデンサのＩＩ－ＩＩ線に沿った模式的な断面図である。 ＬＷ逆転積層セラミックコンデンサの製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。 第１の実施形態における成膜装置の構成を模式的に示す側面図である。 図４に示す成膜装置を矢印Ｖの方向から見た図である。 図４に示す成膜装置を矢印ＶＩの方向から見た図である。 図４に示す成膜装置の搬送部の一部の形状を示す平面図である。 成膜装置のトレーの形状を示す平面図である。 成膜装置の成膜用マスク治具の形状を示す平面図である。 図９中のＸ部を拡大して示す斜視図である。 図１０に示す成膜用マスク治具のＸＩ－ＸＩ線に沿った模式的な断面図である。 図１１に示す成膜用マスク治具の一部をＸＩＩの方向から見た模式的底面図である。 被成膜物が収容部に収容されたときに被成膜物とマスク部とが対向する方向に収容部を見たときの平面図である。 本発明の第１の実施形態における成膜用マスク治具の収容部内に被成膜物である積層体が収容された状態を示す平面図である。 図１４に示す成膜用マスク治具の収容部内に被成膜物である積層体が収容された状態をＸＶ－ＸＶ線矢印方向から見た断面図である。 第１の成膜用マスク治具と第２の成膜用マスク治具とを上下反転させた状態を示す断面図である。 第２の実施形態における成膜用マスク治具において、被成膜物が収容部に収容されたときに被成膜物とマスク部とが対向する方向に収容部を見たときの平面図である。 第３の実施形態における成膜用マスク治具において、被成膜物が収容部に収容されたときに被成膜物とマスク部とが対向する方向に収容部を見たときの平面図である。 第４の実施形態における成膜用マスク治具において、被成膜物が収容部に収容されたときに被成膜物とマスク部とが対向する方向に収容部を見たときの平面図である。
以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴を具体的に説明する。
（積層セラミックコンデンサの構成）
はじめに、本発明の成膜用マスク治具および成膜装置を用いて成膜が行われることによって作製される積層セラミックコンデンサの構成について説明する。ただし、成膜が行われることによって作製される対象物が積層セラミックコンデンサに限定されることはなく、例えば、積層セラミックコンデンサ以外の電子部品であってもよいし、電子部品以外のものでもよい。
図１は、被成膜物の一例であるＬＷ逆転積層セラミックコンデンサ１０の外観を模式的に示す斜視図である。図２は、図１に示すＬＷ逆転積層セラミックコンデンサ１０のＩＩ－ＩＩ線に沿った模式的な断面図である。ＬＷ逆転積層セラミックコンデンサとは、後述するように、長さ方向Ｌの寸法が幅方向Ｗの寸法より短いコンデンサのことである。以下の説明では、ＬＷ逆転積層セラミックコンデンサ１０を単に積層セラミックコンデンサ１０と呼ぶ。
図１および図２に示すように、積層セラミックコンデンサ１０は、全体として直方体形状を有する電子部品であり、積層体１１と、積層体１１の表面に設けられた一対の外部電極１４ａ、１４ｂとを備える。一対の外部電極１４ａ，１４ｂは、図１および図２に示すように、対向するように設けられている。
ここでは、一対の外部電極１４ａ，１４ｂが対向する方向を積層セラミックコンデンサ１０の長さ方向Ｌと定義し、後述する誘電体層１２と内部電極１３ａ，１３ｂとが積層されている方向を積層方向Ｔと定義し、長さ方向Ｌおよび積層方向Ｔのいずれの方向にも直交する方向を幅方向Ｗと定義する。長さ方向Ｌ、積層方向Ｔ、および、幅方向Ｗのうちの任意の２つの方向は、互いに直交する方向である。
積層セラミックコンデンサ１０のサイズに特に制約はないが、本実施形態における成膜用マスク治具および成膜装置は、長さ方向Ｌの寸法に対する積層方向Ｔの寸法の割合が０．５以下である積層セラミックコンデンサ１０に対して、好適に用いることができる。積層セラミックコンデンサ１０のサイズの一例として、長さ方向Ｌの寸法は０．２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下、幅方向Ｗの寸法は０．４ｍｍ以上１．６ｍｍ以下、積層方向Ｔの寸法は０．０５ｍｍ以上０．４ｍｍ以下である。すなわち、本実施形態において、積層セラミックコンデンサ１０の長さ方向Ｌの寸法は、幅方向Ｗの寸法より短い。また、一対の外部電極１４ａ、１４ｂの長さ方向Ｌにおける寸法は、それぞれ０．０２ｍｍ以上０．４ｍｍ以下である。
なお、積層セラミックコンデンサ１０の長さ方向Ｌの寸法が、幅方向Ｗの寸法より長い場合、長さ方向Ｗの寸法に対する積層方向Ｔの寸法の割合が０．５以下である積層セラミックコンデンサに対しても、好適に用いることができる。そのような積層セラミックコンデンサのサイズの一例として、長さ方向Ｌの寸法は０．２ｍｍ以上１．６ｍｍ以下、幅方向Ｗの寸法は０．１２５ｍｍ以上０．８ｍｍ以下、積層方向Ｔの寸法は０．０５ｍｍ以上０．４ｍｍ以下である。また、一対の外部電極１４ａ、１４ｂの長さ方向Ｌにおける寸法は、それぞれ０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である。
積層体１１は、長さ方向Ｌに相対する第１の端面１５ａおよび第２の端面１５ｂと、積層方向Ｔに相対する第１の主面１６ａおよび第２の主面１６ｂと、幅方向Ｗに相対する第１の側面１７ａおよび第２の側面１７ｂとを有する。
積層体１１は、角部および稜線部に丸みを帯びていることが好ましい。ここで、角部は、積層体１１の３面が交わる部分であり、稜線部は、積層体１１の２面が交わる部分である。
図２に示すように、積層体１１は、積層された複数の誘電体層１２と複数の内部電極１３ａ，１３ｂとを含む。内部電極１３ａ，１３ｂには、第１の内部電極１３ａと第２の内部電極１３ｂとが含まれている。より詳細には、積層体１１は、第１の内部電極１３ａと第２の内部電極１３ｂとが積層方向Ｔにおいて、誘電体層１２を介して交互に複数積層された構造を有する。
第１の内部電極１３ａは、積層体１１の第１の端面１５ａに引き出されているが、第２の端面１５ｂ、第１の側面１７ａ、および、第２の側面１７ｂには引き出されていない。第２の内部電極１３ｂは、積層体１１の第２の端面１５ｂに引き出されているが、第１の端面１５ａ、第１の側面１７ａ、および、第２の側面１７ｂには引き出されていない。なお、積層体１１には、第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂの他に、表面に露出しない内部電極が含まれていてもよい。
第１の外部電極１４ａは、積層体１１の第１の端面１５ａの全体に形成されているとともに、第１の端面１５ａから、第１の主面１６ａ、第２の主面１６ｂ、第１の側面１７ａ、および、第２の側面１７ｂに回り込むように形成されている。具体的には、第１の外部電極１４ａは、第１の端面１５ａに形成された第１の下地層１４１ａと、第１の主面１６ａおよび第２の主面１６ｂに形成された第２の下地層１４２ａと、第１の下地層１４１ａおよび第２の下地層１４２ａを覆うめっき層１４３ａとを備える。なお、第１の外部電極１４ａは、第１の側面１７ａ、および、第２の側面１７ｂに回り込まないように形成されていてもよい。第１の外部電極１４ａは、第１の内部電極１３ａと電気的に接続されている。
第２の外部電極１４ｂは、積層体１１の第２の端面１５ｂの全体に形成されているとともに、第２の端面１５ｂから、第１の主面１６ａ、第２の主面１６ｂ、第１の側面１７ａ、および、第２の側面１７ｂに回り込むように形成されている。具体的には、第２の外部電極１４ｂは、第２の端面１５ｂに形成された第１の下地層１４１ｂと、第１の主面１６ａおよび第２の主面１６ｂに形成された第２の下地層１４２ｂと、第１の下地層１４１ｂおよび第２の下地層１４２ｂを覆うめっき層１４３ｂとを備える。なお、第２の外部電極１４ｂは、第１の側面１７ａ、および、第２の側面１７ｂに回り込まないように形成されていてもよい。第２の外部電極１４ｂは、第２の内部電極１３ｂと電気的に接続されている。
（積層セラミックコンデンサの製造方法）
図３は、積層セラミックコンデンサ１０の製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。なお、以下に示す積層セラミックコンデンサ１０の製造方法は、製造過程の途中段階まで一括して加工処理を行なうことでマザー積層体を作製し、その後にマザー積層体を分断して個片化し、個片化後の未焼成積層体にさらに加工処理を施すことによって、複数の積層セラミックコンデンサ１０を同時に大量に生産する方法である。
図３のステップＳ１では、セラミックスラリーを調製する。具体的には、セラミック粉末、バインダおよび溶剤などを所定の配合比率で混合することによって、セラミックスラリーを作製する。
ステップＳ１に続くステップＳ２では、セラミックグリーンシートを形成する。具体的には、キャリアフィルム上において、ダイコータ、グラビアコータ、または、マイクログラビアコータなどを用いて、セラミックスラリーをシート状に成形することにより、セラミックグリーンシートを形成する。
ステップＳ２に続くステップＳ３では、マザーシートを作製する。具体的には、セラミックグリーンシート上に、導電性ペーストが所定のパターンとなるように塗工することによって、セラミックグリーンシート上に所定の導電パターンが形成されたマザーシートを作製する。導電性ペーストの塗工は、例えば、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法などを用いた印刷により行うことができる。導電性ペーストには、例えば、Ｎｉ成分が含まれる。
ステップＳ３に続くステップＳ４では、導電パターンが形成されていないマザーシートを所定枚数積層し、その上に、導電パターンが形成されているマザーシートを複数枚積層し、その上に、導電パターンが形成されていないマザーシートを所定枚数積層することによって、マザーシート群を作製する。
ステップＳ４に続くステップＳ５では、マザーシート群を圧着することによって、マザー積層体を作製する。例えば、静水圧プレスまたは剛体プレスによって、マザーシート群を積層方向に加圧することによって圧着する。
ステップＳ５に続くステップＳ６では、マザー積層体を押切り、ダイシング、レーザなどの切断方法で切断することによって、複数の未焼成積層体に個片化する。
ステップＳ６に続くステップＳ７では、未焼成積層体をバレル研磨する。具体的には、未焼成積層体を、セラミック材料よりも硬度の高いメディアボールとともにバレルと呼ばれる小箱内に封入し、バレルを回転させる。これにより、未焼成積層体の外表面の角部および稜線部に曲面状の丸みがもたされる。
ステップＳ７に続くステップＳ８では、未焼成積層体の表面に、第１の外部電極１４ａおよび第２の外部電極１４ｂの第１の下地層１４１ａ，１４１ｂとなる導電性ペーストを付与する。具体的には、第１の下地層１４１ａ，１４１ｂとなる導電性ペーストを、各種印刷法またはディップ法などによって、未焼成積層体の両端面に付与する。この導電性ペーストは、例えば、有機溶剤と金属粒子とセラミックとを含む。金属粒子には、例えば、Ｎｉ成分が含まれる。
ステップＳ８に続くステップＳ９では、表面に導電性ペーストを付与した未焼成積層体を焼成する。未焼成積層体を焼成することにより、セラミック誘電体材料および導電体材料が焼成される。焼成温度は、セラミック誘電体材料および導電体材料の種類に応じて適宜設定され、例えば、９００℃以上１３００℃以下の範囲内の温度である。未焼成積層体を焼成することによって、積層体１１が得られる。
ステップＳ９に続くステップＳ１０では、焼成によって得られた積層体１１をバレル研磨する。
ステップＳ１０に続くステップＳ１１では、スパッタリングなどの乾式めっき法により、積層体１１の第１の主面１６ａに第２の下地層１４２ａ，１４２ｂを形成する。第２の下地層１４２ａ，１４２ｂの形成は、後述する本発明の成膜装置を用いて行うことができる。第２の下地層１４２ａ，１４２ｂは、例えば、ニクロム(ＮｉＣｒ)、モネル(ＮｉＣｕ)、チタン(Ｔｉ)、銅(Ｃｕ)、または、銀(Ａｇ)などの純金属または合金からなる。
ステップＳ１１に続くステップＳ１２では、スパッタリングなどの乾式めっき法により、積層体１１の第２の主面１６ｂに第２の下地層１４２ａ，１４２ｂを形成する。第２の下地層１４２ａ，１４２ｂの形成は、後述する本発明の成膜装置を用いて行うことができる。
ステップＳ１２に続くステップＳ１３では、めっき処理により、第１の下地層１４１ａおよび第２の下地層１４２ａを覆うように、めっき層１４３ａを形成する。同様に、第１の下地層１４１ｂおよび第２の下地層１４２ｂを覆うように、めっき層１４３ｂを形成する。めっき層１４３ａ，１４３ｂを形成することにより、第１の外部電極１４ａおよび第２の外部電極１４ｂが構成される。めっき層１４３ａ，１４３ｂには、例えば、Ｃｕ成分が含まれる。
上述した工程により、積層セラミックコンデンサ１０が作製される。
（成膜装置）
＜第１の実施形態＞
以下では、本発明の第１の実施形態における成膜装置２００および成膜用マスク治具２７０の構成について説明する。成膜装置２００は、スパッタリング装置である。ただし、成膜装置２００がスパッタリング装置に限定されることはなく、蒸着やイオンプレーティングなど、他の乾式めっきを行う装置であってもよい。
図４は、第１の実施形態における成膜装置２００の構成を模式的に示す側面図である。図５は、図４に示す成膜装置２００を矢印Ｖの方向から見た図である。図６は、図４に示す成膜装置２００を矢印ＶＩの方向から見た図である。図７は、図４に示す成膜装置２００の搬送部２５０の一部の形状を示す平面図である。図８は、成膜装置２００のトレー２６０の形状を示す平面図である。図９は、成膜装置２００の成膜用マスク治具２７０の形状を示す平面図である。図１０は、図９中のＸ部を拡大して示す斜視図である。図１１は、図１０に示す成膜用マスク治具２７０のＸＩ－ＸＩ線に沿った模式的な断面図である。図１２は、図１０に示す成膜用マスク治具２７０のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿った模式的な断面図である。図１３は、図１１に示す成膜用マスク治具２７０の一部をＸＩＩＩの方向から見た模式的底面図である。なお、図９では、理解を容易にするために、成膜用マスク治具２７０のうち、後述するマスク部２７４および落下抑制部材２７５は省略している。
図４に示すように、成膜装置２００は、成膜室２２０と、成膜室２２０に隣接して設けられた第１の減圧室２１０と、成膜室２２０に隣接して設けられた第２の減圧室２３０とを備える。なお、第１の減圧室２１０および第２の減圧室２３０を省略した構成としてもよい。
第１の減圧室２１０には、第１の減圧室２１０内を減圧する第１の真空ポンプ２１１が設けられている。成膜室２２０には、成膜室２２０内を減圧する第２の真空ポンプ２２１が設けられている。第２の減圧室２３０には、第２の減圧室２３０内を減圧する第３の真空ポンプ２３１が設けられている。成膜室２２０内は、第１の減圧室２１０および第２の減圧室２３０の各々の内部より気圧が低く、略真空状態になっている。
成膜装置２００は、被搬送物を、第１の減圧室２１０、成膜室２２０、および、第２の減圧室２３０の順に通過させる搬送部２５０をさらに備える。搬送部２５０の搬送方向Ｙ１に沿って、搬送部２５０を支持する複数のローラ２８０が互いに間隔をあけて配置されている。本実施形態において、搬送部２５０は、ベルトコンベアで構成されている。ただし、搬送部２５０がベルトコンベアに限定されることはなく、レール上を走行する台車などであってもよい。
図６に示すように、搬送部２５０は、水平方向に対して角度α傾いて位置するように、ローラ２８０によって支持されている。角度αは、０°より大きく、例えば５°である。図７に示すように、搬送部２５０には、平面視において矩形状の開口部２５１、および、平面視において、開口部２５１の外周に位置する矩形状の座繰り部２５２が設けられている。開口部２５１および座繰り部２５２は、ベルトコンベアの長手方向において等間隔に設けられている。
図４に示すように、搬送部２５０による被搬送物の搬送方向Ｙ１において、第１の減圧室２１０の入口には、上下方向に開閉する第１のシャッタ２４０が設けられている。第１の減圧室２１０と成膜室２２０との境界には、上下方向に開閉する第２のシャッタ２４１が設けられている。成膜室２２０と第２の減圧室２３０との境界には、上下方向に開閉する第３のシャッタ２４２が設けられている。第２の減圧室２３０の出口には、上下方向に開閉する第４のシャッタ２４３が設けられている。シャッタ２４０～２４３の各々は、搬送部２５０による被搬送物の通過時のみ開いた状態となり、それ以外の時は閉じた状態になっている。
成膜室２２０の内部には、成膜源が配置されている。本実施形態では、成膜源として、第１のターゲット２２２、第２のターゲット２２３、および、第３のターゲット２２４が配置されている。第１のターゲット２２２、第２のターゲット２２３、および、第３のターゲット２２４は、成膜室２２０内において、搬送部２５０の鉛直下方に位置しており、搬送部２５０による被搬送物の搬送方向Ｙ１に沿って、１列に配置されている。搬送部２５０は、成膜室２２０内において、被成膜物が第１のターゲット２２２、第２のターゲット２２３、および、第３のターゲット２２４の上方を、各ターゲット２２２、２２３、２２４と対向しつつ通過するように、被成膜物を搬送する。なお、配置されるターゲットの数は、３つに限られず、１つ以上であればよい。
第１のターゲット２２２、第２のターゲット２２３、および、第３のターゲット２２４の各々は、図４の矢印Ｖの方向に見たときに、板状の外形を有している。第１のターゲット２２２、第２のターゲット２２３、および、第３のターゲット２２４はそれぞれ、図６に示すように傾いた状態の搬送部２５０に取り付けられた成膜用マスク治具２７０と平行となるように傾いている。
第１のターゲット２２２、第２のターゲット２２３、および、第３のターゲット２２４からは、被成膜物に成膜するための原料が噴霧される。一例として、噴霧される原料は、ニクロム(ＮｉＣｒ)、モネル(ＮｉＣｕ)、チタン(Ｔｉ)、銅(Ｃｕ)または銀(Ａｇ)などの純金属または合金からなる金属粒子である。
本実施形態では、搬送部２５０の座繰り部２５２内に、図８に示すトレー２６０が配置される。トレー２６０は、平面視にて、搬送部２５０の座繰り部２５２より僅かに小さい矩形状の外形を有している。トレー２６０には、平面視にて矩形状の開口部２６１、および、平面視にて開口部２６１の外周に位置する矩形状の座繰り部２６２が設けられている。本実施形態では、開口部２６１および座繰り部２６２が、トレー２６０にマトリックス状に６つ設けられている。搬送部２５０の座繰り部２５２内にトレー２６０が配置された状態では、トレー２６０の６つの開口部２６１の各々は、搬送部２５０の開口部２５１上に位置する。
成膜用マスク治具２７０は、図５に示すように、トレー２６０の座繰り部２６２内に配置される。成膜用マスク治具２７０は、平面視にて、トレー２６０の座繰り部２６２より僅かに小さい矩形状の外形を有している。図９に示すように、平面視において、成膜用マスク治具２７０の外周は、互いに平行な一対の第１辺２７２ａと、互いに平行な一対の第２辺２７２ｂとから構成されている。なお、必ずしもトレー２６０が設けられていなくてもよく、成膜用マスク治具２７０が搬送部２５０の座繰り部２５２内に直接配置されてもよい。
成膜用マスク治具２７０は、図９～１３に示すように、被成膜物を収容する収容部２７３と、成膜時に被成膜物の下方に位置し、被成膜物の非成膜領域への成膜を防ぐためのマスク部２７４と、被成膜物の落下を抑制するための落下抑制部材２７５とを備える。そのような構成を実現するために、成膜用マスク治具２７０は、図１０に示すように、収容部２７３の内壁を構成する枠部材２７２と、枠部材２７２と隣接したマスキング部材２７１とを含む。
図９に示すように、枠部材２７２は、平面視にて、矩形の板状の外形を有している。枠部材２７２の外形は、平面視にて、互いに平行な一対の第１辺２７２ａと、互いに平行な第２辺２７２ｂとから構成されている。すなわち、平面視において、枠部材２７２の外形と成膜用マスク治具２７０の外形とは同一である。
平面視において、収容部２７３を構成する内壁は、互いに対向する一対の第１辺２７２ｈａおよび互いに対向する一対の第２辺２７２ｈｂを含み、全体として略矩形の形状を有する。ただし、内壁の４つの角部には、ぬすみ加工が施されており、半円状の切欠２７２ｈｃが設けられている。
落下抑制部材２７５は、マスク部２７４が設けられていない開口部において、被成膜物が収容部２７３に収容された状態で被成膜物と接触しない位置に設けられている（図１０、図１１参照）。なお、図１１および図１２において、破線１２０は、収容部２７３に被成膜物が収容されたときの下面の位置を表している。開口部に落下抑制部材２７５が設けられていることにより、被成膜物が開口部に落下しそうになった場合でも、落下抑制部材２７５によって支えられるので、そのまま下方に落下することを防ぐことができる。また、落下抑制部材２７５が被成膜物と接触していると、接触している領域において成膜されなくなるが、被成膜物と接触しない位置に落下抑制部材２７５が設けられていることにより、落下抑制部材２７５によって成膜が阻害されることを抑制することができる。
なお、成膜用マスク治具２７０の製造時に、落下抑制部材２７５をマスク部２７４と一体的に形成してもよいし、別途作製した落下抑制部材２７５をマスク部２７４に取り付けるようにしてもよい。
図１３に示すように、本実施形態では、被成膜物が収容部２７３に収容されたときに被成膜物とマスク部２７４とが対向する方向（図１１のＸＩＩＩの方向）に見たときに、落下抑制部材２７５は、所定の幅Ｗ１で延伸する形状を有している。収容部２７３に収容されたときの被成膜物と落下抑制部材２７５との間の距離Ｌ１は、落下抑制部材２７５の幅Ｗ１以上である（図１２参照）。収容部２７３に収容されたときの被成膜物と落下抑制部材２７５との間の距離Ｌ１が落下抑制部材２７５の幅Ｗ１以上であることにより、落下抑制部材２７５によって成膜が阻害されることなく、被成膜物の成膜領域の全てを成膜することが可能となる。
図１３に示すように、被成膜物が収容部２７３に収容されたときに被成膜物とマスク部２７４とが対向する方向に見たときに、落下抑制部材２７５の延伸方向と直交する方向Ｙ２において、収容部２７３を構成する内壁と落下抑制部材２７５との間の距離および落下抑制部材２７５が複数設けられている場合における落下抑制部材２７５同士の間の距離のうちの最も長い距離は、落下抑制部材２７５の延伸方向における収容部２７３の寸法Ｗ１１より短い。この距離関係が成り立つことにより、被成膜物を収容部２７３内に振り込むときや、被成膜物を収容した成膜用マスク治具２７０を搬送部２５０に取り付けるときなどにおいて、被成膜物の落下を抑制することができる。なお、落下抑制部材２７５の延伸方向と直交する方向Ｙ２は、積層セラミックコンデンサ１０の幅方向Ｗに対応している。また、収容部２７３の寸法Ｗ１１は、積層セラミックコンデンサ１０の長さ方向Ｌにおける寸法よりわずかに大きい。
本実施形態において、マスク部２７４は、図１３に示すように、収容部２７３の内壁を構成する一対の第２辺２７２ｈｂが対向する方向の中央付近に設けられている。落下抑制部材２７５は、中央付近に設けられているマスク部２７４から、その両側に位置する一対の第２辺２７２ｈｂ側に向かって延伸するように、それぞれ２つずつ、合計４つ設けられている。上述した「落下抑制部材２７５の延伸方向と直交する方向Ｙ２において、収容部２７３を構成する内壁と落下抑制部材２７５との間の距離」は、図１３に示す距離Ｌ１１と距離Ｌ１３であり、「落下抑制部材２７５が複数設けられている場合における落下抑制部材２７５同士の間の距離」は、図１３に示す距離Ｌ１２である。図１３に示す例では、距離Ｌ１１～Ｌ１３のうちの最も長い距離は、距離Ｌ１２である。したがって、距離Ｌ１２と、落下抑制部材２７５の延伸方向における収容部２７３の寸法Ｗ１１との間には、Ｌ１２＜Ｗ１１の関係が成り立つ。上述したように、Ｌ１２＜Ｗ１１の関係が成り立つことにより、被成膜物の落下を抑制することができる。
なお、マスク部２７４の配置位置は、収容部２７３の内壁を構成する一対の第２辺２７２ｈｂが対向する方向における中央付近でなくてもよい。
本実施形態では、図１３に示すように、被成膜物が収容部２７３に収容されたときに被成膜物とマスク部２７４とが対向する方向に見たときに、マスク部２７４から収容部２７３を構成する内壁に向かって延伸している落下抑制部材２７５と内壁との間には隙間ＳＰが存在する。隙間ＳＰの寸法Ｗｈ１は、収容部２７３の深さＤ１（図１２参照）の１／２以下である。上記隙間ＳＰの寸法Ｗｈ１が収容部２７３の深さＤ１の１／２であることにより、隙間ＳＰから被成膜物が落下することを防ぐことができる。なお、収容部２７３の深さＤ１は、被成膜物の積層方向Ｔにおける寸法の０．８倍以上１．５倍以下であることが好ましい。
落下抑制部材２７５の幅Ｗ１は、０．１ｍｍ以下である。一例として、落下抑制部材２７５の幅Ｗ１は、０．０４ｍｍである。
上述したように、本実施形態では、落下抑制部材２７５が複数、具体的には、マスク部２７４から、その両側にそれぞれ２つずつ、合計４つ設けられている。落下抑制部材２７５が複数設けられていることにより、被成膜物の落下をより効果的に抑制することができる。
ここで、本実施形態では、図９に示すように、収容部２７３の内壁を構成する第２辺２７２ｈｂが、枠部材２７２の外形の第２辺２７２ｂに対して角度θをなすように、収容部２７３が設けられている。すなわち、複数の収容部２７３は、枠部材２７２の外形の第２辺２７２ｂに対して、角度θをなす複数の仮想直線２７２ｄ上にて、互いに間隔をあけて並んでいる。なお、仮想直線２７２ｄと収容部２７３の内壁を構成する第２辺２７２ｈｂとは、平行である。
角度θは、搬送部２５０の傾き角度α（図６参照）より大きいことが好ましい。具体的には、角度θは、２０°以上４０°以下であることが好ましく、例えば３１°である。この場合、後述するように、収容部２７３内に被成膜物を収容した際に、被成膜物の端面と第２辺２７２ｈｂ、および、被成膜物の側面と第１辺２７２ｈａとをそれぞれ接触させて、安定して被成膜物を保持することができる。
本実施形態では、収容部２７３の内壁の２本の対角線のうちのいずれか一方の対角線２７２ｃが、枠部材２７２の外形の第２辺２７２ｂと平行になるように、複数の収容部２７３が設けられている。
本実施形態において、マスキング部材２７１は、１つのマスク部２７４を備えている。マスク部２７４は、収容部２７３の鉛直下方に位置して被成膜物と接する平坦部２７４ｔを有している。ただし、マスク部２７４の数が１つに限定されることはなく、被成膜物の非成膜領域に応じた数とすればよい。
マスキング部材２７１は、枠部材２７２の下面に接合されている。ただし、マスキング部材２７１と枠部材２７２とが一体的に形成されていてもよい。
成膜用マスク治具２７０がトレー２６０の座繰り部２６２内に配置されることにより、図６に示すように、成膜用マスク治具２７０は、水平方向に対して傾いて位置するように搬送部２５０に取り付けられる。
ここで、第１の実施形態における成膜装置２００による成膜方法について説明する。上述した図３に示すフローチャートのステップＳ１１では、積層体の第１の主面１６ａに第２の下地層１４２ａ，１４２ｂを形成し、ステップＳ１２では、積層体の第２の主面１６ｂに第２の下地層１４２ａ，１４２ｂを形成する。ここでは、成膜装置２００によって、第２の下地層１４２ａ，１４２ｂを形成する例について説明する。
被成膜物である積層体１１を第１の成膜用マスク治具２７０ａの収容部２７３内に収容させるため、第１の成膜用マスク治具２７０ａの枠部材２７２上に多数の積層体１１を載置した状態で、シェーカにより第１の成膜用マスク治具２７０ａを振動させる。その結果、複数の積層体１１が複数の収容部２７３内にそれぞれ収容される。なお、第１の成膜用マスク治具２７０ａは、成膜用マスク治具２７０と同じ構造を有する。
落下抑制部材２７５を備えていない従来の成膜用マスク治具では、収容部に積層体１１を収容させる際、マスク部が設けられていない開口部から積層体１１が落下する可能性がある。これに対して、本実施形態における成膜用マスク治具２７０を用いた場合には、落下抑制部材２７５が設けられているので、積層体１１が落下抑制部材２７５によって支えられ、下方への落下を抑制することができる。
次に、第２の成膜用マスク治具２７０ｂの収容部２７３が第１の成膜用マスク治具２７０ａの対応する収容部２７３と連通するように、第１の成膜用マスク治具２７０ａの枠部材２７２上に、第２の成膜用マスク治具２７０ｂの枠部材２７２を重ね合わせる。この状態で、第１の成膜用マスク治具２７０ａと第２の成膜用マスク治具２７０ｂとを、螺子などにより連結する。なお、第２の成膜用マスク治具２７０ｂは、成膜用マスク治具２７０と同じ構造を有する。
互いに連結された第１の成膜用マスク治具２７０ａおよび第２の成膜用マスク治具２７０ｂをプラズマ装置に挿入してＡｒエッチングを行なうことにより、第１の成膜用マスク治具２７０ａ、第２の成膜用マスク治具２７０ｂおよび積層体１１をクリーニングする。
次に、クリーニングした第１の成膜用マスク治具２７０ａおよび第２の成膜用マスク治具２７０ｂを、図４～図６に示すように、トレー２６０を介して搬送部２５０に取り付ける。
図１４は、本発明の第１の実施形態における成膜用マスク治具２７０の収容部２７３内に被成膜物である積層体１１が収容された状態を示す平面図である。図１５は、図１４に示す成膜用マスク治具の収容部内に積層体１１が収容された状態をＸＶ－ＸＶ線矢印方向から見た断面図である。図１５は、第１の成膜用マスク治具２７０ａ上に第２の成膜用マスク治具２７０ｂを重ね合わせた状態を図示している。
図１４および図１５に示すように、積層体１１は、矢印３０で示すように、第１の成膜用マスク治具２７０ａの傾きにより、第１の成膜用マスク治具２７０ａの収容部２７３内において内壁の１つの角部に偏って内壁と接している。具体的には、積層体１１の第２の端面１５ｂが第１の成膜用マスク治具２７０ａの第２辺２７２ｈｂと接し、積層体１１の第２の側面１７ｂが第１の成膜用マスク治具２７０ａの第１辺２７２ｈａと接している。
その結果、複数の収容部２７３内にそれぞれ収容された複数の積層体１１は、複数の収容部２７３内の各々における略同一の位置に配置されることになる。
また、内壁の４つの角部に半円状の切欠２７２ｈｃが設けられていることにより、積層体１１の角部が上記切欠２７２ｈｃ内に収容されるため、積層体１１の第２の端面１５ｂと第２辺２７２ｈｂとを安定して接触させることができるとともに、積層体１１の第２の側面１７ｂと第１辺２７２ｈａとを安定して接触させることができる。
搬送部２５０によって、第１の成膜用マスク治具２７０ａおよび第２の成膜用マスク治具２７０ｂが成膜室２２０内に搬入された時点でスパッタリング加工が開始される。搬送部２５０が連続運転して、第１の成膜用マスク治具２７０ａおよび第２の成膜用マスク治具２７０ｂがターゲット２２２，２２３，２２４の鉛直上方を順次通過することにより、積層体１１の第１の主面１６ａのうち、マスク部２７４と接していない領域が成膜される。これにより、積層体１１の第１の主面１６ａに第２の下地層１４２ａ，１４２ｂが形成される。第２の下地層１４２ａ，１４２ｂの厚みは、例えば、０．０１ｕｍ以上５ｕｍ以下である。
上述したように、ターゲット２２２，２２３，２２４から噴霧された金属粒子は、積層体１１の下側の表面において、第１の成膜用マスク治具２７０ａのマスク部２７４に覆われていない部分に付着する。上記のように、複数の収容部２７３内にそれぞれ収容された複数の積層体１１は、複数の収容部２７３内の各々における略同一の位置に配置されているため、高い位置精度で成膜できるとともに、複数の積層体１１に対して均一に成膜することができる。
搬送部２５０によって、第１の成膜用マスク治具２７０ａおよび第２の成膜用マスク治具２７０ｂが成膜室２２０外に搬出された時点でスパッタリング加工を停止する。
次に、第１の成膜用マスク治具２７０ａと第２の成膜用マスク治具２７０ｂとを上下反転させた状態で、トレー２６０を介して搬送部２５０に取り付ける。図１６は、第１の成膜用マスク治具２７０ａと第２の成膜用マスク治具２７０ｂとを上下反転させた状態を示す断面図である。
第１の成膜用マスク治具２７０ａと第２の成膜用マスク治具２７０ｂとを上下反転させることにより、図１６に示すように、積層体１１は、矢印３０で示すように、第２の成膜用マスク治具２７０ｂの傾きにより、第２の成膜用マスク治具２７０ｂの収容部２７３内において内壁の１つの角部に偏って内壁と接している。具体的には、積層体１１の第２の端面１５ｂが第２の成膜用マスク治具２７０ｂの第２辺２７２ｈｂと接し、積層体１１の第２の側面１７ｂが第２の成膜用マスク治具２７０ｂの第１辺２７２ｈａと接している。また、積層体１１は、第２の成膜用マスク治具２７０ｂのマスク部２７４に支持されている。具体的には、積層体１１の第２の主面１６ｂが、第２の成膜用マスク治具２７０ｂのマスク部２７４の平坦部２７４ｔと接している。
このように、第１の成膜用マスク治具２７０ａと第２の成膜用マスク治具２７０ｂを上下反転させる際には、傾いた成膜用マスク治具２７０の下側に位置する積層体１１の端面が入れ替わらないようにする。本実施形態においては、第２の端面１５ｂが第１の端面１５ａと比べて、第１の成膜用マスク治具２７０ａと第２の成膜用マスク治具２７０ｂとを上下反転させる前後においてともに、斜めに傾いた成膜用マスク治具２７０の下側に位置している。
搬送部２５０によって、上下反転した状態の第１の成膜用マスク治具２７０ａおよび第２の成膜用マスク治具２７０ｂが成膜室２２０内に搬入された時点でスパッタリング加工が開始される。搬送部２５０が連続運転して、第１の成膜用マスク治具２７０ａおよび第２の成膜用マスク治具２７０ｂがターゲット２２２，２２３，２２４の鉛直上方を順次通過することにより、上下反転した状態の積層体１１の下側が成膜される。これにより、積層体１１の第２の主面１６ｂのうち、マスク部２７４と接していない領域に、第２の下地層１４２ａ，１４２ｂが形成される。第２の下地層１４２ａ，１４２ｂの厚みは、例えば、０．０１ｕｍ以上５ｕｍ以下である。
次に、搬送部２５０から第１の成膜用マスク治具２７０ａおよび第２の成膜用マスク治具２７０ｂが取り外される。第１の成膜用マスク治具２７０ａと第２の成膜用マスク治具２７０ｂとの連結が解除され、第２の下地層１４２ａ，１４２ｂが形成された積層体１１が収容部２７３から取り出される。その後、第２の下地層１４２ａ，１４２ｂが形成された積層体１１にめっき処理が施される。
＜第２の実施形態＞
第１の実施形態において、成膜用マスク治具２７０の落下抑制部材２７５は、マスク部２７４から収容部２７３を構成する内壁に向かって延伸しているが、落下抑制部材２７５と内壁との間には隙間ＳＰが存在する（図１３参照）。
これに対して、第２の実施形態における成膜用マスク治具２７０では、落下抑制部材２７５と収容部２７３を構成する内壁との間には隙間が存在しない。
図１７は、第２の実施形態における成膜用マスク治具２７０において、被成膜物が収容部２７３に収容されたときに被成膜物とマスク部２７４とが対向する方向に収容部２７３を見たときの平面図である。図１７に示すように、落下抑制部材２７５は、マスク部２７４と、収容部２７３の第２辺２７２ｈｂ側の内壁とが対向する方向に延伸しており、落下抑制部材２７５と収容部２７３を構成する内壁との間には隙間が存在しない。落下抑制部材２７５と収容部２７３を構成する内壁との間に隙間が存在しないことにより、被成膜物の落下をより効果的に抑制することができる。
＜第３の実施形態＞
第１の実施形態において、成膜用マスク治具２７０の落下抑制部材２７５は、マスク部２７４から収容部２７３を構成する内壁に向かって延伸している。
これに対して、第３の実施形態における成膜用マスク治具２７０では、収容部２７３を構成する内壁からマスク部２７４に向かって延伸している。
図１８は、第３の実施形態における成膜用マスク治具２７０において、被成膜物が収容部２７３に収容されたときに被成膜物とマスク部２７４とが対向する方向に収容部２７３を見たときの平面図である。落下抑制部材２７５は、収容部２７３の第２辺２７２ｈｂ側の内壁からマスク部２７４に向かって延伸しており、マスク部２７４との間には隙間ＳＰが存在する。このような構成でも、被成膜物の落下を抑制することが可能である。
また、第１の実施形態と同様に、隙間ＳＰの寸法Ｗｈ１は、収容部２７３の深さＤ１（図１２参照）の１／２以下であることが好ましい。上記隙間ＳＰの寸法Ｗｈ１が収容部２７３の深さＤ１の１／２であることにより、隙間ＳＰから被成膜物が落下することを防ぐことができる。
＜第４の実施形態＞
図１および図２に示す積層セラミックコンデンサ１０は、長さ方向Ｌにおける寸法が幅方向Ｗにおける寸法より短いが、長さ方向Ｌにおける寸法が幅方向Ｗにおける寸法より長くてもよい。長さ方向Ｌにおける寸法が幅方向Ｗにおける寸法より長い被成膜物を対象とする場合の成膜用マスク治具２７０の構成を以下で説明する。
図１９は、第４の実施形態における成膜用マスク治具２７０において、被成膜物が収容部２７３に収容されたときに被成膜物とマスク部２７４とが対向する方向に収容部２７３を見たときの平面図である。マスク部２７４は、図１９に示すように、収容部２７３の内壁を構成する一対の第１辺２７２ｈａが対向する方向の中央付近に設けられている。落下抑制部材２７５は、中央付近に設けられているマスク部２７４から、その両側に位置する一対の第１辺２７２ｈａに向かって延伸するように、それぞれ１つずつ、合計２つ設けられている。なお、マスク部２７４の配置位置は、収容部２７３の内壁を構成する一対の第１辺２７２ｈａが対向する方向における中央付近でなくてもよい。
被成膜物が収容部２７３に収容されたときに被成膜物とマスク部２７４とが対向する方向に見たときに、落下抑制部材２７５の延伸方向と直交する方向Ｙ２において、収容部２７３を構成する内壁と落下抑制部材２７５との間の距離および落下抑制部材２７５が複数設けられている場合における落下抑制部材２７５同士の間の距離のうちの最も長い距離は、落下抑制部材２７５の延伸方向における収容部２７３の寸法より短い。図１９に示す例では、落下抑制部材２７５の延伸方向と直交する方向Ｙ２において、落下抑制部材２７５は１つしか設けられていない。したがって、収容部２７３を構成する内壁と落下抑制部材２７５との間の距離Ｌ１１，Ｌ１３と、落下抑制部材２７５の延伸方向における収容部２７３の寸法Ｗ１１との間には、Ｌ１１（＝Ｌ１３）＜Ｗ１１の関係が成り立つ。
また、図１９に示すように、被成膜物が収容部２７３に収容されたときに被成膜物とマスク部２７４とが対向する方向に見たときに、マスク部２７４から収容部２７３を構成する内壁に向かって延伸している落下抑制部材２７５と内壁との間には隙間ＳＰが存在する。この隙間ＳＰの寸法Ｗｈ１は、収容部２７３の深さＤ１の１／２以下である。
なお、他の実施形態と同様、収容部２７３に収容されたときの被成膜物と落下抑制部材２７５との間の距離は、落下抑制部材２７５の幅Ｗ１以上である。
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。例えば、上述した実施形態では、成膜用マスク治具２７０が斜めに傾いた状態で搬送部２５０に取り付けられるものとして説明したが（図６参照）、傾いていない状態で使用することもできる。
落下抑制部材２７５の形状や配置場所が上述した実施形態で説明した形状や配置場所に限定されることはない。すなわち、落下抑制部材２７５は、マスク部２７４が設けられていない開口部において、被成膜物が収容部２７３に収容された状態で被成膜物と接触しない位置に設けられ、被成膜物の落下を抑制できるものであればよい。
１０ 積層セラミックコンデンサ
１１ 積層体
１２ 誘電体層
１３ａ 第１の内部電極
１３ｂ 第２の内部電極
１４ａ 第１の外部電極
１４ｂ 第２の外部電極
１４１ａ、１４１ｂ 第１の下地層
１４２ａ、１４２ｂ 第２の下地層
１４３ａ、１４３ｂ めっき層
２００ 成膜装置
２１０ 第１の減圧室
２１１ 第１の真空ポンプ
２２１ 第２の真空ポンプ
２２２ 第１のターゲット
２２３ 第２のターゲット
２２４ 第３のターゲット
２３０ 第２の減圧室
２３１ 第３の真空ポンプ
２４０ 第１のシャッタ
２４１ 第２のシャッタ
２４２ 第３のシャッタ
２４３ 第４のシャッタ
２５０ 搬送部
２６０ トレー
２７０ 成膜用マスク治具
２７０ａ 第１の成膜用マスク治具
２７０ｂ 第２の成膜用マスク治具
２７１ マスキング部材
２７２ 枠部材
２７３ 収容部
２７４ マスク部
２７５ 落下抑制部材
２８０ ローラ

Claims (7)

  1. 被成膜物を収容する収容部と、
    前記収容部の内壁を構成する枠部材と、
    前記枠部材と隣接したマスキング部材と、
    成膜時に前記被成膜物の下方に位置し、前記被成膜物と接する平坦部を有しており、前記被成膜物の非成膜領域への成膜を防ぐためのマスク部と、
    前記マスク部が設けられていない開口部において、前記被成膜物が前記収容部に収容された状態で前記被成膜物と接触しない位置に設けられ、前記被成膜物の落下を抑制するための落下抑制部材と、
    を備え、
    前記収容部を構成する内壁は、互いに対向する一対の第１辺および互いに対向する一対の第２辺を含み、全体として略矩形の形状を有しており、
    前記マスク部は、前記一対の第２辺が対向する方向の中央付近に設けられており、
    前記落下抑制部材は、前記マスク部から前記一対の第２辺に向かって延伸しており、
    前記マスキング部材は、１つの前記マスク部を備えていることを特徴とする成膜用マスク治具。
  2. 前記被成膜物が前記収容部に収容されたときに前記被成膜物と前記マスク部とが対向する方向に見たときに、前記落下抑制部材は、所定の幅で延伸する形状を有しており、
    前記収容部に収容されたときの前記被成膜物と前記落下抑制部材との間の距離は、前記落下抑制部材の前記幅以上であることを特徴とする請求項１に記載の成膜用マスク治具。
  3. 前記被成膜物が前記収容部に収容されたときに前記被成膜物と前記マスク部とが対向する方向に見たときに、前記落下抑制部材の延伸方向と直交する方向において、前記収容部を構成する内壁と前記落下抑制部材との間の距離および前記落下抑制部材が複数設けられている場合における前記落下抑制部材同士の間の距離のうちの最も長い距離は、前記落下抑制部材の延伸方向における前記収容部の寸法より短いことを特徴とする請求項２に記載の成膜用マスク治具。
  4. 前記被成膜物が前記収容部に収容されたときに前記被成膜物と前記マスク部とが対向する方向に見たときに、前記マスク部から前記収容部を構成する内壁に向かって延伸している前記落下抑制部材と前記内壁との間には隙間が存在し、
    前記隙間の寸法は、前記収容部の深さの１／２以下であることを特徴とする請求項２または３に記載の成膜用マスク治具。
  5. 前記落下抑制部材の前記幅は、０．１ｍｍ以下であることを特徴とする請求項２～４のいずれか一項に記載の成膜用マスク治具。
  6. 前記落下抑制部材は、複数設けられていることを特徴とする請求項１～５のいずれか一項に記載の成膜用マスク治具。
  7. 成膜室と、
    前記成膜室の内部に位置する成膜源と、
    請求項１～６のいずれか一項に記載の成膜用マスク治具と、
    前記成膜室内において、前記成膜用マスク治具の前記収容部に収容された前記被成膜物が前記成膜源の上方を前記成膜源と対向しつつ通過するように前記被成膜物を搬送する搬送部と、
    を備えることを特徴とする成膜装置。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003147507A (ja) 2001-11-09 2003-05-21 Murata Mfg Co Ltd 薄膜金属形成用マスク、その薄膜金属形成用マスクの組立方法、およびチップ型電子部品素子への金属薄膜形成装置
JP2008169414A (ja) 2007-01-10 2008-07-24 Epson Toyocom Corp 成膜用治具
JP2013183114A (ja) 2012-03-05 2013-09-12 Sharp Corp 太陽電池の製造方法、製造装置及び太陽電池
JP2018021220A (ja) 2016-08-02 2018-02-08 株式会社村田製作所 成膜装置、保持具、および、これらを用いた電子部品の製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0654814B2 (ja) * 1989-06-16 1994-07-20 三洋電機株式会社 太陽電池装置の製造方法
WO2011024853A1 (ja) * 2009-08-26 2011-03-03 キヤノンアネルバ株式会社 成膜装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003147507A (ja) 2001-11-09 2003-05-21 Murata Mfg Co Ltd 薄膜金属形成用マスク、その薄膜金属形成用マスクの組立方法、およびチップ型電子部品素子への金属薄膜形成装置
JP2008169414A (ja) 2007-01-10 2008-07-24 Epson Toyocom Corp 成膜用治具
JP2013183114A (ja) 2012-03-05 2013-09-12 Sharp Corp 太陽電池の製造方法、製造装置及び太陽電池
JP2018021220A (ja) 2016-08-02 2018-02-08 株式会社村田製作所 成膜装置、保持具、および、これらを用いた電子部品の製造方法

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