JP7286481B2 - 半導体発光装置 - Google Patents
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Description
図1に示すように、半導体発光装置1は、平板状の基板10と、基板10に取り付けられたケース70とを備える。また図2に示すように、半導体発光装置1は、基板10に実装された複数の半導体発光素子40、複数の電流制限抵抗50、及び制御回路素子60を備える。図1及び図2から分かるとおり、ケース70は、複数の半導体発光素子40、複数の電流制限抵抗50、及び制御回路素子60を覆っている。図3に示すように、ケース70には、8の字に配置された7つの開口部80が設けられている。7つの開口部80はそれぞれ、平面視において直線状に形成されている。このように、本実施形態の半導体発光装置1は、1桁の数字を表示可能な7セグメントタイプの表示装置として構成されている。なお、半導体発光装置1は、一部のアルファベットを表示することもできる。
板10の厚さ方向Zの寸法DBZは、例えば1mm以下である。本実施形態では、寸法DBZは、0.6mmである。
制御回路素子60は、複数の半導体発光素子40のそれぞれの点灯及び消灯の切り換えを制御する素子である。制御回路素子60は、制御回路素子60を構成する複数の電子部品を封止樹脂61によって封止したチップとして構成されている。平面視における制御回路素子60の形状は、横方向Xが長辺方向となり、縦方向Yが短辺方向となる矩形状である。制御回路素子60は、例えば半田やAg(銀)ペースト等の導電性接合剤によって制御回路素子実装部21に接合されている。なお、制御回路素子60は、導電性接合剤に代えて絶縁性接合剤によって制御回路素子実装部21に接合されてもよい。制御回路素子60は、接続部材62によって各ランド部22に接続されている。接続部材62は、例えばCu(銅)、Au(金)、Al(アルミニウム)、又はそれらの合金を用いたワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。これにより、制御回路素子60と各ランド部22とが電気的に接続されている。
。これにより、半導体発光素子40のアノード電極と第2電極25とが電気的に接続されている。このように、半導体発光素子40及び接続部材49を介して、第1電極24と第2電極25とが電気的に接続されている。半導体発光素子40は、例えば赤色、青色、緑色、及び白色のいずれかの発光色で発光する。一例では、半導体発光素子40は、赤色又は緑色の発光色で発光する。
続配線部38を介して端子31Hに接続されている。
方向は、横方向Xである。つまり、8の字が形成される領域の短手方向は、基板10の短辺方向に一致している。一例では、上記領域の縦方向Yの寸法DAYは、8mmであり、上記領域の横方向Xの寸法DAXは、4mmである。なお、第1開口部81~第7開口部87によって8の字が形成される領域は、第1開口部81~第7開口部87によって形成された8の字の外縁によって形成された領域である。
第4開口部84の形状は、略台形状である。第4開口部84は、天壁75のうちの第4側壁74側かつ天壁75の横方向Xの中央部に対して第1側壁71寄りとなるように配置されている。第4開口部84は、第3開口部83と隣り合うように配置されている。図15に示すように、第4開口部84を構成する内壁面は、厚さ方向Zにおいて基板10に向かうにつれて第4開口部84の開口面積が小さくなるテーパ状の傾斜面84xを有する。
透光樹脂100は、第1開口部81の全体にわたり充填されている。第1素子収容部91には、透光樹脂100が充填されていない。換言すると、第1素子収容部91は、中空空間を有する。透光樹脂100は、例えば透明である。このため、半導体発光素子40が赤色で発光する場合、第1開口部81は透光樹脂100を介して赤色に発光し、半導体発光素子40が緑色で発光する場合、第1開口部81は透光樹脂100を介して緑色に発光する。なお、透光樹脂100は、半透明であってもよく、また赤色、青色、緑色等に着色されていてもよい。また、透光樹脂100は、半導体発光素子40からの光によって励起されることで異なる波長の光を発する蛍光体を含んでいてもよい。
うに設けられている。第3素子収容部93は、第2素子収容部92と隣り合うように配置されている。第2素子収容部92と第3素子収容部93とは、第2隔壁77によって仕切られている。図14に示すとおり、第2素子収容部92と第3素子収容部93とを仕切る第2隔壁77は、厚さ方向Zに沿って延びており、基板10の基板主面10sと接触している。
以降の説明において、第1開口部81に対応する半導体発光素子40を第1半導体発光素子41とし、第2開口部82に対応する半導体発光素子40を第2半導体発光素子42とし、第3開口部83に対応する半導体発光素子40を第3半導体発光素子43とし、第4開口部84に対応する半導体発光素子40を第4半導体発光素子44とし、第5開口部85に対応する半導体発光素子40を第5半導体発光素子45とし、第6開口部86に対応する半導体発光素子40を第6半導体発光素子46とし、第7開口部87に対応する半導体発光素子40を第7半導体発光素子47とする。また、第1半導体発光素子41に直列に接続される電流制限抵抗50を第1電流制限抵抗51とし、第2半導体発光素子42に直列に接続される電流制限抵抗50を第2電流制限抵抗52とし、第3半導体発光素子43に直列に接続される電流制限抵抗50を第3電流制限抵抗53とし、第4半導体発光
素子44に直列に接続される電流制限抵抗50を第4電流制限抵抗54とし、第5半導体発光素子45に直列に接続される電流制限抵抗50を第5電流制限抵抗55とし、第6半導体発光素子46に直列に接続される電流制限抵抗50を第6電流制限抵抗56とし、第7半導体発光素子47に直列に接続される電流制限抵抗50を第7電流制限抵抗57とする。
第1開口部81、第4開口部84、及び第7開口部87の横方向Xの中央部を通る直線を中心線CL1とし、第2開口部82及び第3開口部83の横方向Xの中央部を通る直線を中心線CL2とし、第5開口部85及び第6開口部86の横方向Xの中央部を通る直線を中心線CL3とする。また、第1開口部81の縦方向Yの中央部から横方向Xに沿って延びる直線を中心線CL4とし、第4開口部84の縦方向Yの中央部から横方向Xに添って延びる直線を中心線CL5とし、第7開口部87の縦方向Yの中央部から横方向Xに沿って延びる直線を中心線CL6とする。
配置されている。
端子及び第2端子が横方向Xに沿って配列されるように第6素子収容部96内に配置されている。
図2に示すように、ケース70は、2つの突出部78,79を有する。本実施形態では、突出部78,79は、天壁75と一体に形成されている。図10に示すように、突出部78は、天壁75のうちの第1開口部81、第2開口部82、第6開口部86、及び第7開口部87によって囲まれた領域に設けられている。突出部79は、天壁75のうちの第3開口部83、第4開口部84、第5開口部85、及び第7開口部87によって囲まれた領域に設けられている。突出部78,79は、厚さ方向Zを軸線方向とする円柱状に形成されている。
。このように、突出部78,79はそれぞれ、厚さ方向Zにおいて基板10の基板裏面10rから突出していない。
次に、本実施形態の半導体発光装置1の作用について説明する。
半導体発光装置の外部に制御回路素子60が設けられる場合、半導体発光装置及び制御回路素子60のそれぞれが配線基板に実装される。この場合、配線基板には、半導体発光装置を実装するための領域、制御回路素子を実装するための領域、及び半導体発光装置と制御回路素子とを接続する配線を形成するための領域を設ける必要がある。その結果、配線基板が大型化する場合がある。また、半導体発光装置の半導体発光素子と制御回路素子とを接続する配線の長さが長くなり易いため、配線に起因する寄生容量が大きくなり易い。
とができる。
本実施形態の半導体発光装置1によれば、以下の効果が得られる。
(1)半導体発光装置1は、制御回路素子60を備える。この構成によれば、半導体発光装置1の基板10に制御回路素子60及び半導体発光素子40が実装されており、かつ制御回路素子60と半導体発光素子40とを接続する接続配線部23が形成されている。この構成によれば、制御回路素子60と半導体発光素子40との間の距離が短くなるため、制御回路素子60と半導体発光素子40との間の接続配線部23の長さを短くできる。これにより、接続配線部23に基づく寄生容量を低減できる。したがって、寄生容量を低減しつつ、半導体発光素子40と制御回路素子60とを電気的に接続できる。
対側の傾斜面86bとを有する。厚さ方向Zに対する傾斜面86aの傾斜角度θ3は、厚さ方向Zに対する傾斜面86bの傾斜角度θ4よりも大きい。この構成によれば、ケース70における第6開口部86と回路収容部99との間の部分の厚さが薄くなることを抑制できる。したがって、ケース70の強度の低下を抑制できる。
型の半導体発光装置1を例えば配線基板に好適に実装できる。
上記実施形態は本開示に関する半導体発光装置が取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関する半導体発光装置は、上記実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、上記実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、又は上記実施形態に新たな構成を付加した形態である。以下の変更例において、上記実施形態と共通する部分については、上記実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
第1例では、各第1電極24及び各第2電極25の配列方向は任意に変更可能である。例えば、第1半導体発光素子41が実装される第1電極24aと第2電極25aとが縦方向Yに揃った状態で横方向Xに離間して配置されてもよい。第2半導体発光素子42が実
装される第1電極24bと第2電極25bとが横方向Xに揃った状態で縦方向Yに離間して配置されてもよい。第3半導体発光素子43が実装される第1電極24cと第2電極25cとが横方向Xに揃った状態で縦方向Yに離間して配置されてもよい。第4半導体発光素子44が実装される第1電極24dと第2電極25dとが横方向Xに揃った状態で縦方向Yに離間して配置されてもよい。第5半導体発光素子45が実装される第1電極24eと第2電極25eとが横方向Xに揃った状態で縦方向Yに離間して配置されてもよい。第6半導体発光素子46が実装される第1電極24fと第2電極25fとが横方向Xに揃った状態で縦方向Yに離間して配置されてもよい。第7半導体発光素子47が実装される第1電極24gと第2電極25gとが横方向Xに揃った状態で縦方向Yに離間して配置されてもよい。第8半導体発光素子48が実装される第1電極24hと第2電極25hとが縦方向Yに揃った状態で横方向Xに離間して配置されてもよい。
・上記実施形態において、第1開口部81~第7開口部87に充填される透光樹脂100は、第1開口部81~第7開口部87の厚さ方向Zの一部のみに形成されてもよい。
・上記実施形態において、第1隔壁76A,76Bの少なくとも一方が基板主面10sと接触していなくてもよい。換言すると、第1隔壁76A,76Bの少なくとも一方と基板主面10sとの厚さ方向Zの間には、制御回路素子60が誤作動しない程度の第1半導体発光素子41及び第6半導体発光素子46の光が制御回路素子60側に漏れるような隙間が形成されてもよい。
sとの厚さ方向Zの間には、隣り合う素子収容部90のうちの一方に収容された半導体発光素子40の光が他方の素子収容部90と連通する開口部における発光態様に影響しない程度に漏れるような隙間が形成されてもよい。
・上記実施形態において、複数の第2隔壁77のうちの少なくとも1つの第2隔壁77がケース70とは別に設けられてもよい。
・上記実施形態において、基板10に樹脂材料をモールド成形することによってケース70を形成してもよい。すなわち、基板10とケース70とを一体に形成してもよい。この場合、突出部78,79がケース70から省略される。
10…基板
10s…基板主面
10r…基板裏面
11…第1基板側面
12…第2基板側面
13…第3基板側面
14…第4基板側面
15,16…取付孔
17,18…ザグリ部
20…配線部
21…制御回路素子実装部
22…ランド部
22A,22B,22C…ランド部
23…接続配線部
24…第1電極
24a~24h…第1電極
25…第2電極
25a~25h…第2電極
26…第3電極
26a~26h…第3電極
27…第4電極
27a~27h…第4電極
31…端子
31A~31I…端子
40…半導体発光素子
41…第1半導体発光素子(半導体発光素子)
42…第2半導体発光素子(半導体発光素子)
43…第3半導体発光素子(半導体発光素子)
44…第4半導体発光素子(半導体発光素子)
45…第5半導体発光素子(半導体発光素子)
46…第6半導体発光素子(半導体発光素子)
47…第7半導体発光素子(半導体発光素子)
48…第8半導体発光素子(半導体発光素子)
49…接続部材
50…電流制限抵抗
51…第1電流制限抵抗(電流制限抵抗)
52…第2電流制限抵抗(電流制限抵抗)
53…第3電流制限抵抗(電流制限抵抗)
54…第4電流制限抵抗(電流制限抵抗)
55…第5電流制限抵抗(電流制限抵抗)
56…第6電流制限抵抗(電流制限抵抗)
57…第7電流制限抵抗(電流制限抵抗)
58…第8電流制限抵抗(電流制限抵抗)
60…制御回路素子
62…接続部材
70…ケース
71…第1側壁(側壁)
72…第2側壁(側壁)
73…第3側壁(側壁)
74…第4側壁(側壁)
75…天壁
76A,76B…第1隔壁
77…第2隔壁
78,79…突出部
80…開口部
81…第1開口部(7つの開口部)
81a…傾斜面(両側面)
81b…傾斜面(両側面)
82…第2開口部(7つの開口部)
83…第3開口部(7つの開口部)
84…第4開口部(7つの開口部)
85…第5開口部(7つの開口部)
86…第6開口部(7つの開口部)
86a…傾斜面(両側面)
86b…傾斜面(両側面)
87…第7開口部(7つの開口部)
88…第8開口部(7つの開口部とは別の開口部)
90…素子収容部
91…第1素子収容部(素子収容部)
92…第2素子収容部(素子収容部)
93…第3素子収容部(素子収容部)
94…第4素子収容部(素子収容部)
95…第5素子収容部(素子収容部)
96…第6素子収容部(素子収容部)
97…第7素子収容部(素子収容部)
98…第8素子収容部(素子収容部)
99…回路収容部
99x…傾斜面
100…透光樹脂
101…透光樹脂
θ1,θ2,θ3,θ4…傾斜角度
X…横方向(基板の短辺方向)
Y…縦方向(基板の長辺方向)
Z…厚さ方向
Claims (47)
- 厚さ方向において互いに反対側を向く基板主面及び基板裏面を有する基板と、
前記基板主面に実装された複数の半導体発光素子と、
前記基板主面に実装されており、前記複数の半導体発光素子の点灯及び消灯の切り替えを制御する制御回路素子と、
前記複数の半導体発光素子及び前記制御回路素子を覆うものであって、前記複数の半導体発光素子の光が通過する開口部を有するケースと、を備え、
前記基板には、前記複数の半導体発光素子と前記制御回路素子とを電気的に接続する導電部が形成されており、
前記ケースには、それぞれが直線状であり、かつ、前記厚さ方向からみて8の字に配置された、前記厚さ方向に貫通する7つの前記開口部が設けられており、
前記厚さ方向において、前記基板のうちの前記7つの開口部とそれぞれ重なる部分には、前記半導体発光素子が配置されており、
前記基板は、前記厚さ方向からみて長辺方向及び短辺方向を有する矩形状に形成されており、前記長辺方向に沿う第1基板側面及び第2基板側面と、前記短辺方向に沿う第3基板側面及び第4基板側面とを有し、
前記7つの開口部によって構成される前記8の字が形成される領域は、互いに交差する長手方向及び短手方向を有し、
前記8の字が形成される領域の前記長手方向は、前記第3基板側面及び前記第4基板側面の一方から前記第3基板側面及び前記第4基板側面の他方に向かう方向であり、
前記8の字が形成される領域の前記短手方向は、前記第1基板側面及び前記第2基板側面の一方から前記第1基板側面及び前記第2基板側面の他方に向かう方向であり、
前記8の字は、前記第4基板側面から前記第3基板側面に向かうにつれて前記第1基板側面から前記第2基板側面に向けて傾斜するように形成されており、
前記制御回路素子は、前記基板主面のうちの前記第1基板側面側かつ前記第3基板側面側の部分に配置されている
半導体発光装置。 - 前記ケースには、前記7つの開口部とは別の開口部が設けられており、
前記別の開口部と重なる部分には、前記半導体発光素子が配置されており、
前記別の開口部に配置された前記半導体発光素子は、前記基板主面のうちの前記第2基板側面側かつ前記第4基板側面側の部分に配置されている
請求項1に記載の半導体発光装置。 - 前記ケースは、前記制御回路素子を収容する回路収容部を有する
請求項1又は2に記載の半導体発光装置。 - 前記厚さ方向からみて、前記回路収容部は、前記開口部と重なっている部分を有する
請求項3に記載の半導体発光装置。 - 厚さ方向において互いに反対側を向く基板主面及び基板裏面を有する基板と、
前記基板主面に実装された複数の半導体発光素子と、
前記基板主面に実装されており、前記複数の半導体発光素子の点灯及び消灯の切り替えを制御する制御回路素子と、
前記複数の半導体発光素子及び前記制御回路素子を覆うものであって、前記複数の半導体発光素子の光が通過する開口部を有するケースと、を備え、
前記基板には、前記複数の半導体発光素子と前記制御回路素子とを電気的に接続する導電部が形成されており、
前記ケースは、前記制御回路素子を収容する回路収容部を有し、
前記厚さ方向からみて、前記回路収容部は、前記開口部と重なっている部分を有する
半導体発光装置。 - 前記厚さ方向からみて前記開口部のうちの前記回路収容部と重なっている部分は、前記ケースを前記厚さ方向に貫通していない
請求項4又は5に記載の半導体発光装置。 - 前記厚さ方向からみて、前記ケースは、長辺方向及び短辺方向を有する矩形状であり、かつ前記ケースの長辺方向は前記基板の長辺方向と一致し、前記ケースの短辺方向は前記基板の短辺方向と一致しており、
前記厚さ方向からみて、前記回路収容部の形状は、前記ケースの短辺方向が長辺方向となり、前記ケースの長辺方向が短辺方向となる矩形状である
請求項3~6のいずれか一項に記載の半導体発光装置。 - 前記ケースは、前記半導体発光素子を収容するとともに1つの前記開口部と連通する複数の素子収容部を有し、
前記複数の素子収容部のうちの2つの素子収容部は、前記回路収容部と隣り合うように配置されており、
前記2つの素子収容部と前記回路収容部とは、遮光性の第1隔壁によって仕切られている
請求項3~7のいずれか一項に記載の半導体発光装置。 - 前記第1隔壁は、前記厚さ方向に延びており、前記基板主面と接触している
請求項8に記載の半導体発光装置。 - 前記第1隔壁は、前記ケースと一体に形成されている
請求項8又は9に記載の半導体発光装置。 - 前記複数の素子収容部のうちの隣り合う素子収容部同士は、遮光性の第2隔壁によって仕切られている
請求項8~10のいずれか一項に記載の半導体発光装置。 - 前記第2隔壁は、前記厚さ方向に延びており、前記基板主面と接触している
請求項11に記載の半導体発光装置。 - 前記第2隔壁は、前記ケースと一体に形成されている
請求項11又は12に記載の半導体発光装置。 - 前記回路収容部のうちの前記ケースの長辺方向において前記素子収容部と隣り合う部分は、前記厚さ方向において前記基板に向かうにつれて前記ケースの長辺方向において前記回路収容部と隣り合う前記素子収容部に向けて傾斜する傾斜面を有する
請求項8~13のいずれか一項に記載の半導体発光装置。 - 厚さ方向において互いに反対側を向く基板主面及び基板裏面を有する基板と、
前記基板主面に実装された複数の半導体発光素子と、
前記基板主面に実装されており、前記複数の半導体発光素子の点灯及び消灯の切り替えを制御する制御回路素子と、
前記複数の半導体発光素子及び前記制御回路素子を覆うものであって、前記複数の半導体発光素子の光が通過する開口部を有するケースと、を備え、
前記基板には、前記複数の半導体発光素子と前記制御回路素子とを電気的に接続する導電部が形成されており、
前記ケースは、前記制御回路素子を収容する回路収容部を有し、
前記ケースは、前記半導体発光素子を収容するとともに1つの前記開口部と連通する複数の素子収容部を有し、
前記複数の素子収容部のうちの2つの素子収容部は、前記回路収容部と隣り合うように配置されており、
前記2つの素子収容部と前記回路収容部とは、遮光性の第1隔壁によって仕切られており、
前記回路収容部のうちの前記ケースの長辺方向において前記素子収容部と隣り合う部分は、前記厚さ方向において前記基板に向かうにつれて前記ケースの長辺方向において前記回路収容部と隣り合う前記素子収容部に向けて傾斜する傾斜面を有する
半導体発光装置。 - 前記厚さ方向からみて、前記傾斜面は、前記開口部と重なっている部分を有する
請求項14又は15に記載の半導体発光装置。 - 前記傾斜面は、前記第1隔壁と一体に形成されている
請求項14~16のいずれか一項に記載の半導体発光装置。 - 前記ケースは、4つの側壁と天壁とからなる箱状に形成されており、
前記基板は、前記厚さ方向からみて長辺方向及び短辺方向を有する矩形状に形成されており、前記基板の長辺方向に沿う第1基板側面及び第2基板側面と、前記基板の短辺方向に沿う第3基板側面及び第4基板側面とを有し、
前記制御回路素子は、前記第1基板側面及び前記第2基板側面のうちの一方側かつ前記第3基板側面及び前記第4基板側面のうちの一方側に配置されており、
前記回路収容部は、前記4つの側壁のうちの2つの側壁と2つの前記第1隔壁とによって構成されている
請求項8~17のいずれか一項に記載の半導体発光装置。 - 厚さ方向において互いに反対側を向く基板主面及び基板裏面を有する基板と、
前記基板主面に実装された複数の半導体発光素子と、
前記基板主面に実装されており、前記複数の半導体発光素子の点灯及び消灯の切り替えを制御する制御回路素子と、
前記複数の半導体発光素子及び前記制御回路素子を覆うものであって、前記複数の半導体発光素子の光が通過する開口部を有するケースと、を備え、
前記基板には、前記複数の半導体発光素子と前記制御回路素子とを電気的に接続する導電部が形成されており、
前記ケースは、前記制御回路素子を収容する回路収容部を有し、
前記ケースは、前記半導体発光素子を収容するとともに1つの前記開口部と連通する複数の素子収容部を有し、
前記複数の素子収容部のうちの2つの素子収容部は、前記回路収容部と隣り合うように配置されており、
前記2つの素子収容部と前記回路収容部とは、遮光性の第1隔壁によって仕切られており、
前記ケースは、4つの側壁と天壁とからなる箱状に形成されており、
前記基板は、前記厚さ方向からみて長辺方向及び短辺方向を有する矩形状に形成されており、前記基板の長辺方向に沿う第1基板側面及び第2基板側面と、前記基板の短辺方向に沿う第3基板側面及び第4基板側面とを有し、
前記制御回路素子は、前記第1基板側面及び前記第2基板側面のうちの一方側かつ前記第3基板側面及び前記第4基板側面のうちの一方側に配置されており、
前記回路収容部は、前記4つの側壁のうちの2つの側壁と2つの前記第1隔壁とによって構成されている
半導体発光装置。 - 前記制御回路素子は、長辺方向及び短辺方向を有する矩形状となるチップであり、前記制御回路素子の長辺方向が前記回路収容部の長辺方向と一致し、前記制御回路素子の短辺方向が前記回路収容部の短辺方向と一致するように配置されている
請求項18又は19に記載の半導体発光装置。 - 前記基板主面には、前記制御回路素子が実装される制御回路素子実装部と、前記制御回路素子実装部の周囲に配置された複数のランド部とが設けられており、
前記複数のランド部は、前記基板の短辺方向において前記制御回路素子実装部の両側に設けられており、前記基板の長辺方向において前記制御回路素子実装部の片側に設けられている
請求項18~20のいずれか一項に記載の半導体発光装置。 - 前記制御回路素子は、前記回路収容部の中央部に対して前記第1基板側面及び前記第2基板側面のうちの一方側かつ前記第3基板側面及び前記第4基板側面のうちの一方側に偏寄して配置されている
請求項18~21のいずれか一項に記載の半導体発光装置。 - 前記基板主面には、前記制御回路素子が実装される制御回路素子実装部と、前記制御回路素子実装部の周囲に配置された複数のランド部とが設けられており、
前記複数のランド部は、前記基板の短辺方向において、前記制御回路素子実装部に対して前記第1基板側面側及び前記第2基板側面側にそれぞれ設けられており、前記基板の長辺方向において、前記制御回路素子実装部に対して前記第3基板側面及び前記第4基板側面のうちの他方側に設けられている
請求項22に記載の半導体発光装置。 - 前記制御回路素子実装部及び前記複数のランド部はそれぞれ、前記厚さ方向からみて、前記回路収容部の内部に配置されている
請求項23に記載の半導体発光装置。 - 前記厚さ方向からみて、前記制御回路素子は、前記開口部と重なっている部分を有する
請求項1~24のいずれか一項に記載の半導体発光装置。 - 厚さ方向において互いに反対側を向く基板主面及び基板裏面を有する基板と、
前記基板主面に実装された複数の半導体発光素子と、
前記基板主面に実装されており、前記複数の半導体発光素子の点灯及び消灯の切り替えを制御する制御回路素子と、
前記複数の半導体発光素子及び前記制御回路素子を覆うものであって、前記複数の半導体発光素子の光が通過する開口部を有するケースと、を備え、
前記基板には、前記複数の半導体発光素子と前記制御回路素子とを電気的に接続する導電部が形成されており、
前記厚さ方向からみて、前記制御回路素子は、前記開口部と重なっている部分を有する
半導体発光装置。 - 厚さ方向において互いに反対側を向く基板主面及び基板裏面を有する基板と、
前記基板主面に実装された複数の半導体発光素子と、
前記基板主面に実装されており、前記複数の半導体発光素子の点灯及び消灯の切り替えを制御する制御回路素子と、
前記複数の半導体発光素子及び前記制御回路素子を覆うものであって、前記複数の半導体発光素子の光が通過する開口部を有するケースと、を備え、
前記基板には、前記複数の半導体発光素子と前記制御回路素子とを電気的に接続する導電部が形成されており、
前記ケースは、
前記制御回路素子を収容する回路収容部と、
前記半導体発光素子を収容するとともに1つの前記開口部と連通する複数の素子収容部と、を有し、
前記複数の素子収容部のうちの2つの素子収容部は、前記回路収容部と隣り合うように配置されており、
前記2つの素子収容部と前記回路収容部とは、遮光性の第1隔壁によって仕切られており、
前記開口部の長辺方向の両側面は、前記厚さ方向において前記基板に向かうにつれて互いに近づくテーパ状に形成されており、
前記回路収容部と隣り合う前記素子収容部と連通する前記開口部は、前記両側面のうちの前記回路収容部側の第1側面の前記厚さ方向に対する傾斜角度が前記両側面のうちの前記回路収容部とは反対側の第2側面の前記厚さ方向に対する傾斜角度よりも大きい
半導体発光装置。 - 前記ケースは、
前記制御回路素子を収容する回路収容部と、
前記半導体発光素子を収容するとともに1つの前記開口部と連通する複数の素子収容部と、を有し、
前記複数の素子収容部は、前記回路収容部と隣り合う素子収容部を含み、
前記回路収容部と隣り合う素子収容部に収容された前記半導体発光素子は、前記厚さ方向からみて、前記開口部の長辺方向の中央部よりも前記回路収容部とは反対側に配置されている
請求項1~27のいずれか一項に記載の半導体発光装置。 - 前記基板主面における前記半導体発光素子が実装される領域には、互いに離間する第1電極及び第2電極が設けられており、
前記ケースは、
前記制御回路素子を収容する回路収容部と、
前記半導体発光素子を収容するとともに1つの前記開口部と連通する複数の素子収容部と、を有し、
前記複数の素子収容部は、前記回路収容部と隣り合う素子収容部を含み、
前記回路収容部に隣り合う素子収容部に収容された前記半導体発光素子が実装される領域における前記第1電極及び前記第2電極は、前記回路収容部に隣り合う前記素子収容部に連通する前記開口部の長辺方向と交差する方向に配列されている
請求項1~28のいずれか一項に記載の半導体発光装置。 - 厚さ方向において互いに反対側を向く基板主面及び基板裏面を有する基板と、
前記基板主面に実装された複数の半導体発光素子と、
前記基板主面に実装されており、前記複数の半導体発光素子の点灯及び消灯の切り替えを制御する制御回路素子と、
前記複数の半導体発光素子及び前記制御回路素子を覆うものであって、前記複数の半導体発光素子の光が通過する開口部を有するケースと、を備え、
前記基板には、前記複数の半導体発光素子と前記制御回路素子とを電気的に接続する導電部が形成されており、
前記基板主面における前記半導体発光素子が実装される領域には、互いに離間する第1電極及び第2電極が設けられており、
前記ケースは、
前記制御回路素子を収容する回路収容部と、
前記半導体発光素子を収容するとともに1つの前記開口部と連通する複数の素子収容部と、を有し、
前記複数の素子収容部は、前記回路収容部と隣り合う素子収容部を含み、
前記回路収容部に隣り合う素子収容部に収容された前記半導体発光素子が実装される領域における前記第1電極及び前記第2電極は、前記回路収容部に隣り合う前記素子収容部に連通する前記開口部の長辺方向と交差する方向に配列されている
半導体発光装置。 - 7つの前記素子収容部のうちの前記回路収容部と隣り合う1つの前記素子収容部以外の6つの前記素子収容部に収容される前記半導体発光素子が実装される前記第1電極及び前記第2電極の配列方向は互いに同じである
請求項29又は30に記載の半導体発光装置。 - 前記半導体発光素子に電気的に接続された電流制限抵抗をさらに備える
請求項1~31のいずれか一項に記載の半導体発光装置。 - 前記ケースは、前記半導体発光素子を収容するとともに1つの前記開口部と連通する複数の素子収容部を有し、
前記電流制限抵抗は、前記素子収容部に収容されている
請求項32に記載の半導体発光装置。 - 前記ケースは、前記制御回路素子を収容する回路収容部を有し、
前記複数の素子収容部は、前記回路収容部と隣り合う素子収容部を含み、
前記基板主面における前記電流制限抵抗が実装される領域には、互いに離間する第3電極及び第4電極が設けられており、
前記回路収容部に隣り合う素子収容部に収容された前記電流制限抵抗が実装される領域における前記第3電極及び前記第4電極は、前記回路収容部に隣り合う前記素子収容部に連通する前記開口部の長辺方向と交差する方向に配列されている
請求項33に記載の半導体発光装置。 - 前記ケースは、前記半導体発光素子を収容するとともに1つの前記開口部と連通する複数の素子収容部を有し、
前記開口部に充填された透光樹脂をさらに備え、
前記複数の素子収容部はそれぞれ、中空空間を有する
請求項1~34のいずれか一項に記載の半導体発光装置。 - 前記透光樹脂は、光拡散材を含む
請求項35に記載の半導体発光装置。 - 前記基板裏面には、複数の端子が設けられている
請求項1~36のいずれか一項に記載の半導体発光装置。 - 厚さ方向において互いに反対側を向く基板主面及び基板裏面を有する基板と、
前記基板主面に実装された複数の半導体発光素子と、
前記基板主面に実装されており、前記複数の半導体発光素子の点灯及び消灯の切り替えを制御する制御回路素子と、
前記複数の半導体発光素子及び前記制御回路素子を覆うものであって、前記複数の半導体発光素子の光が通過する開口部を有するケースと、を備え、
前記基板には、前記複数の半導体発光素子と前記制御回路素子とを電気的に接続する導電部が形成されており、
前記基板裏面には、複数の端子が設けられている
半導体発光装置。 - 前記厚さ方向からみて、前記基板は、長辺方向及び短辺方向を有する矩形状に形成されており、
前記複数の端子は、前記基板裏面のうちの前記基板の長辺方向の両端部に設けられている
請求項37又は38に記載の半導体発光装置。 - 前記ケースは、前記基板に取り付けられている
請求項1~39のいずれか一項に記載の半導体発光装置。 - 前記基板は、前記厚さ方向において前記基板を貫通する取付孔を有し、
前記ケースは、前記取付孔に挿入されるとともに前記基板裏面側から前記取付孔の周縁と接触している突出部を有する
請求項40に記載の半導体発光装置。 - 前記突出部の先端部は、前記厚さ方向において前記基板裏面よりも前記基板主面側に位置している
請求項41に記載の半導体発光装置。 - 前記半導体発光素子は、発光ダイオードである
請求項1~42のいずれか一項に記載の半導体発光装置。 - 前記ケースには、それぞれが直線状であり、かつ、前記厚さ方向からみて8の字に配置された、前記厚さ方向に貫通する7つの前記開口部が設けられており、
前記厚さ方向において、前記基板のうちの前記7つの開口部とそれぞれ重なる部分には、前記半導体発光素子が配置されている
請求項5、15、19、26、27、30、および38のいずれか一項に記載の半導体発光装置。 - 前記基板は、前記厚さ方向からみて長辺方向及び短辺方向を有する矩形状に形成されており、前記長辺方向に沿う第1基板側面及び第2基板側面と、前記短辺方向に沿う第3基板側面及び第4基板側面とを有し、
前記7つの開口部によって構成される前記8の字が形成される領域は、互いに交差する長手方向及び短手方向を有し、
前記8の字が形成される領域の前記長手方向は、前記第3基板側面及び前記第4基板側面の一方から前記第3基板側面及び前記第4基板側面の他方に向かう方向であり、
前記8の字が形成される領域の前記短手方向は、前記第1基板側面及び前記第2基板側面の一方から前記第1基板側面及び前記第2基板側面の他方に向かう方向である
請求項44に記載の半導体発光装置。 - 前記8の字は、前記第4基板側面から前記第3基板側面に向かうにつれて前記第1基板側面から前記第2基板側面に向けて傾斜するように形成されている
請求項45に記載の半導体発光装置。 - 前記制御回路素子は、前記基板主面のうちの前記第1基板側面側かつ前記第3基板側面側の部分に配置されている
請求項46に記載の半導体発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019157236A JP7286481B2 (ja) | 2019-08-29 | 2019-08-29 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2019157236A JP7286481B2 (ja) | 2019-08-29 | 2019-08-29 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021033231A JP2021033231A (ja) | 2021-03-01 |
JP7286481B2 true JP7286481B2 (ja) | 2023-06-05 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019157236A Active JP7286481B2 (ja) | 2019-08-29 | 2019-08-29 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP7286481B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7339180B2 (ja) | 2020-02-13 | 2023-09-05 | 株式会社フジタ | 窓用緩衝装置 |
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JP2019134061A (ja) | 2018-01-31 | 2019-08-08 | ローム株式会社 | Led数字表示器 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH07230252A (ja) * | 1993-07-30 | 1995-08-29 | Koito Mfg Co Ltd | 表示装置 |
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