JP2021033231A - 半導体発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】寄生容量を低減しつつ半導体発光素子と制御回路素子とを電気的に接続すること。【解決手段】半導体発光装置１は、基板１０と、基板１０の基板主面１０ｓに実装された複数の半導体発光素子４０と、基板主面１０ｓに実装されており、複数の半導体発光素子４０の点灯及び消灯の切り替えを制御する制御回路素子６０と、複数の半導体発光素子４０及び制御回路素子６０を覆うものであって、複数の半導体発光素子４０の光が通過する開口部８０を有するケース７０とを備える。基板１０には、複数の半導体発光素子４０と制御回路素子６０とを電気的に接続する接続配線部が形成されている。【選択図】図２

Description

本開示は、半導体発光装置に関する。

上記半導体発光装置の一例として、７セグメントによって数字等を表示可能な発光表示装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。この発光表示装置は、リードフレーム上において、７セグメントの各セグメントに半導体発光素子（ＬＥＤチップ）が実装され、各セグメントを構成する反射ケースをリードフレーム及び半導体発光素子に被せた構成である。

特開２００５−３７３５号公報

ところで、半導体発光装置を、半導体発光素子の動作を制御する制御回路素子とともに用いる場合、半導体発光装置とは別に制御回路素子を配置し、配線等を用いて半導体発光素子と制御回路素子とを電気的に接続する。このような構成では、配線等に起因する寄生容量が懸念される。

本開示の目的は、寄生容量を低減しつつ半導体発光素子と制御回路素子とを電気的に接続できる半導体発光装置を提供することにある。

上記課題を解決する半導体発光装置は、厚さ方向において互いに反対側を向く基板主面及び基板裏面を有する基板と、前記基板主面に実装された複数の半導体発光素子と、前記基板主面に実装されており、前記複数の半導体発光素子の点灯及び消灯の切り替えを制御する制御回路素子と、前記複数の半導体発光素子及び前記制御回路素子を覆うものであって、前記複数の半導体発光素子の光が通過する開口部を有するケースと、を備え、前記基板には、前記複数の半導体発光素子と前記制御回路素子とを電気的に接続する導電部が形成されている。

この構成によれば、半導体発光素子と制御回路素子との導電経路を短くすることができるため、半導体発光素子と制御回路素子との導電経路に基づく寄生容量を低減できる。したがって、寄生容量を低減しつつ、半導体発光素子と制御回路素子とを電気的に接続できる。

上記半導体発光装置によれば、寄生容量を低減しつつ半導体発光素子と制御回路素子とを電気的に接続できる。

本実施形態の半導体発光装置の斜視図。 図１の半導体発光装置の基板とケースとの分解斜視図。 図１の半導体発光装置の平面図。 半導体発光素子、電流制限抵抗、及び制御回路素子が実装されていない状態の基板の平面図。 半導体発光素子、電流制限抵抗、及び制御回路素子が実装された状態の基板の平面図。 図５における１つの半導体発光素子及びその周辺の拡大図。 図６の７−７線の断面図。 基板の裏面図。 半導体発光装置を適用した回路の一例を示す回路図。 ケースの裏面図。 素子収容部と半導体発光素子及び電流制限抵抗との位置関係、及び回路収容部と制御回路素子との位置関係を説明するための基板の平面図。 開口部と半導体発光素子、電流制限抵抗、及び制御回路素子との位置関係を説明するための基板の平面図。 図３の１３−１３線の断面図。 図３の１４−１４線の断面図。 図３の１５−１５線の断面図。 図３の１６−１６線の断面図。 図３の１７−１７線の断面図。 図３の１８Ａ−１８Ａ線の断面図。 図３の１８Ｂ−１８Ｂ線の断面図。 変更例の半導体発光装置について、基板の平面図。

以下、半導体発光装置の実施形態について図面を参照して説明する。以下に示す実施形態は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであり、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。以下の実施形態は、種々の変更を加えることができる。

（実施形態）
図１に示すように、半導体発光装置１は、平板状の基板１０と、基板１０に取り付けられたケース７０とを備える。また図２に示すように、半導体発光装置１は、基板１０に実装された複数の半導体発光素子４０、複数の電流制限抵抗５０、及び制御回路素子６０を備える。図１及び図２から分かるとおり、ケース７０は、複数の半導体発光素子４０、複数の電流制限抵抗５０、及び制御回路素子６０を覆っている。図３に示すように、ケース７０には、８の字に配置された７つの開口部８０が設けられている。７つの開口部８０はそれぞれ、平面視において直線状に形成されている。このように、本実施形態の半導体発光装置１は、１桁の数字を表示可能な７セグメントタイプの表示装置として構成されている。なお、半導体発光装置１は、一部のアルファベットを表示することもできる。

なお、以降の説明において、基板１０の厚さ方向を「厚さ方向Ｚ」とし、厚さ方向Ｚと直交する方向のうちの互いに直交する２方向をそれぞれ、「横方向Ｘ」及び「縦方向Ｙ」とする。また、厚さ方向Ｚから半導体発光装置１又は半導体発光装置１の構成部品を見る場合を「平面視」とする。

基板１０は、例えば樹脂層とパターン形成された金属層とが積層された構造を有する。図４に示すように、平面視における基板１０の形状は、長辺方向及び短辺方向を有する矩形状である。本実施形態では、基板１０の長辺方向が縦方向Ｙと一致し、基板１０の短辺方向が横方向Ｘに一致している。すなわち、基板１０の長辺方向を縦方向Ｙと定義し、基板１０の短辺方向を横方向Ｘと定義している。基板１０の縦方向Ｙの寸法ＤＢＹは、例えば１５ｍｍ以下であり、基板１０の横方向Ｘの寸法ＤＢＸは、例えば８ｍｍ以下である。本実施形態では、寸法ＤＢＹは、１２ｍｍであり、寸法ＤＢＸは、６．６ｍｍである。基
板１０の厚さ方向Ｚの寸法ＤＢＺは、例えば１ｍｍ以下である。本実施形態では、寸法ＤＢＺは、０．６ｍｍである。

図２に示すように、基板１０は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く基板主面１０ｓ及び基板裏面１０ｒを有する。また、基板１０は、厚さ方向Ｚにおいて基板主面１０ｓと基板裏面１０ｒとの間に形成されており、基板主面１０ｓ及び基板裏面１０ｒと交差する方向（本実施形態では直交する方向）を向く第１基板側面１１、第２基板側面１２、第３基板側面１３、及び第４基板側面１４を有する。第１基板側面１１及び第２基板側面１２は、縦方向Ｙ及び厚さ方向Ｚに沿って延びる側面であり、互いに反対側を向いている。第３基板側面１３及び第４基板側面１４は、横方向Ｘ及び厚さ方向Ｚに沿って延びる側面であり、互いに反対側を向いている。

また、基板１０には、ケース７０が取り付けられるための２つの取付孔１５，１６が設けられている。取付孔１５，１６は、厚さ方向Ｚにおいて基板１０を貫通する貫通孔である。取付孔１５，１６は、縦方向Ｙからみて一部が重なり合うようにずれた状態で縦方向Ｙに離間して配置されている。取付孔１５は基板１０の縦方向Ｙの中央部よりも第３基板側面１３側に配置されており、取付孔１６は基板１０の縦方向Ｙの中央部よりも第４基板側面１４側に配置されている。取付孔１５は、基板１０の横方向Ｘの中央部よりも第２基板側面１２側に配置されており、取付孔１６は基板１０の横方向Ｘの中央部よりも第１基板側面１１側に配置されている。

図４に示すように、基板主面１０ｓには、金属層として、複数の半導体発光素子４０、複数の電流制限抵抗５０、及び制御回路素子６０（ともに図２参照）を電気的に接続する配線部２０が設けられている。配線部２０は、制御回路素子６０が実装される制御回路素子実装部２１と、制御回路素子実装部２１の周囲に配置された複数のランド部２２と、複数のランド部２２のそれぞれに接続された接続配線部２３とを有する。また配線部２０は、各半導体発光素子４０を実装する第１電極２４及び第２電極２５と、各電流制限抵抗５０を実装する第３電極２６及び第４電極２７と、基板裏面１０ｒに形成された端子３１と電気的に接続するための接続電極２８とを有する。

制御回路素子実装部２１は、基板主面１０ｓのうちの第１基板側面１１側かつ第３基板側面１３側の部分に配置されている。平面視において制御回路素子実装部２１の形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。

複数のランド部２２は、制御回路素子実装部２１に対して第１基板側面１１側の部分、第４基板側面１４側の部分、及び第２基板側面１２側の部分にそれぞれ配置されている。換言すると、複数のランド部２２は、制御回路素子実装部２１に対して第３基板側面１３側の部分には配置されていない。

図４に示すとおり、複数のランド部２２のうちの２つのランド部２２Ａは、制御回路素子実装部２１に対して第１基板側面１１側の部分に配置されている。２つのランド部２２Ａは、横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙにおいて離間して配置されている。平面視におけるランド部２２Ａの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。

複数のランド部２２のうちの７つのランド部２２Ｂは、制御回路素子実装部２１に対して第４基板側面１４側の部分に配置されている。７つのランド部２２Ｂは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘにおいて離間して配置されている。平面視におけるランド部２２Ｂの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。

複数のランド部２２のうちの６つのランド部２２Ｃは、制御回路素子実装部２１に対して第２基板側面１２側の部分に配置されている。６つのランド部２２Ｃは、横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙにおいて離間して配置されている。平面視におけるランド部２２Ｃの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。

２つのランド部２２Ａのうちの１つは、接続配線部２３を介して制御回路素子実装部２１に接続されており、残りの１つは、接続配線部２３を介して接続電極２８に接続されている。６つのランド部２２Ｂのうちの４つは、接続配線部２３を介して接続電極２８に接続されており、残りの２つは、接続配線部２３を介して第１電極２４に接続されている。７つのランド部２２Ｃのうちの１つは、接続配線部２３を介して接続電極２８に接続されており、残りの６つは、接続配線部２３を介して第１電極２４に接続されている。

６つの接続電極２８のうちの５つの接続電極２８は、基板主面１０ｓのうちの第３基板側面１３側の端部に配置されている。５つの接続電極２８は、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに離間して配列されている。残りの１つの接続電極２８は、縦方向Ｙにおいて制御回路素子実装部２１よりも第４基板側面１４側に配置されており、かつ縦方向Ｙからみて制御回路素子実装部２１と重なるように配置されている。

図４に示すとおり、全ての第１電極２４はそれぞれ、接続配線部２３を介してランド部２２に接続されている。第２電極２５は、第１電極２４と隣り合うように配置されている。第２電極２５は、接続配線部２３を介して第３電極２６に接続されている。第４電極２７は、第３電極２６と隣り合うように配置されている。全ての第４電極２７は、接続配線部２３を介して互いに接続されている。

図５に示すように、基板主面１０ｓには、複数の半導体発光素子４０、複数の電流制限抵抗５０、及び制御回路素子６０がそれぞれ実装されている。
制御回路素子６０は、複数の半導体発光素子４０のそれぞれの点灯及び消灯の切り換えを制御する素子である。制御回路素子６０は、制御回路素子６０を構成する複数の電子部品を封止樹脂６１によって封止したチップとして構成されている。平面視における制御回路素子６０の形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。制御回路素子６０は、例えば半田やＡｇ（銀）ペースト等の導電性接合剤によって制御回路素子実装部２１に接合されている。なお、制御回路素子６０は、導電性接合剤に代えて絶縁性接合剤によって制御回路素子実装部２１に接合されてもよい。制御回路素子６０は、接続部材６２によって各ランド部２２に接続されている。接続部材６２は、例えばＣｕ（銅）、Ａｕ（金）、Ａｌ（アルミニウム）、又はそれらの合金を用いたワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。これにより、制御回路素子６０と各ランド部２２とが電気的に接続されている。

図５及び図６に示すように、本実施形態では、複数の半導体発光素子４０はそれぞれ、ベアチップとして構成されている。本実施形態では、複数の半導体発光素子４０はそれぞれ、発光ダイオード（ＬＥＤ）である。

図７に示すように、半導体発光素子４０は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く素子主面４０ｓ及び素子裏面４０ｒを有する。素子主面４０ｓにはアノード電極が形成されており、素子裏面４０ｒにはカソード電極が形成されている。半導体発光素子４０の素子裏面４０ｒは、半田やＡｇペースト等の導電性接合剤によって第１電極２４に接合されている。換言すると、半導体発光素子４０のカソード電極は、第１電極２４に電気的に接続されている。図６及び図７に示すように、半導体発光素子４０の素子主面４０ｓと第２電極２５とは、接続部材４９によって接続されている。接続部材４９は、例えばＣｕ、Ａｕ、Ａｌ、又はそれらの合金を用いたワイヤボンディングによって形成されたワイヤである
。これにより、半導体発光素子４０のアノード電極と第２電極２５とが電気的に接続されている。このように、半導体発光素子４０及び接続部材４９を介して、第１電極２４と第２電極２５とが電気的に接続されている。半導体発光素子４０は、例えば赤色、青色、緑色、及び白色のいずれかの発光色で発光する。一例では、半導体発光素子４０は、赤色又は緑色の発光色で発光する。

図５に示すように、電流制限抵抗５０は、半田やＡｇペースト等の導電性接合剤によって第３電極２６及び第４電極２７に接合されている。このように、電流制限抵抗５０を介して第３電極２６と第４電極２７とが電気的に接続されている。

図８に示すように、基板裏面１０ｒには、金属層として、複数の端子３１と、複数の配線部３２とを有する。複数の端子３１は、基板裏面１０ｒのうちの第３基板側面１３側の端部に設けられた５つの端子３１Ａ〜３１Ｅと、基板裏面１０ｒのうちの第４基板側面１４側の端部に設けられた４つの端子３１Ｆ〜３１Ｉとを含む。このように、本実施形態の半導体発光装置１は、表面実装タイプの発光装置である。

５つの端子３１Ａ〜３１Ｅは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに離間して配列されている。５つの端子３１Ａ〜３１Ｅは、第１基板側面１１から第２基板側面１２に向けて端子３１Ａ、端子３１Ｂ、端子３１Ｃ、端子３１Ｄ、及び端子３１Ｅの順に配列されている。端子３１Ａは第１電源端子ＶＤＤであり、端子３１Ｂは多目的用端子ＰＡ１であり、端子３１ＣはＩ２Ｃ（Inter-Integrated Circuit）通信の端子ＳＤＡ（シリアルデータ用端子）であり、端子３１Ｄはリセット端子ＲＥＳＥＴであり、端子３１ＥはＩ２Ｃ通信の端子ＳＣＬ（シリアルクロック用端子）である。

４つの端子３１Ｆ〜３１Ｉは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに離間して配列されている。４つの端子３１Ｆ〜３１Ｉは、第２基板側面１２から第１基板側面１１に向けて端子３１Ｆ、端子３１Ｇ、端子３１Ｈ、及び端子３１Ｉの順に配列されている。端子３１Ｆ及び端子３１Ｇはともに第２電源端子ＶＳＳであり、端子３１Ｈは多目的用端子ＰＡ０であり、端子３１Ｉは第１電源端子ＶＤＤである。第２電源端子ＶＳＳは、第１電源端子ＶＤＤよりも低い電圧が印加される。第２電源端子ＶＳＳは、グランド端子である。

複数の配線部３２は、縦方向Ｙにおいて５つの端子３１Ａ〜３１Ｅと４つの端子３１Ｆ〜３１Ｉとの間に配置されている。複数の配線部３２は、第１配線部３３、第２配線部３４、及び第３配線部３５を含む。

第１配線部３３は、横方向Ｘにおいて基板裏面１０ｒのうちの第１基板側面１１側の端部に配置されている。第１配線部３３は、縦方向Ｙに延びる第１部分３３ａと、第１部分３３ａから分岐する第２部分３３ｂとを有する。平面視における第２部分３３ｂの形状は、略Ｌ字状である。第２部分３３ｂは、第１部分３３ａのうちの第３基板側面１３側の部分から第２基板側面１２側に延びている。第１配線部３３は、接続配線部３６を介して端子３１Ａ及び端子３１Ｉに接続されている。

第３配線部３５は、横方向Ｘにおいて基板裏面１０ｒのうちの第１基板側面１１側に配置されている。第３配線部３５は、横方向Ｘにおいて基板裏面１０ｒのうちの中央部から第１基板側面１１側の端部までにわたり形成されている。第３配線部３５は、接続配線部３７を介して端子３１Ｆ及び端子３１Ｇに接続されている。

第２配線部３４は、横方向Ｘにおいて第１配線部３３と第３配線部３５との間に配置されている。第２配線部３４のうちの第３基板側面１３側の部分は、横方向Ｘにおいて第１配線部３３の第１部分３３ａと第２部分３３ｂとに挟まれている。第２配線部３４は、接
続配線部３８を介して端子３１Ｈに接続されている。

半導体発光装置１は、図示しない配線基板に実装された場合、図９に示すように、複数の端子３１（図８参照）を介してＭＣＵ（Micro Control Unit）２００と、電源２１０と、グランド２２０とに電気的に接続される。電源２１０及びグランド２２０が接続されることによって、半導体発光装置１に電力が供給される。本実施形態では、ＭＣＵ２００は、Ｉ２Ｃ通信の２つの制御配線（ＳＣＬ配線及びＳＤＡ配線）によって制御回路素子６０と接続される。

図１〜図３に示すように、ケース７０は、縦方向Ｙが長手方向となり、横方向Ｘが短手方向となる厚さ方向Ｚの一方が開口した箱状に形成されている。ケース７０は、遮光性の樹脂材料からなる。本実施形態では、ケース７０は、黒色のエポキシ樹脂からなる。図１に示すように、ケース７０の縦方向Ｙの寸法ＤＣＹは、例えば１２ｍｍ以下であり、ケース７０の横方向Ｘの寸法ＤＣＸは、例えば８ｍｍ以下である。寸法ＤＣＹは、基板１０の縦方向Ｙの寸法ＤＢＹよりも小さい。寸法ＤＣＸは、基板１０の横方向Ｘの寸法ＤＢＸよりも僅かに大きい。本実施形態では、寸法ＤＣＹは、１１ｍｍであり、寸法ＤＣＸは、６．８ｍｍである。図２に示すように、ケース７０の厚さ方向Ｚの寸法ＤＣＺは、例えば５ｍｍ以下である。本実施形態では、寸法ＤＣＺは、４．４ｍｍである。

図３に示すように、ケース７０は、第１側壁７１、第２側壁７２、第３側壁７３、第４側壁７４、及び天壁７５を有する。第１側壁７１、第２側壁７２、第３側壁７３、及び第４側壁７４は、天壁７５に接続されている。平面視における天壁７５の形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。第１側壁７１及び第２側壁７２は、縦方向Ｙに延びている。第３側壁７３及び第４側壁７４は、横方向Ｘに延びている。ケース７０が基板１０に取り付けられた状態において、縦方向Ｙからみて、第１側壁７１は基板１０の第１基板側面１１と重なっており、第２側壁７２は基板１０の第２基板側面１２と重なっており、第３側壁７３は基板１０の第３基板側面１３と縦方向Ｙに隣り合うように配置されており、第４側壁７４は基板１０の第４基板側面１４と縦方向Ｙに隣り合うように配置されている。

ケース７０の開口部８０は、天壁７５に設けられている。開口部８０は、８の字（デジット）を形成する７つの開口部としての第１開口部８１〜第７開口部８７を有する。詳細は後述するが、第１開口部８１〜第７開口部８７のそれぞれには、厚さ方向Ｚにおいて第１開口部８１〜第７開口部８７と重なるように半導体発光素子４０が配置されている。これにより、第１開口部８１〜第７開口部８７及び第１開口部８１〜第７開口部に対応する半導体発光素子４０によって、半導体発光装置１の７つのセグメントからなるデジットを構成している。また開口部８０は、８の字以外の丸点を形成する１つの開口部としての第８開口部８８を有する。詳細は後述するが、第８開口部８８には、厚さ方向Ｚにおいて第８開口部８８と重なるように半導体発光素子４０が配置されている。これにより、第８開口部８８及び第８開口部８８に対応する半導体発光素子４０によって、デシマルポイントを構成している。平面視において、第１開口部８１〜第７開口部８７によって８の字が形成される領域は、ケース７０の天壁７５の大部分を占める。８の字が形成される領域は、長手方向及び短手方向を有する。８の字が形成される領域の長手方向は、第３基板側面１３及び第４基板側面１４の一方から第３基板側面１３及び第４基板側面１４の他方に向かう方向である。本実施形態では、８の字が形成される領域の長手方向は、第３基板側面１３及び第４基板側面１４の一方から第３基板側面１３及び第４基板側面１４の他方に向かうにつれて、第１基板側面１１及び第２基板側面１２の一方から第１基板側面１１及び第２基板側面１２の他方に向けて傾斜する方向である。また８の字が形成される領域の短手方向は、第１基板側面１１及び第２基板側面１２の一方から第１基板側面１１及び第２基板側面１２の他方に向かう方向である。本実施形態では、８の字が形成される領域の短手
方向は、横方向Ｘである。つまり、８の字が形成される領域の短手方向は、基板１０の短辺方向に一致している。一例では、上記領域の縦方向Ｙの寸法ＤＡＹは、８ｍｍであり、上記領域の横方向Ｘの寸法ＤＡＸは、４ｍｍである。なお、第１開口部８１〜第７開口部８７によって８の字が形成される領域は、第１開口部８１〜第７開口部８７によって形成された８の字の外縁によって形成された領域である。

第１開口部８１〜第７開口部８７によって形成された８の字は、第３基板側面１３及び第４基板側面１４の一方から第３基板側面１３及び第４基板側面１４の他方に向かうにつれて、第１基板側面１１及び第２基板側面１２の一方から第１基板側面１１及び第２基板側面１２の他方に向けて傾斜するように形成されている。換言すると、第１開口部８１〜第７開口部８７によって形成された８の字は、第３側壁７３及び第４側壁７４の一方から第３側壁７３及び第４側壁７４の他方に向かうにつれて、第１側壁７１及び第２側壁７２の一方から第１側壁７１及び第２側壁７２の他方に向けて傾斜するように形成されている。図３に示すとおり、本実施形態では、第１開口部８１〜第７開口部８７によって形成された８の字は、第３基板側面１３から第４基板側面１４に向かうにつれて、第２基板側面１２から第１基板側面１１に向けて傾斜するように形成されている。換言すると、第１開口部８１〜第７開口部８７によって形成された８の字は、第３側壁７３から第４側壁７４に向かうにつれて、第２側壁７２から第１側壁７１に向けて傾斜するように形成されている。

第１開口部８１は、横方向Ｘに沿って延びている。第１開口部８１は、横方向Ｘが長辺方向となる。平面視における第１開口部８１の形状は、略台形状である。第１開口部８１は、天壁７５のうちの第３側壁７３側かつ天壁７５の横方向Ｘの中央部に対して第２側壁７２寄りとなるように配置されている。第１開口部８１を構成する内壁面は、厚さ方向Ｚにおいて基板１０に向かうにつれて第１開口部８１の開口面積が小さくなるテーパ状の傾斜面８１ｘを有する。図１３に示すように、傾斜面８１ｘのうちの第１開口部８１の長辺方向の傾斜面８１ａ，８１ｂのうちの第１側壁７１側の傾斜面を傾斜面８１ａとし、第２側壁７２側の傾斜面を傾斜面８１ｂとする。この場合、厚さ方向Ｚに対する傾斜面８１ａの傾斜角度θ１は、厚さ方向Ｚに対する傾斜面８１ｂの傾斜角度θ２よりも大きい。図３から分かるとおり、傾斜面８１ａの横方向Ｘの長さは、傾斜面８１ｂの横方向Ｘの長さよりも長い。

図３に示すように、第２開口部８２は、縦方向Ｙにおいて第３側壁７３から第４側壁７４に向かうにつれて第２側壁７２から第１側壁７１に向けて傾斜するように延びている。第２開口部８２は、天壁７５の縦方向Ｙの中央部よりも第３側壁７３側となり、かつ天壁７５の横方向Ｘの中央部よりも第２側壁７２側となるように配置されている。第２開口部８２は、第１開口部８１と隣り合うように配置されている。図１４に示すように、第２開口部８２を構成する内壁面は、厚さ方向Ｚにおいて基板１０に向かうにつれて第２開口部８２の開口面積が小さくなるテーパ状の傾斜面８２ｘを有する。

図３に示すように、第３開口部８３は、縦方向Ｙにおいて第３側壁７３から第４側壁７４に向かうにつれて第２側壁７２から第１側壁７１に向けて傾斜するように延びている。第３開口部８３は、縦方向Ｙにおいて第２開口部８２と隣り合うように配置されている。第３開口部８３が延びる方向は、第２開口部８２が延びる方向と一致している。第３開口部８３は、天壁７５の縦方向Ｙの中央部よりも第４側壁７４側となり、かつ天壁７５の横方向Ｘの中央部よりも第２側壁７２側となるように配置されている。図１４に示すように、第３開口部８３を構成する内壁面は、厚さ方向Ｚにおいて基板１０に向かうにつれて第３開口部８３の開口面積が小さくなるテーパ状の傾斜面８３ｘを有する。

図３に示すように、第４開口部８４は、横方向Ｘに沿って延びている。平面視における
第４開口部８４の形状は、略台形状である。第４開口部８４は、天壁７５のうちの第４側壁７４側かつ天壁７５の横方向Ｘの中央部に対して第１側壁７１寄りとなるように配置されている。第４開口部８４は、第３開口部８３と隣り合うように配置されている。図１５に示すように、第４開口部８４を構成する内壁面は、厚さ方向Ｚにおいて基板１０に向かうにつれて第４開口部８４の開口面積が小さくなるテーパ状の傾斜面８４ｘを有する。

図３に示すように、第５開口部８５は、縦方向Ｙにおいて第３側壁７３から第４側壁７４に向かうにつれて第２側壁７２から第１側壁７１に向けて傾斜するように延びている。第５開口部８５が延びる方向は、第３開口部８３が延びる方向と平行である。横方向Ｘからみて、第５開口部８５は、第３開口部８３と対向している。第５開口部８５は、天壁７５の縦方向Ｙの中央部よりも第４側壁７４側となり、かつ天壁７５の横方向Ｘの中央部よりも第１側壁７１側となるように配置されている。第５開口部８５は、第４開口部８４と隣り合うように配置されている。図１６に示すように、第５開口部８５を構成する内壁面は、厚さ方向Ｚにおいて基板１０に向かうにつれて第５開口部８５の開口面積が小さくなるテーパ状の傾斜面８５ｘを有する。

図３に示すように、第６開口部８６は、縦方向Ｙにおいて第３側壁７３から第４側壁７４に向かうにつれて第２側壁７２から第１側壁７１に向けて傾斜するように延びている。第６開口部８６が延びる方向は、第２開口部８２が延びる方向と平行である。横方向Ｘからみて、第６開口部８６は、第２開口部８２と対向している。第６開口部８６は、天壁７５の縦方向Ｙの中央部よりも第３側壁７３側となり、かつ天壁７５の横方向Ｘの中央部よりも第１側壁７１側となるように配置されている。第６開口部８６は、縦方向Ｙにおいて第５開口部８５と隣り合うように配置されている。

図１６に示すように、第６開口部８６を構成する内壁面は、厚さ方向Ｚにおいて基板１０に向かうにつれて第６開口部８６の開口面積が小さくなるテーパ状の傾斜面８６ｘを有する。傾斜面８６ｘのうちの第６開口部８６の長辺方向の傾斜面８６ａ，８６ｂのうちの第３側壁７３側の傾斜面を傾斜面８６ａとし、第４側壁７４側の傾斜面を傾斜面８６ｂとする。この場合、厚さ方向Ｚに対する傾斜面８６ａの傾斜角度θ３は、厚さ方向Ｚに対する傾斜面８６ｂの傾斜角度θ４よりも大きい。図３から分かるとおり、傾斜面８６ａの長さは、傾斜面８６ｂの長さよりも長い。

図３に示すように、第７開口部８７は、横方向Ｘに沿って延びている。第７開口部８７は、第２開口部８２、第３開口部８３、第５開口部８５、及び第６開口部８６と隣り合うように配置されている。第７開口部８７は、天壁７５の縦方向Ｙの中央部かつ横方向Ｘの中央部に配置されている。図１７に示すように、第７開口部８７を構成する内壁面は、厚さ方向Ｚにおいて基板１０に向かうにつれて第７開口部８７の開口面積が小さくなるテーパ状の傾斜面８７ｘを有する。

図３に示すように、第８開口部８８は、横方向Ｘにおいて天壁７５の第２側壁７２と隣り合うように配置されている。第８開口部８８は、天壁７５の縦方向Ｙの中央部よりも第４側壁７４側に配置されている。横方向Ｘからみて、第８開口部８８は、第４開口部８４と重なるように配置されている。平面視における第８開口部８８の形状は、円形である。図１５に示すように、第８開口部８８を構成する内壁面は、厚さ方向Ｚにおいて基板１０に向かうにつれて第８開口部８８の開口面積が小さくなるテーパ状の傾斜面８８ｘを有する。

図３に示すように、ケース７０には、複数の素子収容部９０と、回路収容部９９とが設けられている。複数の素子収容部９０は、第１素子収容部９１〜第８素子収容部９８の８つの素子収容部を含む。

第１素子収容部９１及び第６素子収容部９６はそれぞれ、回路収容部９９と隣り合うように設けられている。第１素子収容部９１は、横方向Ｘにおいて回路収容部９９と隣り合っている。第６素子収容部９６は、縦方向Ｙにおいて回路収容部９９と隣り合っている。回路収容部９９と第１素子収容部９１及び第６素子収容部９６とは第１隔壁７６Ａ，７６Ｂによって仕切られている。図１０に示すとおり、回路収容部９９は、第１側壁７１、第３側壁７３、及び２つの第１隔壁７６Ａ，７６Ｂによって構成されている。換言すると、回路収容部９９は、ケース７０において第１側壁７１側かつ第３側壁７３側の端部に設けられている。

第１隔壁７６Ａは、縦方向Ｙに沿って延びている。第１隔壁７６Ｂは、横方向Ｘに沿って延びている。本実施形態では、平面視における回路収容部９９の形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。第１素子収容部９１と回路収容部９９とを仕切る第１隔壁７６Ａは、ケース７０の横方向Ｘの中央部よりも第２側壁７２側に位置している。換言すると、回路収容部９９は、第１側壁７１からケース７０の横方向Ｘの中央部よりも第２側壁７２側までにわたり形成されている。

図１６に示すように、回路収容部９９は、傾斜面９９ｘを有する。傾斜面９９ｘは、回路収容部９９のうちの第６素子収容部９６側に設けられている。傾斜面９９ｘは、厚さ方向Ｚにおいて天壁７５に向かうにつれて第３側壁７３側に向けて傾斜している。傾斜面９９ｘは、第１隔壁７６Ｂと一体に形成されている。厚さ方向Ｚに対する傾斜面９９ｘの傾斜角度θ５は、第６開口部８６における厚さ方向Ｚに対する傾斜面８６ｂの傾斜角度θ４よりも大きい。また本実施形態では、傾斜角度θ５は、第６開口部８６における厚さ方向Ｚに対する傾斜面８６ａの傾斜角度θ３よりも小さい。なお、傾斜角度θ５と傾斜角度θ３との関係は、これに限られず、例えば傾斜角度θ５と傾斜角度θ３とが互いに等しくてもよい。

回路収容部９９において傾斜面９９ｘと第１隔壁７６Ｂとの間の部分には、段部９９ａが設けられている。本実施形態では、傾斜面９９ｘ、段部９９ａ、及び第１隔壁７６Ｂが一体に形成されている。また、傾斜面９９ｘ及び段部９９ａはそれぞれ、回路収容部９９の横方向Ｘの全体にわたり形成されている。図１６に示すとおり、第１隔壁７６Ｂは、厚さ方向Ｚに沿って延びており、基板１０の基板主面１０ｓと接触している。なお、回路収容部９９から段部９９ａを省略してもよい。この場合、傾斜面９９ｘ及び第１隔壁７６Ｂが一体に形成される。

第１素子収容部９１は、ケース７０の第２側壁７２及び第３側壁７３と隣り合うように設けられている。第１素子収容部９１は、第１開口部８１と連通する連通部９１ａと、第１開口部８１よりも第３側壁７３側に延びる延長部９１ｂとを有する。本実施形態では、連通部９１ａと延長部９１ｂとは、互いに連通している。なお、連通部９１ａと延長部９１ｂとの間には、連通部９１ａと延長部９１ｂとを仕切る隔壁（図示略）が設けられてもよい。

第１素子収容部９１と回路収容部９９とを仕切る第１隔壁７６Ａは、破線によって示される第１開口部８１の横方向Ｘの中央部よりも第１側壁７１側に位置している。このため、第１開口部８１のうちの第１素子収容部９１と連通する連通部８１ｃ（図１０の実線部分）は、横方向Ｘにおいて破線で示される第１開口部８１の第２側壁７２側の端部から第１開口部８１の横方向Ｘの中央部よりも第１側壁７１側まで延びている。

図１３に示すように、第１開口部８１には、透光樹脂１００が充填されている。第１開口部８１に充填された透光樹脂１００は、光拡散材（図示略）を含む。本実施形態では、
透光樹脂１００は、第１開口部８１の全体にわたり充填されている。第１素子収容部９１には、透光樹脂１００が充填されていない。換言すると、第１素子収容部９１は、中空空間を有する。透光樹脂１００は、例えば透明である。このため、半導体発光素子４０が赤色で発光する場合、第１開口部８１は透光樹脂１００を介して赤色に発光し、半導体発光素子４０が緑色で発光する場合、第１開口部８１は透光樹脂１００を介して緑色に発光する。なお、透光樹脂１００は、半透明であってもよく、また赤色、青色、緑色等に着色されていてもよい。また、透光樹脂１００は、半導体発光素子４０からの光によって励起されることで異なる波長の光を発する蛍光体を含んでいてもよい。

図１０に示すように、第６素子収容部９６は、ケース７０の第１側壁７１と隣り合うように設けられている。第６素子収容部９６は、第６開口部８６と連通する連通部９６ａと、第６開口部８６よりも第１側壁７１側に延びる延長部９６ｂとを有する。本実施形態では、連通部９６ａと延長部９６ｂとは、互いに連通している。なお、連通部９６ａと延長部９６ｂとの間には、連通部９６ａと延長部９６ｂとを仕切る隔壁（図示略）が設けられてもよい。

第６素子収容部９６と回路収容部９９とを仕切る第１隔壁７６Ｂは、破線によって示される第６開口部８６の第４側壁７４側の端部における長辺方向の中央部よりも第３側壁７３側に位置している。このため、第６開口部８６のうちの第６素子収容部９６と連通する連通部８６ｃ（図１０の実線部分）は、第６開口部８６の長辺方向において破線で示される第６開口部８６の第４側壁７４側の端部から第６開口部８６の長辺方向の中央部よりも第３側壁７３側まで延びている。

図１６に示すように、第６開口部８６には、透光樹脂１００が充填されている。第６開口部８６に充填された透光樹脂１００は、光拡散材（図示略）を含む。本実施形態では、透光樹脂１００は、第６開口部８６の全体にわたり充填されている。第６素子収容部９６には、透光樹脂１００が充填されていない。換言すると、第６素子収容部９６は、中空空間を有する。図１５に示すとおり、第１隔壁７６Ｂは、厚さ方向Ｚに沿って延びており、基板１０の基板主面１０ｓと接触している。

図１０に示すように、第２素子収容部９２は、ケース７０の第２側壁７２と隣り合うように設けられている。第２素子収容部９２は、第１素子収容部９１と隣り合うように配置されている。第１素子収容部９１と第２素子収容部９２とは、第２隔壁７７によって仕切られている。図１４に示すとおり、第１素子収容部９１と第２素子収容部９２とを仕切る第２隔壁７７は、厚さ方向Ｚに沿って延びており、基板１０の基板主面１０ｓと接触している。

図１０に示すように、第２素子収容部９２は、第２開口部８２と連通する連通部９２ａと、第２開口部８２よりも第２側壁７２側に延びる延長部９２ｂとを有する。本実施形態では、連通部９２ａと延長部９２ｂとは、互いに連通している。なお、連通部９２ａと延長部９２ｂとの間には、連通部９２ａと延長部９２ｂとを仕切る隔壁（図示略）が設けられてもよい。

図１４に示すように、第２開口部８２には、透光樹脂１００が充填されている。第２開口部８２に充填された透光樹脂１００は、光拡散材（図示略）を含む。本実施形態では、透光樹脂１００は、第２開口部８２の全体にわたり充填されている。第２素子収容部９２には、透光樹脂１００が充填されていない。換言すると、第２素子収容部９２は、中空空間を有する。

図１０に示すように、第３素子収容部９３は、ケース７０の第２側壁７２と隣り合うよ
うに設けられている。第３素子収容部９３は、第２素子収容部９２と隣り合うように配置されている。第２素子収容部９２と第３素子収容部９３とは、第２隔壁７７によって仕切られている。図１４に示すとおり、第２素子収容部９２と第３素子収容部９３とを仕切る第２隔壁７７は、厚さ方向Ｚに沿って延びており、基板１０の基板主面１０ｓと接触している。

図１０に示すように、第３素子収容部９３は、第３開口部８３と連通する連通部９３ａと、第３開口部８３よりも第２側壁７２側に延びる延長部９３ｂとを有する。本実施形態では、連通部９３ａと延長部９３ｂとは、互いに連通している。なお、連通部９３ａと延長部９３ｂとの間には、連通部９３ａと延長部９３ｂとを仕切る隔壁（図示略）が設けられてもよい。

図１４に示すように、第３開口部８３には、透光樹脂１００が充填されている。第３開口部８３に充填された透光樹脂１００は、光拡散材（図示略）を含む。本実施形態では、透光樹脂１００は、第３開口部８３の全体にわたり充填されている。第３素子収容部９３には、透光樹脂１００が充填されていない。換言すると、第３素子収容部９３は、中空空間を有する。

図１０に示すように、第４素子収容部９４は、ケース７０の第４側壁７４と隣り合うように設けられている。第４素子収容部９４は、第３素子収容部９３及び第５素子収容部９５と隣り合うように配置されている。第４素子収容部９４と第３素子収容部９３及び第５素子収容部９５とはそれぞれ第２隔壁７７によって仕切られている。図１６に示すとおり、第４素子収容部９４と第３素子収容部９３とを仕切る第２隔壁７７は、厚さ方向Ｚに沿って延びており、基板１０の基板主面１０ｓと接触している。第４素子収容部９４と第５素子収容部９５とを仕切る第２隔壁７７は、厚さ方向Ｚに沿って延びており、基板１０の基板主面１０ｓと接触している。

図１０に示すように、第４素子収容部９４は、第４開口部８４と連通する連通部９４ａと、第４開口部８４よりも第４側壁７４側に延びる延長部９４ｂとを有する。本実施形態では、連通部９４ａと延長部９４ｂとは、互いに連通している。なお、連通部９４ａと延長部９４ｂとの間には、連通部９４ａと延長部９４ｂとを仕切る隔壁（図示略）が設けられてもよい。

図１４に示すように、第４開口部８４には、透光樹脂１００が充填されている。第４開口部８４に充填された透光樹脂１００は、光拡散材（図示略）を含む。本実施形態では、透光樹脂１００は、第４開口部８４の全体にわたり充填されている。第４素子収容部９４には、透光樹脂１００が充填されていない。換言すると、第４素子収容部９４は、中空空間を有する。

図１０に示すように、第５素子収容部９５は、ケース７０の第１側壁７１と隣り合うように設けられている。第５素子収容部９５は、第６素子収容部９６と縦方向Ｙに隣り合うように配置されている。第６素子収容部９６と第５素子収容部９５とは、第２隔壁７７によって仕切られている。図１６に示すとおり、第２隔壁７７は、厚さ方向Ｚに沿って延びており、基板１０の基板主面１０ｓと接触している。

図１０に示すように、第５素子収容部９５は、第５開口部８５と連通する連通部９５ａと、第５開口部８５よりも第１側壁７１側に延びる延長部９５ｂとを有する。本実施形態では、連通部９５ａと延長部９５ｂとは、互いに連通している。なお、連通部９５ａと延長部９５ｂとの間には、連通部９５ａと延長部９５ｂとを仕切る隔壁（図示略）が設けられてもよい。

図１６に示すように、第５開口部８５には、透光樹脂１００が充填されている。第５開口部８５に充填された透光樹脂１００は、光拡散材（図示略）を含む。本実施形態では、透光樹脂１００は、第５開口部８５の全体にわたり充填されている。第５素子収容部９５には、透光樹脂１００が充填されていない。換言すると、第５素子収容部９５は、中空空間を有する。

図１０に示すように、第７素子収容部９７は、ケース７０の縦方向Ｙの中央部かつ横方向Ｘの中央部に設けられている。より詳細には、第７素子収容部９７は、第２素子収容部９２、第３素子収容部９３、第４素子収容部９４、第５素子収容部９５、及び第６素子収容部９６と隣り合うように設けられている。第７素子収容部９７と、第２素子収容部９２、第３素子収容部９３、第４素子収容部９４、第５素子収容部９５、及び第６素子収容部９６とはそれぞれ、第２隔壁７７によって仕切られている。図１７に示すように、第２隔壁７７は、厚さ方向Ｚに沿って延びており、基板１０の基板主面１０ｓと接触している。

図１０に示すように、第７素子収容部９７は、第７開口部８７と連通する連通部９７ａと、第７開口部８７よりも第４側壁７４側に延びている延長部９７ｂとを有する。本実施形態では、連通部９７ａと延長部９７ｂとは互いに連通している。なお、連通部９７ａと延長部９７ｂとの間には、連通部９７ａと延長部９７ｂとを仕切る隔壁（図示略）が設けられてもよい。

図１７に示すように、第７開口部８７には、透光樹脂１００が充填されている。第７開口部８７に充填された透光樹脂１００は、光拡散材（図示略）を含む。本実施形態では、透光樹脂１００は、第７開口部８７の全体にわたり充填されている。第７素子収容部９７には、透光樹脂１００が充填されていない。換言すると、第７素子収容部９７は、中空空間を有する。

図１５に示すように、第８素子収容部９８は、第８開口部８８と連通している。第８開口部８８には、透光樹脂１０１が設けられている。透光樹脂１０１は、シート状であり、第８開口部８８の厚さ方向Ｚの一部に設けられている。本実施形態では、透光樹脂１０１は、第８開口部８８の天壁７５側の端部に設けられている。第８素子収容部９８は、中空空間を有する。なお、透光樹脂１０１は、第８開口部８８に透光性樹脂を充填して形成されてもよい。透光樹脂１０１は、例えば透明である。このため、半導体発光素子４０が赤色で発光する場合、第８開口部８８は透光樹脂を介して赤色に発光し、半導体発光素子４０が緑色で発光する場合、第８開口部８８は透光樹脂を介して緑色に発光する。なお、透光樹脂は、半透明であってもよく、また赤色、青色、緑色等に着色されていてもよい。また、透光樹脂１０１は、蛍光体を含んでいてもよい。

次に、図１０〜図１２を参照して、複数の半導体発光素子４０、複数の電流制限抵抗５０、及び制御回路素子６０と、ケース７０との配置関係について説明する。
以降の説明において、第１開口部８１に対応する半導体発光素子４０を第１半導体発光素子４１とし、第２開口部８２に対応する半導体発光素子４０を第２半導体発光素子４２とし、第３開口部８３に対応する半導体発光素子４０を第３半導体発光素子４３とし、第４開口部８４に対応する半導体発光素子４０を第４半導体発光素子４４とし、第５開口部８５に対応する半導体発光素子４０を第５半導体発光素子４５とし、第６開口部８６に対応する半導体発光素子４０を第６半導体発光素子４６とし、第７開口部８７に対応する半導体発光素子４０を第７半導体発光素子４７とする。また、第１半導体発光素子４１に直列に接続される電流制限抵抗５０を第１電流制限抵抗５１とし、第２半導体発光素子４２に直列に接続される電流制限抵抗５０を第２電流制限抵抗５２とし、第３半導体発光素子４３に直列に接続される電流制限抵抗５０を第３電流制限抵抗５３とし、第４半導体発光
素子４４に直列に接続される電流制限抵抗５０を第４電流制限抵抗５４とし、第５半導体発光素子４５に直列に接続される電流制限抵抗５０を第５電流制限抵抗５５とし、第６半導体発光素子４６に直列に接続される電流制限抵抗５０を第６電流制限抵抗５６とし、第７半導体発光素子４７に直列に接続される電流制限抵抗５０を第７電流制限抵抗５７とする。

また、８つの開口部８０のうちの残りの１つの開口部８０を第８開口部８８とし、第８開口部８８に対応する半導体発光素子４０を第８半導体発光素子４８とし、第８半導体発光素子４８に直列に接続される電流制限抵抗５０を第８電流制限抵抗５８とする。

また、第１素子収容部９１に収容されている第１電極２４及び第２電極２５をそれぞれ、第１電極２４ａ及び第２電極２５ａとし、第２素子収容部９２に収容されている第１電極２４及び第２電極２５をそれぞれ、第１電極２４ｂ及び第２電極２５ｂとし、第３素子収容部９３に収容されている第１電極２４及び第２電極２５をそれぞれ、第１電極２４ｃ及び第２電極２５ｃとし、第４素子収容部９４に収容されている第１電極２４及び第２電極２５をそれぞれ、第１電極２４ｄ及び第２電極２５ｄとし、第５素子収容部９５に収容されている第１電極２４及び第２電極２５をそれぞれ、第１電極２４ｅ及び第２電極２５ｅとし、第６素子収容部９６に収容されている第１電極２４及び第２電極２５をそれぞれ、第１電極２４ｆ及び第２電極２５ｆとし、第７素子収容部９７に収容されている第１電極２４及び第２電極２５をそれぞれ、第１電極２４ｇ及び第２電極２５ｇとし、第８素子収容部９８に収容されている第１電極２４及び第２電極２５をそれぞれ、第１電極２４ｈ及び第２電極２５ｈとする。

また、第１電流制限抵抗５１が実装されている第３電極２６及び第４電極２７をそれぞれ、第３電極２６ａ及び第４電極２７ａとし、第２電流制限抵抗５２が実装されている第３電極２６及び第４電極２７をそれぞれ、第３電極２６ｂ及び第４電極２７ｂとし、第３電流制限抵抗５３が実装されている第３電極２６及び第４電極２７をそれぞれ、第３電極２６ｃ及び第４電極２７ｃとし、第４電流制限抵抗５４が実装されている第３電極２６及び第４電極２７をそれぞれ、第３電極２６ｄ及び第４電極２７ｄとし、第５電流制限抵抗５５が実装されている第３電極２６及び第４電極２７をそれぞれ、第３電極２６ｅ及び第４電極２７ｅとし、第６電流制限抵抗５６が実装されている第３電極２６及び第４電極２７をそれぞれ、第３電極２６ｆ及び第４電極２７ｆとし、第７電流制限抵抗５７が実装されている第３電極２６及び第４電極２７をそれぞれ、第３電極２６ｇ及び第４電極２７ｇとし、第８電流制限抵抗５８が実装されている第３電極２６及び第４電極２７をそれぞれ、第３電極２６ｈ及び第４電極２７ｈとする。

また、図１２において、以下のように中心線ＣＬ１〜ＣＬ８を定義する。
第１開口部８１、第４開口部８４、及び第７開口部８７の横方向Ｘの中央部を通る直線を中心線ＣＬ１とし、第２開口部８２及び第３開口部８３の横方向Ｘの中央部を通る直線を中心線ＣＬ２とし、第５開口部８５及び第６開口部８６の横方向Ｘの中央部を通る直線を中心線ＣＬ３とする。また、第１開口部８１の縦方向Ｙの中央部から横方向Ｘに沿って延びる直線を中心線ＣＬ４とし、第４開口部８４の縦方向Ｙの中央部から横方向Ｘに添って延びる直線を中心線ＣＬ５とし、第７開口部８７の縦方向Ｙの中央部から横方向Ｘに沿って延びる直線を中心線ＣＬ６とする。

中心線ＣＬ２と中心線ＣＬ４との交点を交点ＣＰ１とし、中心線ＣＬ２と中心線ＣＬ６との交点を交点ＣＰ２とし、中心線ＣＬ２と中心線ＣＬ５との交点を交点ＣＰ３とする。中心線ＣＬ３と中心線ＣＬ４との交点を交点ＣＰ４とし、中心線ＣＬ３と中心線ＣＬ６との交点を交点ＣＰ５とし、中心線ＣＬ３と中心線ＣＬ５との交点を交点ＣＰ６とする。

交点ＣＰ１と交点ＣＰ５とを結ぶ直線を対角線ＤＬ１とし、交点ＣＰ２と交点ＣＰ４とを結ぶ直線を対角線ＤＬ２とし、交点ＣＰ２と交点ＣＰ６とを結ぶ直線を対角線ＤＬ３とし、交点ＣＰ３と交点ＣＰ５とを結ぶ直線を対角線ＤＬ４とする。対角線ＤＬ１と対角線ＤＬ２との交点から横方向Ｘに沿って延びる直線を中心線ＣＬ７とし、対角線ＤＬ３と対角線ＤＬ４との交点から横方向Ｘに沿って延びる直線を中心線ＣＬ８とする。

図１１に示すように、第１素子収容部９１には、第１半導体発光素子４１及び第１電流制限抵抗５１が配置されている。より詳細には、第１半導体発光素子４１は第１素子収容部９１の連通部９１ａに配置されており、第１電流制限抵抗５１は第１素子収容部９１の延長部９１ｂに配置されている。換言すると、横方向Ｘにおいて、第１電流制限抵抗５１は、第１半導体発光素子４１よりも第２側壁７２側（基板１０の第２基板側面１２側）に配置されている。また、縦方向Ｙにおいて、第１電流制限抵抗５１は、第１半導体発光素子４１よりも第３側壁７３側（基板１０の第３基板側面１３側）に配置されている。

第１素子収容部９１の内部に配置されている第１電極２４ａ及び第２電極２５ａは、横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに離間して配置されている。このため、第１半導体発光素子４１と第２電極２５ａとを互いに電気的に接続している接続部材４９は、縦方向Ｙに沿って延びている。図１２に示すように、第１電極２４ａは、横方向Ｘにおいて第１開口部８１の横方向Ｘの中央部よりも第２側壁７２側（基板１０の第２基板側面１２側）に配置されている。第１電極２４ａは、第１開口部８１の縦方向Ｙの中央部に配置されている。第２電極２５ａは、縦方向Ｙにおいて第１電極２４ａよりも第３側壁７３側（基板１０の第３基板側面１３側）に配置されている。

図１２に示すように、第１半導体発光素子４１は、厚さ方向Ｚからみて、第１開口部８１の横方向Ｘの中央部よりも第２側壁７２側（基板１０の第２基板側面１２側）に配置されている。換言すると、第１半導体発光素子４１は、中心線ＣＬ１よりも第２側壁７２側（基板１０の第２基板側面１２側）に配置されている。また、第１半導体発光素子４１は、第１開口部８１の縦方向Ｙの中央部に配置されている。換言すると、第１半導体発光素子４１は、厚さ方向Ｚからみて、縦方向Ｙにおいて中心線ＣＬ４と重なるように配置されている。また、第１半導体発光素子４１は、厚さ方向Ｚからみて第１開口部８１の連通部８１ｃと重なるように配置されている。

図１２に示すように、第１電流制限抵抗５１は、厚さ方向Ｚからみて、第１開口部８１とは異なる位置に配置されている。換言すると、第１電流制限抵抗５１は、厚さ方向Ｚからみて、第１開口部８１と重なっていない。より詳細には、第１電流制限抵抗５１は、厚さ方向Ｚからみて、第１開口部８１と縦方向Ｙに隣り合うように配置されている。横方向Ｘにおける制御回路素子６０と第１半導体発光素子４１との間の距離Ｄｘ１は、横方向Ｘにおける第１半導体発光素子４１と第１電流制限抵抗５１との間の距離Ｄｘ２よりも大きい。

図１１に示すように、第１素子収容部９１の内部に配置されている第３電極２６ａ及び第４電極２７ａは、横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに離間して配置されている。第３電極２６ａは、第４電極２７ａよりも第３側壁７３側（基板１０の第３基板側面１３側）に配置されている。第１電流制限抵抗５１の第１端子は第３電極２６ａに接続されており、第２端子は第４電極２７ａに接続されている。このため、第１電流制限抵抗５１は、第１端子及び第２端子が縦方向Ｙに沿って配列されるように第１素子収容部９１内に配置されている。図１２に示すように、厚さ方向Ｚからみて、第４電極２７ａは、その一部が第１開口部８１と重なるように配置されている。第３電極２６ａは、第１開口部８１よりも第３側壁７３側（基板１０の第３基板側面１３側）に配置されている。

図１１に示すように、第２素子収容部９２には、第２半導体発光素子４２及び第２電流制限抵抗５２が配置されている。より詳細には、第２半導体発光素子４２及び第２電流制限抵抗５２はそれぞれ、第２素子収容部９２の連通部９２ａに配置されている。縦方向Ｙにおいて、第２半導体発光素子４２は、第２電流制限抵抗５２よりも第４側壁７４側（基板１０の第４基板側面１４側）に配置されている。横方向Ｘにおいて、第２半導体発光素子４２は、第２電流制限抵抗５２よりも第１側壁７１側（基板１０の第１基板側面１１側）に配置されている。

図１２に示すように、第２半導体発光素子４２は、第２開口部８２の縦方向Ｙの中央部よりも第４側壁７４側（基板１０の第４基板側面１４側）に配置されている。換言すると、第２半導体発光素子４２は、中心線ＣＬ７よりも第４側壁７４側（基板１０の第４基板側面１４側）に配置されている。第２半導体発光素子４２は、第２開口部８２の横方向Ｘの中央部に配置されている。換言すると、第２半導体発光素子４２は、厚さ方向Ｚからみて、中心線ＣＬ２と重なるように配置されている。

図１１に示すように、第２素子収容部９２の内部に配置されている第１電極２４ｂ及び第２電極２５ｂは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。このため、第２半導体発光素子４２と第２電極２５ｂとを互いに電気的に接続している接続部材４９は、横方向Ｘに沿って延びている。図１２に示すように、第１電極２４ｂは、縦方向Ｙにおいて第２開口部８２の縦方向Ｙの中央部よりも第４側壁７４側（基板１０の第４基板側面１４側）、かつ、第２開口部８２の横方向Ｘの中央部に配置されている。第２電極２５ｂは、第１電極２４ｂよりも第２側壁７２側（基板１０の第２基板側面１２側）に配置されている。

図１２に示すように、第２電流制限抵抗５２は、第２開口部８２の縦方向Ｙの中央部に対して第３側壁７３側（基板１０の第３基板側面１３側）に配置されている。換言すると、縦方向Ｙにおいて、第２電流制限抵抗５２は、中心線ＣＬ７よりも第３側壁７３側（基板１０の第３基板側面１３側）に配置されている。横方向Ｘにおいて、第２電流制限抵抗５２は、第２開口部８２の横方向Ｘの中央部に対して第２側壁７２寄り（基板１０の第２基板側面１２寄り）となるように配置されている。

図１１に示すように、第２素子収容部９２の内部に配置されている第３電極２６ｂ及び第４電極２７ｂは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。第３電極２６ｂは、第４電極２７ｂよりも第２側壁７２側（基板１０の第２基板側面１２側）に配置されている。第２電流制限抵抗５２の第１端子は第３電極２６ｂに接続されており、第２端子は第４電極２７ｂに接続されている。このため、第２電流制限抵抗５２は、第１端子及び第２端子が横方向Ｘに沿って配列されるように第２素子収容部９２内に配置されている。

図１１に示すように、第３素子収容部９３には、第３半導体発光素子４３と、第３電流制限抵抗５３及び第７電流制限抵抗５７とが配置されている。より詳細には、第３半導体発光素子４３は第３素子収容部９３の連通部９３ａに配置されており、第３電流制限抵抗５３及び第７電流制限抵抗５７はそれぞれ第３素子収容部９３の延長部９３ｂに配置されている。縦方向Ｙにおいて、第３半導体発光素子４３は、第３電流制限抵抗５３及び第７電流制限抵抗５７よりも第４側壁７４側（基板１０の第４基板側面１４側）に配置されている。横方向Ｘにおいて、第３半導体発光素子４３は、第３電流制限抵抗５３及び第７電流制限抵抗５７よりも第１側壁７１側（基板１０の第１基板側面１１側）に配置されている。本実施形態では、第３電流制限抵抗５３及び第７電流制限抵抗５７は、横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに離間して配置されている。縦方向Ｙにおいて、第３電流制限抵抗５３は、第７電流制限抵抗５７よりも第４側壁７４側（基板１０の第４基板側面１４側）に
配置されている。

図１２に示すように、第３半導体発光素子４３は、第３開口部８３の縦方向Ｙの中央部に配置されている。換言すると、厚さ方向Ｚからみて、第３半導体発光素子４３は、中心線ＣＬ８と重なるように配置されている。また、第３半導体発光素子４３は、第３開口部８３の横方向Ｘの中央部に配置されている。換言すると、厚さ方向Ｚからみて、第３半導体発光素子４３は、中心線ＣＬ２と重なるように配置されている。

図１１に示すように、第３素子収容部９３の内部に配置されている第１電極２４ｃ及び第２電極２５ｃは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。このため、第３半導体発光素子４３と第２電極２５ｃとを互いに電気的に接続している接続部材４９は、横方向Ｘに沿って延びている。図１２に示すように、第１電極２４ｃは、第３開口部８３の縦方向Ｙの中央部かつ横方向Ｘの中央部に配置されている。第２電極２５ｃは、第１電極２４ｃよりも第２側壁７２側（基板１０の第２基板側面１２側）に配置されている。

図１２に示すように、第３電流制限抵抗５３及び第７電流制限抵抗５７は、第３開口部８３の縦方向Ｙの中央部よりも第３側壁７３（基板１０の第３基板側面１３側）に配置されている。横方向Ｘからみて、第７電流制限抵抗５７は、縦方向Ｙにおける第３開口部８３のうちの第３側壁７３側（基板１０の第３基板側面１３側）の端部と重なるように配置されている。横方向Ｘにおいて、第３電流制限抵抗５３及び第７電流制限抵抗５７はそれぞれ、第３開口部８３よりも第２側壁７２側（基板１０の第２基板側面１２側）に配置されている。

図１１に示すように、第３電流制限抵抗５３が実装されている第３電極２６ｃ及び第４電極２７ｃと、第７電流制限抵抗５７が実装されている第３電極２６ｇ及び第４電極２７ｇとはそれぞれ、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。第３電極２６ｃは、第４電極２７ｃよりも第１側壁７１側（基板１０の第１基板側面１１側）に配置されている。第３電流制限抵抗５３の第１端子は第３電極２６ｃに接続されており、第２端子は第４電極２７ｃに接続されている。このため、第３電流制限抵抗５３は、第１端子及び第２端子が横方向Ｘに沿って配列されるように第３素子収容部９３内に配置されている。第３電極２６ｇは、第４電極２７ｇよりも第２側壁７２側（基板１０の第２基板側面１２側）に配置されている。第７電流制限抵抗５７の第１端子は第３電極２６ｇに接続されており、第２端子は第４電極２７ｇに接続されている。このため、第７電流制限抵抗５７は、第１端子及び第２端子が横方向Ｘに沿って配列されるように第３素子収容部９３内に配置されている。

図１１に示すように、第４素子収容部９４には、第４半導体発光素子４４及び第４電流制限抵抗５４が配置されている。より詳細には、第４半導体発光素子４４は第４素子収容部９４の連通部９４ａに収容されており、第４電流制限抵抗５４は第４素子収容部９４の延長部９４ｂに収容されている。縦方向Ｙにおいて、第４半導体発光素子４４は、第４電流制限抵抗５４よりも第３側壁７３側（基板１０の第３基板側面１３側）に配置されている。横方向Ｘにおいて、第４半導体発光素子４４は、第４電流制限抵抗５４よりも第２側壁７２側（基板１０の第２基板側面１２側）に配置されている。

図１２に示すように、第４半導体発光素子４４は、第４開口部８４の縦方向Ｙの中央部に配置されている。換言すると、厚さ方向Ｚからみて、第４半導体発光素子４４は、中心線ＣＬ５と重なるように配置されている。また、第４半導体発光素子４４は、第４開口部８４の横方向Ｘの中央部に配置されている。換言すると、厚さ方向Ｚからみて、第４半導体発光素子４４は、中心線ＣＬ１と重なるように配置されている。

図１１に示すように、第４素子収容部９４の内部に配置されている第１電極２４ｄ及び第２電極２５ｄは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。このため、第４半導体発光素子４４と第２電極２５ｄとを互いに電気的に接続している接続部材４９は、横方向Ｘに沿って延びている。図１２に示すように、第１電極２４ｄは、第４開口部８４の縦方向Ｙの中央部かつ横方向Ｘの中央部に配置されている。第２電極２５ｄは、第１電極２４ｄよりも第２側壁７２側（基板１０の第２基板側面１２側）に配置されている。

図１２に示すように、第４電流制限抵抗５４は、第４開口部８４よりも第４側壁７４側（基板１０の第４基板側面１４側）に配置されている。横方向Ｘにおいて、第４電流制限抵抗５４は、中心線ＣＬ１よりも第１側壁７１側（基板１０の第１基板側面１１側）に配置されている。

図１１に示すように、第４素子収容部９４の内部に配置されている第３電極２６ｄ及び第４電極２７ｄは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。第３電極２６ｄは、第４電極２７ｄよりも第１側壁７１側（基板１０の第１基板側面１１側）に配置されている。第４電流制限抵抗５４の第１端子は第３電極２６ｄに接続されており、第２端子は第４電極２７ｄに接続されている。このため、第４電流制限抵抗５４は、第１端子及び第２端子が横方向Ｘに沿って配列されるように第４素子収容部９４内に配置されている。

図１１に示すように、第５素子収容部９５には、第５半導体発光素子４５及び第５電流制限抵抗５５が配置されている。より詳細には、第５半導体発光素子４５及び第５電流制限抵抗５５はそれぞれ、第５素子収容部９５の連通部９５ａに配置されている。縦方向Ｙにおいて、第５半導体発光素子４５は、第５電流制限抵抗５５よりも第３側壁７３側（基板１０の第３基板側面１３側）に配置されている。横方向Ｘにおいて、第５半導体発光素子４５は、第５電流制限抵抗５５よりも第２側壁７２側（基板１０の第２基板側面１２側）に配置されている。

図１２に示すように、第５半導体発光素子４５は、第５開口部８５の縦方向Ｙの中央部に配置されている。換言すると、第５半導体発光素子４５は、厚さ方向Ｚからみて、中心線ＣＬ８と重なるように配置されている。第５半導体発光素子４５は、第５開口部８５の横方向Ｘの中央部に配置されている。換言すると、第５半導体発光素子４５は、厚さ方向Ｚからみて、中心線ＣＬ３と重なるように配置されている。

図１１に示すように、第５素子収容部９５の内部に配置されている第１電極２４ｅ及び第２電極２５ｅは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。このため、第５半導体発光素子４５と第２電極２５ｅとを互いに電気的に接続している接続部材４９は、横方向Ｘに沿って延びている。図１２に示すように、第１電極２４ｅは、第５開口部８５の縦方向Ｙの中央部かつ第５開口部８５の横方向Ｘの中央部に配置されている。第２電極２５ｅは、第１電極２４ｅよりも第１側壁７１側（基板１０の第１基板側面１１側）に配置されている。

図１２に示すように、第５電流制限抵抗５５は、第５開口部８５の縦方向Ｙの中央部よりも第４側壁７４側（基板１０の第４基板側面１４側）に配置されている。換言すると、縦方向Ｙにおいて、第５電流制限抵抗５５は、中心線ＣＬ８よりも第４側壁７４側（基板１０の第４基板側面１４側）に配置されている。横方向Ｘにおいて、第５電流制限抵抗５５は、第５開口部８５の横方向Ｘの中央部に対して第１側壁７１寄り（基板１０の第１基板側面１１寄り）となるように配置されている。

図１１に示すように、第５素子収容部９５の内部に配置されている第３電極２６ｅ及び第４電極２７ｅは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。第３電極２６ｅは、第４電極２７ｅよりも第１側壁７１側（基板１０の第１基板側面１１側）に配置されている。第５電流制限抵抗５５の第１端子は第３電極２６ｅに接続されており、第２端子は第４電極２７ｅに接続されている。このため、第５電流制限抵抗５５は、第１端子及び第２端子が横方向Ｘに沿って配列されるように第５素子収容部９５内に配置されている。

図１１に示すように、第６素子収容部９６には、第６半導体発光素子４６及び第６電流制限抵抗５６が配置されている。より詳細には、第６半導体発光素子４６及び第６電流制限抵抗５６はそれぞれ、第６素子収容部９６の連通部９６ａに配置されている。縦方向Ｙにおいて、第６半導体発光素子４６は、第６電流制限抵抗５６よりも第３側壁７３側（基板１０の第３基板側面１３側）に配置されている。横方向Ｘにおいて、第６半導体発光素子４６は、第６電流制限抵抗５６よりも第２側壁７２側（基板１０の第２基板側面１２側）に配置されている。

図１２に示すように、第６半導体発光素子４６は、第６開口部８６の縦方向Ｙの中央部よりも第４側壁７４側（基板１０の第４基板側面１４側）に配置されている。換言すると、第６半導体発光素子４６は、中心線ＣＬ７よりも第４側壁７４側（基板１０の第４基板側面１４側）に配置されている。また、第６半導体発光素子４６は、縦方向Ｙにおいて第２半導体発光素子４２と揃っている。第６半導体発光素子４６は、第６開口部８６の横方向Ｘの中央部に配置されている。換言すると、第６半導体発光素子４６は、厚さ方向Ｚからみて、中心線ＣＬ３と重なるように配置されている。また、第６半導体発光素子４６は、厚さ方向Ｚからみて、第６開口部８６の連通部８６ｃと重なるように配置されている。

図１１に示すように、第６素子収容部９６の内部に配置されている第１電極２４ｆ及び第２電極２５ｆは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。このため、第６半導体発光素子４６と第２電極２５ｆとを互いに電気的に接続している接続部材４９は、横方向Ｘに沿って延びている。図１２に示すように、第１電極２４ｆは、縦方向Ｙにおいて第６開口部８６の縦方向Ｙの中央部よりも第４側壁７４側（基板１０の第４基板側面１４側）、かつ、第２開口部８２の横方向Ｘの中央部に配置されている。第２電極２５ｆは、第１電極２４ｆよりも第１側壁７１側（基板１０の第１基板側面１１側）に配置されている。第１電極２４ｆ及び第２電極２５ｆは、縦方向Ｙにおいて第１電極２４ｂ及び第２電極２５ｂと揃っている。

図１２に示すように、第６電流制限抵抗５６は、第６開口部８６の縦方向Ｙの中央部に対して第４側壁７４側（基板１０の第４基板側面１４側）に配置されている。換言すると、縦方向Ｙにおいて、第６電流制限抵抗５６は、中心線ＣＬ７よりも第４側壁７４側（基板１０の第４基板側面１４側）に配置されている。横方向Ｘにおいて、第６電流制限抵抗５６は、第６開口部８６の横方向Ｘの中央部に対して第１側壁７１寄り（基板１０の第１基板側面１１寄り）となるように配置されている。縦方向Ｙにおける制御回路素子６０と第６半導体発光素子４６との間の距離Ｄｙ１は、縦方向Ｙにおける第６半導体発光素子４６と第６電流制限抵抗５６との間の距離Ｄｙ２よりも大きい。

図１１に示すように、第６素子収容部９６の内部に配置されている第３電極２６ｆ及び第４電極２７ｆは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。第３電極２６ｆは、第４電極２７ｆよりも第１側壁７１側（基板１０の第１基板側面１１側）に配置されている。第６電流制限抵抗５６の第１端子は第３電極２６ｆに接続されており、第２端子は第４電極２７ｆに接続されている。このため、第６電流制限抵抗５６は、第１
端子及び第２端子が横方向Ｘに沿って配列されるように第６素子収容部９６内に配置されている。

図１１に示すように、第７素子収容部９７には、第７半導体発光素子４７が配置されている。より詳細には、第７半導体発光素子４７は、第７素子収容部９７の連通部９７ａに配置されている。本実施形態では、第７電流制限抵抗５７が第３素子収容部９３に配置されているため、第７素子収容部９７の延長部９７ｂには電子部品が配置されていない。なお、第７電流制限抵抗５７は、第７素子収容部９７の延長部９７ｂに配置されてもよい。

図１２に示すように、第７半導体発光素子４７は、第７開口部８７の横方向Ｘの中央部に配置されている。換言すると、第７半導体発光素子４７は、厚さ方向Ｚからみて、中心線ＣＬ１と重なるように配置されている。第７半導体発光素子４７は、第７開口部８７の縦方向Ｙの中央部に配置されている。換言すると、第７半導体発光素子４７は、厚さ方向Ｚからみて、中心線ＣＬ６と重なるように配置されている。

図１１に示すように、第７素子収容部９７の内部に配置されている第１電極２４ｇ及び第２電極２５ｇは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。このため、第７半導体発光素子４７と第２電極２５ｇとを互いに電気的に接続している接続部材４９は、横方向Ｘに沿って延びている。図１２に示すように、第１電極２４ｇは、第７開口部８７の横方向Ｘの中央部かつ第７開口部８７の縦方向Ｙの中央部に配置されている。第１電極２４ｇは、第２電極２５ｇよりも第１側壁７１側（基板１０の第１基板側面１１側）に配置されている。

図１１に示すように、第８素子収容部９８には、第８半導体発光素子４８及び第８電流制限抵抗５８が配置されている。縦方向Ｙにおいて、第８半導体発光素子４８は、第８電流制限抵抗５８よりも第３側壁７３側（基板１０の第３基板側面１３側）に配置されている。横方向Ｘにおいて、第８半導体発光素子４８は、第８電流制限抵抗５８よりも第２側壁７２側（基板１０の第２基板側面１２側）に配置されている。

図１２に示すように、第８半導体発光素子４８は、厚さ方向Ｚからみて、第８開口部８８と重なるように配置されている。また、第８半導体発光素子４８が実装されている第１電極２４ｈは、厚さ方向Ｚからみて、第８開口部８８と重なるように配置されている。

図１１に示すように、第８素子収容部９８の内部に配置されている第１電極２４ｈ及び第２電極２５ｈは、横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに離間して配置されている。このため、第８半導体発光素子４８と第２電極２５ｈとを互いに電気的に接続している接続部材４９は、縦方向Ｙに沿って延びている。第２電極２５ｈは、第１電極２４ｈよりも第４側壁７４側（基板１０の第４基板側面１４側）に配置されている。

図１２に示すように、第８電流制限抵抗５８は、第８開口部８８よりも第４側壁７４側（基板１０の第４基板側面１４側）かつ第１側壁７１側（基板１０の第１基板側面１１側）に配置されている。

図１１に示すように、第８素子収容部９８の内部に配置されている第３電極２６ｈ及び第４電極２７ｈは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。第３電極２６ｈは、第４電極２７ｈよりも第１側壁７１側（基板１０の第１基板側面１１側）に配置されている。第８電流制限抵抗５８の第１端子は第３電極２６ｈに接続されており、第２端子は第４電極２７ｈに接続されている。このため、第８電流制限抵抗５８は、第１端子及び第２端子が横方向Ｘに沿って配列されるように第８素子収容部９８内に配置されている。

図１１に示すように、回路収容部９９には、制御回路素子実装部２１及び複数のランド部２２がそれぞれ配置されている。本実施形態では、複数のランド部２２の全てが回路収容部９９内に配置されている。制御回路素子実装部２１は、回路収容部９９の縦方向Ｙの中央部に対して第３側壁７３側（基板１０の第３基板側面１３側）に偏寄して配置されており、かつ、回路収容部９９の横方向Ｘの中央部に対して第１側壁７１側（基板１０の第１基板側面１４側）に偏寄して配置されている。このため、制御回路素子６０は、回路収容部９９の縦方向Ｙの中央部に対して第３側壁７３側（基板１０の第３基板側面１３側）に偏寄して配置されており、かつ、回路収容部９９の横方向Ｘの中央部に対して第１側壁７１側（基板１０の第１基板側面１４側）に偏寄して配置されている。また本実施形態では、制御回路素子６０の長辺方向と、回路収容部９９の長辺方向とが一致し、制御回路素子６０の短辺方向と、回路収容部９９の長辺方向とが一致するように、回路収容部９９に制御回路素子６０が配置されている。

図１２に示すように、制御回路素子６０は、厚さ方向Ｚからみて、第１開口部８１の一部と第６開口部８６の一部と重なるように配置されている。より詳細には、制御回路素子６０は、横方向Ｘにおける第１開口部８１のうちの第１側壁７１側（基板１０の第１基板側面１１側）の端部と重なっており、縦方向Ｙにおける第６開口部８６のうちの第３側壁７３側（基板１０の第３基板側面１３側）の端部と重なっている。

横方向Ｘからみて、制御回路素子６０は、第１半導体発光素子４１及び第１電流制限抵抗５１と重なるように配置されている。縦方向Ｙからみて、制御回路素子６０は、第５半導体発光素子４５及び第６半導体発光素子４６と、第４電流制限抵抗５４、第５電流制限抵抗５５、及び第６電流制限抵抗５６とに重なるように配置されている。

次に、図２、図１８Ａ、及び図１８Ｂを参照して、基板１０とケース７０との取付構造について説明する。
図２に示すように、ケース７０は、２つの突出部７８，７９を有する。本実施形態では、突出部７８，７９は、天壁７５と一体に形成されている。図１０に示すように、突出部７８は、天壁７５のうちの第１開口部８１、第２開口部８２、第６開口部８６、及び第７開口部８７によって囲まれた領域に設けられている。突出部７９は、天壁７５のうちの第３開口部８３、第４開口部８４、第５開口部８５、及び第７開口部８７によって囲まれた領域に設けられている。突出部７８，７９は、厚さ方向Ｚを軸線方向とする円柱状に形成されている。

図２に示すように、基板１０は、突出部７８が挿入されるための取付孔１５と、突出部７９が挿入されるための取付孔１６とを有する。取付孔１５，１６はそれぞれ、基板１０を厚さ方向Ｚに貫通している。図１８Ａ及び図１８Ｂに示すように、基板１０には、取付孔１５と連通するザグリ部１７と、取付孔１６と連通するザグリ部１８とが設けられている。

図１８Ａ及び図１８Ｂに示すように、取付孔１５に突出部７８が挿入された状態及び取付孔１６に突出部７９が挿入された状態で突出部７８，７９をそれぞれ溶着することによって基板１０及びケース７０が固定される。すなわち、突出部７８の溶着部７８ａとケース７０の第２隔壁７７とによって基板１０を厚さ方向Ｚにおいて挟み込み、突出部７９の溶着部７９ａとケース７０の第２隔壁７７とによって基板１０を厚さ方向Ｚにおいて挟み込むことによって、基板１０及びケース７０が固定されている。

図１８Ａに示すように、突出部７８の溶着部７８ａはザグリ部１７内に収容されており、図１８Ｂに示すように、突出部７９の溶着部７９ａはザグリ部１８内に収容されている
。このように、突出部７８，７９はそれぞれ、厚さ方向Ｚにおいて基板１０の基板裏面１０ｒから突出していない。

（作用）
次に、本実施形態の半導体発光装置１の作用について説明する。
半導体発光装置の外部に制御回路素子６０が設けられる場合、半導体発光装置及び制御回路素子６０のそれぞれが配線基板に実装される。この場合、配線基板には、半導体発光装置を実装するための領域、制御回路素子を実装するための領域、及び半導体発光装置と制御回路素子とを接続する配線を形成するための領域を設ける必要がある。その結果、配線基板が大型化する場合がある。また、半導体発光装置の半導体発光素子と制御回路素子とを接続する配線の長さが長くなり易いため、配線に起因する寄生容量が大きくなり易い。

この点に鑑みて、本実施形態の半導体発光装置１は、制御回路素子６０を備える構成であるため、配線基板に、半導体発光装置１を実装するための領域とは別に、制御回路素子を実装するための領域、及び半導体発光装置と制御回路素子とを接続する配線を形成するための領域を設ける必要がなくなる。

特に、本実施形態の半導体発光装置１は、制御回路素子６０を備えるものの、基板１０及びケース７０の横方向Ｘ及び縦方向Ｙのサイズを、制御回路素子６０を備えていない半導体発光装置の基板及びケースの横方向Ｘ及び縦方向Ｙのサイズから変更していない。このため、配線基板において半導体発光装置１を実装するための領域が拡大することを抑制できる。

また、制御回路素子６０が半導体発光装置１内に設けられているため、制御回路素子６０が半導体発光装置１の外部に設けられている場合と比較して、接続配線部２３の長さが短くなっている。

一方、基板１０及びケース７０において、制御回路素子６０が実装される分、半導体発光素子４０及び電流制限抵抗５０が実装されるスペースが小さくなり、半導体発光素子４０が開口部８０に対して最適な配置位置からずらす必要がある。本実施形態では、第１開口部８１〜第７開口部８７に対して重なり難い第１側壁７１側（基板１０の第１基板側面１１側）かつ第３側壁７３側（基板１０の第３基板側面１３側）に制御回路素子６０を配置したとしても、厚さ方向Ｚからみて、第１開口部８１及び第６開口部８６と制御回路素子６０とが重なってしまう。その結果、第１半導体発光素子４１が第１開口部８１の横方向Ｘの中央部に配置することが難しく、第６半導体発光素子４６が第６開口部８６の縦方向Ｙの中央部に配置することが難しくなる。

そこで、第１開口部８１〜第７開口部８７には透光樹脂１００が充填されている。透光樹脂１００は、第１半導体素子４１〜第７半導体素子４７の光を拡散する。最適な配置位置からずれて配置された第１半導体発光素子４１において、第１半導体発光素子４１の光は、第１開口部８１に対して第１半導体発光素子４１が収容された第１素子収容部９１と部分的に連通した連通部８１ｃを通過して第１開口部８１内に入射する。この入射光は透光樹脂１００によって拡散され、第１開口部８１の全体が発光する。同様に、第６半導体発光素子４６の光を透光樹脂１００が拡散することによって、第６開口部８６の全体が発光する。これにより、第１開口部８１及び第６開口部８６における発光むらを抑制できる。

さらに、透光樹脂１００は、光拡散材を含む構成でもよい。これにより、第１開口部８１〜第７開口部８７において、発光むらをより抑制できるため、より均一な発光を得るこ
とができる。

（効果）
本実施形態の半導体発光装置１によれば、以下の効果が得られる。
（１）半導体発光装置１は、制御回路素子６０を備える。この構成によれば、半導体発光装置１の基板１０に制御回路素子６０及び半導体発光素子４０が実装されており、かつ制御回路素子６０と半導体発光素子４０とを接続する接続配線部２３が形成されている。この構成によれば、制御回路素子６０と半導体発光素子４０との間の距離が短くなるため、制御回路素子６０と半導体発光素子４０との間の接続配線部２３の長さを短くできる。これにより、接続配線部２３に基づく寄生容量を低減できる。したがって、寄生容量を低減しつつ、半導体発光素子４０と制御回路素子６０とを電気的に接続できる。

また、配線基板に半導体発光装置１が実装される場合、配線基板に制御回路素子６０を実装するための領域、及び半導体発光素子４０と制御回路素子６０とを接続する接続配線部２３を形成するための領域を設ける必要がなくなり、配線基板の省スペース化を実現できる。

（２）第１開口部８１〜第７開口部８７によって形成される８の字は、第４基板側面１４から第３基板側面１３に向かうにつれて第１基板側面１１から第２基板側面１２に向けて傾斜するように形成されている。この構成によれば、平面視において、基板１０のうちの第１基板側面１１及び第３基板側面１３と第１開口部８１及び第６開口部８６との間の領域を大きく取ることができる。そして、基板主面１０ｓのうちの第１基板側面１１側及び第３基板側面１３側の部分に制御回路素子６０が配置されることによって、平面視において制御回路素子６０と第１開口部８１及び第６開口部８６とが重なる面積を小さくすることができる。これにより、平面視において、第１半導体発光素子４１が第１開口部８１に対して大きく偏った位置に配置されることが抑制され、第６半導体発光素子４６が第６開口部８６に対して大きく偏った位置に配置されることが抑制される。

（３）ケース７０は、制御回路素子６０を収容する回路収容部９９を有する。この構成によれば、回路収容部９９と基板１０とによって制御回路素子６０が半導体発光装置１の外部に露出しない構成となるため、制御回路素子６０を保護できる。

（４）回路収容部９９と、回路収容部９９と隣り合う第１素子収容部９１及び第６素子収容部９６とは、遮光性の第１隔壁７６Ａ，７６Ｂによって仕切られている。この構成によれば、第１素子収容部９１に収容されている第１半導体発光素子４１及び第６素子収容部９６に収容されている第６半導体発光素子４６の光が回路収容部９９に漏れることが抑制される。したがって、第１半導体発光素子４１及び第６半導体発光素子４６の光に起因する制御回路素子６０の誤動作を抑制できる。

（５）回路収容部９９は、第１側壁７１、第３側壁７３、第１隔壁７６Ａ、及び第１隔壁７６Ｂによって構成されている。この構成によれば、横方向Ｘにおいて回路収容部９９が基板主面１０ｓのうちの第１基板側面１１側の端部を含むため、基板主面１０ｓに対して回路収容部９９を第１基板側面１１側に配置できる。また、縦方向Ｙにおいて回路収容部９９が基板主面１０ｓのうちの第１開口部８１よりも第３基板側面１３側の部分を含むため、基板主面１０ｓに対して回路収容部９９を第３基板側面１３側に配置できる。したがって、制御回路素子６０を基板主面１０ｓのうちの第１基板側面１１側かつ第３基板側面１３側に寄せて配置できる。そしてこのように制御回路素子６０を基板主面１０ｓのうちの第１基板側面１１側かつ第３基板側面１３側に寄せて配置しても、回路収容部９９によって制御回路素子６０を収容できる。

（６）複数のランド部２２は、制御回路素子６０に対して横方向Ｘの両側に配置されており、制御回路素子６０に対して縦方向Ｙの第４基板側面１４側に配置されている。この構成によれば、制御回路素子６０に対して半導体発光素子４０が配置される側に主にランド部２２が配置されているため、ランド部２２と半導体発光素子４０とを電気的に接続する接続配線部２３を設計し易くなる。

（７）制御回路素子実装部２１及び複数のランド部２２はそれぞれ、厚さ方向Ｚからみて回路収容部９９の内部に配置されている。この構成によれば、制御回路素子６０と複数のランド部２２とをそれぞれ電気的に接続する接続部材６２とケース７０（第１側壁７１及び第１隔壁７６Ａ，７６Ｂ）との干渉を抑制できる。

（８）第１隔壁７６Ａ，７６Ｂは、厚さ方向Ｚに延びており、基板主面１０ｓと接触している。この構成によれば、第１半導体発光素子４１及び第６半導体発光素子４６の光が回路収容部９９に漏れることを一層抑制できる。

（９）第１隔壁７６Ａ，７６Ｂは、ケース７０と一体に形成されている。この構成によれば、第１隔壁７６Ａ，７６Ｂとケース７０との間に継ぎ目がないため、第１半導体発光素子４１及び第６半導体発光素子４６の光が回路収容部９９に漏れることを一層抑制できる。

（１０）複数の素子収容部９０のうちの隣り合う素子収容部同士は、遮光性の第２隔壁７７によって仕切られている。この構成によれば、隣り合う素子収容部９０の一方に配置された半導体発光素子４０の光が隣り合う素子収容部９０の他方に漏れることを抑制できる。

（１１）第２隔壁７７は、厚さ方向Ｚに伸びており、基板主面１０ｓと接触している。この構成によれば、隣り合う素子収容部９０の一方に配置された半導体発光素子４０の光が隣り合う素子収容部９０の他方に漏れることを一層抑制できる。

（１２）第２隔壁７７は、ケース７０と一体に形成されている。この構成によれば、第２隔壁７７とケース７０との間に継ぎ目がないため、隣り合う素子収容部９０の一方に配置された半導体発光素子４０の光が隣り合う素子収容部９０の他方に漏れることを一層抑制できる。

（１３）厚さ方向Ｚからみて、回路収容部９９は、第１開口部８１及び第６開口部８６と重なっている部分を有する。この構成によれば、ケース７０の横方向Ｘ及び縦方向Ｙの大型化を抑制しつつ、制御回路素子６０を内蔵できる。

（１４）縦方向Ｙにおいて回路収容部９９のうちの第２素子収容部９２側には傾斜面９９ｘを有する。この構成によれば、ケース７０における回路収容部９９と第２開口部８２との間の部分の厚さが薄くなることを抑制できる。したがって、ケース７０の強度の低下を抑制できる。

（１５）第１開口部８１は、回路収容部９９側の傾斜面８１ａと、回路収容部９９とは反対側の傾斜面８１ｂとを有する。厚さ方向Ｚに対する傾斜面８１ａの傾斜角度θ１は、厚さ方向Ｚに対する傾斜面８１ｂの傾斜角度θ２よりも大きい。この構成によれば、ケース７０における第１開口部８１と回路収容部９９との間の部分の厚さが薄くなることを抑制できる。したがって、ケース７０の強度の低下を抑制できる。

また、第６開口部８６は、回路収容部９９側の傾斜面８６ａと、回路収容部９９とは反
対側の傾斜面８６ｂとを有する。厚さ方向Ｚに対する傾斜面８６ａの傾斜角度θ３は、厚さ方向Ｚに対する傾斜面８６ｂの傾斜角度θ４よりも大きい。この構成によれば、ケース７０における第６開口部８６と回路収容部９９との間の部分の厚さが薄くなることを抑制できる。したがって、ケース７０の強度の低下を抑制できる。

（１６）厚さ方向Ｚからみて、制御回路素子６０は、第１開口部８１及び第６開口部８６と重なっている部分を有する。この構成によれば、基板１０の横方向Ｘ及び縦方向Ｙの大型化を抑制しつつ、制御回路素子６０を内蔵できる。

（１７）回路収容部９９と隣り合う第１素子収容部９１に収容された第１半導体発光素子４１は、横方向Ｘにおいて第１開口部８１の横方向Ｘの中央部よりも回路収容部９９とは反対側に配置されている。この構成によれば、平面視において第１開口部８１の連通部８１ｃと重なる部分に第１半導体発光素子４１を配置できる。したがって、第１半導体発光素子４１の光を第１開口部８１の連通部８１ｃを介して好適に透過できる。

また、回路収容部９９と隣り合う第６素子収容部９６に収容された第６半導体発光素子４６は、第６開口部８６の長辺方向において第６開口部８６の中央部よりも回路収容部９９とは反対側に配置されている。この構成によれば、平面視において第６開口部８６の連通部８６ｃと重なる部分に第６半導体発光素子４６を配置できる。したがって、第６半導体発光素子４６の光を第６開口部８６の連通部８６ｃを介して好適に透過できる。

（１８）回路収容部９９と隣り合う第１素子収容部９１に配置された第１電極２４ａ及び第２電極２５ａは、第１開口部８１の長辺方向（横方向Ｘ）と交差する方向である縦方向Ｙに配列されている。この構成によれば、第２電極２５ａが第１素子収容部９１と第２素子収容部９２とを仕切る第２隔壁７７から離れて配置できるため、第１半導体発光素子４１と第２電極２５ａとを接続する接続部材４９と第２隔壁７７との接触を抑制できる。

また、回路収容部９９と隣り合う第６素子収容部９６に配置された第１電極２４ｆ及び第２電極２５ｆは、第６開口部８６の長辺方向と交差する方向（横方向Ｘ）に配列されている。この構成によれば、第２電極２５ｆが第６素子収容部９６と第７素子収容部９７とを仕切る第２隔壁７７から離れて配置できるため、第６半導体発光素子４６と第２電極２５ｆとを接続する接続部材４９と第２隔壁７７との接触を抑制できる。

（１９）複数の素子収容部９０はそれぞれ、中空空間を有する。この構成によれば、厚さ方向Ｚにおいて素子収容部９０から開口部８０までの間における半導体発光素子４０の光の拡散を抑制できる。したがって、半導体発光素子４０の光が開口部８０に照射され易くなる。

（２０）開口部８０には透光樹脂１００が充填されている。この構成によれば、半導体発光素子４０の光が透光樹脂１００によって拡散されるため、開口部８０における発光むらを抑制できる。また、透光樹脂１００は光拡散材を含んでもよい。これにより、開口部８０において、発光むらをより抑制できるため、より均一な発光を得ることができる。

（２１）縦方向Ｙにおいて、第６半導体発光素子４６と第２半導体発光素子４２とが揃った状態となる。この構成によれば、第６開口部８６の発光態様と第２開口部８２の発光態様とのばらつきを抑制できる。

（２２）ケース７０の突出部７８，７９の溶着部７８ａ，７９ａはそれぞれ、厚さ方向Ｚにおいて基板裏面１０ｒよりも基板主面１０ｓ側に位置している。この構成によれば、溶着部７８ａ，７９ａが基板裏面１０ｒから厚さ方向Ｚに突出していないため、表面実装
型の半導体発光装置１を例えば配線基板に好適に実装できる。

（変更例）
上記実施形態は本開示に関する半導体発光装置が取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関する半導体発光装置は、上記実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、上記実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、又は上記実施形態に新たな構成を付加した形態である。以下の変更例において、上記実施形態と共通する部分については、上記実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

・上記実施形態において、基板１０における制御回路素子６０の配置位置は任意に変更可能である。一例では、図１９に示すように、制御回路素子６０は、基板１０の第２基板側面１２側かつ第４基板側面１４側に配置されてもよい。より詳細には、制御回路素子６０は、第３半導体発光素子４３よりも第４基板側面１４側かつ第４半導体発光素子４４よりも第２基板側面１２側となるように配置されてもよい。図１９に示す制御回路素子６０は、縦方向Ｙからみて、第１半導体発光素子４１、第２半導体発光素子４２、第３半導体発光素子４３、第１電流制限抵抗５１、第２電流制限抵抗５２、第３電流制限抵抗５３、及び第７電流制限抵抗５７と重なっている。また制御回路素子６０は、横方向Ｘからみて、第４半導体発光素子４４及び第４電流制限抵抗５４と重なっている。この場合、半導体発光装置１から第８半導体発光素子４８及び第８電流制限抵抗５８を省略し、ケース７０から第８開口部８８を省略している。

また図１９に示す制御回路素子６０が電気的に接続される複数のランド部２２は、制御回路素子実装部２１に対して第１基板側面１１側、第２基板側面１２側、及び第３基板側面１３側に配置されている。換言すると、複数のランド部２２は、制御回路素子実装部２１に対して第４基板側面１４側には配置されていない。

また別例では、図示しないが、制御回路素子６０は、基板１０において第１開口部８１、第２開口部８２、第６開口部８６、及び第７開口部８７によって囲まれた領域、又は、第３開口部８３、第４開口部８４、第５開口部８５、及び第７開口部８７によって囲まれた領域に配置されてもよい。

・上記実施形態において、制御回路素子６０の配置向きは任意に変更可能である。一例では、制御回路素子６０は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となるように配置されてもよい。このように、制御回路素子６０は、制御回路素子６０の長辺方向が回路収容部９９の長辺方向とは異なり、制御回路素子６０の短辺方向が回路収容部９９の短辺方向と異なるように配置されてもよい。

・上記実施形態において、回路収容部９９に対する制御回路素子６０の配置位置は任意に変更可能である。一例では、制御回路素子６０は、回路収容部９９の縦方向Ｙの中央部かつ横方向Ｘの中央部に配置されてもよい。また別例では、制御回路素子６０は、回路収容部９９の横方向Ｘの中央部に対して第２基板側面１２側に偏寄して配置されてもよい。また別例では、制御回路素子６０は、回路収容部９９の縦方向Ｙの中央部に対して第４基板側面１４側に偏寄して配置されてもよい。

・上記実施形態において、基板１０の基板主面１０ｓに形成された配線部２０の構成は、図４に示す配線部２０の構成に限られず、任意に変更可能である。
第１例では、各第１電極２４及び各第２電極２５の配列方向は任意に変更可能である。例えば、第１半導体発光素子４１が実装される第１電極２４ａと第２電極２５ａとが縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されてもよい。第２半導体発光素子４２が実
装される第１電極２４ｂと第２電極２５ｂとが横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに離間して配置されてもよい。第３半導体発光素子４３が実装される第１電極２４ｃと第２電極２５ｃとが横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに離間して配置されてもよい。第４半導体発光素子４４が実装される第１電極２４ｄと第２電極２５ｄとが横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに離間して配置されてもよい。第５半導体発光素子４５が実装される第１電極２４ｅと第２電極２５ｅとが横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに離間して配置されてもよい。第６半導体発光素子４６が実装される第１電極２４ｆと第２電極２５ｆとが横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに離間して配置されてもよい。第７半導体発光素子４７が実装される第１電極２４ｇと第２電極２５ｇとが横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに離間して配置されてもよい。第８半導体発光素子４８が実装される第１電極２４ｈと第２電極２５ｈとが縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されてもよい。

第２例では、各第３電極２６及び各第４電極２７の配列方向は任意に変更可能である。例えば、第１電流制限抵抗５１が実装される第３電極２６ａと第４電極２７ａとが縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されてもよい。第２電流制限抵抗５２が実装される第３電極２６ｂと第４電極２７ｂとが横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに離間して配置されてもよい。第３電流制限抵抗５３が実装される第３電極２６ｃと第４電極２７ｃとが横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに離間して配置されてもよい。第４電流制限抵抗５４が実装される第３電極２６ｄと第４電極２７ｄとが横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに離間して配置されてもよい。第５電流制限抵抗５５が実装される第３電極２６ｅと第４電極２７ｄとが横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに離間して配置されてもよい。第６電流制限抵抗５６が実装される第３電極２６ｆと第４電極２７ｆとが横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに離間して配置されてもよい。第７電流制限抵抗５７が実装される第３電極２６ｇと第４電極２７ｇとが横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに離間して配置されてもよい。第８電流制限抵抗５８が実装される第３電極２６ｈと第４電極２７ｈとが横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに離間して配置されてもよい。

・上記実施形態において、制御回路素子実装部２１の周囲に配置された複数のランド部２２の配置態様は任意に変更可能である。一例では、１又は複数のランド部２２が制御回路素子実装部２１に対して第３基板側面１３側に配置されていてもよい。

・上記実施形態において、端子３１の個数は任意に変更可能である。端子３１は、少なくとも４個あればよい。
・上記実施形態において、第１開口部８１〜第７開口部８７に充填される透光樹脂１００は、第１開口部８１〜第７開口部８７の厚さ方向Ｚの一部のみに形成されてもよい。

・上記実施形態において、ケース７０と透光樹脂１００，１０１とが２色成形によって形成されてもよい。これにより、第１開口部８１〜第７開口部８７のそれぞれに透光樹脂１００が設けられ、第８開口部８８に透光樹脂１０１が設けられる。

・上記実施形態において、第８半導体発光素子４８及び第８電流制限抵抗５８を省略してもよい。この場合、ケース７０から第８開口部８８が省略される。
・上記実施形態において、第１隔壁７６Ａ，７６Ｂの少なくとも一方が基板主面１０ｓと接触していなくてもよい。換言すると、第１隔壁７６Ａ，７６Ｂの少なくとも一方と基板主面１０ｓとの厚さ方向Ｚの間には、制御回路素子６０が誤作動しない程度の第１半導体発光素子４１及び第６半導体発光素子４６の光が制御回路素子６０側に漏れるような隙間が形成されてもよい。

・上記実施形態において、複数の第２隔壁７７のうちの少なくとも１つの第２隔壁７７が基板主面１０ｓと接触していなくてもよい。換言すると、第２隔壁７７と基板主面１０
ｓとの厚さ方向Ｚの間には、隣り合う素子収容部９０のうちの一方に収容された半導体発光素子４０の光が他方の素子収容部９０と連通する開口部における発光態様に影響しない程度に漏れるような隙間が形成されてもよい。

・上記実施形態において、第１隔壁７６Ａ，７６Ｂの少なくとも一方がケース７０とは別に設けられてもよい。
・上記実施形態において、複数の第２隔壁７７のうちの少なくとも１つの第２隔壁７７がケース７０とは別に設けられてもよい。

・上記実施形態において、厚さ方向Ｚからみて回路収容部９９と第１開口部８１及び第６開口部８６が重ならなくてもよい。例えば本実施形態の半導体発光装置１のサイズよりも大きいサイズの半導体発光装置１の場合、スペースに余裕があるため、回路収容部９９が第１開口部８１及び第６開口部８６と重ならないように形成できる。

・上記実施形態において、基板１０の基板主面１０ｓにケース７０を接着剤によって取り付けてもよい。この場合、突出部７８，７９がケース７０から省略される。
・上記実施形態において、基板１０に樹脂材料をモールド成形することによってケース７０を形成してもよい。すなわち、基板１０とケース７０とを一体に形成してもよい。この場合、突出部７８，７９がケース７０から省略される。

・上記実施形態において、第１開口部８１〜第７開口部８７からなる８の字が縦方向Ｙに対して傾斜していなくてもよい。この場合、８の字が形成される領域の長手方向は、第３基板側面１３及び第４基板側面１４の一方から第３基板側面１３及び第４基板側面１４の他方に向かう方向である。すなわち、８の字が形成される領域の長手方向は、基板１０の長辺方向と一致する。

・上記実施形態において、回路収容部９９の厚さ方向Ｚの寸法は任意に変更可能である。一例では、回路収容部９９の厚さ方向Ｚの寸法は、素子収容部９０の厚さ方向Ｚの寸法よりも小さくてもよい。

・上記実施形態において、厚さ方向Ｚからみた回路収容部９９の形状は任意に変更可能である。一例では、厚さ方向Ｚからみた回路収容部９９の形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状であってもよい。

・上記実施形態では、半導体発光装置１を７セグメントタイプとして構成したが、半導体発光装置１の発光態様（表示態様）はこれに限定されない。半導体発光装置１は、基板と、基板に実装された複数の半導体発光素子と、複数の半導体発光素子の点灯及び消灯を制御する制御回路素子と、複数の半導体発光素子と制御回路素子とを電気的に接続する導電部としての接続配線部と、複数の半導体発光素子及び制御回路素子を覆うケースとを少なくとも備えていればよい。

１…半導体発光装置
１０…基板
１０ｓ…基板主面
１０ｒ…基板裏面
１１…第１基板側面
１２…第２基板側面
１３…第３基板側面
１４…第４基板側面
１５，１６…取付孔
１７，１８…ザグリ部
２０…配線部
２１…制御回路素子実装部
２２…ランド部
２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ…ランド部
２３…接続配線部
２４…第１電極
２４ａ〜２４ｈ…第１電極
２５…第２電極
２５ａ〜２５ｈ…第２電極
２６…第３電極
２６ａ〜２６ｈ…第３電極
２７…第４電極
２７ａ〜２７ｈ…第４電極
３１…端子
３１Ａ〜３１Ｉ…端子
４０…半導体発光素子
４１…第１半導体発光素子（半導体発光素子）
４２…第２半導体発光素子（半導体発光素子）
４３…第３半導体発光素子（半導体発光素子）
４４…第４半導体発光素子（半導体発光素子）
４５…第５半導体発光素子（半導体発光素子）
４６…第６半導体発光素子（半導体発光素子）
４７…第７半導体発光素子（半導体発光素子）
４８…第８半導体発光素子（半導体発光素子）
４９…接続部材
５０…電流制限抵抗
５１…第１電流制限抵抗（電流制限抵抗）
５２…第２電流制限抵抗（電流制限抵抗）
５３…第３電流制限抵抗（電流制限抵抗）
５４…第４電流制限抵抗（電流制限抵抗）
５５…第５電流制限抵抗（電流制限抵抗）
５６…第６電流制限抵抗（電流制限抵抗）
５７…第７電流制限抵抗（電流制限抵抗）
５８…第８電流制限抵抗（電流制限抵抗）
６０…制御回路素子
６２…接続部材
７０…ケース
７１…第１側壁（側壁）
７２…第２側壁（側壁）
７３…第３側壁（側壁）
７４…第４側壁（側壁）
７５…天壁
７６Ａ，７６Ｂ…第１隔壁
７７…第２隔壁
７８，７９…突出部
８０…開口部
８１…第１開口部（７つの開口部）
８１ａ…傾斜面（両側面）
８１ｂ…傾斜面（両側面）
８２…第２開口部（７つの開口部）
８３…第３開口部（７つの開口部）
８４…第４開口部（７つの開口部）
８５…第５開口部（７つの開口部）
８６…第６開口部（７つの開口部）
８６ａ…傾斜面（両側面）
８６ｂ…傾斜面（両側面）
８７…第７開口部（７つの開口部）
８８…第８開口部（７つの開口部とは別の開口部）
９０…素子収容部
９１…第１素子収容部（素子収容部）
９２…第２素子収容部（素子収容部）
９３…第３素子収容部（素子収容部）
９４…第４素子収容部（素子収容部）
９５…第５素子収容部（素子収容部）
９６…第６素子収容部（素子収容部）
９７…第７素子収容部（素子収容部）
９８…第８素子収容部（素子収容部）
９９…回路収容部
９９ｘ…傾斜面
１００…透光樹脂
１０１…透光樹脂
θ１，θ２，θ３，θ４…傾斜角度
Ｘ…横方向（基板の短辺方向）
Ｙ…縦方向（基板の長辺方向）
Ｚ…厚さ方向

Claims (42)

1. 厚さ方向において互いに反対側を向く基板主面及び基板裏面を有する基板と、
   前記基板主面に実装された複数の半導体発光素子と、
   前記基板主面に実装されており、前記複数の半導体発光素子の点灯及び消灯の切り替えを制御する制御回路素子と、
   前記複数の半導体発光素子及び前記制御回路素子を覆うものであって、前記複数の半導体発光素子の光が通過する開口部を有するケースと、
   を備え、
   前記基板には、前記複数の半導体発光素子と前記制御回路素子とを電気的に接続する導電部が形成されている
   半導体発光装置。
2. 前記ケースには、それぞれが直線状であり、かつ、前記厚さ方向からみて８の字に配置された、前記厚さ方向に貫通する７つの前記開口部が設けられており、
   前記厚さ方向において、前記基板のうちの前記７つの開口部とそれぞれ重なる部分には、前記半導体発光素子が配置されている
   請求項１に記載の半導体発光装置。
3. 前記基板は、前記厚さ方向からみて長辺方向及び短辺方向を有する矩形状に形成されており、前記長辺方向に沿う第１基板側面及び第２基板側面と、前記短辺方向に沿う第３基板側面及び第４基板側面とを有し、
   前記７つの開口部によって構成される前記８の字は、互いに交差する長手方向及び短手方向を有し、
   前記８の字の前記長手方向は、前記第３基板側面及び前記第４基板側面の一方から前記第３基板側面及び前記第４基板側面の他方に向かう方向であり、
   前記８の字の前記短手方向は、前記第１基板側面及び前記第２基板側面の一方から前記第１基板側面及び前記第２基板側面の他方に向かう方向である
   請求項２に記載の半導体発光装置。
4. 前記８の字は、前記第４基板側面から前記第３基板側面に向かうにつれて前記第１基板側面から前記第２基板側面に向けて傾斜するように形成されている
   請求項３に記載の半導体発光装置。
5. 前記制御回路素子は、前記基板主面のうちの前記第１基板側面側かつ前記第３基板側面側の部分に配置されている
   請求項４に記載の半導体発光装置。
6. 前記ケースには、前記７つの開口部とは別の開口部が設けられており、
   前記別の開口部と重なる部分には、前記半導体発光素子が配置されており、
   前記別の開口部に配置された前記半導体発光素子は、前記基板主面のうちの前記第２基板側面側かつ前記第４基板側面側の部分に配置されている
   請求項５に記載の半導体発光装置。
7. 前記ケースは、前記制御回路素子を収容する回路収容部を有する
   請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
8. 前記厚さ方向からみて、前記回路収容部は、前記開口部と重なっている部分を有する
   請求項７に記載の半導体発光装置。
9. 前記厚さ方向からみて前記開口部のうちの前記回路収容部と重なっている部分は、前記ケースを前記厚さ方向に貫通していない
   請求項８に記載の半導体発光装置。
10. 前記厚さ方向からみて、前記ケースは、長辺方向及び短辺方向を有する矩形状であり、かつ前記ケースの長辺方向は前記基板の長辺方向と一致し、前記ケースの短辺方向は前記基板の短辺方向と一致しており、
    前記厚さ方向からみて、前記回路収容部の形状は、前記ケースの短辺方向が長辺方向となり、前記ケースの長辺方向が短辺方向となる矩形状である
    請求項７〜９のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
11. 前記ケースは、前記半導体発光素子を収容するとともに１つの前記開口部と連通する複数の素子収容部を有し、
    前記複数の素子収容部のうちの２つの素子収容部は、前記回路収容部と隣り合うように配置されており、
    前記２つの素子収容部と前記回路収容部とは、遮光性の第１隔壁によって仕切られている
    請求項７〜１０のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
12. 前記第１隔壁は、前記厚さ方向に延びており、前記基板主面と接触している
    請求項１１に記載の半導体発光装置。
13. 前記第１隔壁は、前記ケースと一体に形成されている
    請求項１１又は１２に記載の半導体発光装置。
14. 前記複数の素子収容部のうちの隣り合う素子収容部同士は、遮光性の第２隔壁によって仕切られている
    請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
15. 前記第２隔壁は、前記厚さ方向に延びており、前記基板主面と接触している
    請求項１４に記載の半導体発光装置。
16. 前記第２隔壁は、前記ケースと一体に形成されている
    請求項１４又は１５に記載の半導体発光装置。
17. 前記回路収容部のうちの前記ケースの長辺方向において前記素子収容部と隣り合う部分は、前記厚さ方向において前記基板に向かうにつれて前記ケースの長辺方向において前記回路収容部と隣り合う前記素子収容部に向けて傾斜する傾斜面を有する
    請求項１１〜１６のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
18. 前記厚さ方向からみて、前記傾斜面は、前記開口部と重なっている部分を有する
    請求項１７に記載の半導体発光装置。
19. 前記傾斜面は、前記第１隔壁と一体に形成されている
    請求項１７又は１８に記載の半導体発光装置。
20. 前記ケースは、４つの側壁と天壁とからなる箱状に形成されており、
    前記基板は、前記厚さ方向からみて長辺方向及び短辺方向を有する矩形状に形成されており、前記基板の長辺方向に沿う第１基板側面及び第２基板側面と、前記基板の短辺方向に沿う第３基板側面及び第４基板側面とを有し、
    前記制御回路素子は、前記第１基板側面及び前記第２基板側面のうちの一方側かつ前記第３基板側面及び前記第４基板側面のうちの一方側に配置されており、
    前記回路収容部は、前記４つの側壁のうちの２つの側壁と２つの前記第１隔壁とによって構成されている
    請求項１１〜１９のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
21. 前記制御回路素子は、長辺方向及び短辺方向を有する矩形状となるチップであり、前記制御回路素子の長辺方向が前記回路収容部の長辺方向と一致し、前記制御回路素子の短辺方向が前記回路収容部の短辺方向と一致するように配置されている
    請求項２０に記載の半導体発光装置。
22. 前記基板主面には、前記制御回路素子が実装される制御回路素子実装部と、前記制御回路素子実装部の周囲に配置された複数のランド部とが設けられており、
    前記複数のランド部は、前記基板の短辺方向において前記制御回路素子実装部の両側に設けられており、前記基板の長辺方向において前記制御回路素子実装部の片側に設けられている
    請求項２０又は２１に記載の半導体発光装置。
23. 前記制御回路素子は、前記回路収容部の中央部に対して前記第１基板側面及び前記第２基板側面のうちの一方側かつ前記第３基板側面及び前記第４基板側面のうちの一方側に偏寄して配置されている
    請求項２０〜２２のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
24. 前記基板主面には、前記制御回路素子が実装される制御回路素子実装部と、前記制御回路素子実装部の周囲に配置された複数のランド部とが設けられており、
    前記複数のランド部は、前記基板の短辺方向において、前記制御回路素子実装部に対して前記第１基板側面側及び前記第２基板側面側にそれぞれ設けられており、前記基板の長辺方向において、前記制御回路素子実装部に対して前記第３基板側面及び前記第４基板側面のうちの他方側に設けられている
    請求項２３に記載の半導体発光装置。
25. 前記制御回路素子実装部及び前記複数のランド部はそれぞれ、前記厚さ方向からみて、前記回路収容部の内部に配置されている
    請求項２４に記載の半導体発光装置。
26. 前記厚さ方向からみて、前記制御回路素子は、前記開口部と重なっている部分を有する
    請求項１〜２５のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
27. 前記開口部の長辺方向の両側面は、前記厚さ方向において前記基板に向かうにつれて互いに近づくテーパ状に形成されている
    請求項１〜２６のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
28. 前記ケースは、
    前記制御回路素子を収容する回路収容部と、
    前記半導体発光素子を収容するとともに１つの前記開口部と連通する複数の素子収容部と、
    を有し、
    前記回路収容部と隣り合う前記素子収容部と連通する前記開口部は、前記両側面のうちの前記回路収容部側の第１側面の前記厚さ方向に対する傾斜角度が前記両側面のうちの前記回路収容部とは反対側の第２側面の前記厚さ方向に対する傾斜角度よりも大きい
    請求項２７に記載の半導体発光装置。
29. 前記ケースは、
    前記制御回路素子を収容する回路収容部と、
    前記半導体発光素子を収容するとともに１つの前記開口部と連通する複数の素子収容部と、
    を有し、
    前記複数の素子収容部は、前記回路収容部と隣り合う素子収容部を含み、
    前記回路収容部と隣り合う素子収容部に収容された前記半導体発光素子は、前記厚さ方向からみて、前記開口部の長辺方向の中央部よりも前記回路収容部とは反対側に配置されている
    請求項１〜２８のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
30. 前記基板主面における前記半導体発光素子が実装される領域には、互いに離間する第１電極及び第２電極が設けられており、
    前記ケースは、
    前記制御回路素子を収容する回路収容部と、
    前記半導体発光素子を収容するとともに１つの前記開口部と連通する複数の素子収容部と、
    を有し、
    前記複数の素子収容部は、前記回路収容部と隣り合う素子収容部を含み、
    前記回路収容部に隣り合う素子収容部に収容された前記半導体発光素子が実装される領域における前記第１電極及び前記第２電極は、前記回路収容部に隣り合う前記素子収容部に連通する前記開口部の長辺方向と交差する方向に配列されている
    請求項１〜２９のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
31. ７つの前記素子収容部のうちの前記回路収容部と隣り合う１つの前記素子収容部以外の６つの前記素子収容部に収容される前記半導体発光素子が実装される前記第１電極及び前記第２電極の配列方向は互いに同じである
    請求項３０に記載の半導体発光装置。
32. 前記半導体発光素子に電気的に接続された電流制限抵抗をさらに備える
    請求項１〜３１のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
33. 前記ケースは、前記半導体発光素子を収容するとともに１つの前記開口部と連通する複数の素子収容部を有し、
    前記電流制限抵抗は、前記素子収容部に収容されている
    請求項３２に記載の半導体発光装置。
34. 前記ケースは、前記制御回路素子を収容する回路収容部を有し、
    前記複数の素子収容部は、前記回路収容部と隣り合う素子収容部を含み、
    前記基板主面における前記電流制限抵抗が実装される領域には、互いに離間する第３電極及び第４電極が設けられており、
    前記回路収容部に隣り合う素子収容部に収容された前記電流制限抵抗が実装される領域における前記第３電極及び前記第４電極は、前記回路収容部に隣り合う前記素子収容部に連通する前記開口部の長辺方向と交差する方向に配列されている
    請求項３３に記載の半導体発光装置。
35. 前記ケースは、前記半導体発光素子を収容するとともに１つの前記開口部と連通する複数の素子収容部を有し、
    前記開口部に充填された透光樹脂をさらに備え、
    前記複数の素子収容部はそれぞれ、中空空間を有する
    請求項１〜３４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
36. 前記透光樹脂は、光拡散材を含む
    請求項３５に記載の半導体発光装置。
37. 前記基板裏面には、複数の端子が設けられている
    請求項１〜３６のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
38. 前記厚さ方向からみて、前記基板は、長辺方向及び短辺方向を有する矩形状に形成されており、
    前記複数の端子は、前記基板裏面のうちの前記基板の長辺方向の両端部に設けられている
    請求項３７に記載の半導体発光装置。
39. 前記ケースは、前記基板に取り付けられている
    請求項１〜３８のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
40. 前記基板は、前記厚さ方向において前記基板を貫通する取付孔を有し、
    前記ケースは、前記取付孔に挿入されるとともに前記基板裏面側から前記取付孔の周縁と接触している突出部を有する
    請求項３９に記載の半導体発光装置。
41. 前記突出部の先端部は、前記厚さ方向において前記基板裏面よりも前記基板主面側に位置している
    請求項４０に記載の半導体発光装置。
42. 前記半導体発光素子は、発光ダイオードである
    請求項１〜４１のいずれか一項に記載の半導体発光装置。