JP7272879B2 - 配線基板製造方法及び配線基板の中間構造体 - Google Patents

Description

本発明は、配線基板製造方法及び配線基板の中間構造体に関する。

従来、例えば絶縁性樹脂からなる絶縁層と銅などの金属からなる配線層とを有する薄膜層を積層した配線基板が知られている。このような配線基板の製造過程では、セミアディティブプロセスが採用されることがある。すなわち、各薄膜層の配線層が形成される際には、絶縁層の上面にレジストが塗布され、パターニングが行われる。そして、例えば電解銅めっきによって微細な配線パターンの配線層が形成された後、レジストが除去される。

このような薄膜層を積層した配線基板は、例えばガラスなどを材料とする支持体上で作製され、デパネルされることがある。すなわち、支持体上で薄膜層を積層し、完成した配線基板を支持体から剥離することがある。

特開２００７－１５０１７１号公報

ところで、上述したセミアディティブプロセスにおいて、レジストは、例えばスピンコータによって塗布され、プリベークと呼ばれる工程で加熱されて固化される。しかしながら、プリベークにおける熱が配線基板全体に一様に伝導せず、レジストの固化状態にむらが生じるという問題がある。この結果、パターニングの精度が低下し、例えば配線層の配線幅などにばらつきが生じることがある。

特に、支持体上で薄膜層が積層される場合には、例えばホットプレートにより支持体の下方から加熱されても支持体の上面に形成される薄膜層に熱が十分に伝導せず、レジストの加熱が不十分になることがある。このため、レジストの固化状態が安定せず、微細な配線が困難になる。

開示の技術は、かかる点に鑑みてなされたものであって、配線の精度を向上し微細配線を実現することができる配線基板製造方法及び配線基板の中間構造体を提供することを目的とする。

本願が開示する配線基板製造方法は、１つの態様において、支持体の側面、及び前記支持体の下面側を被覆する金属層を形成する工程と、前記支持体の上面側に形成され、前記金属層と接続するシード層を形成する工程と、前記シード層上に未硬化のレジストを形成する工程と、前記金属層を加熱し、前記金属層から前記シード層へ伝導する熱によって前記レジストを硬化する工程と、前記レジストをパターニングする工程とを有する。

本願が開示する配線基板製造方法及び配線基板の中間構造体の１つの態様によれば、配線の精度を向上し微細配線を実現することができるという効果を奏する。

図１は、一実施の形態に係る基板の構造を示す図である。 図２は、一実施の形態に係る中間構造体の構成を示す図である。 図３は、一実施の形態に係る第１配線基板の製造方法を示すフロー図である。 図４は、ガラス支持体の具体例を示す図である。 図５は、パッド形成工程の具体例を示す図である。 図６は、ダイシング工程の具体例を示す図である。 図７は、フラッシュエッチング工程の具体例を示す図である。 図８は、絶縁層形成工程の具体例を示す図である。 図９は、ビアホール形成工程の具体例を示す図である。 図１０は、電解銅めっき工程の具体例を示す図である。 図１１は、化学機械研磨工程の具体例を示す図である。 図１２は、デパネルされた第１配線基板の構成を示す図である。 図１３は、接着層形成工程の具体例を示す図である。 図１４は、第２配線構造体形成方法を示すフロー図である。 図１５は、絶縁層形成工程の具体例を示す図である。 図１６は、シード形成工程の具体例を示す図である。 図１７は、レジスト形成工程の具体例を示す図である。 図１８は、プリベークについて説明する図である。 図１９は、電解銅めっき工程の具体例を示す図である。 図２０は、シード除去工程の具体例を示す図である。

以下、本願が開示する配線基板製造方法及び配線基板の中間構造体の一実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではない。

図１は、一実施の形態に係る基板の構造を示す図である。図１においては、一実施の形態に係る基板の断面を模式的に示している。図１に示す基板は、第１配線基板１００と第２配線基板２００とが積層されてなる積層型配線基板である。以下の説明においては、図１の第２配線基板２００から第１配線基板１００へ向かう方向が上であり、第１配線基板１００から第２配線基板２００へ向かう方向が下であるものとするが、第１配線基板１００及び第２配線基板２００は、例えば上下反転して製造及び使用されても良く、任意の姿勢で製造及び使用されて良い。

第１配線基板１００は、基層となる第１配線構造体１１０と、複数の薄膜層が積層された第２配線構造体１２０とを有する。第１配線構造体１１０の下面には、電極パッド１１１が形成される。電極パッド１１１は、例えば銅などの導電体により形成され、第１配線基板１００が第２配線基板２００に接合される際の接続端子となる。また、電極パッド１１１は、第２配線構造体１２０の配線とビア１１２を介して接続される。

第２配線基板２００は、コア層２１０と、コア層２１０の上面に積層されたビルドアップ層２２０と、コア層２１０の下面に積層されたビルドアップ層２３０とを有する。ビルドアップ層２２０の上面には、電極パッド２２１が形成され、ビルドアップ層２３０の下面には、電極パッド２３１が形成される。電極パッド２２１は、例えば銅などの導電体により形成され、第２配線基板２００が第１配線基板１００に接合される際の接続端子となる。電極パッド２３１は、例えば銅などの導電体により形成され、第２配線基板２００がマザーボード等の外部部品に接合される際の接続端子となる。また、コア層２１０の内部、ビルドアップ層２２０の内部及びビルドアップ層２３０の内部には、電極パッド２２１と電極パッド２３１とを電気的に接続する配線が形成される。

第１配線基板１００は、第２配線基板２００に搭載される。すなわち、第１配線基板１００の接続端子である電極パッド１１１と第２配線基板２００の接続端子である電極パッド２２１とが、はんだ２０１により接合されている。そして、第１配線基板１００の下面（つまり、第１配線構造体１１０の下面）と第２配線基板２００の上面との間に接着層１０１が形成され、接着層１０１は、第１配線基板１００の側面の一部を被覆した状態で第１配線基板１００と第２配線基板２００とを接着する。

このように接着層１０１及びはんだ２０１によって接合される第１配線基板１００と第２配線基板２００とは、別々に製造される。第１配線基板１００は、例えばガラスを材料とする支持体上で製造される。すなわち、ガラス支持体上で第１配線構造体１１０の上面に第２配線構造体１２０が積層されることにより第１配線基板１００が作製されると、ガラス支持体から第１配線基板１００がデパネルされる。

図２は、第１配線基板１００を製造する過程で形成される中間構造体の構成を示す図である。この中間構造体は、ガラス支持体３００と、ガラス支持体３００の下方に形成される絶縁層３１０と、ガラス支持体３００の上方に形成される第１配線構造体１１０と、第１配線構造体１１０の上面に積層される第２配線構造体１２０とを有する。また、中間構造体は、ガラス支持体３００、絶縁層３１０及び第１配線構造体１１０の側面と、絶縁層３１０の下面とを被覆する電解銅めっき層３２０を有する。

ガラス支持体３００は、上面が平坦な支持体であり、この上面に剥離層３０１、第１金属層３０２及び第２金属層３０３が形成されている。第１金属層３０２より上層が剥離層３０１から剥離されることにより、第１配線基板１００が得られる。第１金属層３０２は、例えばチタンなどの金属層であり、第２金属層３０３のエッチングに用いられるエッチング液に対してエッチング耐性を有する。第２金属層３０３は、例えば銅などの金属層であり、電極パッド１１１が形成される部分以外ではエッチングによって除去される。第１金属層３０２及び第２金属層３０３は、それぞれ例えばスパッタリングにより形成される。

絶縁層３１０は、例えば絶縁性樹脂からなる層であり、ガラス支持体３００の下方に形成されてガラス支持体３００を補強する。絶縁層３１０は、第１配線構造体１１０に含まれる絶縁層と同様の構造を有しても良く、第１配線構造体１１０及び第２配線構造体１２０の製造過程でガラス支持体３００が変形することを抑制する。

第１配線構造体１１０は、第１絶縁層１１３、第２絶縁層１１４及び第３絶縁層１１５を有する例えば厚さ６０μｍ程度の構造体である。第１絶縁層１１３は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂等の熱硬化により硬化する絶縁性樹脂を用いて形成される。第２絶縁層１１４は、第１絶縁層１１３の上方に隣接して積層され、ガラス繊維等の補強部材に絶縁性樹脂を含浸させて形成される。第２絶縁層１１４に補強部材が含まれることで、第１配線基板１００の強度が向上する。第２絶縁層１１４の補強部材に含浸される絶縁性樹脂は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂等の熱硬化により硬化する樹脂である。第３絶縁層１１５は、第２絶縁層１１４の上方に隣接して積層され、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂等の熱硬化により硬化する絶縁性樹脂を用いて形成される。

第１絶縁層１１３及び第２絶縁層１１４には、電極パッド１１１が埋設される。電極パッド１１１は、例えば銅などの導電体により形成され、第１配線基板１００が第２配線基板２００に接合される際の接続端子として用いられる。第２絶縁層１１４及び第３絶縁層１１５には、ビア１１２が埋設される。ビア１１２は、第２絶縁層１１４及び第３絶縁層１１５を貫通して、電極パッド１１１と第２配線構造体１２０の配線とを接続する。

第２配線構造体１２０は、第１薄膜層１２１、第２薄膜層１２２、第３薄膜層１２３及び第４薄膜層１２４を有する。ここでは、第１配線構造体１１０の上面に４層の薄膜層が積層されて第２配線構造体１２０が形成されるものとしたが、第１配線構造体１１０の上面に積層される薄膜層は４層でなくても良い。第１～４薄膜層１２１～１２４は、それぞれ例えば厚さ５μｍの絶縁層上に厚さ２μｍの微細配線を含む配線層１２５が形成されて構成される厚さ７μｍ程度の薄膜層である。第１～４薄膜層１２１～１２４の配線層１２５は、それぞれ絶縁層を貫通するビア１２６によって接続される。

第１～４薄膜層１２１～１２４の絶縁層は、例えば感光性の絶縁性樹脂を用いて形成される。それぞれの絶縁層の上方に微細な配線層１２５が形成される際には、絶縁層の上面にレジストが形成されてパターニング及び電解銅めっきが施される。レジスト形成時のプリベーク工程においては、例えばホットプレート上に中間構造体が載置されてレジストが加熱されるが、ホットプレートからの熱は電解銅めっき層３２０と各薄膜層１２１～１２４の表面のシードとを伝導し、レジストを満遍なく加熱する。第２配線構造体１２０の形成工程については、後に詳述する。

電解銅めっき層３２０は、ガラス支持体３００、絶縁層３１０及び第１配線構造体１１０の側面と、絶縁層３１０の下面とを被覆する。電解銅めっき層３２０は、例えば第１配線構造体１１０のビア１１２が電解銅めっきによって形成される際に同時に形成される。電解銅めっき層３２０が中間構造体の側面及び下面を被覆することにより、中間構造体の下方からの熱を第２配線構造体１２０へ伝導させることが可能になるとともに、絶縁層３１０の樹脂片などの欠落を防止することができる。

次に、図２に示す中間構造体を経て第１配線基板１００を製造する製造方法について、図３に示すフロー図を参照しながら具体的に説明する。

まず、第１配線基板１００を製造する支持体となるガラス支持体３００が準備される（ステップＳ１０１）。具体的には、例えば図４に示すように、ガラス支持体３００の平坦な上面に、剥離層３０１、第１金属層３０２及び第２金属層３０３が順に形成される。第１金属層３０２は、例えばチタンのスパッタリングにより形成され、第２金属層３０３は、例えば銅のスパッタリングにより形成される。

そして、第２金属層３０３の上方に電極パッド１１１が形成される（ステップＳ１０２）。具体的には、例えば図５に示すように、第２金属層３０３上に開口部１５１ａを有するレジスト層１５１が形成され、開口部１５１ａにおいて露出する第２金属層３０３上に、電解めっき法により電極パッド１１１が形成される。レジスト層１５１は、例えばドライフィルムレジストを用いて形成されており、開口部１５１ａは、例えばフォトリソグラフィ又はレーザ加工によって形成することが可能である。

そして、ガラス支持体３００及びレジスト層１５１の外周部がダイシング加工される（ステップＳ１０３）。具体的には、例えば図６に示すように、ガラス支持体３００の上方部分の外周が剥離層３０１、第１金属層３０２、第２金属層３０３及びレジスト層１５１とともに切削される。これにより、後の工程で第１金属層３０２及び第２金属層３０３の外周が第１配線構造体１１０の第１絶縁層１１３によって被覆されて保護され、第１配線基板１００の製造途中における第１金属層３０２又は第２金属層３０３の剥離を防止することができる。

続いて、レジスト層１５１が除去されるとともに、フラッシュエッチングにより第２金属層３０３の不要な部分が除去される（ステップＳ１０４）。具体的には、第２金属層３０３を溶解するエッチング液によって、電極パッド１１１に接することなく露出する第２金属層３０３が溶解され、例えば図７に示すように、電極パッド１１１に接する部分以外では第１金属層３０２が露出する。

電極パッド１１１が形成されると、第１金属層３０２上に、電極パッド１１１を被覆する第１配線構造体１１０の絶縁層が形成される（ステップＳ１０５）。すなわち、例えば図８に示すように、第１金属層３０２上に、半硬化状態の第１絶縁層１１３、第２絶縁層１１４及び第３絶縁層１１５が順に積層され、第１絶縁層１１３及び第２絶縁層１１４によって電極パッド１１１が被覆される。また、第１配線構造体１１０の絶縁層と同様の絶縁層３１０がガラス支持体３００の下方にも形成される。このように、ガラス支持体３００の下方に上方と同じ構成の絶縁層が形成されることにより、ガラス支持体３００が補強され、反りなどの変形を防止することができる。ガラス支持体３００の上方及び下方に形成された絶縁層は熱硬化される。

そして、第１配線構造体１１０にビアホールが形成される（ステップＳ１０６）。具体的には、例えば図９に示すように、第２絶縁層１１４及び第３絶縁層１１５を貫通し電極パッド１１１の上面を露出させるビアホール１５２が形成される。ビアホール１５２は、例えばレーザ加工によって形成することが可能である。レーザ加工によって発生する絶縁性樹脂の残渣物（スミア）は、デスミア処理によって除去され、ガラス支持体３００、絶縁層３１０及び第１配線構造体１１０の外周表面に無電解銅めっき１５３が施される。

ビアホール１５２が形成されると、第１配線構造体１１０のビア１１２を形成するための電解銅めっきが施される（ステップＳ１０７）。すなわち、第１配線構造体１１０の上面（つまり、第３絶縁層１１５の上面）に、ビアホール１５２の位置に開口部を有するレジスト層が形成され、ガラス支持体３００に積層された中間構造体全体をめっき液に浸漬させて電解銅めっきが施される。このとき、ガラス支持体３００、絶縁層３１０及び第１配線構造体１１０の側面及び絶縁層３１０の下面が覆われないようにすることで、ビアホール１５２のみではなく、ガラス支持体３００、絶縁層３１０及び第１配線構造体１１０の側面及び絶縁層３１０の下面にも電解銅が析出する。

すなわち、例えば図１０に示すように、ビアホール１５２に電解銅が充填されてビア１１２が形成されるとともに、中間構造体の外周表面に電解銅めっき層３２０が形成される。したがって、絶縁層３１０の下面は、電解銅めっき層３２０ａによって被覆され、ガラス支持体３００、絶縁層３１０及び第１配線構造体１１０の側面は、電解銅めっき層３２０ｂによって被覆される。電解銅めっきの後、ビア１１２の位置に開口部を有するレジスト層は除去され、レジスト層に接していた無電解銅めっき１５３がフラッシュエッチングにより除去される。なお、ビア１１２及び電解銅めっき層３２０に接する無電解銅めっき１５３は、フラッシュエッチング後も残存するが、図１０においては図示を省略している。

そして、中間構造体の上面が化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）されることにより（ステップＳ１０８）、第１配線構造体１１０が完成する。具体的には、例えば図１１に示すように、上面１１０ａが平坦な第１配線構造体１１０がガラス支持体３００上に作製される。また、ガラス支持体３００、絶縁層３１０及び第１配線構造体１１０の側面及び絶縁層３１０の下面は、電解銅めっき層３２０により覆われている。電解銅めっき層３０２の上端面は、第１配線構造体１１０の上面１１０ａと同じ高さで露出している。

第１配線構造体１１０が完成すると、第１配線構造体１１０の上面１１０ａに第２配線構造体１２０が形成される（ステップＳ１０９）。すなわち、第１～４薄膜層１２１～１２４が第１配線構造体１１０上に順に積層され、微細配線を含む配線層１２５を有する第２配線構造体１２０が形成される。配線層１２５を形成する際にはレジストの塗布及びプリベークが行われるが、プリベーク時には電解銅めっき層３０２によって下方の熱が第２配線構造体１２０まで伝導し、レジストを満遍なく加熱して適切なプリベーク処理を行うことができる。第２配線構造体１２０の形成工程については、後に詳述する。

第２配線構造体１２０が形成されると、図２に示した中間構造体が得られる。すなわち、ガラス支持体３００上に第１配線構造体１１０及び第２配線構造体１２０が形成された中間構造体が形成される。第１配線構造体１１０及び第２配線構造体１２０は、第１配線基板１００を構成する。そこで、中間構造体から第１配線構造体１１０及び第２配線構造体１２０がデパネルされることにより（ステップＳ１１０）、第１配線基板１００が得られる。具体的には、例えば図１２に示すように、中間構造体の剥離層３０１から第１金属層３０２より上層が剥離されることにより、第１配線構造体１１０及び第２配線構造体１２０を有する第１配線基板１００が完成する。

第１配線基板１００を第２配線基板２００に接合する場合には、例えば図１３に示すように、第１金属層３０２が除去された上で接着層１０１が形成される（ステップＳ１１１）。そして、第１配線基板１００の電極パッド１１１と第２配線基板２００の電極パッド２２１とがはんだ２０１を介して接続するように、接着層１０１によって、第１配線基板１００と第２配線基板２００が接着される。これにより、図１に示した第１配線基板１００と第２配線基板２００とが積層されてなる積層型配線基板が完成する。

次に、第１配線基板１００の第２配線構造体１２０の形成工程について、図１４に示すフロー図を参照しながら具体的に説明する。

第１配線構造体１１０の上面はＣＭＰによって平坦になっているため、この上面に第１薄膜層１２１の絶縁層が形成される（ステップＳ２０１）。絶縁層は、感光性の絶縁性樹脂を用いて形成され、フォトリソグラフィによってビアホールが形成される。具体的には、例えば図１５に示すように、第１配線構造体１１０のビア１１２に対応する位置において、第１薄膜層１２１の絶縁層にビアホール１２１ａが形成される。また、絶縁層形成の際には、絶縁層が電解銅めっき層３２０の上端面を覆わないようにする。すなわち、電解銅めっき層３２０の上端面は、第１薄膜層１２１よりも外側で露出する。

そして、第１薄膜層１２１の絶縁層の表面に、例えば銅のスパッタリングによってシードが形成される（ステップＳ２０２）。このとき、シードは、第１配線構造体１１０の外側に露出する電解銅めっき層３２０の上端面に接続される。すなわち、例えば図１６に示すように、第１薄膜層１２１の絶縁層の表面を被覆するとともに、端部が電解銅めっき層３２０の上端面に接続するシード１２１ｂが形成される。

シード１２１ｂが形成されると、第１薄膜層１２１の配線層１２５を形成するためにレジストが形成される（ステップＳ２０３）。すなわち、例えば図１７に示すように、シード１２１ｂの上面にレジスト１５５が塗布され、プリベーク処理される。レジスト１５５の塗布には、例えばスピンコータが用いられる。プリベーク処理においては、中間構造体全体が例えばホットプレート上に載置され、ホットプレートからの熱によってレジスト１５５が加熱される。

具体的には、中間構造体は、例えば図１８に示すように、ホットプレート４００上に載置され、通気口４１０が負圧になることにより真空吸着される。これにより、中間構造体の下面を被覆する電解銅めっき層３２０ａがホットプレート４００に接触する。このとき、中間構造体の下面が電解銅めっき層３２０ａによって被覆されているため、中間構造体がホットプレート４００に真空吸着されても、絶縁層３１０が直接吸引されることがなく絶縁性樹脂片などが欠落することがない。この結果、クリーン度を維持することができ、歩留まりの低下を回避することができる。

ホットプレート４００上に載置された中間構造体が下方から加熱されると、熱は中間構造体の下面を被覆する電解銅めっき層３２０ａと中間構造体の側面を被覆する電解銅めっき層３２０ｂとを経由し、シード１２１ｂへ伝導する。結果として、シード１２１ｂの上面に塗布されたレジスト１５５が満遍なく加熱され、レジスト１５５全体が適切に固化される。すなわち、レジスト１５５は、全面にわたって接触するシード１２１ｂから加熱されるため、温度の局所的な高低差が発生せずに一様に固化される。

固化されたレジスト１５５には、パターニングによって微細配線の配線パターンが露光・現像され、電解銅めっきによって第１薄膜層１２１の配線層１２５及びビア１２６が形成される（ステップＳ２０４）。具体的には、例えば図１９に示すように、ビアホール１２１ａに電解銅が充填されてビア１２６が形成され、例えばラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）が２／２μｍの微細配線を有する配線層１２５が形成される。このような微細配線が可能なのは、プリベーク処理においてレジスト１５５が一様に固化されており、高精度のパターニングをすることができるためである。換言すれば、電解銅めっき層３２０及びシード１２１ｂによって、ホットプレートからの熱をレジスト１５５へ満遍なく伝導するプリベーク処理が行われるため、配線の精度を向上し微細配線を実現することができる。

電解銅めっきによって第１薄膜層１２１の配線層１２５及びビア１２６が形成されると、レジスト１５５が除去される（ステップＳ２０５）。さらに、エッチングによって不要なシード１２１ｂが除去され（ステップＳ２０６）、第２配線構造体１２０の第１薄膜層１２１が完成する。すなわち、例えば図２０に示すように、配線層１２５及びビア１２６に接する部分以外のシード１２１ｂが除去され、絶縁層、配線層１２５及びビア１２６を有する第１薄膜層１２１が第１配線構造体１１０上に積層される。

第２配線構造体１２０を形成する薄膜層は、複数積層されても良いため、薄膜層の積層が完了したか否かによって工程が終了するか否かが異なる（ステップＳ２０７）。すなわち、薄膜層の積層が完了していれば（ステップＳ２０７Ｙｅｓ）、第２配線構造体１２０が完成したことになり、上述したように第１配線構造体１１０及び第２配線構造体１２０からなる第１配線基板１００がデパネルされる。一方、薄膜層の積層が完了していなければ（ステップＳ２０７Ｎｏ）、上記の第１薄膜層１２１の形成と同様の工程が繰り返され、第２薄膜層１２２以降が形成される。

したがって、ここでは第１薄膜層１２１の上方に第２薄膜層１２２が形成され、第２薄膜層１２２の上方に第３薄膜層１２３が形成され、第３薄膜層１２３の上方に第４薄膜層が形成される。これらの薄膜層の配線層１２５を形成する際には、シードの上面にレジストが塗布されてプリベークされるが、シードと電解銅めっき層３２０が接続されているため、中間構造体の下方からの熱が電解銅めっき層３２０及びシードを伝導してレジストを満遍なく加熱する。結果として、レジストが適切に固化され、配線の精度を向上し微細配線を実現することができる。

以上のように、本実施の形態によれば、第１配線構造体及び第１配線構造体を支持する支持体の側面と、支持体の下面とが電解銅めっきによって被覆された中間構造体が形成される。そして、第１配線構造体の上方に第２配線構造体の配線が形成される際には、中間構造体の下方から電解銅めっきを伝導する熱によってレジストのプリベーク処理が行われる。このため、レジストが満遍なく加熱されて一様に固化され、高精度のパターニングをすることができる。結果として、配線の精度を向上し微細配線を実現することができる。

なお、上記一実施の形態においては、第２配線基板２００と接合される第１配線基板１００の製造について説明したが、第１配線基板１００は、必ずしも他の配線基板と接合されなくても良い。すなわち、第１配線基板１００が単独で使用されても良い。また、第１配線基板１００の製造時には、ガラス支持体３００の下方に絶縁層３１０を形成するものとしたが、ガラス支持体３００の反りなどの変形を防止できるのであれば、絶縁層３１０は必ずしも形成されなくても良い。

１１０ 第１配線構造体
１１１ 電極パッド
１１２、１２６ ビア
１１３ 第１絶縁層
１１４ 第２絶縁層
１１５ 第３絶縁層
１２０ 第２配線構造体
１２１ 第１薄膜層
１２１ａ ビアホール
１２１ｂ シード
１２２ 第２薄膜層
１２３ 第３薄膜層
１２４ 第４薄膜層
１２５ 配線層
１５５ レジスト
３００ ガラス支持体
３０１ 剥離層
３０２ 第１金属層
３０３ 第２金属層
３１０ 絶縁層
３２０ 電解銅めっき層

Claims (10)

1. 支持体の側面、及び前記支持体の下面側を被覆する金属層を形成する工程と、
   前記支持体の上面側に形成され、前記金属層と接続するシード層を形成する工程と、
   前記シード層上に未硬化のレジストを形成する工程と、
   前記金属層を加熱し、前記金属層から前記シード層へ伝導する熱によって前記レジストを硬化する工程と、
   前記レジストをパターニングする工程と
   を有することを特徴とする配線基板製造方法。
2. 前記金属層を形成する工程では、前記金属層をめっきにより形成すること
   を特徴とする請求項１記載の配線基板製造方法。
3. 前記金属層を形成する工程の前に、前記支持体の下面に補強絶縁層を形成する工程をさらに有し、
   前記金属層を形成する工程では、前記支持体の側面、前記補強絶縁層の側面、及び前記補強絶縁層の下面を被覆する金属層を形成すること
   を特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板製造方法。
4. 前記金属層を形成する工程の前に、前記支持体上に第１配線構造体を形成する工程をさらに有し、
   前記金属層を形成する工程では、前記第１配線構造体の側面をさらに被覆する金属層を形成すること
   を特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載の配線基板製造方法。
5. 前記第１配線構造体を形成する工程は、ビア形成工程を含み、
   前記金属層を形成する工程は、前記ビア形成工程と同時に行われること
   を特徴とする請求項４記載の配線基板製造方法。
6. 前記シード層を形成する工程の前に、前記第１配線構造体上に絶縁層を形成する工程をさらに有し、
   前記シード層を形成する工程では、前記絶縁層上にシード層を形成すること
   を特徴とする請求項４又は５に記載の配線基板製造方法。
7. 支持体と、
   前記支持体上に形成された第１配線構造体と、
   前記第１配線構造体の側面、前記支持体の側面、及び前記支持体の下面側を被覆する金属層と、
   前記支持体の上面側に形成され、前記金属層と接続するシード層と、
   前記シード層の上面に、前記シード層と接するように形成された熱硬化性のレジスト層と、
   を有することを特徴とする配線基板の中間構造体。
8. 前記第１配線構造体上に積層された第２配線構造体をさらに有することを特徴とする請求項７記載の配線基板の中間構造体。
9. 前記第１配線構造体は、熱硬化性樹脂からなる絶縁層を有し、
   前記第２配線構造体は、感光性樹脂からなる絶縁層を有すること
   を特徴とする請求項８記載の配線基板の中間構造体。
10. 前記支持体の下面に形成され、前記第１配線構造体の絶縁層と同じ材料からなる補強絶縁層をさらに有し、
    前記金属層は、前記補強絶縁層の側面、及び前記補強絶縁層の下面を被覆すること
    を特徴とする請求項７～９のいずれか１項に記載の配線基板の中間構造体。

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