JP2850650B2 - 多層配線基板のパターン形成方法 - Google Patents
多層配線基板のパターン形成方法Info
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- JP2850650B2 JP2850650B2 JP4181864A JP18186492A JP2850650B2 JP 2850650 B2 JP2850650 B2 JP 2850650B2 JP 4181864 A JP4181864 A JP 4181864A JP 18186492 A JP18186492 A JP 18186492A JP 2850650 B2 JP2850650 B2 JP 2850650B2
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- JP
- Japan
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- resist film
- substrate
- forming
- pattern
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度多層配線基板の
製造方法に関し、特にコンピュータ等の電子機器に使用
するための大規模集積回路（ＬＳＩ）装着用の高密度多
層配線基板の配線パターン形成方法に関する。
製造方法に関し、特にコンピュータ等の電子機器に使用
するための大規模集積回路（ＬＳＩ）装着用の高密度多
層配線基板の配線パターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の高密度多層配線基板の配
線パターン形成方法は、図２に示すように、基板１上に
金属薄膜２を形成する工程（図２（ａ））と、前記金属
薄膜２の全面に亘ってレジスト膜３をスピンコート法に
よって形成し、オーブンによって低温乾燥する工程（図
２（ｂ））と、前記レジスト膜３に、所定の部分を遮蔽
したガラスマスク６を介して紫外線を照射する工程（図
２（ｃ））と、前記紫外線を照射したレジスト膜３を現
像して前記紫外線が照射された部分のレジスト膜３を除
去する工程（図２（ｄ））と、前記レジスト膜３が除去
された部分にメッキ８を形成する工程（図２（ｅ））
と、前記レジスト膜３を剥離する工程（図２（ｆ））
と、前記金属薄膜２をドライエッチングにより除去する
工程（図２（ｇ））とを順次行っていた。
線パターン形成方法は、図２に示すように、基板１上に
金属薄膜２を形成する工程（図２（ａ））と、前記金属
薄膜２の全面に亘ってレジスト膜３をスピンコート法に
よって形成し、オーブンによって低温乾燥する工程（図
２（ｂ））と、前記レジスト膜３に、所定の部分を遮蔽
したガラスマスク６を介して紫外線を照射する工程（図
２（ｃ））と、前記紫外線を照射したレジスト膜３を現
像して前記紫外線が照射された部分のレジスト膜３を除
去する工程（図２（ｄ））と、前記レジスト膜３が除去
された部分にメッキ８を形成する工程（図２（ｅ））
と、前記レジスト膜３を剥離する工程（図２（ｆ））
と、前記金属薄膜２をドライエッチングにより除去する
工程（図２（ｇ））とを順次行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の多層
配線基板の配線パターン形成方法は、図２（ｂ）に示す
ようにオーブンでの低温乾燥による基板内の温度バラツ
キの影響を受けて、基板中央部はレジスト膜のベーキン
グが弱く、また基板外周部はレジスト膜のベーキングが
強い。
配線基板の配線パターン形成方法は、図２（ｂ）に示す
ようにオーブンでの低温乾燥による基板内の温度バラツ
キの影響を受けて、基板中央部はレジスト膜のベーキン
グが弱く、また基板外周部はレジスト膜のベーキングが
強い。
【０００４】このため、次の露光・現像工程を行うと、
図２（ｄ）に示すように、基板中央部のレジスト膜は現
像オーバーとなり、レジスト線幅太り９の現象が生じ、
一方、基板外周部のレジスト膜については抜け残り１０
の現象が生じる。特にレジスト膜厚が厚い場合に、この
傾向が顕著になる。
図２（ｄ）に示すように、基板中央部のレジスト膜は現
像オーバーとなり、レジスト線幅太り９の現象が生じ、
一方、基板外周部のレジスト膜については抜け残り１０
の現象が生じる。特にレジスト膜厚が厚い場合に、この
傾向が顕著になる。
【０００５】この状態でメッキを形成すると、図２
（ｅ）に示すように基板中央部はメッキ８による配線パ
ターンが太るため、隣りのパターンとショートしやすく
なるという欠点を有している。また、基板外周部はレジ
スト抜け残り１０の影響によりメッキ８が形成されなく
なるという欠点を有している。
（ｅ）に示すように基板中央部はメッキ８による配線パ
ターンが太るため、隣りのパターンとショートしやすく
なるという欠点を有している。また、基板外周部はレジ
スト抜け残り１０の影響によりメッキ８が形成されなく
なるという欠点を有している。
【０００６】本発明の目的は、高密度多層配線基板のレ
ジスト膜のベーキングを基板内で均一にすることによ
り、レジストの抜け残りをなくし、基板内で均一なレジ
スト線幅を確保する多層配線基板のパターン形成方法を
提供することにある。
ジスト膜のベーキングを基板内で均一にすることによ
り、レジストの抜け残りをなくし、基板内で均一なレジ
スト線幅を確保する多層配線基板のパターン形成方法を
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る多層配線基板のパターン形成方法は、
基板上に金属配線パターンを形成する多層配線基板の製
造方法において、基板上に金属薄膜を形成する工程と、
前記金属薄膜上にレジスト膜をスピンコート法により形
成する工程と、前記レジスト膜を弧状のカバーで覆い、
ホットプレートにより基板裏面から低温乾燥すると同時
に、前記弧状のカバーによりホットプレートからのふく
射熱量を基板中央部と外周部とで制御し、そのふく射熱
をレジスト膜に与えて乾燥させる工程と、前記レジスト
膜に所定の部分を遮蔽したガラスマスクを介して紫外線
を照射する工程と、前記紫外線を照射した部分のレジス
ト膜を現像してレジスト膜を除去し、パターンを形成す
る工程と、前記パターンにメッキを形成する工程と、前
記レジスト膜を剥離する工程と、前記金属薄膜をドライ
エッチングにより除去する工程とを有するものである。
め、本発明に係る多層配線基板のパターン形成方法は、
基板上に金属配線パターンを形成する多層配線基板の製
造方法において、基板上に金属薄膜を形成する工程と、
前記金属薄膜上にレジスト膜をスピンコート法により形
成する工程と、前記レジスト膜を弧状のカバーで覆い、
ホットプレートにより基板裏面から低温乾燥すると同時
に、前記弧状のカバーによりホットプレートからのふく
射熱量を基板中央部と外周部とで制御し、そのふく射熱
をレジスト膜に与えて乾燥させる工程と、前記レジスト
膜に所定の部分を遮蔽したガラスマスクを介して紫外線
を照射する工程と、前記紫外線を照射した部分のレジス
ト膜を現像してレジスト膜を除去し、パターンを形成す
る工程と、前記パターンにメッキを形成する工程と、前
記レジスト膜を剥離する工程と、前記金属薄膜をドライ
エッチングにより除去する工程とを有するものである。
【０００８】
【作用】レジスト膜を表面に塗布した基板の裏面をホッ
トプレートにより加熱して低温乾燥を行う。
トプレートにより加熱して低温乾燥を行う。
【０００９】一方、基板表面のレジスト膜を弧状のカバ
ーにより覆う。弧状のカバーは、その内面形状が基板表
面の外周部に対向する周縁部に対して、基板表面の中央
部に対向する中央部が中高となった凹状球面形状として
構成してあり、カバーの周縁部が基板表面の外周部に接
近し、かつカバーの中央部が基板表面の中央部から離れ
た状態で基板表面を覆う。
ーにより覆う。弧状のカバーは、その内面形状が基板表
面の外周部に対向する周縁部に対して、基板表面の中央
部に対向する中央部が中高となった凹状球面形状として
構成してあり、カバーの周縁部が基板表面の外周部に接
近し、かつカバーの中央部が基板表面の中央部から離れ
た状態で基板表面を覆う。
【００１０】この弧状カバーによりホットプレートから
のふく射熱を基板表面に与え、基板表面の中央部と外周
部とのベーキングの強さを改善し、均一なベーキングを
行う。
のふく射熱を基板表面に与え、基板表面の中央部と外周
部とのベーキングの強さを改善し、均一なベーキングを
行う。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の一実施例について図面を参照
して詳細に説明する。図１（ａ）〜（ｈ）は、本発明の
一実施例によって製造した多層配線基板の一例を工程順
に示した断面図である。
して詳細に説明する。図１（ａ）〜（ｈ）は、本発明の
一実施例によって製造した多層配線基板の一例を工程順
に示した断面図である。
【００１２】図１（ａ）において、まず基板１上にスパ
ッタリング等によりＴｉ，Ｃｕ，Ｎｉ，ＣｒまたはＰｄ
等の金属薄膜２を形成する。この金属薄膜２は、後述の
メッキ下地用として通常１０００〜５０００Å（オング
ストローム）程度の厚さを有する。
ッタリング等によりＴｉ，Ｃｕ，Ｎｉ，ＣｒまたはＰｄ
等の金属薄膜２を形成する。この金属薄膜２は、後述の
メッキ下地用として通常１０００〜５０００Å（オング
ストローム）程度の厚さを有する。
【００１３】次に、図１（ｂ）に示すように基板１上の
金属薄膜２全面に亘ってレジスト膜３をスピンコート法
によって形成する。
金属薄膜２全面に亘ってレジスト膜３をスピンコート法
によって形成する。
【００１４】次に図１（ｃ）に示すように、基板１の裏
面をホットプレート５上に搭載した後、基板表面のレジ
スト膜３を弧状のカバー４により覆い、低温で乾燥（ベ
ーキング）する。
面をホットプレート５上に搭載した後、基板表面のレジ
スト膜３を弧状のカバー４により覆い、低温で乾燥（ベ
ーキング）する。
【００１５】弧状カバー４は、その内面形状が、基板表
面の外周部１ａに対向する周縁部４ａに対して、基板表
面の中央部１ｂに対する中央部４ｂが中高となった凹状
球面形状に構成してあり、カバー４の周縁部４ａが基板
表面の外周部１ａに接近し、かつカバー４の中央部４ｂ
が基板表面の中央部から離れた状態で基板表面のレジス
ト膜３を覆う。
面の外周部１ａに対向する周縁部４ａに対して、基板表
面の中央部１ｂに対する中央部４ｂが中高となった凹状
球面形状に構成してあり、カバー４の周縁部４ａが基板
表面の外周部１ａに接近し、かつカバー４の中央部４ｂ
が基板表面の中央部から離れた状態で基板表面のレジス
ト膜３を覆う。
【００１６】このベーキング方法を実施することによ
り、２つの効果がある。１つは、ホットプレート５によ
るベーキングは基板中央部よりも基板外周部の方が温度
が低くなるため、弧状のカバー４を使用することによ
り、ふく射熱を与え、基板外周部１ａのベーキングの強
さを改善し、均一なベーキングにできるという効果があ
る。
り、２つの効果がある。１つは、ホットプレート５によ
るベーキングは基板中央部よりも基板外周部の方が温度
が低くなるため、弧状のカバー４を使用することによ
り、ふく射熱を与え、基板外周部１ａのベーキングの強
さを改善し、均一なベーキングにできるという効果があ
る。
【００１７】もう１つは、レジスト膜３は基板１を介し
てホットプレート５からの熱を受けて乾燥されるため、
レジスト膜３と基板１との密着性が向上される効果があ
る。
てホットプレート５からの熱を受けて乾燥されるため、
レジスト膜３と基板１との密着性が向上される効果があ
る。
【００１８】次に図１（ｄ）に示すように、レジスト膜
３表面の所望の部分のみに光エネルギーが照射するよう
に一部を遮蔽したガラスマスク６によりレジスト膜３を
覆い、ガラスマスク６を通して紫外線をレジスト膜３に
照射する。
３表面の所望の部分のみに光エネルギーが照射するよう
に一部を遮蔽したガラスマスク６によりレジスト膜３を
覆い、ガラスマスク６を通して紫外線をレジスト膜３に
照射する。
【００１９】次に図１（ｅ）に示すように紫外線が照射
された部分に対応するレジスト膜３を現像し、レジスト
膜３の一部を除去し、レジスト膜のパターンが形成され
る。このときの前記ベーキングによる効果により、基板
内の現像バラツキがなくなり、所定線幅をもつレジスト
パターン７として形成される。
された部分に対応するレジスト膜３を現像し、レジスト
膜３の一部を除去し、レジスト膜のパターンが形成され
る。このときの前記ベーキングによる効果により、基板
内の現像バラツキがなくなり、所定線幅をもつレジスト
パターン７として形成される。
【００２０】次に図１（ｆ）に示すように、レジストの
パターン部にメッキ８を形成する。このときのメッキも
同様に基板内でバラツキもなく所定の線幅に形成され
る。
パターン部にメッキ８を形成する。このときのメッキも
同様に基板内でバラツキもなく所定の線幅に形成され
る。
【００２１】次に図１（ｇ）に示すように、レジスト膜
３をメチル−エチルケトン等で剥離する。
３をメチル−エチルケトン等で剥離する。
【００２２】最後に、図１（ｈ）に示すように金属薄膜
２をイオンビームエッチングにより除去する。
２をイオンビームエッチングにより除去する。
【００２３】このようにして、多層配線基板のパターン
を形成する。
を形成する。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明の多層配線基
板のパターン形成方法は、レジスト膜をスピンコート法
で塗布した基板を低温乾燥させるに当って、基板表面の
中央部と外周部とのベーキング強さを調整するため、基
板内でのベーキングが均一となり、露光・現像工程を通
して基板表面に所定の線幅をもつレジストパターンを形
成することができ、従って、メッキ形成後のパターンシ
ョート及びパターンの切断を防止できるという効果を有
する。
板のパターン形成方法は、レジスト膜をスピンコート法
で塗布した基板を低温乾燥させるに当って、基板表面の
中央部と外周部とのベーキング強さを調整するため、基
板内でのベーキングが均一となり、露光・現像工程を通
して基板表面に所定の線幅をもつレジストパターンを形
成することができ、従って、メッキ形成後のパターンシ
ョート及びパターンの切断を防止できるという効果を有
する。
【図１】本発明の一実施例を工程順に示す断面図であ
る。
る。
【図２】従来例を工程順に示す断面図である。
１ 基板 ２ 金属薄膜 ３ レジスト膜 ４ 弧状のカバー ５ ホットプレート ６ ガラスマスク ７ 所定線幅のレジストパターン ８ メッキ
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に金属配線パターンを形成する多
層配線基板の製造方法において、 基板上に金属薄膜を形成する工程と 、 前記金属薄膜上にレジスト膜をスピンコート法により形
成する工程と、 前記レジスト膜を弧状のカバーで覆い、ホットプレート
により基板裏面から低温乾燥すると同時に、前記弧状の
カバーによりホットプレートからのふく射熱量を基板中
央部と外周部とで制御し、そのふく射熱をレジスト膜に
与えて乾燥させる工程と、 前記レジスト膜に所定の部分を遮蔽したガラスマスクを
介して紫外線を照射する工程と、 前記紫外線を照射した部分のレジスト膜を現像してレジ
スト膜を除去し、パターンを形成する工程と、 前記パターンにメッキを形成する工程と、 前記レジスト膜を剥離する工程と、 前記金属薄膜をドライエッチングにより除去する工程と
を有する ことを特徴とする多層配線基板のパターン形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4181864A JP2850650B2 (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 多層配線基板のパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4181864A JP2850650B2 (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 多層配線基板のパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH066013A JPH066013A (ja) | 1994-01-14 |
| JP2850650B2 true JP2850650B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=16108180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4181864A Expired - Fee Related JP2850650B2 (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 多層配線基板のパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2850650B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7272879B2 (ja) * | 2019-06-26 | 2023-05-12 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板製造方法及び配線基板の中間構造体 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0648754B2 (ja) * | 1987-02-14 | 1994-06-22 | 日本電気株式会社 | 配線基板の製造方法 |
| JPH025752U (ja) * | 1988-06-25 | 1990-01-16 |
-
1992
- 1992-06-16 JP JP4181864A patent/JP2850650B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH066013A (ja) | 1994-01-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980623 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19981013 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |