JP5557320B2

JP5557320B2 - 配線基板の製造方法

Info

Publication number: JP5557320B2
Application number: JP2010150479A
Authority: JP
Inventors: 孝一大隅
Original assignee: 京セラＳｌｃテクノロジー株式会社
Priority date: 2010-06-30
Filing date: 2010-06-30
Publication date: 2014-07-23
Anticipated expiration: 2030-06-30
Also published as: JP2012015334A

Description

本発明は、半導体素子等を搭載するために用いられる配線基板の製造方法に関するものである。

従来、半導体素子を搭載するための配線基板を製造する方法として、剛性を有する平坦な支持基板上に金属箔を剥離可能に支持するとともにその金属箔上に絶縁層と導体層とを交互に積層して金属箔を含む配線基板用の積層体を形成した後、その積層体を支持基板と金属箔との間から剥離することにより支持基板から分離し、しかる後、金属箔をサブトラクティブ法によりエッチングして半導体素子の電極に接続される半導体素子接続パッドおよび外部電気回路基板に接続される外部接続パッドを含む配線導体を形成することにより多層で薄型の配線基板を製造する方法が知られている。あるいは、支持基板から分離された前記積層体の表面から金属箔をエッチング除去した後、積層体の表面に半導体素子接続パッドおよび外部接続パッドをセミアディティブ法により形成することにより多層で薄型の配線基板を形成する方法が知られている。

しかしながら、初めに述べた方法によると、半導体素子接続パッドを含む配線導体がサブトラクティブ法により形成されるため、例えば幅および間隔が３０μｍ以下の微細な半導体素子接続パッドを含む配線導体を形成することが困難である。また、後から述べた方法によると、半導体素子接続パッドおよび外部接続パッドを含む配線導体はセミアディティブ法で形成されるため、幅および間隔が例えば２０μｍ以下の微細な半導体素子接続パッドを含む配線導体を形成することが可能であるが、例えば絶縁層としてガラスクロス入りのプリプレグを硬化させたものを採用した場合、絶縁層の表面に配線導体を強固に被着させるための粗化面を良好に形成することができずに半導体素子接続パッドや外部接続パッドにおける絶縁層との密着強度が低く、そのため、特に外部接続パッドにおいては、外部電気回路基板に接続した際に大きな応力が加わるために剥がれが発生しやすいという問題点を有していた。

特許第３８１１６８０号特許第４４６１９１２号

本発明の課題は、例えば幅および間隔が２０μｍ以下の微細な半導体素子接続パッドを含む配線導体を形成することが可能であるとともに、外部接続パッドを外部電気回路基板に接続したときに大きな応力が加わったとしても外部接続パッドに剥がれが発生することのない配線基板を提供することにある。

本発明の配線基板は、ガラスクロス入りのプリプレグを硬化させて成る単層または多層の絶縁層を含む絶縁基板の一方の主面に半導体素子の電極に接続される半導体素子接続パッドを含む第１の配線導体がセミアディティブ法により被着形成されているとともに前記絶縁基板の他方の主面に外部電気回路基板に接続される外部接続パッドを含む第２の配線導体がセミアディティブ法により被着形成されて成る配線基板であって、前記第１の配線導体は前記一方の主面の絶縁層上に被着された厚みが０．１〜１μｍの無電解めっき層および該無電解めっき層上の厚みが５〜２０μｍの電解めっき層から成り、前記第２の配線導体は、前記他方の主面の絶縁層上に直接被着された厚みが２〜５μｍの銅箔および該銅箔上の厚みが０．１〜１μｍの無電解めっき層および該無電解めっき層上の厚みが５〜２０μｍの電解めっき層から成ることを特徴とするものである。

また本発明の配線基板の製造方法は、ガラスクロス入りのプリプレグを硬化させて成る単層または多層の絶縁層を含む絶縁基板の一方の主面に第１の金属箔が前記絶縁層上に直接または樹脂層を介して被着されているとともに前記絶縁基板の他方の主面に厚みが２〜５μｍの第２の金属箔が前記絶縁層上に直接被着されて成る積層体を準備する工程と、前記第１の金属箔の中央部をエッチング除去して前記一方の主面の絶縁層またはその上の樹脂層の中央部を露出させる工程と、前記一方の主面の絶縁層またはその上の樹脂層における前記第１の金属箔がエッチング除去された表面および前記第２の金属箔の表面に厚みが０．１〜１μｍの無電解めっき層を被着させる工程と、前記一方の主面側の無電解めっき層上に半導体素子の電極に接続される半導体素子接続パッドを含む第１の配線導体に対応するパターンの厚みが５〜２０μｍの電解めっき層を被着させるとともに前記他方の主面側の無電解めっき層上に外部電気回路基板に接続される外部接続パッドを含む第２の配線導体に対応するパターンの厚みが５〜２０μｍの電解めっき層を被着させる工程と、前記電解めっき層から露出する前記無電解めっき層および前記第２の金属箔をエッチング除去することにより前記一方の主面の絶縁層上に直接または樹脂層を介して被着された無電解めっき層および該無電解めっき層上の電解めっき層から成る前記第１の配線導体を形成するとともに前記他方の主面の絶縁層上に直接被着された前記第２金属箔および該第２の金属箔上の無電解めっき層および該無電解めっき層上の電解めっき層から成る前記第２の配線導体を形成する工程とを行なうことを特徴とするものである。

本発明の配線基板によれば、半導体素子接続パッドを含む第１の配線導体は、セミアディティブ法により形成されており、かつ絶縁基板の一方の主面の絶縁層上に被着された厚みが０．１〜１μｍの無電解めっき層および該無電解めっき層上の厚みが５〜２０μｍの電解めっき層から成ることから、例えば幅および間隔が２０μｍ以下の微細な半導体素子接続パッドを含むことができる。また、外部接続パッドを含む第２の配線導体は、セミアディティブ法により形成されており、かつ絶縁基板の他方の主面の絶縁層上に直接被着された厚みが２〜５μｍの銅箔および該銅箔上の厚みが０．１〜１μｍの無電解めっき層および該無電解めっき層上の厚みが５〜２０μｍの電解めっき層から成ることから、銅箔を介して絶縁層に極めて強固に密着し絶縁層との間に剥がれが発生することがない。

また本発明の配線基板の製造方法によれば、絶縁基板の一方の主面に被着された第１の金属箔をエッチング除去した後、絶縁基板の一方の主面の絶縁層またはその上の樹脂層表面に厚みが０．１〜１μｍの無電解めっき層を被着させ、次にその無電解めっき層上に第１の配線導体に対応するパターンの厚みが５〜２０μｍの電解めっき層を被着させ、次にその電解めっき層から露出する無電解めっき層をエッチング除去するセミアディティブ法により半導体素子接続パッドを含む第１の配線導体を形成することから、例えば幅および間隔が２０μｍ以下の微細な半導体素子接続パッドを含む第１の配線導体を形成することができる。また、絶縁基板の他方の主面に被着させた厚みが２〜５μｍの第２の金属箔の上に厚みが０．１〜１μｍの無電解めっき層を被着させ、次にその無電解めっき層上に第２の配線導体に対応するパターンの厚みが５〜２０μｍの電解めっき層を被着させ、次にその電解めっき層から露出する無電解めっき層および第２の金属箔をエッチング除去するセミアディティブ法により外部接続パッドを含む第２の配線導体を形成することから、第２の配線導体が第２の銅箔を介して絶縁層に極めて強固に密着し、第２の配線導体と絶縁層との間に剥がれが発生することがない配線基板を提供することができる。

図１は、本発明の配線基板の実施形態の一例を示す概略断面図である。図２は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。図３は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。図４は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。図５は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。図６は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。図７は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。図８は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。図９は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。図１０は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。図１１は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。図１２は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。図１３は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。図１４は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。図１５は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。図１６は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。図１７は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。図１８は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。図１９は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。図２０は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。図２１は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。図２２は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。図２３は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。図２４は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。図２５は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。図２６は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。図２７は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。図２８は、図１に示す配線基板を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。

次に本発明の配線基板における実施形態の一例を添付の図を基に説明する。図１は本発明の配線基板の実施形態の一例を示しており、１は絶縁基板、２は絶縁層、３は配線導体、５は半導体素子接続パッド、６は外部接続パッド、７はソルダーレジスト層である。本例の配線基板においては、複数の絶縁層２を積層して成る絶縁基板１の表面および内部に配線導体３が配設されているとともに絶縁基板１の上下両主面上に配線導体３の一部を露出させるようにしてソルダーレジスト層７が被着されている。

絶縁基板１は、この例では３層の絶縁層２を積層して成る。各絶縁層２は、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグを熱硬化させた電気絶縁材料から成る。各絶縁層２の厚みは２５〜６０μｍ程度である。各絶縁層２には、ビアホール４が形成されている。ビアホール４の直径は例えば３０〜１００μｍ程度である。なお、絶縁基板１の上主面側の最表層の絶縁層２は、その表面側にプライマー樹脂と呼ばれる厚みが４〜７μｍ程度の薄い樹脂層２ａが被着されていることが好ましい。

絶縁基板１の上下両主面および絶縁層２の間にはビアホール４内を充填するようにして配線導体３が被着されている。配線導体３の一部は、絶縁基板１の上主面側において半導体素子の電極に接続される半導体素子接続パッド５を形成しており、下主面側において外部電気回路基板に接続される外部接続パッド６を形成している。そして、半導体素子接続パッド５と外部接続パッド６との対応するもの同士が絶縁層２の間に配設された配線導体３を介して互いに電気的に接続されている。

絶縁基板１の上主面に被着された半導体素子接続パッド５を含む配線導体３は、セミアディティブ法により形成されており、無電解めっき層３ａと電解めっき層３ｂとから成る。この場合のセミアディティブ法は、絶縁基板１の上主面を構成する絶縁層２の表面に厚みが０．１〜１μｍ程度の無電解めっき層３ａを被着させ、次にその無電解めっき層３ａの表面に半導体素子接続パッド５を含む配線導体３に対応した開口パターンを有するめっきレジスト層を被着し、次にめっきレジスト層の開口パターン内に露出した無電解めっき層３ａ上に厚みが５〜２０μｍ程度の電解めっき層３ｂを被着させ、最後にめっきレジスト層を除去した後、電解めっき層３ｂから露出する無電解めっき層３ａをエッチングして除去することにより半導体素子接続パッド５を含む配線導体３を形成する方法である。

このセミアディティブ法では、厚みが０．１〜１μｍ程度の無電解めっき層３ａをエッチング除去することで半導体素子接続パッド５を含む配線導体３を形成できるため、半導体素子接続パッド５を含む配線導体３のパターン自体が大きくエッチングされることがなく、例えば２０μｍ以下の線幅および間隔の半導体素子接続パッド５を含む配線導体３を絶縁基板１の上主面に形成することができる。なお、無電解めっき層３ａおよび電解めっき層３ｂとしては、銅めっき層が好適に採用される。さらにこのとき、絶縁基板１の上主面を構成する絶縁層２と配線導体３との間にプライマー樹脂と呼ばれる厚みが４〜７μｍ程度の樹脂層２ａを介在させておくと、絶縁基板１の上主面に半導体素子接続パッド５を含む微細な配線導体３を形成することが容易となるとともに絶縁基板１の上主面と配線導体３との密着を強固なものとなすことができる。さらに、絶縁基板１の上主面側の樹脂量が下主面側よりも多くなり、半導体素子を搭載する高温時おける配線基板の反りを小さなものとすることができる。したがって、絶縁基板１の上主面を構成する絶縁層２と配線導体３との間には、プライマー樹脂と呼ばれる厚みが４〜７μｍ程度の樹脂層２ａを介在させておくことが好ましい。

絶縁基板１の下主面に被着された外部接続パッド６を含む配線導体３は、セミアディティブ法により形成されており、金属箔３ｃと無電解めっき層３ａと電解めっき層３ｂとから成る。この場合のセミアディティブ法は、絶縁基板１の下主面を構成する絶縁層２の表面に、厚みが２〜５μｍ程度の金属箔３ｃを予め被着させておくとともに、その金属箔３ｃの上に厚みが０．１〜１μｍ程度の無電解めっき層３ａを被着させ、次にその無電解めっき層３ａの表面に外部接続パッド６を含む配線導体３に対応した開口パターンを有するめっきレジスト層を被着し、次にめっきレジスト層の開口パターン内に露出した無電解めっき層３ａ上に厚みが５〜２０μｍ程度の電解めっき層３ｂを被着させ、最後にめっきレジスト層を除去した後、電解めっき層３ｂから露出する無電解めっき層３ａおよびその下の金属箔３ｃをエッチングして除去することにより外部接続パッド６を含む配線導体３を形成する方法である。

このセミアディティブ法では、絶縁基板１の下主面に形成された外部接続パッド６を含む配線導体３が、絶縁層２の表面に予め被着された金属箔３ｃを介して絶縁層２上にセミアディティブ法により形成されているので、絶縁層２に極めて強固に密着し絶縁層２との間に剥がれが発生することが有効に防止される。また、厚みが２〜５μｍ程度の金属箔３ｃと厚みが０．１〜１μｍ程度の無電解めっき層３ａをエッチング除去することで配線導体３を形成するため、絶縁基板１の上主面側の配線導体３ほどの微細なパターンを形成することはできないものの、外部接続パッド６を含む配線導体３として必要な幅および間隔のパターンは極めて良好に形成することができる。なお、無電解めっき層３ａおよび電解めっき層３ｂとしては銅めっき層が好適に採用され、金属箔３ｃとしては銅箔が好適に使用される。

さらに、絶縁基板１の上下両主面には、半導体素子接続パッド５および外部接続パッド６を露出させる開口部７ａおよび７ｂを有するソルダーレジスト層７が被着されている。ソルダーレジスト層７は、アクリル変性エポキシ樹脂等の感光性を有する熱硬化樹脂を所定のパターンに露光および現像した後、熱硬化させた絶縁材料から成る。

次に、本発明の配線基板の製造方法における実施形態の一例について、上述した配線基板を製造する場合を例にとって説明する。

まず、図２に示すように、支持基板１１と、プリプレグ１２と、キャリア付き金属箔１３と、プリプレグ１４と、金属箔１５とを準備する。支持基板１１とプリプレグ１２とプリプレグ１４および金属箔１５は平面視で同じ大きさとし、キャリア付き金属箔１３はそれよりも小さいものとする。

支持基板１１は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて硬化させた板状体である。支持基板１１の厚みは０．２〜０．８ｍｍ程度である。支持基板１１は、必要な剛性や熱膨張率を有していれば、他の材料を用いることもできる。

プリプレグ１２は、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化させた板状体である。プリプレグ１２の厚みは７０〜２００μｍ程度である。

キャリア付き金属箔１３は、厚みが２０〜１００μｍ程度の樹脂フィルムや金属箔から成るキャリアシート１３ａの片面に厚みが２〜５μｍ程度の金属箔３ｃを両者間で剥離可能に貼り合わせたものである。なお、金属箔３ｃとしては銅箔が好適に使用される。

プリプレグ１４は、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化させた厚みが２５〜６０μｍ程度の板状体である。また金属箔１５には、厚みが２〜１８μｍ程度の銅箔が好適に使用される。なお、この例ではプリプレグ１４と金属箔１５とを別々に用意したが、プリプレグ１４の片面に金属箔１５を予め貼着させたものを用いてもよい。また、プリプレグ１４と金属箔１５との間にプライマー樹脂と呼ばれる厚みが４〜７μｍ程度の樹脂層を介在させてもよい。

次に、図３に示すように、支持基板１１、プリプレグ１２、キャリア付き金属箔１３、プリプレグ１４および金属箔１５を重ねて上下から加圧しながら加熱してプリプレグ１２およびプリプレグ１４を熱硬化させることにより積層一体化させる。これによりプリプレグ１４が硬化した絶縁層２が形成される。なお、金属箔１５とプリプレグ１４との間にプライマー樹脂を介在させた場合には、絶縁層２の表面にプライマー樹脂の樹脂層が形成される。

次に、図４に示すように、金属箔１５の中央部をエッチング除去する。これにより、絶縁層２の中央部が露出する。このとき、絶縁層２の露出面には、金属箔１５の絶縁層２側の面の凹凸に対応した凹凸が残る。したがって、金属箔１５の絶縁層２側の面に微細な凹凸を設けておくと、絶縁層２の露出面にも微細な凹凸を形成することができる。絶縁層２の露出面に微細な凹凸を形成すると、その表面に後述する無電解めっき層３ａを極めて強固に被着させることができる。なお、絶縁層２の表面にプライマー樹脂の樹脂層が形成されている場合には、無電解めっき層３ａを被着する前に樹脂層の露出面を例えば過マンガン酸カリウムを含む粗化液を用いて粗化することが好ましい。粗化により、無電解めっき層３ａと樹脂層との密着を物理的結合により極めて強固なものとすることができる。

次に、図５に示すように、絶縁層２の露出面に無電解めっき層３ａを被着する。無電解めっき層３ａの厚みは、０．１〜１μｍ程度である。無電解めっき層３ａとしては、無電解銅めっき層が好適に用いられる。

次に、図６に示すように、無電解めっき層３ａの表面に、内層の配線導体３に対応するパターンの開口部を有するめっきレジスト層１６を形成する。めっきレジスト層１６の厚みは、１０〜３０μｍ程度である。

次に、図７に示すように、めっきレジスト層１６から露出する無電解めっき層３ａの表面に、電解めっき層３ｂを被着する。電解めっき層３ｂの厚みは、５〜２０μｍ程度である。電解めっき層３ｂとしては、電解銅めっき層が好適に用いられる。

次に、図８に示すように、めっきレジスト層１６を剥離して除去する。これにより、配線導体３となる部分以外の無電解めっき層３ａが電解めっき層３ｂから露出する。

次に、図９に示すように、電解めっき層３ｂから露出する無電解めっき層３ａをエッチング除去する。これにより、無電解めっき層３ａと電解めっき層３ｂとから成る配線導体３が絶縁層２上に被着形成される。この方法は、いわゆるセミアディティブ法と呼ばれる配線導体の形成方法である。この方法の場合、無電解めっき層３ａをエッチング除去する際に電解めっき層３ｂの表面も同時にエッチングされるが、厚みが０．１〜１μｍ程度の薄い無電解めっき層３ａを除去するだけの時間エッチングすればよいので、配線導体３のパターン自体が大きくエッチングされることはない。したがって、例えば２０μｍ以下の線幅および間隔の配線導体３を形成することができる。

次に、図１０に示すように、次層の絶縁層２および金属箔１７を下層の配線導体３を覆うように積層する。次層の絶縁層２は、上述した絶縁層２と同様のものであり、金属箔１７は上述した金属箔１５と同様のものである。ただし、金属箔１７の厚みや表面粗さは金属箔１５と異なるものであっても良い。これらは上述した絶縁層２および金属箔１５と同様にして積層される。この絶縁層２と金属箔１７との間にもプライマー樹脂と呼ばれる厚みが４〜７μｍ程度の樹脂層を介在させてもよい。

次に、図１１に示すように、金属箔１５の場合と同様に、金属箔１７の中央部をエッチング除去する。これにより、上述の場合と同様に絶縁層２の中央部が露出する。

次に、図１２に示すように、絶縁層２にビアホール４を形成する。ビアホール４は、直径が３０〜１００μｍ程度であり、レーザ加工により形成される。ビアホール４を形成した後には、デスミア処理することが好ましい。

次に、図１３に示すように、上述したのと同様のセミアディティブ法を採用することにより無電解めっき層３ａおよび電解めっき層３ｂから成る次層の配線導体３をビアホール４を充填するようにして形成する。無電解めっき層３ａとしては、無電解銅めっき層が好適に採用され、電解銅めっき層３ｂとしては、電解銅めっき層が好適に採用される。

次に、図１４に示すように、次層の絶縁層２および金属箔１８を内層の配線導体３を覆うように積層する。これにより支持基板１１の両側に、絶縁層２と内層の配線導体３および金属箔３ｃ、１８から成る配線基板用の積層体１０が形成される。なおこの場合、絶縁層２と金属箔１８との間にプライマー樹脂と呼ばれる厚みが４〜７μｍ程度の樹脂層２ａを介在させておくことが好ましい。樹脂層２ａを介在させることにより、絶縁基板１の上主面に半導体素子接続パッド５を含む微細な配線導体３を形成することが容易となるとともに絶縁基板１の上主面と配線導体３との密着を強固なものとなすことができる。さらに、絶縁基板１の上主面側の樹脂量が下主面側よりも多くなり、半導体素子を搭載する高温時おける配線基板の反りを小さなものとすることができる。なお、金属箔１８としては、金属箔１５や１７の場合と同様に銅箔が好適に使用される。

次に、図１５に示すように、積層体１０の配線基板となる領域１０ａを支持体１１に支持された状態で切り出す。

次に、図１６に示すように、積層体１０の配線基板となる領域１０ａをキャリアシート１３ａと金属箔３ｃとの間で引き剥がして支持体１１から分離する。

次に、図１７に示すように、下主面側の金属箔３ｃを残して上主面側の金属箔１８を選択的にエッチングにより除去する。なお、金属箔１８をエッチング除去する際には、金属箔３ｃの表面は図示しないエッチングレジスト層により保護しておく。

次に、図１８に示すように、金属箔３ｃを所定パターンにエッチングして下主面側の絶縁層２を部分的に露出させる。この絶縁層２が露出する部分にはビアホール４が形成される。

次に、図１９に示すように、上下両主面を構成する絶縁層２にレーザ加工によりビアホール４を形成する。なお、ビアホール４を形成した後は、過マンガン酸カリウムを含むデスミア液でデスミア処理する。デスミア処理により樹脂層２ａ表面が粗化される。それにより、後述する無電解めっき層３ａと樹脂層２ａとの密着を物理的結合により極めて強固なものとすることができる。

次に、図２０に示すように、ビアホール４の内部および樹脂層２ａを含む絶縁層２の表面および金属箔３ｃの表面に無電解めっき層３ａを被着する。無電解めっき層３ａの厚みは０．１〜１μｍ程度である。無電解めっき層３ａとしては、無電解銅めっき層が好適に採用される。

次に、図２１に示すように、上下両主面の無電解めっき層３ａの表面に上下両主面に形成する配線導体３に対応した開口部を有するめっきレジスト層１９を形成する。

次に、図２２に示すように、めっきレジスト層１９の開口部内に露出する無電解めっき層３ａ上に配線導体３に対応するパターンの電解銅めっき３ｂを被着する。電解めっき３ｂの厚みは５〜２０μｍ程度である。電解めっき層３ｂとしては、電解銅めっき層が好適に採用される。

次に、図２３に示すように、めっきレジスト層１９を除去した後、図２４に示すように、上主面側をエッチングレジスト２０で被覆し、続いて図２５に示すように、下主面側の電解めっき層３ｂから露出する無電解めっき層３ａおよび金属箔３ｃをエッチング除去することにより、絶縁基板１の下面に外部接続パッド６を含む配線導体３を形成する。この配線導体３は、絶縁層２の表面に予め被着された金属箔３ｃを介して絶縁層２上にセミアディティブ法により形成されているので、絶縁層２に極めて強固に密着し絶縁層２との間に剥がれが発生することを有効に防止することが可能となる。また、厚みが２〜５μｍ程度の金属箔３ｃと厚みが０．１〜１μｍ程度の無電解めっき層３ａをエッチング除去することで配線導体３を形成するため、絶縁基板１の上主面側の配線導体３ほどの微細なパターンを形成することはできないものの、外部接続パッド６を含む配線導体３として必要な幅および間隔のパターンは極めて良好に形成することができる。

次に、図２６に示すように、絶縁基板１の下主面側をエッチングレジスト層２１で被覆するとともに、図２７に示すように、上主面側の電解めっき層３ｂから露出する無電解めっき層３ｂをエッチング除去することにより絶縁基板１の上面に半導体素子接続パッド５を含む配線導体３を形成する。この場合、厚みが０．１〜１μｍ程度の無電解めっき層３ａをエッチング除去することで配線導体３を形成できるため、半導体素子接続パッド５を含む配線導体３のパターン自体が大きくエッチングされることがなく、例えば２０μｍ以下の線幅および間隔の半導体素子接続パッド５を含む配線導体３を絶縁基板１の上主面に形成することができる。なお、必ずしも絶縁基板１の下主面側をエッチングレジスト層２１で被覆した状態で上主面側の無電解めっき層３ｂをエッチングする必要はなく、絶縁基板１の下主面側を露出させた状態で上主面側の無電解めっき層３ｂをエッチングしてもよい。この場合、絶縁基板１の下主面側の配線導体層３も同時にエッチングされるものの、そのエッチング量は僅かで済むため、絶縁基板１の下主面側の配線導体３に大きな影響が及ぶことはない。

次に、図２８に示すようにエッチングレジスト層２１を除去した後、絶縁基板１の上下面に半導体素子接続パッド５および外部接続パッド６を露出させるソルダーレジスト層７を形成することにより、図１に示した配線基板が完成する。なお、本発明は上述の実施形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施形態の一例では、ガラスクロスに熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグを熱硬化させた電気絶縁材料により全ての絶縁層２を形成したが、例えば絶縁基板１の上主面を構成する絶縁層２は、ガラスクロスを含まないとともに粗化の容易な樹脂を含む電気絶縁材料から形成してもよい。この場合、絶縁基板１の上主面を良好に粗化することにより半導体素子接続パッド５を含む配線導体３を絶縁基板１の上主面に強固に被着させることができるとともに、絶縁基板１の上面側の樹脂量が多くなり、半導体素子を搭載する高温時おける配線基板の反りを小さなものとすることができる。

１絶縁基板
２絶縁層
２ａ樹脂層
３配線導体
５半導体素子接続パッド
６外部接続パッド
１０積層体
１１支持基板

Claims

ガラスクロス入りのプリプレグを硬化させて成る単層または多層の絶縁層を含む絶縁基板の一方の主面に第１の金属箔が前記絶縁層上に直接または樹脂層を介して被着されているとともに前記絶縁基板の他方の主面に厚みが２〜５μｍの第２の金属箔が前記絶縁層上に直接被着されて成る積層体を準備する工程と、前記第１の金属箔をエッチング除去して前記一方の主面の絶縁層またはその上の樹脂層を露出させる工程と、前記一方の主面の絶縁層またはその上の樹脂層における前記第１の金属箔がエッチング除去された表面および前記第２の金属箔の表面に厚みが０．１〜１μｍの無電解めっき層を被着させる工程と、前記一方の主面側の無電解めっき層上に半導体素子の電極に接続される半導体素子接続パッドを含む第１の配線導体に対応するパターンの厚みが５〜２０μｍの電解めっき層を被着させるとともに前記他方の主面側の無電解めっき層上に外部電気回路基板に接続される外部接続パッドを含む第２の配線導体に対応するパターンの厚みが５〜２０μｍの電解めっき層を被着させる工程と、前記電解めっき層から露出する前記無電解めっき層および前記第２の金属箔をエッチング除去することにより前記一方の主面の絶縁層上に直接または樹脂層を介して被着された無電解めっき層および該無電解めっき層上の電解めっき層から成る前記第１の配線導体を形成するとともに前記他方の主面の絶縁層上に直接被着された第２の金属箔および該第２の金属箔上の無電解めっき層および該無電解めっき層上の電解めっき層から成る前記第２の配線導体を形成する工程とを行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。