JP7266454B2 - 配線基板、積層型配線基板、及び配線基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線基板、積層型配線基板、及び配線基板の製造方法に関する。

従来、絶縁性樹脂の内部に配線を形成した絶縁層を積層した配線基板が知られている。このような配線基板では、例えば最下層となる絶縁層に、配線に接続する金属の電極パッドが埋め込まれている。絶縁層に埋め込まれた電極パッドは、例えば配線基板が他の配線基板に接合される際の接続端子として用いられる。

特開２０１６－１４９５１７号公報

ところで、電極パッドが埋め込まれる絶縁層では、絶縁性樹脂により形成された部分の厚さが十分に確保されない場合がある。例えば、絶縁層が基板強度を向上するための補強部材を含む場合には、補強部材を含む層に隣接する絶縁性樹脂の厚さが薄くなる。絶縁層の絶縁性樹脂の厚さが十分に確保されない場合、絶縁性樹脂と電極パッドとの接触面積が小さくなり、絶縁層に対する電極パッドの固定強度が低下するという問題がある。電極パッドの固定強度の低下は、絶縁層から電極パッドが剥離する要因となり、好ましくない。

開示の技術は、上記に鑑みてなされたものであって、絶縁層に対する電極パッドの固定強度を向上することができる配線基板、積層型配線基板、及び配線基板の製造方法を提供することを目的とする。

本願の開示する配線基板は、一つの態様において、少なくとも一部が絶縁性樹脂からなる絶縁層と、前記絶縁層に埋設され、外側面に前記絶縁層の絶縁性樹脂に接するくびれが形成された電極パッドと、を有し、前記電極パッドは、前記絶縁層の一面において端面が露出する第１導電体層と、前記第１導電体層上に形成され、前記第１導電体層とは粒界密度が異なる第２導電体層と、を有し、前記くびれは、前記外側面のうち前記第１導電体層と前記第２導電体層との境界部分に対応する領域に形成される。

本願の開示する配線基板の一つの態様によれば、絶縁層に対する電極パッドの固定強度を向上することができる、という効果を奏する。

図１は、実施例に係る配線基板の構成の一例を示す図である。 図２は、実施例における電極パッドの詳細な構造の一例を示す図である。 図３は、実施例に係る配線基板の製造方法の一例を示すフローチャートである。 図４は、エッチストップ層形成工程及び第１導電体層形成工程の具体例を示す図である。 図５は、レジスト層形成工程の具体例を示す図である。 図６は、第２導電体層形成工程の具体例を示す図である。 図７は、レジスト層除去工程の具体例を示す図である。 図８は、電極パッド形成工程の具体例を示す図である。 図９は、くびれの形状の一例を模式的に示す図である。 図１０は、電極パッドの断面を拡大して得られた写真を示す図である。 図１１は、絶縁層形成工程の具体例を示す図である。 図１２は、ビアホール形成工程の具体例を示す図である。 図１３は、金属層形成工程の具体例を示す図である。 図１４は、金属層研磨工程後の具体例を示す図である。 図１５は、ビルドアップ工程の具体例を示す図である。 図１６は、剥離工程の具体例を示す図である。 図１７は、エッチストップ層除去工程の具体例を示す図である。 図１８は、接着層形成工程の具体例を示す図である。 図１９は、実施例に係る積層型配線基板の構成の一例を示す図である。

以下に、本願の開示する配線基板、積層型配線基板、及び配線基板の製造方法の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施例により開示技術が限定されるものではない。

［実施例］
［配線基板の構成］
図１は、実施例に係る配線基板１の構成の一例を示す図である。図１においては、配線基板１の断面を模式的に示している。

配線基板１は、積層構造となっており、主として、第１配線構造体１０、第２配線構造体２０及び接着層３０を有する。第１配線構造体１０には、電極パッド４０が埋設されている。また、第１配線構造体１０には、電極パッド４０に接続するビア４５が埋設されている。第１配線構造体１０は、少なくとも一部が絶縁性樹脂により形成された積層構造を有し、第１絶縁層１１、第２絶縁層１２及び第３絶縁層１３に分かれる。第１配線構造体１０は、絶縁層の一例である。以下においては、説明の便宜上、配線基板１の第２配線構造体２０側の面を上面と呼び、接着層３０側の面を下面と呼ぶ。ただし、配線基板１は、例えば上下反転して用いられてもよく、任意の姿勢で用いられてよい。

第１絶縁層１１は、絶縁性樹脂により形成されている。第１絶縁層１１を形成する絶縁性樹脂は、例えば熱硬化により硬化する。

第２絶縁層１２は、第１絶縁層１１の上方に隣接して積層され、ガラス繊維等の補強部材に絶縁性樹脂を含浸させて形成されている。第２絶縁層１２に補強部材が含まれることで、配線基板１の強度が向上する。第２絶縁層１２の補強部材に含浸される絶縁性樹脂は、例えば熱硬化により硬化する。第１絶縁層１１及び第２絶縁層１２には、電極パッド４０が埋め込まれている。電極パッド４０は、例えば銅などの導電体により形成され、配線基板１が他の配線基板に接合される際の接続端子として用いられる。電極パッド４０の詳細な構造は、後述される。

第３絶縁層１３は、第２絶縁層１２の上方に隣接して積層され、絶縁性樹脂により形成されている。第３絶縁層１３を形成する絶縁性樹脂は、例えば熱硬化により硬化する。第２絶縁層１２及び第３絶縁層１３には、ビア４５が埋め込まれている。ビア４５は、第２絶縁層１２及び第３絶縁層１３を貫通して電極パッド４０を露出させるビアホールの位置に形成され、電極パッド４０に接続する。

なお、第１絶縁層１１及び第３絶縁層１３は、熱硬化性樹脂からなり、ガラス繊維などの補強部材を含まない絶縁層である。ここで、「熱硬化性樹脂からなる」とは、ガラス繊維などの補強部材が含まれていないことを示しており、熱硬化性樹脂以外にフィラーなどの他の要素を含有してもよいことを意味する。

第２配線構造体２０は、第１配線構造体１０上に形成され、絶縁性樹脂により形成された積層構造を有し、第４絶縁層２１、第５絶縁層２２、第６絶縁層２３及び第７絶縁層２４に分かれる。第２配線構造体２０を形成する絶縁性樹脂は、感光性樹脂である。第２配線構造体２０には、隣接する層間を互いに接続する配線５０が埋設されている。配線５０は、第１配線層５１、第２配線層５２及び第３配線層５３を含んでいる。また、第２配線構造体２０上には、第４配線層５４が形成されている。

第４絶縁層２１は、第１配線構造体１０の上方に隣接して積層されている。第４絶縁層２１上には、第１配線層５１が形成されている。第１配線層５１は、第４絶縁層２１内に埋設されているビア５５を介してビア４５と接続している。

第５絶縁層２２は、第４絶縁層２１の上方に隣接して積層されている。第５絶縁層２２上には、第２配線層５２が形成されている。第２配線層５２は、第５絶縁層２２内に埋設されているビア５５を介して第１配線層５１と接続している。

第６絶縁層２３は、第５絶縁層２２の上方に隣接して積層されている。第６絶縁層２３上には、第３配線層５３が形成されている。第３配線層５３は、第６絶縁層２３内に埋設されているビア５５を介して第２配線層５２と接続している。

第７絶縁層２４は、第６絶縁層２３の上方に隣接して積層されている。第７絶縁層２４上には、第４配線層５４が形成されている。第４配線層５４は、第７絶縁層２４内に埋設されているビア５５を介して第３配線層５３と接続している。第４配線層５４は、例えば半導体チップ等の外部部品との接点として用いられる。

接着層３０は、第１配線構造体１０の下面に、後述する電極パッド４０の第１導電体層４１の端面を被覆するように形成される。接着層３０は、例えばＮＣＦ（Non Conductive Film）等の絶縁性樹脂により形成され、配線基板１と他の配線基板とを接着するための層である。接着層３０を形成する絶縁性樹脂は、例えば熱硬化により硬化する。

［電極パッドの構造］
図２は、実施例における電極パッド４０の詳細な構造の一例を示す図である。図２は、図１の部分Ａを拡大して示している。上述の通り、電極パッド４０は、第１配線構造体１０の第１絶縁層１１及び第２絶縁層１２に埋設される。電極パッド４０の外側面４０ｂには、第１配線構造体１０の絶縁性樹脂に接するくびれ４０ａが形成されている。具体的には、電極パッド４０は、第１配線構造体１０（第１絶縁層１１）の下面において端面が露出する第１導電体層４１と、第１導電体層４１上に形成され、第１導電体層４１とは粒界密度が異なる第２導電体層４２とを有する。第１導電体層４１の厚さは、例えば１００～３００ｎｍ、第２導電体層４２の厚さは、例えば１０～２０μｍとすることができる。そして、くびれ４０ａは、電極パッド４０の外側面４０ｂのうち第１導電体層４１と第２導電体層４２との境界部分４３に対応する領域に形成されている。本実施例では、第１導電体層４１と第２導電体層４２との境界部分４３が第１配線構造体１０の第１絶縁層１１の内部に位置するため、くびれ４０ａは、第１配線構造体１０の第１絶縁層１１の内部において第１絶縁層１１の絶縁性樹脂に接する。

電極パッド４０の外側面４０ｂに第１配線構造体１０の絶縁性樹脂に接するくびれ４０ａが形成されることにより、第１配線構造体１０の絶縁性樹脂の厚さが十分に確保されない場合でも、電極パッド４０の外側面４０ｂが絶縁性樹脂に強固に密着される。例えば、補強部材を含む第２絶縁層１２を有する第１配線構造体１０において第２絶縁層１２に隣接する絶縁性樹脂（つまり第１絶縁層１１）の厚さが十分に確保されない場合でも、該絶縁性樹脂がくびれ４０ａに充填されて電極パッド４０の外側面４０ｂとの密着性が確保される。その結果、第１配線構造体１０に対する電極パッド４０の固定強度を向上することができる。

［配線基板の製造方法］
次に、上記のように構成された配線基板１の製造方法について、具体的に例を挙げながら、図３のフローチャートを参照して説明する。図３は、実施例に係る配線基板１の製造方法の一例を示すフローチャートである。

まず、ベース基板上にエッチストップ層及び第１導電体層４１が形成される（ステップＳ１１）。具体的には、例えば図４に示すように、上面に剥離層１００ａが形成されたベース基板１００が準備され、ベース基板１００上にエッチストップ層１１０及び第１導電体層４１が順に形成される。図４は、エッチストップ層形成工程及び第１導電体層形成工程の具体例を示す図である。ベース基板１００は、上面が平坦な基板であり、例えばガラス基板等である。エッチストップ層１１０は、第１導電体層４１のエッチングに用いられるエッチング液に対してエッチング耐性を有する層である。エッチストップ層１１０は、例えばチタン等の金属であり、第１導電体層４１は、例えば銅等の金属である。エッチストップ層１１０及び第１導電体層４１は、それぞれ例えばスパッタ法により形成される。

続いて、第１導電体層４１上に、複数の開口を有するレジスト層が形成される（ステップＳ１２）。具体的には、例えば図５に示すように、第１導電体層４１上に、複数の開口１２０ａを有するレジスト層１２０が形成される。図５は、レジスト層形成工程の具体例を示す図である。レジスト層１２０は、例えばドライフィルムレジスト等である。複数の開口１２０ａは、例えばフォトリソグラフィ法により、第２導電体層４２が形成される予定の領域に形成される。レジスト層１２０の各開口１２０ａには、第１導電体層４１が露出する。

レジスト層１２０の各開口１２０ａにおいて露出する第１導電体層４１上に、第２導電体層４２が形成される（ステップＳ１３）。具体的には、例えば図６に示すように、第１導電体層４１を電極とする電解めっき法により、レジスト層１２０の各開口１２０ａにおいて露出する第１導電体層４１上に、第２導電体層４２が形成される。図６は、第２導電体層形成工程の具体例を示す図である。電解めっき法により形成される第２導電体層４２は、スパッタ法により形成される第１導電体層４１よりも粒界密度が小さい。第１導電体層４１と第２導電体層４２とで粒界密度が異なることにより、第１導電体層４１と第２導電体層４２との境界部分は、他の部分と比較してエッチング耐性が小さくなる。

レジスト層１２０が除去されて、隣り合う第２導電体層４２の間に空隙が形成される（ステップＳ１４）。具体的には、例えば図７に示すように、隣り合う第２導電体層４２の間に空隙４２ａが形成される。空隙４２ａには、第１導電体層４１が露出する。図７は、レジスト層除去工程の具体例を示す図である。

空隙４２ａにおいてエッチストップ層１１０が露出するまで第１導電体層４１がエッチングされて、第１導電体層４１と第２導電体層４２とを有する電極パッド４０が形成される（ステップＳ１５）。具体的には、例えば図８に示すように、空隙４２ａにおいて露出する第１導電体層４１がエッチングされて、電極パッド４０が形成される。図８は、電極パッド形成工程の具体例を示す図である。第１導電体層４１は、エッチストップ層１１０の除去に用いられるエッチング液とは異なるエッチング液を用いて選択的にエッチングされる。

そして、第１導電体層４１のエッチングと並行して、空隙４２ａの幅方向に第１導電体層４１と第２導電体層４２との境界部分４３がエッチングされて、電極パッド４０の外側面４０ｂのうち境界部分４３に対応する領域にくびれ４０ａが形成される。このとき、第２導電体層４２の粒界密度が第１導電体層４１の粒界密度よりも小さいため、くびれ４０ａは、第１導電体層４１と第２導電体層４２との境界部分４３に対して非対称な形状に形成される。具体的には、例えば図９及び図１０に示すように、くびれ４０ａは、境界部分４３よりも上側の面の傾斜が境界部分４３よりも下側の面の傾斜よりも大きい形状に形成される。図９は、くびれ４０ａの形状の一例を模式的に示す図である。図１０は、電極パッド４０の断面を拡大して得られた写真を示す図である。

電極パッド４０が形成され、電極パッド４０の外側面４０ｂにくびれ４０ａが形成されると、エッチストップ層１１０上に、電極パッド４０を被覆する第１配線構造体１０が形成され、電極パッド４０が埋め込まれる（ステップＳ１６）。すなわち、例えば図１１に示すように、エッチストップ層１１０上に、半硬化状態の第１絶縁層１１、第２絶縁層１２及び第３絶縁層１３が順に積層され、第１絶縁層１１及び第２絶縁層１２によって電極パッド４０が被覆される。これにより、くびれ４０ａが第１絶縁層１１の内部において第１絶縁層１１の絶縁性樹脂に接した状態で、電極パッド４０が第１配線構造体１０に埋め込まれる。図１１は、絶縁層形成工程の具体例を示す図である。

電極パッド４０が第１配線構造体１０に埋め込まれると、第１配線構造体１０の第１絶縁層１１、第２絶縁層１２及び第３絶縁層１３が熱硬化される。このとき、くびれ４０ａが第１絶縁層１１の内部において第１絶縁層１１の絶縁性樹脂に接しているので、第１絶縁層１１の絶縁性樹脂がくびれ４０ａに充填されて電極パッド４０と第１絶縁層１１の絶縁性樹脂との密着性が確保される。これにより、第１配線構造体１０に対する電極パッド４０の固定強度を向上することができる。

そして、第１配線構造体１０を貫通して電極パッド４０の第２導電体層４２を露出させるビアホールが形成される（ステップＳ１７）。すなわち、例えば図１２に示すように、第１配線構造体１０の第２絶縁層１２及び第３絶縁層１３を貫通して電極パッド４０の第２導電体層４２を露出させるビアホール４６が例えばレーザ加工により形成される。図１２は、ビアホール形成工程の具体例を示す図である。

ビアホール４６内にはビア４５が形成される。ビア４５は、例えば図１３に示すように、ビアホール４６の位置に、一部が第１配線構造体１０の上面に露出し他の部分が第１配線構造体１０に埋め込まれた金属層４５ａを形成した後（ステップＳ１８）、金属層４５ａの配線構造体１０の上面に露出した部分を除去することにより得られる（ステップＳ１９）。図１３は、金属層形成工程の具体例を示す図である。金属層４５ａの形成は、例えばＳＡＰ（Semi Additive Process）により行われる。金属層４５ａは、ビアホール４６の底部において露出する電極パッド４０の第２導電体層４２に接続する。本実施例では、電極パッド４０のくびれ４０ａによって電極パッド４０と第１絶縁層１１の絶縁性樹脂との密着性が確保されるため、第１配線構造体１０からの電極パッド４０の剥離を抑制することができる。その結果、ビア４５からの電極パッド４０の第２導電体層４２の剥離を抑制することができ、電極パッド４０とビア４５との接続信頼性を向上することができる。

金属層４５ａが形成されると、第１配線構造体１０の上面において金属層４５ａの配線構造体１０の上面に露出した部分が研磨され、ビア４５が得られる（ステップＳ１９）。図１４は、金属層研磨工程後の具体例を示す図である。金属層４５ａの研磨は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）により行われる。

金属層４５ａの研磨と同時に第３絶縁層１３の上面を研磨してもよい。その場合、積層時に表面に生じた第３絶縁層１３の上面のうねりが研磨により除去され、より平坦な面が得られる。第３絶縁層１３の上面の平坦度が高ければ、第３絶縁層１３の上面に形成される第２配線構造体２０の配線をより微細にすることが可能となる。

そして、ビルドアップ工程において、第２配線構造体２０の第４絶縁層２１から第７絶縁層２４が積層される（ステップＳ２０）。すなわち、例えば図１５に示すように、第４絶縁層２１から第７絶縁層２４が積層され、層間が配線５０により接続されるとともに、第４絶縁層２１上の第１配線層５１が第４絶縁層２１内部のビア５５を介してビア４５に接続される。図１５は、ビルドアップ工程の具体例を示す図である。

そして、エッチストップ層１１０からベース基板１００が剥離される（ステップＳ２１）。すなわち、例えば図１６に示すように、エッチストップ層１１０から剥離層１００ａとともにベース基板１００が剥離され、エッチストップ層１１０が露出される。図１６は、剥離工程の具体例を示す図である。

ベース基板１００が剥離されると、エッチストップ層１１０が除去されて、第１配線構造体１０の下面において電極パッド４０の第１導電体層４１の端面が露出される（ステップＳ２２）。すなわち、例えば図１７に示すように、エッチストップ層１１０が例えばエッチングにより除去されて、第１配線構造体１０の下面において電極パッド４０の第１導電体層４１の端面４１ａが露出される。図１７は、エッチストップ層除去工程の具体例を示す図である。

エッチストップ層１１０は、第１導電体層４１のエッチングに用いられるエッチング液とは異なるエッチング液を用いてエッチングされる。これにより、第１配線構造体１０の下面において第１導電体層４１の端面４１ａがエッチングされることがなく、荒れの少ない平滑な面に保たれる。また、本実施例においては、ベース基板１００の上面と同様にエッチストップ層１１０の上面が平坦であるため、エッチストップ層１１０が除去されて第１配線構造体１０の下面に露出する端面４１ａと第１配線構造体１０の下面とが同一平面上に位置する。これにより、第１導電体層４１は、第１配線構造体１０の下面において露出する端面４１ａと第１配線構造体１０の下面とが同一平面上に位置するように、形成される。

そして、第１配線構造体１０の下面に、第１導電体層４１の端面４１ａを被覆する接着層３０が形成される（ステップＳ２３）。すなわち、例えば図１８に示すように、第１配線構造体１０の下面に、第１導電体層４１の端面４１ａを被覆するように半硬化状態の接着層３０が積層され、接着層３０が熱硬化される。このとき、第１導電体層４１の端面４１ａと第１配線構造体１０の下面とが同一平面上に位置しているので、第１配線構造体１０の下面に形成される接着層３０の厚さを均一にすることができる。図１８は、接着層形成工程の具体例を示す図である。接着層３０は、配線基板１と他の配線基板とを接着する際に用いられる。

以上のように、実施例に係る配線基板１は、第１配線構造体１０と、電極パッド４０と、を有する。第１配線構造体１０は、少なくとも一部が絶縁性樹脂からなる。電極パッド４０は、第１配線構造体１０に埋設される。そして、電極パッド４０の外側面４０ｂに第１配線構造体１０の絶縁性樹脂に接するくびれ４０ａが形成される。これにより、第１配線構造体１０の絶縁性樹脂が電極パッド４０のくびれ４０ａに充填されて電極パッド４０と絶縁性樹脂との密着性が確保される。その結果、第１配線構造体１０に対する電極パッド４０の固定強度を向上することができる。

また、実施例に係る配線基板１において、電極パッド４０は、第１配線構造体１０の下面において端面４１ａが露出する第１導電体層４１と、第１導電体層４１上に形成され、第１導電体層４１とは粒界密度が異なる第２導電体層４２と、を有する。そして、くびれ４０ａは、外側面４０ｂのうち第１導電体層４１と第２導電体層４２との境界部分４３に対応する領域に形成される。これにより、粒界密度が異なる２つの導電体層の境界部分において、第１配線構造体１０の絶縁性樹脂に接するくびれ４０ａを効率的に形成することができる。

また、実施例に係る配線基板１において、第１配線構造体１０は、絶縁性樹脂からなる第１絶縁層１１と、第１絶縁層１１上に積層され、絶縁性樹脂及び補強部材からなる第２絶縁層１２と、を有する。そして、電極パッド４０は、第１絶縁層１１及び第２絶縁層１２に埋設される。くびれ４０ａは、第１絶縁層１１の絶縁性樹脂に接する。これにより、第１配線構造体１０において第２絶縁層１２に隣接する第１絶縁層１１の厚さが十分に確保されない場合でも、電極パッド４０と第１絶縁層１１の絶縁性樹脂との密着性が確保されるので、第１配線構造体１０に対する電極パッド４０の固定強度を向上することができる。

また、実施例に係る配線基板１において、第１導電体層４１は、第１配線構造体１０の下面において露出する端面４１ａと第１配線構造体１０の下面とが同一平面上に位置するように、形成される。そして、第１配線構造体１０の下面には、配線基板１と他の配線基板とを接着するための接着層３０が形成される。これにより、第１配線構造体１０の下面に形成される接着層３０の厚さを均一にすることができるので、配線基板１と他の配線基板との接着時に、接着層３０が第１配線構造体１０の下面から外方へ均等に押し出され、電極パッド４０の端面４１ａに残存することはない。その結果、電極パッド４０が他の配線基板に対する接続端子として用いられる場合でも、電極パッド４０と他の配線基板の電極パッドとの間での接着層３０の噛み込みが回避され、電極パッド４０による接続信頼性を向上することができる。

また、実施例に係る配線基板１は、第１配線構造体１０に埋設され、電極パッド４０に接続するビア４５をさらに有する。これにより、絶縁性樹脂との密着性が高い電極パッド４０にビア４５が接続されるので、ビア４５と電極パッド４０との剥離を抑制することができ、電極パッド４０とビア４５との接続信頼性を向上することができる。

［配線基板の応用例］
上記のように構成された配線基板１は、例えば２つの配線基板が積層されて形成される積層型配線基板に応用することができる。図１９は、実施例に係る積層型配線基板の構成の一例を示す図である。

図１９に示す積層型配線基板は、配線基板２と、配線基板１と、を有する。配線基板２は、コア層６０と、コア層６０の上面に積層されたビルドアップ層７０と、コア層６０の下面に積層されたビルドアップ層８０と、を有する。ビルドアップ層７０の上面には、電極パッド７１が形成され、ビルドアップ層８０の下面には、電極パッド８１が形成される。電極パッド７１は、例えば銅などの導電体により形成され、配線基板２が配線基板１に接合される際の接続端子として用いられる。電極パッド８１は、例えば銅などの導電体により形成され、配線基板２がマザーボード等の外部部品に接合される際の接続端子として用いられる。また、コア層６０の内部、ビルドアップ層７０の内部及びビルドアップ層８０の内部には、電極パッド７１と電極パッド８１とを電気的に接続する配線が形成される。

配線基板１は、配線基板２上に搭載されている。すなわち、配線基板１の接続端子である電極パッド４０と配線基板２の接続端子である電極パッド７１とが、はんだ７２により接合されている。そして、配線基板１の接着層３０は、配線基板１の下面（つまり、第１配線構造体１０の下面）と配線基板２の上面との間に配置され、配線基板１の側面の一部を被覆した状態で配線基板１と配線基板２とを接着する。ここで、上述した通り、電極パッド４０（第１導電体層４１）の端面４１ａと第１配線構造体１０の下面とは、同一平面上に位置している。これにより、第１配線構造体１０の下面に形成される接着層３０の厚さを均一にすることができるので、配線基板１と配線基板２との接着時に、接着層３０が第１配線構造体１０の下面から外方へ均等に押し出され、電極パッド４０の端面４１ａに残存することはない。その結果、配線基板１の接続端子である電極パッド４０と配線基板２の接続端子である電極パッド７１との間での接着層３０の噛み込みが回避され、電極パッド４０による接続信頼性を向上することができる。

１ 配線基板
１０ 第１配線構造体
１１ 第１絶縁層
１２ 第２絶縁層
１３ 第３絶縁層
３０ 接着層
４０ 電極パッド
４０ａ くびれ
４０ｂ 外側面
４１ 第１導電体層
４１ａ 端面
４２ 第２導電体層
４２ａ 空隙
４３ 境界部分
４５ ビア
４６ ビアホール
１００ ベース基板
１１０ エッチストップ層
１２０ レジスト層
１２０ａ 開口

Claims (9)

1. 少なくとも一部が絶縁性樹脂からなる絶縁層と、
   前記絶縁層に埋設され、外側面に前記絶縁層の絶縁性樹脂に接するくびれが形成された電極パッドと、
   前記絶縁層に埋設され、前記電極パッドに接続するビアと、
   を有し、
   前記電極パッドは、
   前記絶縁層の一面において端面が露出する第１導電体層と、
   前記第１導電体層上に形成され、前記第１導電体層とは粒界密度が異なる第２導電体層と、
   を有し、
   前記くびれは、前記外側面のうち前記第１導電体層と前記第２導電体層との境界部分に対応する領域に形成されることを特徴とする配線基板。
2. 前記第２導電体層は、前記第１導電体層よりも粒界密度が小さいことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 少なくとも一部が絶縁性樹脂からなる絶縁層と、
   前記絶縁層に埋設され、外側面に前記絶縁層の絶縁性樹脂に接するくびれが形成された電極パッドと、
   を有し、
   前記電極パッドは、
   前記絶縁層の一面において端面が露出する第１導電体層と、
   前記第１導電体層上に形成され、前記第１導電体層とは粒界密度が異なる第２導電体層と、
   を有し、
   前記くびれは、前記外側面のうち前記第１導電体層と前記第２導電体層との境界部分に対応する領域に形成され、
   前記絶縁層は、
   絶縁性樹脂からなる第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層上に積層され、絶縁性樹脂及び補強部材からなる第２絶縁層と、
   を有し、
   前記電極パッドは、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層に埋設され、
   前記くびれは、前記第１絶縁層の絶縁性樹脂に接することを特徴とする配線基板。
4. 前記第１導電体層は、前記絶縁層の一面において露出する端面と前記絶縁層の一面とが同一平面上に位置するように、形成され、
   前記絶縁層の一面には、前記配線基板と他の配線基板とを接着するための接着層が形成されることを特徴とする請求項１～３のいずれか一つに記載の配線基板。
5. 前記ビアは、前記絶縁層の上端面と面一の上端面を有することを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
6. 他の配線基板と、
   前記他の配線基板上に搭載された請求項１～５のいずれか一つに記載の配線基板と、
   を有し、
   前記電極パッドは、前記他の配線基板の電極パッドに接合されることを特徴とする積層型配線基板。
7. ベース基板上にエッチストップ層及び第１導電体層を形成する工程と、
   前記第１導電体層上に、複数の開口を有するレジスト層を形成する工程と、
   前記レジスト層の各開口において露出する前記第１導電体層上に、前記第１導電体層とは粒界密度が異なる第２導電体層を形成する工程と、
   前記レジスト層を除去して、隣り合う前記第２導電体層の間に空隙を形成する工程と、
   前記空隙において前記エッチストップ層が露出するまで前記第１導電体層をエッチングして、前記第１導電体層と前記第２導電体層とを有する電極パッドを形成する工程と、
   前記第１導電体層のエッチングと並行して、前記空隙の幅方向に前記第１導電体層と前記第２導電体層との境界部分をエッチングして、前記電極パッドの外側面のうち、前記境界部分に対応する領域にくびれを形成する工程と、
   前記エッチストップ層上に、少なくとも一部が絶縁性樹脂からなり前記電極パッドを被覆する絶縁層を形成する工程と、
   を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
8. 前記絶縁層を貫通して前記電極パッドの前記第２導電体層を露出させるビアホールを形成する工程と、
   前記絶縁層の前記ビアホールの位置に、前記第２導電体層に接続するビアを形成する工程と、
   をさらに有することを特徴とする請求項７に記載の配線基板の製造方法。
9. 前記エッチストップ層から前記ベース基板を剥離する工程と、
   前記エッチストップ層を除去して、前記絶縁層の一面において前記電極パッドの前記第１導電体層の端面を露出させる工程と、
   前記絶縁層の一面に、前記第１導電体層の端面を被覆するように接着層を形成する工程と、
   をさらに有することを特徴とする請求項８に記載の配線基板の製造方法。

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