JP7268595B2 - 異物除去用コーティング膜形成組成物 - Google Patents
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Description
支持基板に貼り付けを行う際、その後の工程(加熱工程、薬液処理工程)に耐性を有する接着剤(ポリマーを含む液状組成物、バックグラインドテープ、ダイシングテープ等)によりウエハーを貼り付け、その後半導体基板を剥離する工程が行われるが、その際に接着剤に含まれる接着層が、基板上に異物(残渣)として残ってしまう場合がある。これは、基板上に予め配線等が形成された半導体基板表面に直接接着層を形成する場合、特に顕著に発生する。
この異物は、公知の有機溶剤、液状薬品等で洗浄等を行っても、完全に取り除けない場合がある。
支持基板と半導体ウエハーとを接着性組成物で接着し、半導体ウエハーの裏面を研磨した後に接着剤をエッチング液で除去する方法が開示されている(特許文献1)。
半導体リソグラフィーにおいて使用される反射防止膜において、フォトレジスト用現像液に溶解し、フォトレジストと同時に現像除去することができる反射防止膜が開示されている(特許文献2)。
なお、本願発明の異物除去用コーティング膜は、基板上の異物除去のためであれば上記仮接着工程に限定されない。
[1] ポリマー及び溶剤を含み、現像液に溶解するコーティング膜を形成し得る、異物除去用コーティング膜形成組成物。
[2] 前記ポリマーが、(a)テトラカルボン酸二無水物化合物と、(b)少なくとも一つのカルボキシル基を有するジアミン化合物とから誘導される構造単位を有するポリアミド酸である、[1]に記載の組成物。
[3] 前記ポリマーが(a)テトラカルボン酸二無水物化合物と、(b)少なくとも一つのカルボキシル基を有するジアミン化合物とから誘導される構造単位、及び
(a)テトラカルボン酸二無水物化合物と、(c)(b)と異なるジアミン化合物とから誘導される構造単位を有するポリアミド酸である、[1]に記載の組成物。
[4] 前記(c)ジアミン化合物が、カルボキシル基を有さないジアミン化合物である、[3]に記載の組成物。
[5] [1]乃至[4]のいずれか1項に記載の組成物からなる塗布膜の焼成物であることを特徴とする異物除去用コーティング膜。
[6] [1]乃至[4]のいずれか1項に記載の組成物を基板上に塗布し焼成してコーティング膜を形成する工程、該コーティング膜上に異物が形成される工程、及び該コーティング膜を異物と共に現像液にて除去する工程を含む、異物除去方法。
[7] 前記異物が形成される工程が、前記コーティング膜上に接着層を形成する工程、及び、その後、前記接着層を剥離する工程を含む、[6]に記載の方法。
[8] 前記異物が、前記接着層の剥離残渣である、[7]に記載の方法。
[9] [1]乃至[4]のいずれか1項に記載の組成物を第一基板上に塗布し焼成して
コーティング膜を形成する工程、
前記コーティング膜上に接着層を形成する工程、
第二基板を前記接着層を介して前記第一基板に仮貼り付けする工程、
前記第二基板を前記第一基板から剥離する工程、及び
前記第二基板の剥離後に前記第一基板上に残存する前記コーティング膜を前記接着層と共に現像液にて除去する工程を含む、基板処理方法。
[10] [1]乃至[4]のいずれか1項に記載の組成物を第一基板上に塗布し焼成してコーティング膜を形成する工程、
前記コーティング膜上に接着層を形成する工程、及び
第二基板を前記第一基板に貼り付ける工程、を含む積層基板の製造方法。
[12] 上記ポリマーが、式(1):
(式中、A1は4価の有機基を表し、B1は3価の有機基を表す)で表される構造を有するポリアミド酸を含むポリマーである、[11]に記載の組成物。
[13] 式(1)で表される構造と、式(2):
(式中、A2は4価の有機基を表し、B2は2価の有機基を表す)で表される構造を有するポリアミド酸とをさらに含むポリマーである、[12]に記載の組成物。
[14] 前記ポリアミド酸が(a)テトラカルボン酸二無水物化合物と(b)少なくとも一つのカルボキシル基を有するジアミン化合物から製造されるポリアミド酸である、[12]に記載の組成物。
[15] 前記ポリアミド酸が(a)テトラカルボン酸二無水物化合物、(b)少なくとも一つのカルボキシル基を有するジアミン化合物、及び(c)ジアミン化合物から製造されるポリアミド酸である、[13]に記載の組成物。
[16] 前記(a)テトラカルボン酸二無水物化合物が少なくとも一つのベンゼン環構造を有するテトラカルボン酸二無水物化合物である、[14]又は[15]に記載の組成物。
[17] 前記(b)少なくとも一つのカルボキシル基を有するジアミン化合物が少なくとも一つのベンゼン環構造を有するジアミン化合物である、[14]又は[15]に記載の組成物。
[18] 前記(c)ジアミン化合物が二つのベンゼン環構造を有するジアミン化合物である、[15]に記載の組成物。
[19] 前記ポリアミド酸の重量平均分子量が1000~50000である、[12]又[13]に記載の組成物。
[20] さらに、少なくとも二つのエポキシ基を有する化合物を含む、[12]又[13]に記載の組成物。
[21] [11]乃至[20]のいずれか1項に記載の組成物を基板上に塗布し焼成することにより形成される異物除去用コーティング膜。
[22] [11]乃至[20]のいずれか1項に記載の組成物を基板上に塗布し焼成してコーティング膜を形成する工程、該コーティング膜上に異物が形成される工程、及び該コーティング膜を現像液にて除去する工程を含む、異物除去方法。
[23] 前記コーティング膜を形成する工程後、接着層を形成し、次いで接着層を剥離する工程をさらに含む、[22]に記載の方法。
[24] 前記異物が、接着層形成後の剥離残渣である、[22]に記載の方法。
[25] [11]乃至[20]のいずれか1項に記載の組成物を基板上に塗布し焼成してコーティング膜を形成する工程、該膜上に接着層を形成する工程、もう一方の基板を該基板に仮貼り付けする工程、もう一方の基板を剥離する工程、及び該膜を現像液にて除去する工程を含む、基板処理方法。
[26] [11]乃至[20]のいずれか1項に記載の組成物を基板上に塗布し焼成してコーティング膜を形成する工程、該膜上に接着層を形成する工程、もう一方の基板を該基板に貼り付ける工程、を含む積層基板の製造方法。
本発明の異物除去用コーティング膜は、特に半導体ウエハーの仮貼り工程で使用される場合、仮貼り後の半導体基板加工プロセス(熱、薬品)に対して耐性を有する。
本発明の異物除去用コーティング膜形成組成物は、現像液に可溶なポリマーを含む。ポリマーは現像液に溶解するものであれば特に制限はないが、半導体ウエハーの仮貼り工程で使用される場合は、仮貼り後の半導体基板加工プロセス(熱、薬品)に対して耐性を有するポリマーであることが好ましい。具体例としてポリアミド酸、オレフィンが反応したビニル重合ポリマー、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン等が挙げられるが、好ましくは式(1)で表される構造を有するポリアミド酸及び溶剤を含むものである。さらに少なくとも二つのエポキシ基を有する化合物を含むことが好ましい。また、本発明の異物除去用コーティング膜形成組成物は、式(1)で表される構造と式(2)で表される構造とを有するポリアミド酸及び溶剤を含むものである。さらに少なくとも二つのエポキシ基を有する化合物を含むことが好ましい。そして、本発明の異物除去用コーティング膜形成組成物は、任意成分として、吸光性化合物、界面活性剤等を含有するものである。
本発明の異物除去用コーティング膜形成組成物は式(1)で表される構造を有するポリアミド酸、または、式(1)で表される構造と式(2)で表される構造とを有するポリアミド酸を含むものである。
式(1)においてA1は4価の有機基を表し、B1は3価の有機基を表す。A1としては、例えば、式(3)~(10)が挙げられる(式中Xは、炭素数1~5のアルキル基、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、炭素数1~5のアルコキシ基、水酸基、カルボキシル基、フェノキシ基、トリフルオロメチル基またはニトロ基を表し、mは0、1又は2の数を表す)。
B2としては、例えば、式(19)~(27)が挙げられる(式中Zは、炭素数1~5のアルキル基、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、炭素数1~5のアルコキシ基、水酸基、カルボキシル基、フェノキシ基、トリフルオロメチル基またはニトロ基を表し、mは0、1又は2の数を表す)。
本発明の異物除去用コーティング膜形成組成物は少なくとも二つのエポキシ基を有する化合物を含有してもよい。そのような化合物としては、エポキシ基を有する化合物であれば特に限定はない。例えば、トリス(2,3-エポキシプロピル)イソシアヌレート、1,4-ブタンジオールジグリシジルエーテル、1,2-エポキシ-4-(エポキシエチル)シクロヘキサン、グリセロールトリグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、2,6-ジグリシジルフェニルグリシジルエーテル、1,1,3-トリス[p-(2,3-エポキシプロポキシ)フェニル]プロパン、1,2-シクロヘキサンジカルボン酸ジグリシジルエステル、4,4’-メチレンビス(N,N-ジグリシジルアニリン)、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル-3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、トリメチロールエタントリグリシジルエーテル及びビスフェノール-A-ジグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル等を挙げることができる。
本発明の異物除去用コーティング膜形成組成物は、上記の各成分を均一に混合することによって容易に調製することができ、適当な溶剤に溶解されて溶液状態で用いられる。そのような溶剤としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2-ヒドロキシ-3-メチルブタン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン等を用いることができる。これらの溶剤は単独または2種以上の組合せで使用することができる。さらに、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等の高沸点溶剤を混合して使用することができる。
そのため、これらの化合物は光酸発生剤と共に異物除去用コーティング膜形成組成物に添加されることが好ましい。すなわち、上記の酸の存在下で容易に分解される基で保護されたカルボキシル基又はフェノール性水酸基を有する化合物と光酸発生剤とを含む異物除去用コーティング膜形成組成物から形成された異物除去用コーティング膜にあっては、その露光された部分では露光によって光酸発生剤から発生した酸によって、酸の存在下で容易に分解される基で保護されたカルボキシル基又はフェノール性水酸基を有する化合物のカルボキシル基又はフェノール性水酸基が再生し、その結果、露光された部分の異物除去用コーティング膜のアルカリ性溶液に対する溶解性が高まることとなる。これに対し、露光されていない部分では酸の存在下で容易に分解される基で保護されたカルボキシル基又はフェノール性水酸基を有する化合物に変化はなく、その部分の異物除去用コーティング膜のアルカリ性溶液に対する溶解性を高めることとはならない。このため、酸の存在下で容易に分解される基で保護されたカルボキシル基又はフェノール性水酸基を有する化合物と光酸発生剤を共に使用することにより、露光後の異物除去用コーティング膜の露光部と非露光部のアルカリ性の現像液に対する溶解性に差をつけることができるようになり、現像によるパターン形成を容易なものとする。
半導体基板(例えば、シリコン/二酸化シリコン被覆基板、シリコンナイトライド基板、ガラス基板、ITO基板等)の上に、スピナー、コーター、浸漬等の適当な塗布方法により本発明の異物除去用コーティング膜形成組成物が塗布され、その後、焼成することにより異物除去用コーティング膜が形成される。焼成する条件としては、焼成温度80℃~300℃、焼成時間0.3~60分間の中から適宜、選択される。
本願の異物除去方法は、上記組成物を基板上に塗布し焼成してコーティング膜を形成する工程、該膜上に異物が形成される工程、及び該膜に現像液を作用させて該膜を除去する工程を含む、異物除去方法である。
上記の組成物を基板上に塗布し焼成してコーティング膜を形成する工程、該膜上に接着層を形成する工程、もう一方の基板を該基板に仮貼り付けする工程、もう一方の基板を剥離する工程、及び該膜を現像液で剥離する工程を含む、基板処理方法である。
本願の基板処理方法は、例えばいわゆるウエハー仮貼り工程に適用される。
接着剤層は、公知の接着剤と方法によって形成される。接着剤としては例えば国際公開第2015/190438号等に記載の塗布タイプのウエハー仮接着剤、ThinMaterials社の仮貼り合わせ材料(日産化学工業(株))、東レ株式会社製の半導体用ウエハー仮貼り材料、WaferBOND(登録商標)CR-200、HT-10.10(ブリューワーサイエンス社製)を用いてもよいし、テープ状接着剤(例えば、バックグラインド用テープ(例えば、3MTM仮固定用粘着テープ ATT-4025(スリーエム ジャパン株式会社製)、Eシリーズ、Pシリーズ、Sシリーズ(リンテック株式会社製、商品名)、イクロステープ(登録商標)(三井化学東セロ株式会社製))、ダイシング用テープ(例えば、耐溶剤ダイシングテープ(日東電工株式会社製、商品名)、感温性粘着シート インテリマー(登録商標)テープ(ニッタ株式会社製)、インテリマー(登録商標)テープ(アンカーテクノ株式会社製)等)を用いてもよい。
特定のウエハーハンドリングシステム(例えば、Zero Newton(登録商標)(東京応化工業(株))中に適用されるウエハー用接着剤でもよい。
上記の組成物を基板上に塗布し焼成してコーティング膜を形成する工程、該膜上に接着層を形成する工程、もう一方の基板を該基板に貼り付ける工程、を含む工程を経て、基板―該膜―接着層―基板の構成を有する積層基板が製造できる。好ましくは、一方が半導体基板、もう一方が半導体基板の形状を保持するための支持基板であり、接着層は、例えば半導体基板と支持基板が再度剥離できるものが好ましい。接着層は上記に記載の通りである。
(ポリアミド酸の合成)
ピロメリット酸二無水物4.36g、ジアミノ安息香酸1.19g、2,2-ビス(3-アミノ-4-トルイル)ヘキサフルオロプロパン4.26gをプロピレングリコールモノメチルエーテル55.6g中60℃で25時間反応することによって、ポリアミド酸を含む溶液[A]を得た。
(吸光性化合物の合成)
3、7-ジヒドロキシ-2-ナフトエ酸19.0g、トリス(2,3-エポキシプロピル)イソシアヌレート10g、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド0.552gをシクロヘキサノン118g中130℃で24時間反応させることで吸光性化合物を含む溶液[a]を得た。
(異物除去用コーティング膜形成組成物の調製)
ポリアミド酸を含む溶液[A]14.0gに吸光性化合物を含む溶液[a]4.38g、トリス(2,3-エポキシプロピル)イソシアヌレート0.630g、プロピレングリコールモノメチルエーテル52.3g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート67.5gを添加し室温で30分間攪拌することにより異物除去用コーティング膜形成組成物の溶液[1]を調製した。
この異物除去用コーティング膜形成組成物の溶液[1]をシリコンウエハー基板上にスピナーを用いて塗布した後、ホットプレート上で200℃、60秒間焼成して膜厚40nmの異物除去用コーティング膜を形成した。得られた異物除去用コーティング膜は乳酸エチル及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに不溶であった。この異物除去用コーティング膜をエリプソメーターで測定した結果、波長248nmでの屈折率(n値)は1.67、減衰係数(k値)は0.39、波長193nmでの屈折率(n値)は1.53、減衰係数(k値)は0.42であった。
また、焼成温度を190℃、210℃及び220℃として同様に異物除去用コーティング膜を形成した。そして、これらの異物除去用コーティング膜が乳酸エチル及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに不溶であることを確認した。
次に、現像液(東京応化工業(株)製、商品名NMD-3)に対する異物除去用コーティング膜の溶解速度をレジスト現像アナライザー(リソテックジャパン(株)製)を用いて測定した。アナライザー周辺の温度は25℃であった。焼成温度190℃、焼成時間60秒で形成した異物除去用コーティング膜の溶解速度は毎秒10.7nmであった。また、焼成温度200℃、焼成時間60秒で形成した異物除去用コーティング膜の溶解速度は毎秒2.0nm、焼成温度210℃、焼成時間60秒で形成した異物除去用コーティング膜の溶解速度は毎秒0.9nm、焼成温度220℃、焼成時間60秒で形成した異物除去用コーティング膜の溶解速度は毎秒0.61nmであった。つまり焼成温度190℃、焼成時間60秒で形成した異物除去用コーティング膜は3.7秒で、焼成温度200℃、焼成時間60秒で形成した異物除去用コーティング膜は20秒で、焼成温度210℃、焼成時間60秒で形成した異物除去用コーティング膜は約44.4秒で、焼成温度220℃、焼成時間60秒で形成した異物除去用コーティング膜は約65.6秒で完全に除去できるため、本異物除去用コーティング膜上に存在する異物も除去できることになる。
異物除去用コーティング膜形成組成物の溶液[1]をシリコンウエハー基板上にスピナーを用いて塗布した後、ホットプレート上で220℃、60秒間焼成して膜厚40nmの異物除去用コーティング膜を形成した。得られた異物除去用コーティング膜上にKrF用ポジ型フォトレジスト膜を形成し、200nmのライン/スペースパターンが形成されるように設定されたマスクを通して、KrFエキシマレーザー(波長248nm)で露光した。
110℃で90秒間露光後加熱を行った後、フォトレジスト用現像液として2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(東京応化工業(株)製、商品名NMD-3)を用いて60秒間パドル現像を行った。フォトレジストとともに異物除去用コーティング膜も露光部は溶解し、200nmのライン/スペースでも残膜は見られなかった。
(異物除去用コーティング膜形成組成物の調製)
実施例1で用いたポリアミド酸溶液[A]14.0gに実施例1で用いた吸光性化合物を含む溶液[a]4.38g、トリス(2,3-エポキシプロピル)イソシアヌレート0.630g、2、4,6-トリス(4-ヒドロキシフェニルメチル)-1,3-ベンゼンジオール0.0450g、プロピレングリコールモノメチルエーテル52.8g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート67.5gを添加し室温で30分間攪拌することにより異物除去用コーティング膜形成組成物の溶液[2]を調製した。
(異物除去用コーティング膜形成組成物の評価)
この異物除去用コーティング膜形成組成物の溶液[2]をシリコンウエハー基板上にスピナーを用いて塗布した後、ホットプレート上で200℃、60秒間焼成して膜厚40nmの異物除去用コーティング膜を形成した。得られた異物除去用コーティング膜は乳酸エチル及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに不溶であった。この異物除去用コーティング膜をエリプソメーターで測定した結果、波長248nmでの屈折率(n値)は1.67、減衰係数(k値)は0.39、波長193nmでの屈折率(n値)は1.53、減衰係数(k値)は0.42であった。
また、焼成温度を190℃、210℃及び220℃として同様に異物除去用コーティング膜を形成した。そして、これらの異物除去用コーティング膜が乳酸エチル及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに不溶であることを確認した。
つまり焼成温度190℃、焼成時間60秒で形成した異物除去用コーティング膜は約3.4秒で、焼成温度200℃、焼成時間60秒で形成した異物除去用コーティング膜は約17.4秒で、焼成温度210℃、焼成時間60秒で形成した異物除去用コーティング膜は約36.4秒で、焼成温度220℃、焼成時間60秒で形成した異物除去用コーティング膜は約48.2秒で完全に除去できるため、本異物除去用コーティング膜上に存在する異物も除去できることになる。
異物除去用コーティング膜形成組成物の溶液[2]をシリコンウエハー基板上にスピナーを用いて塗布した後、ホットプレート上で220℃、60秒間焼成して膜厚40nmの異物除去用コーティング膜を形成した。得られた異物除去用コーティング膜上にKrF用ポジ型フォトレジスト膜を形成し、200nmのライン/スペースパターンが形成されるように設定されたマスクを通して、KrFエキシマレーザー(波長248nm)で露光した。110℃で90秒間露光後加熱を行った後、フォトレジスト用現像液として2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(東京応化工業(株)製、商品名NMD-3)を用いて60秒間パドル現像を行った。フォトレジストとともに異物除去用コーティング膜も露光部は溶解し、200nmのライン/スペースでも残膜は見られなかった。
(ポリアミド酸の合成)
ピロメリット酸二無水物4.36g、ジアミノ安息香酸0.89g、2,2-ビス(3-アミノ-4-トルイル)ヘキサフルオロプロパン4.97gをプロピレングリコールモノメチルエーテル55.6g中60℃で25時間反応することでポリアミド酸を含む溶液[B]を得た。
(異物除去用コーティング膜形成組成物の調製)
ポリアミド酸を含む溶液[B]14.0gに実施例1で用いた吸光性化合物を含む溶液[a]4.38g、トリス(2,3-エポキシプロピル)イソシアヌレート0.630g、プロピレングリコールモノメチルエーテル52.4g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート67.5gを添加し室温で30分間攪拌することにより異物除去用コーティング膜形成組成物の溶液[3]を調製した。
(異物除去用コーティング膜形成組成物の評価)
この異物除去用コーティング膜形成組成物の溶液[3]をシリコンウエハー基板上にスピナーを用いて塗布した後、ホットプレート上で200℃、60秒間焼成して膜厚40nmの異物除去用コーティング膜を形成した。得られた異物除去用コーティング膜は乳酸エチル及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに不溶であった。この異物除去用コーティング膜をエリプソメーターで測定した結果、波長248nmでの屈折率(n値)は1.67、減衰係数(k値)は0.39、波長193nmでの屈折率(n値)は1.53、減衰係数(k値)は0.42であった。
また、焼成温度を190℃、210℃及び220℃として同様に異物除去用コーティング膜を形成した。そして、これらの異物除去用コーティング膜が乳酸エチル及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに不溶であることを確認した。
つまり焼成温度190℃、焼成時間60秒で形成した異物除去用コーティング膜は約4.1秒で、焼成温度200℃、焼成時間60秒で形成した異物除去用コーティング膜は約23.5秒で、焼成温度210℃、焼成時間60秒で形成した異物除去用コーティング膜は約57.1秒で、焼成温度220℃、焼成時間60秒で形成した異物除去用コーティング膜は約75.5秒で完全に除去できるため、本異物除去用コーティング膜上に存在する異物も除去できることになる。
異物除去用コーティング膜形成組成物の溶液[3]をシリコンウエハー基板上にスピナーを用いて塗布した後、ホットプレート上で210℃、60秒間焼成して膜厚40nmの異物除去用コーティング膜を形成した。得られた異物除去用コーティング膜上にKrF用ポジ型フォトレジスト膜を形成し、200nmのライン/スペースパターンが形成されるように設定されたマスクを通して、KrFエキシマレーザー(波長248nm)で露光した。
110℃で90秒間露光後加熱を行った後、フォトレジスト用現像液として2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(東京応化工業(株)製、商品名NMD-3)を用いて60秒間パドル現像を行った。フォトレジストとともに異物除去用コーティング膜も露光部は溶解し、200nmのライン/スペースでも残膜は見られなかった。
(異物除去用コーティング膜形成組成物の調製)
実施例1で用いたポリアミド酸溶液[A]14.0gに実施例1で用いた吸光性化合物を含む溶液[a]4.38g、4,4’-メチレンビス(ジグリシジルアニリン)0.630g(東都化成製)、プロピレングリコールモノメチルエーテル52.8g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート67.5gを添加し室温で30分間攪拌することにより異物除去用コーティング膜形成組成物の溶液[4]を調製した。
(異物除去用コーティング膜形成組成物の評価)
この異物除去用コーティング膜形成組成物の溶液[4]をシリコンウエハー基板上にスピナーを用いて塗布した後、ホットプレート上で200℃、60秒間焼成して膜厚40nmの異物除去用コーティング膜を形成した。得られた異物除去用コーティング膜は乳酸エチル及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに不溶であった。この異物除去用コーティング膜をエリプソメーターで測定した結果、波長248nmでの屈折率(n値)は1.67、減衰係数(k値)は0.39、波長193nmでの屈折率(n値)は1.53、減衰係数(k値)は0.42であった。
また、焼成温度を190℃、210℃及び220℃として同様に異物除去用コーティング膜を形成した。そして、これらの異物除去用コーティング膜が乳酸エチル及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに不溶であることを確認した。
つまり焼成温度190℃、焼成時間60秒で形成した異物除去用コーティング膜は約4.1秒で、焼成温度200℃、焼成時間60秒で形成した異物除去用コーティング膜は約72.7秒で、焼成温度210℃、焼成時間60秒で形成した異物除去用コーティング膜は約108.1秒で、焼成温度220℃、焼成時間60秒で形成した異物除去用コーティング膜は約307.7秒で完全に除去できるため、本異物除去用コーティング膜上に存在する異物も除去できることになる。
異物除去用コーティング膜形成組成物の溶液[4]をシリコンウエハー基板上にスピナーを用いて塗布した後、ホットプレート上で210℃、60秒間焼成して膜厚40nmの異物除去用コーティング膜を形成した。得られた異物除去用コーティング膜上にKrF用ポジ型フォトレジスト膜を形成し、200nmのライン/スペースパターンが形成されるように設定されたマスクを通して、KrFエキシマレーザー(波長248nm)で露光した。
110℃で90秒間露光後加熱を行った後、フォトレジスト用現像液として2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(東京応化工業(株)製、商品名NMD-3)を用いて60秒間パドル現像を行った。フォトレジストとともに異物除去用コーティング膜も露光部は溶解し、200nmのライン/スペースでも残膜は見られなかった。
(ポリアミド酸の合成)
4,4’-(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフタル酸二無水物17.8g、3,5-ジアミノ安息香酸3.12g及びビス(4-アミノフェニルスルホン)4.92gをプロピレングリコールモノメチルエーテル145.6g中80℃で20時間反応することによって、ポリアミド酸を含む溶液[C]を得た。得られたポリアミド酸のGPC分析を行ったところ、重量平均分子量Mw=8600(標準ポリスチレン換算)、数平均分子量Mn=5200であった。
(異物除去用コーティング膜形成組成物の調製)
ポリアミド酸を含む溶液[C]25.0gに吸光性化合物溶液[a]4.15g、4,4’-メチレンビス(N,N-ジグリシジルアニリン)1.13g、3,7-ジヒドロキシナフトエ酸0.825g、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート0.124g、プロピレングリコールモノメチルエーテル82.8g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート127g、シクロヘキサノン10.0gを添加し室温で30分間攪拌することにより異物除去用コーティング膜形成組成物の溶液[5]を調製した。
この異物除去用コーティング膜形成組成物の溶液[5]をシリコンウェハー基板上にスピナーを用いて塗布した後、ホットプレート上で175℃、60秒間焼成して膜厚40nmの異物除去用コーティング膜を形成した。得られた異物除去用コーティング膜はプロピレングリコール、乳酸エチル及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに不溶であった。この異物除去用コーティング膜をエリプソメーターで測定した結果、波長248nmでの屈折率(n値)は1.80、減衰係数(k値)は0.44、波長193nmでの屈折率(n値)は1.50、減衰係数(k値)は0.44であった。
また、焼成温度を170℃及び180℃として同様に異物除去用コーティング膜を形成した。そして、これらの異物除去用コーティング膜が乳酸エチル及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに不溶であることを確認した。
次に、現像液(東京応化工業(株)製、商品名NMD-3)に対する異物除去用コーティング膜の溶解速度をレジスト現像アナライザー(リソテックジャパン(株)製)を用いて測定した。アナライザー周辺の温度は25℃であった。焼成温度170℃、焼成時間60秒で形成した異物除去用コーティング膜の溶解速度は毎秒2.35nm、焼成温度175℃、焼成時間60秒で形成した異物除去用コーティング膜の溶解速度は毎秒2.00nmであった。焼成温度180℃、焼成時間60秒で形成した異物除去用コーティング膜の溶解速度は毎秒1.82nmであった。
つまり焼成温度170℃、焼成時間60秒で形成した異物除去用コーティング膜は17秒で、焼成温度175℃、焼成時間60秒で形成した異物除去用コーティング膜は20秒で、焼成温度180℃、焼成時間60秒で形成した異物除去用コーティング膜は22秒で完全に除去できるため、本異物除去用コーティング膜上に存在する異物も除去できることになる。
異物除去用コーティング膜形成組成物の溶液[5]をシリコンウェハー基板上にスピナーを用いて塗布した後、ホットプレート上で220℃、60秒間焼成して膜厚40nmの異物除去用コーティング膜を形成した。得られた異物除去用コーティング膜上にKrF用ポジ型フォトレジスト膜を形成し、200nmのライン/スペースパターンが形成されるように設定されたマスクを通して、KrFエキシマレーザー(波長248nm)で露光した。110℃で90秒間露光後加熱を行った後、フォトレジスト用現像液として2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(東京応化工業(株)製、商品名NMD-3)を用いて60秒間パドル現像を行った。フォトレジストとともに異物除去用コーティング膜も露光部は溶解し、200nmのライン/スペースでも残膜は見られなかった。
(ポリアミド酸の合成)
ピロメリット酸二無水物4.36g、p-フェニレンジアミン0.838g、2,2-ビス(3-アミノ-4-トルイル)ヘキサフルオロプロパン4.26gをプロピレングリコールモノメチルエーテル55.6g中60℃で25時間反応することでポリアミド酸溶液[D]を得た。得られたポリアミド酸のGPC分析を行ったところ、重量平均分子量Mw=8600(標準ポリスチレン換算)、数平均分子量Mn=4800であった。
(異物除去用コーティング膜形成組成物の調製)
ポリアミド酸溶液[D]14.0gに実施例1で用いた吸光性化合物溶液[a]4.38g、トリス(2,3-エポキシプロピル)イソシアヌレート0.630g、プロピレングリコールモノメチルエーテル52.3g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート67.5gを添加し室温で30分間攪拌することにより異物除去用コーティング膜形成組成物の溶液[6]を調製した。
この異物除去用コーティング膜形成組成物の溶液[6]をシリコンウエハー基板上にスピナーを用いて塗布した後、ホットプレート上で200℃、60秒間焼成して膜厚40nmの異物除去用コーティング膜を形成した。得られた異物除去用コーティング膜は乳酸エチル及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに不溶であった。この異物除去用コーティング膜をエリプソメーターで測定した結果、波長248nmでの屈折率(n値)は1.68、減衰係数(k値)は0.40、波長193nmでの屈折率(n値)は1.53、減衰係数(k値)は0.42であった。
この異物除去用コーティング膜形成組成物の溶液[6]から形成した異物除去用コーティング膜は、2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(東京応化工業(株)製、商品名NMD-3)に不溶であった。
(膜形成後の引き置きの影響評価)
異物除去用コーティング膜形成組成物の溶液[5]をシリコンウエハー基板上にスピナーを用いて塗布した後、ホットプレート上で160℃、175℃及び190℃で60秒間焼成して膜厚40nmの異物除去用コーティング膜を形成した。膜形成直後、及びウエハケース内に1日、3日、7日放置したウエハー各々を2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(東京応化工業(株)製、商品名NMD-3)を用いて60秒間パドル現像を行い、膜が形成されていたウエハー面上の膜厚をエリプソメーターで測定した。その結果、上記全ての条件において、残膜は1nm以下となったことから、膜形成後7日放置した後でも、膜形成直後と同様な膜除去性を有することが確認された。
Claims (13)
- ポリマー、少なくとも2つのエポキシ基を有する化合物若しくは吸光性化合物、及び溶剤を含み、現像液に溶解するコーティング膜を形成し得る、異物除去用コーティング膜形成組成物であって、
前記ポリマーが、(a)テトラカルボン酸二無水物化合物と、(b)少なくとも一つのカルボキシル基を有するジアミン化合物とから誘導される構造単位、及び
(a)テトラカルボン酸二無水物化合物と、(c)(b)と異なる、カルボキシル基を有さないジアミン化合物とから誘導される構造単位を有するポリアミド酸である組成物を、
半導体基板上に塗布し焼成してコーティング膜を形成する工程、前記コーティング膜上に接着層を形成する工程、前記コーティング膜上に形成された接着層を剥離する工程、該コーティング膜上に異物が形成される工程、及び該コーティング膜を異物と共に現像液にて除去する工程を含む、半導体基板からの異物除去方法。 - 前記異物が、前記接着層の剥離残渣である、請求項1に記載の方法。
- ポリマー、少なくとも2つのエポキシ基を有する化合物若しくは吸光性化合物、及び溶剤を含み、現像液に溶解するコーティング膜を形成し得る、異物除去用コーティング膜形成組成物であって、
前記ポリマーが、(a)テトラカルボン酸二無水物化合物と、(b)少なくとも一つのカルボキシル基を有するジアミン化合物とから誘導される構造単位、及び
(a)テトラカルボン酸二無水物化合物と、(c)(b)と異なる、カルボキシル基を有さないジアミン化合物とから誘導される構造単位を有するポリアミド酸である組成物を、
半導体基板である第一基板上に塗布し焼成してコーティング膜を形成する工程、
前記コーティング膜上に接着層を形成する工程、
支持基板である第二基板を、前記接着層を介して前記第一基板に仮貼り付けする工程、
前記第二基板を前記第一基板から剥離する工程、及び
前記第二基板の剥離後に前記第一基板上に残存する前記コーティング膜を異物である前記接着層と共に現像液にて除去する工程を含む、基板処理方法。 - 請求項1又は請求項3に記載の方法を含む積層基板の製造方法。
- 請求項1に記載の異物除去方法又は請求項3に記載の基板処理方法に用いられることを特徴とする半導体基板からの異物除去用コーティング膜形成組成物。
- 前記(c)ジアミン化合物が、カルボキシル基を有さないジアミン化合物である、請求項5に記載の組成物。
- 前記少なくとも2つのエポキシ基を有する化合物が、トリス(2,3-エポキシプロピル)イソシアヌレート、1,4-ブタンジオールジグリシジルエーテル、1,2-エポキシ-4-(エポキシエチル)シクロヘキサン、グリセロールトリグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、2,6-ジグリシジルフェニルグリシジルエーテル、1,1,3-トリス[p-(2,3-エポキシプロポキシ)フェニル]プロパン、1,2-シクロヘキサンジカルボン酸ジグリシジルエステル、4,4’-メチレンビス(N,N-ジグリシジルアニリン)、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル-3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、トリメチロールエタントリグリシジルエーテル及びビスフェノール-A-ジグリシジルエーテル、及びペンタエリスリトールポリグリシジルエーテルからなる群より選ばれる、請求項5に記載の組成物。
- 現像液への溶解速度を促進させる化合物を更に含む、請求項5に記載の組成物。
- 上記現像液への溶解速度を促進させる化合物の添加量が、上記組成物の固形分中、20質量%以下である、請求項9に記載の組成物。
- 上記現像液への溶解速度を促進させる化合物が、多価フェノール化合物及びカルボキシル基含有化合物から選ばれる、請求項9又は10に記載の組成物。
- 請求項5乃至請求項11のいずれか1項に記載の組成物からなる塗布膜の焼成物であることを特徴とする半導体基板からの異物除去用コーティング膜。
- 前記コーティング膜の膜厚が1μm~5nmである、請求項12に記載のコーティング膜。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007324153A (ja) | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Nitto Denko Corp | クリーニング機能付搬送部材および基板処理装置のクリーニング方法 |
JP2009141009A (ja) | 2007-12-04 | 2009-06-25 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2013079389A (ja) | 2008-01-16 | 2013-05-02 | Hitachi Chemical Co Ltd | 感光性接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
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Family Cites Families (9)
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---|---|---|---|---|
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