WO2024117235A1 - 異物除去用コーティング膜形成組成物及び半導体基板 - Google Patents

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WO2024117235A1
WO2024117235A1 PCT/JP2023/042991 JP2023042991W WO2024117235A1 WO 2024117235 A1 WO2024117235 A1 WO 2024117235A1 JP 2023042991 W JP2023042991 W JP 2023042991W WO 2024117235 A1 WO2024117235 A1 WO 2024117235A1
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WO
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group
foreign matter
coating film
semiconductor substrate
acid
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PCT/JP2023/042991
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English (en)
French (fr)
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哲 上林
高広 岸岡
Original Assignee
日産化学株式会社
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    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D181/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing sulfur, with or without nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on polysulfones; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/14—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof

Definitions

  • the present invention relates to a coating film-forming composition for removing foreign matter that can easily prevent foreign matter from remaining on a substrate, a coating film for removing foreign matter, a semiconductor substrate, and a method for producing a processed semiconductor substrate.
  • a process is being considered in which a semiconductor substrate (e.g., a wafer) is attached to a support substrate, then back-grinding (grinding), wiring creation processes, etc. are carried out, and then the support substrate is peeled off to obtain the desired semiconductor substrate.
  • a semiconductor substrate e.g., a wafer
  • back-grinding grinding
  • wiring creation processes etc.
  • Patent Documents 1 and 2 disclose a composition for forming a substrate processing film and a substrate processing method that can efficiently remove minute particles from the substrate surface and easily remove the formed substrate processing film from the substrate surface in a process of forming a substrate processing film on the surface of a semiconductor substrate and removing foreign matter from the substrate surface.
  • the semiconductor substrate when attaching a semiconductor substrate to a support substrate, the semiconductor substrate is attached using an adhesive layer (e.g., a liquid composition containing a polymer, a backgrind tape, a dicing tape, etc.) that is resistant to subsequent processes (e.g., a heating process, a chemical treatment process, etc.).
  • an adhesive layer e.g., a liquid composition containing a polymer, a backgrind tape, a dicing tape, etc.
  • a support substrate having an adhesive layer is used.
  • a process of peeling off the semiconductor substrate is performed.
  • the adhesive layer or the adhesive layer of the support substrate may remain on the substrate as a foreign matter (residue). This occurs particularly noticeably when an adhesive layer is formed directly on the surface of a semiconductor substrate on which wiring, etc. has already been formed, or when a support substrate having an adhesive layer is attached directly. This foreign matter may not be completely removed even if cleaning is performed with known organic solvents, liquid chemicals, etc.
  • the present invention aims to provide a method for manufacturing a processed semiconductor substrate that can easily prevent peeling residues generated from adhesive layers, pressure sensitive adhesive layers, etc. from remaining on the semiconductor substrate.
  • a treatment at a high heating temperature e.g., 300° C.
  • a coating film-forming composition for removing foreign matter that can prevent foreign matter from remaining on the substrate in a simple manner even when such a high-temperature treatment is performed. That is, there is a demand for a coating film-forming composition for removing foreign matter that can provide a coating film for removing foreign matter having heat resistance.
  • an object of the present invention is to provide a coating film-forming composition for removing foreign matter, which can give a heat-resistant coating film for removing foreign matter, and a method for producing a coating film for removing foreign matter, a semiconductor substrate, and a processed semiconductor substrate using the composition.
  • a coating film-forming composition for removing foreign matter comprising a polymer and a solvent and capable of forming a coating film that can be removed by a removal liquid
  • the composition, wherein the polymer is a polymer having a structure represented by the following formula (1): [In formula (1), R 1 represents a hydrogen atom, a protecting group for an imide group that can be deprotected by an alkali, or a protecting group for an imide group that can be deprotected by an acid, and * represents a bond.]
  • R 1 represents a hydrogen atom, a protecting group for an imide group that can be deprotected by an alkali, or a protecting group for an imide group that can be deprotected by an acid, and * represents a bond.
  • the composition according to [1], wherein the polymer further contains a structure represented by the following formula (2): [In formula (2), R 11 and R 12 each independently represent an optionally substituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an optionally substitute
  • R 1 represents a hydrogen atom, a protecting group for an imide group which can be deprotected by an alkali, or a protecting group for an imide group which can be deprotected by an acid.
  • R2 represents a divalent group having 1 to 6 carbon atoms.
  • R3 represents a hydrogen atom, a protecting group for an imide group which can be deprotected by an alkali, a protecting group for an imide group which can be deprotected by an acid, or a group represented by the following formula (1A-1).
  • R a represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • R 4 represents a divalent group having 1 to 6 carbon atoms.
  • R b represents a hydrogen atom or a methyl group. * represents a bond.
  • the composition according to [3] or [4], wherein the compound having a Si-H group includes at least one of a compound represented by the following formula (2A), a cyclic siloxane compound represented by the following formula (2B), and a silsesquioxane having a Si-H group:
  • R 11 and R 12 each independently represent an optionally substituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an optionally substituted phenyl group, or an optionally substituted phenoxy group.
  • X1 represents a single bond, an organic group having 1 to 10 carbon atoms, or a group represented by the following formula (2A-1): [In formula (2A-1), R 13 and R 14 each independently represent an optionally substituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an optionally substituted phenyl group, or an optionally substituted phenoxy group. n represents an integer of 0 to 10.
  • R 15 each independently represents an optionally substituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an optionally substituted phenyl group, or an optionally substituted phenoxy group; and m represents an integer of 3 to 6.
  • [6] The composition according to any one of [1] to [5], wherein the removal liquid is an alkaline removal liquid.
  • the removal liquid contains an organic solvent in an amount of 50 mass% or more.
  • [8] The composition according to any one of [1] to [7], further comprising at least one of a crosslinking agent and an additive.
  • the coating film for removing foreign matter according to [9] which reduces in thickness by 5% or less when heated at 250° C. for 10 minutes in a nitrogen atmosphere.
  • a method for producing a processed semiconductor substrate comprising the steps of: A step 1A of manufacturing a laminate by bonding the semiconductor substrate according to [11] and a supporting substrate via the coating film for removing foreign matter; A second step A of processing the laminate; A step 3A of peeling the supporting substrate from the laminate; and a fourth step A of washing the semiconductor substrate or the supporting substrate with a removing liquid to remove the foreign matter removing coating film.
  • a step 1A of manufacturing a laminate by bonding the semiconductor substrate according to [11] and a supporting substrate via the coating film for removing foreign matter comprising the steps of: A step 1A of manufacturing a laminate by bonding the semiconductor substrate according to [11] and a supporting substrate via the coating film for removing foreign matter; A second step A of processing the laminate; A step 3A of peeling the supporting substrate from the laminate; and a fourth step A of washing the semiconductor substrate or the supporting substrate with a removing liquid to remove the foreign matter removing coating film.
  • step 1A is a step of producing a laminate by bonding the semiconductor substrate and the supporting base material via the coating film for removing foreign matter and an adhesive layer.
  • step 4A foreign matter, which is a peeled residue of the adhesive layer, is removed together with the foreign matter removal coating film.
  • step 4A foreign matter, which is a peeled residue of the adhesive layer, is removed together with the foreign matter removal coating film.
  • a method for producing a processed semiconductor substrate comprising the steps of: A first step B of manufacturing a laminate by bonding a semiconductor substrate and a supporting base material via a coating film for removing foreign matter and an adhesive layer; A second step B of processing the laminate; A third step B of peeling off the supporting substrate from the laminate; and a fourth step B of washing the semiconductor substrate or the supporting substrate with a removing solution to remove the foreign matter removing coating film,
  • a method for producing a processed semiconductor substrate, wherein the processing includes connecting the semiconductor substrate with a second semiconductor substrate.
  • a method for manufacturing a processed semiconductor substrate which can simply and easily prevent peeling residue generated from an adhesive layer, a pressure-sensitive adhesive layer, etc. from remaining on the semiconductor substrate.
  • a coating film-forming composition for removing foreign matter which can provide a heat-resistant coating film for removing foreign matter, as well as a method for producing a coating film for removing foreign matter, a semiconductor substrate, and a processed semiconductor substrate using the composition.
  • FIG. 1A is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a method for manufacturing a processed semiconductor substrate (part 1).
  • FIG. 1B is a schematic cross-sectional view for explaining one example of a method for manufacturing a processed semiconductor substrate (part 2).
  • FIG. 1C is a schematic cross-sectional view for explaining one example of a method for manufacturing a processed semiconductor substrate (part 3).
  • FIG. 1D is a schematic cross-sectional view for explaining one example of a method for manufacturing a processed semiconductor substrate (part 4).
  • FIG. 1E is a schematic cross-sectional view for explaining one example of a method for manufacturing a processed semiconductor substrate (part 5).
  • FIG. 1F is a schematic cross-sectional view for explaining one example of a method for manufacturing a processed semiconductor substrate (part 6).
  • FIG. 1G is a schematic cross-sectional view for explaining one example of a method for manufacturing a processed semiconductor substrate (part 7).
  • FIG. 2A is a schematic cross-sectional view (part 1) for explaining another example of a method for manufacturing a processed semiconductor substrate.
  • FIG. 2B is a schematic cross-sectional view (part 2) for explaining another example of the method for manufacturing a processed semiconductor substrate.
  • FIG. 2C is a schematic cross-sectional view (part 3) for explaining another example of a method for manufacturing a processed semiconductor substrate.
  • FIG. 2D is a schematic cross-sectional view (part 4) for explaining another example of a method for manufacturing a processed semiconductor substrate.
  • FIG. 1G is a schematic cross-sectional view for explaining one example of a method for manufacturing a processed semiconductor substrate (part 7).
  • FIG. 2A is a schematic cross-sectional view (part 1) for explaining another example of a method for manufacturing a processed semiconductor substrate.
  • FIG. 2B is a schematic cross-sectional view (part
  • FIG. 2E is a schematic cross-sectional view (part 5) for explaining another example of a method for manufacturing a processed semiconductor substrate.
  • FIG. 2F is a schematic cross-sectional view (part 6) for explaining another example of a method for manufacturing a processed semiconductor substrate.
  • FIG. 2G is a schematic cross-sectional view (part 7) for explaining another example of a method for manufacturing a processed semiconductor substrate.
  • FIG. 2H is a schematic cross-sectional view (part 8) for explaining another example of a method for manufacturing a processed semiconductor substrate.
  • FIG. 2I is a schematic cross-sectional view (part 9) for explaining another example of a method for manufacturing a processed semiconductor substrate.
  • FIG. 2J is a schematic cross-sectional view (part 10) for explaining another example of a method for manufacturing a processed semiconductor substrate.
  • FIG. 2K is a schematic cross-sectional view (part 11) for explaining another example of a method for manufacturing a processed semiconductor substrate.
  • the coating film-forming composition for removing foreign matter of the present invention contains a polymer and a solvent.
  • the coating film-forming composition for removing foreign matter is preferably capable of forming a coating film that can be removed by a removal liquid.
  • the polymer is a polymer containing a structure represented by the following formula (1).
  • R 1 represents a hydrogen atom, a protecting group for an imide group that can be deprotected by an alkali, or a protecting group for an imide group that can be deprotected by an acid, and * represents a bond.
  • Examples of the protecting group for the imide group in R1 that can be deprotected by an alkali include a methyl group, a cyclohexyl group, a hydroxyethyl group, a benzyl group, and a phenyl group.
  • Examples of the protecting group for the imide group in R1 that can be deprotected by an acid include a tert-butoxycarbonyl group, a benzyloxycarbonyl group, a trimethylsilyl group, a tert-butyldimethylsilyl group, a methoxymethyl group, an ethoxymethyl group, a tetrahydropyranyl group, an acetyl group, a benzyl group, and a p-methoxybenzyl group.
  • the alkali may be, for example, an alkali contained in an alkaline removal solution.
  • the acid may be, for example, an acid contained in the acid removal solution.
  • the deprotection of the protecting group of the imide group which is deprotected by alkali can be carried out, for example, when the coating film formed from the coating film-forming composition for removing foreign matter is brought into contact with an alkaline removal solution.
  • the deprotection of the protecting group of the imide group that is deprotected by an acid can be carried out, for example, when the coating film formed from the coating film-forming composition for removing foreign matter is brought into contact with an acidic removal solution.
  • the deprotection of the protecting group of the imide group that is deprotected by an acid can be carried out, for example, by using an acid generated from an acid generator when forming a coating film from a coating film-forming composition for removing foreign matter containing the acid generator.
  • the coating film obtained from the coating film-forming composition for removing foreign matter exhibits good heat resistance due to the polymer containing the structure represented by formula (1). Furthermore, the coating film obtained from the coating film-forming composition for removing foreign matter is removable with a removal liquid due to the structure represented by formula (1). Therefore, the coating film-forming composition for removing foreign matter of the present invention is a composition that can prevent foreign matter from remaining on a substrate in a simple manner, and is a composition that can provide a coating film having heat resistance.
  • R 1 in formula (1) is preferably a hydrogen atom.
  • the polymer preferably further contains a structure represented by the following formula (2).
  • R 11 and R 12 each independently represent an optionally substituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an optionally substituted phenyl group, or an optionally substituted phenoxy group, and * represents a bond.
  • examples of the substituents in the optionally substituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include a halogen atom, a hydroxy group, a carboxy group, and the like.
  • examples of halogen atoms include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
  • alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted include alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms.
  • examples of the substituent in the optionally substituted phenyl group and the optionally substituted phenoxy group include a halogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, and an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom.
  • the number of the substituents in the phenyl group and the phenoxy group may be one or two or more. When the number of substituents in the phenyl group and the phenoxy group is two or more, they may be the same type of substituent or different types of substituents.
  • R 11 and R 12 are preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and particularly preferably a methyl group.
  • the structure represented by formula (1) and the structure represented by formula (2) are linked as in the structure represented by the following formula (11).
  • the polymer contains a structure represented by the following formula (11).
  • R 1 represents a hydrogen atom, a protecting group for an imide group which can be deprotected by an alkali, or a protecting group for an imide group which can be deprotected by an acid.
  • R2 represents a divalent group having 1 to 6 carbon atoms.
  • R 11 and R 12 each independently represent an optionally substituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an optionally substituted phenyl group, or an optionally substituted phenoxy group.
  • R a represents a hydrogen atom or a methyl group. * represents a bond.
  • R2 in formula (11) examples include a divalent group represented by the following formula (L).
  • Y 1 represents a single bond or an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms.
  • Y3 represents a single bond or an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms.
  • *1 represents a bond bonded to a carbon atom.
  • *2 represents the bond bonded to the nitrogen atom.
  • the total number of carbon atoms of Y 1 , Y 2 , and Y 3 is 1 to 6.
  • Examples of the divalent group represented by formula (L) include the following groups. (In the formula, * represents a bond. *1 represents a bond bonded to a carbon atom. *2 represents a bond bonded to a nitrogen atom.)
  • examples of alkylene groups having 1 to 6 carbon atoms include a methylene group, a 1,2-ethylene group, a 1,3-propylene group, a 1,2-propylene group, a 1,4-butylene group, a 1,5-pentylene group, and a 1,6-hexylene group.
  • R 2 in the formula (11) is preferably a methylene group.
  • R 11 and R 12 are preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms and an optionally substituted phenyl group, more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and a phenyl group, and particularly preferably a methyl group and a phenyl group.
  • the polymer is preferably a polymer obtained by a hydrosilylation reaction between a compound having a Si-H group and a compound having a carbon-carbon unsaturated bond capable of undergoing a hydrosilylation reaction.
  • the hydrosilylation reaction is carried out, for example, in the presence of a platinum group metal catalyst.
  • a platinum-based metal catalyst is a catalyst for promoting a hydrosilylation reaction between a Si-H group of a compound having a Si-H group and a carbon-carbon unsaturated bond (e.g., a carbon-carbon double bond) of a compound having a carbon-carbon unsaturated bond.
  • platinum-based metal catalysts include platinum black, platinic chloride, chloroplatinic acid, a reaction product of chloroplatinic acid with a monohydric alcohol, a complex of chloroplatinic acid with an olefin, platinum bisacetoacetate, and other platinum-based catalysts, but are not limited to these.
  • complexes of platinum with olefins include, but are not limited to, complexes of divinyltetramethyldisiloxane and platinum (eg, Karstedt's catalyst).
  • the amount of platinum group metal catalyst used in the hydrosilylation reaction is not particularly limited.
  • the compound having a Si-H group is not particularly limited as long as it has at least one Si-H group.
  • the number of Si—H groups in the compound having an Si—H group may be one or two or more.
  • a compound represented by the following formula (2A) a compound represented by the following formula (2A), a cyclic siloxane compound represented by the following formula (2B), and a silsesquioxane having a Si—H group are preferable.
  • R 11 and R 12 each independently represent an optionally substituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an optionally substituted phenyl group, or an optionally substituted phenoxy group.
  • X1 represents a single bond, an organic group having 1 to 10 carbon atoms, or a group represented by the following formula (2A-1):
  • R 13 and R 14 each independently represent an optionally substituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an optionally substituted phenyl group, or an optionally substituted phenoxy group.
  • n represents an integer of 0 to 10.
  • * represents a bond.
  • R 15 each independently represents an optionally substituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an optionally substituted phenyl group, or an optionally substituted phenoxy group; and
  • m represents an integer of 3 to 6.
  • an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms and an optionally substituted phenyl group are preferable, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and a phenyl group are more preferable, and a methyl group and a phenyl group are particularly preferable.
  • Examples of the organic group having 1 to 10 carbon atoms for X 1 in formula (2A) include alkylene groups and phenylene groups having 1 to 6 carbon atoms.
  • an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms and an optionally substituted phenyl group are preferable, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and a phenyl group are more preferable, and a methyl group and a phenyl group are particularly preferable.
  • n can be, for example, 0, 1, 2, 3, 4, etc.
  • Examples of the compound represented by formula (2A) include the following compounds.
  • R 15 in formula (2B) is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and particularly preferably a methyl group.
  • cyclic siloxane compounds represented by formula (2B) include 2,4,6-trimethylcyclotrisiloxane, 2,4,6,8-tetramethylcyclotetrasiloxane, 2,4,6,8,10-pentamethylcyclopentasiloxane, 2,4,6,8,10,12-hexamethylcyclohexasiloxane, and 2,4,6,8,10,12,14-heptamethylcycloheptasiloxane.
  • Silsesquioxane is a network-type polymer or polyhedral cluster obtained by hydrolysis of trifunctional silane. Silsesquioxanes having random, ladder, and cage structures are known.
  • the cage structure includes a complete cage structure and an incomplete cage structure.
  • the number of Si-H groups in a silsesquioxane having Si-H groups may be one or two or more.
  • silsesquioxanes having a Si—H group examples include cage silsesquioxanes represented by the following formulas (SQ1) to (SQ7).
  • R each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, or -O-Si( R101 )( R102 ) H ( R101 and R each independently represent an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a phenyl group).
  • each of formulas (SQ1) to (SQ7) has at least one Si—H group.
  • silsesquioxanes having a Si—H group examples include the following compounds:
  • the molecular weight of the compound having a Si-H group is not particularly limited, but may be, for example, 100 to 1500.
  • the compound having a carbon-carbon unsaturated bond has a carbon-carbon unsaturated bond capable of undergoing a hydrosilylation reaction.
  • Examples of the carbon-carbon unsaturated bond capable of undergoing a hydrosilylation reaction include a carbon-carbon double bond and a carbon-carbon triple bond.
  • the number of carbon-carbon unsaturated bonds capable of undergoing a hydrosilylation reaction in a compound having carbon-carbon unsaturated bonds is not particularly limited, and may be one or two or more.
  • the compound having a carbon-carbon unsaturated bond preferably includes a compound represented by the following formula (1A):
  • R 1 represents a hydrogen atom, a protecting group for an imide group which can be deprotected by an alkali, or a protecting group for an imide group which can be deprotected by an acid.
  • R2 represents a divalent group having 1 to 6 carbon atoms.
  • R3 represents a hydrogen atom, a protecting group for an imide group which can be deprotected by an alkali, a protecting group for an imide group which can be deprotected by an acid, or a group represented by the following formula (1A-1).
  • R a represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • R 4 represents a divalent group having 1 to 6 carbon atoms.
  • R b represents a hydrogen atom or a methyl group. * represents a bond.
  • Specific examples of the protecting group for the imido group in R 1 and R 3 in formula (1A) that can be deprotected by an alkali include the specific examples of the protecting group for the imido group in R 1 in formula (1) that can be deprotected by an alkali.
  • Specific examples of the protecting group for the imide group in R 1 and R 3 in formula (1A) that can be deprotected by an acid include the specific examples of the protecting group for the imide group in R 1 in formula (1) that can be deprotected by an acid.
  • R2 in formula (1A) examples include the divalent group represented by formula (L) above.
  • Specific examples of R 2 in formula (1A) include the specific examples given in the description of R 2 in formula (11).
  • R 4 in formula (1A-1) examples include the divalent group represented by formula (L) above.
  • Specific examples of R 4 in formula (1A-1) include the specific examples given in the description of R 2 in formula (11).
  • R 2 in formula (1A) is preferably a methylene group.
  • R 4 in formula (1A-1) is preferably a methylene group.
  • Examples of the compound represented by formula (1A) include the following compounds.
  • the compound having a carbon-carbon unsaturated bond may include, in addition to the compound represented by formula (1A), a compound having a carbon-carbon unsaturated bond other than the compound represented by formula (1A).
  • a compound having a carbon-carbon unsaturated bond other than the compound represented by formula (1A) is a compound represented by the following formula (X).
  • R 21 represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • X2 represents an m-valent organic group.
  • m represents an integer of 1 to 3.
  • the molecular weight of X2 in the formula (X) is not particularly limited, and may be, for example, 100 to 500.
  • X2 in formula (X) does not have, for example, the following isocyanuric acid structure. [In the formula, * represents a bond.]
  • X2 in formula (X) preferably has an aromatic ring.
  • the aromatic ring may be an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocycle.
  • R 21 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • X2 represents a divalent organic group having an aromatic ring.
  • Examples of the compound represented by formula (X) include the following compounds.
  • the polymer has, for example, a unit structure represented by the following formula (Y).
  • a polymer having a unit structure represented by formula (Y) can be obtained, for example, by a hydrosilylation reaction between a compound having a Si—H group, including a compound represented by formula (2A), and a compound having a carbon-carbon unsaturated bond, including a compound represented by formula (1A).
  • R 1 represents a hydrogen atom, a protecting group for an imide group which can be deprotected by an alkali, or a protecting group for an imide group which can be deprotected by an acid.
  • R2 represents a divalent group having 1 to 6 carbon atoms.
  • R 11 and R 12 each independently represent an optionally substituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an optionally substituted phenyl group, or an optionally substituted phenoxy group.
  • R a represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • R 1 in formula (Y) has the same meaning as R 1 in formulas (1) and (11).
  • R 2 in formula (Y) has the same meaning as R 2 in formula (11).
  • R 11 , R 12 and X 1 in formula (Y) have the same definitions as R 11 and R 12 in formula (2) and formula (2A), and X 1 in formula (2A), respectively.
  • the weight-average molecular weight of the polymer is not particularly limited, but is preferably 1,000 to 50,000, and more preferably 1,500 to 30,000.
  • the weight-average molecular weight is a value obtained by gel permeation chromatography (GPC) using polystyrene as a standard sample.
  • the polymer content in the coating film-forming composition for removing foreign matter is not particularly limited, but is preferably 0.01% by mass to 60% by mass, more preferably 0.1% by mass to 40% by mass, and particularly preferably 0.5% by mass to 30% by mass, based on the solid content.
  • the removal liquid is not particularly limited as long as it can remove the coating film formed from the coating film-forming composition for removing foreign matter.
  • the coating film is formed on, for example, a semiconductor substrate, and in this case, removal refers to removal from the semiconductor substrate.
  • the manner of removal can be dissolving removal, peeling removal, etc. Peeling removal can be, for example, peeling from the adherend by swelling.
  • the removal liquid may contain water or an organic solvent.
  • the removal liquid may contain an organic solvent in an amount of 50% by mass or more.
  • organic solvents include ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol propyl ether acetate, toluene, xylene, methyl ethyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, ethyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl ethoxyacetate, ethyl hydroxyacetate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate,
  • the removal liquid examples include an alkaline removal liquid and an acidic removal liquid.
  • the alkaline removal solution contains an alkali, such as ammonia, an inorganic alkaline compound, a quaternary ammonium hydroxide, an amine, or hydrazine.
  • the alkaline removal liquid may be a developer or cleaning liquid used in the semiconductor manufacturing process and may be alkaline.
  • an example of the developer is NMD-3 (a 2.38% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.).
  • inorganic alkali compounds include potassium hydroxide, sodium hydroxide, lithium hydroxide, diammonium hydrogen phosphate, dipotassium hydrogen phosphate, disodium hydrogen phosphate, lithium silicate, sodium silicate, potassium silicate, lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, lithium borate, sodium borate, potassium borate, and the like.
  • examples of the quaternary ammonium hydroxide include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, trimethylhydroxyethylammonium hydroxide, and choline.
  • Examples of the amine include ethanolamine, methylamine, dimethylamine, trimethylamine, monoethylamine, diethylamine, triethylamine, n-propylamine, di-n-propylamine, isopropylamine, diisopropylamine, methyldiethylamine, dimethylethanolamine, triethanolamine, and ethylenediamine.
  • An example of the hydrazine is hydrazine monohydrate.
  • the alkaline removal solution may also be SC-1 (ammonia-hydrogen peroxide solution).
  • the acidic removal solution contains an acid.
  • the acid include inorganic acids and organic acids.
  • the inorganic acids include sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, and hydrofluoric acid.
  • the acidic removal solution is, for example, an aqueous solution containing dilute hydrofluoric acid.
  • the acidic removal solution may be, for example, an aqueous solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide, or an aqueous solution containing acetic acid or a chelating agent, such as an organic acid, a salt of an organic acid, an amino acid, or a derivative of an amino acid.
  • solvent examples include ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol propyl ether acetate, toluene, xylene, methyl ethyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, ethyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl ethoxyacetate, ethyl hydroxyacetate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionat
  • the coating film-forming composition for removing foreign matter can be easily prepared, for example, by uniformly mixing the components, and is used in the form of a solution by dissolving in an appropriate solvent.
  • the coating film-forming composition for removing foreign matter prepared in this manner is preferably used after filtering using a filter having a pore size of about 0.2 ⁇ m.
  • the coating film-forming composition for removing foreign matter prepared in this manner also has excellent long-term storage stability at room temperature.
  • the proportion of solids in the coating film-forming composition for removing foreign matter is not particularly limited as long as each component is uniformly dissolved, but is, for example, 0.5 to 50 mass %, or, for example, 1 to 30 mass %.
  • the solids content refers to all the components of the coating film-forming composition for removing foreign matter excluding the solvent component.
  • foreign matter refers to substances other than the intended object that are attached to the substrate.
  • foreign matter is unnecessary material. Examples of foreign matter include particles attached to the wafer, metal impurities, post-etching residues, peeling residues of adhesive layers, etc.
  • the coating film for removing foreign matter is particularly preferably used in the process of bonding wafers together with an adhesive and then peeling the adhesive off, by forming the coating film of the present invention before applying the adhesive, and then removing foreign matter (residue of the adhesive layer) after the wafer bonding and peeling processes.
  • the coating film for removing foreign matter can also be used to remove foreign matter that is already present on the semiconductor substrate.
  • the coating film for removing foreign matter dissolves in the removal liquid means that when the coating film is immersed, washed, etc. in the removal liquid, it dissolves in the removal liquid and no longer exists on the substrate or other adherent.
  • dissolution means that the film formed on the substrate is removed, for example, by at least 90% or more from the initial thickness (i.e., the remaining film thickness is 10% or less of the initial thickness), or by at least 95% or more (i.e., the remaining film thickness is 5% or less of the initial thickness), or by at least 99% or more (i.e., the remaining film thickness is 1% or less of the initial thickness), and most preferably by 100% (i.e., the remaining film thickness is 0% of the initial thickness (no remaining film)).
  • the composition contains at least one of a crosslinking agent and an additive.
  • the crosslinking agent preferably contains an epoxy group.
  • the crosslinking agent may contain a compound having at least two epoxy groups. There are no particular limitations on such compounds, so long as they have an epoxy group. Examples include tris(2,3-epoxypropyl)isocyanurate, 1,4-butanediol diglycidyl ether, 1,2-epoxy-4-(epoxyethyl)cyclohexane, glycerol triglycidyl ether, diethylene glycol diglycidyl ether, 2,6-diglycidylphenyl glycidyl ether, 1,1,3-tris[p-(2,3-epoxypropoxy)phenyl]propane, 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid diglycidyl ester, 4,4'-methylenebis(N,N-diglycidylaniline), 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate, trimethylolethane trigly
  • Examples of compounds having at least two epoxy groups include the following: Examples of epoxy resins having an amino group include YH-434 and YH434L (trade names, manufactured by Nippon Steel Chemical & Material Co., Ltd.). Examples of epoxy resins having a cyclohexene oxide structure include Epolead GT-401, GT-403, GT-301, GT-302, Celloxide 2021, and Celloxide 3000 (trade names, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.). Examples of bisphenol A type epoxy resins include Epicoat 1001, 1002, 1003, 1004, 1007, 1009, 1010, and 828 (all trade names manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.).
  • An example of a bisphenol F type epoxy resin is Epicoat 807 (trade name, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.).
  • Examples of phenol novolac type epoxy resins include Epicoat 152 and 154 (both trade names, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.), EPPN 201 and 202 (both trade names, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), and the like.
  • Examples of cresol novolac epoxy resins include EOCN-102, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1020, EOCN-1025, and EOCN-1027 (all of which are product names manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), and Epicoat 180S75 (product name manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.).
  • Examples of alicyclic epoxy resins include Denacol EX-252 (trade name, manufactured by Nagase ChemteX Corporation), CY175, CY177, CY179 (trade names, manufactured by CIBA-GEIGY AG), Araldite CY-182, CY-192, CY-184 (trade names, manufactured by CIBA-GEIGY AG), Epiclon 200, 400 (trade names, manufactured by Dainippon Ink Mfg. Co., Ltd.), Epicoat 871, 872 (trade names, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.), ED-5661, ED-5662 (trade names, manufactured by Celanese Coatings Co., Ltd.), and the like.
  • Examples of the aliphatic polyglycidyl ether include Denacol EX-611, EX-612, EX-614, EX-622, EX-411, EX-512, EX-522, EX-421, EX-313, EX-314, and EX-321 (trade names, manufactured by Nagase ChemteX Corporation).
  • the content of the compound having at least two epoxy groups is, for example, 5 to 70 parts by mass, or 10 to 60 parts by mass, and preferably 15 to 45 parts by mass, per 100 parts by mass of the polymer.
  • the content of the compound having at least two epoxy groups is preferably 5 parts by mass or more per 100 parts by mass of the polymer, and from the viewpoint of solubility in the removal liquid, it is preferably 70 parts by mass or less per 100 parts by mass of the polymer.
  • the coating film-forming composition for removing foreign matter may contain, as additives, a light-absorbing compound, a surfactant, an adhesion aid, a rheology control agent, and silica particles.
  • the light-absorbing compound is not particularly limited as long as it has absorption at the exposure wavelength to be used.
  • Compounds having aromatic ring structures such as anthracene ring, naphthalene ring, benzene ring, quinoline ring, and triazine ring are preferably used.
  • compounds having a phenolic hydroxyl group, carboxyl group, or sulfonic acid group are preferably used.
  • Examples of light-absorbing compounds that have a high absorption rate for light with a wavelength of 248 nm include 1-naphthalenecarboxylic acid, 2-naphthalenecarboxylic acid, 1-naphthol, 2-naphthol, 1-aminonaphthalene, 1-hydroxy-2-naphthalenecarboxylic acid, 3-hydroxy-2-naphthalenecarboxylic acid, 3,7-dihydroxy-2-naphthalenecarboxylic acid, 6-bromo-2-hydroxynaphthalene, 1,2-naphthalene dicarboxylic acid, 1,3-naphthalene dicarboxylic acid, 1,4-naphthalene dicarboxylic acid, 1,5-naphthalene dicarboxylic acid, 1,6-naphthalene dicarboxylic acid, 1,7-naphthalene dicarboxylic acid, and 1,8-naphthalene dicarboxylic acid.
  • Examples of light-absorbing compounds having a large absorption for light with a wavelength of 193 nm include benzoic acid, 4-methylbenzoic acid, o-phthalic acid, m-phthalic acid, p-phthalic acid, 2-methoxybenzoic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, 2-hydroxybenzoic acid, 3-hydroxybenzoic acid, 4-hydroxybenzoic acid, 2-acetoxybenzoic acid, 2-aminobenzoic acid, 3-aminobenzoic acid, 4-aminobenzoic acid, trimesic acid, 1,4-benzenedicarboxylic acid, 2,3-dimethoxybenzoic acid, 2,4-dimethoxybenzoic acid, 2,5-dimethoxybenzoic acid, 2,4-dihydroxybenzoic acid, 2,6-dihydroxybenzoic acid, 3,4-dihydroxybenzoic acid, 3,5-dihydroxybenzoic acid, 4-acetylbenzoic acid, pyrrole, and the like.
  • hydroxybenzoic acid examples include butyl ether, ...
  • these light-absorbing compounds can be used by reacting with a polymer or a compound having one or more reactive groups in order to suppress sublimation during baking for forming a coating film for removing foreign matter.
  • a polyfunctional epoxy compound such as tris(2,3-epoxypropyl)isocyanurate, 1,4-butanediol diglycidyl ether, 1,2-epoxy-4-(epoxyethyl)cyclohexane, glycerol triglycidyl ether, diethylene glycol diglycidyl ether, 2,6-diglycidylphenyl glycidyl ether, 1,1,3-tris(p-(2,3-epoxypropoxy)phenyl)propane, 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid diglycidyl ester, 4,4'-methylenebis(N,N-diglycidylaniline), 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate, trimethylo
  • the above light-absorbing compounds can be used alone or in combination of two or more kinds.
  • the content is, for example, 1 to 300 parts by mass, or 1 to 200 parts by mass, or, for example, 1 to 100 parts by mass, or 5 to 100 parts by mass, per 100 parts by mass of the polymer.
  • the coating film for removing foreign matter has excellent solubility in the removal liquid, and the coating film for removing foreign matter is less likely to cause intermixing with the adhesive layer.
  • the coating film forming composition for removing foreign matter may contain an acid generator.
  • the acid generator include thermal acid generators such as 2,4,4,6-tetrabromocyclohexadienone, benzoin tosylate, 2-nitrobenzyl tosylate, and other organic sulfonic acid alkyl esters, and photoacid generators such as bis(4-tert-butylphenyl)iodonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, phenyl-bis(trichloromethyl)-s-triazine, benzoin tosylate, and N-hydroxysuccinimide trifluoromethanesulfonate.
  • the amount of the acid generator to be added is, for example, 10% by mass or less, preferably 3% by mass or less, based on the solid content of the coating film forming composition for removing foreign matter, and is used as necessary.
  • Polyphenol compounds or carboxyl group-containing compounds can be added to the coating film forming composition for removing foreign matter in order to increase the dissolution rate in the removal liquid.
  • Such compounds are not particularly limited, and examples thereof include polyhydric phenols such as tris-hydroxyphenylethane, bisphenol-A, bisphenol-S, 4,4'-isopropylidene-di-o-cresol, 5-tert-butylpyrogallol, hexafluorobisphenol-A, 3,3,3',3'-tetramethyl-1,1'-spirobisindane-5,5',6,6'-tetrol, 4,4'-(9-fluorenylidene)diphenol, bisphenol-AP, bisphenol-P, 5- ⁇ , ⁇ -dimethyl-4-hydroxybenzylsalicylic acid, ⁇ , ⁇ , ⁇ '-tris(4-hydroxyphenyl)-1-ethyl-4-isopropylbenzene, and 5,5'-di-
  • polycarboxylic acids examples include hydroxyphthalic acid, 3,4-dihydroxyphthalic acid, 4,5-dihydroxyphthalic acid, 3,3'-, 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid, 3,3'-, 4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid, 3,3'-, 4,4'-diphenylethertetracarboxylic acid, 3,3'-, 4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic acid, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic acid, 1,2-dimethyl-1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic acid, 1,2,3,4-tetramethyl-1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic acid, 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic acid, 1,2,3,4-cyclohexanetetracarboxylic acid, and 3,4-dicarboxy-1,2,3,4-tetrahydr
  • Such compounds include, for example, di-tert-butyl malonate, tert-butyl acetate, tert-butyl propionate, tert-butyl acetoacetate, tert-amyl acetate, benzoic acid-tert-butyl ester, and tert-butyl pivalate.
  • These compounds can easily generate a carboxyl group or a phenolic hydroxy group in the presence of an acid, giving a compound with increased solubility in an alkaline removal solution. Therefore, it is preferable to add these compounds to the coating film forming composition for removing foreign matter together with the photoacid generator.
  • the carboxyl group or the phenolic hydroxyl group of the compound having a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group protected by a group easily decomposed in the presence of the acid is regenerated in the exposed portion by the acid generated from the photoacid generator by exposure, and as a result, the solubility of the coating film for removing foreign matter in the alkaline removal solution in the exposed portion is increased.
  • the content is, for example, 50 to 1 part by mass, or 30 to 5 parts by mass, or for example, 20 to 10 parts by mass, per 100 parts by mass of the polymer.
  • the content is, for example, 0.1 to 30 parts by mass, or 0.5 to 20 parts by mass, or for example, 1 to 10 parts by mass, per 100 parts by mass of the compound having a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group protected by a group that is easily decomposed in the presence of an acid.
  • the coating film forming composition for removing foreign matter may contain a surfactant.
  • the surfactant include polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene cetyl ether, and polyoxyethylene oleyl ether; polyoxyethylene alkyl allyl ethers such as polyoxyethylene octylphenol ether and polyoxyethylene nonylphenol ether; polyoxyethylene-polyoxypropylene block copolymers; sorbitan fatty acid esters such as sorbitan monolaurate, sorbitan monopalmitate, sorbitan monostearate, sorbitan monooleate, sorbitan trioleate, and sorbitan tristearate; polyoxyethylene sorbitan monolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopalmitate, sorbitan monostearate, sorbitan monooleate, sorbitan trioleate, and sorbitan tristearate; noni
  • the coating film-forming composition for removing foreign matter may contain silica particles.
  • silica particles include silicone powder having a predetermined average particle size and silica sol containing silica having a predetermined average particle size.
  • silicone powder examples include, but are not limited to, silicone powder KMP series KMP-600, KMP-601, KMP-602, KMP-605, and X-52-7030 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
  • colloidal silica examples include MA-ST-S (methanol-dispersed silica sol), MT-ST (methanol-dispersed silica sol), MA-ST-UP (methanol-dispersed silica sol), trade names MA-ST-M (methanol-dispersed silica sol), MA-ST-L (methanol-dispersed silica sol), IPA-ST-S (isopropanol-dispersed silica sol), IPA-ST (isopropanol-dispersed silica sol), IPA-ST-UP (isopropanol-dispersed silica sol), IPA-ST-L (isopropanol-dispersed silica sol), IPA-ST-ZL (isopropanol-dispersed silica sol), and NPC-ST-30 (n-propyl cellophane).
  • MA-ST-S methanol-dispersed silica sol
  • MT-ST methanol-dispersed silica sol
  • silica sol dispersed in 1-methoxy-2-propanol PGM-ST (silica sol dispersed in 1-methoxy-2-propanol), DMAC-ST (silica sol dispersed in dimethylacetamide), XBA-ST (silica sol dispersed in a mixed solvent of xylene and n-butanol), trade name EAC-ST (silica sol dispersed in ethyl acetate), PMA-ST (silica sol dispersed in propylene glycol monomethyl ether acetate), MEK-ST (silica sol dispersed in methyl ethyl ketone), MEK-ST-UP (silica sol dispersed in methyl ethyl ketone), MEK-ST-L (silica sol dispersed in methyl ethyl ketone), MIBK-ST (silica sol dispersed in methyl isobutyl ketone), etc. can be mentioned, but are not limited to these.
  • the coating film for removing foreign matter of the present invention is formed from the coating film-forming composition for removing foreign matter of the present invention.
  • the coating film for removing foreign matter of the present invention preferably undergoes a thickness reduction of 5% or less when heated at 250° C. for 10 minutes in a nitrogen atmosphere.
  • the coating film for removing foreign matter of the present invention can be formed, for example, as follows.
  • the coating film forming composition for removing foreign matter of the present invention is applied onto a semiconductor substrate by a suitable application method such as a spinner, a coater, or immersion, and then baked to form a coating film for removing foreign matter.
  • the baking conditions are appropriately selected from a baking temperature of 80° C. to 300° C. and a baking time of 0.3 to 60 minutes.
  • the thickness of the coating film for removing foreign matter is usually 5 nm to 1 ⁇ m, preferably 10 nm to 500 nm, and most preferably 15 nm to 300 nm.
  • the dissolution rate of the formed foreign matter removal coating film in the removal solution is, for example, 0.1 nm to 50 nm per second, preferably 0.2 nm to 40 nm per second, and more preferably 0.3 to 20 nm per second, in terms of the rate of reduction in film thickness. If the dissolution rate is lower than this, the time required to remove the foreign matter removal coating film will be longer, resulting in reduced productivity.
  • the foreign matter removing coating film formed from the foreign matter removing coating film forming composition of the present invention is capable of controlling the dissolution rate of the foreign matter removing coating film in a removal liquid by changing the baking conditions during formation. For a given baking time, the higher the baking temperature, the smaller the dissolution rate of the foreign matter removing coating film in a removal liquid that can be formed.
  • the coating film for removing foreign matter may be exposed to light after the film is formed.
  • the exposure may be to the entire surface of the wafer or through a mask having a predetermined pattern.
  • a KrF excimer laser (wavelength 248 nm), an ArF excimer laser (wavelength 193 nm), an F2 excimer laser (wavelength 157 nm), or the like may be used.
  • post-exposure baking (PEB) may be performed as necessary.
  • the semiconductor substrate of the present invention has thereon the coating film for removing foreign matter of the present invention.
  • the main material constituting the entire semiconductor substrate is not particularly limited as long as it is used for this type of application, but examples thereof include silicon, silicon carbide, and compound semiconductors.
  • the shape of the semiconductor substrate is not particularly limited, but may be, for example, a disk shape. Note that the disk-shaped semiconductor substrate does not need to have a perfectly circular surface, and for example, the outer periphery of the semiconductor substrate may have a straight line portion called an orientation flat, or may have a cut called a notch.
  • the thickness of the disk-shaped semiconductor substrate may be appropriately determined depending on the intended use of the semiconductor substrate, and is not particularly limited, but is, for example, 500 to 1,000 ⁇ m.
  • the diameter of the disk-shaped semiconductor substrate may be appropriately determined depending on the intended use of the semiconductor substrate, and is not particularly limited, but is, for example, 100 to 1,000 mm.
  • the semiconductor substrate may have bumps, which are protruding terminals.
  • the semiconductor substrate has the bumps on the supporting base side.
  • bumps are usually formed on a surface on which a circuit is formed.
  • the circuit may be a single layer or a multilayer.
  • the surface opposite to the surface having the bumps is the surface to be processed.
  • the material, size, shape, structure, and density of the bumps on the semiconductor substrate are not particularly limited. Examples of the bump include a ball bump, a printed bump, a stud bump, and a plated bump.
  • the height, radius and pitch of the bumps are appropriately determined based on the conditions of a bump height of about 1 to 200 ⁇ m, a bump radius of 1 to 200 ⁇ m and a bump pitch of 1 to 500 ⁇ m.
  • materials for the bump include low melting point solder, high melting point solder, tin, indium, gold, silver, copper, etc.
  • the bump may be composed of only a single component, or may be composed of multiple components. More specifically, examples of the bump include alloy plating mainly composed of Sn, such as SnAg bump, SnBi bump, Sn bump, and AuSn bump.
  • the bump may have a laminated structure including a metal layer made of at least one of these components.
  • An example of a semiconductor substrate is a silicon wafer with a diameter of about 300 mm and a thickness of about 770 ⁇ m.
  • a first embodiment of the method for producing a processed semiconductor substrate of the present invention includes steps 1A, 2A, 3A, and 4A.
  • Step 1A is a step of producing a laminate by bonding the semiconductor substrate of the present invention (the semiconductor substrate having the coating film for removing foreign matter of the present invention) and a supporting substrate via the coating film for removing foreign matter.
  • Step 2A is a step of processing the laminate.
  • Step 3A is a step of peeling off the supporting substrate from the laminate.
  • Step 4A is a step of cleaning the semiconductor substrate or the supporting base material with a remover to remove the coating film for removing foreign matter.
  • the coating film for removing foreign matter of the present invention having heat resistance is used as the coating film for removing foreign matter, and therefore, even if a high-temperature treatment is performed in the step 2A, the coating film for removing foreign matter is unlikely to be abnormal, and it is possible to simply prevent foreign matter from remaining on the substrate.
  • Step 1A is a step of producing a laminate by bonding the semiconductor substrate of the present invention (the semiconductor substrate having the coating film for removing foreign matter of the present invention) and a supporting substrate via the coating film for removing foreign matter.
  • the supporting substrate is not particularly limited as long as it is a material capable of supporting a semiconductor substrate when the laminate (e.g., a semiconductor substrate) is processed, but examples include flexible supporting substrates and glass supporting substrates.
  • the shape of the support substrate is not particularly limited, but may be, for example, a disk shape.
  • the thickness of the disk-shaped support base may be appropriately determined depending on the size of the semiconductor substrate, and is not particularly limited, but is, for example, 500 to 1,000 ⁇ m.
  • the diameter of the disk-shaped support base may be appropriately determined depending on the size of the semiconductor substrate, and is not particularly limited, but is, for example, 100 to 1,000 mm.
  • An example of a support substrate is a glass wafer with a diameter of about 300 mm and a thickness of about 700 ⁇ m.
  • Step 1A is preferably a step of manufacturing a laminate by bonding a semiconductor substrate and a supporting substrate via a coating film for removing foreign matter and an adhesive layer.
  • the adhesive layer is not particularly limited as long as the supporting substrate can be peeled off from the laminate in step 3A.
  • the adhesive layer can be formed by a known adhesive and method.
  • adhesives include coating-type wafer temporary adhesives described in International Publication No. 2015/190438, Thin Materials' temporary bonding material (Nissan Chemical Industries, Ltd.), Toray Industries, Inc.'s semiconductor wafer temporary bonding material, WaferBOND (registered trademark) CR-200, HT-10.10 (manufactured by Brewer Science Co., Ltd.), and tape-shaped adhesives (e.g., backgrind tape (e.g., 3MTM temporary fixing adhesive tape ATT-4025 (manufactured by 3M Japan Co., Ltd.), E series, P series, S series (manufactured by Lintec Corporation, trade name), ICROS tape (registered trademark) (manufactured by Mitsui Chemicals Tocello Co., Ltd.)), dicing tape (e.g., solvent
  • a wafer adhesive applied in a particular wafer handling system (e.g., Zero Newton® (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)).
  • a pressure-sensitive adhesive layer what is called a pressure-sensitive adhesive layer, a pressure-sensitive adhesive tape, or a temporary fixing material may be used. Examples of such materials include the pressure-sensitive adhesive layer described in International Publication No. 2021/225163, the adhesive layer described in International Publication No. 2022/065376, and the photocurable adhesive layer described in International Publication No. 2022/065388.
  • backgrind tape is composed of a base film, an adhesive layer, and a release film.
  • Soft thermoplastic films such as ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) have traditionally been used as the base film, but attempts have been made to use rigid oriented films such as polyethylene terephthalate (PET) to improve wafer support. Further improvements have since been made, and laminate designs of two types of films with different elastic moduli, such as a laminate design of PET and an ethylene-based copolymer, and a laminate design of polypropylene (PP) and an ethylene-based copolymer, have been reported.
  • EVA ethylene-vinyl acetate copolymer
  • PET polyethylene terephthalate
  • the adhesive is generally acrylic. It is known that acrylic adhesives are designed to crosslink by reacting an acrylic copolymer made mainly from a monomer with a low glass transition temperature, such as butyl acrylate, with a curing agent. Since backgrind tape is applied to the circuit surface of a wafer, there is concern about contamination from the adhesive after the tape is peeled off. For this reason, designs using emulsion-based adhesives have been reported, with the assumption that any remaining adhesive can be removed by washing with water, but complete removal is difficult.
  • the thickness of the adhesive layer is not particularly limited, but is, for example, 5 ⁇ m to 500 ⁇ m, preferably 10 ⁇ m to 300 ⁇ m, more preferably 20 ⁇ m to 200 ⁇ m, and particularly preferably 30 ⁇ m to 150 ⁇ m.
  • the adhesive layer may be formed on a coating film for removing foreign matter, on a supporting substrate, or on a semiconductor substrate.
  • the support substrate preferably has a pressure-sensitive adhesive layer.
  • the support substrate has, for example, a flexible support and a pressure-sensitive adhesive layer.
  • Examples of the flexible support include polyimide films.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, and examples include layers formed from the pressure-sensitive adhesives described above.
  • the lamination is performed, for example, under heat and pressure.
  • the heating temperature is not particularly limited as long as it is equal to or higher than room temperature (25° C.), but is usually equal to or higher than 50° C., and from the viewpoint of avoiding excessive heating, is usually equal to or lower than 220° C., and in one embodiment, equal to or lower than 170° C.
  • the load is not particularly limited as long as it allows bonding of the substrates and layers and does not damage the substrates and layers, but is, for example, 0.5 to 50 kN.
  • the pressure to be applied during bonding is, for example, 0.1 to 20 N/mm 2. Note that the pressure refers to the force (load) per unit area (mm 2 ) of the substrate in contact with the jig that applies the load.
  • the degree of reduced pressure is not particularly limited as long as it allows bonding of the substrate and the layer and does not damage the substrate or the layer, but is, for example, 10 to 10,000 Pa.
  • the layer structure of the laminate produced in step 1A may be semiconductor substrate/coating film for removing foreign matter/adhesive layer/support substrate, for the purpose of removing foreign matter, which is a peeled residue of the adhesive layer, together with the coating film for removing foreign matter in step 4A, and preventing the presence of foreign matter on the semiconductor substrate.
  • the layer structure of the laminate produced in step 1A may be semiconductor substrate/adhesive layer/coating film for removing foreign matter/supporting substrate, for the purpose of removing foreign matter, which is a peeled residue of the adhesive layer, together with the coating film for removing foreign matter in step 4A, and preventing the presence of foreign matter on the supporting substrate.
  • the supporting substrate can be easily reused.
  • the layer structure of the laminate produced in step 1A may be semiconductor substrate/coating film for removing foreign matter/adhesive layer/coating film for removing foreign matter/supporting substrate.
  • the laminate produced in step 1A may have a laser peeling layer between the semiconductor substrate and the support substrate.
  • the support substrate may be peeled off from the laminate by irradiating the laser peeling layer with a laser.
  • the laser is irradiated to the laser peeling layer from the support substrate side having laser light transparency.
  • the layer structure of the laminate produced in step 1A may be, for example, semiconductor substrate/coating film for removing foreign matter/laser peeling layer/adhesive layer/supporting substrate.
  • the layer structure of the laminate produced in step 1A may be, for example, semiconductor substrate/adhesive layer/laser peeling layer/coating film for removing foreign matter/supporting substrate.
  • the supporting substrate can be easily reused.
  • the layer structure of the laminate produced in step 1A for the purpose of removing the residue of the laser peeling layer on the adhesive layer may be semiconductor substrate/adhesive layer/coating film for removing foreign matter/laser peeling layer/support substrate, or semiconductor substrate/laser peeling layer/coating film for removing foreign matter/adhesive layer/support substrate.
  • Step 2A is a step of processing the laminate.
  • the processing in the 2A step is not particularly limited, and may include, for example, a polishing process for the semiconductor substrate, a through-electrode formation process for the semiconductor substrate, a connection process for the semiconductor substrate and the second semiconductor substrate, etc.
  • the processing in the 2A step may include one of these processes, or may include two or more of them.
  • the polishing treatment of the semiconductor substrate is not particularly limited as long as it is a treatment for polishing the surface of the semiconductor substrate opposite to the surface on which the coating film for removing foreign matter is formed, thereby thinning the semiconductor substrate.
  • physical polishing using an abrasive or a grindstone may be used.
  • the polishing process can be carried out using a general polishing device used for polishing semiconductor substrates (e.g., silicon wafers).
  • the polishing process reduces the thickness of the semiconductor substrate, resulting in a semiconductor substrate that has been thinned to a desired thickness.
  • the thickness of the thinned semiconductor substrate is not particularly limited, but may be, for example, 30 to 300 ⁇ m, or 30 to 100 ⁇ m.
  • a through electrode may be formed in a polished semiconductor substrate to realize electrical continuity between the thinned semiconductor substrates when a plurality of thinned semiconductor substrates are stacked. Therefore, the method may include a through electrode forming process in which a through electrode is formed in the polished semiconductor substrate after the polishing process and before the peeling process.
  • the method for forming a through electrode in a semiconductor substrate is not particularly limited, but may be, for example, a method of forming a through hole and filling the formed through hole with a conductive material.
  • the through holes are formed by, for example, photolithography.
  • the through holes are filled with a conductive material by, for example, a plating technique.
  • the through electrode forming process may be performed without performing the polishing process.
  • connection process is, for example, a process of connecting a semiconductor substrate and a second semiconductor substrate.
  • the second semiconductor substrate is not particularly limited, and examples thereof include those mentioned in the above description of the semiconductor substrate.
  • the connection process is performed, for example, under heating, and for example, under pressure.
  • the heating temperature is not particularly limited, but may be, for example, 100°C to 350°C.
  • the wiring of the semiconductor substrate and the wiring of the second semiconductor substrate are electrically connected to each other by connecting the ends of the wirings to each other.
  • the material, shape, and structure of the wiring in the semiconductor substrate are not particularly limited.
  • the material, shape, and structure of the wiring in the second semiconductor substrate are not particularly limited.
  • Step 3A is a step of peeling off the supporting base from the laminate, and can be said to be a step of separating the semiconductor substrate from the supporting base.
  • the peeling method include, but are not limited to, solvent peeling, peeling by light irradiation (laser light, non-laser light), mechanical peeling using equipment with sharp parts (so-called debonder), and manual peeling between the semiconductor substrate and the supporting base material.
  • the laminate includes an adhesive layer
  • the adhesive layer is an adhesive layer formed using an organic resin that absorbs light and undergoes the changes necessary to improve peelability
  • the adhesive layer can be peeled off, for example, by irradiating a laser from the supporting substrate side.
  • the laser light irradiation is carried out using, for example, ultraviolet light having a wavelength of 190 nm to 400 nm or 190 nm to 600 nm (for example, 308 nm, 355 nm, 532 nm).
  • the peeling can be performed by setting the processing energy density of the pulse laser to about 50 to 500 mJ/cm 2 .
  • peeling usually occurs within the adhesive layer or at the interface between the adhesive layer and an adjacent substrate or layer (e.g., a coating film for removing foreign matter). Peeling occurring within the adhesive layer means that the adhesive layer is cleaved.
  • Step 4A is a step of cleaning the semiconductor substrate or the supporting base material with a remover to remove the coating film for removing foreign matter.
  • a coating film for removing foreign matter remains on the semiconductor substrate that has been peeled off from the supporting base material, and the coating film for removing foreign matter is then removed with a removal liquid.
  • foreign matter is removed together with the coating film for removing foreign matter.
  • foreign matter which is a peeled residue of the adhesive layer, is removed together with the foreign matter removing coating film.
  • the removing liquid examples include the removing liquids mentioned in the description of the coating film-forming composition for removing foreign matter of the present invention.
  • the cleaning method is not particularly limited, but examples thereof include a method of immersing the semiconductor substrate on which the foreign matter removal coating film remains in a removal liquid, and a method of spraying the removal liquid onto the semiconductor substrate on which the foreign matter removal coating film remains.
  • the cleaning conditions are not particularly limited, but for example, the temperature of the cleaning solution is 5° C. to 50° C.
  • the cleaning time is appropriately selected from 2 to 500 seconds, or 3 to 400 seconds.
  • the coating film for removing foreign matter can be easily peeled off at room temperature (e.g., 25°C) using a commonly used 2.38% by mass aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide.
  • a second embodiment of the method for producing a processed semiconductor substrate of the present invention includes a step 1B, a step 2B, a step 3B, and a step 4B.
  • Step 1B is a step of manufacturing a laminate by bonding a semiconductor substrate and a supporting base material via a coating film for removing foreign matter and an adhesive layer.
  • Step 2B is a step of processing the laminate.
  • Step 3B is a step of peeling off the support substrate from the laminate.
  • Step 4B is a step of cleaning the semiconductor substrate or the supporting base material with a remover to remove the coating film for removing foreign matter.
  • the processing includes connecting the semiconductor substrate and a second semiconductor substrate. In the second embodiment, by using a coating film for removing foreign matter, it is possible to prevent peeling residue of the adhesive layer from remaining on the semiconductor substrate, even when the semiconductor substrate is supported by a supporting base and a second semiconductor substrate is connected to the semiconductor substrate.
  • Step 1B is a step of manufacturing a laminate by bonding a semiconductor substrate and a supporting base material via a coating film for removing foreign matter and an adhesive layer.
  • Examples of the semiconductor substrate include those exemplified in the description of the semiconductor substrate of the present invention.
  • Examples of the supporting substrate include the supporting substrates exemplified in the description of Step 1A.
  • the coating film for removing foreign matter used in the second embodiment is not limited to the coating film for removing foreign matter of the present invention, and various coating films can be used as long as they are capable of removing the peeled residue of the adhesive layer. Examples of such coating films include the coating films described in WO 2018-159665 and WO 2022-019287.
  • the thickness of the coating film for removing foreign matter is usually 5 nm to 1 ⁇ m, preferably 10 nm to 500 nm, and most preferably 15 nm to 300 nm.
  • the coating film for removing foreign matter is preferably formed on a semiconductor substrate.
  • the method for forming a coating film for removing foreign matter on a semiconductor substrate is not particularly limited, and examples thereof include a method in which a composition for forming a coating film for removing foreign matter is applied onto a semiconductor substrate by an appropriate application method such as a spinner, a coater, or immersion, and then the composition is baked.
  • the adhesive layer is not particularly limited as long as the supporting substrate can be peeled off from the laminate in step 3B.
  • Examples of the adhesive layer include the adhesive layers exemplified in step 1A.
  • the adhesive layer may be formed on a coating film for removing foreign matter, on a supporting substrate, or on a semiconductor substrate.
  • the layer structure of the laminate produced in step 1B may be semiconductor substrate/coating film for removing foreign matter/adhesive layer/support substrate, for the purpose of removing foreign matter, which is a peeled residue of the adhesive layer, together with the coating film for removing foreign matter in step 4B, and preventing the presence of foreign matter on the semiconductor substrate.
  • the layer structure of the laminate produced in step 1B may be semiconductor substrate/adhesive layer/coating film for removing foreign matter/supporting substrate, for the purpose of removing foreign matter, which is a peeled residue of the adhesive layer, together with the coating film for removing foreign matter in step 4B and preventing the presence of foreign matter on the supporting substrate.
  • the supporting substrate can be easily reused.
  • the layer structure of the laminate produced in step 1B may be semiconductor substrate/coating film for removing foreign matter/adhesive layer/coating film for removing foreign matter/supporting substrate.
  • the laminate produced in step 1B may have a laser peeling layer between the semiconductor substrate and the support substrate.
  • the support substrate may be peeled off from the laminate by irradiating the laser peeling layer with a laser.
  • the laser is irradiated to the laser peeling layer from the support substrate side having laser light transparency.
  • the layer structure of the laminate produced in step 1B may be, for example, semiconductor substrate/coating film for removing foreign matter/laser peeling layer/adhesive layer/support substrate.
  • the layer structure of the laminate produced in step 1B may be, for example, semiconductor substrate/adhesive layer/laser peeling layer/coating film for removing foreign matter/supporting substrate.
  • the supporting substrate can be easily reused.
  • the layer structure of the laminate produced in the 1B step for the purpose of removing the residue of the laser peeling layer on the adhesive layer may be semiconductor substrate/adhesive layer/coating film for removing foreign matter/laser peeling layer/support substrate, or semiconductor substrate/laser peeling layer/coating film for removing foreign matter/adhesive layer/support substrate.
  • Step 2B is a step of processing the laminate.
  • the second step B includes a process for connecting the semiconductor substrate and the second semiconductor substrate as a processing of the stacked body, that is, the processing includes connecting the semiconductor substrate and the second semiconductor substrate.
  • the second semiconductor substrate is not particularly limited, and examples thereof include those mentioned in the above description of the semiconductor substrate.
  • the 2B step may include other processes such as a polishing process and a through electrode forming process.
  • the connection process may be, for example, the connection process described in step 2A.
  • the polishing treatment may be, for example, the polishing treatment described in step 2A.
  • An example of the through electrode forming process is the through electrode forming process described in the 2A step.
  • the wiring of the semiconductor substrate and the wiring of the second semiconductor substrate are electrically connected to each other by connecting the ends of the wirings to each other.
  • the material, shape, and structure of the wiring in the semiconductor substrate are not particularly limited.
  • the material, shape, and structure of the wiring in the second semiconductor substrate are not particularly limited.
  • Step 3B is a step of peeling off the supporting base from the laminate, and can be said to be a step of separating the semiconductor substrate from the supporting base.
  • Specific examples of Step 3B include the specific examples exemplified in Step 3A.
  • Step 4B is a step of cleaning the semiconductor substrate or the supporting base material with a remover to remove the coating film for removing foreign matter.
  • Specific examples of Step 4B include the specific examples exemplified in Step 4A.
  • a coating film for removing foreign matter remains on the semiconductor substrate that has been peeled off from the supporting base material, and the coating film for removing foreign matter is then removed with a removal liquid.
  • step 4B for example, foreign matter, which is a peeled residue of the adhesive layer, is removed together with the foreign matter removing coating film.
  • the removing liquid examples include the removing liquids mentioned in the description of the coating film-forming composition for removing foreign matter of the present invention.
  • the cleaning method is not particularly limited, but examples thereof include a method of immersing the semiconductor substrate on which the foreign matter removal coating film remains in a removal liquid, and a method of spraying the removal liquid onto the semiconductor substrate on which the foreign matter removal coating film remains.
  • the cleaning conditions are not particularly limited, but for example, the temperature of the cleaning solution is 5° C. to 50° C.
  • the cleaning time is appropriately selected from 2 to 500 seconds, or 3 to 400 seconds.
  • the coating film for removing foreign matter can be easily peeled off at room temperature (e.g., 25°C) using a commonly used 2.38% by mass aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide.
  • a semiconductor substrate 11 is prepared (FIG. 1A).
  • a coating film 12 for removing foreign matter is formed on the semiconductor substrate 11 (FIG. 1B).
  • the semiconductor substrate 11 having the foreign matter removal coating film 12 shown in FIG. 1B and the supporting base material 14 having a flexible support 14A and an adhesive layer 14B are arranged so that the foreign matter removal coating film 12 and the adhesive layer 14B face each other, and are bonded together (FIG. 1C).
  • the surface of the semiconductor substrate 11 opposite to the surface on which the foreign matter removing coating film 12 is disposed is polished to thin the semiconductor substrate 11 (FIG. 1D).
  • the support base 14 is separated from the semiconductor substrate 11 (FIGS.
  • peeling residue 14C of adhesive layer 14B remains on foreign matter removal coating film 12 (FIG. 1F). Therefore, foreign matter removal coating film 12 is removed with a removal liquid (FIG. 1G). By doing so, peeling residue 14C, which is a foreign matter, can be prevented from remaining on semiconductor substrate 11.
  • a semiconductor substrate 1 having wiring 1A is prepared (FIG. 2A).
  • a coating film 2 for removing foreign matter is formed on the semiconductor substrate 1 (FIG. 2B).
  • a glass substrate 4 having an adhesive layer 3 formed on its surface is prepared (FIG. 2C).
  • the semiconductor substrate 1 having the foreign matter removal coating film 2 shown in FIG. 2B and the glass substrate 4 having the adhesive layer 3 shown in FIG. 2C are arranged so that the foreign matter removal coating film 2 and the adhesive layer 3 face each other, and are bonded together (FIGS. 2D and 2E).
  • the surface of the semiconductor substrate 1 opposite to the surface on which the coating film 2 for removing foreign matter is polished to thin the semiconductor substrate 1 (FIG. 2F), thereby exposing the wiring 1A.
  • the laminate shown in FIG. 2F and a second semiconductor substrate 5 having wiring 5A are arranged so that the surface of the semiconductor substrate 1 opposite to the surface of the coating film 2 for removing foreign matter faces the surface of the second semiconductor substrate 5 on which the wiring 5A is exposed, and are bonded together (FIGS. 2G and 2H).
  • the adhesive layer 3 and the glass substrate 4 are separated from the semiconductor substrate 1 (FIG. 2I). The separation can be easily performed, for example, by irradiating the adhesive layer 3 with a laser to reduce the adhesive strength of the adhesive layer 3.
  • peeling residue 3A of adhesive layer 3 remains on foreign matter removal coating film 2 (FIGS. 2I and 2J). Therefore, foreign matter removal coating film 2 is removed with a removal liquid (FIG. 2K). By doing so, peeling residue 3A, which is a foreign matter, can be prevented from remaining on semiconductor substrate 1.
  • the manufacturing method of the processed semiconductor substrate of the present invention can be suitably used for hybrid bonding to connect semiconductor substrates together.
  • One embodiment of the present invention may be a method for removing foreign matter already present on a semiconductor manufacturing substrate.
  • a composition for forming a substrate processing film and a method for processing a substrate are disclosed that can efficiently remove fine particles on the substrate surface and can easily remove the formed substrate processing film from the substrate surface.
  • the coating film forming composition for removing foreign matter of the present invention can also be used in the same method and application as described above.
  • the coating film forming composition for removing foreign matter of the present invention is used as a composition for forming a coating film on a semiconductor substrate.
  • a coating film forming step is performed. That is, the coating film forming composition for removing foreign matter is applied to a semiconductor substrate to form a coating film.
  • the semiconductor substrate may be in an unprocessed state or in a state in which various films are formed, that is, a so-called solid substrate (flat), or may be processed to have a shape such as wiring for manufacturing a semiconductor device.
  • Examples of the coating method include spin coating, casting coating, and roll coating.
  • the coating film is heated (baked) and/or decompressed to efficiently remove a part or all of the solvent contained in the coating film, thereby accelerating the solidification and/or hardening of the solid content contained in the coating film.
  • solidification means to solidify
  • hardening means that molecules are linked together to increase the molecular weight (for example, crosslinking, polymerization, etc.).
  • a coating film is formed.
  • particles attached to the circuit of the semiconductor substrate are taken up by the coating film and efficiently separated from the circuit, etc.
  • the coating film removal process is performed. That is, a removal liquid that dissolves the coating film is supplied onto the coating film, thereby removing the entire coating film from the semiconductor substrate. As a result, the particles are removed from the semiconductor substrate together with the coating film.
  • the weight average molecular weights of the polymers shown in the following Synthesis Examples 1 to 4 are the results of measurement by gel permeation chromatography (hereinafter abbreviated as GPC).
  • GPC gel permeation chromatography
  • a GPC device manufactured by Tosoh Corporation was used, and the measurement conditions, etc. are as follows.
  • Eluent tetrahydrofuran (THF)
  • THF tandard sample: Polystyrene (Tosoh Corporation)
  • Example 1 9.6 g of N-ethyl-2-pyrrolidone was added to 0.4 g of the reaction product obtained in Synthesis Example 1, and the mixture was filtered using a PTFE syringe filter having a pore size of 0.20 ⁇ m to prepare a resin composition solution.
  • Example 2 9.6 g of N-ethyl-2-pyrrolidone was added to 0.4 g of the reaction product obtained in Synthesis Example 2, and the mixture was filtered using a PTFE syringe filter having a pore size of 0.20 ⁇ m to prepare a resin composition solution.
  • Example 3 9.6 g of N-ethyl-2-pyrrolidone was added to 0.4 g of the reaction product obtained in Synthesis Example 3, and the mixture was filtered using a PTFE syringe filter having a pore size of 0.20 ⁇ m to prepare a resin composition solution.
  • Example 4 9.6 g of N-ethyl-2-pyrrolidone was added to 0.4 g of the reaction product obtained in Synthesis Example 4, and the mixture was filtered using a PTFE syringe filter having a pore size of 0.20 ⁇ m to prepare a resin composition solution.
  • the coating film-forming composition for removing foreign matter of Example 1 in WO2018/159665 was prepared as follows and used as the coating film-forming composition for removing foreign matter of Comparative Example 1.
  • the silicon wafer after the coating film formation was immersed in a 2.38% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (alkaline solvent, NMD-3, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) for 1 minute.
  • alkaline solvent NMD-3, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.
  • the thickness of the coating film before and after immersion in the alkaline solvent was measured with an optical interference film thickness meter (product name: Lambda Ace VM-3210, manufactured by SCREEN Holdings Co., Ltd.).
  • the alkali solubility was evaluated by calculating the film thickness reduction rate (%) of the coating film removed by immersion in a solvent using the following formula.
  • Film thickness reduction rate (%) ((A - B) ⁇ A) x 100 A: Film thickness before immersion in solvent B: Film thickness after immersion in solvent The results are shown in Table 1. It should be noted that if the film thickness reduction rate is about 99% or more, it can be said that the film has sufficient alkali solubility.

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Abstract

ポリマー及び溶剤を含み、除去液によって除去可能なコーティング膜を形成し得る、異物除去用コーティング膜形成組成物であって、　前記ポリマーが、下記式（１）で表される構造を含むポリマーである、組成物。［式（１）中、Ｒ１は、水素原子、アルカリにより脱保護されるイミド基の保護基、又は酸により脱保護されるイミド基の保護基を表し、＊は、結合手を表す。］

Description

異物除去用コーティング膜形成組成物及び半導体基板
　本発明は、基板上に異物が残ることを簡便な方法で防ぐことができる異物除去用コーティング膜形成組成物、異物除去用コーティング膜、半導体基板、及び加工された半導体基板の製造方法に関する。
　半導体装置の製造において、特にいわゆる後工程において、半導体基板（例えば、ウエハー）を支持基板に貼り付け後、バックグラインド（研削）、配線作成工程等を行い、その後支持基板を剥離して所望の半導体基板を得る工程が検討されている。
　そのような工程においては、異物が発生することがあり、その除去が求められる。そこで、例えば、特許文献１及び特許文献２には、半導体基板の表面に基板処理膜を形成して、この基板表面の異物を除去するプロセスにおいて、基板表面の微小なパーティクルを効率よく除去でき、かつ形成された基板処理膜を基板表面から容易に除去するための基板処理膜形成用組成物及び基板の処理方法が開示されている。
国際公開第２０１７／０５６７４６号公報 国際公開第２０２０／００８９６５号公報
　他方、半導体基板を支持基材に貼り付ける際、その後の工程（例えば、加熱工程、薬液処理工程など）に耐性を有する接着剤層（例えば、ポリマーを含む液状組成物、バックグラインドテープ、ダイシングテープなど）により半導体基板を貼り付ける。または、粘着剤層を有する支持基材を用いる。そして、その後、半導体基板を剥離する工程が行われる。その際に接着剤層又は支持基材の粘着剤層が、基板上に異物（残渣）として残ってしまう場合がある。これは、基板上に予め配線等が形成された半導体基板表面に、直接接着剤層を形成する場合、又は直接粘着剤層を有する支持基材を貼り付ける場合、特に顕著に発生する。この異物は、公知の有機溶剤、液状薬品等で洗浄等を行っても、完全に取り除けない場合がある。
　そこで、本発明は、接着剤層、粘着剤層などから発生する剥離残渣が半導体基板上に残ることを簡便な方法で防ぐことができる、加工された半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
　また、半導体基板が支持基板に貼り付けられた後に行われる工程の中には、高い加熱温度（例えば、３００℃）での処理が行われることがある。そのような高温の処理が行われた場合でも基板上に異物が残ることを簡便な方法で防ぐことができるような異物除去用コーティング膜形成組成物が求められている。即ち、耐熱性を有する異物除去用コーティング膜が得られる異物除去用コーティング膜形成組成物が求められている。
　そこで、本発明は、耐熱性を有する異物除去用コーティング膜が得られる異物除去用コーティング膜形成組成物、並びに、当該組成物を用いた異物除去用コーティング膜、半導体基板、及び加工された半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
　本発明者らは、上記の課題を解決する為、鋭意検討を行った結果、上記の課題を解決できることを見出し、以下の要旨を有する本発明を完成させた。
　すなわち、本発明は以下を包含する。
　［１］　ポリマー及び溶剤を含み、除去液によって除去可能なコーティング膜を形成し得る、異物除去用コーティング膜形成組成物であって、
　前記ポリマーが、下記式（１）で表される構造を含むポリマーである、組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 ［式（１）中、Ｒ１は、水素原子、アルカリにより脱保護されるイミド基の保護基、又は酸により脱保護されるイミド基の保護基を表し、＊は、結合手を表す。］
　［２］　前記ポリマーが、さらに下記式（２）で表される構造を含む、［１］に記載の組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
 ［式（２）中、Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０の置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいフェニル基、又は置換されていてもよいフェノキシ基を表し、＊は、結合手を表す。］
　［３］　前記ポリマーが、Ｓｉ－Ｈ基を有する化合物と、ヒドロシリル化反応が可能な炭素－炭素不飽和結合を有する化合物とのヒドロシリル化反応によって得られるポリマーである、［１］又は［２］に記載の組成物。
　［４］　前記炭素－炭素不飽和結合を有する化合物が、下記式（１Ａ）で表される化合物を含む、［３］に記載の組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
 ［式（１Ａ）中、Ｒ１は、水素原子、アルカリにより脱保護されるイミド基の保護基、又は酸により脱保護されるイミド基の保護基を表す。
　Ｒ２は、炭素原子数１～６の２価の基を表す。
　Ｒ３は、水素原子、アルカリにより脱保護されるイミド基の保護基、酸により脱保護されるイミド基の保護基又は下記式（１Ａ－１）で表される基を表す。
　Ｒａは、水素原子、又はメチル基を表す。］
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
 ［式（１Ａ－１）中、Ｒ４は、炭素原子数１～６の２価の基を表す。Ｒｂは、水素原子、又はメチル基を表す。＊は、結合手を表す。］
　［５］　前記Ｓｉ－Ｈ基を有する化合物が、下記式（２Ａ）で表される化合物、下記式（２Ｂ）で表される環状シロキサン化合物、及びＳｉ－Ｈ基を有するシルセスキオキサンの少なくともいずれかを含む、［３］又は［４］に記載の組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
 ［式（２Ａ）中、Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０の置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいフェニル基、又は置換されていてもよいフェノキシ基を表す。
　Ｘ１は、単結合、炭素原子数１～１０の有機基、又は下記式（２Ａ－１）で表される基を表す。］
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
 ［式（２Ａ－１）中、Ｒ１３及びＲ１４は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０の置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいフェニル基、又は置換されていてもよいフェノキシ基を表す。ｎは、０～１０の整数を表す。＊は、結合手を表す。］
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
 ［式（２Ｂ）中、Ｒ１５は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０の置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいフェニル基、又は置換されていてもよいフェノキシ基を表す。ｍは、３～６の整数を表す。］
　［６］　前記除去液が、アルカリ性除去液である、［１］から［５］のいずれかに記載の組成物。
　［７］　前記除去液が、有機溶剤を５０質量％以上含む除去液である、［１］から［６］のいずれかに記載の組成物。
　［８］　架橋剤及び添加剤の少なくとも一方を含む、［１］から［７］のいずれかに記載の組成物。
　［９］　［１］から［８］のいずれかに記載の組成物から形成された異物除去用コーティング膜。
　［１０］　窒素雰囲気下、２５０℃で１０分間加熱したときの膜厚の減少が５％以下である、［９］に記載の異物除去用コーティング膜。
　［１１］　［９］又は［１０］に記載の異物除去用コーティング膜を有する半導体基板。
　［１２］　加工された半導体基板の製造方法であって、
　［１１］に記載の半導体基板と支持基材とを、前記異物除去用コーティング膜を介して貼り合わせて積層体を製造する第１Ａ工程と、
　該積層体を加工する第２Ａ工程と、
　該積層体から前記支持基材を剥離する第３Ａ工程と、
　前記半導体基板又は前記支持基材を除去液で洗浄して、前記異物除去用コーティング膜を除去する第４Ａ工程とを含む、加工された半導体基板の製造方法。
　［１３］　前記第４Ａ工程で前記異物除去用コーティング膜とともに異物を除去する、［１２］に記載の加工された半導体基板の製造方法。
　［１４］　前記第１Ａ工程が、前記半導体基板と前記支持基材とを、前記異物除去用コーティング膜及び接着剤層を介して貼り合わせて積層体を製造する工程である、［１２］又は［１３］に記載の加工された半導体基板の製造方法。
　［１５］　前記第４Ａ工程で前記異物除去用コーティング膜と共に、前記接着剤層の剥離残渣である異物を除去する、［１４］に記載の半導体基板の製造法方法。
　［１６］　前記加工が、前記半導体基板と第２の半導体基板とを接続することを含む、［１２］から［１５］のいずれかに記載の加工された半導体基板の製造方法。
　［１７］　加工された半導体基板の製造方法であって、
　半導体基板と支持基材とを、異物除去用コーティング膜及び接着剤層を介して貼り合わせて積層体を製造する第１Ｂ工程と、
　該積層体を加工する第２Ｂ工程と、
　該積層体から支持基材を剥離する第３Ｂ工程と、
　半導体基板又は支持基材を除去液で洗浄して前記異物除去用コーティング膜を除去する第４Ｂ工程とを含み、
　前記加工が、前記半導体基板と第２の半導体基板とを接続することを含む、加工された半導体基板の製造方法。
　本発明の一実施形態によれば、接着剤層、粘着剤層などから発生する剥離残渣が半導体基板上に残ることを簡便な方法で防ぐことができる、加工された半導体基板の製造方法を提供することができる。
　また、本発明の一実施形態によれば、耐熱性を有する異物除去用コーティング膜が得られる異物除去用コーティング膜形成組成物、並びに、当該組成物を用いた異物除去用コーティング膜、半導体基板、及び加工された半導体基板の製造方法を提供することができる。
図１Ａは、加工された半導体基板の製造方法の一例を説明するための概略断面図である（その１）。 図１Ｂは、加工された半導体基板の製造方法の一例を説明するための概略断面図である（その２）。 図１Ｃは、加工された半導体基板の製造方法の一例を説明するための概略断面図である（その３）。 図１Ｄは、加工された半導体基板の製造方法の一例を説明するための概略断面図である（その４）。 図１Ｅは、加工された半導体基板の製造方法の一例を説明するための概略断面図である（その５）。 図１Ｆは、加工された半導体基板の製造方法の一例を説明するための概略断面図である（その６）。 図１Ｇは、加工された半導体基板の製造方法の一例を説明するための概略断面図である（その７）。 図２Ａは、加工された半導体基板の製造方法の他の一例を説明するための概略断面図である（その１）。 図２Ｂは、加工された半導体基板の製造方法の他の一例を説明するための概略断面図である（その２）。 図２Ｃは、加工された半導体基板の製造方法の他の一例を説明するための概略断面図である（その３）。 図２Ｄは、加工された半導体基板の製造方法の他の一例を説明するための概略断面図である（その４）。 図２Ｅは、加工された半導体基板の製造方法の他の一例を説明するための概略断面図である（その５）。 図２Ｆは、加工された半導体基板の製造方法の他の一例を説明するための概略断面図である（その６）。 図２Ｇは、加工された半導体基板の製造方法の他の一例を説明するための概略断面図である（その７）。 図２Ｈは、加工された半導体基板の製造方法の他の一例を説明するための概略断面図である（その８）。 図２Ｉは、加工された半導体基板の製造方法の他の一例を説明するための概略断面図である（その９）。 図２Ｊは、加工された半導体基板の製造方法の他の一例を説明するための概略断面図である（その１０）。 図２Ｋは、加工された半導体基板の製造方法の他の一例を説明するための概略断面図である（その１１）。
（異物除去用コーティング膜形成組成物）
　本発明の異物除去用コーティング膜形成組成物は、ポリマー及び溶剤を含む。
　異物除去用コーティング膜形成組成物は、除去液によって除去可能なコーティング膜を形成し得ることが好ましい。
＜ポリマー＞
　ポリマーは、下記式（１）で表される構造を含むポリマーである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
 ［式（１）中、Ｒ１は、水素原子、アルカリにより脱保護されるイミド基の保護基、又は酸により脱保護されるイミド基の保護基を表し、＊は、結合手を表す。］
　Ｒ１における、アルカリにより脱保護されるイミド基の保護基としては、例えば、メチル基、シクロヘキシル基、ヒドロキシエチル基、ベンジル基、フェニル基などが挙げられる。
　Ｒ１における、酸により脱保護されるイミド基の保護基としては、例えば、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、テトラヒドロピラニル基、アセチル基、ベンジル基、ｐ－メトキシベンジル基などが挙げられる。
　アルカリとしては、例えば、アルカリ性除去液に含まれるアルカリが挙げられる。
　酸としては、例えば、酸性除去液に含まれる酸が挙げられる。
　アルカリにより脱保護されるイミド基の保護基の脱保護は、例えば、異物除去用コーティング膜形成組成物から形成されるコーティング膜をアルカリ性除去液に接触させた際に行うことができる。
　酸により脱保護されるイミド基の保護基の脱保護は、例えば、異物除去用コーティング膜形成組成物から形成されるコーティング膜を酸性除去液に接触させた際に行うことができる。
　酸により脱保護されるイミド基の保護基の脱保護は、例えば、酸発生剤を含有させた異物除去用コーティング膜形成組成物からコーティング膜を形成する際に、酸発生剤から発生する酸を用いて行うことができる。
　異物除去用コーティング膜形成組成物から得られるコーティング膜は、式（１）で表される構造を含むポリマーによって良好な耐熱性を示す。
　また、異物除去用コーティング膜形成組成物から得られるコーティング膜は、式（１）で表される構造に由来して、除去液によって除去可能となる。
　そのため、本発明の異物除去用コーティング膜形成組成物は、基板上に異物が残ることを簡便な方法で防ぐことができる組成物であり、かつ耐熱性を有するコーティング膜が得られる組成物である。
　式（１）中のＲ１としては、水素原子が好ましい。
　ポリマーは、さらに下記式（２）で表される構造を含むことが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
 ［式（２）中、Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０の置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいフェニル基、又は置換されていてもよいフェノキシ基を表し、＊は、結合手を表す。］
　本発明において、炭素原子数１～１０の置換されていてもよいアルキル基における置換としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基などが挙げられる。
　ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
　炭素原子数１～１０の置換されていてもよいアルキル基としては、例えば、炭素原子数１～１０のアルキル基が挙げられる。
　本発明において、置換されていてもよいフェニル基及び置換されていてもよいフェノキシ基における置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素原子数１～６のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素原子数１～６のアルコキシ基などが挙げられる。
　フェニル基及びフェノキシ基における置換基の数は、１つであってもよいし、２つ以上であってもよい。
　フェニル基及びフェノキシ基における置換基の数が２つ以上の場合、それらは同じ種類の置換基であってもよいし、異なる種類の置換基であってもよい。
　式（２）中のＲ１１及びＲ１２としては、炭素原子数１～１０のアルキル基が好ましく、炭素原子数１～６のアルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
　例えば、ポリマーにおいて、式（１）で表される構造と式（２）で表される構造とは、下記式（１１）で表される構造の様に連結している。言い換えれば、例えば、ポリマーは、下記式（１１）で表される構造を含む。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
 ［式（１１）中、Ｒ１は、水素原子、アルカリにより脱保護されるイミド基の保護基、又は酸により脱保護されるイミド基の保護基を表す。
　Ｒ２は、炭素原子数１～６の２価の基を表す。
　Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０の置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいフェニル基、又は置換されていてもよいフェノキシ基を表す。
　Ｒａは、水素原子、又はメチル基を表す。
　＊は、結合手を表す。］
　式（１１）中のＲ２としては、例えば、下記式（Ｌ）で表される２価の基が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
 （式（Ｌ）中、Ｙ１は、単結合、又は炭素原子数１～６のアルキレン基を表す。
　Ｙ２は、単結合、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（＝Ｏ）－、又は－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）－を表す。
　Ｙ３は、単結合、又は炭素原子数１～６のアルキレン基を表す。
　＊１は、炭素原子と結合する結合手を表す。
　＊２は、窒素原子と結合する結合手を表す。
　ただし、Ｙ１、Ｙ２、及びＹ３の合計の炭素原子数は１～６である。）
　式（Ｌ）で表される２価の基としては、例えば、以下の基が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
 （式中、＊は、結合手を表す。＊１は、炭素原子と結合する結合手を表す。＊２は、窒素原子と結合する結合手を表す。）
　本発明において、炭素原子数１～６のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、１，２－エチレン基、１，３－プロピレン基、１，２－プロピレン基、１，４－ブチレン基、１，５－ペンチレン基、１，６－ヘキシレン基などが挙げられる。
　式（１１）中のＲ２としては、メチレン基が好ましい。
　式（１１）中のＲ１１及びＲ１２としては、炭素原子数１～１０のアルキル基及び置換されていてもよいフェニル基が好ましく、炭素原子数１～６のアルキル基及びフェニル基がより好ましく、メチル基及びフェニル基が特に好ましい。
　ポリマーは、好ましくは、Ｓｉ－Ｈ基を有する化合物と、ヒドロシリル化反応が可能な炭素－炭素不飽和結合を有する化合物とのヒドロシリル化反応によって得られるポリマーである。
　ヒドロシリル化反応は、例えば、白金族金属系触媒の存在下で行われる。
　このような白金系の金属触媒は、Ｓｉ－Ｈ基を有する化合物のＳｉ－Ｈ基と、炭素－炭素不飽和結合を有する化合物の炭素－炭素不飽和結合（例えば、炭素－炭素二重結合）とのヒドロシリル化反応を促進するための触媒である。
　白金系の金属触媒の具体例としては、白金黒、塩化第２白金、塩化白金酸、塩化白金酸と１価アルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン類との錯体、白金ビスアセトアセテート等の白金系触媒が挙げられるが、これらに限定されない。
　白金とオレフィン類との錯体としては、例えばジビニルテトラメチルジシロキサンと白金との錯体（例えば、Ｋａｒｓｔｅｄｔ触媒）が挙げられるが、これに限定されない。
　ヒドロシリル化反応の際の白金族金属系触媒の量は、特に限定されない。
＜＜Ｓｉ－Ｈ基を有する化合物＞＞
　Ｓｉ－Ｈ基を有する化合物としては、少なくとも１つのＳｉ－Ｈ基を有する化合物であれば、特に制限されない。
　Ｓｉ－Ｈ基を有する化合物におけるＳｉ－Ｈ基の数は、１つであってもよいし、２つ以上であってもよい。
　Ｓｉ－Ｈ基を有する化合物としては、下記式（２Ａ）で表される化合物、下記式（２Ｂ）で表される環状シロキサン化合物、Ｓｉ－Ｈ基を有するシルセスキオキサンが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
 ［式（２Ａ）中、Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０の置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいフェニル基、又は置換されていてもよいフェノキシ基を表す。
　Ｘ１は、単結合、炭素原子数１～１０の有機基、又は下記式（２Ａ－１）で表される基を表す。］
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
 ［式（２Ａ－１）中、Ｒ１３及びＲ１４は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０の置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいフェニル基、又は置換されていてもよいフェノキシ基を表す。ｎは、０～１０の整数を表す。＊は、結合手を表す。］
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
 ［式（２Ｂ）中、Ｒ１５は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０の置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいフェニル基、又は置換されていてもよいフェノキシ基を表す。ｍは、３～６の整数を表す。］
　式（２Ａ）中のＲ１１及びＲ１２としては、炭素原子数１～１０のアルキル基及び置換されていてもよいフェニル基が好ましく、炭素原子数１～６のアルキル基及びフェニル基がより好ましく、メチル基及びフェニル基が特に好ましい。
　式（２Ａ）中のＸ１における炭素原子数１～１０の有機基としては、例えば、炭素原子数１～６のアルキレン基、フェニレン基などが挙げられる。
　式（２Ａ－１）中のＲ１３及びＲ１４としては、炭素原子数１～１０のアルキル基及び置換されていてもよいフェニル基が好ましく、炭素原子数１～６のアルキル基及びフェニル基がより好ましく、メチル基及びフェニル基が特に好ましい。
　式（２Ａ－１）中のｎとしては、例えば、０、１、２、３、４などが挙げられる。
　式（２Ａ）で表される化合物としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
　式（２Ｂ）中のＲ１５としては、炭素原子数１～１０のアルキル基が好ましく、炭素原子数１～６のアルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
　式（２Ｂ）で表される環状シロキサン化合物としては、例えば、２，４，６－トリメチルシクロトリシロキサン、２，４，６，８，－テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８，１０－ペンタメチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０，１２－ヘキサメチルシクロヘキサシロキサン、２，４，６，８，１０，１２，１４－ヘプタメチルシクロヘプタシロキサンなどが挙げられる。
　なお、２，４，６，８，－テトラメチルシクロテトラシロキサンは、以下の式で表される。
　シルセスキオキサンとは、三官能性シランを加水分解することで得られるネットワーク型ポリマー又は多面体クラスターのことである。シルセスキオキサンとしては、ランダム構造、ラダー構造、かご型構造を有するものが知られている。
　かご型構造としては、完全かご型構造、不完全かご型構造が挙げられる。
　Ｓｉ－Ｈ基を有するシルセスキオキサンにおけるＳｉ－Ｈ基の数としては、１つであってもよいし、２つ以上であってもよい。
　Ｓｉ－Ｈ基を有するシルセスキオキサンとしては、例えば、下記式（ＳＱ１）～（ＳＱ７）で表されるかご型シルセスキオキサンが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
 ［式（ＳＱ１）～（ＳＱ７）中、Ｒは、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１～６のアルキル基、フェニル基、又は－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ１０１）（Ｒ１０２）Ｈ（Ｒ１０１及びＲ１０２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～６のアルキル基、又はフェニル基を表す。）を表す。
　ただし、各式（ＳＱ１）～（ＳＱ７）は、少なくとも１つのＳｉ－Ｈ基を有する。]
　Ｓｉ－Ｈ基を有するシルセスキオキサンとしては、例えば、以下の化合物が挙げられる。
　Ｓｉ－Ｈ基を有する化合物の分子量としては、特に制限されないが、例えば、１００～１５００が挙げられる。
＜＜炭素－炭素不飽和結合を有する化合物＞＞
　炭素－炭素不飽和結合を有する化合物は、ヒドロシリル化反応が可能な炭素－炭素不飽和結合を有する。ヒドロシリル化反応が可能な炭素－炭素不飽和結合としては、炭素－炭素二重結合、炭素－炭素三重結合が挙げられる。
　炭素－炭素不飽和結合を有する化合物におけるヒドロシリル化反応が可能な炭素－炭素不飽和結合の数としては、特に制限されず、１つであってもよいし、２つ以上であってもよい。
　炭素－炭素不飽和結合を有する化合物は、下記式（１Ａ）で表される化合物を含むことが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
 ［式（１Ａ）中、Ｒ１は、水素原子、アルカリにより脱保護されるイミド基の保護基、又は酸により脱保護されるイミド基の保護基を表す。
　Ｒ２は、炭素原子数１～６の２価の基を表す。
　Ｒ３は、水素原子、アルカリにより脱保護されるイミド基の保護基、酸により脱保護されるイミド基の保護基又は下記式（１Ａ－１）で表される基を表す。
　Ｒａは、水素原子、又はメチル基を表す。］
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
 ［式（１Ａ－１）中、Ｒ４は、炭素原子数１～６の２価の基を表す。Ｒｂは、水素原子、又はメチル基を表す。＊は、結合手を表す。］
　式（１Ａ）中のＲ１及びＲ３におけるアルカリにより脱保護されるイミド基の保護基の具体例としては、式（１）中のＲ１におけるアルカリにより脱保護されるイミド基の保護基の具体例が挙げられる。
　式（１Ａ）中のＲ１及びＲ３における酸により脱保護されるイミド基の保護基の具体例としては、式（１）中のＲ１における酸により脱保護されるイミド基の保護基の具体例が挙げられる。
　式（１Ａ）中のＲ２としては、例えば、前記式（Ｌ）で表される２価の基が挙げられる。
　式（１Ａ）中のＲ２の具体例としては、例えば、式（１１）中のＲ２の説明で挙げた具体例が挙げられる。
　式（１Ａ－１）中のＲ４としては、例えば、前記式（Ｌ）で表される２価の基が挙げられる。
　式（１Ａ－１）中のＲ４の具体例としては、例えば、式（１１）中のＲ２の説明で挙げた具体例が挙げられる。
　式（１Ａ）中のＲ２としては、メチレン基が好ましい。
　式（１Ａ）中のＲ３が式（１Ａ－１）で表される基を表す場合、式（１Ａ－１）中のＲ４としては、メチレン基が好ましい。
　式（１Ａ）で表される化合物としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
　ヒドロシリル化反応を利用してポリマーを得る際、炭素－炭素不飽和結合を有する化合物は、式（１Ａ）で表される化合物に加えて、式（１Ａ）で表される化合物以外の炭素－炭素不飽和結合を有する化合物を含んでいてもよい。
　式（１Ａ）で表される化合物以外の炭素－炭素不飽和結合を有する化合物としては、例えば、下記式（Ｘ）で表される化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
 ［式（Ｘ）中、Ｒ２１は、水素原子、又はメチル基を表す。
　Ｘ２は、ｍ価の有機基を表す。
　ｍは、１～３の整数を表す。］
　式（Ｘ）中のＸ２の分子量としては、特に制限されず、例えば、１００～５００が挙げられる。
　式（Ｘ）中のＸ２は、例えば、以下のイソシアヌル酸構造を有さない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
 ［式中、＊は、結合手を表す。］
　式（Ｘ）で表される化合物は、ポリマーの耐熱性の観点から、エステル結合を有さないことが好ましい。
　式（Ｘ）中のＸ２は、芳香族環を有することが好ましい。芳香族環としては、芳香族炭化水素環であってもよいし、芳香族複素環であってもよい。
　式（Ｘ）で表される化合物としては、例えば、下記式（Ｘ１）で表される化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
 ［式（Ｘ１）中、Ｒ２１は、それぞれ独立して、水素原子、又はメチル基を表す。
　Ｘ２は、芳香族環を有する２価の有機基を表す。］
　式（Ｘ）で表される化合物としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000036
　ポリマーは、例えば、下記式（Ｙ）で表される単位構造を有する。
　式（Ｙ）で表される単位構造を有するポリマーは、例えば、式（２Ａ）で表される化合物を含むＳｉ－Ｈ基を有する化合物と、式（１Ａ）で表される化合物を含む炭素－炭素不飽和結合を有する化合物とのヒドロシリル化反応により得られる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000037
 ［式（Ｙ）中、Ｒ１は、水素原子、アルカリにより脱保護されるイミド基の保護基、又は酸により脱保護されるイミド基の保護基を表す。
　Ｒ２は、炭素原子数１～６の２価の基を表す。
　Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０の置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいフェニル基、又は置換されていてもよいフェノキシ基を表す。
　Ｒａは、水素原子、又はメチル基を表す。]
　式（Ｙ）中のＲ１は、式（１）及び式（１１）中のＲ１と同義である。
　式（Ｙ）中のＲ２は、式（１１）中のＲ２と同義である。
　式（Ｙ）中のＲ１１、Ｒ１２、及びＸ１は、それぞれ、式（２）及び式（２Ａ）中のＲ１１、及びＲ１２、並びに式（２Ａ）中のＸ１と同義である。
　ポリマーの重量平均分子量としては、特に制限されないが、１，０００～５０，０００が好ましく、１，５００～３０，０００がより好ましい。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により、標準試料としてポリスチレンを用いて得られる値である。
　異物除去用コーティング膜形成組成物におけるポリマーの含有量としては、特に制限されないが、固形分に対して、０．０１質量％～６０質量％が好ましく、０．１質量％～４０質量％がより好ましく、０．５質量％～３０質量％が特に好ましい。
＜＜除去液＞＞
　除去液としては、異物除去用コーティング膜形成組成物から形成されるコーティング膜を除去可能であれば特に制限されない。
　コーティング膜は、例えば、半導体基板上に形成される。その場合の除去としては、半導体基板上から除去されることを指す。
　ここで、除去の態様としては、溶解除去、剥離除去などが挙げられる。剥離除去としては、例えば、膨潤によって被着物から剥離することが挙げられる。
　除去液は、水を含んでいてもよいし、有機溶剤を含んでいてもよい。
　除去液は、有機溶剤を５０質量％以上含む除去液であってもよい。
　有機溶剤としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、２－ヒドロキシプロピオン酸エチル、２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２－ヒドロキシ－３－メチルブタン酸メチル、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－メトキシプロピオン酸エチル、３－エトキシプロピオン酸エチル、３－エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドンなどが挙げられる。
　除去液としては、例えば、アルカリ性除去液、酸性除去液が挙げられる。
　アルカリ性除去液は、アルカリを含む。アルカリとしては、例えば、アンモニア、無機アルカリ化合物、水酸化四級アンモニウム、アミン、ヒドラジンなどが挙げられる。
　アルカリ性除去液は、半導体製造プロセスで用いられる現像液又は洗浄液であり、かつアルカリ性を示すものでもよい。例えば、現像液として、ＮＭＤ－３（２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、東京応化工業株式会社製）が挙げられる。
　無機アルカリ化合物としては、例えば、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化リチウム、リン酸水素二アンモニウム、リン酸水素二カリウム、リン酸水素二ナトリウム、ケイ酸リチウム、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、ホウ酸リチウム、ホウ酸ナトリウム、ホウ酸カリウム等などが挙げられる。
　水酸化四級アンモニウムとしては、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、コリンなどが挙げられる。
　アミンとしては、例えば、エタノールアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ｎ－プロピルアミン、ジ－ｎ－プロピルアミン、イソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、エチレンジアミンなどが挙げられる。
　ヒドラジンとしては、例えばヒドラジン一水和物などが挙げられる。
　また、アルカリ性除去液は、ＳＣ－１（アンモニア－過酸化水素溶液）であってもよい。
　酸性除去液は、酸を含む。酸としては、例えば、無機酸、有機酸が挙げられる。無機酸としては、例えば、硫酸、硝酸、塩酸、リン酸、フッ酸などが挙げられる。
　酸性除去液は、例えば、希フッ酸を含む水溶液である。
　また、酸性除去液は、例えば、硫酸及び過酸化水素を含む水溶液であってもよいし、酢酸又はキレート剤を含む水溶液であってもよい。キレート剤としては、例えば、有機酸、有機酸の塩、アミノ酸、アミノ酸の誘導体などが挙げられる。
＜溶剤＞
　溶剤としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、２－ヒドロキシプロピオン酸エチル、２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２－ヒドロキシ－３－メチルブタン酸メチル、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－メトキシプロピオン酸エチル、３－エトキシプロピオン酸エチル、３－エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン等を用いることができる。
　これらの溶剤は単独または２種以上の組合せで使用することができる。
　さらに、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等の高沸点溶剤を混合して使用することができる。
　異物除去用コーティング膜形成組成物は、例えば、各成分を均一に混合することによって容易に調製することができ、適当な溶剤に溶解されて溶液状態で用いられる。
　このように調製された異物除去用コーティング膜形成組成物は、孔径が０．２μｍ程度のフィルタなどを用いて濾過した後、使用に供することが好ましい。このように調製された異物除去用コーティング膜形成組成物は、室温で長期間の貯蔵安定性にも優れる。
　異物除去用コーティング膜形成組成物における固形分の割合は、各成分が均一に溶解している限りは特に限定はないが、例えば０．５～５０質量％であり、又、例えば１～３０質量％である。ここで固形分とは、異物除去用コーティング膜形成組成物の全成分から溶剤成分を除いたものである。
　本発明で異物とは、基板上に付着した目的物以外の物質のことである。半導体装置製造においては、異物は不要な物質である。異物としては、例えば、ウエハー上に付着したパーティクル、金属不純物、エッチング後残渣、接着剤層の剥離残渣等が挙げられる。
　異物除去用コーティング膜は、ウエハー同士を接着剤によって接着し、その後接着剤を剥離する工程において、接着剤塗布前に本発明のコーティング膜を形成させておき、その後ウエハーの接着、剥離工程を行った後の異物（接着剤層の残渣）を剥離するために、特に好ましく用いられる。
　異物除去用コーティング膜は、半導体基板上に既に存在する異物を除去するために用いることもできる。
　異物除去用コーティング膜が除去液に溶解するとは、除去液にて浸漬、洗浄等を行うと、コーティング膜が除去液に溶解して、基板などの被着物上から存在しなくなることを言う。本発明でいう溶解とは、基板上に形成された該膜が、当初形成された膜厚から、例えば、少なくとも９０％以上除去される（すなわち残膜の膜厚は当初膜厚の１０％以下）、又は少なくとも９５％以上除去される（すなわち残膜の膜厚は当初膜厚の５％以下）、又は少なくとも９９％以上除去される（すなわち残膜の膜厚は当初膜厚の１％以下）、最も好ましくは１００％除去される（すなわち残膜の膜厚は当初膜厚の０％（残膜無し））ことを意味する。
　前記組成物が、架橋剤及び添加剤の少なくとも一方を含むことが好ましい。
＜架橋剤＞
　前記架橋剤が、エポキシ基を含むことが好ましい。
　前記架橋剤は少なくとも二つのエポキシ基を有する化合物を含有してもよい。そのような化合物としては、エポキシ基を有する化合物であれば特に限定はない。例えば、トリス（２，３－エポキシプロピル）イソシアヌレート、１，４－ブタンジオールジグリシジルエーテル、１，２－エポキシ－４－（エポキシエチル）シクロヘキサン、グリセロールトリグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、２，６－ジグリシジルフェニルグリシジルエーテル、１，１，３－トリス［ｐ－（２，３－エポキシプロポキシ）フェニル］プロパン、１，２－シクロヘキサンジカルボン酸ジグリシジルエステル、４，４’－メチレンビス（Ｎ，Ｎ－ジグリシジルアニリン）、３，４－エポキシシクロヘキシルメチル－３，４－エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、トリメチロールエタントリグリシジルエーテル及びビスフェノール－Ａ－ジグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル等を挙げることができる。
　少なくとも二つのエポキシ基を有する化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。
　アミノ基を有するエポキシ樹脂としては、例えば、ＹＨ－４３４、ＹＨ４３４Ｌ（日鉄ケミカル＆マテリアル（株）製、商品名）などが挙げられる。
　シクロヘキセンオキサイド構造を有するエポキシ樹脂としては、例えば、エポリードＧＴ－４０１、同ＧＴ－４０３、同ＧＴ－３０１、同ＧＴ－３０２、セロキサイド２０２１、セロキサイド３０００（ダイセル化学（株）製、商品名）などが挙げられる。
　ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、例えば、エピコート１００１、同１００２、同１００３、同１００４、同１００７、同１００９、同１０１０、同８２８（以上、油化シェルエポキシ（株）製、商品名）などが挙げられる。
　ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂としては、例えば、エピコート８０７（油化シェルエポキシ（株）製、商品名）などが挙げられる。
　フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、例えば、エピコート１５２、同１５４（以上、油化シェルエポキシ（株）製、商品名）、ＥＰＰＮ２０１、同２０２（以上、日本化薬（株）製、商品名）などが挙げられる。
　クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、例えば、ＥＯＣＮ－１０２、ＥＯＣＮ－１０３Ｓ、ＥＯＣＮ－１０４Ｓ、ＥＯＣＮ－１０２０、ＥＯＣＮ－１０２５、ＥＯＣＮ－１０２７（以上、日本化薬（株）製、商品名）、エピコート１８０Ｓ７５（油化シェルエポキシ（株）製、商品名）などが挙げられる。
　脂環式エポキシ樹脂としては、例えば、デナコールＥＸ－２５２（ナガセケムテックス（株）製、商品名）、ＣＹ１７５、ＣＹ１７７、ＣＹ１７９（以上、ＣＩＢＡ－ＧＥＩＧＹ　ＡＧ製、商品名）、アラルダイトＣＹ－１８２、同ＣＹ－１９２、同ＣＹ－１８４（以上、ＣＩＢＡ－ＧＥＩＧＹ　ＡＧ製、商品名）、エピクロン２００、同４００（以上、大日本インキ工業（株）製、商品名）、エピコート８７１、同８７２（以上、油化シェルエポキシ（株）製、商品名）、ＥＤ－５６６１、ＥＤ－５６６２（以上、セラニーズコーティング（株）製、商品名）などが挙げられる。
　脂肪族ポリグリシジルエーテルとしては、例えば、デナコールＥＸ－６１１、同ＥＸ－６１２、同ＥＸ－６１４、同ＥＸ－６２２、同ＥＸ－４１１、同ＥＸ－５１２、同ＥＸ－５２２、同ＥＸ－４２１、同ＥＸ－３１３、同ＥＸ－３１４、同ＥＸ－３２１（ナガセケムテックス（株）製、商品名）などが挙げられる。
　上記少なくとも二つのエポキシ基を有する化合物の含有量は、前記ポリマー１００質量部に対して例えば５～７０質量部であり、または、１０～６０質量部であり、好ましくは１５～４５質量部である。少なくとも二つのエポキシ基を有する化合物の含有量は、コーティング膜の硬化度、及び接着剤層とのインターミキシング防止の観点から、ポリマー１００質量部に対して５質量部以上が好ましく、除去液に対する溶解性の観点から、ポリマー１００質量部に対して７０質量部以下が好ましい。
＜添加剤＞
　異物除去用コーティング膜形成組成物は、添加剤として、吸光性化合物、界面活性剤、接着補助剤、レオロジー調整剤、シリカ粒子を含有することができる。
　吸光性化合物としては使用する露光波長に吸収をもつ化合物であれば特に限定されるものではない。アントラセン環、ナフタレン環、ベンゼン環、キノリン環、トリアジン環等の芳香環構造を有する化合物が好ましく使用される。また、異物除去用コーティング膜の除去液への溶解性を阻害しないという観点から、フェノール性ヒドロキシ基、カルボキシル基又はスルホン酸基を有する化合物が好ましく使用される。
　波長２４８ｎｍの光に対して大きな吸収をもつ吸光性化合物としては、例えば、１－ナフタレンカルボン酸、２－ナフタレンカルボン酸、１－ナフトール、２－ナフトール、１－アミノナフタレン、１－ヒドロキシ－２－ナフタレンカルボン酸、３－ヒドロキシ－２－ナフタレンカルボン酸、３，７－ジヒドロキシ－２－ナフタレンカルボン酸、６－ブロモ－２－ヒドロキシナフタレン、１，２－ナフタレンジカルボン酸、１，３－ナフタレンジカルボン酸、１，４－ナフタレンジカルボン酸、１，５－ナフタレンジカルボン酸、１，６－ナフタレンジカルボン酸、１，７－ナフタレンジカルボン酸、１，８－ナフタレンジカルボン酸、２，３－ナフタレンジカルボン酸、２，６－ナフタレンジカルボン酸、１，２－ジヒドロキシナフタレン、１，３－ジヒドロキシナフタレン、１，４－ジヒドロキシナフタレン、１，５－ジヒドロキシナフタレン、１，６－ジヒドロキシナフタレン、１，７－ジヒドロキシナフタレン、１，８－ジヒドロキシナフタレン、２，３－ジヒドロキシナフタレン、２，６－ジヒドロキシナフタレン、２，７－ジヒドロキシナフタレン、６－ヒドロキシ－１－ナフタレンカルボン酸、１－ヒドロキシ－２－ナフタレンカルボン酸、３－ヒドロキシ－２－ナフタレンカルボン酸、６－ヒドロキシ－２－ナフタレンカルボン酸、１－ブロモ－２－ヒドロキシ－３－ナフタレンカルボン酸、１－ブロモ－４－ヒドロキシ－３－ナフタレンカルボン酸、１，６－ジブロモ－２－ヒドロキシ－３－ナフタレンカルボン酸、３－ヒドロキシ－７－メトキシ－２－ナフタレンカルボン酸、１－アミノ－２－ナフトール、１，５－ジメルカプトナフタレン、１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸、３，５－ジヒドロキシ－２－ナフタレンカルボン酸、１，４－ジヒドロキシ－２－ナフタレンカルボン酸、２－エトキシ－１－ナフタレンカルボン酸、２，６－ジクロロ－１－ナフトール、２－ヒドロキシ－３－ナフタレンカルボン酸メチルエステル、６－ヒドロキシ－２－ナフタレンカルボン酸メチルエステル、３－ヒドロキシ－７－メトキシ－２－ナフタレンカルボン酸メチルエステル、３，７－ジヒドロキシ－２－ナフタレンカルボン酸メチルエステル、２，４－ジブロモ－１－ナフトール、１－ブロモ－２－ナフトール、２－ナフタレンチオール、４－メトキシ－１－ナフトール、６－アセトキシ－２－ナフタレンカルボン酸、１，６－ジブロモ－１－ナフトール、２，６－ジブロモ－１，５－ジヒドロキシナフタレン、１－アセチル－２－ナフトール、９－アントラセンカルボン酸、１，４，９，１０－テトラヒドロキシアントラセン、１，８，９－トリヒドロキシアントラセン等を挙げることができる。
　また、波長１９３ｎｍの光に対して大きな吸収をもつ吸光性化合物としては、例えば、安息香酸、４－メチル安息香酸、ｏ－フタル酸、ｍ－フタル酸、ｐ－フタル酸、２－メトキシ安息香酸、イソフタル酸、テレフタル酸、２－ヒドロキシ安息香酸、３－ヒドロキシ安息香酸、４－ヒドロキシ安息香酸、２－アセトキシ安息香酸、２－アミノ安息香酸、３－アミノ安息香酸、４－アミノ安息香酸、トリメシン酸、１，４－ベンゼンジカルボン酸、２，３－ジメトキシ安息香酸、２，４－ジメトキシ安息香酸、２，５－ジメトキシ安息香酸、２，４－ジヒドロキシ安息香酸、２，６－ジヒドロキシ安息香酸、３，４－ジヒドロキシ安息香酸、３，５－ジヒドロキシ安息香酸、４－アセチル安息香酸、ピロメリット酸、トリメシン酸無水物、２－ｓ［ビス－（４－ヒドロキシフェニル）－メチル］安息香酸、３，４，５－トリヒドロキシ安息香酸、２－ベンゾフェノンカルボン酸、ｍ－フェニル安息香酸、３－（４’－ヒドロキシフェノキシ）安息香酸、３－フェノキシ安息香酸、フェノール、１，４－ジヒドロキシベンゼン、１，３－ジヒドロキシベンゼン、１，２－ジヒドロキシベンゼン、２－メチルフェノール、３－メチルフェノール、４－メチフェノール、１，３，５－トリヒドロキシベンゼン、２，２－ビス－４－ヒドロキシフェニルプロパン、２－ヒドロキシビフェニル、２－アミノフェノール、３－アミノフェノール、４－アミノフェノール、及び４－ベンジルオキシフェノール等が挙げられる。
また、これらの吸光性化合物は異物除去用コーティング膜形成のための焼成時の昇華を抑えるために、ポリマーや１つ以上の反応性基をもつ化合物と反応させて用いることができる。
　例えば、カルボキシル基やフェノール性ヒドロキシ基を有する吸光性化合物の場合、トリス（２，３－エポキシプロピル）イソシアヌレート、１，４－ブタンジオールジグリシジルエーテル、１，２－エポキシ－４－（エポキシエチル）シクロヘキサン、グリセロールトリグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、２，６－ジグリシジルフェニルグリシジルエーテル、１，１，３－トリス（ｐ－（２，３－エポキシプロポキシ）フェニル）プロパン、１，２－シクロヘキサンジカルボン酸ジグリシジルエステル、４，４’－メチレンビス（Ｎ，Ｎ－ジグリシジルアニリン）、３，４－エポキシシクロヘキシルメチル－３，４－エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、トリメチロールエタントリグリシジルエーテル、ビスフェノール－Ａ－ジグリシジルエーテル、及びペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル等の多官能エポキシ化合物やグリシジルメタクリレート等のエポキシ基を有する構造を含むポリマーと反応させて得た化合物を使用することができる。
　上記の吸光性化合物は単独または２種以上の組合せで使用することができる。吸光性化合物が使用される場合、その含有量としては、ポリマー１００質量部に対して、例えば１～３００質量部であり、または１～２００質量部であり、また、例えば１～１００質量部であり、または、５～１００質量部である。吸光性化合物の含有量がポリマー１００質量部に対して３００質量部以下であると、異物除去用コーティング膜の除去液への溶解性に優れたり、異物除去用コーティング膜が接着剤層とインターミキシングを起こしにくくなる。
　異物除去用コーティング膜形成組成物は酸発生剤を含むことができる。酸発生剤としては、２，４，４，６－テトラブロモシクロヘキサジエノン、ベンゾイントシレート、２－ニトロベンジルトシレート、その他有機スルホン酸アルキルエステル等の熱酸発生剤、ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、フェニル－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、ベンゾイントシレート、及びＮ－ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホネート等の光酸発生剤を挙げることができる。酸発生剤の添加量としては異物除去用コーティング膜形成組成物の固形分中、例えば、１０質量％以下、好ましくは３質量％以下の量で必要に応じて用いられる。
　異物除去用コーティング膜形成組成物には、除去液への溶解速度を促進させる目的で多価フェノール化合物やカルボキシル基含有化合物を添加することができる。そのような化合物は特に限定されるものではないが、例えば、トリス－ヒドロキシフェニルエタン、ビスフェノール－Ａ、ビスフェノール－Ｓ、４，４’－イソプロピリデン－ジ－ｏ－クレゾール、５－ｔｅｒｔ－ブチルピロガロール、ヘキサフルオロビスフェノール－Ａ、３，３，３’，３’－テトラメチル－１、１’－スピロビスインダン－５，５’，６，６’－テトロール、４，４’－（９－フルオレニリデン）ジフェノール、ビスフェノール－ＡＰ、ビスフェノール－Ｐ、５－α，α－ジメチル－４－ヒドロキシベンジルサリチル酸、α，α，α’－トリス（４－ヒドロキシフェニル）－１－エチル－４－イソプロピルベンゼン、５，５’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－２，２’，４，４’－テトラヒドロキシベンゾフェノン等の多価フェノール類、ピロメリット酸、フタル酸、トリメリック酸、４－スルフォフタル酸、ベンゼンヘキサカルボン酸、２，３－ナフタレンジカルボン酸、４－ヒドロキシフタル酸、３，４－ジヒドロキシフタル酸、４，５－ジヒドロキシフタル酸、３，３’－，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸、３，３’－、４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸、３，３’－、４，４’－ジフェニルエーテルテトラカルボン酸、３，３’－、４，４’－ジフェニルスルホンテトラカルボン酸、１，２，３，４－シクロブタンテトラカルボン酸、１，２－ジメチル－１，２，３，４－シクロブタンテトラカルボン酸、１，２，３，４－テトラメチル－１，２，３，４－シクロブタンテトラカルボン酸、１，２，３，４－シクロペンタンテトラカルボン酸、１，２，３，４－シクロヘキサンテトラカルボン酸、３，４－ジカルボキシ－１，２，３，４－テトラヒドロ－１－ナフタレンコハク酸等の多価カルボン酸、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアミック酸、ポリ無水マレイン酸等のカルボン酸またはカルボン酸無水物含有ポリマー等が挙げられる。上記の化合物の添加量としては異物除去用コーティング膜形成組成物の固形分中、例えば、２０質量％以下、好ましくは１０質量％以下の量で必要に応じて用いられる。
　異物除去用コーティング膜形成組成物には、また、除去液への溶解速度を調整する目的で、ｔｅｒｔ－ブチル基、テトラヒドロピラニル基、１－エトキシエチル基及びトリメチルシリル基等の酸の存在下で容易に分解される基で保護されたカルボキシル基又はフェノール性ヒドロキシ基を有する化合物を添加することができる。
　そのような化合物としては、例えばジ－ｔｅｒｔ－ブチルマロネート、ｔｅｒｔ－ブチルアセテート、ｔｅｒｔ－ブチルプロピオネート、ｔｅｒｔ－ブチルアセトアセテート、ｔｅｒｔ－アミルアセテート、安息香酸－ｔｅｒｔ－ブチルエステル及びｔｅｒｔ－ブチルピバレート等の化合物が挙げられる。
　これらの化合物は、酸の存在下で容易にカルボキシル基又はフェノール性ヒドロキシ基を生成し、アルカリ性の除去液に対する溶解性の高まった化合物を与えることができる。
　そのため、これらの化合物は光酸発生剤と共に異物除去用コーティング膜形成組成物に添加されることが好ましい。すなわち、上記の酸の存在下で容易に分解される基で保護されたカルボキシル基又はフェノール性ヒドロキシ基を有する化合物と光酸発生剤とを含む異物除去用コーティング膜形成組成物から形成された異物除去用コーティング膜にあっては、その露光された部分では露光によって光酸発生剤から発生した酸によって、酸の存在下で容易に分解される基で保護されたカルボキシル基又はフェノール性ヒドロキシ基を有する化合物のカルボキシル基又はフェノール性ヒドロキシ基が再生し、その結果、露光された部分の異物除去用コーティング膜のアルカリ性除去液に対する溶解性が高まることとなる。
　上記の酸の存在下で容易に分解される基で保護されたカルボキシル基又はフェノール性ヒドロキシ基を有する化合物が使用される場合、その含有量としては、ポリマー１００質量部に対して、例えば５０～１質量部であり、または３０～５質量部であり、また、例えば２０～１０質量部である。酸の存在下で容易に分解される基で保護されたカルボキシル基又はフェノール性ヒドロキシ基を有する化合物と共に光酸発生剤が使用される場合、その含有量は、酸の存在下で容易に分解される基で保護されたカルボキシル基又はフェノール性ヒドロキシ基を有する化合物１００質量部に対して、例えば０．１～３０質量部であり、または０．５～２０質量部であり、また、例えば１～１０質量部である。
　異物除去用コーティング膜形成組成物は界面活性剤を含むことができる。界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトツプＥＦ３０１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５２（（株）トーケムプロダクツ製、商品名）、メガファックＦ１７１、Ｆ１７３（ＤＩＣ（株）製、商品名）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製、商品名）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ－３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６（ＡＧＣ（株）製、商品名）等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製、商品名）等を挙げることができる。これらの界面活性剤の配合量は、異物除去用コーティング膜形成組成物の全成分中、通常０．２質量％以下、好ましくは０．１質量％以下である。これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また２種以上の組合せで添加することもできる。
　異物除去用コーティング膜形成組成物はシリカ粒子を含むことができる。シリカ粒子としては、例えば、所定の平均粒子径の値を有するシリコーンパウダーや、所定の平均粒子径の値を有するシリカを含むシリカゾル等を挙げることができる。
　シリコーンパウダーの具体例としては、信越化学工業（株）製　シリコーンパウダー　ＫＭＰシリーズ　ＫＭＰ－６００、ＫＭＰ－６０１、ＫＭＰ－６０２、ＫＭＰ－６０５、Ｘ－５２－７０３０等が挙げられるが、これらに限定されない。
　コロイダルシリカ（シリカゾル）の具体例としては、日産化学（株）製　ＭＡ－ＳＴ－Ｓ（メタノール分散シリカゾル）、ＭＴ－ＳＴ（メタノール分散シリカゾル）、ＭＡ－ＳＴ－ＵＰ（メタノール分散シリカゾル）、商品名ＭＡ－ＳＴ－Ｍ（メタノール分散シリカゾル）、ＭＡ－ＳＴ－Ｌ（メタノール分散シリカゾル）、ＩＰＡ－ＳＴ－Ｓ（イソプロパノール分散シリカゾル）、ＩＰＡ－ＳＴ（イソプロパノール分散シリカゾル）、ＩＰＡ－ＳＴ－ＵＰ（イソプロパノール分散シリカゾル）、ＩＰＡ－ＳＴ－Ｌ（イソプロパノール分散シリカゾル）、ＩＰＡ－ＳＴ－ＺＬ（イソプロパノール分散シリカゾル）、ＮＰＣ－ＳＴ－３０（ｎ－プロピルセロソルブ分散シリカゾル）、ＰＧＭ－ＳＴ（１－メトキシ－２－プロパノール分散シリカゾル）、ＤＭＡＣ－ＳＴ（ジメチルアセトアミド分散シリカゾル）、ＸＢＡ－ＳＴ（キシレン・ｎ－ブタノール混合溶媒分散シリカゾル）、商品名ＥＡＣ－ＳＴ（酢酸エチル分散シリカゾル）、ＰＭＡ－ＳＴ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート分散シリカゾル）、ＭＥＫ－ＳＴ（メチルエチルケトン分散シリカゾル）、ＭＥＫ－ＳＴ－ＵＰ（メチルエチルケトン分散シリカゾル）、ＭＥＫ－ＳＴ－Ｌ（メチルエチルケトン分散シリカゾル）、ＭＩＢＫ－ＳＴ（メチルイソブチルケトン分散シリカゾル）等を挙げることができるが、これらに限定されない。
（異物除去用コーティング膜）
　本発明の異物除去用コーティング膜は、本発明の異物除去用コーティング膜形成組成物から形成される。
　本発明の異物除去用コーティング膜は、窒素雰囲気下、２５０℃で１０分間加熱したときの膜厚の減少が５％以下であることが好ましい。
　本発明の異物除去用コーティング膜は、例えば、以下の様にして形成することができる。
　半導体基板の上に、スピナー、コーター、浸漬等の適当な塗布方法により本発明の異物除去用コーティング膜形成組成物が塗布され、その後、焼成することにより異物除去用コーティング膜が形成される。焼成する条件としては、焼成温度８０℃～３００℃、焼成時間０．３～６０分間の中から適宜、選択される。
　異物除去用コーティング膜の膜厚は、通常５ｎｍ～１μｍであり、好ましくは１０ｎｍ～５００ｎｍであり、最も好ましくは１５ｎｍ～３００ｎｍである。
　形成される異物除去用コーティング膜の除去液に対する溶解速度としては、膜厚の減少速度として、例えば、毎秒０．１ｎｍ～５０ｎｍであり、好ましくは毎秒０．２ｎｍ～４０ｎｍであり、より好ましくは０．３～２０ｎｍである。溶解速度がこれより小さい場合には、異物除去用コーティング膜の除去に必要な時間が長くなり、生産性の低下をもたらすこととなる。
　本発明の異物除去用コーティング膜形成組成物から形成される異物除去用コーティング膜は、形成時の焼成条件を変えることによって、異物除去用コーティング膜の除去液に対する溶解速度をコントロールすることができるものである。一定の焼成時間の場合、焼成温度を高くするほど、除去液に対する溶解速度の小さな異物除去用コーティング膜を形成することができるものである。
　異物除去用コーティング膜に対しては、該膜形成後、露光を行ってもよい。露光は、ウエハーに対して全面露光でもよいし、所定パターンを有するマスクを通じてでもよい。露光には、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）及びＦ２エキシマレーザー（波長１５７ｎｍ）等を使用することができる。露光後、必要に応じて露光後加熱（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ　Ｅｘｐｏｓｕｒｅ　Ｂａｋｅ）を行なうこともできる。
（半導体基板）
　本発明の半導体基板は、その上に本発明の異物除去用コーティング膜を有する。
　半導体基板全体を構成する主な材質としては、この種の用途に用いられるものであれば特に限定されないが、例えば、シリコン、シリコンカーバイド、化合物半導体などが挙げられる。
　半導体基板の形状は、特に限定されないが、例えば、円盤状である。なお、円盤状の半導体基板は、その面の形状が完全な円形である必要はなく、例えば、半導体基板の外周は、オリエンテーション・フラットと呼ばれる直線部を有していてもよいし、ノッチと呼ばれる切込みを有していてもよい。
　円盤状の半導体基板の厚さとしては、半導体基板の使用目的などに応じて適宜定めればよく、特に限定されないが、例えば、５００～１，０００μｍである。
　円盤状の半導体基板の直径としては、半導体基板の使用目的などに応じて適宜定めればよく、特に限定されないが、例えば、１００～１，０００ｍｍである。
　半導体基板は、バンプを有していてもよい。バンプとは、突起状の端子である。
　半導体基板がバンプを有する場合、半導体基板は、支持基材側にバンプを有する。
　半導体基板において、バンプは、通常、回路が形成された面上に形成されている。回路は、単層であってもよし、多層であってもよい。回路の形状としては特に制限されない。
　半導体基板において、バンプを有する面と反対側の面（裏面）は、加工に供される面である。
　半導体基板が有するバンプの材質、大きさ、形状、構造、密度としては、特に限定されない。
　バンプとしては、例えば、ボールバンプ、印刷バンプ、スタッドバンプ、めっきバンプなどが挙げられる。
　通常、バンプ高さ１～２００μｍ程度、バンプ半径１～２００μｍ、バンプピッチ１～５００μｍという条件からバンプの高さ、半径及びピッチは適宜決定される。
　バンプの材質としては、例えば、低融点はんだ、高融点はんだ、スズ、インジウム、金、銀、銅などが挙げられる。バンプは、単一の成分のみで構成されていてもよいし、複数の成分から構成されていてもよい。より具体的には、ＳｎＡｇバンプ、ＳｎＢｉバンプ、Ｓｎバンプ、ＡｕＳｎバンプ等のＳｎを主体とした合金めっき等が挙げられる。
　また、バンプは、これらの成分の少なくともいずれかからなる金属層を含む積層構造を有してもよい。
　半導体基板の一例は、直径３００ｍｍ、厚さ７７０μｍ程度のシリコンウエハーである。
（加工された半導体基板の製造方法）
＜第一の実施形態＞
　本発明の加工された半導体基板の製造方法の第一の実施形態は、第１Ａ工程と、第２Ａ工程と、第３Ａ工程と、第４Ａ工程とを含む。
　第１Ａ工程は、本発明の半導体基板（本発明の異物除去用コーティング膜を有する半導体基板）と支持基材とを、異物除去用コーティング膜を介して貼り合わせて積層体を製造する工程である。
　第２Ａ工程は、積層体を加工する工程である。
　第３Ａ工程は、積層体から支持基材を剥離する工程である。
　第４Ａ工程は、半導体基板又は支持基材を除去液で洗浄して、異物除去用コーティング膜を除去する工程である。
　第一の実施形態では、異物除去用コーティング膜として耐熱性を有する本発明の異物除去用コーティング膜を用いる。そのため、第２Ａ工程において高温の処理が行われた場合でも、異物除去用コーティング膜に異常が生じにくく、基板上に異物が残ることを簡便な方法で防ぐことができる。
＜＜第１Ａ工程＞＞
　第１Ａ工程は、本発明の半導体基板（本発明の異物除去用コーティング膜を有する半導体基板）と支持基材とを、異物除去用コーティング膜を介して貼り合わせて積層体を製造する工程である。
　支持基材としては、積層体（例えば、半導体基板）が加工される際に、半導体基板を支持できる部材であれば、特に限定されないが、例えば、可撓性支持基材、ガラス製支持基材などが挙げられる。
　支持基材の形状としては、特に限定されないが、例えば、円盤状が挙げられる。
　円盤状の支持基材の厚さとしては、半導体基板の大きさなどに応じて適宜定めればよく、特に限定されないが、例えば、５００～１，０００μｍである。
　円盤状の支持基材の直径としては、半導体基板の大きさなどに応じて適宜定めればよく、特に限定されないが、例えば、１００～１，０００ｍｍである。
　支持基材の一例は、直径３００ｍｍ、厚さ７００μｍ程度のガラスウエハーである。
　第１Ａ工程は、好ましくは、半導体基板と支持基材とを、異物除去用コーティング膜及び接着剤層を介して貼り合わせて積層体を製造する工程である。
　接着剤層としては、第３Ａ工程において積層体から支持基材を剥離することができる限り、特に制限されない。
　接着剤層は、公知の接着剤と方法によって形成することができる。接着剤としては例えば国際公開第２０１５／１９０４３８号等に記載の塗布タイプのウエハー仮接着剤、Ｔｈｉｎ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社の仮貼り合わせ材料（日産化学株式会社）、東レ株式会社製の半導体用ウエハー仮貼り材料、ＷａｆｅｒＢＯＮＤ（登録商標）ＣＲ－２００、ＨＴ－１０．１０（ブリューワーサイエンス社製）を用いてもよいし、テープ状接着剤（例えば、バックグラインド用テープ（例えば、３ＭＴＭ仮固定用粘着テープ　ＡＴＴ－４０２５（スリーエム　ジャパン株式会社製）、Ｅシリーズ、Ｐシリーズ、Ｓシリーズ（リンテック株式会社製、商品名）、イクロステープ（登録商標）（三井化学東セロ株式会社製））、ダイシング用テープ（例えば、耐溶剤ダイシングテープ（日東電工株式会社製、商品名）、感温性粘着シート　インテリマー（登録商標）テープ（ニッタ株式会社製）、インテリマー（登録商標）テープ（アンカーテクノ株式会社製）等）を用いてもよい。
　特定のウエハーハンドリングシステム（例えば、Ｚｅｒｏ　Ｎｅｗｔｏｎ（登録商標）（東京応化工業株式会社製）中に適用されるウエハー用接着剤でもよい。
　また、接着剤層としては、粘着剤層、粘着テープ、仮固定材と称されるものを用いてもよい。そのようなものとしては、例えば、国際公開第２０２１／２２５１６３号パンフレットに記載の粘着剤層、国際公開第２０２２／０６５３７６号パンフレットに記載の接着剤層、国際公開第２０２２／０６５３８８号パンフレットに記載の光硬化型接着剤層などが挙げられる。
　例えば、バックグラインドテープは、基材フィルム、粘着剤層、および剥離フィルムから構成される。基材フィルムはエチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）のような軟質な熱可塑性フィルムが以前から用いられてきたが、ウエハーのサポート性を向上させる目的でポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のような剛直な延伸フィルムの使用も試みられている。その後は、更に改良が進み、弾性率の異なる二種類のフィルムの積層設計、例えばＰＥＴとエチレン系共重合体の積層設計や、ポリプロピレン（ＰＰ）とエチレン系共重合体の積層設計が報告されている。
　粘着剤はアクリル系が一般的である。アクリル系粘着剤は、アクリル酸ブチルのようなガラス転移温度の低いモノマーを主原料としたアクリル共重合体と硬化剤とを反応させて架橋させるような設計が知られている。バックグラインドテープはウエハー回路面に貼り付けて使われるので、テープ剥離後の粘着剤由来の汚染が懸念される。そのため、粘着剤が残留しても水で洗浄して除去することを想定して、エマルション系の粘着剤を用いる設計も報告されているが、完全な除去が難しい。このため本願の異物除去用コーティング膜を回路面に形成後、接着層を形成することで、その後の剥離工程時の異物（接着剤層の残渣）を除去液による洗浄にて完全に除去でき、回路等の配線部にも損傷も起こらない。
　接着剤層の厚みとしては、特に制限されないが、例えば、５μｍ～５００μｍであり、１０μｍ～３００μｍが好ましく、２０μｍ～２００μｍが更に好ましく、３０μｍ～１５０μｍが特に好ましい。
　第１Ａ工程を行う前、接着剤層は、異物除去用コーティング膜上に形成されていてもよいし、支持基材上に形成されていてもよいし、半導体基板上に形成されていてもよい。
　接着剤層を用いない場合、支持基材は粘着剤層を有することが好ましい。支持基材は、例えば、可撓性支持体と粘着剤層とを有する。可撓性支持体としては、例えば、ポリイミドフィルムなどが挙げられる。粘着剤層としては、特に制限されず、前述の粘着剤から形成される層などが挙げられる。
　貼り合せは、例えば、加熱及び加圧下で行われる。
　加熱の温度としては、常温（２５℃）以上であれば、特に限定されないが、通常５０℃以上であり、過度の加熱を回避する観点から、通常２２０℃以下であり、ある態様においては、１７０℃以下である。
　荷重は、基板や層の貼り合わせができ、かつ基板や層に損傷を与えない限り特に限定されるものではないが、例えば、０．５～５０ｋＮである。
　また、貼り合せ時の圧力としては、例えば、０．１～２０Ｎ／ｍｍ２が挙げられる。なお、圧力は、荷重を掛ける治具に接する基板の単位面積（ｍｍ２）当たりの力（荷重）を指す。
　減圧度は、基板と層の貼り合わせができ、かつ基板や層に損傷を与えない限り特に限定されるものではないが、例えば、１０～１０，０００Ｐａである。
　接着剤層を用いる場合、第４Ａ工程で異物除去用コーティング膜と共に接着剤層の剥離残渣である異物を除去し、半導体基板に異物が存在しないようにすることを目的として、第１Ａ工程で製造する積層体の層構造は、半導体基板／異物除去用コーティング膜／接着剤層／支持基材であってもよい。
　また、接着剤層を用いる場合、第４Ａ工程で異物除去用コーティング膜と共に接着剤層の剥離残渣である異物を除去し、支持基材に異物が存在しないようにすることを目的として、第１Ａ工程で製造する積層体の層構造は、半導体基板／接着剤層／異物除去用コーティング膜／支持基材であってもよい。この場合、支持基材の再利用が容易になる。
　また、半導体基板及び支持基材に異物が存在しないようにすることなどを目的として、第１Ａ工程で製造する積層体の層構造は、半導体基板／異物除去用コーティング膜／接着剤層／異物除去用コーティング膜／支持基材であってもよい。
　第１Ａ工程で製造される積層体は、半導体基板と支持基材との間にレーザー剥離層を有していてもよい。積層体がレーザー剥離層を有する場合、第３Ａ工程では、例えば、レーザー剥離層にレーザーを照射することにより、積層体から支持基材を剥離してもよい。レーザーは、例えば、レーザー光の透過性を有する支持基材側からレーザー剥離層に照射される。
　積層体がレーザー剥離層を有する場合、第４Ａ工程で異物除去用コーティング膜と共にレーザー剥離層及び接着剤層の剥離残渣である異物を除去し、半導体基板に異物が存在しないようにすることを目的として、第１Ａ工程で製造する積層体の層構造は、例えば、半導体基板／異物除去用コーティング膜／レーザー剥離層／接着剤層／支持基材であってもよい。
　積層体がレーザー剥離層を有する場合、第４Ａ工程で異物除去用コーティング膜と共にレーザー剥離層及び接着剤層の剥離残渣である異物を除去し、支持基材に異物が存在しないようにすることを目的として、第１Ａ工程で製造する積層体の層構造は、例えば、半導体基板／接着剤層／レーザー剥離層／異物除去用コーティング膜／支持基材であってもよい。この場合、支持基材の再利用が容易になる。
　また、レーザー剥離層にレーザーを照射することにより、積層体から支持基材を剥離した後に、接着剤層の上にレーザー剥離層の剥離残渣が残っていると、半導体基板又は支持基材にレーザー剥離層に由来する異物が再付着したり、接着剤層の洗浄時間が長くなる場合がある。これらを防ぐため、接着剤層上のレーザー剥離層の残渣除去を目的として、第１Ａ工程で製造される積層体の層構造は、半導体基板／接着剤層／異物除去用コーティング膜／レーザー剥離層／支持基材、又は、半導体基板／レーザー剥離層／異物除去用コーティング膜／接着剤層／支持基材であってもよい。
＜＜第２Ａ工程＞＞
　第２Ａ工程は、積層体を加工する工程である。
　第２Ａ工程における加工としては、特に制限されないが、例えば、半導体基板の研磨処理、半導体基板の貫通電極形成処理、半導体基板と第２の半導体基板との接続処理などが挙げられる。第２Ａ工程における加工は、これらの処理の１つを含んでいてもよいし、２つ以上を含んでいてもよい。
＜＜研磨処理＞＞
　半導体基板の研磨処理としては、例えば、半導体基板の異物除去用コーティング膜側の面と反対側の面を研磨し、半導体基板を薄くする処理であれば、特に限定されないが、例えば、研磨剤や砥石を用いた物理的研磨などが挙げられる。
　研磨処理は、半導体基板（例えば、シリコンウエハー）の研磨に使用されている一般的な研磨装置を用いて行うことができる。
　研磨処理によって、半導体基板の厚さが減り、所望の厚さに薄化した半導体基板が得られる。薄化した半導体基板の厚みとしては、特に限定されないが、例えば、３０～３００μｍであってもよいし、３０～１００μｍであってもよい。
＜＜貫通電極形成処理＞＞
　例えば、研磨された半導体基板には、複数の薄化された半導体基板を積層した際に薄化された半導体基板間の導通を実現するための貫通電極が形成される場合がある。
　そのため、研磨処理の後であって剥離工程の前に、研磨された半導体基板に貫通電極が形成される貫通電極形成処理を含んでいてもよい。
　半導体基板に貫通電極を形成する方法としては、特に限定されないが、例えば、貫通孔を形成し、形成された貫通孔に導電性材料を充填することなどが挙げられる。
　貫通孔の形成は、例えば、フォトリソグラフィーによって行われる。
　貫通孔への導電性材料の充填は、例えば、めっき技術によって行われる。
　なお、第２Ａ工程では、研磨処理を行わず、貫通電極形成処理が行われてもよい。
＜＜接続処理＞＞
　接続処理は、例えば、半導体基板と第２の半導体基板とを接続する処理である。
　第２の半導体基板としては、特に制限されず、例えば、前述の半導体基板の説明で挙げたものなどが挙げられる。
　接続処理は、例えば、加熱下で行われる。また、接続処理は、例えば、加圧下で行われる。
　加熱温度としては、特に制限されないが、例えば、１００℃～３５０℃が挙げられる。
　接続処理では、例えば、半導体基板の配線と、第２の半導体基板の配線とが電気的に接続される。そのような接続は、例えば、配線の端部同士を接続することで行われる。
　半導体基板における配線の材質、形状、構造としては、特に制限されない。
　第２の半導体基板における配線の材質、形状、構造としては、特に制限されない。
＜第３Ａ工程＞
　第３Ａ工程は、積層体から支持基材を剥離する工程である。第３Ａ工程は半導体基板と支持基材とが分離される工程ということができる。
　剥離の方法としては、例えば、溶剤剥離、光照射による剥離（レーザー光、非レーザー光）、鋭部を有する機材（いわゆるディボンダー）による機械的な剥離、半導体基板と支持基材との間でマニュアルで引きはがす剥離等が挙げられるが、これらに限定されない。
　特に、積層体が接着剤層を含む場合であって、接着剤層が光を吸収して剥離能向上に必要な変質が生じる有機樹脂を用いて形成された接着剤層である場合には、例えば、支持基材側からレーザーを照射することにより接着剤層を剥がすことができる。
　レーザー光の照射は、例えば、１９０ｎｍ～４００ｎｍ、又は１９０ｎｍ～６００ｎｍの波長（例えば、３０８ｎｍ、３５５ｎｍ、５３２ｎｍ）の紫外光を用いて行われる。
　剥離は、パルスレーザーの加工エネルギー密度を５０～５００ｍＪ／ｃｍ２程度とすることで行うことができる。
　積層体が接着剤層を含む場合、通常、接着剤層内部又は接着剤層と隣接する基板若しくは層（例えば異物除去用コーティング膜）との界面で剥離が起こる。接着剤層内部で剥離が起こるとは、接着剤層が開裂することを意味する。
＜第４Ａ工程＞
　第４Ａ工程は、半導体基板又は支持基材を除去液で洗浄して、異物除去用コーティング膜を除去する工程である。
　支持基材から剥離された半導体基板上には、例えば、異物除去用コーティング膜が残っている。そこで、その異物除去用コーティング膜を除去液で除去する。
　第４Ａ工程では、例えば、異物除去用コーティング膜とともに異物を除去する。
　第４Ａ工程では、例えば、異物除去用コーティング膜と共に、接着剤層の剥離残渣である異物を除去する。
　除去液としては、例えば、本発明の異物除去用コーティング膜形成組成物の説明で挙げた除去液が挙げられる。
　洗浄方法としては、特に制限されないが、異物除去用コーティング膜が残っている半導体基板を除去液に浸漬する方法、異物除去用コーティング膜が残っている半導体基板に除去液を吹き付ける方法などが挙げられる。
　洗浄の条件としては、特に制限されないが、例えば、洗浄液の温度は５℃～５０℃である。また、洗浄時間は２～５００秒、あるいは３～４００秒から適宜選択される。
　例えば、異物除去用コーティング膜は、汎用されている２．３８質量％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて室温（例えば２５℃）で容易に剥離を行なうことができることが好ましい。
＜第二の実施形態＞
　本発明の加工された半導体基板の製造方法の第二の実施形態は、第１Ｂ工程と、第２Ｂ工程と、第３Ｂ工程と、第４Ｂ工程とを含む。
　第１Ｂ工程は、半導体基板と支持基材とを、異物除去用コーティング膜及び接着剤層を介して貼り合わせて積層体を製造する工程である。
　第２Ｂ工程は、積層体を加工する工程である。
　第３Ｂ工程は、積層体から支持基材を剥離する工程である。
　第４Ｂ工程は、半導体基板又は支持基材を除去液で洗浄して、異物除去用コーティング膜を除去する工程である。
　加工は、半導体基板と第２の半導体基板とを接続することを含む。
　第二の実施形態では、異物除去用コーティング膜を用いることで、半導体基板を支持基材で支持しつつ、半導体基板と第２の半導体基板とを接続する場合でも、接着剤層の剥離残渣が半導体基板上に残ることを防ぐことができる。
＜＜第１Ｂ工程＞＞
　第１Ｂ工程は、半導体基板と支持基材とを、異物除去用コーティング膜及び接着剤層を介して貼り合わせて積層体を製造する工程である。
　半導体基板としては、例えば、本発明の半導体基板の説明において例示したものが挙げられる。
　支持基材としては、例えば、第１Ａ工程の説明において例示した支持基材が挙げられる。
　第二の実施形態に用いられる異物除去用コーティング膜は、接着剤層の剥離残渣を除去できる膜であれば、本発明の異物除去用コーティング膜に限られず、種々のコーティング膜を用いることができる。
　そのようなコーティング膜としては、例えば、国際公開第２０１８－１５９６６５号パンフレットに記載のコーティング膜、国際公開第２０２２－０１９２８７号パンフレットに記載のコーティング膜などが挙げられる。
　異物除去用コーティング膜の膜厚は、通常５ｎｍ～１μｍであり、好ましくは１０ｎｍ～５００ｎｍであり、最も好ましくは１５ｎｍ～３００ｎｍである。
　異物除去用コーティング膜は、半導体基板上に形成されていることが好ましい。
　半導体基板上に異物除去用コーティング膜を形成する方法としては、特に制限されないが、例えば、異物除去用コーティング膜を形成するための組成物を、半導体基板の上に、スピナー、コーター、浸漬等の適当な塗布方法により塗布し、その後、焼成する方法が挙げられる。
　接着剤層としては、第３Ｂ工程において積層体から支持基材を剥離することができる限り、特に制限されない。
　接着剤層としては、例えば、第１Ａ工程において例示した接着剤層が挙げられる。
　第１Ｂ工程を行う前、接着剤層は、異物除去用コーティング膜上に形成されていてもよいし、支持基材上に形成されていてもよいし、半導体基板上に形成されていてもよい。
　接着剤層を用いる場合、第４Ｂ工程で異物除去用コーティング膜と共に接着剤層の剥離残渣である異物を除去し、半導体基板に異物が存在しないようにすることを目的として、第１Ｂ工程で製造する積層体の層構造は、半導体基板／異物除去用コーティング膜／接着剤層／支持基材であってもよい。
　また、接着剤層を用いる場合、第４Ｂ工程で異物除去用コーティング膜と共に接着剤層の剥離残渣である異物を除去し、支持基材に異物が存在しないようにすることを目的として、第１Ｂ工程で製造する積層体の層構造は、半導体基板／接着剤層／異物除去用コーティング膜／支持基材であってもよい。この場合、支持基材の再利用が容易になる。
　また、半導体基板及び支持基材に異物が存在しないようにすることなどを目的として、第１Ｂ工程で製造する積層体の層構造は、半導体基板／異物除去用コーティング膜／接着剤層／異物除去用コーティング膜／支持基材であってもよい。
　第１Ｂ工程で製造される積層体は、半導体基板と支持基材との間にレーザー剥離層を有していてもよい。積層体がレーザー剥離層を有する場合、第３Ｂ工程では、例えば、レーザー剥離層にレーザーを照射することにより、積層体から支持基材を剥離してもよい。レーザーは、例えば、レーザー光の透過性を有する支持基材側からレーザー剥離層に照射される。
　積層体がレーザー剥離層を有する場合、第４Ｂ工程で異物除去用コーティング膜と共にレーザー剥離層及び接着剤層の剥離残渣である異物を除去し、半導体基板に異物が存在しないようにすることを目的として、第１Ｂ工程で製造する積層体の層構造は、例えば、半導体基板／異物除去用コーティング膜／レーザー剥離層／接着剤層／支持基材であってもよい。
　積層体がレーザー剥離層を有する場合、第４Ｂ工程で異物除去用コーティング膜と共にレーザー剥離層及び接着剤層の剥離残渣である異物を除去し、支持基材に異物が存在しないようにすることを目的として、第１Ｂ工程で製造する積層体の層構造は、例えば、半導体基板／接着剤層／レーザー剥離層／異物除去用コーティング膜／支持基材であってもよい。この場合、支持基材の再利用が容易になる。
　また、レーザー剥離層にレーザーを照射することにより、積層体から支持基材を剥離した後に、接着剤層の上にレーザー剥離層の剥離残渣が残っていると、半導体基板又は支持基材にレーザー剥離層に由来する異物が再付着したり、接着剤層の洗浄時間が長くなる場合がある。これらを防ぐため、接着剤層上のレーザー剥離層の残渣除去を目的として、第１Ｂ工程で製造される積層体の層構造は、半導体基板／接着剤層／異物除去用コーティング膜／レーザー剥離層／支持基材、又は、半導体基板／レーザー剥離層／異物除去用コーティング膜／接着剤層／支持基材であってもよい。
＜＜第２Ｂ工程＞＞
　第２Ｂ工程は、積層体を加工する工程である。
　第２Ｂ工程は、積層体の加工として、半導体基板と第２の半導体基板との接続処理を含む。即ち、加工は、半導体基板と第２の半導体基板とを接続することを含む。
　第２の半導体基板としては、特に制限されず、例えば、前述の半導体基板の説明で挙げたものなどが挙げられる。
　第２Ｂ工程は、その他の処理として、研磨処理、貫通電極形成処理などを含んでいてもよい。
　接続処理としては、例えば、第２Ａ工程において説明した接続処理が挙げられる。
　研磨処理としては、例えば、第２Ａ工程において説明した研磨処理が挙げられる。
　貫通電極形成処理としては、例えば、第２Ａ工程において説明した貫通電極形成処理が挙げられる。
　接続処理では、例えば、半導体基板の配線と、第２の半導体基板の配線とが電気的に接続される。そのような接続は、例えば、配線の端部同士を接続することで行われる。
　半導体基板における配線の材質、形状、構造としては、特に制限されない。
　第２の半導体基板における配線の材質、形状、構造としては、特に制限されない。
＜＜第３Ｂ工程＞＞
　第３Ｂ工程は、積層体から支持基材を剥離する工程である。第３Ｂ工程は半導体基板と支持基材とが分離される工程ということができる。
　第３Ｂ工程の具体例としては、例えば、第３Ａ工程において例示した具体例が挙げられる。
＜＜第４Ｂ工程＞＞
　第４Ｂ工程は、半導体基板又は支持基材を除去液で洗浄して、異物除去用コーティング膜を除去する工程である。
　第４Ｂ工程の具体例としては、例えば、第４Ａ工程において例示した具体例が挙げられる。
　支持基材から剥離された半導体基板上には、例えば、異物除去用コーティング膜が残っている。そこで、その異物除去用コーティング膜を除去液で除去する。
　第４Ｂ工程では、例えば、異物除去用コーティング膜と共に、接着剤層の剥離残渣である異物を除去する。
　除去液としては、例えば、本発明の異物除去用コーティング膜形成組成物の説明で挙げた除去液が挙げられる。
　洗浄方法としては、特に制限されないが、異物除去用コーティング膜が残っている半導体基板を除去液に浸漬する方法、異物除去用コーティング膜が残っている半導体基板に除去液を吹き付ける方法などが挙げられる。
　洗浄の条件としては、特に制限されないが、例えば、洗浄液の温度は５℃～５０℃である。また、洗浄時間は２～５００秒、あるいは３～４００秒から適宜選択される。
　例えば、異物除去用コーティング膜は、汎用されている２．３８質量％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて室温（例えば２５℃）で容易に剥離を行なうことができることが好ましい。
　以下に、第二の実施形態の一例を図を用いて説明する。
　まず、半導体基板１１を用意する（図１Ａ）。
　次に、半導体基板１１上に、異物除去用コーティング膜１２を形成する（図１Ｂ）。
　次に、図１Ｂに示す、異物除去用コーティング膜１２を備える半導体基板１１と、可撓性支持体１４Ａ及び粘着剤層１４Ｂを有する支持基材１４とを、異物除去用コーティング膜１２と粘着剤層１４Ｂとが向かい合うように配置して、貼り合せる（図１Ｃ）。
　次に、半導体基板１１の異物除去用コーティング膜１２側の面と反対側の面を研磨し、半導体基板１１を薄くする（図１Ｄ）。
　次に、支持基材１４を半導体基板１１から分離する（図１Ｅ及び図１Ｆ）。
　分離後の異物除去コーティング膜１２上には、粘着剤層１４Ｂの剥離残渣１４Ｃが残っている（図１Ｆ）。そこで、異物除去用コーティング膜１２を除去液により除去する（図１Ｇ）。そうすることにより、半導体基板１１上に異物である剥離残渣１４Ｃが残るのを防ぐことができる。
　以下に、第二の実施形態の他の一例を図を用いて説明する。
　まず、配線１Ａを有する半導体基板１を用意する（図２Ａ）。
　次に、半導体基板１上に、異物除去用コーティング膜２を形成する（図２Ｂ）。
　他方で、表面に接着剤層３が形成されたガラス基板４を用意する（図２Ｃ）。
　そして、図２Ｂに示す、異物除去用コーティング膜２を備える半導体基板１と、図２Ｃに示す、接着剤層３を備えるガラス基板４とを、異物除去用コーティング膜２と接着剤層３とが向かい合うように配置して、貼り合せる（図２Ｄ、及び図２Ｅ）。
　次に、半導体基板１の異物除去用コーティング膜２側の面と反対側の面を研磨し、半導体基板１を薄くする（図２Ｆ）。そして、配線１Ａを露出させる。
　次に、図２Ｆに示す積層体と、配線５Ａを有する第２の半導体基板５とを、半導体基板１の異物除去用コーティング膜２側の面と反対側の面と、第２の半導体基板５の配線５Ａが露出している面とが向かい合うように配置して、貼り合せる（図２Ｇ、及び図２Ｈ）。
　次に、接着剤層３及びガラス基板４を半導体基板１から分離する（図２Ｉ）。分離は、例えば、接着剤層３にレーザーを照射して接着剤層３の接着力を低下させることによって、容易に行うことができる。
　分離後の異物除去コーティング膜２上には、接着剤層３の剥離残渣３Ａが残っている（図２Ｉ及び図２Ｊ）。そこで、異物除去用コーティング膜２を除去液により除去する（図２Ｋ）。そうすることにより、半導体基板１上に異物である剥離残渣３Ａが残るのを防ぐことができる。
　本発明の加工された半導体基板の製造方法は、半導体基板同士を接続するハイブリッドボンディングに好適に用いることができる。
＜他の実施形態＞
　本発明の一実施形態は、半導体製造用基板上に既に存在する異物を除去する方法であってよい。例えば、国際公開２０１７／０５６７４６号公報、国際公開２０２０／００８９６５号公報に記載のように、半導体基板の表面に基板処理膜を形成して、この基板表面の異物を除去するプロセスにおいて、基板表面の微小なパーティクルを効率よく除去でき、かつ形成された基板処理膜を基板表面から容易に除去することができる基板処理膜形成用組成物及び基板の処理方法が開示されている。本発明の異物除去用コーティング膜形成組成物も、上記と同様な方法・用途で用いることができる。
　上記の一例について具体的に以下に説明する。本適用例では、半導体基板上にコーティング膜を形成するための組成物として、本発明の異物除去用コーティング膜形成組成物を用いる。まず、コーティング膜形成工程を行う。すなわち、異物除去用コーティング膜形成組成物を半導体基板上に塗工し、コーティング膜を形成する。半導体基板は、未加工状態や、各種膜が形成された状態である、いわゆるベタ基板（平面状）であってもよく、半導体装置製造のために、配線等の形状が加工されたものであってよい。塗工方法としては、例えば、回転塗工（スピンコーティング）、流延塗工、ロール塗工等が挙げられる。次に塗工膜を加熱（ベーク）及び／又は減圧することにより、塗工膜に含まれる溶媒の一部又は全部を効率的に除去することで、塗工膜に含まれる固形分の固化及び／又は硬化を促進させることができる。ここでいう「固化」とは、固体化することを意味し、「硬化」とは、分子同士が連結して分子量が増大すること（たとえば架橋や重合等）を意味する。このようにして、コーティング膜が形成される。この際、例えば、半導体基板の回路に付着したパーティクルは、コーティング膜に取り込まれて回路等から効率的に引き離される。次に、コーティング膜除去工程を行う。すなわち、コーティング膜を溶解させる除去液をコーティング膜上に供給することによって、半導体基板からコーティング膜を全て除去する。この結果、パーティクルは、コーティング膜とともに半導体基板から除去される。
　次に合成例、実施例を挙げ本発明の内容を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
＜分子量の測定＞
　下記合成例１乃至合成例４に示すポリマーの重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、ＧＰＣと略称する）による測定結果である。測定には東ソー株式会社製ＧＰＣ装置を用い、測定条件等は次のとおりである。
　・ＧＰＣカラム：Ｓｈｏｄｅｘ　ＫＦ８０３Ｌ、Ｓｈｏｄｅｘ　ＫＦ８０２、Ｓｈｏｄｅｘ　ＫＦ８０１〔登録商標〕（昭和電工（株））
　・カラム温度：４０℃
　・流量：０．３５ｍｌ／ｍｉｎ
　・溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
　・標準試料：ポリスチレン（東ソー株式会社）
＜合成例１＞
　イソシアヌル酸ジアリル２．１７ｇ、１，４－ビス（ジメチルシリル）ベンゼン２．００ｇ、及びＫａｒｓｔｅｄｔ触媒（Ｐｔとして１％）０．０２ｇにメシチレン４．２ｇを加えた反応フラスコを窒素雰囲気下、１３０℃で１７時間加熱撹拌した。その後、メシチレンを留去し得られた反応生成物のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は６４００であった。反応生成物は、以下の繰り返し単位を有する。
＜合成例２＞
　イソシアヌル酸ジアリル２．５４ｇ、１，４－ビス（ジメチルシリル）ベンゼン１．１６ｇ、１，１，５，５－テトラメチル－３，３－ジフェニルトリシロキサン２．００ｇ、及びＫａｒｓｔｅｄｔ触媒（Ｐｔとして１％）０．０２ｇにメシチレン５．７３ｇを加えた反応フラスコを窒素雰囲気下、１３０℃で１５時間加熱撹拌した。その後、メシチレンを留去し得られた反応生成物のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は４４００であった。反応生成物は、以下の繰り返し単位を有する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000039
＜合成例３＞
　イソシアヌル酸ジアリル２．３６ｇ、１，４－ビス（ジメチルシリル）ベンゼン２．００ｇ、１，３－ジイソプロペニルベンゼン０．１６ｇ、及びＫａｒｓｔｅｄｔ触媒（Ｐｔとして１％）０．０２ｇにメシチレン４．４５ｇを加えた反応フラスコを窒素雰囲気下、１３０℃で１８時間加熱撹拌した。その後、メシチレンを留去し得られた反応生成物のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は５２００であった。反応生成物は、以下の繰り返し単位を有する。
＜合成例４＞
　イソシアヌル酸ジアリル２．３６ｇ、１，４－ビス（ジメチルシリル）ベンゼン２．００ｇ、９，９－ビス（４－アリルオキシフェニル）フルオレン０．４４ｇ、及びＫａｒｓｔｅｄｔ触媒（Ｐｔとして１％）０．０２ｇにメシチレン４．８３ｇを加えた反応フラスコを窒素雰囲気下、１３０℃で２０時間加熱撹拌した。その後、メシチレンを留去し得られた反応生成物のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は３５００であった。反応生成物は、以下の繰り返し単位を有する。
＜実施例１＞
　合成例１で得た反応生成物０．４ｇにＮ－エチル－２－ピロリドン９．６ｇを加えた後、孔径０．２０μｍのＰＴＦＥ製シリンジフィルターを用いて濾過し樹脂組成物溶液を調製した。
＜実施例２＞
　合成例２で得た反応生成物０．４ｇにＮ－エチル－２－ピロリドン９．６ｇを加えた後、孔径０．２０μｍのＰＴＦＥ製シリンジフィルターを用いて濾過し樹脂組成物溶液を調製した。
＜実施例３＞
　合成例３で得た反応生成物０．４ｇにＮ－エチル－２－ピロリドン９．６ｇを加えた後、孔径０．２０μｍのＰＴＦＥ製シリンジフィルターを用いて濾過し樹脂組成物溶液を調製した。
＜実施例４＞
　合成例４で得た反応生成物０．４ｇにＮ－エチル－２－ピロリドン９．６ｇを加えた後、孔径０．２０μｍのＰＴＦＥ製シリンジフィルターを用いて濾過し樹脂組成物溶液を調製した。
＜比較例１＞
　ＷＯ２０１８／１５９６６５の実施例１の異物除去用コーティング膜形成組成物を以下の様に調製し、比較例１の異物除去用コーティング膜形成組成物として用いた。
＜＜ポリアミド酸の合成＞＞
　ピロメリット酸二無水物４．３６ｇ、ジアミノ安息香酸１．１９ｇ、及び２，２－ビス（３－アミノ－４－トルイル）ヘキサフルオロプロパン４．２６ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル５５．６ｇ中６０℃で２５時間反応することによって、ポリアミド酸を含む溶液［Ａ］を得た。
＜＜吸光性化合物の合成＞＞
　３、７－ジヒドロキシ－２－ナフトエ酸１９．０ｇ、トリス（２，３－エポキシプロピル）イソシアヌレート１０ｇ、及びベンジルトリエチルアンモニウムクロリド０．５５２ｇをシクロヘキサノン１１８ｇ中１３０℃で２４時間反応させることで吸光性化合物を含む溶液［ａ］を得た。
＜＜異物除去用コーティング膜形成組成物の調製＞＞
　ポリアミド酸を含む溶液［Ａ］１４．０ｇに吸光性化合物を含む溶液［ａ］４．３８ｇ、トリス（２，３－エポキシプロピル）イソシアヌレート０．６３０ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテル５２．３ｇ、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート６７．５ｇを添加し室温で３０分間攪拌することにより異物除去用コーティング膜形成組成物の溶液［１］を調製した。
〔耐熱試験後のアルカリ溶解試験〕
　実施例１乃至実施例４及び比較例１で調製された樹脂組成物溶液のそれぞれをスピンコーターにてシリコンウエハー上に塗布（スピンコート）した。塗布後のシリコンウエハーをホットプレート上で２０５℃、１分間加熱し、膜厚４０ｎｍの塗膜を形成した。さらに、この塗膜を窒素下で３００℃、３０分間ホットプレート上で高温処理した。次に、塗膜のアルカリ溶解性を確認するため、塗膜形成後のシリコンウエハーを、２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（アルカリ溶剤、ＮＭＤ－３、東京応化工業株式会社製）に１分間浸漬した。アルカリ溶剤に浸漬する前後の塗膜の膜厚を光干渉膜厚計（製品名：ラムダエース　ＶＭ－３２１０、株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス製）で測定した。
　アルカリ溶解性の評価は、以下の計算式から、溶剤浸漬によって除去された塗膜の膜厚減少率（％）を算出、評価した。
　膜厚減少率（％）＝（（Ａ－Ｂ）÷Ａ）×１００
　Ａ：溶剤浸漬前の膜厚
　Ｂ：溶剤浸漬後の膜厚
　結果を表１に示す。なお、膜厚減少率が約９９％以上であれば十分なアルカリ溶解性を有すると言える。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000042
 　上記の結果から、実施例１乃至実施例４の樹脂組成物溶液は耐熱処理後にアルカリ溶剤に溶解することが確認された。また、比較例１と比較して、アルカリ溶剤に対して良好な溶解性を示すと言える。
　１　　　半導体基板
　１Ａ　　配線
　２　　　異物除去用コーティング膜
　３　　　接着剤層
　４　　　ガラス基板
　５　　　第２の半導体基板
　５Ａ　　配線
　１１　　半導体基板
　１２　　異物除去用コーティング膜
　１４　　支持基材
　１４Ａ　可撓性支持体
　１４Ｂ　粘着剤層
　１４Ｃ　剥離残渣

Claims (16)

  1. 　ポリマー及び溶剤を含み、除去液によって除去可能なコーティング膜を形成し得る、異物除去用コーティング膜形成組成物であって、
    　前記ポリマーが、下記式（１）で表される構造を含むポリマーである、組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     ［式（１）中、Ｒ１は、水素原子、アルカリにより脱保護されるイミド基の保護基、又は酸により脱保護されるイミド基の保護基を表し、＊は、結合手を表す。］
  2. 　前記ポリマーが、さらに下記式（２）で表される構造を含む、請求項１に記載の組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     ［式（２）中、Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０の置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいフェニル基、又は置換されていてもよいフェノキシ基を表し、＊は、結合手を表す。］
  3. 　前記ポリマーが、Ｓｉ－Ｈ基を有する化合物と、ヒドロシリル化反応が可能な炭素－炭素不飽和結合を有する化合物とのヒドロシリル化反応によって得られるポリマーである、請求項１に記載の組成物。
  4. 　前記炭素－炭素不飽和結合を有する化合物が、下記式（１Ａ）で表される化合物を含む、請求項３に記載の組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
     ［式（１Ａ）中、Ｒ１は、水素原子、アルカリにより脱保護されるイミド基の保護基、又は酸により脱保護されるイミド基の保護基を表す。
    　Ｒ２は、炭素原子数１～６の２価の基を表す。
    　Ｒ３は、水素原子、アルカリにより脱保護されるイミド基の保護基、酸により脱保護されるイミド基の保護基又は下記式（１Ａ－１）で表される基を表す。
    　Ｒａは、水素原子、又はメチル基を表す。］
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
     ［式（１Ａ－１）中、Ｒ４は、炭素原子数１～６の２価の基を表す。Ｒｂは、水素原子、又はメチル基を表す。＊は、結合手を表す。］
  5. 　前記Ｓｉ－Ｈ基を有する化合物が、下記式（２Ａ）で表される化合物、下記式（２Ｂ）で表される環状シロキサン化合物、及びＳｉ－Ｈ基を有するシルセスキオキサンの少なくともいずれかを含む、請求項３に記載の組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
     ［式（２Ａ）中、Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０の置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいフェニル基、又は置換されていてもよいフェノキシ基を表す。
    　Ｘ１は、単結合、炭素原子数１～１０の有機基、又は下記式（２Ａ－１）で表される基を表す。］
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
     ［式（２Ａ－１）中、Ｒ１３及びＲ１４は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０の置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいフェニル基、又は置換されていてもよいフェノキシ基を表す。ｎは、０～１０の整数を表す。＊は、結合手を表す。］
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
     ［式（２Ｂ）中、Ｒ１５は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０の置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいフェニル基、又は置換されていてもよいフェノキシ基を表す。ｍは、３～６の整数を表す。］
  6. 　前記除去液が、アルカリ性除去液である、請求項１に記載の組成物。
  7. 　前記除去液が、有機溶剤を５０質量％以上含む除去液である、請求項１に記載の組成物。
  8. 　架橋剤及び添加剤の少なくとも一方を含む、請求項１に記載の組成物。
  9. 　請求項１から８のいずれかに記載の組成物から形成された異物除去用コーティング膜。
  10. 　窒素雰囲気下、２５０℃で１０分間加熱したときの膜厚の減少が５％以下である、請求項９に記載の異物除去用コーティング膜。
  11. 　請求項９に記載の異物除去用コーティング膜を有する半導体基板。
  12. 　加工された半導体基板の製造方法であって、
    　請求項１１に記載の半導体基板と支持基材とを、前記異物除去用コーティング膜を介して貼り合わせて積層体を製造する第１Ａ工程と、
    　該積層体を加工する第２Ａ工程と、
    　該積層体から前記支持基材を剥離する第３Ａ工程と、
    　前記半導体基板又は前記支持基材を除去液で洗浄して、前記異物除去用コーティング膜を除去する第４Ａ工程とを含む、加工された半導体基板の製造方法。
  13. 　前記第４Ａ工程で前記異物除去用コーティング膜とともに異物を除去する、請求項１２に記載の加工された半導体基板の製造方法。
  14. 　前記第１Ａ工程が、前記半導体基板と前記支持基材とを、前記異物除去用コーティング膜及び接着剤層を介して貼り合わせて積層体を製造する工程である、請求項１２に記載の加工された半導体基板の製造方法。
  15. 　前記第４Ａ工程で前記異物除去用コーティング膜と共に、前記接着剤層の剥離残渣である異物を除去する、請求項１４に記載の半導体基板の製造法方法。
  16. 　前記加工が、前記半導体基板と第２の半導体基板とを接続することを含む、請求項１２に記載の加工された半導体基板の製造方法。

     
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