JP7267367B2 - 多重信号伝送用可撓性回路基板 - Google Patents

Description

本発明の実施例は、多重信号伝送用可撓性回路基板に関する。

基地局システムはデジタル信号処理を担当するデジタル信号処理部（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｕｎｉｔ；ＤＵ）およびアンテナとデジタル信号処理部間でデジタル信号をＲＦ信号に変換したり、ＲＦ信号をデジタル信号に変換して送受信するＲＦ信号処理部（Ｒａｄｉｏ Ｕｎｉｔ；ＲＵ）を含む。

このようなデジタル信号処理部とＲＦ信号処理部の送受信には同軸ケーブルが使われる。ところが、最近５Ｇ環境では１００個以上の同軸ケーブルが必要となり、同軸ケーブルを配置するための空間が拡大するため小型化の実現に問題点がある。

韓国公開特許第１０－２０１８－００３７９１４号明細書

本発明は前記のような問題点を改善するために考案されたもので、多数の同軸ケーブルの代わりに単一の可撓性回路基板（ＦＰＣＢ、ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）を適用することによって、小型化の実現を解決しようとする。具体的には、同軸ケーブルの代わりに可撓性回路基板に多数の信号伝送ラインを形成して信号の送受信を遂行することができる。

特に本発明は信号の品質を向上させ、大きさおよび面積を最小化しつつ、工程上の不良を最小化できる多重信号伝送用可撓性回路基板を提供することを目的とする。

しかし、このような課題は例示的なものであり、これによって本発明の範囲が限定されるものではない。

本発明の一実施例に係る多重信号伝送用可撓性回路基板は、第１誘電体層と、第１誘電体層の一面に並んで形成された複数の第１側面グラウンドと、前記複数の第１側面グラウンドの間ごとにそれぞれ形成される複数の第１信号ラインと、前記複数の第１側面グラウンドそれぞれに、前記第１側面グラウンドの長さ方向に沿って互いに間隔をおいて形成される複数の貫通ホールを含み、前記第１誘電体層の面のうち、前記第１側面グラウンドが形成される一面の一領域が前記複数の貫通ホールを通じて露出され得る。

一実施例によると、前記複数の第１信号ラインそれぞれは、一つまたは２個以上の信号ラインで形成され得る。

一実施例によると、前記複数の貫通ホールそれぞれは、前記長さ方向に沿って長く形成されたスリットの形状であり得る。

一実施例によると、前記複数の第１側面グラウンドのうち少なくとも一つに形成された前記複数の貫通ホールは、一列で配列され得る。

一実施例によると、任意の第１側面グラウンドに形成される貫通ホールの中心と前記任意の第１側面グラウンドに隣接した他の第１側面グラウンドに形成される貫通ホールの中心は、前記第１側面グラウンドの幅方向に平行な同一の直線上に配置されないこともある。

一実施例によると、前記多重信号伝送用可撓性回路基板は、前記第１誘電体層の底面に形成される複数の第２側面グラウンド、および前記複数の第２側面グラウンドの底面に形成される第２誘電体層をさらに含むことができる。

一実施例によると、前記第２側面グラウンドは、前記第１側面グラウンドが形成された領域の下部に前記長さ方向に沿って形成され、前記第２側面グラウンドの間であり、かつ前記第１信号ラインが形成された領域の下部にはキャビティラインが形成され得る。

一実施例によると、第１誘電体層と、前記第１誘電体層の一面に並んで形成された複数の第１側面グラウンドと、前記複数の第１側面グラウンドの間ごとにそれぞれ形成される複数の第１信号ラインと、前記第１誘電体層の底面に形成される複数の第２側面グラウンド、および前記複数の第２側面グラウンドの底面に形成される第２誘電体層を含み、前記第２側面グラウンドは、前記第１側面グラウンドが形成された領域の下部に形成され、前記第２側面グラウンドの間であり、かつ前記第１信号ラインが形成された領域の下部にはキャビティラインが形成され、前記キャビティラインは前記第１信号ラインの長さ方向と交差する方向を基準として離隔した少なくとも二つのキャビティラインを含むことができる。

一実施例によると、第１誘電体層と、前記第１誘電体層の一面に並んで形成された複数の第１側面グラウンドと、前記複数の第１側面グラウンドの間ごとにそれぞれ形成される複数の第１信号ラインと、前記第１誘電体層の底面に形成される複数の第２側面グラウンド、および前記複数の第２側面グラウンドの底面に形成される第２誘電体層を含み、前記第２側面グラウンドは、前記第１側面グラウンドが形成された領域の下部に前記第１側面グラウンドの長さ方向に沿って形成され、前記第２側面グラウンドの間であり、かつ前記第１信号ラインが形成された領域の下部にはキャビティラインが形成され、前記キャビティラインは前記第１信号ラインの長さ方向に沿って長く延長形成され得る。

一実施例によると、前記キャビティラインは前記第２側面グラウンドと前記第１誘電体層および前記第２誘電体層に囲まれて形成される空いた空間であり得る。

一実施例によると、前記第２側面グラウンドそれぞれに、前記長さ方向に沿って互いに間隔をおいて形成される複数の貫通ホールが形成され得る。

一実施例によると、前記多重信号伝送用可撓性回路基板は、前記第１誘電体層の一面と向かい合う第３誘電体層と、前記第３誘電体層の一面に形成される上部グラウンドをさらに含むことができる。

一実施例によると、前記上部グラウンドに複数の貫通ホールが形成され得る。

一実施例によると、前記第１信号ラインが形成された領域上の前記上部グラウンドの部分には貫通ホールが形成されず、前記第１信号ラインが形成されていない領域上の前記上部グラウンドの部分に貫通ホールが形成され得る。

一実施例によると、前記多重信号伝送用可撓性回路基板は、前記第２誘電体層の底面に形成される下部グラウンドをさらに含むことができる。

一実施例によると、前記多重信号伝送用可撓性回路基板は、前記下部グラウンドの底面に形成される第４誘電体層、前記第４誘電体層の底面に並んで形成された複数の第３側面グラウンド、および前記複数の第３側面グラウンドの間ごとにそれぞれ形成される複数の第２信号ラインをさらに含むことができる。

一実施例によると、前記複数の第３側面グラウンドそれぞれに、前記長さ方向に沿って互いに間隔をおいて形成される複数の貫通ホールを含むことができる。

一実施例によると、前記複数の第２信号ラインそれぞれは、一つまたは２個以上の信号ラインで形成され得る。

一実施例によると、前記下部グラウンドに複数の貫通ホールが形成され、前記複数の第２信号ラインが形成された領域上の前記下部グラウンドの部分には貫通ホールが形成されず、前記複数の第２信号ラインが形成されていない領域上の前記下部グラウンドの部分に貫通ホールが形成され得る。

一実施例によると、前記複数の第１信号ラインと前記複数の第２信号ラインのうち一つは高速信号伝送用信号ラインであり、残りの一つは低速信号伝送用信号ラインであり得る。

一実施例によると、前記複数の第１信号ラインの両端部はそれぞれデジタル信号処理部およびＲＦ信号処理部に連結され得る。

一実施例によると、前記可撓性回路基板の中央領域に配置された複数の第１信号ラインは高速信号伝送用信号ラインであり、前記可撓性回路基板の外側領域に配置された複数の第１信号ラインは低速信号伝送用信号ラインであり得る。

一実施例によると、前記高速信号伝送用信号ラインの間の間隔は、前記低速信号伝送用信号ラインの間の間隔より広くてもよい。

一実施例によると、前記複数の第１側面グラウンドのうち、前記高速信号伝送用信号ラインの間に形成された第１側面グラウンドの幅は、前記低速信号伝送用信号ラインの間に形成された第１側面グラウンドの幅より広くてもよい。

一実施例によると、前記複数の第１側面グラウンドのうち、前記高速信号伝送用信号ラインの間に形成された第１側面グラウンドには貫通ホールが形成され、前記複数の第１側面グラウンドのうち、前記低速信号伝送用信号ラインの間に形成された第１側面グラウンドには貫通ホールが形成されないことがある。

前述したもの以外の他の側面、特徴、利点は、以下の図面、特許請求の範囲および発明の詳細な説明から明確となるであろう。

前述のように構成された本発明の一実施例によると、多重信号伝送用可撓性回路基板の信号の品質を向上させ、大きさおよび面積を最小化しつつ、工程上の不良を最小化することができる。

もちろん、このような効果によって本発明の範囲が限定されるものではない。

本発明の一実施例に係る多重信号伝送用可撓性回路基板１００の斜視図である。 本発明の一実施例に係る多重信号伝送用可撓性回路基板１００ａの断面図である。 本発明の一実施例に係る多重信号伝送用可撓性回路基板１００ｂの断面図である。 本発明の一実施例に係る多重信号伝送用可撓性回路基板１００ｃの断面図である。 本発明の一実施例に係る多重信号伝送用可撓性回路基板１００ｄの断面図である。 本発明の一実施例に係る多重信号伝送用可撓性回路基板１００ｅの断面図である。 本発明の一実施例に係る多重信号伝送用装置２００の斜視図である。 図７に図示された多重信号伝送用装置２００のＡ１とＡ２間の領域の内部拡大図である。 本発明の一実施例に係る上部グラウンド１８０の上面図である。 本発明の一実施例に係る上部グラウンド１８０のＢ２領域が、第１信号ラインＳ１と第１側面グラウンド１５０を含むＢ１領域の一部のみを覆っている状態の上面図である。

本発明は多様な変換を加えることができ、多様な実施例を有することができるところ、特定の実施例を図面に例示して詳細な説明に詳細に説明しようとする。本発明の効果および特徴、そしてそれらを達成する方法は図面と共に詳細に後述されている実施例を参照すると明確となるであろう。しかし、本発明は以下で開示される実施例に限定されるものではなく、多様な形態で実現され得る。

以下、添付された図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明することにし、図面を参照して説明するとき、同一または対応する構成要素は同一の図面番号を付し、これに対する重複する説明は省略することにする。

以下の実施例において、第１、第２等の用語は限定的な意味ではなく、一つの構成要素を他の構成要素と区別する目的で使われた。

以下の実施例において、単数の表現は文脈上明白に異なって意味しない限り、複数の表現を含む。

以下の実施例において、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、または構成要素が存在することを意味するものであり、一つ以上の他の特徴または構成要素が付加される可能性を予め排除するものではない。

図面では、説明の便宜のために構成要素がその大きさが誇張または縮小され得る。例えば、図面に示された各構成の大きさおよび厚さは説明の便宜のために任意に示されたため、本発明は必ずしも図示されたものに限定されない。

以下の実施例において、領域、層、構成要素などの部分が他の部分の上にまたは上にあるとするとき、他の部分の真上にある場合だけでなく、その中間に他の領域、層、構成要素などが介在されている場合も含む。

以下の実施例において、構成要素などが連結されたとするとき、構成要素が直接的に連結された場合だけでなく、構成要素の中間に他の構成要素が介在されて間接的に連結された場合も含む。

図１は、本発明の一実施例に係る多重信号伝送用可撓性回路基板１００の斜視図である。

図１を参照すると、本発明の一実施例に係る多重信号伝送用可撓性回路基板１００は、第１誘電体層１１０、第１誘電体層１１０の一面に並んで形成された複数の第１側面グラウンド１５０、および複数の第１側面グラウンド１５０の間ごとに形成される第１信号ラインＳ１を含む。複数の第１側面グラウンド１５０それぞれには、第１側面グラウンド１５０の長さ方向に沿って互いに間隔をおいて複数の貫通ホールＨが形成される。

第１信号ラインＳ１および第１側面グラウンド１５０は互いに平行するように形成され得る。したがって、第１信号ラインＳ１の長さ方向は第１側面グラウンド１５０の長さ方向と同一であり得る。以下の図面でｘ方向は前記長さ方向を示し、ｙ方向は第１信号ラインＳ１の長さ方向に垂直な方向（または幅方向）を示し、ｚ方向は可撓性回路基板１００に垂直な方向を示す。しかし、このような方向の説明は位置関係の説明を助けるためのものであるので、これを限定解釈してはならず、視覚の方向によって流動的であることに注目されたい。

一般的に、限定された面積の可撓性回路基板に多数の信号ラインを形成するには、多数の信号ライン間の空間が狭くなる。しかも、信号ラインの間に、隣接した信号ライン間の遮蔽のためのグラウンドラインが形成されなければならないため、信号ライン間の空間はさらに狭くなる。この場合、コネクタを可撓性回路基板にＳＭＴ（ｓｕｒｆａｃｅ ｍｏｕｎｔ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）工程で結合する過程で、信号ラインおよびグラウンドラインが熱によって膨張して互いに導通する問題が発生し得る。

一実施例によると、第１側面グラウンド１５０それぞれに複数の貫通ホールＨを形成することによって、第１側面グラウンド１５０の熱による膨張が制限される効果がある。具体的には、第１側面グラウンド１５０が熱膨張しても第１側面グラウンド１５０の外形の変化を最小化できるため、導通を防止することができる。

一実施例によると、複数の貫通ホールＨそれぞれは、前記長さ方向に沿って長く形成されたスリットの形状であり得る。第１側面グラウンド１５０がライン状であるため、貫通ホールＨを第１側面グラウンド１５０の長さ方向に沿って長く形成されたスリットの形状に形成する場合、第１側面グラウンド１５０の前後左右への膨張を最も効果的に最小化することができる。

一実施例によると、任意の一つの第１側面グラウンド１５０に形成された複数の貫通ホールＨは、一列で配列され得る。換言すると、任意の一つの第１側面グラウンド１５０に形成された複数の貫通ホールＨは、前記第１側面グラウンド１５０の長さ方向に沿う一つの軸を貫通するように配置され得る。第１側面グラウンド１５０それぞれに形成された複数の貫通ホールＨが一列で配列される場合、第１側面グラウンド１５０の幅を最小化することができる。すなわち、可撓性回路基板１００の小型化の実現が可能である。

一実施例によると、任意の第１側面グラウンド１５０に形成される貫通ホールＨと前記第１側面グラウンド１５０に隣接した他の第１側面グラウンド１５０に形成される貫通ホールＨは、ジグザグで形成され得る。換言すると、任意の第１側面グラウンド１５０に形成される貫通ホールＨと前記第１側面グラウンド１５０に隣接した他の第１側面グラウンド１５０に形成される貫通ホールＨは、前記第１側面グラウンド１５０の幅方向に沿う直線を同時に通過しないことができる。さらに換言すると、任意の第１側面グラウンド１５０に形成される第１貫通ホールＨと、前記第１側面グラウンド１５０に隣接した他の第１側面グラウンド１５０に形成される第２貫通ホールＨは、前記第１側面グラウンド１５０の幅方向に平行な直線を同時に通過しないように配置され得る。さらに換言すると、任意の第１信号ラインＳ１の一側の第１側面グラウンド１５０に形成される複数の第１貫通ホールＨと前記任意の第１信号ラインＳ１の他側の第１側面グラウンド１５０に形成される複数の第２貫通ホールＨは、互いにジグザグで形成され得る。ただし、これは一実施例に過ぎず、本発明はこれに限定されない。他の実施例によると、任意の第１側面グラウンド１５０に形成される第１貫通ホールＨと前記第１側面グラウンド１５０に隣接した他の第１側面グラウンド１５０に形成される第２貫通ホールＨは、前記第１側面グラウンド１５０の幅方向に平行な直線を同時に通過するように配置されてもよい。一例として、前記第１貫通ホールＨと前記第２貫通ホールＨは、幅方向の直線を同時に通過するものの、前記第１貫通ホールＨの「中心」と前記第２貫通ホールＨの「中心」は前記直線を同時に通過しないように配置され得る。換言すると、前記第１貫通ホールＨの一部分および前記第２貫通ホールＨの一部分は、幅方向の直線を同時に通過するものの、前記第１貫通ホールＨの「中心」と前記第２貫通ホールＨの「中心」はジグザグで配置され得る。

前述した通り、任意の第１側面グラウンド１５０とそれに隣接した他の第１側面グラウンド１５０に形成された貫通ホールＨを互いにジグザグで形成することによって、隣接した第１信号ラインＳ１の間で電波の干渉を最小化することができる。

図２は、本発明の一実施例に係る多重信号伝送用可撓性回路基板１００ａの断面図である。図２は、互いに隣接した第１側面グラウンド１５０に形成された貫通ホールＨが互いにジグザグで形成されていない実施例を図示する。換言すると、図２に図示された実施例で、任意の第１側面グラウンド１５０に形成される貫通ホールＨと、前記第１側面グラウンド１５０に隣接した他の第１側面グラウンド１５０に形成される貫通ホールＨが、幅方向（ｙ軸方向）に平行な直線を同時に通過することができる。

一実施例によると、第１信号ラインＳ１それぞれは、一つまたは２個以上の信号ラインで形成され得る。図１および図２を参照すると、第１信号ラインＳ１それぞれは二つの信号ラインで形成されている。第１信号ラインＳ１それぞれを２個以上の信号ラインで形成する場合、一つの信号ラインを通じての信号の伝送に問題が発生しても他の信号ラインを通じて信号の伝送が可能となり得る。例えば、一つの信号ラインと他の信号ラインは同一の信号を伝送することができる。

図３は、本発明の一実施例に係る多重信号伝送用可撓性回路基板１００ｂの断面図である。

図３を参照すると、一実施例に係る多重信号伝送用可撓性回路基板１００ｂは、前述した可撓性回路基板１００ａに比べて、第１誘電体層１１０の底面に形成される複数の第２側面グラウンド１６０、および複数の第２側面グラウンド１６０の底面に形成される第２誘電体層１２０をさらに含むことができる。

第１誘電体層１１０の底面に形成される第２側面グラウンド１６０は、第１信号ラインＳ１の遮蔽を助け、第１信号ラインＳ１の間の信号の干渉を低減させることができる。また、第２側面グラウンド１６０の底面に形成される第２誘電体層１２０は、可撓性回路基板１００ｂを全体的に平坦化させることができる。

一方、一般的に可撓性回路基板に多数の信号ラインを形成することになると、信号ラインの高さによって可撓性回路基板の信号ライン周辺が突出する問題点が存在した。例えば、信号ラインを覆ったり支える誘電体層の部分が膨らんで突出し得る。信号ライン周辺の表面が突出すると、不良および製品の損傷が発生し得る。また、信号ライン周辺の誘電体空間に空いた空間（ｇａｐ）が発生して信号ラインの電気的特性が低下する問題点があった。

本発明の一実施例によると、前記第２側面グラウンド１６０は、前記第１側面グラウンド１５０が形成された領域の下部に前記長さ方向に沿って形成され得る。第２側面グラウンド１６０の間であり、かつ第１信号ラインＳ１が形成された領域の下部にはキャビティライン（ＣＬ、ｃａｖｉｔｙ ｌｉｎｅ）が形成され得る。キャビティラインＣＬは第１信号ラインＳ１が形成された領域に沿って、第１信号ラインＳ１が形成された領域の下部に形成され得る。

第１信号ラインＳ１が形成された領域の下部に、空いた空間であるキャビティライン（ＣＬ、ｃａｖｉｔｙ ｌｉｎｅ）を形成することによって、可撓性回路基板１００ｂの全体的な外観を平坦化させることができる。具体的には、第１信号ラインＳ１の高さによって第１誘電体層１１０の底面が突出しても、キャビティラインＣＬが突出した部分を収容することができる。したがって、第２誘電体層１２０は扁平に形成され得、可撓性回路基板１００ｂで信号ライン周辺の表面が突出しない効果がある。一方、第１側面グラウンド１５０が形成された領域の下部に形成された第２側面グラウンド１６０は、キャビティラインＣＬの周辺部を支持することができ、可撓性回路基板１００ｂが全体として扁平な外観を有するようにすることができる。

一実施例によると、第２側面グラウンド１６０それぞれに、前記長さ方向に沿って互いに間隔をおいて形成される複数の貫通ホールＨが形成され得る。第２側面グラウンド１６０それぞれに形成された複数の貫通ホールＨは、第２側面グラウンド１６０の熱膨張による外観の変化を最小化することができる。

図４は、本発明の一実施例に係る多重信号伝送用可撓性回路基板１００ｃの断面図である。

図４を参照すると、一実施例に係る多重信号伝送用可撓性回路基板１００ｃは、前述した可撓性回路基板１００ｂに比べて、第１誘電体層１１０の一面と向かい合う第３誘電体層１３０、および第３誘電体層１３０の一面に形成される上部グラウンド１８０をさらに含むことができる。上部グラウンド１８０は第１信号ラインＳ１を遮蔽させ、第１信号ラインＳ１の電波の干渉を低減させることができる。

上部グラウンド１８０は全体として板状に形成されるため、工程中に熱が加えられる場合、熱膨張が大きく発生する可能性がある。例えば、上部グラウンド１８０が膨張してデコボコするようになるか曲がる問題点が発生し得る。

このような問題点を解決するために、一実施例によると、上部グラウンド１８０に複数の貫通ホールＨが形成され得る。上部グラウンド１８０に複数の貫通ホールＨを形成することによって、板状の上部グラウンド１８０であっても熱膨張による変形を最小化することができる。

上部グラウンド１８０に複数の貫通ホールＨが形成された例示は、図９に図示された通りであり得る。図９は、本発明の一実施例に係る上部グラウンド１８０の上面図である。

図５は、本発明の一実施例に係る多重信号伝送用可撓性回路基板１００ｄの断面図である。

図５を参照すると、一実施例に係る多重信号伝送用可撓性回路基板１００ｄは、図４に図示された可撓性回路基板１００ｃで、第２誘電体層１２０の底面に形成される下部グラウンド１９０をさらに含むことができる。

下部グラウンド１９０は第１信号ラインＳ１を遮蔽させ、下部グラウンド１９０の下部に他の信号ラインを形成できるようにする。すなわち、多層信号ラインを形成できるようにする。

図６は、本発明の一実施例に係る多重信号伝送用可撓性回路基板１００ｅの断面図である。

図６を参照すると、一実施例に係る多重信号伝送用可撓性回路基板１００ｅは、前述した可撓性回路基板１００ｄに比べて、下部グラウンド１９０の底面に形成される第４誘電体層１４０、第４誘電体層１４０の底面に並んで形成された複数の第３側面グラウンド１７０、および複数の第３側面グラウンド１７０の間ごとに形成される第２信号ラインＳ２をさらに含むことができる。

第２信号ラインＳ２は下部グラウンド１９０により、第１信号ラインＳ１によって干渉を受けずに第１信号ラインＳ１とは異なる信号を伝送することができる。第１信号ラインＳ１と第２信号ラインＳ２を互いに異なる層に形成することによって、多重信号伝送用可撓性回路基板１００ｅの面積を最小化することができる。

一方、図６で第２信号ラインＳ２は第１信号ラインＳ１の下部に配置されるものとして図示したが、本発明はこれに限定されない。第２信号ラインＳ２は第１信号ラインＳ１の配置にかかわらず、第１信号ラインＳ１と独立して配置され得る。すなわち、第２信号ラインＳ２は第１信号ラインＳ１が同一のｚ軸線上に配置されないことができる。

一実施例によると、複数の第３側面グラウンド１７０それぞれに、第３側面グラウンド１７０の長さ方向に沿って互いに間隔をおいて形成される複数の貫通ホールＨが形成され得る。

第２信号ラインＳ２の間ごとに形成された第３側面グラウンド１７０それぞれに複数の貫通ホールＨを形成することによって、第３側面グラウンド１７０の熱膨張が制限される効果がある。具体的には、第３側面グラウンド１７０が熱膨張しても第３側面グラウンド１７０の外形の変化を最小化できるため、導通を防止することができる。

一実施例によると、第２信号ラインＳ２それぞれは、一つまたは２個以上の信号ラインで形成され得る。第２信号ラインＳ２それぞれを２個以上の信号ラインで形成する場合、一つの信号ラインを通じての信号の伝送に問題が発生しても他の信号ラインを通じて信号の伝送が可能となり得る。

一実施例によると、第１信号ラインＳ１と第２信号ラインＳ２のうち一つは高速信号伝送用信号ラインであり、残りの一つは低速信号伝送用信号ラインであり得る。

第１信号ラインＳ１と第２信号ラインＳ２は互いに異なる役割を遂行することができる。例えば、第１信号ラインＳ１と第２信号ラインＳ２のうち、高速信号伝送用信号ライン（例：１０ＧＨｚ差動ライン）は１Ｇｂｐｓ以上の高速信号を伝送することができ、低速信号伝送用信号ライン（例：制御差動ライン（ｃｏｎｔｒｏｌ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ ｌｉｎｅ）、制御単一ライン（ｃｏｎｔｒｏｌ ｓｉｎｇｌｅ ｌｉｎｅ））は１Ｇｂｐｓ未満の低速信号を伝送することができる。

一実施例によると、デジタル信号処理部またはＲＦ信号処理部に連結されるコネクタが可撓性回路基板１００ｅの上部に配置されると仮定するとき、コネクタに近い第１信号ラインＳ１が高速信号伝送用信号ラインであり、コネクタと遠い第２信号ラインＳ２が低速信号伝送用信号ラインであり得る。

もちろん他の実施例において、コネクタが可撓性回路基板１００ｅの下部に配置されるのであれば、コネクタに近い第２信号ラインＳ２が高速信号伝送用信号ラインであり、コネクタと遠い第１信号ラインＳ１が低速信号伝送用信号ラインであり得る。

このように、高速信号伝送経路を最短距離とすることによって、多重信号伝送用可撓性回路基板１００ｅの信号伝送性能を向上させることができる。

図７は、本発明の一実施例に係る多重信号伝送用装置２００の斜視図である。

図７を参照すると、一実施例に係る多重信号伝送用装置２００は、可撓性部２００Ｆおよび可撓性部２００Ｆ両端のリジッド部２００Ｒを含むことができる。可撓性部２００Ｆは前述した多様な実施例に係る可撓性回路基板１００、１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄ、１００ｅを含むことができる。

一実施例によると、可撓性部２００Ｆから延びた両端部に高い強度を有する他の層を粘着してリジッド部２００Ｒを形成することができる。

可撓性部２００Ｆ両端のリジッド部２００Ｒにはそれぞれ第１コネクタ２０１および第２コネクタ２０２が形成され得る。可撓性部２００Ｆは、第１コネクタ２０１と第２コネクタ２０２を連結する信号ライン（例：第１信号ラインＳ１および／または第２信号ラインＳ２）を含む可撓性回路基板（例：可撓性回路基板１００、１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄ、１００ｅ）を含むことができる。

第１コネクタ２０１および第２コネクタ２０２のうち一つはデジタル信号処理部に連結され、残りの一つはＲＦ信号処理部に連結され得る。したがって、第１信号ラインＳ１はデジタル信号処理部とＲＦ信号処理部の間の送受信を遂行することができる。このとき、同軸ケーブルを使わずに可撓性回路基板に形成された第１信号ラインＳ１を使うことによって、信号伝送装置を小型化することができる。

図８は、図７に図示された多重信号伝送用装置２００のＡ１とＡ２間の領域の内部拡大図である。すなわち、多重信号伝送用装置２００の可撓性部２００Ｆは可撓性回路基板１００ｆを含むことができる。可撓性回路基板１００ｆは第１誘電体層１１０、第１信号ラインＳ１、および第１側面グラウンド１５０を含む。一実施例によると、図８に図示された可撓性回路基板１００ｆは図１に図示された可撓性回路基板１００およびその周辺部を含むことができる。すなわち、図８の可撓性回路基板１００ｆは図１の可撓性回路基板１００の拡張された姿であり得る。

しかし、本発明の多様な実施例に係る多重信号伝送用装置２００の可撓性部２００Ｆは可撓性回路基板１００ｆに限定されない。多様な実施例に係る多重信号伝送用装置２００の可撓性部２００Ｆは第１誘電体層１１０、第１信号ラインＳ１、および第１側面グラウンド１５０の他にも、前述した第２側面グラウンド１６０、第２誘電体層１２０、第３誘電体層１３０、上部グラウンド１８０、下部グラウンド１９０、第４誘電体層１４０、第２信号ラインＳ２、第３側面グラウンド１７０のうち一つ以上をさらに含むことができる。

一実施例によると、可撓性回路基板１００ｆの中央領域（ＣＡ、ｃｅｎｔｒａｌ ａｒｅａ）に配置された第１信号ラインＳ１は高速信号伝送用信号ラインであり、可撓性回路基板１００ｆの外側領域（ＯＡ、ｏｕｔｅｒ ａｒｅａ）に配置された第１信号ラインＳ１は低速信号伝送用信号ラインであり得る。

第１信号ラインＳ１のうち、高速信号伝送用信号ラインを可撓性回路基板１００ｆの中央領域（ＣＡ、ｃｅｎｔｒａｌ ａｒｅａ）に配置することによって、高速信号伝送経路を最短距離とすることができる。これによって多重信号伝送用装置２００の性能を向上させることができる。

一実施例によると、高速信号伝送用信号ラインの間の間隔が、低速信号伝送用信号ラインの間の間隔より広くてもよい。

一実施例によると、複数の第１側面グラウンド１５０のうち、高速信号伝送用信号ラインの間に形成された第１側面グラウンド１５０の幅は、低速信号伝送用信号ラインの間に形成された第１側面グラウンド１５０の幅より広くてもよい。

前述した実施例によると、高速信号ラインの間の間隔を低速信号ラインの間の間隔より広く形成することによって、高速信号ラインの間の第１側面グラウンド１５０の幅をさらに広く形成することができ、高速信号の伝送に対する信頼性を維持することができる。

一実施例によると、前記複数の第１側面グラウンド１５０のうち、前記高速信号伝送用信号ラインの間に形成された第１側面グラウンド１５０には貫通ホールＨが形成され、前記複数の第１側面グラウンド１５０のうち、前記低速信号伝送用信号ラインの間に形成された第１側面グラウンド１５０には貫通ホールＨが形成されないことがある。

低速信号ラインの間の第１側面グラウンド１５０の幅は、高速信号ラインの間の第１側面グラウンド１５０の幅より狭く形成するため、低速信号ラインの間に形成された第１側面グラウンド１５０には貫通ホールＨを形成しないことによって、可撓性回路基板１００ｆの全体幅を最小化することができる。

一方、第１信号ラインＳ１の一側には電源伝送ラインＰＷが形成され得る。

一方、前述した通り、多様な実施例において、多重信号伝送用装置２００は、第１誘電体層１１０の一面と向かい合う第３誘電体層１３０および第３誘電体層１３０の一面に形成される上部グラウンド１８０をさらに含むことができる。すなわち、多様な実施例に係る多重信号伝送用装置２００は、前述した可撓性回路基板１００ｃ、１００ｄ、１００ｅを含むことができる。

図９は、本発明の一実施例に係る上部グラウンド１８０の上面図である。図９に図示された上部グラウンド１８０は、図８に図示された可撓性回路基板１００ｆの上部に配置され得る。図９を参照すると、上部グラウンド１８０に複数の貫通ホールＨが形成され得る。

以下では、図８に図示されたＢ１領域と図９に図示されたＢ２領域を参照して、第１信号ラインＳ１および上部グラウンド１８０の位置関係を説明することにする。

図１０は、本発明の一実施例に係る上部グラウンド１８０のＢ２領域が、第１信号ラインＳ１と第１側面グラウンド１５０を含むＢ１領域の一部のみを覆っている状態の上面図である。Ｂ１領域とＢ２領域は図８および図９にそれぞれ図示されている。

図１０を参照すると、一実施例で第１信号ラインＳ１が形成された領域上の上部グラウンド１８０の部分には貫通ホールＨが形成されないことがある。また、第１信号ラインＳ１が形成されていない領域上の上部グラウンド１８０の部分に貫通ホールＨが形成され得る。

第１信号ラインＳ１が形成された領域上の上部グラウンド１８０の部分には貫通ホールＨが形成されないことによって、第１信号ラインＳ１の遮蔽を助けることができる。また、第１信号ラインＳ１が形成されていない領域上の上部グラウンド１８０の部分に貫通ホールＨが形成されることによって、上部グラウンド１８０の熱膨張を最小化することができる。

一方、第２信号ラインＳ２および下部グラウンド１９０の位置関係も、第１信号ラインＳ１および上部グラウンド１８０の位置関係に相応し得る。

下部グラウンド１９０には複数の貫通ホールＨが形成されるものの、第２信号ラインＳ２が形成された領域上の下部グラウンド１９０の部分には貫通ホールＨが形成されないことがある。また、第２信号ラインＳ２が形成されていない領域上の下部グラウンド１９０の部分に貫通ホールＨが形成され得る。

第２信号ラインＳ２が形成された領域上の下部グラウンド１９０の部分には貫通ホールＨが形成されないことによって、第２信号ラインＳ２の遮蔽を助けることができる。また、第２信号ラインＳ２が形成されていない領域上の下部グラウンド１９０の部分に貫通ホールＨが形成されることによって、下部グラウンド１９０の熱膨張を最小化することができる。

本発明は図面に図示された一実施例を参照して説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当該分野で通常の知識を有する者であればこれから多様な変形および実施例の変形が可能であることが理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は添付された特許請求の範囲の技術的思想によって定められるべきである。

１００、１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄ、１００ｅ、１００ｆ：多重信号伝送用可撓性回路基板
１１０：第１誘電体層
１２０：第２誘電体層
１３０：第３誘電体層
１４０：第４誘電体層
１５０：第１側面グラウンド
１６０：第２側面グラウンド
１７０：第３側面グラウンド
１８０：上部グラウンド
１９０：下部グラウンド
Ｓ１：第１信号ライン
Ｓ２：第２信号ライン
Ｈ：貫通ホール
ＣＬ：キャビティライン
２００：多重信号伝送用装置
２００Ｆ：可撓性部
２００Ｒ：リジッド部
２０１：第１コネクタ
２０２：第２コネクタ
ＰＷ：電源伝送ライン
ＣＡ：中央領域
ＯＡ：外側領域

Claims (23)

1. 第１誘電体層；
   前記第１誘電体層の一面に並んで形成された複数の第１側面グラウンド；
   前記複数の第１側面グラウンドの間ごとにそれぞれ形成される複数の第１信号ライン； 前記複数の第１側面グラウンドそれぞれに、前記第１側面グラウンドの長さ方向に沿って互いに間隔をおいて形成される複数の貫通ホール；
   前記複数の第１側面グラウンドと重なるように前記第１誘電体層の底面に形成される複数の第２側面グラウンド；
   前記複数の第２側面グラウンドの底面に形成される第２誘電体層；および
   前記複数の第１の信号ラインと重なるように前記第２側面グラウンドの間に形成されたキャビティライン；を含み、
   前記第１誘電体層の面のうち、前記第１側面グラウンドが形成される一面の一領域が前記複数の貫通ホールを通じて露出し、
   前記キャビティラインのそれぞれは、隣接する前記第１誘電体層、前記第２誘電体層および前記複数の第２側面グラウンドに囲まれるように形成される空いた空間である、多重信号伝送用可撓性回路基板。
2. 前記複数の第１信号ラインそれぞれは、一つまたは２個以上の信号ラインで形成される、請求項１に記載の多重信号伝送用可撓性回路基板。
3. 前記複数の貫通ホールそれぞれは、前記長さ方向に沿って長く形成されたスリットの形状である、請求項１に記載の多重信号伝送用可撓性回路基板。
4. 前記複数の第１側面グラウンドのうち少なくとも一つに形成された前記複数の貫通ホールは、一列で配列される、請求項１に記載の多重信号伝送用可撓性回路基板。
5. 任意の第１側面グラウンドに形成される貫通ホールの中心と前記任意の第１側面グラウンドに隣接した他の第１側面グラウンドに形成される貫通ホールの中心は、前記第１側面グラウンドの幅方向に平行な同一の直線上に配置されない、請求項１に記載の多重信号伝送用可撓性回路基板。
6. 前記第２側面グラウンドは、前記第１側面グラウンドが形成された領域の下部に前記長さ方向に沿って形成され、
   前記第１信号ラインが形成された領域の下部にはキャビティラインが形成される、請求項１に記載の多重信号伝送用可撓性回路基板。
7. 前記キャビティラインは前記第１信号ラインの長さ方向と交差する方向を基準として離隔した少なくとも二つのキャビティラインを含む、請求項１に記載の多重信号伝送用可撓性回路基板。
8. 前記第２側面グラウンドは、前記第１側面グラウンドが形成された領域の下部に前記第１側面グラウンドの長さ方向に沿って形成され、
   前記キャビティラインは前記第１信号ラインの長さ方向に沿って長く延長形成される、請求項１に記載の多重信号伝送用可撓性回路基板。
9. 前記第２側面グラウンドそれぞれに、前記長さ方向に沿って互いに間隔をおいて形成される複数の貫通ホールが形成される、請求項６に記載の多重信号伝送用可撓性回路基板。
10. 前記第１誘電体層の一面と向かい合う第３誘電体層；および
    前記第３誘電体層の一面に形成される上部グラウンド；をさらに含む、請求項１または請求項６に記載の多重信号伝送用可撓性回路基板。
11. 前記上部グラウンドに複数の貫通ホールが形成される、請求項１０に記載の多重信号伝送用可撓性回路基板。
12. 前記第１信号ラインが形成された領域上の前記上部グラウンドの部分には貫通ホールが形成されず、
    前記第１信号ラインが形成されていない領域上の前記上部グラウンドの部分に貫通ホールが形成される、請求項１１に記載の多重信号伝送用可撓性回路基板。
13. 前記第２誘電体層の底面に形成される下部グラウンド；をさらに含む、請求項１または請求項６に記載の多重信号伝送用可撓性回路基板。
14. 前記下部グラウンドの底面に形成される第４誘電体層；
    前記第４誘電体層の底面に並んで形成された複数の第３側面グラウンド；および
    前記複数の第３側面グラウンドの間ごとにそれぞれ形成される複数の第２信号ライン；をさらに含む、請求項１３に記載の多重信号伝送用可撓性回路基板。
15. 前記複数の第３側面グラウンドそれぞれに、前記長さ方向に沿って互いに間隔をおいて形成される複数の貫通ホールを含む、請求項１４に記載の多重信号伝送用可撓性回路基板。
16. 前記複数の第２信号ラインそれぞれは、一つまたは２個以上の信号ラインで形成される、請求項１４に記載の多重信号伝送用可撓性回路基板。
17. 前記下部グラウンドに複数の貫通ホールが形成され、
    前記複数の第２信号ラインが形成された領域上の前記下部グラウンドの部分には貫通ホールが形成されず、
    前記複数の第２信号ラインが形成されていない領域上の前記下部グラウンドの部分に貫通ホールが形成される、請求項１４に記載の多重信号伝送用可撓性回路基板。
18. 前記複数の第１信号ラインと前記複数の第２信号ラインのうち一つは高速信号伝送用信号ラインであり、残りの一つは低速信号伝送用信号ラインである、請求項１４に記載の多重信号伝送用可撓性回路基板。
19. 前記複数の第１信号ラインの両端部はそれぞれデジタル信号処理部およびＲＦ信号処理部に連結される、請求項１または請求項６に記載の多重信号伝送用可撓性回路基板。
20. 前記可撓性回路基板の中央領域に配置された複数の第１信号ラインは高速信号伝送用信号ラインであり、
    前記可撓性回路基板の外側領域に配置された複数の第１信号ラインは低速信号伝送用信号ラインである、請求項１または請求項６に記載の多重信号伝送用可撓性回路基板。
21. 前記高速信号伝送用信号ラインの間の間隔は、
    前記低速信号伝送用信号ラインの間の間隔より広い、請求項２０に記載の多重信号伝送用可撓性回路基板。
22. 前記複数の第１側面グラウンドのうち、前記高速信号伝送用信号ラインの間に形成された第１側面グラウンドの幅は、
    前記低速信号伝送用信号ラインの間に形成された第１側面グラウンドの幅より広い、請求項２０に記載の多重信号伝送用可撓性回路基板。
23. 前記複数の第１側面グラウンドのうち、前記高速信号伝送用信号ラインの間に形成された第１側面グラウンドには貫通ホールが形成され、
    前記複数の第１側面グラウンドのうち、前記低速信号伝送用信号ラインの間に形成された第１側面グラウンドには貫通ホールが形成されない、請求項２０に記載の多重信号伝送用可撓性回路基板。

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