JP7261796B2 - パッケージ構造 - Google Patents
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Description
本開示は、表示技術分野に関し、具体的に、パッケージ構造に関するものである。
OLED表示装置の製造過程では、パッケージプロセスが含まれ、例えばガラス接着剤(frit)でパッケージすることが挙げられる。しかしながら、パッケージ過程では、レーザーパッケージ過程における熱の影響により、温度勾配及び応力の大きさの分布が不均一で、かつ材料の熱膨張係数とマッチングしない場合、ガラス接着剤の下の膜層にクラックが発生しやすいため、信号線が断線して表示異常となりうる。
以上
前記のパッケージ構造は、前記金属延在層が複数の第1の通し穴を有してもよい。
前記のパッケージ構造は、前記複数の第1の通し穴の配列位置が均等であってもよい。
前記電源端子には第2の通し穴が設けられてもよい。
前記第2の通し穴は、四角形を呈してもよい。
前記のパッケージ構造は、前記金属延在層の延在方向に垂直な方向において、前記金属延在層の長さが、前記パッケージ層の長さと同じであってもよい。
前記のパッケージ構造は、前記金属延在層の延在方向に垂直な方向において、前記金属延在層の長さが、前記パッケージ層の長さの1/4~1/3であってもよい。
前記金属延在層は、前記パッケージ層の中間位置に位置してもよい。
前記のパッケージ構造は、前記電源端子が、作動電圧端子及び共通アース端子を含んでもよい。
前記のパッケージ構造は、前記金属延在層が、それぞれ前記作動電圧端子と前記共通アース端子から前記一方側における両端に延在し、前記作動電圧端子と前記共通アース端子から対向して延在する部分が接触しなくてもよい。
前記のパッケージ構造は、前記第1の基板が多角形を呈し、前記電源端子は前記多角形の1つの辺に位置してもよい。
前記のパッケージ構造は、前記多角形の他の辺に更に第1の金属層を有し、前記パッケージ層が前記第1の金属層に位置してもよい。
前記のパッケージ構造は、前記第1の金属層が複数の第3の通し穴を有してもよい。
前記金属延在層は、折れ線状を呈してもよい。
さらに、前記金属延在層に第1の通し穴を設けることにより、応力を効果的に解消し、信号線が断線するリスクを抑える。
さらに、金属延在層を前記パッケージ層の中間位置に位置させることにより、応力が集中するクラックの開始点を除去し、信号線が断線するリスクを抑える。
以下、模式図に合わせて本開示のパッケージ構造をより詳しく説明する。本開示の好適な実施例が記載されているが、ここで記載された本開示が改良されても依然として本開示の有利な効果を実現することが可能であることを、当業者は理解すべきである。したがって、以下の説明は当業者に広く理解されるためのものであり、本開示に対する制限ではないと理解すべきである。
以下の段落において、図面を参照しながら、例を挙げる形で本開示をより詳しく説明する。以下の説明及び特許請求の範囲により、本開示の長所及び特徴は一層明確になる。説明したいのは、図面はいずれも極簡略化された形式であり、しかも概略縮尺を使用しており、便利で明確に本開示の実施例の目的を補助的に説明するためのものに過ぎない。
以下の説明において、層(又は膜)、領域、パターン又は構造が、基板、層(又は膜)、領域、パッド及び/又はパターンの「上」にあると記載されている場合、それは他の層又は基板に直接配置されてもよいし、及び/又は挿入層がさらに存在してもよいと理解すべきである。また、層が他の層の「下」にあると記載されている場合、それは他の層の下に直接配置されてもよいし、及び/又は1つあるいは複数の挿入層が存在してもよいと理解すべきである。また、各層の「上」及び「下」を図面に基づいて規定することができる。
しかしながら、基板1には通常、信号線などの膜層が存在する。上述のように、パッケージを行う際に、高温などの原因で、パッケージ層2(例えば、ガラス接着剤)下の膜層にクラックが発生し、信号線が断線して、表示異常になる。発明者は更なる研究によって、クラックが主にパッケージ層2(例えば、ガラス接着剤)の箇所で発生し、さらに延在して他の膜層に影響を与えることを見出した。
そこで、本開示は、一方側に電源端子を有する第1の基板と、第2の基板と、前記一方側の長手方向において前記電源端子から前記一方側における両端まで延在する金属延在層と、前記第1の基板と前記第2の基板の間に設置され、前記金属延在層を覆い且つ前記第1の基板と前記第2の基板とを固定するパッケージ層と、を備えるパッケージ構造を提供する。
以下は、前記タッチパネル構造及びその製造方法の好適な実施例を挙げ、本開示の内容を明確に説明するためである。理解すべきなのは、本開示の内容は以下の実施例に限っておらず、当業者による慣用手段に基づく改良も本開示の思想範囲内である。
図2には、便宜のため、第2の基板60を示すことを省略している。
前記第1の基板10は、例えば表示基板であってもよい。前記第1の基板10上に、例えば、表示構造を形成し、例えばOLED構造などを形成する。前記第1の基板における表示構造の具体的な選択について、本開示は特に限定せず、実際の必要に応じて設計されてもよい。例えば、前記基板10上には、さらに公知の駆動回路が形成でき、駆動回路の駆動トランジスタのドレインは、ビアを介してOLEDの下部電極に電気的に接続され、駆動回路の具体的な構造及び形成方法はこの分野でよく知られている内容であり、ここでは詳しく紹介しない。前記基板10上に、基板上の駆動回路を保護するためのパッシベーション層をさらに形成できる。好ましくは、前記パッシベーション層は、無機材料であり、例えば、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウムなどが挙げられる。しかしながら、理解すべきなのは、以上はパッシベーション層の実例を取り上げたのに過ぎず、その選択範囲は上記例に限っておらず、既知の公開又は商業化された材料範囲内から選択されてもよい。
前記表示構造の周囲には、例えば、表示構造に電圧を印加する駆動領域があってもよい。例えば、図2に示す第1の金属層30は、前記駆動領域に位置している。
本開示一実施例では、前記電源端子41、42の数は1つに限っていない。例えば、作動電圧(VDD)端子及び共通アース(VSS)端子を備えることができる。図2に示すように、前記電源端子41、42は、2つのVDD端子41及び2つのVSS端子42を含み、2つのVDD端子41が中央に位置し、2つのVSS端子42が2つのVDD端子41の両側に位置する。
理解すべきなのは、VDD端子41とVSS端子42との接触は好ましくないので、VDD端子及びVSS端子から延在する金属延在層411、421も接触しないことが好ましい。即ち、前記金属延在層411、421は、それぞれ前記VDD端子41とVSS端子42から前記両端に延在し、かつ前記VDD端子41とVSS端子42から対向して延在する部分は接触しない。
図2における前記VDD端子41及びVSS端子42から対向して延在する金属延在層411、421は正面対向してもよいが、無論、互い違いに配置されてもよい。この場合、前記VDD端子41とVSS端子42から対向して延在する金属延在層411、421は共に重なる部分を有してもよいが、無論、同様に接触しないほうが好ましい。
更なる一実施例では、図2に示すように、前記金属延在層411、421は、前記電源端子41、42から両側に延在している。具体的には、矩形の第1の基板10を例とすると、電源端子41、42は、該第1の基板10の一方側に位置し、前記金属延在層411、421は、前記電源端子41、42から両側の対向する辺へ延在し、ちょうどパッケージ層20の所在位置まで延在してもよい。
これにより、パッケージ層20を加熱してパッケージを行うとき、発生した熱は金属延在層411、421を通ってうまく転移されて、熱の伝導が改善される。よって、局所的な温度差が過度になることを防ぎ、信号線の断線を抑える。
図4を参照しながら、そのうちの一部の前記金属延在層421を例として説明する。前記金属延在層421は、電源端子42(具体的には、VSS端子)から延在し、前記第1の通し穴50は、前記金属延在層421内に配列されてもよい。また、前記電源端子42には第2の通し穴50’が配列されてもよい。電源端子42における第2の通し穴50’は、金属延在層421における第1の通し穴50と同じ位置(例えば、水平方向の位置)にあってもよいし、前記電源端子42全体に亘って配列されてもよい。
更なる一実施例では、前記第1の通し穴50は、均等に配列されてもよいし、不均等に配列されてもよい。例えば、断線が発生しやすい箇所には第1の通し穴50が比較的に多く、断線が発生しにくい箇所には第1の通し穴50がないか又は比較的に少なく設置する。
さらに、もう1つの実施例では、前記第1の通し穴50及び第2の通し穴50’は、例えば四角形を呈し、サイズ(例えば、辺の長さ)は50μm~100μmである。
本開示一実施例では、前記金属延在層421の幅W2は、前記パッケージ層20の幅W1と同じである。これにより、温度差を効果的に改善できるほか、膜層の厚さの均一性を高める作用をさらに果たすことができる。
無論、前記金属延在層411、421は第1の通し穴50を有しなくてもよい。例えば、図5に示すように、そのうちの一部の前記金属延在層421を例として説明すると、一枚の金属がそのまま延在してもよい。第1の通し穴50を有しないときの応力問題を考慮すると、金属延在層421の幅を適宜狭くすることができる。例えば、前記金属延在層421の幅W3を前記パッケージ層20の幅W1の1/4~1/3とする。さらに、クラックが出現するときは、前記パッケージ層20の中間位置から始まることが一般的である。つまり、それが応力の集中部分と見なすことができる。したがって、前記金属延在層421は前記パッケージ層20の中間位置に位置することができ、これにより応力を良く分散するという作用を果たすことができる。
明らかに、前記金属延在層411は、前記金属延在層421とほぼ一致してもよく、相違点として、延在方向と延在の長さが若干異なってもよい。
前記パッケージ層20は、第1の基板10と第2の基板60を固定して(例えば、粘着方式を採用)パッケージシートを形成することに用いられる。一般的には、微細なガラス粒子を含むガラス接着剤(frit)が挙げられる。ガラス粒子は、酸化マグネシウム(MgO)、酸化カルシウム(CaO)、酸化バリウム(BaO)、酸化リチウム(Li2O)、酸化ナトリウム(Na2O)、酸化カリウム(K2O)、酸化ホウ素(B2O3)、酸化バナジウム(V2O5)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化テルル(TeO2)、酸化アルミニウム(Al2O3)、二酸化ケイ素(SiO2)、酸化鉛(PbO)、酸化錫(SnO)、酸化リン(P2O5)、酸化ルテニウム(Ru2O)、酸化ルビジウム(Rb2O)、酸化ロジウム(Rh2O)、酸化鉄(Fe2O3)、酸化銅(CuO)、酸化チタン(TiO2)、酸化タングステン(WO3)、酸化ビスマス(Bi2O3)、酸化アンチモン(Sb2O3)、鉛-ホウ素酸塩ガラス、錫-リン酸塩ガラス、バナジウム酸塩ガラス及びホウ素ケイ素酸塩などの材料のうちの1種又は複数種を含む。
本発明の範囲から逸脱することなく、本発明において様々な修正および変形をなし得ることが当業者には明らかであろう。したがって、本開示のそのような修正および変形が本開示請求項およびその均等物の範囲内にある場合、本開示はそのような修正および変形を含むことを意図している。
Claims (9)
- 一方側に電源端子を有する第1の基板と、
第2の基板と、
前記電源端子に接続され、且つ、前記一方側の長手方向において前記電源端子から前記一方側における両端まで延在する金属延在層と、
前記第1の基板と前記第2の基板の間に設けられ、前記第1の基板と前記第2の基板とを固定するパッケージ層と、を備え、
前記金属延在層は、前記パッケージ層の、前記第1の基板における正投影の内部に位置し、
前記第1の基板は多角形を呈し、前記電源端子は前記多角形の1つの辺に位置し、
前記多角形の他の辺にさらに第1の金属層を有し、且つ、前記パッケージ層は前記第1の金属層上に位置し、
前記第1の金属層は、前記電源端子に接続されていない、
ことを特徴とするパッケージ構造。 - 前記第2の基板は、パッケージカバープレートである
ことを特徴とする請求項1に記載のパッケージ構造。 - 前記金属延在層は、複数の第1の通し穴を有し、前記複数の第1の通し穴の配列位置が均等である
ことを特徴とする請求項1に記載のパッケージ構造。 - 前記電源端子には、複数の第2の通し穴が設けられ、前記第2の通し穴は、四角形を呈する
ことを特徴とする請求項1に記載のパッケージ構造。 - 前記金属延在層の延在方向に垂直な方向において、
前記金属延在層の長さは、前記パッケージ層の長さと同じであり、或いは、
前記金属延在層の長さは、前記パッケージ層の長さの1/4~1/3であり、且つ、前記金属延在層は、前記パッケージ層の中間位置に位置する
ことを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のパッケージ構造。 - 前記電源端子は、作動電圧端子及び共通アース端子を含む
ことを特徴とする請求項1に記載のパッケージ構造。 - 前記金属延在層は、それぞれ前記作動電圧端子と前記共通アース端子から前記一方側における両端に延在し、かつ前記作動電圧端子と前記共通アース端子から対向して延在する部分が接触しない
ことを特徴とする請求項6に記載のパッケージ構造。 - 前記第1の金属層は、複数の第3の通し穴を有し、
前記金属延在層は、折れ線状を呈する
ことを特徴とする請求項1に記載のパッケージ構造。 - 請求項1~8のいずれか1項に記載のパッケージ構造を採用する
ことを特徴とするOLED表示装置。
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JP2007200835A (ja) | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
US20130003006A1 (en) | 2011-06-29 | 2013-01-03 | Chimei Innolux Corporation | System for display images |
JP2014112666A (ja) | 2012-11-02 | 2014-06-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 封止体及び封止体の作製方法 |
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US6911733B2 (en) * | 2002-02-28 | 2005-06-28 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
KR100592273B1 (ko) * | 2004-05-20 | 2006-06-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 디스플레이 장치 |
US20070271808A9 (en) * | 2004-09-21 | 2007-11-29 | Eastman Kodak Company | Lewis acid organometallic desiccant |
KR100700653B1 (ko) * | 2005-02-03 | 2007-03-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
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KR20120129283A (ko) * | 2011-05-19 | 2012-11-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
TW201411904A (zh) * | 2012-09-10 | 2014-03-16 | Ultimate Image Corp | 有機發光二極體平面照明裝置 |
KR102135882B1 (ko) * | 2013-07-22 | 2020-07-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
CN104157792A (zh) * | 2014-08-08 | 2014-11-19 | 上海和辉光电有限公司 | Oled封装结构及封装方法 |
CN104183686B (zh) * | 2014-09-09 | 2018-02-02 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 发光二极管器件及其制作方法 |
CN104882566B (zh) * | 2015-05-21 | 2017-12-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种发光二极管封装结构和封装方法 |
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JP2007200835A (ja) | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
US20130003006A1 (en) | 2011-06-29 | 2013-01-03 | Chimei Innolux Corporation | System for display images |
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