JP2011028210A - 平板表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 66
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 claims description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- -1 WO 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ZPPSOOVFTBGHBI-UHFFFAOYSA-N lead(2+);oxido(oxo)borane Chemical compound [Pb+2].[O-]B=O.[O-]B=O ZPPSOOVFTBGHBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005365 phosphate glass Substances 0.000 claims description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- QUBMWJKTLKIJNN-UHFFFAOYSA-B tin(4+);tetraphosphate Chemical compound [Sn+4].[Sn+4].[Sn+4].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O QUBMWJKTLKIJNN-UHFFFAOYSA-B 0.000 claims description 2
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(II) oxide Inorganic materials [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N vanadate(3-) Chemical compound [O-][V]([O-])([O-])=O LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 abstract description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 8
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 abstract description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 3
- 230000032798 delamination Effects 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 33
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 8
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
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- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
Abstract
【課題】平板表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、第１基板及び第２基板を結合させるためのフリットと外部からの所定映像を表示するための映像信号、パネルテストのためのテスト信号及び有機層エージングのためのエージング信号を表示部に伝達するための信号配線との間に剥離現象を低減することができる平板表示装置及びその製造方法に関する。
本発明は、所定映像を表示するための表示部及び前記表示部の外側に位置する周辺部を含む第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記周辺部に位置し、前記第１基板と第２基板を結合させるためのフリットと、一部領域で前記フリットと重畳し、外部からの前記表示部に信号を伝達するための信号配線とを含み、前記一部領域に位置する前記信号配線端部は複数のパターンが形成されることを特徴とする平板表示装置に関する。
【選択図】図３Ａ
【解決手段】本発明は、第１基板及び第２基板を結合させるためのフリットと外部からの所定映像を表示するための映像信号、パネルテストのためのテスト信号及び有機層エージングのためのエージング信号を表示部に伝達するための信号配線との間に剥離現象を低減することができる平板表示装置及びその製造方法に関する。
本発明は、所定映像を表示するための表示部及び前記表示部の外側に位置する周辺部を含む第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記周辺部に位置し、前記第１基板と第２基板を結合させるためのフリットと、一部領域で前記フリットと重畳し、外部からの前記表示部に信号を伝達するための信号配線とを含み、前記一部領域に位置する前記信号配線端部は複数のパターンが形成されることを特徴とする平板表示装置に関する。
【選択図】図３Ａ
Description
本発明は、平板表示装置及びその製造方法(Flat Panel Display device and Fabrication method for the same)に関し、第１基板及び第２基板を結合させるためのフリットと外部からの所定映像を表示するための映像信号、パネルテストのためのテスト信号及び有機層エージング(aging)のためのエージング信号を表示部に伝達するための信号配線との間の剥離現象を低減することができる平板表示装置及びその製造方法に関する。
平板表示装置(Flat Panel Display device)は軽量薄型の特性を有し、陰極線管表示装置(Cathode−ray Tube Display device)を代替することができる表示装置として用いられており、代表的な例としては、液晶表示装置(Liquid Crystal Display device；ＬＣＤ)と有機電界発光表示装置(Organic Light Emitting diode Display device；ＯＬＥＤ)がある。その中、有機電界発光表示装置は液晶表示装置に比べて輝度特性や視野角特性が優れるため、バックライト(Backlight)を必要とせず、超薄型として実現できる長所がある。
有機電界発光表示装置は、駆動方法によって受動駆動（Passive matrix）方式と能動駆動(Active matrix)方式に区分されており、能動駆動方式は薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を用いる回路を有する。
薄膜トランジスタは、一般にソース領域、ドレイン領域及びチャンネル領域を含む半導体層、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を含む。前記半導体層は、多結晶シリコン(polycrystalline silicon；poly−si)または非晶質シリコン(amorphous silicon；a−si)から形成されるが、前記多結晶シリコンの電子移動度は非晶質シリコンの電子移動度よりも高いので、現在は多結晶シリコンが主に用いられる。
平板表示装置は、通常、表示素子で形成された表示部及び前記表示部の外側に位置する周辺部を含む第１基板、前記第１基板に対向する第２基板、及び前記周辺部に位置して前記第１基板と第２基板とを結合させて、前記表示部を密封するシーラントを含む。ここで、外部による前記表示部に水分及び湿気が流入されることを防止するために、前記シーラントとしてフリットが用いられる。
上記の平板表示装置がフリットを用いて第１基板及び第２基板を結合する場合、外部からの所定映像を表示するための映像信号、パネルテストのためのテスト信号及び有機層エージングのためのエージング信号を表示部に伝達するための信号配線が所定領域で前記フリットと重畳するが、前記フリットと信号配線間の接着力はフリットと他の絶縁膜間の接着力よりも相対的に弱く、前記信号配線端部から急激な形状変化が発生して、フリットと接着面自体が変化し前記フリットと信号配線との間に発生する応力に非常に脆弱となるため、前記信号配線端部での前記フリット剥離が起きやすいという問題点がある。
本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するためのものであって、フリットが重畳される領域において、前記信号配線とフリットとの間で発生する応力を分散させ、前記フリットの剥離現象を低減する平板表示装置及びその製造方法を提供することに本発明の目的がある。
本発明の前記目的は、所定映像を表示するための表示部及び前記表示部の外側に位置する周辺部を含む第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記周辺部に位置し、前記第１基板と第２基板を結合させるためのフリットと、一部領域で前記フリットと重畳され、外部から前記表示部に信号を伝達するための信号配線とを含み、前記一部領域に位置する前記信号配線端部は複数のパターンが形成されることを特徴とする平板表示装置によって達成することができる。
また、本発明の上記目的は、表示部及び周辺部を含む第１基板を提供する工程と、前記第１基板に対向する第２基板を提供する工程と、外部からの前記表示部に信号を伝達するための信号配線を形成する工程と、前記周辺部の一部領域に位置する前記信号配線の一側または両端部に複数のパターンを形成する工程と、前記一部領域で前記信号配線と重畳されるようにフリットを塗布し、前記第１基板と第２基板とを結合する工程とを含む平板表示装置の製造方法によって達成することができる。
したがって、本発明による平板表示装置及びその製造方法は、フリットと重畳する領域に位置する信号配線端部に複数のパターンを形成し、前記フリットと信号配線との間で発生する応力を分散させることで、前記フリットの剥離現象を低減する効果を有する。
本発明の目的と技術的構成及びその作用効果に関する詳しい事項は本発明の好適な実施例を示す図面を参照しながら以下の詳細な説明によってさらに明確に理解することができる。また、説明の都合上、図面において、層及び領域の厚みは誇張されており、明細書の全体において同一の参照番号は、同一の構成要素を示す。
（実施例）
図１は本発明の実施例に係る平板表示装置を示す平面図であり、図２は図１の切断線Ｉ−Ｉ’による断面図である。
図１及び図２に示すように、本発明の実施例に係る平板表示装置は、所定映像を表示するための表示部Ｄ及び前記表示部Ｄの外側に位置する周辺部Ｅを含む第１基板１００、前記第１基板１００に対向する第２基板２００、前記周辺部Ｅに位置し、前記第１基板１００と第２基板２００とを結合させるためのフリット３００及び一部領域で前記フリット３００と重畳し、外部からの前記表示部Ｄに表示するための映像信号、パネルテストのためのテスト信号及び有機層エージングのためのエージング信号などを伝達するための信号配線３１０を含む。
図１は本発明の実施例に係る平板表示装置を示す平面図であり、図２は図１の切断線Ｉ−Ｉ’による断面図である。
図１及び図２に示すように、本発明の実施例に係る平板表示装置は、所定映像を表示するための表示部Ｄ及び前記表示部Ｄの外側に位置する周辺部Ｅを含む第１基板１００、前記第１基板１００に対向する第２基板２００、前記周辺部Ｅに位置し、前記第１基板１００と第２基板２００とを結合させるためのフリット３００及び一部領域で前記フリット３００と重畳し、外部からの前記表示部Ｄに表示するための映像信号、パネルテストのためのテスト信号及び有機層エージングのためのエージング信号などを伝達するための信号配線３１０を含む。
ここで、本発明の実施例に係る平板表示装置は、前記第１基板１００の周辺部Ｅとフリット３００との間に前記信号配線３１０が位置することで説明しているが、前記信号配線３１０は前記フリット３００と第２基板２００との間に位置することもでき、前記フリット３００と第１基板１００及び第２基板２００との間にすべて位置することもできる。
また、前記フリットは、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、Ｂ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ５、ＺｎＯ、ＴｅＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＰｂＯ、ＳｎＯ、Ｐ２Ｏ５、Ｒｕ２Ｏ、Ｒｈ２Ｏ、Ｆｅ２Ｏ３、ＣｕＯ、ＴｉＯ２、ＷＯ３、Ｂｉ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、ホウ酸塩ガラス(lead−borate glass)、リン酸スズガラス（tin-phosphate glass）、バナジウム酸ガラス(Vanadate glass)及び硼硅酸ガラス(borosilicate glass)からなる群から選択された１つまたは複数の物質で形成される。
前記表示部Ｄは前記信号配線３１０を介して伝達された映像信号によって所定映像を表示するための部分であって、本発明の図２に示すように、半導体層１２０、ゲート電極１３５及びソース／ドレイン電極１５２を含む薄膜トランジスタ、及び下部電極１６０、上部電極１９０及び前記下部電極１６０と上部電極１９０間に位置する１つまたは複数の発光層（図示せず）を備える有機発光素子を含む有機電界発光表示素子が形成されているが、液晶を含むディスプレイ素子またはプラズマを用いるディスプレイ素子で形成することもできる。
図１及び図２に示すように、本発明の実施例に係る平板表示装置の信号配線を形成する方法を次に説明する。まず、所定映像を表示するための表示部Ｄ及び前記表示部Ｄの外側に位置する周辺部Ｅを含み、ガラスや合成樹脂、ステンレススチールなどの材質からなる第１基板１００上に、バッファ層１１０を形成する。前記バッファ層１１０は、後続工程で形成する非晶質シリコンの結晶化時に前記第１基板１００内の不純物が拡散されることを防止する。
次いで、前記バッファ層１１０の上部に非晶質シリコン層（図示せず）を積層した後、前記非晶質シリコン層を多結晶シリコン層（図示せず）に結晶化し、前記多結晶シリコン層をパターニングして半導体層１２０を形成する。ここで、前記非晶質シリコン層の結晶化は、固相結晶化法(Solid Phase Crystallization)、レーザー結晶化法(Laser Crystallization)、ＳＧＳ結晶化(Super Grain Silicon Crystallization)、金属誘導結晶化法(Metal Induced Crystallization)及び金属誘導側面結晶化法(Metal Induced Lateral Crystallization)のうちいずれか１つとすることができる。
次いで、前記半導体層１２０を含む第１基板１００上にゲート絶縁膜１３０が積層される。ここで、前記ゲート絶縁膜１３０はシリコン酸化膜ＳｉＯ２、シリコン窒化膜ＳｉＮｘまたはその積層構造を用いて形成することができる。
次いで、前記ゲート絶縁膜１３０上部に、アルミニウム(Ａｌ)またはアルミニウム−ネオジム(Ａｌ−Ｎｄ)のようなアルミニウム合金の単一層や、クロム(Ｃｒ)またはモリブデン(Ｍｏ)合金の上に、アルミニウム合金が多重に積層されたゲート電極用金属層（図示せず）を形成し、前記ゲート電極用金属層を乾式または湿式エッチングして前記半導体層１２０に対応する所定領域にゲート電極１３５を形成する。ここで、前記所定領域は、後工程により形成される前記半導体層１２０のチャンネル領域１２４に対応する領域である。
次いで、前記ゲート電極１３５をマスクとして用いて前記半導体１２０の一部を導電型の不純物にドーピングすることで、前記半導体層１２０のソース／ドレイン領域１２２と前記ソース／ドレイン領域１２２との間に位置する領域がチャンネル領域１２４に形成される。ここで、前記ドーピング工程は、ゲート電極１３５の形成前に、前記第１基板１００上にフォトレジストを形成して行うこともでき、前記チャンネル領域１２４の一部を低濃度の不純物にドーピングして漏洩電流を防止することもできる。
続いて、前記ゲート電極１３５を含む第１基板１００上に層間絶縁膜１４０を形成し、前記層間絶縁膜１４０及びゲート絶縁膜１３０をエッチングしてソース／ドレイン領域１２２の一部を露出させるコンタクトホール１４５を形成する。
次いで、前記コンタクトホール１４５を含む層間絶縁膜１４０上部にモリタングステン(ＭｏＷ)またはアルミニウム−ネオジム(Ａｌ−Ｎｄ)などの導電物質を積層した後、前記導電物質をパターニングして前記コンタクトホール１４５を介してソース／ドレイン領域１２２にそれぞれ接続されるソース／ドレイン電極１５２及び外部からの前記第１基板１００の表示部Ｄに信号を伝達するための信号配線３１０を形成する。
ここで、本発明の実施例は、前記ソース／ドレイン電極１５２とともに前記信号配線３１０を形成しているが、前記信号配線３１０は前記ゲート電極１３５、後続工程で形成される下部電極１６０または上部電極１９０と同時に形成することができ、前記ソース／ドレイン電極１５２、ゲート電極１３５、下部電極１６０及び上部電極１９０のうち２つ以上が積層された構造とすることができる。
続いて、前記周辺部Ｅの所定領域Ａ、Ｂに位置する前記信号配線３１０の端部に、複数のパターン（図示せず）を形成する。ここで、前記所定領域Ａ、Ｂは後続工程を介して前記フリット３００と交差する第１領域Ａ及び一側端部が前記フリット３００と重畳する第２領域Ｂを含み、前記信号配線３１０の幅が前記フリット３００よりも小さい場合、前記フリット３００に平行に配線されて両端部が前記フリット３００と重畳する第３領域（図示せず）をさらに含むことができる。ここで、本発明の実施例は、前記信号配線３１０を形成する工程と前記所定領域Ａ、Ｂに位置する前記信号配線３１０の端部に複数のパターンを形成する工程とをそれぞれ実施するものとして説明しているが、前記２つの工程を同時に実施することもできる。
次に、前記ソース／ドレイン電極１５２を含む前記第１基板１００の表示部Ｄ上に、アクリルなどの有機絶縁膜及びシリコン酸化物などの無機絶縁膜のうちいずれか１つまたは複数を含む平坦化膜１５０を形成し、前記平坦化膜１５０をエッチングして前記ソース／ドレイン電極１５２のうちいずれか１つの一部を露出するビアホール１５５を形成する。
続いて、前記ビアホール１５５を含む平坦化膜１５０上に導電性物質を積層し、前記導電性物質をパターニングして前記ビアホール１５５を介して前記ソース／ドレイン電極１５２のうちいずれか１つに電気的に接続する下部電極１６０を形成する。
次いで、前記下部電極１６０を含む前記第１基板１００の表示部Ｄ上に、前記下部電極１６０の一部を露出して発光領域を定義する画素定義膜１７０を形成する。ここで、前記画素定義膜１７０は、ポリイミド(polyimide)、ベンゾシクロブテン系樹脂(benzocyclobutens series resin)、フェノール系樹脂(phenol resin)及びアクリレート(acrylate)からなる群から選択される１種の物質で形成することができる。
次いで、前記画素定義膜１７０で正義された発光領域、すなわち、前記画素定義膜１７０で露出された前記下部電極１６０の表面に１つまたは複数の発光層（図示せず）を含む有機膜１８０を形成し、前記第１基板１００の表示部Ｄの全体に上部電極１９０を形成し、前記第１基板１００の表示部Ｄが外部信号で所定映像をディスプレイすることができるようにする。
続いて、前記第１基板１００に対向する第２基板２００を、前記周辺部１００に位置するフリット３００を用いて結合させ、前記第１基板１００の表示部Ｄを密封することで、平板表示装置が完成される。
ここで、本発明の実施例は、前記信号配線３１０が前記フリット３００に直接接触するものとして説明しているが、前記信号配線３１０とフリット３００との間の接着力を向上させ、前記フリット３１０の硬化工程時に発生する熱が前記信号配線３１０に沿って前記表示部Ｄに伝達され表示素子が劣化されることを防止するために、前記信号配線３１０とフリット３００との間に無機絶縁膜（図示せず）をさらに形成することができ、前記無機絶縁膜は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘまたはそれらの積層により形成することができる。
図３Ａないし図３Ｇは、図１のＡ領域を拡大した断面図であって、フリットが交差する領域に位置する本発明の実施例に係る平板表示装置の信号配線端部を示す平面図である。
図３Ａないし図３Ｇに示すように、前記フリット３００と交差する第１領域Ａにおいて前記信号配線３１０の端部に形成された複数のパターンＰは、図３Ａ及び図３Ｂに示すように前記信号配線３１０の内側に形成される複数の凹部を有する。前記凹部の断面は、四角形または三角形のような多角形状を有する凹凸状とするか、図３Ｃ、３Ｄ及び３Ｅに示すように前記信号配線３１０の端部から内側方向に所定間隔に凹んでいる第１凹部Ｐ１及び前記信号配線３１０の内側に位置して前記第１凹部Ｐ１に接続され、円形または多角形の形状を有する第２凹部Ｐ２を含む形状とするか、図３Ｆに示すように前記信号配線３１０の端から内側に向かうほど大きくなる形状とするか、及び図３Ｇに示すように前記信号配線３１０の端部に沿って形成される複数の凹凸状とすることができる。
図３Ａないし図３Ｇに示すように、前記フリット３００と交差する第１領域Ａにおいて前記信号配線３１０の端部に形成された複数のパターンＰは、図３Ａ及び図３Ｂに示すように前記信号配線３１０の内側に形成される複数の凹部を有する。前記凹部の断面は、四角形または三角形のような多角形状を有する凹凸状とするか、図３Ｃ、３Ｄ及び３Ｅに示すように前記信号配線３１０の端部から内側方向に所定間隔に凹んでいる第１凹部Ｐ１及び前記信号配線３１０の内側に位置して前記第１凹部Ｐ１に接続され、円形または多角形の形状を有する第２凹部Ｐ２を含む形状とするか、図３Ｆに示すように前記信号配線３１０の端から内側に向かうほど大きくなる形状とするか、及び図３Ｇに示すように前記信号配線３１０の端部に沿って形成される複数の凹凸状とすることができる。
ここで、本発明の図３Ａないし図３Ｇは、前記第１領域Ａにおいて前記信号配線３１０の両端部に、同一の複数パターンＰが対称に形成されることで示してあるが、前記第１領域Ａにおける前記信号配線３１０の両端部は互いに異なった形状のパターンＰが複数個形成され、前記複数のパターンＰが前記信号配線３１０の両端部に非対称に形成されることもできる。
また、前記信号配線３１０の一側端部とフリット３００が重畳する第２領域Ｂ及び前記信号配線３１０とフリット３００とが平行に配線される第３領域に形成される複数のパターンＰは、前述した前記フリット３００と信号配線３１０の第１領域Ａに形成されるパターンＰのうちいずれか１つとすることができ、前記第１領域Ａに形成された複数のパターンＰと前記第２領域Ｂ及び第３領域に形成された複数のパターンＰは同一形状とすることができる。
下記の表１は、フリットと信号配線との交差領域において、信号配線端部が複数のパターンを有する場合と複数のパターンを有しない場合における、フリットと信号配線との間の剥離率を示す表である。
前記表１に示すように、フリットと信号配線の交差領域において、信号配線端部に複数のパターンが形成された場合は、複数のパターンが形成されない場合と比べて、剥離率が著しく減少していることがわかる。
結果的に、本発明の実施例に係る平板表示装置及びその製造方法は、第１基板及び第２基板を結合するためのフリットと重畳する領域に位置する信号配線端部に複数のパターンを形成することで、前記信号配線とフリットとの間で発生する応力を分散させることができ、信号配線とフリットとの間の剥離を低減することができる。
１００ 第１基板
１２０ 半導体層
１３５ ゲート電極
１５２ ソース／ドレイン電極
１６０ 下部電極
１９０ 上部電極
２００ 第２基板
３００ フリット
３１０ 信号配線
１２０ 半導体層
１３５ ゲート電極
１５２ ソース／ドレイン電極
１６０ 下部電極
１９０ 上部電極
２００ 第２基板
３００ フリット
３１０ 信号配線
Claims (20)
- 所定映像を表示するための表示部及び前記表示部の外側に位置する周辺部を含む第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記周辺部に位置し、前記第１基板と第２基板とを結合させるためのフリットと、
一部領域で前記フリットに重畳し、外部からの前記表示部に信号を伝達するための信号配線と、を含み、
前記一部領域に位置する前記信号配線端部は、複数のパターンが形成されていることを特徴とする平板表示装置。 - 前記一部領域のうち前記フリットと前記信号配線とが交差する領域に位置する信号配線は、両端部に互いに異なった形状に複数のパターンを形成することを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
- 前記一部領域のうち前記フリットと前記信号配線とが交差する領域に位置する信号配線は、両端部に対称に複数のパターンが形成されていることを特徴とする請求項２に記載の平板表示装置。
- 前記複数のパターンは、凹凸状であることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
- 前記複数のパターンは、前記信号配線端部に位置する複数の凹部であることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
- 前記凹部は、前記信号配線端部から内側に向かうほど大きくなることを特徴とする請求項５に記載の平板表示装置。
- 前記凹部は、前記信号配線端部から内側方向に所定間隔で凹む第１凹部及び前記信号配線の内側に位置して前記第１凹部に接続し、円形または多角形の形状を有する第２凹部を含むことを特徴とする請求項５に記載の平板表示装置。
- 前記信号配線は、前記第１基板及び第２基板のうちいずれか１つまたは両方に形成されることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
- 前記表示部は、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と第２電極との間に位置する１つまたは複数の発光層を含む有機発光素子を含むことを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
- 前記信号配線は、前記第１電極または第２電極と同一物質で形成されることを特徴とする請求項９に記載の平板表示装置。
- 前記表示部は、半導体層、ゲート電極及びソース／ドレイン電極を含む薄膜トランジスタを含むことを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
- 前記信号配線は、前記ゲート電極またはソース／ドレイン電極と同一物質で形成されることを特徴とする請求項１１に記載の平板表示装置。
- 前記フリットと信号配線との間に位置する無機膜層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
- 前記フリットは、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、Ｂ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ５、ＺｎＯ、ＴｅＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＰｂＯ、ＳｎＯ、Ｐ２Ｏ５、Ｒｕ２Ｏ、Ｒｈ２Ｏ、Ｆｅ２Ｏ３、ＣｕＯ、ＴｉＯ２、ＷＯ３、Ｂｉ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、ホウ酸鉛ガラス、リン酸スズガラス、バナジウム酸ガラス及び硼硅酸ガラスからなる群から選択された１つまたは複数の物質を形成することを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
- 表示部及び周辺部を含む第１基板を提供する工程と、
前記第１基板に対向する第２基板を提供する工程と、
外部からの前記表示部に信号を伝達するための信号配線を形成する工程と、
前記周辺部の一部領域に位置する前記信号配線の一側または両端部に複数のパターンを形成する工程と、
前記一部領域で前記信号配線に重畳するようにフリットを塗布し、前記第１基板と第２基板とを結合する工程と、
を含むことを特徴とする平板表示装置の製造方法。 - 前記表示部に、半導体層、ゲート電極及びソース／ドレイン電極を含む薄膜トランジスタを形成し、
前記信号配線を前記ゲート電極またはソース／ドレイン電極と同時に形成することを特徴とする請求項１５に記載の平板表示装置の製造方法。 - 前記表示部に、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と第２電極との間に位置する１つまたは複数の発光層を含む有機発光素子を形成し、
前記信号配線を前記第１電極または第２電極と同時に形成することを特徴とする請求項１５に記載の平板表示装置の製造方法。 - 前記信号配線を前記第１基板及び第２基板のうちいずれか１つまたは両方に形成することを特徴とする請求項１５に記載の平板表示装置の製造方法。
- 前記一部領域のうち前記フリットと信号配線とが互いに交差する領域に位置する信号配線は、両端部に互いに異なった形状に複数のパターンを形成することを特徴とする請求項１５に記載の平板表示装置の製造方法。
- 前記一部領域のうち前記フリットと信号配線とが互いに交差する領域に位置する信号配線は、両端部に対称に複数のパターンを形成することを特徴とする請求項１５に記載の平板表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090066478A KR20110008918A (ko) | 2009-07-21 | 2009-07-21 | 평판표시장치 및 그의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011028210A true JP2011028210A (ja) | 2011-02-10 |
Family
ID=43496679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009291173A Pending JP2011028210A (ja) | 2009-07-21 | 2009-12-22 | 平板表示装置及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8368302B2 (ja) |
| JP (1) | JP2011028210A (ja) |
| KR (1) | KR20110008918A (ja) |
| CN (1) | CN101964161A (ja) |
| TW (1) | TWI456545B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013045629A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2017167477A (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| JP2020511683A (ja) * | 2017-03-22 | 2020-04-16 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Ｂｏｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｒｏｕｐ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 封止構造、表示パネル、表示装置及びその製造方法 |
| JP2021180181A (ja) * | 2011-11-28 | 2021-11-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 封止体および発光装置 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101797703B1 (ko) | 2011-03-04 | 2017-11-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 이를 포함하는 휴대용 정보 기기 |
| KR102001815B1 (ko) * | 2011-11-29 | 2019-07-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 밀봉체의 제작 방법 및 발광 장치의 제작 방법 |
| CN103365121B (zh) * | 2012-03-29 | 2018-10-02 | 东友精细化工有限公司 | 抗蚀剂剥离组合物及利用该抗蚀剂剥离组合物剥离抗蚀剂的方法 |
| KR102295536B1 (ko) | 2014-07-25 | 2021-08-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 모듈, 디스플레이 디바이스 및 그 제조방법 |
| CN105185810A (zh) | 2015-08-07 | 2015-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置 |
| KR102568631B1 (ko) | 2016-04-15 | 2023-08-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN106402770A (zh) * | 2016-08-29 | 2017-02-15 | 嘉兴海拉灯具有限公司 | 一种车前大灯及具有该车前大灯的车辆 |
| CN109728195B (zh) * | 2018-12-29 | 2021-05-18 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007115692A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
| JP2007200840A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
| JP2007200835A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
| JP2007220647A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6111357A (en) | 1998-07-09 | 2000-08-29 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent display panel having a cover with radiation-cured perimeter seal |
| US6900590B2 (en) * | 2000-10-17 | 2005-05-31 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic electroluminescent device having non-continuous metal auxiliary electrodes |
| SG126714A1 (en) * | 2002-01-24 | 2006-11-29 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| ITVI20020050A1 (it) | 2002-03-20 | 2003-09-22 | Cartigliano Off Spa | Metodo ed impianto per l'allargatura ed asciugatura graduale continuadi pelli industriali e prodotti similari |
| JP4001066B2 (ja) * | 2002-07-18 | 2007-10-31 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、配線基板及び電子機器 |
| KR100499510B1 (ko) * | 2003-04-16 | 2005-07-07 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ디스플레이 패널의 제조방법 |
| JP4741177B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2011-08-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
| US7764012B2 (en) * | 2004-04-16 | 2010-07-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Light emitting device comprising reduced frame portion, manufacturing method with improve productivity thereof, and electronic apparatus |
| US7247529B2 (en) * | 2004-08-30 | 2007-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
| KR100711889B1 (ko) | 2005-07-18 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100712185B1 (ko) | 2006-01-25 | 2007-04-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100688796B1 (ko) * | 2006-01-25 | 2007-03-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제작 방법 |
| KR100639006B1 (ko) | 2006-01-26 | 2006-10-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 |
| KR100703445B1 (ko) | 2006-02-20 | 2007-04-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 |
| KR100703518B1 (ko) | 2006-02-14 | 2007-04-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제작 방법 |
| JP4795127B2 (ja) | 2006-06-06 | 2011-10-19 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP2008203761A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
| KR101576813B1 (ko) * | 2007-08-17 | 2015-12-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| JP2009134274A (ja) * | 2007-10-30 | 2009-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置の作製方法 |
-
2009
- 2009-07-21 KR KR1020090066478A patent/KR20110008918A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-12-22 JP JP2009291173A patent/JP2011028210A/ja active Pending
-
2010
- 2010-07-20 US US12/839,646 patent/US8368302B2/en active Active
- 2010-07-20 TW TW099123770A patent/TWI456545B/zh active
- 2010-07-21 CN CN2010102355255A patent/CN101964161A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007115692A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
| JP2007200840A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
| JP2007200835A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
| JP2007220647A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013045629A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| KR20130023099A (ko) * | 2011-08-24 | 2013-03-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 |
| US9633871B2 (en) | 2011-08-24 | 2017-04-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| KR101928718B1 (ko) * | 2011-08-24 | 2018-12-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 |
| JP2021180181A (ja) * | 2011-11-28 | 2021-11-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 封止体および発光装置 |
| JP7254121B2 (ja) | 2011-11-28 | 2023-04-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置および発光モジュール |
| JP2017167477A (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| JP2020511683A (ja) * | 2017-03-22 | 2020-04-16 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Ｂｏｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｒｏｕｐ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 封止構造、表示パネル、表示装置及びその製造方法 |
| JP6992950B2 (ja) | 2017-03-22 | 2022-01-13 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | 封止構造、表示パネル、表示装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8368302B2 (en) | 2013-02-05 |
| US20110018430A1 (en) | 2011-01-27 |
| CN101964161A (zh) | 2011-02-02 |
| KR20110008918A (ko) | 2011-01-27 |
| TW201106313A (en) | 2011-02-16 |
| TWI456545B (zh) | 2014-10-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111213 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111214 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120515 |