JP7253644B2 - 撮像モジュールおよびそのモールド感光アセンブリ並びに製造方法および電子機器 - Google Patents

撮像モジュールおよびそのモールド感光アセンブリ並びに製造方法および電子機器 Download PDF

Info

Publication number
JP7253644B2
JP7253644B2 JP2022017544A JP2022017544A JP7253644B2 JP 7253644 B2 JP7253644 B2 JP 7253644B2 JP 2022017544 A JP2022017544 A JP 2022017544A JP 2022017544 A JP2022017544 A JP 2022017544A JP 7253644 B2 JP7253644 B2 JP 7253644B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photosensitive
mold
imaging module
light
molded
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2022017544A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022070925A (ja
Inventor
明珠 王
武彦 田中
楠 郭
振宇 ▲陳▼
波杰 ▲趙▼
Original Assignee
▲寧▼波舜宇光▲電▼信息有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ▲寧▼波舜宇光▲電▼信息有限公司 filed Critical ▲寧▼波舜宇光▲電▼信息有限公司
Publication of JP2022070925A publication Critical patent/JP2022070925A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7253644B2 publication Critical patent/JP7253644B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14467—Joining articles or parts of a single article
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/45—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from two or more image sensors being of different type or operating in different modes, e.g. with a CMOS sensor for moving images in combination with a charge-coupled device [CCD] for still images
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50—Constructional details
    • H04N23/55—Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/57—Mechanical or electrical details of cameras or camera modules specially adapted for being embedded in other devices
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2031/00—Other particular articles
    • B29L2031/34—Electrical apparatus, e.g. sparking plugs or parts thereof
    • B29L2031/3481—Housings or casings incorporating or embedding electric or electronic elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50—Constructional details
    • H04N23/54—Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Studio Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Blocking Light For Cameras (AREA)

Description

本発明は光学結像分野に係るものであり、特に、撮像モジュールおよびそのモールド感光アセンブリ並びに製造方法および電子機器に関するものである。
従来のモールディング、特にＭＯＣ（Ｍｏｌｄｉｎｇ ｏｎ Ｃｈｉｐ）では、金型による損傷や他の物質による汚染を避けるために、チップの感光領域を厳密に保護する必要があるが、実際の製造では、欠陥が発生することは避けられず、最終的には製品の廃棄とコスト損失を引き起こしてしまう。
従来のモールディングで使用されるモールディング材料は、不透明な材料である場合が多く、通常は黒色である。従来の射出成形プロセスでは、ナイロン、ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ、液晶高分子重合体）、ＰＰ（Ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ、ポリプロピレン）などが使用され、成形プロセスでは一般的に樹脂が使用される。これらの不透明材料で作られたモールド感光アセンブリは、チップの感光領域の保護を実現できる一方、モールド感光アセンブリおよび撮像モジュールを製造する際に構造とプロセスでは多く制限され、特に、チップの感光領域の上方の光窓を形成するための貫通孔が必要となる。製造された製品の信頼性を改善する必要があり、環境に対する要求も高く、劣悪な環境では損傷または汚染されて製品の信頼性が影響されてしまう。
本発明の一つの目的は、撮像モジュールおよびそのモールド感光アセンブリ並びに製造方法および電子機器を提供することであり、該モールド感光アセンブリの少なくとも一つのモールド部のモールド部本体は透明材料からなるものである。
本発明のもう一つの目的は、撮像モジュールおよびそのモールド感光アセンブリ並びに製造方法および電子機器を提供することであり、該モールド部本体の外表面に少なくとも一つの遮光層が設置されており、該遮光層の大きさと寸法を調整することにより、光入射窓の大きさ、位置、形などの特性をすばやく調整することができ、従来方法で光入射窓を調整するために金型を作ってトライアルをする複雑な工程を省ける。
本発明のもう一つの目的は、撮像モジュールおよびそのモールド感光アセンブリ並びに製造方法および電子機器を提供することであり、少なくとも一つのフィルター素子を前記モールド感光アセンブリの少なくとも一つの感光チップの少なくとも一つの感光領域の上方に直接に貼設することができ、前記フィルター素子を調整する代わりに、前記遮光層の大きさと寸法を調整することができる。
本発明のもう一つの目的は、撮像モジュールおよびそのモールド感光アセンブリ並びに製造方法および電子機器を提供することであり、前記モールド部は、前記感光チップおよび前記モールド感光アセンブリの少なくとも一つの回路基板を完全に覆うことができ、前記感光領域を保護するステップが省かれ、コストを削減すると同時に歩留まりと効率を高めることができる。
本発明のもう一つの目的は、撮像モジュールおよびそのモールド感光アセンブリ並びに製造方法および電子機器を提供することであり、前記撮像モジュールの信頼性はさらに向上し、仮に半製品であっても比較的に劣悪な環境で使用でき、汚れや軽微な損傷なら直接に拭き取ってきれいに洗えばよく、または、プラズマプロセスや研磨などの物理的手段によって透明材料の表面層を除去すればよい。
本発明のもう一つの目的は、撮像モジュールおよびそのモールド感光アセンブリ並びに製造方法および電子機器を提供することであり、モールディングに必要な金型の加工困難性および時間は大幅に低下するとともに、製造時の材料充填の難しさも明らかに低下し、効率は改善されると同時にコストは削減される。
本発明のもう一つの目的は、撮像モジュールおよびそのモールド感光アセンブリ並びに製造方法および電子機器を提供することであり、前記感光チップの上方の前記モールド部本体の異なる厚さおよび異なる材料、ひいては異なる表面形状を調整することにより、異なる光学性能を得ることができる。これは、透明材料全体およびその上方のレンズは互いに一つの巨大なレンズ群を形成したことに相当し、レンズ設計により多くの設計スペースを提供し、最終的には組み立てられた前記撮像モジュールによりよい光学性能とより小さい外形寸法をもたらすことができる。
本発明のもう一つの目的は、撮像モジュールおよびそのモールド感光アセンブリ並びに製造方法および電子機器を提供することであり、前記モールド部の少なくとも一つの光通過領域は、少なくとも一つのフィルター層または少なくとも一つの光反射層を覆う。これにより、よりよい透過率を得ることができ、しかもフィルタリング効率を高めることができる。
本発明のもう一つの目的は、撮像モジュールおよびそのモールド感光アセンブリ並びに製造方法および電子機器を提供することであり、これにより、光の反射、フラッシュ（ｆｌａｓｈ）、迷光を減少させることができる。
本発明の上記少なくとも一つの目的を実現するために、本発明は、少なくとも一つの撮像モジュールに適用されるモールド感光アセンブリを提供し、該モールド感光アセンブリは、
透明材料からなる一つのモールド部本体を含む少なくとも一つのモールド部と、
少なくとも一つの感光チップと、
前記感光チップが設置されている少なくとも一つの回路基板とを含み、
モールド成型工程によって、前記モールド部の前記モールド部本体、前記感光チップ、および前記回路基板は一体構造に形成されている。
一部の実施形態では、前記モールド感光アセンブリは、少なくとも一つの遮光層をさらに含み、前記モールド部本体は、前記感光チップと前記回路基板とを完全に覆い、前記遮光層は、前記モールド部本体の外表面の一部を被覆し、しかも前記モールド部本体の上端に少なくとも一つの光通過領域が形成され、該光通過領域と前記感光チップとは対応して前記感光チップに光路を提供する。
一部の実施形態では、前記モールド部の前記光通過領域は、少なくとも一つのフィルター層または少なくとも一つの光反射層により覆われる。
一部の実施形態では、前記フィルター層の縁または前記光反射層の縁と前記遮光層の縁とが重なって設置されている。
一部の実施形態では、前記モールド部の前記モールド部本体の上端は、前記モールド部本体の上表面がへこんで形成する少なくとも一つの凹溝を備え、前記凹溝に前記光通過領域が設置されている。
一部の実施形態では、前記モールド部は、前記モールド部本体の周囲部が上方に延びて形成される少なくとも一つのレンズ取付部をさらに含み、前記レンズ取付部と前記モールド部本体は一体成形され接続されている。
一部の実施形態では、前記モールド部の上端は平面状であり、すなわち、前記モールド部本体の上表面は平坦であり、前記モールド部本体の平坦な上表面に前記光通過領域は画定される。
一部の実施形態では、前記モールド部は前記感光チップを完全に覆う。
一部の実施形態では、前記モールド部本体は前記光透過素子の外周側および底部を包囲しており、前記光透過素子の上表面と前記モールド部の上表面とは同じ平面にある。
一部の実施形態では、前記感光チップと前記回路基板を電気的に接続する少なくとも一つの接続ワイヤをさらに含み、前記モールド部は前記接続ワイヤを覆う。
一部の実施形態では、前記回路基板に設置される少なくとも一つの電子部品をさらに含み、前記モールド部は前記電子部品を覆う。
一部の実施形態では、前記モールド部は、少なくとも一つのモールド部本体と、前記モールド部本体の外表面の一部を覆う少なくとも一つの遮光層とをさらに含み、前記モールド部本体には、前記感光チップに光路を提供するように前記感光チップと対応する少なくとも一つの貫通孔が形成される。
一部の実施形態では、前記貫通孔の底部は、下から上に向かって徐々に大きくなる傾斜状を呈する。
一部の実施形態では、前記モールド感光アセンブリは、一つの光透過素子をさらに含み、前記モールド部は、光をフィルタリングするために前記貫通孔に前記光透過素子を支持する。
一部の実施形態では、前記モールド部の上端は、少なくとも一つの撮像モジュールのレンズ、駆動器、またはフィルター素子を取り付けることに適する。
一部の実施形態では、前記モールド部の上端は一つの取付溝を有し、前記取付溝は、少なくとも一つの撮像モジュールのフィルター素子、レンズ、または駆動器を取り付けるように前記貫通孔と連通する。
一部の実施形態では、前記回路基板に設置される少なくとも一つの電子部品をさらに含み、前記モールド部は前記電子部品を覆う。
一部の実施形態では、前記感光チップと前記回路基板を電気的に接続する少なくとも一つの接続ワイヤをさらに含み、前記モールド部は前記接続ワイヤの一部または全部を覆う。
一部の実施形態では、前記感光チップは一つの感光領域と一つの非感光領域を含み、前記非感光領域は前記感光領域の周囲を囲み、前記モールド部は前記感光チップの前記非感光領域を覆う。
一部の実施形態では、前記モールド部は少なくとも一つのレンズ取付部をさらに含み、前記レンズ取付部と前記モールド部本体は一体成形され接続されている。
本発明のもう一方において、少なくとも一つのレンズと、一つ以上の前記モールド感光アセンブリとを含む撮像モジュールが提供され、前記レンズは、前記モールド感光アセンブリの前記感光チップの光学経路に位置する。
一部の実施形態では、前記モールド部に支持され、しかも前記レンズと前記モールド感光アセンブリとの間に設置される少なくとも一つのフィルター素子をさらに含む。
一部の実施形態では、前記感光チップに貼設される少なくとも一つのフィルター素子をさらに含む。
一部の実施形態では、前記撮像モジュールは、固定焦点撮像モジュールまたはズーム撮像モジュールである。
一部の実施形態では、前記モールド感光アセンブリは、前記回路基板に設置される一つの支持素子をさらに含む。
一部の実施形態では、前記モールド部は前記支持素子の外側辺を包埋する。
一部の実施形態では、前記支持素子は前記接続ワイヤを包埋する。
本発明のもう一方において、本発明は、少なくとも一つのレンズと、一つ以上の前記モールド感光アセンブリとを含む撮像モジュールを提供し、前記レンズは、前記モールド感光アセンブリの前記感光チップの光学経路に位置し、前記モールド感光アセンブリの前記モールド部と前記レンズは、前記撮像モジュールの少なくとも一つのレンズ群を形成する。
本発明のもう一方において、本発明は、一つ以上の前記撮像モジュールを含む電子機器を提供し、前記撮像モジュールのそれぞれは、画像を取得するために使用される。
本発明のもう一方において、本発明は、少なくとも二つのレンズと、少なくとも二つの前記モールド感光アセンブリとを含むアレイ撮像モジュールを提供し、各前記レンズは、各モールド感光アセンブリの各感光チップの光学経路に位置する。
一部の実施形態では、少なくとも二つのフィルター素子をさらに含み、各前記フィルター素子は各モールド部に支持され、しかも各前記レンズと各前記モールド感光アセンブリとの間に設置される。
一部の実施形態では、少なくとも二つのフィルター素子をさらに含み、各前記フィルター素子は各前記感光チップに貼設される。
一部の実施形態では、各前記撮像モジュールは、固定焦点撮像モジュールまたはズーム撮像モジュールである。
本発明のもう一方において、本発明は、少なくとも二つのレンズと、二つの前記モールド感光アセンブリとを含むアレイ撮像モジュールを提供し、各前記レンズは、各前記モールド感光アセンブリの各前記感光チップの光学経路に位置し、複数の前記モールド感光アセンブリの前記モールド部は一体成形されている。
本発明のもう一方において、本発明は、少なくとも一つの前記撮像モジュールと、少なくとももう一つの前記撮像モジュールとを含むアレイ撮像モジュールを提供し、前記撮像モジュールともう一つの前記撮像モジュールとは並列して設置され、隣接する二つの撮像モジュールは前記モールドにより一体成形され接続される。
一部の実施形態では、隣接する前記回路基板は連接して一体化された回路基板を形成する。
一部の実施形態では、隣接する前記回路基板は間隔を置いて設置され、前記モールド部は隣接する前記回路基板の間隔を充填して隣接する前記回路基板を一体成形接続する。
一部の実施形態では、隣接する前記光透過素子は連接して一体構造に形成される。
本発明のもう一方において、本発明は、
少なくとも二つのレンズと、
少なくとも二つの感光チップと、
前記感光チップが電気的に接続されて貼設される少なくとも一つの回路基板と、
透明材料からなる一つのジョイントモールド部と
を含むアレイ撮像モジュールであって、前記レンズは、対応する前記感光チップの感光経路に保持され、モールド成型工程によって、前記ジョイントモールド部、前記回路基板、および前記感光チップは一体化構造に形成されている、アレイ撮像モジュールを提供する。
本発明のもう一方において、本発明は、一つ以上の前記アレイ撮像モジュールを含む電子機器を提供し、アレイ撮像モジュールのそれぞれは、画像を取得するために使用される。
図１は、本発明の一つの好ましい実施形態の撮像モジュールおよびそのモー ルド感光アセンブリ並びに製造方法および電子機器の立体模式図である。 図２は、本発明の上記実施形態の前記モールド感光アセンブリの製造模式図 である。 図３は、本発明の上記実施形態の前記モールド感光アセンブリの製造模式図 である。 図４は、本発明の上記実施形態の前記撮像モジュールの立体模式図である。 図５は、本発明の上記実施形態の前記モールド感光アセンブリのもう一つの 変形実施形態の立体模式図である。 図６は、本発明の上記実施形態の電子機器のブロック模式図である。 図７は、上記電子機器の立体模式図である。 図８は、本発明の上記実施形態の前記モールド感光アセンブリに基づくもう 一つの実施形態の立体模式図である。 図９は、本発明の上記実施形態の前記モールド感光アセンブリに基づくもう 一つの実施形態の立体模式図である。 図１０は、本発明の上記実施形態の前記モールド感光アセンブリに基づく もう一つの実施形態の立体模式図である。 図１１は、本発明の上記実施形態の前記モールド感光アセンブリに基づく もう一つの実施形態の立体模式図であるである。 図１２は、本発明の上記実施形態の前記モールド感光アセンブリに基づく もう一つの実施形態の立体模式図であるである。 図１３は、本発明の上記実施形態の前記モールド感光アセンブリに基づく もう一つの実施形態の立体模式図であるである。 図１４は、本発明の上記実施形態の前記モールド感光アセンブリに基づく もう一つの実施形態の立体模式図であるである。 図１５は、本発明の上記実施形態の前記撮像モジュールに基づくもう一つ の実施形態の立体模式図であるである。 図１６は、本発明の一つの実施形態のアレイ撮像モジュールの立体模式図 であるである。 図１７は、本発明の上記実施形態の前記アレイ撮像モジュールに基づくも う一つの実施形態の立体模式図であるである。 図１８は、本発明の上記実施形態の前記アレイ撮像モジュールに基づくも う一つの実施形態の立体模式図であるである。 図１９は、本発明の上記実施形態の前記アレイ撮像モジュールに基づくも う一つの実施形態の立体模式図であるである。 図２０は、本発明の上記実施形態の前記アレイ撮像モジュールに基づくも う一つの実施形態の立体模式図であるである。 図２１は、本発明の上記実施形態の前記アレイ撮像モジュールに基づくも う一つの実施形態の立体模式図であるである。 図２２は、本発明の上記実施形態の前記アレイ撮像モジュールに基づくも う一つの実施形態の立体模式図であるである。 図２３は、本発明の上記実施形態の前記アレイ撮像モジュールに基づくも う一つの実施形態の立体模式図であるである。 図２４は、本発明の上記実施形態の前記アレイ撮像モジュールに基づくも う一つの実施形態の立体模式図であるである。 図２５は、本発明の上記実施形態の前記アレイ撮像モジュールに基づくも う一つの実施形態の立体模式図であるである。 図２６は、本発明の上記実施形態の前記アレイ撮像モジュールに基づくも う一つの実施形態の立体模式図であるである。 図２７は、本発明の上記実施形態の前記アレイ撮像モジュールに基づくも う一つの実施形態の立体模式図であるである。 図２８は、本発明の上記実施形態の前記アレイ撮像モジュールに基づくも う一つの実施形態の立体模式図であるである。
以下の記載は本発明を開示して当業者が本発明を実現できるようにするものである。以下に記載の好ましい実施例は例示に過ぎず、当業者は他の明らかな変化形に容易に想到できる。以下の記載において定義された本発明の基本的な原理は他の実施形態、変形形態、改善形態、均等形態及び本発明の趣旨と範囲から離脱しない他の技術構成に応用できる。
当業者は以下のように理解できる。本発明の開示において、用語の「縦方向」、「横方向」、「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「垂直」、「水平」、「頂」、「底」、「内」、「外」等が示す方位または位置関係は図面に示された方位または位置関係に基づくもので、本発明を説明しやすく及び簡単に説明するためのものであり、対象の装置または素子が必然的に特定の方位、特定の方位のある構造及び操作を示しまたは示唆するものではなく、このため、前記用語は本発明に対する制限と理解することはできない。
以下のように理解できる。用語の「一」は「少なくとも一つの」または「一つまたは複数の」と理解すべきであり、即ち一つの実施形態において、一つの素子の数量は一つとすることができ、他の実施形態において、該素子の数量は複数とすることができ、用語「一」は数量に対する制限と理解してはならない。
図１から図４に示すように、本発明の一つの好ましい実施形態のモールド感光アセンブリと撮像モジュールは説明されている。モールド感光アセンブリ１０は、前記撮像モジュールの組立製造に用いられ、モールド感光アセンブリ１０は、一つのモールド部１１と一つの感光部１２とを含む。モールド部１１は感光部１２と一体成形接続されている。前記モールド部１１の一つのモールド部本体１１１は透明材料からなり、モールド部本体１１１の表面に遮光層、光反射層、または光透過素子などを形成するために感光部１２の表面を完全に覆うことができる。
本発明のモールド部本体１１１は透明材料からなり、使用される透明材料として、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリ４－メチルペンテン－１、ポリアクリレート、透明エポキシ樹脂、ＡＰＯ樹脂、ＺＥＯＮＥＸ樹脂、ＡＲＴＯＮ樹脂などが挙げられる。前記透明材料のタイプは単なる例であり、実施可能なその他の透明材料であってよく、本発明はこの点において限定されていないことを当業者は理解するであろう。
感光部１２は、一つの感光チップ１２１と一つの回路基板１２２とを含み、感光チップ１２１は回路基板１２２の上に設置されている。本発明のこの実施形態によって、感光チップ１２１は回路基板１２２に成形接続されている。つまり、本発明のこの好ましい実施形態では、透明材料からなるモールド部本体１１１は、チップに成形される方法、すなわちＭＯＣというモールディング方法により感光部１２にモールディングされて感光チップ１２１は回路基板１２２に貼設されるようにする。ＭＯＣモールディング方法の基本概念および基本プロセスは、当業者に知られているので、ここでは説明しない。
感光部１２はさらに、一つの接続ワイヤ１２３および一つの電子部品１２４を含む。接続ワイヤ１２３は、感光チップ１２１と回路基板１２２に電気的に接続されている。本発明の各実施形態では、ワイヤ１２３は、金線、銅線、アルミニウム線、および銀線などとして具体的に実施可能である。なお、接続ワイヤ１２３が金線、銅線、アルミニウム線、および銀線などとして実施されることは、ただ例示に過ぎず、本発明はその他の実施形態ではその他の合理的な実施方法を有してもよく、本発明はこの点において限定されないことは、当業者が理解するであろう。感光部１２はさらに、図示しない一つの接続回路を含み、該接続回路は回路基板１２２に予め設置されており、電子部品１２４は前記接続回路および感光チップ１２１に接続されている。したがって、感光チップ１２１は感光作業をすることができる。すなわち、電子部品１２４は、回路基板１２２と感光チップ１２１に電気的に接続されている。
本発明の好ましい実施形態では、電子部品１２４は回路基板１２２に突出して設置されている。本発明の各実施形態において、電子部品１２４は、抵抗器、コンデンサ、ダイオード、三極管、ポテンショメータ、リレーまたは駆動器などとして具体的に実施可能である。なお、電子部品１２４が抵抗器、コンデンサ、ダイオード、三極管、ポテンショメータ、リレーまたは駆動器などとして具体的に実施されることは、ただ例示に過ぎず、本発明はその他の実施形態ではその他の合理的な実施方法を有してもよく、本発明はこの点において限定されないことは、当業者が理解するであろう。本発明の本実施形態では、電子部品１２４が回路基板１２２に突出して設置されることを例として説明したが、本発明のその他の実施形態では、電子部品１２４を回路基板突出させることなく、回路基板１２２に埋設してもよいことは、当業者が理解するであろう。電子部品１２４の形状、種類、および設置位置は、本発明に制限されていないと当業者が理解するであろう。
本発明の好ましい実施形態では、透明材料からなるモールド部本体１１１は、接続ワイヤ１２３および電子部品１２４を内部に収容している。好ましくは、モールド部本体１１１は、接続ワイヤ１２３および電子部品１２４を完全に包む。このように、接続ワイヤ１２３および電子部品１２４は空間に直接に露出せず、モールド感光アセンブリ１０を組み立てて前記撮像モジュールを形成する時、電子部品１２４はモールディングコーティングにより、接続ワイヤ１２３の表面に埃や雑物がとどまるのを防ぐ。モールディング過程およびその後の組立および作動中においても、接続ワイヤ１２３を保護することができる。
感光チップ１２１は、一つの感光領域１２１１と一つの非感光領域１２１２とを含み、感光チップの感光領域１２１１と非感光領域１２１２は一体に成形され、感光領域１２１１は感光チップ１２１の中部に位置し、非感光領域１２１２は感光チップ１２１の外部に位置し、しかも非感光領域１２１２は感光領域１２１１の少なくとも一側を囲む。物体によって反射または射出された光は、透明材料からなるモールド部本体１１１を通して感光チップ１２１の感光領域１２１１によって受光されて光電変換され、これによって物体に関連する画像を得ることができる。
なお、本発明の本好ましい実施形態では、透明材料からなるモールド部本体１１１は好ましくは、感光チップ１２１の上表面を完全に覆う。すなわち、好ましくは、モールド部１１は、感光チップ１２１の感光領域１２１１と非感光領域１２１２とを覆う。本発明の本好ましい実施形態では、透明材料からなるモールド部本体１１１は、感光チップ１２１および回路基板１２２を完全に覆うことができ、これによって、感光チップ１２１の感光領域１２１１を保護するステップを省略でき、コストを削減すると同時に歩留まりおよび効率を高めることができる。
さらに、透明材料からなるモールド部本体１１１は、感光チップ１２１の上表面を完全に覆ってから透明材料の表面に遮光層を形成することができる。つまり、モールド感光アセンブリ１０はさらに一つの遮光層１１２を含む。遮光層１１２は、モールド部本体１１１の外表面に設置される。本発明の本好ましい実施形態では、遮光層１１２は、感光領域１２１１の上方領域を被覆していない。すなわち、本発明の本好ましい実施形態では、モールド部本体１１１の外表面に遮光層１１２のない領域には、モールド部１１の一つの光通過領域１１０が形成され、光通過領域１１０は、遮光層１１２によりモールド部１１に規定され、感光領域１２１１と対応し、これによって、物体により反射された外部の光は、モールド部１１の光通過領域１１０を通して感光チップ１２１の感光領域１２１１によって受光されて光電変換され、物体に関連する画像を得ることができる。
本発明の好ましい実施形態では、モールド部本体１１１の外表面は、光通過領域１１０を除き、外表面は遮光層１１２により被覆されることはたが例示に過ぎず、その他の実施形態ではその他の合理的な実施方法があることは、当業者が理解するであろう。言い換えれば、感光領域１２１１の受光および光電変換を影響しない状況下で、モールド部１１のモールド部本体１１１の外表面の遮光層１１２の設置位置を実際の需要に合わせて調整することは、当業者が理解するであろう。遮光層１１２の大きさと寸法も、実際の需要に合わせて調整することができる。
また、遮光層１１２の大きさと寸法を調整することにより、光入射窓、すなわち、ここでいう光通過領域１１０の大きさ、位置、形などの特性をすばやく調整することができ、従来方法で光入射窓を調整するために金型を作ってトライアルをする複雑な工程を省ける。
なお、透明材料からなるモールド部本体１１１は、組立て形成された撮像モジュールの信頼性はさらに向上することができ、仮に組み立てて形成されたモールド感光アセンブリ１０などの半製品であっても比較的に劣悪な環境で使用することができる。汚れや軽微な損傷がある場合に、直接に拭き取ってきれいに洗えばよく、または、プラズマプロセスや研磨などの物理的手段によってモールド部１１の表面層を除去すればよい。
図４に示すように、本発明のこの好ましい実施形態に係るモールド感光アセンブリ１０により組み立ててなる撮像モジュール１００は説明されている。撮像モジュール１００は、モールド感光アセンブリ１０と一つのレンズ２０とを含む。レンズ２０は、モールド感光アセンブリ１０の感光素子２１の感光経路に設置されて支持される。物体により反射された光はレンズ２０から撮像モジュール１００の内部に入って、モールド感光アセンブリ１０の感光チップ１２１によって受光されて光電変換され、物体に関連する画像を得る。
また、本発明の好ましい実施形態では、ＭＯＣモールディングプロセスにより、撮像モジュール１００はズーム撮像モジュールとして実施される。撮像モジュール１００はさらに一つの駆動器３０を含み、駆動器３０はレンズ２０を駆動して感光チップ１２１の感光経路に沿って往復移動させて撮像モジュール１００の焦点距離を調整することができる。言い換えれば、駆動器３０により、レンズ２０は駆動器３０に駆動可能に設置支持されている。なお、駆動器３０のタイプについて、本発明の撮像モジュール１００では限定されていない。例えば、別の実施形態では、駆動器３０は、ボイスコイルモータなど、レンズ２０を駆動して感光素子２１の感光経路に沿って変位させることができる任意の駆動器として実施することができ、駆動器３０は、電気エネルギーと制御信号を受け取って作業状態に入ることができる。
その他の実施形態では、撮像モジュール１００は一つの固定焦点撮像モジュールとして実施されることは、当業者が理解するであろう。すなわち、撮像モジュール１００は一つの固定焦点撮像モジュールとして実施される場合、モールド部１１は変形され、レンズ２０を組み立てるためのレンズの支持架台として実施され、レンズ２０は、モールド感光アセンブリ１０の一体化成形の後に、レンズの支持架台としてのモールド部１１に直接に取り付けられ、これによって、撮像モジュール１００の組立工程を簡略化した。
さらに、図１と図４に示すように、撮像モジュール１００は、レンズ２０の光学経路に位置する少なくとも一つのフィルター素子４０をさらに含む。本発明のこの好ましい実施形態では、モールド感光アセンブリ１０のモールディング成形後に、フィルター素子４０は、モールド感光アセンブリ１０のモールド部１０の頂部に貼設されて撮像モジュール１００を組み立てて形成する。フィルター素子４０は、感光チップ１２１の感光経路に位置する。物体により反射された光はレンズ２０の各光学レンズから、フィルター素子４０によりフィルタリングされてから撮像モジュール１００の内部に入って、感光素子２１によって受光されて光電変換されることができる。すなわち、フィルター素子４０は、レンズ２０の各光学レンズ内の、物体によって反射された光から、赤外線部分または可視光部分などの迷光をフィルタリングすることができ、これによって撮像モジュール１００の結像品質を変えることができる。
具体的には、本発明のこの好ましい実施形態では、フィルター素子４０は、レンズ２０の光学経路に位置し、フィルター素子４０は、モールド部１１の光通過領域１１０に設置される。すなわち、モールド部１１のモールド部本体１１１とフィルター素子４０の底部と接触する部位には、遮光層１１２は設置されていない。なお、本発明のこの好ましい実施形態では、フィルター素子４０はモールド部１１に直接に貼設されており、しかも感光チップ１２１の感光領域１２１１の直上方に位置する。遮光層１１２の大きさを調整可能であるため、従来技術と比べ、フィルター素子４０の大きさを制限するに役立つ小さいレンズ台を別途追加する必要はなく、遮光層１１２を調整すればよい。
さらに、モールド部１１の上表面がへこんで一つの凹溝を形成し、光通過領域１１０は該凹溝の底表面に規定され、感光領域１２１１と対応する。フィルター素子４０は光通過領域１１０を被覆して光をフィルタリングする。好ましくは、本実施形態では、前記凹溝は上から下に向かって徐々に小さくなり、フィルター素子４０の寸法を減少させる一方、型の抜き取り中の抵抗を低減するように一定の抜き勾配を形成する。
撮像モジュール１００についての異なる例示において、フィルター素子４０は異なるタイプのものとして実施可能である。例えば、フィルター素子４０は、赤外線カットフィルター素子、全透過スペクトルフィルター素子およびその他のフィルター素子または複数のフィルター素子の組み合わせとして実施可能である。例えば、フィルター素子４０は、赤外線カットフィルター素子と全透過スペクトルフィルター素子との組み合わせとして実施可能であり、すなわち、該赤外線カットフィルター素子と該全透過スペクトルフィルター素子は、感光素子２１の感光経路に選択的に配置されるように切り替えることができ、例えば、昼間など光が十分な環境で撮像モジュール１００を使用する場合、前記赤外線カットフィルター素子は、物体により反射されて撮像モジュール１００に入った光の中の赤外線をフィルタリングするように、前記赤外線カットフィルター素子を感光チップ１２１の感光経路に切り替えてもよく、また、夜間など暗い環境で撮像モジュール１００を使用する場合、物体により反射されて撮像モジュール１００に入った光の中の赤外線部分を透過させるように、前記全透過スペクトルフィルター素子を感光チップ１２１の感光経路に切り替えてもよい。
図５は、図１に示す好ましい実施形態に係るモールド部１１のもう一つの変形実施形態を示す。図１に示す実施形態に係るモールド部１１とは違って、図５には、モールド部１１は、一つのレンズ取付部１１４をさらに含む。すなわち、この実施形態では、モールド部１１は、モールド部本体１１１とレンズ取付部１１４とを含む。遮光層１１２は、モールド部本体１１１の外表面に設置される他、実際の需要に合わせてレンズ取付部１１４の外表面にも設置される。モールド部本体１１とレンズ取付部１１４は一体成形により接続されている。レンズ取付部１１４は、レンズ２０（レンズ２０は図５には図示されていない）の取付に用いられ、すなわち、モールド感光アセンブリ１０は撮像モジュールの組立に用いられる場合、レンズ２０に安定した取付位置を提供するように、レンズ２０はレンズ取付部１１４の内側に取り付けられる。レンズ取付部１１４はモールド部本体１１１の周囲部から上方に一体的に延びてレンズ２０を支持固定するための位置を提供し、これにより、レンズ２０を取り付けるために別途部品を提供する必要はない。言い換えれば、モールド部１１は上方に一体的に延び、しかも回路基板１２２、感光チップ１２１、接続ワイヤ１２３、電子部品１２４をそれぞれモールディングするように、およびレンズ２０を支持するように、内部に段差が形成されている。
なお、レンズ取付部１１４の内側面は平坦であり、ねじ山のないレンズ２０を取り付けて固定焦点モジュールを形成するのに適している。特に、レンズ２０は、接着によりレンズ取付部１１４に固定することができる。また、レンズ２０はレンズ取付部１１４に取り付けられているから、モールド部１１は従来の撮像モジュールにおける支持架台または鏡筒として機能し、レンズ２０に支持固定の位置を提供し、モールド部１１は従来の支持架台に取って代わり、レンズ２０に取付位置を提供する。これにより、支持架台の接着組立時の傾斜誤差が回避され、撮像モジュールの組立時の累積公差が減少する。
図６と図７に示すように、本発明の前記モールド感光アセンブリにより組み立ててなる撮像モジュール１００は、電子機器本体２００に配置することができる。つまり、電子機器本体２００は、少なくとも一つの撮像モジュール１００を含み、撮像モジュール１００のそれぞれは画像を取得するために使用され、撮像モジュール１００のそれぞれは、レンズ２０とモールド感光アセンブリ１０とをさらに含む。
なお、撮像モジュール１００は、電子機器本体２００の裏面、すなわち、電子機器本体２００の表示画面とは反対側に配置することができる。撮像モジュール１００は、電子機器本体２００の前面、すなわち電子機器本体２００の表示画面の側に配置されるか、もしくは少なくとも一つの撮像モジュール１００は電子機器本体２００の裏面に配置されて、少なくとも一つの撮像モジュール１００は電子機器本体２００の前面に配置されてもよい。勿論、その他の実施形態では、撮像モジュール１００を電子機器本体２００の側面に配置してもよく、本発明はこの点において限定されないことは、当業者が理解するであろう。
図８から図１２は、本発明の好ましい実施形態に係るモールド部１１の変形実施形態を示す。これらの変形実施形態では、モールド感光アセンブリ１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄは、遮光層１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃ、１１２Ｄ、モールド部１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄ、および感光部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄを含み、モールド部１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄは、感光部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄの表面を覆い、遮光層１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃ、１１２Ｄは、モールド部１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄの外表面に貼設されている。
感光部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄは、感光チップ１２１Ａ、１２１Ｂ、１２１Ｃ、１２１Ｄ、回路基板１２２Ａ、１２２Ｂ、１２２Ｃ、１２２Ｄ、接続ワイヤ１２３Ａ、１２３Ｂ、１２３Ｃ、１２３Ｄ、および電子部品１２４Ａ、１２４Ｂ、１２４Ｃ、１２４Ｄを含む。モールド部１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄは、モールド部本体１１１Ａ、１１１Ｂ、１１１Ｃ、１１１Ｄを含む。感光チップ１２１Ａ、１２１Ｂ、１２１Ｃ、１２１Ｄは、感光領域１２１１Ａ、１２１１Ｂ、１２１１Ｃ、１２１１Ｄ、および非感光領域１２１２Ａ、１２１２Ｂ、１２１２Ｃ、１２１２Ｄを備える。図８に示すように、本発明の好ましい実施形態に係るモールド部１１に基づくもう一つの変形実施形態は説明される。上記好ましい実施形態とは違って、モールド部１１Ａの頂部は平面である。そのため、型の製造困難性は低下する。モールド部１１Ａの頂部の取付表面と、感光チップ１２１Ａの感光表面との差は、もはや型によって実現する必要がないので、型は極小さい表面差を提供すれば同じ構造要件を実現することができ、型の加工困難性と時間は大幅に低下するとともに、製造時の材料充填の難しさも明らかに低下し、効率の向上とコストの削減に大いに寄与する。
すなわち、光通過領域１１０Ａは、遮光層１１２Ａによりモールド部本体１１１Ａの平坦な頂部取付表面に規定され、感光チップ１２１Ａの感光領域１２１Ａと対応する。これ相応に、光透過素子４０あは光通過領域１１０Ａを被覆してモールド部本体１１１Ａの平坦な頂部取付表面に貼設される。
図９に示すように、本発明の好ましい実施形態に係るモールド部１１に基づくもう一つの変形実施形態は説明される。図８のモールド部１１Ａと比べ、フィルター素子４０Ｂの貼設に寄与するため、モールド部１１Ｂの頂部取付表面の光通過領域１１０Ｂは下方および内部に延びてフィルター素子取付溝を形成し、フィルター素子４０Ｂは該フィルター素子取付溝内に取り付けられ、フィルター素子４０Ｂの上表面と、遮光層１１２Ｂが配置されているモールド部１１Ｂの頂部取付表面とは、同じ平面にある。このように、図８に示す実施形態と比べ、図９に示す実施形態のフィルター素子４０Ｂは、モールド部１１Ｂのモールド部本体１１１Ｂから突出することはない。
すなわち、前記凹溝は、前記フィルター素子取付溝として実施される。光通過領域１１０Ｂは、前記フィルター素子取付溝の底表面として規定され、フィルター素子４０Ｂは、前記フィルター素子取付溝に取り付けられる。この時、モールド部本体１１１Ｂは、光透過素子４０Ｂの外周側および底面に包囲され、光透過素子４０Ｂの上表面とモールド部１１Ｂの頂部取付表面とは同じ水平面にある。図１０に示すように、本発明の好ましい実施形態に係るモールド部１１のもう一つの変形実施形態は説明される。図８に示すモールド部１１Ａと比べ、フィルター素子４０Ｃの取付位置は異なる。図１０に示す実施形態では、フィルター素子４０Ｃは感光チップ１２１Ｃ上に貼設される。すなわち、モールディング時に、モールディング成形したモールド部１１Ｃは、フィルター素子４０Ｃと感光部１２Ｃの感光チップ１２１Ｃを完全に覆う。こうすると、図９に示す実施形態のように、モールド部１１Ｂの上表面にフィルター素子４０Ｂを取り付けるためのフィルター素子取付溝を別途形成する必要はなくなる。これによって、さらに型の加工困難性と時間は大幅に低下するとともに、製造時の材料充填の難しさも明らかに低下し、効率の向上とコストの削減に大いに寄与する。
すなわち、光透過領域１１０Ａは、遮光層１１２Ａによりモールド部本体１１１Ａの平坦な頂部取付表面に規定され、感光チップ１２１Ａの感光領域１２１Ａと対応する。モールド部本体１１１Ｃは、感光チップ１２１Ｃにフィルター素子４０Ｃを覆い、しかも感光チップ１２１Ｃ、回路基板１２２Ｃ、接続ワイヤ１２３Ｃおよび／または電子部品１２４Ｃを覆う。
フィルター素子４０の取付位置は、実施形態によって複数の変形実施方式がある。図１０には、フィルター素子４０Ｃは感光チップ１２１Ｃに貼設されている。フィルター素子４０Ｃと感光アセンブリ２０Ｃとは型内で組立成形される。その他の実施形態、例えば図１と図８に示す実施形態では、フィルター素子４０、４０Ａは、モールド部１１、１１の頂部に設置され、モールド感光アセンブリ１０、１０Ａが一体化成形された後にフィルター素子４０、４０Ａが取り付けられる。
図１０に示す実施形態では、フィルター素子４０Ｃは感光素子１２１Ｃに貼設されており、しかもモールド部１１Ｃに覆われるという変形実施形態は、図１と図５に示す実施形態に適用することができ、これは、フィルター素子４０の異なる取付位置の変形実施方式である。勿論、その他の実施形態ではその他の実施方式も使用でき、本発明はこの点において限定されないことは、当業者が理解するであろう。
図１１に示すように、本発明の好ましい実施形態に係るモールド部１１のもう一つの変形実施形態は説明される。さらに、図８の実施形態と比べ、フィルター素子４０Ａは省略され、フィルタリング作用を果たすフィルタコーティングを用い、非遮光領域、すなわちモールド部１１Ｄの光透過領域１１０Ｄにおいてフィルター層１１３Ｄを直接に形成すればよい。すなわち、フィルター素子４０Ａは、フィルター層１１３Ｄとして実施可能である。従来のフィルター素子４０に使用される無機ガラス基材と比べ、モールディング材料に使用される有機材料はよりよい透過率を有し、フィルタリング効率をある程度向上させることができる。
なお、遮光層１１２Ｄとフィルター層１１３Ｄの接触縁は、フルスペクトル光が感光チップ１２１Ｄの感光領域１２１１Ｄに直接は入らないようにするために、互いに重なり合っている。遮光層１１２Ｄは、フィルター層１１３Ｄの上にあってもよく、フィルター層１１３Ｄの下にあってもよいことは、当業者が理解するであろう。図１２に示すように、本発明の好ましい実施形態に係るモールド部１０のもう一つの変形実施形態は説明される。さらに、図１に示す実施形態と比べ、フィルター素子４０は省略され、フィルタリング作用を果たす吸光材料を用い、非遮光領域、すなわちモールド部１１の光透過領域１１０において光反射層１１３ａを直接に形成すればよい。光反射層１１３ａは、赤外光や可視光などの特定の波長の光を一括して反射する。同様に、従来のフィルター素子４０に使用される無機ガラス基材と比べ、モールディング材料に使用される有機材料はよりよい透過率を有し、フィルタリング効率をある程度向上させることができる。なお、遮光層１１２と光反射層１１３ａの接触縁は、フルスペクトル光が感光チップ１２１の感光領域１２１１に直接は入らないようにするために、互いに重なり合っている。遮光層１１２は、光反射層１１３ａの上にあってもよく、光反射層１１３ａの下にあってもよい。
光反射層１１３ａは、図１１に示す実施形態のフィルター層１１３Ｄの代わりに、図１１に示す実施形態に実施してもよいことは、当業者が理解するであろう。勿論、その他の実施形態ではその他の実施方式も使用でき、本発明はこの点において限定されない。
図１から図１２に示す各実施形態は、いずれもＭＯＣプロセスを使用している。図１３、図１４、図１５に示すように、撮像モジュール１００Ｅ、１００Ｆ、１００Ｇは、ＭＯＢプロセスに基づいたものであり、モールド部１１の形状と構造および変形実施形態は、本発明者のその他の特許書類に記載のＭＯＢプロセスのモールド部１１および変形とは同じであることができる。その相違点として、図１３に示す実施形態では、モールド部本体１１１Ｅは透明材料からなるに対して、本発明者のその他の特許書類に記載のＭＯＢプロセスのモールド部本体１１１および変形実施形態の材料は非透明材料である。この材料の入替も同じく、上記ＭＯＣモールディングプロセスの利点を実現できる。また、光の反射、フラッシュ（ｆｌａｓｈ）、迷光を減少させることもできる。
図１３から図１５に示すように、モールド感光アセンブリ１０Ｅ、１０Ｆ、１０Ｇは、モールド部１１Ｅ、１１Ｆ、１１Ｇ、および感光部１２Ｅ、１２Ｆ、１２Ｇを含み、感光部１２Ｅ、１２Ｆ、１２Ｇは、感光チップ１２１Ｅ、１２１Ｆ、１２１Ｇ、および回路基板１２２Ｅ、１２２Ｆ、１２２Ｇを含む。感光チップ１２１Ｅ、１２１Ｆ、１２１Ｇは、回路基板１２２Ｅ、１２２Ｆ、１２２Ｇに設置され、モールディングプロセスによって、モールド部１１Ｅ、１１Ｆ、１１Ｇ、感光チップ１２１Ｅ、１２１Ｆ、１２１Ｇ、および回路基板１２２Ｅ、１２２Ｆ、１２２Ｇは一体化構造に形成される。
モールド部１１Ｅ、１１Ｆ、１１Ｇはさらに、少なくとも一つのモールド部本体１１１Ｅ、１１１Ｆ、１１１Ｇを含む。感光モジュール１０Ｅ、１０Ｆ、１０Ｇはさらに、少なくとも一つの遮光層１１２Ｅ、１１２Ｆ、１１２Ｇを含み、遮光層１１２Ｅ、１１２Ｆ、１１２Ｇは、モールド部本体１１１Ｅ、１１１Ｆ、１１１Ｇの外表面の一部を被覆し、しかもモールド部本体１１１Ｅ、１１１Ｆ、１１１Ｇには少なくとも一つの貫通孔が形成され、該貫通孔は、感光チップ１２１Ｅ、１２１Ｆ、１２１Ｇと対応して感光チップ１２１Ｅ、１２１Ｆ、１２１Ｇに光路を提供する。貫通孔の底部は、下から上に向かって徐々に大きくなる傾斜状を呈する。モールド部本体１１１Ｅ、１１１Ｆ、１１１Ｇは透明材料からなる。
モールド部１１Ｅ、１１Ｆ、１１Ｇの頂端は、少なくとも一つの撮像モジュールのレンズ、駆動器、またはフィルター素子を取り付けるのに適する。モールド感光アセンブリ１０Ｅ、１０Ｆ、１０Ｇは、少なくとも一つの電子部品１２４Ｅ、１２４Ｆ、１２４Ｇをさらに含み、電子部品１２４Ｅ、１２４Ｆ、１２４Ｇは回路基板１２２Ｅ、１２２Ｆ、１２２Ｇに設置され、モールド部１１Ｅ、１１Ｆ、１１Ｇは、電子部品１２４Ｅ、１２４Ｆ、１２４Ｇをも覆う。モールド感光アセンブリ１０Ｅ、１０Ｆ、１０Ｇは、少なくとも一つの接続ワイヤ１２３Ｅ、１２３Ｆ、１２３Ｇをさらに含み、接続ワイヤ１２３Ｅ、１２３Ｆ、１２３Ｇは、感光チップ１２１Ｅ、１２１Ｆ、１２１Ｇと回路基板１２２Ｅ、１２２Ｆ、１２２Ｇとを電気的に接続し、モールド部１１Ｅ、１１Ｆ、１１Ｇは、接続ワイヤ１２３Ｅ、１２３Ｆ、１２３Ｇの一部または全部をも覆う。
本発明のもう一部の実施形態では、モールド部１１Ｅは、感光チップ１２１Ｅの非感光領域１２１２Ｅをも覆う。すなわち、非感光領域１２１２Ｅは、透明材料からなるモールド部本体１１１Ｅによって保護され、感光チップ１２１Ｅの感光領域１２１１Ｅを露出して光変換信号を受信する。光透過素子４０Ｅ、４０Ｆは、光をフィルタリングするように前記モールド部により貫通孔に支持され、埃などによる感光領域１２１１Ｅの汚染を避けるように密閉空間を形成している。
また、その他の実施形態では、図１３と図１５に示すように、モールド部１１Ｅの頂端には一つと取付溝があり、該取付溝は、少なくとも一つの撮像モジュールのフィルター素子４０Ｅ、４０Ｆ、４０Ｇ、レンズ２０Ｅ、２０Ｇ、または駆動器３０Ｅ、３０Ｇを取り付けるように、前記貫通孔と連通している。
図１４に示すように、図１３と違って、モールド部１１Ｆはさらに、少なくとも一つのレンズ取付部１１４を備え、レンズ取付部１１４とモールド部本体１１１Ｆは一体成形接続されている。すなわち、レンズ取付部１１４は、モールド部本体１１１Ｆの周囲部が上方に延びて形成される。レンズ取付部１１４は、少なくとも一つの撮像モジュールのレンズの取付に使用される。
図２と図３に示すように、モールディングプロセスによってモールド部本体１１１を形成する際に、一つの成形型９００により、流体形態として実施される成形材料を硬化させてから回路基板１２２のモールド部本体１１１に成形させる。
具体的には、成形型９００は、一つの上型９０１と一つの下型９０２とを含み、上型９０１と下型９０２を組み合わせるように、上型９０１と下型９０２の少なくとも一方は移動可能であり、そして、上型９０１と下型９０２との間に少なくとも一つの成形空間９０３が形成され、モールド部本体１１１は、前記成形材料を成形空間９０３に注入して硬化させてから形成される。
なお、本発明に係る流体形態の前記成形材料は、液体材料または固体粒子材料もしくは液体と固体粒子との混合材料であってもよい。成形材料が液体材料であろうと、固体粒子材料であろうと、液体と固体粒子との混合材料であろうと、成形型９００の成形空間９０３に注入した後、硬化してモールド部本体１１１を形成することができることは理解できる。例えば、本発明のこの具体例において、流体形態の前記成形材料は、液体などの熱硬化性材料として実施され、前記成形材料は、成形型９００の成形空間９０３に注入して硬化させてからモールド部本体１１１を形成する。なお、流体形態の前記成形材料は成形型９００の成形空間９０３に注入された、流体形態の前記成形材料の硬化方式は、本発明の内容と範囲を限定しない。
よって、成形型９００の製造困難性は低減される。頂部の取付表面とチップ感光表面との差は、もはや成形型９００によって実現する必要がないので、型は極小さい表面差を提供すれば同じ構造要件を実現することができ、成形型９００の加工困難性と時間は大幅に低下するとともに、製造時の材料充填の難しさも明らかに低下し、効率が向上すると同時にコストも削減される。
なお、本発明のモールド感光アセンブリのモールド部分は、成形型９００がチップの表面に接触する必要がなくなり、半製品が成形型９００のキャビティ内に成形型９００の一側に固定される必要があり、もう一側では成形型９００と全く接触していないことを除き、その他は従来のものと同じである。
なお、遮光層１１２とフィルター層１１３の形成は、任意の順序で行われてもよく、形成方式として、電気めっき、化学めっき、スパッタリング、貼り付け、印刷、スプレイ、コーティング、モールディング、射出成形などを含むが、これらに限定されない。同時に、遮光層またはフィルター層が不要な位置に一定の保護対策をし、保護対策として、この工程の前に、マスク（ｍａｓｋ）、型、その他の媒体または遮光層自体など、その他の除去可能な材料を使用して予め遮蔽してもよく、この工程の実行中にソフトウェア設定によって所望の層を所望の形状に直接に形成させてもよい。
すなわち、モールディングプロセスによってモールド部１１を形成する場合、下記のステップを採用することができる：
（ａ）モールド感光アセンブリ１０の感光部１２を成形型９００の成形空間９０３に収容し、モールド感光アセンブリ１０の半製品が下型９０２に固定され、モールド感光アセンブリ１０の感光チップ１２１と上型９０１の内底面との間には所定の間隔がある。
（ｂ）流体形態の成形材料を成形空間９０３内に注入し、前記成形材料は透明材料である。
（ｃ）前記成形材料を硬化させてモールド部本体１１１を形成し、モールド部本体１１１は感光部１２の表面を覆う。
（ｄ）感光チップ１２１に対応し、所定の位置に一つの遮光層を形成し、光通過領域１１２を規定する。
（ｅ）光をフィルタリングするために光通過領域１１２に一つのフィルター層または光反射層を形成する。または、
（ｆ）光通過領域１１２を被覆する一つの光透過素子４０を貼設する。
好ましくは、上型９０１の内底面に、前記光透過素子取付溝を形成するために凸部が形成する。型の抜き取り中の抵抗を低減するように、該凸部は上から下に向かって徐々に小さくなる。この時、光通過領域１１２は前記光透過素子取付溝の底部に規定され、光透過素子４０または前記フィルター層はそれに対応して前記光透過素子取付溝に取り付けられるか形成される。
勿論、図８と図１０に示すモールド部を形成する時、モールド部１１の頂部は平坦であり、前記凸部を形成する必要はない。さらに、図１０に示すモールド感光アセンブリ１０Ｃを形成する時、まずフィルター素子４０Ｃを感光チップ１２１Ｃに貼設してからステップ（ａ）を実行し、これにより、モールド部１１Ｃは、フィルター素子４０Ｃと感光チップ１２１Ｃの表面を覆うことになる。
図１５に示すように、撮像モジュール１００Ｇはさらに、少なくとも一つのフレーム状の支持素子７０Ｇを含み、支持素子７０Ｇは回路基板１２２Ｇに設置され、モールド部本体１１１Ｇは成形された後、少なくとも支持素子７０Ｇの外側辺を包埋し、これによって感光チップ１２１Ｇ、回路基板１２２Ｇ、支持素子７０Ｇ、およびモールド部本体１１１Ｇは一体的に結合される。モールド部本体１１１Ｇは、接続ワイヤ１２３Ｇの少なくとも一部を包埋してもよく、または支持素子７０Ｇは、接続ワイヤ１２３Ｇの少なくとも一部を包埋し、モールド部本体１１１Ｇと支持素子７０Ｇはそれぞれ接続ワイヤ１２３Ｇの少なくとも一部を包埋する。その他の例には、モールド部本体１１１Ｇはさらに、支持素子７０Ｇの上表面の少なくとも一部を包埋してもよい。
さらに、支持素子７０Ｇは、感光チップ１２１Ｇの感光接続点１２１０Ｇと回路基板１２２Ｇの回路接続点１２２１Ｇとの接続を妨げないように、接続ワイヤ１２３Ｇの外側に設置され、これにより、特に接続ワイヤ１２３Ｇが金線である場合、接続ワイヤ１２３Ｇの必要な長さを短縮する。この時、支持素子７０Ｇの内側辺は接続ワイヤ１２３Ｇを包埋してもよいし、モールド部１１Ｇは支持素子７０Ｇと接続ワイヤ１２３Ｇを包埋してもよい。
支持素子７０Ｇは、接着剤が硬化後に形成されてもよく、金属めっきまたは化学めっきにより形成されてもよく、溶液塗布後に溶媒がなくなり硬化して形成されてもよく、しかもこれらに限定されない。これによって、支持素子７０Ｇは回路基板１２２Ｇから突出し、モールディングプロセスにおいて、回路基板１２２Ｇに感光チップ１２１Ｇが実装される領域の平坦性が確保される。また、支持素子７０Ｇは弾性を有してもよく、成形型９００が型締される時に上型９０１と下型９０２に生じる衝撃力は、支持素子７０Ｇにより吸収され、回路基板１２２Ｇに作用することは避けられる。また、支持素子７０Ｇは変形により、支持素子７０Ｇの上表面と上型９０１との間に隙間が形成することを防止できる。また、支持素子７０Ｇは、上型９０１の前記成形面を支持することができ、これにより、上型９０１から接続ワイヤ１２３Ｇに圧力を印加することを防止でき、接続ワイヤ１２３Ｇの良好な導電性を保証することができる。
本発明はさらに、本発明のモールド感光アセンブリ１０より組み立てられたアレイ撮像モジュール１０００を開示し、モールド部本体のそれぞれは透明材料からなる。アレイ撮像モジュール１０００は各種の電子機器に適用することができ、使用者は該アレイ撮像モジュールを介して物体または人物の画像を撮像することができ、例えば、前記アレイ撮像モジュールは、物体または人物の画像または動画などの画像データの撮像に使用できる。好ましくは、前記アレイ撮像モジュールは、モバイル電子デバイスに適用することができ、例えば、該モバイル電子デバイスは、携帯電話またはタブレットデバイスであってもよいが、これらに限定されない。
図１６から図２８に示すように、本発明のアレイ撮像モジュールを次の記載において、デュアルレンズのアレイ撮像モジュールとして実施する例として、本発明の内容と利点が説明される。該アレイ撮像モジュールは、二つのレンズと二つのモールド感光アセンブリとを含むが、本発明のその他の実施形態では、レンズとモールド感光アセンブリの数は三つ以上など、より多くしてもよい。その数が本発明のアレイ撮像モジュールに対する制限ではないと当業者は理解するであろう。
一つのレンズと一つのモールド感光アセンブリは互いに協同して撮像することができると当業者は理解するであろう。具体的には、物体や人物などの被写体により反射される光は、レンズを通した後にモールド感光アセンブリの感光チップにより受光されて光電変換される。言い換えれば、前記感光チップは、光信号を電気信号に変換することができ、しかも該電気信号は、モールド前記感光アセンブリの前記回路基板を介して前記電子機器に送信されて前記電子機器上に被写体に関する画像を生成させることができる。
具体的には、図１６から図２８に示すように、アレイ撮像モジュール１０００Ｈ、１０００Ｉ、１０００Ｊ、１０００Ｋ、１０００Ｌ、１０００Ｍ、１０００Ｎ、１０００Ｏ、１０００Ｐ、１０００Ｑ、１０００Ｒ、１０００Ｓ、１０００Ｔはそれぞれ、レンズ２０Ｈ、２０Ｉ、２０Ｊ、２０Ｋ、２０Ｌ、２０Ｍ、２０Ｎ、２０Ｏ、２０Ｐ、２０Ｑ、２０Ｒ、２０Ｓ、２０Ｔと、モールド感光アセンブリ１０Ｈ、１０Ｉ、１０Ｊ、１０Ｋ、１０Ｌ、１０Ｍ、１０Ｎ、１０Ｏ、１０Ｐ、１０Ｑ、１０Ｒ、１０Ｓ、１０Ｔとを含む。ズーム撮像モジュール１０００Ｈ、１０００Ｉ、１０００Ｊ、１０００Ｋ、１０００Ｌ、１０００Ｍ、１０００Ｎ、１０００Ｏ、１０００Ｐ、１０００Ｑ、１０００Ｒ、１０００Ｓ、１０００Ｔはさらに、駆動器３０Ｈ、３０Ｉ、３０Ｊ、３０Ｋ、３０Ｌ、３０Ｍ、３０Ｎ、３０Ｏ、３０Ｐ、３０Ｑ、３０Ｒ、３０Ｓ、３０Ｔを含んでもよい。
モールド感光アセンブリ１０Ｈ、１０Ｉ、１０Ｊ、１０Ｋ、１０Ｌ、１０Ｍ、１０Ｎ、１０Ｏ、１０Ｐ、１０Ｑ、１０Ｒ、１０Ｓ、１０Ｔはそれぞれ、遮光層１１２Ｈ、１１２Ｉ、１１２Ｊ、１１２Ｋ、１１２Ｌ、１１２Ｍ、１１２Ｎ、１１２Ｏ、１１２Ｐ、１１２Ｑ、１１２Ｒ、１１２Ｓ、１１２Ｔと、モールド部１１Ｈ、１１Ｉ、１１Ｊ、１１Ｋ、１１Ｌ、１１Ｍ、１１Ｎ、１１Ｏ、１１Ｐ、１１Ｑ、１１Ｒ、１１Ｓ、１１Ｔと、感光部１２Ｈ、１２Ｉ、１２Ｊ、１２Ｋ、１２Ｌ、１２Ｍ、１２Ｎ、１２Ｏ、１２Ｐ、１２Ｑ、１２Ｒ、１２Ｓ、１２Ｔとを含む。感光部１２Ｈ、１２Ｉ、１２Ｊ、１２Ｋ、１２Ｌ、１２Ｍ、１２Ｎ、１２Ｏ、１２Ｐ、１２Ｑ、１２Ｒ、１２Ｓ、１２Ｔはそれぞれ、感光チップ１２１Ｈ、１２１Ｉ、１２１Ｊ、１２１Ｋ、１２１Ｌ、１２１Ｍ、１２１Ｎ、１２１Ｏ、１２１Ｐ、１２１Ｑ、１２１Ｒ、１２１Ｓ、１２１Ｔと、回路基板１２２Ｈ、１２２Ｉ、１２２Ｊ、１２２Ｋ、１２２Ｌ、１２２Ｍ、１２２Ｎ、１２２Ｏ、１２２Ｐ、１２２Ｑ、１２２Ｒ、１２２Ｓ、１２２Ｔと、接続ワイヤ１２３Ｈ、１２３Ｉ、１２３Ｊ、１２３Ｋ、１２３Ｌ、１２３Ｍ、１２３Ｎ、１２３Ｏ、１２３Ｐ、１２３Ｑ、１２３Ｒ、１２３Ｓ、１２３Ｔと、電子部品１２４Ｈ、１２４Ｉ、１２４Ｊ、１２４Ｋ、１２４Ｌ、１２４Ｍ、１２４Ｎ、１２４Ｏ、１２４Ｐ、１２４Ｑ、１２４Ｒ、１２４Ｓ、１２４Ｔとを含む。モールド部１１Ｈ、１１Ｉ、１１Ｊ、１１Ｋ、１１Ｌ、１１Ｍ、１１Ｎ、１１Ｏ、１１Ｐ、１１Ｑ、１１Ｒ、１１Ｓ、１１Ｔはそれぞれ、モールド部本体１１１Ｈ、１１１Ｉ、１１１Ｊ、１１１Ｋ、１１１Ｌ、１１１Ｍ、１１１Ｎ、１１１Ｏ、１１１Ｐ、１１１Ｑ、１１１Ｒ、１１１Ｓ、１１１Ｔを含む。
感光チップ１２１Ｈ、１２１Ｉ、１２１Ｊ、１２１Ｋ、１２１Ｌ、１２１Ｍ、１２１Ｎ、１２１Ｏ、１２１Ｐ、１２１Ｑ、１２１Ｒ、１２１Ｓ、１２１Ｔはそれぞれ、感光領域１２１１Ｈ、１２１１Ｉ、１２１１Ｊ、１２１１Ｋ、１２１１Ｌ、１２１１Ｍ、１２１１Ｎ、１２１１Ｏ、１２１１Ｐ、１２１１Ｑ、１２１１Ｒ、１２１１Ｓ、１２１１Ｔと、非感光領域１２１２Ｈ、１２１２Ｉ、１２１２Ｊ、１２１２Ｋ、１２１２Ｌ、１２１２Ｍ、１２１２Ｎ、１２１２Ｏ、１２１２Ｐ、１２１２Ｑ、１２１２Ｒ、１２１２Ｓ、１２１２Ｔとを含む。上記実施形態における前記レンズと前記モールド感光アセンブリは、アレイ撮像モジュール１０００Ｈ、１０００Ｉ、１０００Ｊ、１０００Ｋ、１０００Ｌ、１０００Ｍ、１０００Ｎ、１０００Ｏ、１０００Ｐ、１０００Ｑ、１０００Ｒ、１０００Ｓ、１０００Ｔを構成するのに適用でき、各素子間の関連、製造方式および特徴などについてはここでは贅言しない。
図１６に示すように、アレイ撮像モジュール１０００Ｈの一つの実施方式は説明される。アレイ撮像モジュール１０００Ｈは、二つのレンズ２０Ｈ、二つの感光チップ１２１Ｈ、および一つの回路基板１２２Ｈを含み、回路基板１２２Ｈ上に、少なくとも一つのジョイントモールド部３００Ｈが成形され、少なくとも二つの接続ワイヤ１２３Ｈが設置され、感光チップ１２１Ｈはそれぞれ回路基板１２２Ｈのチップ貼付領域に貼設され、接続ワイヤ１２３Ｈによって各感光チップ１２１Ｈは導通される。光学レンズ２０Ｈはそれぞれ各感光チップ１２１Ｈの感光経路に保持される。ジョイントモールド部３００Ｈは、隣接するモールド部本体１１１Ｈが一体接続成形される。遮光層１１２Ｈは、ジョイントモールド部３００Ｈの外表面を被覆する。
また、アレイ撮像モジュール１０００Ｈはさらに、二つの駆動器３０Ｈを含んでもよく、レンズ２０Ｈはそれぞれ駆動可能に駆動器３０Ｈのそれぞれに設置され、駆動器３０Ｈはそれぞれモールド部１１Ｈに貼設され、これによって、レンズ２０Ｈはそれぞれ各感光チップ１２１Ｈの感光経路に保持される。
さらに、撮像モジュール１０００Ｈはさらに、少なくとも一つのフィルター素子４０Ｈを含んでもよく、各フィルター素子４０Ｈはそれぞれ各レンズ２０Ｈと各感光チップ１２１Ｈとの間に保持される。例えば、各フィルター素子４０Ｈのそれぞれは、モールド部１１Ｈに貼設され、これによってフィルター素子４０Ｈはそれぞれ、各レンズ２０Ｈと各感光チップ１２１Ｈとの間に保持される。
なお、図１６に示すアレイ撮像モジュール１０００Ｈは例示に過ぎず、アレイ撮像モジュール１０００Ｈはより多くのレンズ２０Ｈを含む場合、感光チップ１２１Ｈの数、フィルター素子４０Ｈの数、および駆動器３０Ｈの数はいずれもレンズ２０Ｈの数と一致してもよい。
つまり、アレイ撮像モジュール１０００Ｈのモールド感光アセンブリ１０Ｈは、図１のモールド感光アセンブリ１０として実施可能であり、特に、隣接する回路基板１２２がつながって一体化された回路基板、すなわち回路基板１２２Ｈを形成する。
アレイ撮像モジュール１０００Ｈのジョイントモールド部３００Ｈ、駆動器３０Ｈ、フィルター素子４０Ｈ、および一体化回路基板などの特徴は次の実施形態にも適用できるので、ここでは贅言しない。
図１７は、アレイ撮像モジュール１０００Ｈの一つの変形実施形態を示す。図１６と違って、アレイ撮像モジュール１０００Ｉは、二つのレンズ２０Ｉと、二つの感光チップ１２１Ｉと、二つの回路基板１２２Ｉとを含み、二つの回路基板１２２Ｉは、接続されるモールド部１１Ｉにより一体成形結合されている。すなわち、撮像モジュール１０００Ｉのモールド感光アセンブリ１０Ｉは、図１に示すモールド感光アセンブリ１０として実施可能であり、特に、隣接する回路基板１２２、すなわち回路基板１２２Ｉは、間隔を置いて設置され、モールド部１１Ｉは隣接する回路基板１２２の間隔を充填して回路基板１２２をつながる。
図１８は、アレイ撮像モジュール１０００Ｈのもう一つの変形実施形態を示す。モールド部１１Ｊは、図５に示すモールド部１１の構造と同じであり、すなわち、図５に示すモールド感光アセンブリ１０は、モールド感光アセンブリ１０Ｊとして本実施形態で実施される。具体的には、モールド部１１Ｊは少なくとも一つのレンズ取付部１１４Ｊをさらに含み、レンズ取付部１１４Ｊはモールド部本体１１１Ｊから上方に一体的に延び、レンズ２０はそれぞれレンズ取付部１１４Ｊに設置され、これによってレンズはそれぞれ、各感光チップ１２１Ｊの感光経路に保持される。
図１９は、アレイ撮像モジュール１０００Ｈのもう一つの変形実施形態を示す。アレイ撮像モジュール１０００Ｋの一つのレンズ２０Ｋは、駆動可能に駆動器３０Ｋに設置され、駆動器３０Ｋはモールド部１１Ｋに貼設され、もう一つのレンズ２０Ｋはレンズ取付部１１４Ｋに設置され、これによって、レンズ２０Ｋは感光チップ１２１Ｋの感光経路に保持される。図１９のモールド部１１Ｋは、図１に示すモールド部１１及び図５に示すモールド部１１がアレイ撮像モジュール１０００Ｋにおける実施されたものである。
つまり、図１６から図１９に示すように、遮光層１１２Ｈ、１１２Ｉ、１１２Ｊ、１１２Ｋは、感光領域１２１１Ｈ、１２１１Ｉ、１２１１Ｊ、１２１１Ｋに規定される光通過領域１１０Ｈ、１１０Ｉ、１１０Ｊ、１１０Ｋに対応する。フィルター素子４０Ｈ、４０Ｉ、４０Ｊ、４０Ｋは、光通過領域１１０Ｈ、１１０Ｉ、１１０Ｊ、１１０Ｋを被覆する。
図２０は、アレイ撮像モジュール１０００Ｈのもう一つの変形実施形態を示す。図１６に示すアレイ撮像モジュール１０００Ｈと違って、フィルター素子４０Ｈは省略され、アレイ撮像モジュール１０００Ｌのフィルタリング機能に対する需要は、モールド部１１Ｌの上表面にフィルター層１１３Ｌを設置することにより満たされる。つまり、モールド感光アセンブリ１０Ｌは、図１２に示すモールド感光アセンブリ１０として実施され、特に、隣接する回路基板１２２はつながって一体化された回路基板、すなわち回路基板１２２Ｌを形成する。
図２１は、アレイ撮像モジュール１０００Ｈのもう一つの変形実施形態を示す。図２０に示すアレイ撮像モジュール１０００Ｌと違って、アレイ撮像モジュール１０００Ｍは、二つのレンズ２０Ｍと、二つの感光チップ１２１Ｍと、二つの回路基板１２２Ｍとを含み、二つの回路基板１２２Ｍは、接続されるモールド部１１Ｍにより一体成形結合されている。すなわち、図２０と違って、回路基板１２２Ｍは互いに間隔を置いて設置され、モールド部１１Ｍは隣接する回路基板１２２Ｍの間隔を充填して回路基板１２２Ｍをつながる。
図２２は、アレイ撮像モジュール１０００Ｈの一つの変形実施形態を示す。図２０に示すアレイ撮像モジュール１０００Ｌと違って、モールド部１１Ｎは少なくとも一つのレンズ取付部１１４Ｎをさらに含み、レンズ取付部１１４Ｎはモールド部本体１１１Ｎから上方に一体的に延び、各レンズ２０Ｎはそれぞれレンズ取付部１１４Ｎに設置され、これによってレンズ２０Ｎはそれぞれ、各感光チップ１２１Ｎの感光経路に保持される。
図２３は、アレイ撮像モジュール１０００Ｈのもう一つの変形実施形態を示す。図２２に示すアレイ撮像モジュール１０００Ｎと違って、アレイ撮像モジュール１０００Ｏの一つのレンズ２０Ｏは、駆動可能に駆動器３０Ｏに設置され、駆動器３０Ｏはモールド部１１Ｏに貼設され、もう一つのレンズ２０Ｏはレンズ取付部１１４Ｏに設置され、これによって、レンズ２０Ｏは感光チップ１２１Ｏの感光経路に保持される。
つまり、図２０から図２３に示すように、遮光層１２１１Ｌ、１２１１Ｍ、１２１１Ｎ、１２１１Ｏは、感光領域１２１２Ｌ、１２１２Ｍ、１２１２Ｎ、１２１２Ｏに規定される光通過領域１１０Ｌ、１１０Ｍ、１１０Ｎ、１１０Ｏに対応する。フィルター素子は省略され、フィルター層１１３Ｌ、１１３Ｍ、１１３Ｎ、１１３Ｏは、光通過領域１１０Ｌ、１１０Ｍ、１１０Ｎ、１１０Ｏを被覆する。
上記記載されたアレイ撮像モジュールは、いずれも前述のＭＯＣプロセスにより実現でき、具体的な実現ステップおよびプロセスについてはここでは贅言しない。
図２４は、アレイ撮像モジュール１０００Ｈのもう一つの変形実施形態を示す。アレイ撮像モジュール１０００Ｐのモールド部１１Ｐは、図１３に示すモールド部１１Ｅの構造と同じである。特に、隣接する回路基板１２２がつながって一体化された回路基板、すなわち回路基板１２２Ｐを形成する。
図２５は、アレイ撮像モジュール１０００Ｈのもう一つの変形実施形態を示す。図２４に示すアレイ撮像モジュール１０００Ｐと違って、アレイ撮像モジュール１０００Ｑは、二つのレンズ２０Ｑと、二つの感光チップ１２１Ｑと、二つの回路基板１２２Ｑとを含み、二つの回路基板１２２Ｑは、接続されるモールド部１１Ｑにより一体成形結合されている。すなわち、回路基板１２２Ｑは互いに間隔を置いて設置され、モールド部１１Ｑは隣接する回路基板１２２Ｑの間隔を充填して回路基板１２２Ｑをつながる。
図２６は、アレイ撮像モジュール１０００Ｈのもう一つの変形実施形態を示す。図２４に示すアレイ撮像モジュール１０００Ｐとは違って、アレイ撮像モジュール１０００Ｒのモールド部１１Ｒは少なくとも一つのレンズ取付部１１４Ｒをさらに含み、レンズ取付部１１４Ｒはモールド部本体１１１Ｒから上方に一体的に延び、各レンズはそれぞれレンズ取付部１１４Ｒに設置され、これによって各レンズ２０Ｒはそれぞれ、各感光チップ１２１Ｒの感光経路に保持される。すなわち、モールド感光アセンブリ１０Ｒの構造は、図１４に示すモールド感光アセンブリ１０Ｆの構造と同じであり、特に、隣接する回路基板１２２Ｆが隣接して一体化された回路基板、すなわち回路基板１２２Ｒを形成する。
図２７は、アレイ撮像モジュール１０００Ｈのもう一つの変形実施形態を示す。図２６に示すアレイ撮像モジュール１０００Ｒとは違って、アレイ撮像モジュール１０００Ｓの一つのレンズ２０Ｓは、駆動可能に駆動器３０Ｓに設置され、駆動器３０Ｓはモールド部１１Ｓに貼設され、もう一つのレンズ２０Ｓはレンズ取付部１１４Ｓに設置され、これによって、レンズ２０Ｓは感光チップ１２１Ｓの感光経路に保持される。
図２８は、アレイ撮像モジュール１０００Ｈのもう一つの変形実施形態を示す。上記実施形態と違って、アレイ撮像モジュール１０００Ｔのフィルター素子４０Ｔの数は一つであるため、レンズ２０Ｔのそれぞれは、フィルター素子４０Ｔの異なる位置と対応可能になる。すなわち、隣接する撮像モジュール１０００Ｔの光透過素子はつながって一体化され、光透過素子４０Ｔを形成する。
つまり、図２４から図２８に示すアレイ撮像モジュールは、いずれも前述のＭＯＢプロセスにより実現でき、ここでは贅言しない。この場合、光透過素子４０Ｐ、４０Ｑ、４０Ｒ、４０Ｓ、４０Ｔは、モールド部本体１１１Ｐ、１１１Ｑ、１１１Ｒ、１１１Ｓ、１１１Ｔに支持され、感光チップ１２１Ｐ、１２１Ｑ、１２１Ｓ、１２１Ｔの感光領域に対応する。
なお、本発明のその他の実施形態では、前記モールド感光アセンブリとその他の一般的な光学レンズとを組み立てて撮像モジュールまたはアレイ撮像モジュールを形成する時、図１から図１２に示すＭＯＣモールディングプロセスによって透明材料からなるモールド部本体１１１と光学レンズは、前記撮像モジュールまたは前記アレイ撮像モジュールの少なくとも一つのレンズ群を形成することができる。すなわち、成形後のモールド部本体１１１は、その他の一般的なレンズの光学設計を協力することができる。空気と比べ、透明材料が光に対する屈折率は大きいため、チップ上方の透明層の厚さ、材料、さらに表面形状を調整することにより、異なる光学性能を得ることができる。これは、透明材料全体と上方のレンズとは、一つの巨大なレンズ群を形成することに相当し、これにより、レンズ設計により多くの設計スペースを提供し、最終的には組み立てられた撮像モジュールまたはアレイ撮像モジュールによりよい光学性能とより小さい外形寸法をもたらすことができる。
なお、遮光層１１２の形成前に内部構造を直接に観察することができるので、超音波検査またはＸ線検査などの複雑な工程が省略され、不良品の発見効率が向上する。その後の工程において異常が発生した場合、遮光層１１２を除去してモールド部１１の透明部分を露出させ、製品に問題があるか否かを直接にチェックすることができる。
また、前記モールド感光アセンブリにより組み立て形成される撮像モジュールまたはアレイ撮像モジュールのその他の部品、例えば、レンズや駆動器などは、不透明な接着剤を利用して固定することができるので、遮光作用を果たすことができ、これら接着剤の塗布位置での遮光層１１２は省略可能であるので、材料と工程を節約することができる。また、前記モールド感光アセンブリにより組み立て形成される撮像モジュールまたはアレイ撮像モジュールが電子機器２００内に配置される時、撮像モジュールまたはアレイ撮像モジュールの装着位置の側面には光が照射しないか、あるいは機器のその他の部品によって光が遮蔽される場合、その側面の遮光層１１２も省略できる。
なお、本発明は主に、単体の撮像モジュールを例として本発明の撮像モジュールの特徴及び利点について説明したが、その他の実施形態では、撮像モジュール１００は、デュアルレンズ撮像モジュールまたはアレイ撮像モジュールであってもよいので、単体の撮像モジュールは、本発明の内容と範囲を限定しないことは、当業者は理解するであろう。
上記記載および図面に示された本発明の実施形態は例示に過ぎず、本発明を限定するものではないと当業者は理解すべきである。本発明の目的は完全で効果的に実現されている。本発明の機能および構造の原理は実施形態において開示および説明されており、前記原理に反しない限り、本発明の実施形態について如何なる変形または改善をすることができる。

Claims (9)

  1. 少なくとも一つの撮像モジュールに適用されるモールド感光アセンブリであって、
    透明材料からなる一つのモールド部本体を含むモールド部と、
    感光チップと、
    前記感光チップが電気的に接続されて貼設される回路基板とを含み、
    モールド成型工程によって、前記モールド部の前記モールド部本体、前記感光チップ、および前記回路基板は一体構造に形成され、
    前記モールド部本体の上表面を被覆する遮光層をさらに含み、前記遮光層は、前記モールド部本体の上表面に少なくとも一つの光通過領域を規定し、前記光通過領域と前記感光チップとは対応して前記感光チップに光路を提供するようになり、
    前記モールド部本体は、前記感光チップと前記回路基板とを完全に被覆している、
    ことを特徴とするモールド感光アセンブリ。
  2. 前記モールド部本体は、前記モールド部本体の上表面がへこんで形成する少なくとも一つの凹溝を備え、前記凹溝に前記光通過領域が設置されている、請求項１に記載のモールド感光アセンブリ。
  3. 前記モールド部本体の上表面は平坦であり、前記光通過領域は、前記モールド部本体の平坦な上表面に規定されている、請求項１に記載のモールド感光アセンブリ。
  4. 前記光通過領域を覆うフィルター層をさらに備え、前記フィルター層の縁と前記遮光層の縁とが重なって設置されている、請求項１に記載のモールド感光アセンブリ。
  5. 前記光通過領域を覆う光反射層をさらに備え、前記光反射層の縁と前記遮光層の縁とが重なって設置されている、請求項１に記載のモールド感光アセンブリ。
  6. 前記凹溝に取り付けられて前記光通過領域を被覆する光透過素子をさらに含み、
    前記モールド部本体は前記光透過素子の外周側および底部に包囲され、前記光透過素子の上表面と前記モールド部本体の上表面とは同じ平面にあり、
    または、
    前記凹溝は、上から下に向かって徐々に小さくなっている、
    請求項２に記載のモールド感光アセンブリ。
  7. フィルター素子をさらに含み、前記フィルター素子は感光チップの表面に貼設されており、前記フィルター素子は前記感光チップに前記モールド部本体により覆われており、及び／または、
    前記モールド部は、前記モールド部本体の周囲部が上方に延びて形成される少なくとも一つのレンズ取付部をさらに含み、前記レンズ取付部と前記モールド部本体は一体的に成形され接続されており、及び／または、
    前記回路基板に電気的に接続される少なくとも一つの電子部品をさらに含み、前記モールド部本体は前記感光チップ、前記回路基板、および前記電子部品を被覆しており、及び／または、
    前記感光チップと前記回路基板を電気的に接続する少なくとも一つの接続ワイヤをさらに含み、前記モールド部本体は前記接続ワイヤを被覆している、
    請求項１に記載のモールド感光アセンブリ。
  8. レンズと、
    請求項１に記載のモールド感光アセンブリと
    を含む撮像モジュールであって、前記レンズは、前記感光チップの感光経路に支持されていることを特徴とする、撮像モジュール。
  9. 少なくとも二つのレンズと、
    少なくとも二つの感光チップと、
    前記感光チップが電気的に接続されて貼設される少なくとも一つの回路基板と、
    一つのジョイントモールド部とを含むアレイ撮像モジュールであって、
    前記レンズは、対応する前記感光チップの感光経路に保持され、
    前記ジョイントモールド部、前記回路基板、および前記感光チップはモールド成型工程によって一体化され、前記ジョイントモールド部は透明材料からなることであって、
    前記ジョイントモールド部の上表面を被覆する遮光層をさらに含み、前記遮光層は、前記ジョイントモールド部の上表面に光通過領域を規定し、前記光通過領域と前記感光チップとは対応して前記感光チップに光路を提供するようになり、
    前記ジョイントモールド部は、前記感光チップと前記回路基板とを完全に被覆している、
    ことを特徴とする、アレイ撮像モジュール。
JP2022017544A 2017-04-12 2022-02-07 撮像モジュールおよびそのモールド感光アセンブリ並びに製造方法および電子機器 Active JP7253644B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710236249 2017-04-12
CN201710236249.6 2017-04-12
JP2019555470A JP7075415B2 (ja) 2017-04-12 2018-04-12 撮像モジュールおよびそのモールド感光アセンブリ並びに製造方法および電子機器
PCT/CN2018/082819 WO2018188628A1 (zh) 2017-04-12 2018-04-12 摄像模组及其模塑感光组件和制造方法以及电子设备

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019555470A Division JP7075415B2 (ja) 2017-04-12 2018-04-12 撮像モジュールおよびそのモールド感光アセンブリ並びに製造方法および電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022070925A JP2022070925A (ja) 2022-05-13
JP7253644B2 true JP7253644B2 (ja) 2023-04-06

Family

ID=63792245

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019555470A Active JP7075415B2 (ja) 2017-04-12 2018-04-12 撮像モジュールおよびそのモールド感光アセンブリ並びに製造方法および電子機器
JP2022017544A Active JP7253644B2 (ja) 2017-04-12 2022-02-07 撮像モジュールおよびそのモールド感光アセンブリ並びに製造方法および電子機器

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019555470A Active JP7075415B2 (ja) 2017-04-12 2018-04-12 撮像モジュールおよびそのモールド感光アセンブリ並びに製造方法および電子機器

Country Status (6)

Country Link
US (3) US11094727B2 (ja)
EP (1) EP3611913A4 (ja)
JP (2) JP7075415B2 (ja)
KR (1) KR102334464B1 (ja)
CN (3) CN110337804A (ja)
WO (1) WO2018188628A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11049898B2 (en) 2017-04-01 2021-06-29 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Systems and methods for manufacturing semiconductor modules
CN110337804A (zh) 2017-04-12 2019-10-15 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组及其模塑感光组件和制造方法以及电子设备
US11562969B2 (en) * 2019-09-12 2023-01-24 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package including reinforced structure
CN111787202A (zh) * 2020-07-13 2020-10-16 南昌欧菲光电技术有限公司 摄像模组、电子设备以及具有其的车辆
CN111816625B (zh) * 2020-08-25 2020-12-04 甬矽电子(宁波)股份有限公司 多层芯片堆叠结构和多层芯片堆叠方法
CN114257709A (zh) * 2020-09-21 2022-03-29 晋城三赢精密电子有限公司 摄像头模组及电子装置
CN114650377A (zh) * 2022-03-22 2022-06-21 维沃移动通信有限公司 摄像模组、摄像模组的控制方法以及电子设备

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004180116A (ja) 2002-11-28 2004-06-24 Exquisite Optical Technology Co Ltd 微小化実装した映像取入チップモジュール
JP2005005720A (ja) 2003-06-11 2005-01-06 Samsung Electronics Co Ltd 透明高分子素材を適用したｃｍｏｓ型イメージセンサーモジュール及びその製造方法

Family Cites Families (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56103483A (en) 1980-01-21 1981-08-18 Fuji Photo Film Co Ltd Manufacture of semiconductor device for photoelectric conversion
DE69129817T2 (de) 1990-04-03 1999-01-07 Sumitomo Electric Industries, Ltd., Osaka Optische Vorrichtung
JP2902734B2 (ja) * 1990-05-31 1999-06-07 オリンパス光学工業株式会社 固体撮像素子
JP3498775B2 (ja) * 1995-05-31 2004-02-16 ソニー株式会社 撮像装置
JP2997875B2 (ja) 1996-11-19 2000-01-11 博敏 西田 樹脂封止成形品の射出成形方法
JPH10303352A (ja) 1997-04-22 1998-11-13 Toshiba Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
US7296345B1 (en) 2004-11-16 2007-11-20 Super Talent Electronics, Inc. Method for manufacturing a memory device
US6483101B1 (en) * 1999-12-08 2002-11-19 Amkor Technology, Inc. Molded image sensor package having lens holder
JP3621034B2 (ja) 2000-10-02 2005-02-16 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
US6414384B1 (en) 2000-12-22 2002-07-02 Silicon Precision Industries Co., Ltd. Package structure stacking chips on front surface and back surface of substrate
US7176055B2 (en) 2001-11-02 2007-02-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for manufacturing electronic component-mounted component, and electronic component-mounted component
JP4285966B2 (ja) * 2002-09-27 2009-06-24 三洋電機株式会社 カメラモジュール
JP2004134672A (ja) * 2002-10-11 2004-04-30 Sony Corp 超薄型半導体装置の製造方法および製造装置、並びに超薄型の裏面照射型固体撮像装置の製造方法および製造装置
US20040179249A1 (en) * 2003-03-10 2004-09-16 Jackson Hsieh Simplified image sensor module
US6876544B2 (en) * 2003-07-16 2005-04-05 Kingpak Technology Inc. Image sensor module and method for manufacturing the same
US6995462B2 (en) 2003-09-17 2006-02-07 Micron Technology, Inc. Image sensor packages
JP2005101911A (ja) * 2003-09-25 2005-04-14 Konica Minolta Opto Inc 撮像装置及び携帯端末
US7329861B2 (en) * 2003-10-14 2008-02-12 Micron Technology, Inc. Integrally packaged imaging module
JP4838501B2 (ja) * 2004-06-15 2011-12-14 富士通セミコンダクター株式会社 撮像装置及びその製造方法
KR100652375B1 (ko) * 2004-06-29 2006-12-01 삼성전자주식회사 와이어 본딩 패키지를 포함하는 이미지 센서 모듈 구조물및 그 제조방법
JP2006128625A (ja) 2004-09-30 2006-05-18 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
KR100687102B1 (ko) * 2005-03-30 2007-02-26 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법.
KR100809682B1 (ko) 2005-07-11 2008-03-06 삼성전자주식회사 투명 커버가 부착되어 있는 광학 장치의 제조방법 및 이를이용한 광학 장치 모듈의 제조방법
US7365371B2 (en) 2005-08-04 2008-04-29 Cree, Inc. Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants
US20080283952A1 (en) 2005-12-24 2008-11-20 Choi Hyun-Kyu Semiconductor Package, Method of Fabricating the Same and Semiconductor Package Module For Image Sensor
TWI437301B (zh) 2006-02-03 2014-05-11 Hitachi Maxell Camera module
JP4838609B2 (ja) * 2006-03-22 2011-12-14 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置
DE102006014247B4 (de) 2006-03-28 2019-10-24 Robert Bosch Gmbh Bildaufnahmesystem und Verfahren zu dessen Herstellung
US20070236591A1 (en) 2006-04-11 2007-10-11 Tam Samuel W Method for mounting protective covers over image capture devices and devices manufactured thereby
US20070292127A1 (en) * 2006-06-19 2007-12-20 Jochen Kuhmann Small form factor camera module with lens barrel and image sensor
US7964945B2 (en) * 2007-09-28 2011-06-21 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Glass cap molding package, manufacturing method thereof and camera module
KR100928011B1 (ko) * 2007-12-20 2009-11-24 삼성전기주식회사 이미지센서 모듈과 그 제조방법, 그리고 이를 포함하는카메라 모듈
CN101794768B (zh) 2009-02-02 2011-10-26 扬明光学股份有限公司 发光二极管封装体及投影装置
US8193555B2 (en) * 2009-02-11 2012-06-05 Megica Corporation Image and light sensor chip packages
US8184195B2 (en) 2009-04-01 2012-05-22 Aptina Imaging Corporation Lens shielding structures for digital image sensors
JP5021007B2 (ja) * 2009-08-27 2012-09-05 キヤノン株式会社 眼科撮影装置及び該眼科撮影装置に用いるカメラ
US8299589B2 (en) * 2010-07-26 2012-10-30 TDK Taiwan, Corp. Packaging device of image sensor
KR101279515B1 (ko) 2011-05-24 2013-06-28 엘지전자 주식회사 디스플레이 모듈 및 이를 구비한 이동 단말기
US20130128106A1 (en) 2011-11-23 2013-05-23 Flextronics Ap, Llc Camera module housing having molded tape substrate with folded leads
CN103574520B (zh) 2012-08-06 2015-07-15 齐瀚光电股份有限公司 整合有介电液体透镜的led照明组合
KR101976602B1 (ko) 2012-12-26 2019-05-10 엘지이노텍 주식회사 인쇄회로 기판 및 그 제조 방법
TWI540709B (zh) * 2012-12-28 2016-07-01 群豐科技股份有限公司 光電封裝體及其製造方法
KR102010628B1 (ko) * 2013-04-05 2019-08-13 레드.컴, 엘엘씨 카메라용 광학 필터링
CN103442531A (zh) * 2013-08-01 2013-12-11 业成光电（深圳）有限公司 电子装置、电子装置的外壳及其制造方法
JP6300029B2 (ja) 2014-01-27 2018-03-28 ソニー株式会社 撮像素子、製造装置、製造方法
KR20150092867A (ko) * 2014-02-06 2015-08-17 삼성전기주식회사 카메라 모듈
US9578217B2 (en) 2014-05-27 2017-02-21 Mems Drive, Inc. Moving image sensor package
US10211191B2 (en) * 2014-08-06 2019-02-19 Pixart Imaging Inc. Image module package with transparent sub-assembly
CN204760384U (zh) 2015-05-18 2015-11-11 华天科技（昆山）电子有限公司 高像素影像传感芯片的晶圆级封装结构
CN105704354B (zh) * 2016-03-12 2019-07-05 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组及其感光组件和制造方法
CN105681637B (zh) 2016-03-15 2019-12-31 宁波舜宇光电信息有限公司 阵列摄像模组及其感光组件和制造方法
EP3429181B1 (en) * 2016-03-12 2024-10-16 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Array camera module, moulded photosensitive assembly and manufacturing method therefor, and electronic device
US11049898B2 (en) 2017-04-01 2021-06-29 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Systems and methods for manufacturing semiconductor modules
CN110337804A (zh) * 2017-04-12 2019-10-15 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组及其模塑感光组件和制造方法以及电子设备
US10804305B2 (en) 2018-04-23 2020-10-13 Sunny Opotech North America Inc. Manufacture of semiconductor module with dual molding

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004180116A (ja) 2002-11-28 2004-06-24 Exquisite Optical Technology Co Ltd 微小化実装した映像取入チップモジュール
JP2005005720A (ja) 2003-06-11 2005-01-06 Samsung Electronics Co Ltd 透明高分子素材を適用したｃｍｏｓ型イメージセンサーモジュール及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US12068344B2 (en) 2024-08-20
CN208572212U (zh) 2019-03-01
EP3611913A1 (en) 2020-02-19
EP3611913A4 (en) 2020-03-04
JP2020517166A (ja) 2020-06-11
US11094727B2 (en) 2021-08-17
JP7075415B2 (ja) 2022-05-25
US20200156295A1 (en) 2020-05-21
US20210343768A1 (en) 2021-11-04
KR102334464B1 (ko) 2021-12-02
KR20190133235A (ko) 2019-12-02
JP2022070925A (ja) 2022-05-13
US20190319057A1 (en) 2019-10-17
WO2018188628A1 (zh) 2018-10-18
CN108696681A (zh) 2018-10-23
CN110337804A (zh) 2019-10-15
US11139328B2 (en) 2021-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7253644B2 (ja) 撮像モジュールおよびそのモールド感光アセンブリ並びに製造方法および電子機器
US20210203818A1 (en) Camera module, molding photosensitive assembly thereof, manufacturing method and electronic device
US20210377427A1 (en) Array camera module having height difference, circuit board assembly and manufacturing method therefor, and electronic device
CN105847645B (zh) 基于一体封装工艺的摄像模组及其一体基座组件及制造方法
CN108243298B (zh) 摄像模组及其模塑电路板组件和制造方法以及带有摄像模组的电子设备
JP6876812B2 (ja) レンズ群及びカメラモジュール並びにその製造方法
CN108363159B (zh) 一镜头和摄像模组及其制造方法
CN107959770B (zh) 基于一体封装工艺的摄像模组和阵列摄像模组
KR102465474B1 (ko) 일체형 패키징 공정 기반 카메라 모듈, 그 일체형 기저 부품 및 그 제조 방법
KR102250618B1 (ko) 촬영 어셈블리 및 이의 패키징 방법, 렌즈 모듈, 전자 기기
CN209982576U (zh) 摄像模组
CN113079291B (zh) 芯片封装结构及加工方法、摄像头模组和电子设备
CN113992818A (zh) 基于一体封装工艺的摄像模组和阵列摄像模组
TWI418871B (zh) 鏡頭模組及其製作方法
CN209982574U (zh) 摄像模组
CN211089713U (zh) 感光组件和摄像模组以及电子设备
CN212367359U (zh) 一种镜头模组及电子设备
CN209982575U (zh) 摄像模组
CN110855854B (zh) 摄像模组和模塑感光组件及其制造方法以及电子设备
JP4258512B2 (ja) 携帯型撮像装置
CN101304491B (zh) 影像感测模块与其制造方法以及影像撷取装置
CN111988498A (zh) 摄像模组及其制造方法
CN111988496A (zh) 摄像模组及其制造方法
CN111988497A (zh) 摄像模组及其制造方法
JPH10164329A (ja) イメージセンサ及びそれを用いた情報処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220304

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220304

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20221122

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230217

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230307

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230327

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7253644

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150