JP7248653B2 - 複合焼結体、半導体製造装置部材および複合焼結体の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、複合焼結体、半導体製造装置部材および複合焼結体の製造方法に関する。

従来、半導体基板の製造装置等において、クーロン力またはジョンソン・ラーベック力を利用して半導体基板を吸着して保持する静電チャック、半導体基板を加熱するヒーター、これらを組み合わせた静電チャックヒーター等の、サセプターが利用されている。当該サセプターには、高い耐電圧および高い体積抵抗率が求められる。当該サセプターは、例えば、酸化アルミニウムを主相とする焼結体を用いて製造される。

ところで、上記焼結体の焼成時に酸化アルミニウムの異常粒成長が生じると、焼結体の材料特性が大きく変動する場合がある。そこで、特開２０１７－０９５３３３号公報（文献１）では、酸化アルミニウムの粒成長を抑制することを目的として、酸化アルミニウムを主成分とする焼成原料に酸化マグネシウムを添加することにより、酸化アルミニウムの平均焼結粒径を３μｍ～１８μｍとし、焼結粒径分布の変動係数を７％～２１％としている。

また、特開２００３－３２１２７０号公報（文献２）では、酸化アルミニウムを主成分とする焼成原料に二酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化カルシウムおよび酸化ジルコニアを添加することにより、酸化アルミニウムの平均焼結粒径を０．８μｍから４．６μｍとし、嵩密度を３．８０ｇ／ｃｍ^３～３．９２ｇ／ｃｍ^３としている。

特開２００５－２７２２９３号公報（文献３）では、半導体製造装置用部材に使用される酸化アルミニウム焼結体の実施例として、焼結体組成が酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウムおよび酸化ケイ素であり、平均粒径が３．５μｍから１９．０μｍである焼結体が開示されている（表３）。

特開２０１２－２１６８１６号公報（文献４）では、実施例５として、アルミナ粉末１００重量部、マグネシア０．２重量部、フッ化マグネシウム０．３重量部、分散剤および溶媒を混合し、成形および焼成することにより製造された静電チャック用セラミック成形体が記載されている（段落００５８～００６１）。実施例５のセラミック成形体では、セラミック粒子の平均粒径は０．９μｍであり、標準偏差は０．３μｍである。また、実施例５のセラミック成形体の粒界組成は、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４およびＭｇＯである（表２）。当該セラミック成形体では、セラミック粒子の平均粒径を０．７μｍ～１．２μｍとすることにより、パーティクルの発生が格段に抑制される（段落００１８）。

特開２０１５－１０９３１８号公報（文献５）では、酸化アルミニウムの結晶を主相とするセラミック製のボンディングキャピラリにおいて、耐摩耗性の向上を図るために、酸化アルミニウムの平均粒径を０．６８μｍ以下とし、粒径分布の変動係数を０．４９以下とする技術が記載されている。

特開２０１７－９５３３３号公報（文献６）では、アルミナ粒子の粒界にＭｇＡｌ_２Ｏ_４粒子が存在するアルミナ焼結体が開示されている。表２の比較例９～１０では、焼結体におけるアルミナ粒子の平均粒径が２～３μｍであり、粒径変動係数が６～８％と比較的小さいアルミナ焼結体が開示されている。比較例９～１０の焼結体では、嵩密度が３．８３ｇ／ｃｍ^３～３．８５ｇ／ｃｍ^３であり、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４／アルミナ結晶相量比が０．０２１～０．０２７である。

特許第６０３２０２２号公報（文献７）では、酸化アルミニウムに炭化ケイ素を４～２０重量％添加した静電チャック用の誘電体材料が開示されている。特開２００２－３２４８３３号公報（文献８）では、酸化アルミニウムに炭化ケイ素を１～１０重量％添加した混合粉末を成形し、得られた成形体を焼結することにより静電チャック用絶縁部材を製造する技術が開示されている。

上述の文献１の焼結体では、酸化アルミニウムの平均焼結粒径を下限値である３μｍとした場合、焼結粒径分布の変動係数が１３％と大きくなり、焼結粒径の均一性が低い。一方、焼結粒径分布の変動係数を下限値である７％とした場合、平均焼結粒径が７μｍと大きくなる。また、文献１の焼結体において、上述の変動係数および平均焼結粒径から求められる酸化アルミニウムの焼結粒径分布の標準偏差は、０．３９～３．５７である。当該標準偏差からも、文献１の焼結体では、焼結粒径の均一性が低いことがわかる。すなわち、文献１の焼結体では、平均焼結粒径の縮小と、焼結粒径の均一性向上との両立が困難である。また、当該焼結体では、最大強度も４８５ＭＰａと十分に高くはない。さらには、当該焼結体では、酸化アルミニウムの粒成長抑制が不十分であるため、耐電圧および体積抵抗率も低く、焼成条件が変動すると材料特性も大きく変動すると考えられる。

文献２の焼結体は、嵩密度が比較的低く、焼結体中の欠陥も０．７％～３．９％と多い。また、焼結粒径の最大値が平均値の１．６倍以上であり、焼結粒径の均一性は低いと考えられる。したがって、焼結体の強度は低く、耐電圧および体積抵抗率も低いと考えられる。

文献４のセラミック成形体では、セラミック粒子の平均粒径が０．７μｍ～１．２μｍと小さいが、パーティクルの発生抑制に関する段落００１８の記載から、当該平均粒径を１．２μｍよりも大きくすることは考え難い。したがって、文献４に文献３を組み合わせて、文献４の粒径標準偏差が０．３μｍであるセラミック粒子の平均粒径を、文献３のように３．５μｍ～１９．０μｍとすることは考え難い。文献５のボンディングキャピラリにおいても同様に、耐摩耗性向上に関する記載から、酸化アルミニウムの平均粒径を０．６８μｍよりも大きくすることは考えがたい。

ところで、文献４のセラミック成形体を用いる静電チャックでは、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４の含有率が高くなると、セラミック成形体の熱膨張率が増大し、内部電極として使用される金属または合金の熱膨張率との差が大きくなる。このため、焼結工程において、当該熱膨張率の差に起因して、セラミック成形体にクラックや割れ等の損傷が生じるおそれがある。しかしながら、文献４では、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４の含有率等については言及されていない。

一方、文献６の上記比較例９～１０のアルミナ焼結体では、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４／アルミナ結晶相量比について言及されているが、当該結晶相量比が０．０２１～０．０２７と高いため、焼結時にアルミナ焼結体の損傷が生じるおそれがある。また、比較例９～１０のアルミナ焼結体は、嵩密度も上述のように低いため、耐電圧、体積抵抗率および曲げ強度等が低くなるおそれがある。

文献７の誘電体材料では、導電パスとなり得る炭化ケイ素の添加量が比較的多いため、耐電圧および体積抵抗率は高くなりにくい。なお、当該誘電体材料は、腐食雰囲気下において、耐食性が比較的低い炭化ケイ素の腐食および脱落に伴って静電チャック表面の凹凸が顕著となり、更なる粒子の脱落の原因となり、単位時間あたりの腐食量が大きくなる、あるいは、パーティクルが発生するおそれもある。文献８の静電チャック用絶縁部材においても同様である。

本発明は、複合焼結体に向けられており、高い耐電圧、高い体積抵抗率および高い曲げ強度を有する複合焼結体を提供することを目的としている。また、製造時における複合焼結体の損傷を抑制することも目的としている。

本発明の好ましい一の形態に係る複合焼結体は、酸化アルミニウムと、マグネシウムアルミニウムスピネルと、を備える。前記酸化アルミニウムの含有率は、９５．５重量％以上である。前記酸化アルミニウムの平均焼結粒径は、２μｍ以上かつ４μｍ以下である。前記酸化アルミニウムの焼結粒径分布の標準偏差は、０．３５以下である。前記複合焼結体の嵩密度は、３．９４ｇ／ｃｍ^３以上かつ３．９８ｇ／ｃｍ^３以下である。前記マグネシウムアルミニウムスピネルと前記酸化アルミニウムとの結晶相量の比は、０．００３以上かつ０．００８以下である。本発明によれば、高い耐電圧、高い体積抵抗率および高い曲げ強度を有する複合焼結体を提供することができる。また、製造時における複合焼結体の損傷を抑制することもできる。

好ましくは、前記複合焼結体は、炭化ケイ素をさらに備え、前記炭化ケイ素の含有率は、０．０１重量％以上かつ４重量％以下である。

好ましくは、前記複合焼結体のマグネシウムの含有率は、０．３５重量％以下である。

好ましくは、前記複合焼結体の耐電圧は、１００ｋＶ／ｍｍ以上である。

好ましくは、前記複合焼結体の２５０℃における体積抵抗率は１．０ｘ１０^１５Ω・ｃｍ以上である。

好ましくは、前記複合焼結体の４点曲げ強度は４５０ＭＰａ以上である。

本発明は、半導体製造装置において使用される半導体製造装置部材にも向けられている。本発明の好ましい一の形態に係る半導体製造装置部材は、上述の複合焼結体を用いて作製されている。本発明によれば、高い耐電圧および高い体積抵抗率を有する半導体製造装置部材を提供することができる。

好ましくは、前記半導体製造装置部材は、前記複合焼結体を用いて作製されるとともに上面に半導体基板が載置される板状の本体部と、前記本体部の内部に配置される内部電極と、を備える。

本発明は、複合焼結体の製造方法にも向けられている。本発明の好ましい一の形態に係る複合焼結体の製造方法は、ａ）酸化アルミニウムと酸化マグネシウムとを混合した混合粉末を所定形状の成形体に成形する工程と、ｂ）前記成形体を焼成して複合焼結体を生成する工程と、を備える。前記ａ）工程において、前記混合粉末における前記酸化アルミニウムの含有率は９５．５重量％以上である。前記複合焼結体における酸化アルミニウムの平均焼結粒径は、２μｍ以上かつ４μｍ以下である。前記複合焼結体における前記酸化アルミニウムの焼結粒径分布の標準偏差は、０．３５以下である。前記複合焼結体の嵩密度は、３．９４ｇ／ｃｍ^３以上かつ３．９８ｇ／ｃｍ^３以下である。前記複合焼結体はマグネシウムアルミニウムスピネルを備え、前記複合焼結体における前記マグネシウムアルミニウムスピネルと前記複合焼結体における前記酸化アルミニウムとの結晶相量の比は、０．００３以上かつ０．００８以下である。本発明によれば、高い耐電圧、高い体積抵抗率および高い曲げ強度を有する複合焼結体を容易に製造することができる。また、製造時における複合焼結体の損傷を抑制することもできる。

好ましくは、前記ａ）工程において、前記混合粉末は炭化ケイ素を含んでおり、前記混合粉末における前記炭化ケイ素の含有率は０．０１重量％以上かつ４重量％以下である。

好ましくは、前記ａ）工程において、前記混合粉末における前記酸化マグネシウムの含有率は０．５重量％以下である。

好ましくは、前記ｂ）工程において、焼成温度は１５５０℃以上かつ１７００℃以下である。

上述の目的および他の目的、特徴、態様および利点は、添付した図面を参照して以下に行うこの発明の詳細な説明により明らかにされる。

静電チャックの断面図である。 チャック本体の製造の流れを示す図である。 複合焼結体の研磨面のＳＥＭ画像である。

図１は、本発明の一の実施の形態に係るサセプター１の断面図である。サセプター１は、半導体製造装置において使用される半導体製造装置部材である。サセプター１は、略円板状の半導体基板９（以下、単に「基板９」と呼ぶ。）を、図１中の下側から支持する。以下の説明では、図１中の上側および下側を、単に「上側」および「下側」と呼ぶ。また、図１中の上下方向を、単に「上下方向」と呼ぶ。図１中の上下方向は、サセプター１が半導体製造装置に設置される際の実際の上下方向と必ずしも一致する必要はない。

サセプター１は、本体部２１と、ベース部２２と、内部電極２３とを備える。本体部２１は、後述する複合焼結体を用いて作成された略板状（例えば、略円板状）の部材である。本体部２１の上面上には基板９が載置される。ベース部２２は、平面視において本体部２１よりも大きい略板状（例えば、略円板状）の部材である。本体部２１は、ベース部２２上に取り付けられる。

内部電極２３は、本体部２１の内部に配置（すなわち、埋設）される。内部電極２３は、例えば、金属製の略円板状の部材である。内部電極２３は、比較的高い融点を有する金属により形成されることが好ましい。当該金属として、例えば、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、白金（Ｐｔ）、レニウム（Ｒｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、または、これらの合金が用いられる。

図１に示す例では、サセプター１は、クーロン力またはジョンソン・ラーベック力を利用して基板９を吸着して保持する静電チャックである。サセプター１では、内部電極２３と基板９との間に直流電圧が印加されることにより、本体部２１のうち内部電極２３と基板９との間の部位が誘電体層として働き、基板９が本体部２１の上面に吸着される。図示しないが、本体部２１の内部には、基板９を加熱するための抵抗発熱体（すなわち、ヒーター電極）が設けられていてもよい。

サセプター１の本体部２１は、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）と、炭化ケイ素（ＳｉＣ）と、マグネシウムアルミニウムスピネル（ＭｇＡｌ_２Ｏ_４）とを含む複合焼結体を用いて作製される。マグネシウムアルミニウムスピネルは、単に「スピネル」とも呼ばれる。以下の説明では、本体部２１の全体が当該複合焼結体を用いて作製されるものとして説明する。

本体部２１を構成する複合焼結体（以下、単に「複合焼結体」と呼ぶ。）の主相は、上述のＡｌ_２Ｏ_３である。当該複合焼結体では、ＳｉＣの粒子およびＭｇＡｌ_２Ｏ_４の粒子が、Ａｌ_２Ｏ_３中に分散している。

複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の含有率は、９５．５重量％以上、かつ、１００重量％よりも小さい。Ａｌ_２Ｏ_３の含有率は、好ましくは９７重量％以上であり、より好ましくは９８．５重量％以上である。Ａｌ_２Ｏ_３の含有率の上限は、１００重量％よりも小さければ特には限定されないが、典型的には、当該含有率は９９．８重量％以下であり、より典型的には９９重量％以下である。

また、複合焼結体におけるＳｉＣの含有率は、好ましくは４重量％以下であり、より好ましくは２重量％以下であり、さらに好ましくは１重量％以下である。ＳｉＣの含有率の下限は特には限定されないが、典型的には、当該含有率は０．１重量％以上であり、より典型的には０．５重量％以上である。複合焼結体は、ＳｉＣを実質的に含んでいなくてもよい。なお、「ＳｉＣを実質的に含まない」とは、複合焼結体におけるＳｉＣの含有率が、０．０１重量％未満であることを指す。

当該複合焼結体におけるマグネシウム（Ｍｇ）の含有率は、好ましくは０．３５重量％以下である。当該Ｍｇの含有率とは、上述のＭｇＡｌ_２Ｏ_４に含まれるＭｇ、および、Ａｌ_２Ｏ_３に固溶しているＭｇ等、複合焼結体に含まれる全Ｍｇの含有率である。Ｍｇの含有率は、より好ましくは、０．０７重量％以下である。Ｍｇの含有率の下限は、０重量％よりも大きければ特には限定されないが、典型的には、当該含有率は０．０２重量％以上であり、より典型的には０．０５重量％以上である。

複合焼結体の開気孔率は、好ましくは０．１％未満であり、より好ましくは０．０５％未満であり、さらに好ましくは実質的に０．０％である。複合焼結体の嵩密度は、好ましくは３．９４ｇ／ｃｍ^３～３．９８ｇ／ｃｍ^３であり、より好ましくは３．９６ｇ／ｃｍ^３～３．９７ｇ／ｃｍ^３である。

複合焼結体の耐電圧（すなわち、絶縁耐圧）は、好ましくは１００ｋＶ／ｍｍ以上であり、より好ましくは１５０ｋＶ／ｍｍ以上であり、さらに好ましくは２００ｋＶ／ｍｍ以上である。

２５０℃における複合焼結体の体積抵抗率は、好ましくは１．０ｘ１０^１５Ω・ｃｍ以上であり、より好ましくは５．０ｘ１０^１５Ω・ｃｍ以上であり、さらに好ましくは１．０ｘ１０^１６Ω・ｃｍ以上である。

複合焼結体の４点曲げ強度は、好ましくは４５０ＭＰａ以上であり、より好ましくは５００ＭＰａ以上であり、さらに好ましくは５５０ＭＰａ以上である。

複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径は、好ましくは２μｍ～４μｍであり、より好ましくは２．３μｍ～３．７μｍであり、さらに好ましくは２．５μｍ～３．５μｍである。複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は、０．３５以下であり、好ましくは０．２５以下であり、より好ましくは０．１５以下である。

次に、図２を参照しつつ上述の複合焼結体（すなわち、サセプター１の本体部２１）の製造方法の一例について説明する。複合焼結体を製造する際には、まず、Ａｌ_２Ｏ_３と、ＳｉＣと、ＭｇＯとを混合した混合粉末を得る。そして、当該混合粉末を所定形状の成形体に成形する（ステップＳ１１）。例えば、ステップＳ１１では、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＣおよびＭｇＯの粉末が、有機溶媒中で湿式混合されることによりスラリーとされる。続いて、当該スラリーが乾燥されて混合粉末（すなわち、調合粉末）とされ、当該混合粉末が上記成形体に成形される。湿式混合の際の溶媒は、例えばイオン交換水であってもよい。また、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＣおよびＭｇＯの粉末は、湿式混合ではなく、乾式混合により混合されてもよい。

当該混合粉末は、例えば、一軸加圧成形用の金型に充填されることにより、所定形状の成形体に成形される。成形体の形状が板状である場合には、混合粉末はホットプレスダイス等に充填されることにより成形されてもよい。当該成形体の成形は、形状を保持できるのであれば、他の様々な方法により行われてもよい。また、前述のスラリーのように、流動性のある状態のままモールドに流し込んだ後に溶媒成分を除去し、所定形状の成形体としてもよい。ステップＳ１１で成形される成形体は、例えば、本体部２１と略同形状の略円板状である。

ステップＳ１１において、上記混合粉末におけるＡｌ_２Ｏ_３の含有率は、９５．５重量％以上、かつ、１００重量％よりも小さい。当該混合粉末におけるＳｉＣの含有率は、４．０重量％以下であることが好ましい。また、混合粉末におけるＭｇＯの含有率は、０重量％よりも大きく、かつ、０．５重量％以下であることが好ましい。混合粉末におけるＭｇＯの含有率は、より好ましくは、０．０３重量％以上である。

ステップＳ１１において成形体が得られると、当該成形体が焼成され、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＣおよびＭｇＡｌ_２Ｏ_４を含む上述の複合焼結体が生成される（ステップＳ１２）。ステップＳ１２では、混合粉末中のＡｌ_２Ｏ_３とＭｇＯとが反応し、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４が生成される。ステップＳ１２における焼成温度（すなわち、焼成時の最高温度）は、好ましくは１５５０℃～１７００℃である。ステップＳ１２では、例えば、ホットプレス法により成形体の焼成が行われる。具体的には、ホットプレスダイスに成形体が配置されて加熱および加圧されることにより、複合焼結体が得られる。成形体の焼成は、例えば真空雰囲気下または非酸化性雰囲気下で行われる。ホットプレス時の加熱温度、プレス圧力および焼成時間は、適宜決定されてよい。

ステップＳ１１では、混合粉末は、Ａｌ_２Ｏ_３と、ＭｇＯとを混合したものであり、ＳｉＣを実質的に含んでいなくてもよい。なお、「ＳｉＣを実質的に含まない」とは、混合粉末におけるＳｉＣの含有率が、０．０１重量％未満であることを指す。この場合、ステップＳ１２において生成される複合焼結体は、Ａｌ_２Ｏ_３およびＭｇＡｌ_２Ｏ_４を含み、ＳｉＣを実質的に含まない。

内部電極２３は、例えば、ステップＳ１１と並行して上記成形体の内部に金属材料が埋設され、ステップＳ１２において当該金属材料が成形体と共に焼成されることにより、本体部２１の内部に生成されてもよい。あるいは、内部電極２３は、ステップＳ１１～Ｓ１２により生成された２つの複合焼結体の間に挟まれることにより、当該２つの複合焼結体により形成される本体部２１の内部に配置されてもよい。内部電極２３の生成および配置は、様々な方法により行われてよい。

次に、表１～表４を参照しつつ本発明に係る複合焼結体の実施例１～２２、および、当該複合焼結体と比較するための比較例１～７の複合焼結体について説明する。表１では、複合焼結体の原料組成および焼成温度を示す。当該原料組成では、原料である混合粉末中の各成分の重量％を示す。

表１に示すように、比較例１では、Ａｌ_２Ｏ_３のみを原料としており、ＭｇＯおよびＳｉＣ等の添加物は原料に含まれていない。比較例２、実施例１～３および比較例３では、Ａｌ_２Ｏ_３およびＭｇＯのみを原料としており、ＳｉＣは原料に含まれていない。実施例４～２２および比較例４～７では、原料は、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯおよびＳｉＣを含む。

＜原料粉末＞
原料として利用したＡｌ_２Ｏ_３は、純度９９．９９％以上、平均粒径０．４～０．６μｍの市販Ａｌ_２Ｏ_３の粉末である。原料として利用したＭｇＯは、純度９９．９％以上、平均粒径１μｍ以下の市販のＭｇＯ粉末である。原料として利用したＳｉＣは、純度９９％以上の市販のＳｉＣ粉末である。実施例４～８では、原料ＳｉＣの平均粒径は０．３μｍである。実施例９～２２および比較例４～７では、原料ＳｉＣの平均粒径は２．５μｍである。

＜混合粉末＞
上記原料粉末を表１に示す重量％となるように秤量し、ボールミルにて１５時間、湿式混合した。当該湿式混合では、φ３ｍｍのアルミナ玉石を用い、利用した溶媒は、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）である。そして、湿式混合により得られたスラリーをＮ_２雰囲気下で乾燥させ、３０メッシュ篩により整粒して、原料となる混合粉末を得た。なお、ロータリーエバポレータによりスラリーを乾燥させた後、１００メッシュの篩により整粒して、混合粉末を得てもよい。あるいは、スプレードライヤ等を利用して造粒粉末を得てもよい。また、湿式混合中にスラリーにカーボン成分が混入した場合、必要に応じて、混合粉末を熱処理してカーボン成分を除去してもよい。当該熱処理は、例えば、４５０℃で５時間以上、大気雰囲気下で行われる。

＜成形＞
上記混合粉末を、１００～１５０ｋｇｆ／ｃｍ^２の圧力で一軸加圧成形し、φ５０ｍｍ、厚さ２０ｍｍ程度の円板状成形体を作成し、ホットプレスダイスに収納した。成形圧力は特に制限はなく、形状が保持できるのであれば様々に変更されてよい。混合粉末は、未成形の粉の状態で、ホットプレスダイスに充填されてもよい。

＜焼成＞
上記成形体を真空雰囲気下にてホットプレス法により焼成した。プレス圧力は、２５０ｋｇｆ／ｃｍ^２とした。加熱時の最高温度は１５５０℃～１７００℃であり、最高温度での保持時間は４～８時間とした。

＜評価＞
上述の焼成によって得られた複合焼結体を各種評価用に加工し、表２～表４に記載の評価を行った。

複合焼結体の構成相については、複合焼結体を乳鉢で粉砕した粉末に対して、Ｘ線回折（ＸＲＤ：X-ray diffraction）装置により結晶相を同定した。測定条件はＣｕＫα，４０ｋＶ，４０ｍＡ，２θ＝１０～７０°とし、封入管式Ｘ線回折装置（ブルカー・エイエックスエス株式会社製 Ｄ８－ＡＤＶＡＮＣＥ）を使用した。測定のステップ幅は０．０２°とした。また、構成相の含有量が少なく、Ｘ線回折でピークを検出できない場合、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）やＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線分析）を用いた微構造観察により、構成相の存在を確認した。

複合焼結体におけるＭｇＡｌ_２Ｏ_４とＡｌ_２Ｏ_３との結晶相量の比は、上述のＸ線回折の測定結果を用いて、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４結晶相の（３１１）面のピーク強度を、Ａｌ_２Ｏ_３結晶相の（１１３）面のピーク強度により除算することで求められる。当該結晶相量の比は、複合焼結体中におけるＭｇＡｌ_２Ｏ_４の結晶相量をＡｌ_２Ｏ_３の結晶相量で除算した値であり、以下、「ＭｇＡｌ_２Ｏ_４／Ａｌ_２Ｏ_３結晶相量比」とも呼ぶ。

複合焼結体におけるＭｇおよびＳｉの含有率は、「ＪＩＳ Ｒ１６４９」に準じた分析方法により求めた。

開気孔率および嵩密度は、純水を媒体としたアルキメデス法により測定した。

Ａｌ_２Ｏ_３の焼結粒径は、インターセプト法にて測定した。具体的には、複合焼結体の研磨面を観察したＳＥＭ画像に任意の本数の線分を引き、長さＬの線分が横切った結晶粒子の数ｎを求めた。なお、線分の端が結晶粒子内に位置する場合、当該結晶粒子は１／２個と数えた。線分の長さＬをｎで除算した値を平均結晶粒度（すなわち、平均切片長さ）ｌとし、当該ｌに係数１．５を乗算した値を平均焼結粒径とした。また、上記インターセプト法にて得られた結果からＡｌ_２Ｏ_３の焼結粒径の標準偏差を算出した。

耐電圧は、「ＪＩＳ Ｃ２１４１」に準じた方法により、厚さ０．２ｍｍの試験片を用いて、大気中かつ室温にて直流電圧を印加し測定した即時耐電圧である。なお、測定装置の性能上、２００ｋＶ／ｍｍよりも大きい耐電圧は測定できなかった。４点曲げ強度は、「ＪＩＳ Ｒ１６０１」に準じて４点曲げ試験を行って算出した。

体積抵抗率は、「ＪＩＳ Ｃ２１４１」に準じた方法により、真空雰囲気下において２５０℃にて測定した。試験片形状は、φ５０ｍｍｘ０．４ｍｍとした。主電極の直径は２０ｍｍである。ガード電極の内径および外径はそれぞれ、３０ｍｍおよび４０ｍｍである。印加電極の直径４５ｍｍである。主電極、ガード電極および印加電極は、Ａｇ（銀）で形成した。印加電圧は５ｋＶ／ｍｍとした。電圧印加から６０分後の電流値を読み取り、当該電流値から体積抵抗率を算出した。

＜比較例１～２＞
比較例１～２の焼成温度は１６００℃である。比較例１の焼結体の構成相は、Ａｌ_２Ｏ_３単相であった。Ａｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径は４μｍよりも大きく、Ａｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は０．３５よりも大きかった。すなわち、Ａｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径は大きく、焼結粒径の均一性は低い。比較例１の焼結体の耐電圧は１００ｋＶ／ｍｍ未満であり、４点曲げ強度は４５０ＭＰａ未満であり、２５０℃における体積抵抗率は１．０ｘ１０^１５Ω・ｃｍ未満であった。すなわち、比較例１では、耐電圧、４点曲げ強度および体積抵抗率は、いずれも低い。

比較例２の複合焼結体の構成相は、Ａｌ_２Ｏ_３およびＭｇＡｌ_２Ｏ_４であった。Ａｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は０．３５よりも大きく、Ａｌ_２Ｏ_３の焼結粒径の均一性は低い。比較例２の複合焼結体の４点曲げ強度は４５０ＭＰａ未満であった。すなわち、比較例２では、４点曲げ強度が低い。

＜実施例１～３、比較例３＞
実施例１～３および比較例３では、原料にＳｉＣは含まれておらず、原料中のＭｇＯの含有率は０．０７重量％以上で互いに異なる。また、実施例１～３および比較例３の焼成温度は１６００℃である。実施例１～３および比較例３では、Ｘ線回折により同定した複合焼結体の構成相はＡｌ_２Ｏ_３およびＭｇＡｌ_２Ｏ_４であった。

実施例１～３および比較例３では、複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の含有率は、９５．５重量％以上であり、Ｍｇの含有率は０．３５重量％以下であった。詳細には、実施例１～２では、複合焼結体におけるＭｇの含有率は０．０７重量％以下であった。実施例１～３では、複合焼結体におけるＭｇＡｌ_２Ｏ_４／Ａｌ_２Ｏ_３結晶相量比は、０．００３～０．００８であった。一方、比較例３では、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４／Ａｌ_２Ｏ_３結晶相量比は０．０２０と大きかった。

実施例１～３および比較例３では、複合焼結体の開気孔率は、０．０５％未満であり、実質的に０．０％であった。複合焼結体の嵩密度は、３．９６ｇ／ｃｍ^３以上かつ３．９７ｇ／ｃｍ^３以下であった。複合焼結体の嵩密度は、原料におけるＭｇＯの含有率が大きくなるに従って小さくなった。

実施例１～３および比較例３では、複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径は、２μｍ以上かつ４μｍ以下であり、Ａｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は０．３５以下であった。すなわち、Ａｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径は小さく、焼結粒径の均一性は高い。詳細には、実施例１～３および比較例３では、複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径は３.５μｍ以下であった。Ａｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径、および、Ａｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は、原料におけるＭｇＯの含有率が大きくなるに従って小さくなった。

実施例１～３および比較例３では、複合焼結体の耐電圧は１００ｋＶ／ｍｍ以上であり、４点曲げ強度は４５０ＭＰａ以上であり、２５０℃における体積抵抗率は１．０ｘ１０^１５Ω・ｃｍ以上であった。すなわち、実施例１～３および比較例３では、耐電圧、４点曲げ強度および体積抵抗率は、いずれも高い。詳細には、実施例２～３および比較例３の複合焼結体の２５０℃における体積抵抗率は５．０ｘ１０^１５Ω・ｃｍ以上であった。複合焼結体の耐電圧、４点曲げ強度および体積抵抗率は、原料におけるＭｇＯの含有率が大きくなるに従って高くなった。

＜実施例４～８＞
実施例４～８では、原料中のＭｇＯの含有率は同じであり、ＳｉＣの含有率は互いに異なる。また、実施例４～８の焼成温度は１６００℃である。実施例４では、Ｘ線回折により同定した複合焼結体の構成相はＡｌ_２Ｏ_３およびＭｇＡｌ_２Ｏ_４であり、ＳｉＣは検出されなかった。これは、原料中のＳｉＣが微量であり、ピーク強度が低かったためであるが、微構造観察により、ＳｉＣからなる相が認められた。実施例５～８では、Ｘ線回折により同定した複合焼結体の構成相は、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４およびＳｉＣであった。

実施例４～８では、複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の含有率は、９５．５重量％以上であり、Ｍｇの含有率は０．３５重量％以下であった。詳細には、複合焼結体におけるＭｇの含有率は０．０７重量％以下であった。複合焼結体におけるＭｇＡｌ_２Ｏ_４／Ａｌ_２Ｏ_３結晶相量比は、０．００４～０．００７であった。複合焼結体の開気孔率は、０．０５％未満であり、実質的に０．０％であった。複合焼結体の嵩密度は、３．９４ｇ／ｃｍ^３以上かつ３．９８ｇ／ｃｍ^３以下であった。複合焼結体の嵩密度は、原料におけるＳｉＣの含有率が大きくなるに従って小さくなった。

実施例４～８では、複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径は、２μｍ以上かつ４μｍ以下であり、Ａｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は０．３５以下であった。すなわち、Ａｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径は小さく、焼結粒径の均一性は高い。詳細には、実施例４～８の複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径は３μｍ以下であった。また、実施例４の複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は０．２５以下であり、実施例５～８の複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は０．１５以下であった。Ａｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径、および、Ａｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は、原料におけるＳｉＣの含有率が大きくなるに従って小さくなった。

実施例４～８では、複合焼結体の耐電圧は１００ｋＶ／ｍｍ以上であり、４点曲げ強度は４５０ＭＰａ以上であり、２５０℃における体積抵抗率は１．０ｘ１０^１５Ω・ｃｍ以上であった。すなわち、実施例４～８では、耐電圧、４点曲げ強度および体積抵抗率は、いずれも高い。詳細には、実施例４～８の複合焼結体の耐電圧は２００ｋＶ／ｍｍよりも大きく、４点曲げ強度は５５０ＭＰａ以上であった。また、実施例４の複合焼結体の２５０℃における体積抵抗率は５．０ｘ１０^１５Ω・ｃｍ以上であり、実施例５～８の複合焼結体の２５０℃における体積抵抗率は１．０ｘ１０^１６Ω・ｃｍ以上であった。複合焼結体の４点曲げ強度および体積抵抗率は、原料におけるＳｉＣの含有率が大きくなるに従って高くなった。

＜実施例９～１３＞
実施例９～１３では、原料中のＭｇＯの含有率は同じであり、ＳｉＣの含有率は互いに異なる。また、実施例９～１３の焼成温度は、実施例４～８と同様に１６００℃である。実施例９～１３では、上述のように、原料ＳｉＣの粒径が実施例４～８よりも大きい。実施例９では、実施例４と同様に、Ｘ線回折により同定した複合焼結体の構成相はＡｌ_２Ｏ_３およびＭｇＡｌ_２Ｏ_４であり、微構造観察により、ＳｉＣからなる相が認められた。実施例１０～１３では、Ｘ線回折により同定した複合焼結体の構成相は、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４およびＳｉＣであった。

実施例９～１３では、複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の含有率は、９５．５重量％以上であり、Ｍｇの含有率は０．３５重量％以下であった。詳細には、複合焼結体におけるＭｇの含有率は０．０７重量％以下であった。複合焼結体におけるＭｇＡｌ_２Ｏ_４／Ａｌ_２Ｏ_３結晶相量比は、０．００５～０．００６であった。複合焼結体の開気孔率は、０．０５％未満であり、実質的に０．０％であった。複合焼結体の嵩密度は、３．９４ｇ／ｃｍ^３以上かつ３．９８ｇ／ｃｍ^３以下であった。複合焼結体の嵩密度は、原料におけるＳｉＣの含有率が大きくなるに従って小さくなった。

実施例９～１３では、複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径は、２μｍ以上かつ４μｍ以下であり、Ａｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は０．３５以下であった。すなわち、Ａｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径は小さく、焼結粒径の均一性は高い。詳細には、実施例９～１３の複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径は３μｍ以下であった。また、実施例９の複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は０．２以下であり、実施例１０～１３の複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は０．１５以下であった。Ａｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径、および、Ａｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は、原料におけるＳｉＣの含有率が大きくなるに従って小さくなった。

実施例９～１３では、複合焼結体の耐電圧は１００ｋＶ／ｍｍ以上であり、４点曲げ強度は４５０ＭＰａ以上であり、２５０℃における体積抵抗率は１．０ｘ１０^１５Ω・ｃｍ以上であった。すなわち、実施例９～１３では、耐電圧、４点曲げ強度および体積抵抗率は、いずれも高い。詳細には、実施例９～１３の複合焼結体の耐電圧は２００ｋＶ／ｍｍよりも大きく、４点曲げ強度は５５０ＭＰａ以上であり、２５０℃における体積抵抗率は１．０ｘ１０^１６Ω・ｃｍ以上であった。複合焼結体の４点曲げ強度および体積抵抗率は、原料におけるＳｉＣの含有率が大きくなるに従って高くなった。

なお、実施例４～８と実施例９～１３とを比較すると、原料中のＳｉＣの粒径の差による影響はあまり見られない。これは、原料を湿式混合する際にＳｉＣの粉末が粉砕され、粉砕後の粒径が大きく異ならないためと考えられる。したがって、原料に含まれるＳｉＣの粒径選択の自由度を向上することができる。

＜実施例１４、比較例４＞
実施例１４および比較例４では、原料中のＳｉＣの含有率および粒径は実施例１１と同じであり、ＭｇＯの含有率は実施例１１よりも大きい。また、実施例１４および比較例４の焼成温度は、実施例１１と同様に１６００℃である。実施例１４および比較例４では、Ｘ線回折により同定した複合焼結体の構成相は、実施例１１と同様に、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４およびＳｉＣであった。

実施例１４および比較例４では、複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の含有率は、９５．５重量％以上であり、Ｍｇの含有率は０．３５重量％以下であった。実施例１４では、複合焼結体におけるＭｇＡｌ_２Ｏ_４／Ａｌ_２Ｏ_３結晶相量比は、０．０１０であった。一方、比較例４では、複合焼結体におけるＭｇＡｌ_２Ｏ_４／Ａｌ_２Ｏ_３結晶相量比は、０．０２２と大きかった。

実施例１４および比較例４では、複合焼結体の開気孔率は、０．０５％未満であり、実質的に０．０％であった。複合焼結体の嵩密度は、３．９４ｇ／ｃｍ^３以上かつ３．９８ｇ／ｃｍ^３以下であった。複合焼結体の嵩密度は、原料におけるＭｇＯの含有率が大きくなるに従って小さくなった。

実施例１４および比較例４では、複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径は、２μｍ以上かつ４μｍ以下であり、Ａｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は０．３５以下であった。すなわち、Ａｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径は小さく、焼結粒径の均一性は高い。詳細には、実施例１４および比較例４の複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径は３μｍ以下であった。また、実施例１４および比較例４の複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は０．１５以下であった。原料におけるＭｇＯの含有率を０．１重量％よりも大きくした場合であっても、Ａｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径が小さく、焼結粒径の均一性が高い複合焼結体を得ることができた。実施例１４および比較例４の複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径、および、Ａｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は、実施例１１と同程度であった。

実施例１４および比較例４では、複合焼結体の耐電圧は１００ｋＶ／ｍｍ以上であり、４点曲げ強度は４５０ＭＰａ以上であり、２５０℃における体積抵抗率は１．０ｘ１０^１５Ω・ｃｍ以上であった。すなわち、実施例１４および比較例４では、耐電圧、４点曲げ強度および体積抵抗率は、いずれも高い。詳細には、実施例１４および比較例４の複合焼結体の耐電圧は２００ｋＶ／ｍｍよりも大きく、４点曲げ強度は５５０ＭＰａ以上であり、２５０℃における体積抵抗率は１．０ｘ１０^１６Ω・ｃｍ以上であった。複合焼結体の４点曲げ強度および体積抵抗率は、原料におけるＭｇＯの含有率が大きくなるに従って高くなった。

＜実施例１５～１７＞
実施例１５～１７では、原料中のＭｇＯの含有率は同じであり、ＳｉＣの量は互いに異なる。また、実施例１５～１７の焼成温度は１５５０℃である。実施例１５では、実施例４と同様に、Ｘ線回折により同定した複合焼結体の構成相はＡｌ_２Ｏ_３およびＭｇＡｌ_２Ｏ_４であり、微構造観察により、ＳｉＣからなる相が認められた。実施例１６～１７では、Ｘ線回折により同定した複合焼結体の構成相は、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４およびＳｉＣであった。図３は、実施例１７の複合焼結体の研磨面のＳＥＭ画像である。図３では、複合焼結体中のＭｇＡｌ_２Ｏ_４およびＳｉＣを１つずつ、符号８１および８２を付した円にて囲んで示す。

実施例１５～１７では、複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の含有率は、９５．５重量％以上であり、Ｍｇの含有率は０．３５重量％以下であった。詳細には、複合焼結体におけるＭｇの含有率は０．０７重量％以下であった。複合焼結体におけるＭｇＡｌ_２Ｏ_４／Ａｌ_２Ｏ_３結晶相量比は、０．００５～０．００７であった。複合焼結体の開気孔率は、０．０５％未満であり、実質的に０．０％であった。複合焼結体の嵩密度は、３．９４ｇ／ｃｍ^３以上かつ３．９８ｇ／ｃｍ^３以下であった。複合焼結体の嵩密度は、原料におけるＳｉＣの含有率が大きくなるに従って小さくなった。

実施例１５～１７では、複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径は、２μｍ以上かつ４μｍ以下であり、Ａｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は０．３５以下であった。すなわち、Ａｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径は小さく、焼結粒径の均一性は高い。詳細には、実施例１５～１７の複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径は３μｍ以下であり、Ａｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は０．１以下であった。Ａｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径、および、Ａｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は、原料におけるＳｉＣの含有率が大きくなるに従って小さくなった。

実施例１５～１７では、複合焼結体の耐電圧は１００ｋＶ／ｍｍ以上であり、４点曲げ強度は４５０ＭＰａ以上であり、２５０℃における体積抵抗率は１．０ｘ１０^１５Ω・ｃｍ以上であった。すなわち、実施例１５～１７では、耐電圧、４点曲げ強度および体積抵抗率は、いずれも高い。詳細には、実施例１５～１７の複合焼結体の耐電圧は２００ｋＶ／ｍｍよりも大きく、４点曲げ強度は５５０ＭＰａ以上であり、２５０℃における体積抵抗率は１．０ｘ１０^１６Ω・ｃｍ以上であった。複合焼結体の４点曲げ強度および体積抵抗率は、原料におけるＳｉＣの含有率が大きくなるに従って高くなった。

＜実施例１８～１９＞
実施例１８～１９では、原料中のＳｉＣの含有率および粒径は実施例１７と同じであり、ＭｇＯの含有率は実施例１７よりも小さい。また、実施例１８～１９の焼成温度は、実施例１７と同様に１５５０℃である。実施例１８～１９では、Ｘ線回折により同定した複合焼結体の構成相は、実施例１７と同様に、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４およびＳｉＣであった。

実施例１８～１９では、複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の含有率は、９５．５重量％以上であり、Ｍｇの含有率は０．３５重量％以下であった。詳細には、複合焼結体におけるＭｇの含有率は０．０５重量％以下であった。複合焼結体におけるＭｇＡｌ_２Ｏ_４／Ａｌ_２Ｏ_３結晶相量比は、０．００３～０．００４であった。複合焼結体の開気孔率は、０．０５％未満であり、実質的に０．０％であった。複合焼結体の嵩密度は、３．９４ｇ／ｃｍ^３以上かつ３．９８ｇ／ｃｍ^３以下であった。

実施例１８～１９では、複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径は、２μｍ以上かつ４μｍ以下であり、Ａｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は０．３５以下であった。すなわち、Ａｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径は小さく、焼結粒径の均一性は高い。詳細には、実施例１９の複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径は３μｍ以下であった。また、実施例１９の複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は０．１５以下であった。原料におけるＭｇＯの含有率を０．１重量％よりも小さくした場合であっても、Ａｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径が小さく、焼結粒径の均一性が高い複合焼結体を得ることができた。

実施例１８～１９では、複合焼結体の耐電圧は１００ｋＶ／ｍｍ以上であり、４点曲げ強度は４５０ＭＰａ以上であり、２５０℃における体積抵抗率は１．０ｘ１０^１５Ω・ｃｍ以上であった。すなわち、実施例１８～１９では、耐電圧、４点曲げ強度および体積抵抗率は、いずれも高い。詳細には、実施例１８～１９の複合焼結体の耐電圧は２００ｋＶ／ｍｍよりも大きく、４点曲げ強度は５５０ＭＰａ以上であり、２５０℃における体積抵抗率は１．０ｘ１０^１６Ω・ｃｍ以上であった。複合焼結体の４点曲げ強度および体積抵抗率は、原料におけるＭｇＯの含有率が大きくなるに従って高くなった。

実施例１８～１９から分かるように、焼成温度が１５５０℃である場合、原料におけるＭｇＯの含有率が０．１重量％よりも小さくても、Ａｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径が小さく、Ａｌ_２Ｏ_３の焼結粒径の均一性が高く、耐電圧、４点曲げ強度および体積抵抗率も高い複合焼結体を得ることができる。

＜比較例５、実施例２０～２１＞
比較例５および実施例２０～２１では、原料中のＭｇＯの含有率は同じであり、ＳｉＣの量は互いに異なる。また、比較例５および実施例２０～２１の焼成温度は１６５０℃である。比較例５では、実施例４と同様に、Ｘ線回折により同定した複合焼結体の構成相はＡｌ_２Ｏ_３およびＭｇＡｌ_２Ｏ_４であり、微構造観察により、ＳｉＣからなる相が認められた。実施例２０～２１では、Ｘ線回折により同定した複合焼結体の構成相は、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４およびＳｉＣであった。

比較例５および実施例２０～２１では、複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の含有率は、９５．５重量％以上であり、Ｍｇの含有率は０．３５重量％以下であった。詳細には、複合焼結体におけるＭｇの含有率は０．０７重量％以下であった。複合焼結体におけるＭｇＡｌ_２Ｏ_４／Ａｌ_２Ｏ_３結晶相量比は、０．００６～０．００７であった。複合焼結体の開気孔率は、０．０５％未満であり、実質的に０．０％であった。複合焼結体の嵩密度は、３．９４ｇ／ｃｍ^３以上かつ３．９８ｇ／ｃｍ^３以下であった。複合焼結体の嵩密度は、原料におけるＳｉＣの含有率が大きくなるに従って小さくなった。

比較例５では、複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径は４μｍよりも大きく、Ａｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は０．３５よりも大きかった。一方、実施例２０～２１では、複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径は、２μｍ以上かつ４μｍ以下であり、Ａｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は０．３５以下であった。すなわち、実施例２０～２１では、Ａｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径は小さく、焼結粒径の均一性は高い。詳細には、実施例２０～２１の複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は０．２５以下であった。Ａｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径、および、Ａｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は、原料におけるＳｉＣの含有率が大きくなるに従って小さくなった。

実施例２０～２１では、複合焼結体の耐電圧は１００ｋＶ／ｍｍ以上であり、４点曲げ強度は４５０ＭＰａ以上であり、２５０℃における体積抵抗率は１．０ｘ１０^１５Ω・ｃｍ以上であった。すなわち、実施例２０～２１では、耐電圧、４点曲げ強度および体積抵抗率は、いずれも高い。詳細には、実施例２０～２１の複合焼結体の耐電圧は２００ｋＶ／ｍｍよりも大きく、４点曲げ強度は５００ＭＰａ以上であり、２５０℃における体積抵抗率は１．０ｘ１０^１６Ω・ｃｍ以上であった。一方、比較例５の４点曲げ強度は４５０ＭＰａ未満であった。複合焼結体の４点曲げ強度および体積抵抗率は、原料におけるＳｉＣの含有率が大きくなるに従って高くなった。

＜比較例６～７、実施例２２＞
比較例６～７および実施例２２では、原料中のＭｇＯの含有率は同じであり、ＳｉＣの量は互いに異なる。また、比較例６～７および実施例２２の焼成温度は１７００℃である。比較例６では、実施例４と同様に、Ｘ線回折により同定した複合焼結体の構成相はＡｌ_２Ｏ_３およびＭｇＡｌ_２Ｏ_４であり、微構造観察により、ＳｉＣからなる相が認められた。比較例７および実施例２２では、Ｘ線回折により同定した複合焼結体の構成相は、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４およびＳｉＣであった。

比較例６～７および実施例２２では、複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の含有率は、９５．５重量％以上であり、Ｍｇの含有率は０．３５重量％以下であった。詳細には、複合焼結体におけるＭｇの含有率は０．０７重量％以下であった。複合焼結体におけるＭｇＡｌ_２Ｏ_４／Ａｌ_２Ｏ_３結晶相量比は、０．００６～０．００８であった。複合焼結体の開気孔率は、０．０５％未満であり、実質的に０．０％であった。複合焼結体の嵩密度は、３．９４ｇ／ｃｍ^３以上かつ３．９８ｇ／ｃｍ^３以下であった。複合焼結体の嵩密度は、原料におけるＳｉＣの含有率が大きくなるに従って小さくなった。

比較例６～７では、複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径は４μｍよりも大きく、Ａｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は０．３５よりも大きかった。一方、実施例２２では、複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径は、２μｍ以上かつ４μｍ以下であり、Ａｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は０．３５以下であった。すなわち、実施例２２では、Ａｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径は小さく、焼結粒径の均一性は高い。詳細には、実施例２２の複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は０．２５以下であった。Ａｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径、および、Ａｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は、原料におけるＳｉＣの含有率が大きくなるに従って小さくなった。

実施例２２では、複合焼結体の耐電圧は１００ｋＶ／ｍｍ以上であり、４点曲げ強度は４５０ＭＰａ以上であり、２５０℃における体積抵抗率は１．０ｘ１０^１５Ω・ｃｍ以上であった。すなわち、実施例２２では、耐電圧、４点曲げ強度および体積抵抗率は、いずれも高い。詳細には、実施例２２の複合焼結体の耐電圧は１９５ｋＶ／ｍｍであり、２５０℃における体積抵抗率は１．０ｘ１０^１６Ω・ｃｍであった。一方、比較例６～７の４点曲げ強度は４５０ＭＰａ未満であった。複合焼結体の耐電圧、４点曲げ強度および体積抵抗率は、原料におけるＳｉＣの含有率が大きくなるに従って高くなった。

以上に説明したように、上述の複合焼結体は、Ａｌ_２Ｏ_３と、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４とを備える。当該複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の含有率は、９５．５重量％以上である。当該複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径は、２μｍ以上かつ４μｍ以下である。当該複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は、０．３５以下である。このように、複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の粒成長を抑制し、焼結粒径分布の均一性を向上することにより、高い耐電圧および高い体積抵抗率を有する複合焼結体を提供することができる。また、当該複合焼結体では、焼結粒径分布の均一性が高いため、焼成条件の変動による複合焼結体の特性（例えば、耐電圧や体積抵抗率等）変動を抑制することができる。したがって、量産性が非常に高い複合焼結体を提供することができる。

具体的には、複合焼結体の耐電圧は、１００ｋＶ／ｍｍ以上であることが好ましい。これにより、複合焼結体の絶縁破壊を好適に防止または抑制することができる。当該耐電圧は、より好ましくは１５０ｋＶ／ｍｍ以上であり、さらに好ましくは２００ｋＶ／ｍｍ以上である。また、複合焼結体の２５０℃における体積抵抗率は、１．０ｘ１０^１５Ω・ｃｍ以上であることが好ましい。これにより、複合焼結体を介した電流のリークを防止または抑制することができる。当該体積抵抗率は、より好ましくは５．０ｘ１０^１５Ω・ｃｍ以上であり、さらに好ましくは１．０ｘ１０^１６Ω・ｃｍ以上である。

上述の複合焼結体では、Ａｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径を４μｍ以下とすることにより、焼結粒径分布の標準偏差をより低減し、さらに高い耐電圧およびさらに高い体積抵抗率を実現することができる。また、Ａｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径を２μｍ以上とすることにより、Ａｌ_２Ｏ_３粒子が複合焼結体から脱離することを抑制し、パーティクルの発生を抑制することができる。当該平均焼結粒径は、より好ましくは２．３μｍ以上かつ３．７μｍ以下であり、さらに好ましくは２．５μｍ以上かつ３．５μｍ以下である。

上述の複合焼結体の嵩密度は、３．９４ｇ／ｃｍ^３以上かつ３．９８ｇ／ｃｍ^３以下である。このように、嵩密度を大きくして複合焼結体を緻密にすることにより、さらに高い耐電圧およびさらに高い体積抵抗率を実現することができる。また、複合焼結体において、高い曲げ強度を実現することもできる。当該嵩密度は、ＳｉＣの含有率によって変化するが、より好ましくは３．９６ｇ／ｃｍ^３以上かつ３．９７ｇ／ｃｍ^３以下である。

上述の複合焼結体におけるＭｇＡｌ_２Ｏ_４とＡｌ_２Ｏ_３との結晶相量の比は、０．００３以上かつ０．０１以下である。このように、当該結晶相量の比を０．００３以上とすることにより、複合焼結体におけるＡｌ_２Ｏ_３の粒成長を好適に抑制することができる。また、当該結晶相量の比を０．０１以下とすることにより、複合焼結体に含まれるＭｇＡｌ_２Ｏ_４の量が過大となることを抑制し、既述の熱膨張率の差に起因する複合焼結体の損傷（例えば、クラックまたは割れ）を抑制することができる。

複合焼結体は、ＳｉＣを備えることがより好ましく、当該ＳｉＣの含有率が０．０１重量％以上かつ４重量％以下であることが好ましい。このように、複合焼結体中にＭｇＡｌ_２Ｏ_４およびＳｉＣが含まれることにより、Ａｌ_２Ｏ_３の粒成長を好適に抑制することができ、Ａｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差を低減することができる。また、ＳｉＣの含有率を４重量％以下とすることにより、ＳｉＣに起因する複合焼結体の耐電圧および体積抵抗率の低下、および、複合焼結体の耐食性の劣化を抑制することができる。当該ＳｉＣの含有率は、より好ましくは２重量％以下であり、さらに好ましくは１重量％以下である。

複合焼結体におけるＭｇの含有率は、特に上限はないが、０．３５重量％以下であることが好ましい。これにより、用途が半導体製造装置部材である場合にしばしば求められる高純度な複合焼結体を提供することができる。当該Ｍｇの含有率は、より好ましくは０．０７重量％以下である。複合焼結体におけるＭｇの含有率は、原料にＳｉＣが含まれておらず、ＭｇＯが含まれている場合は、０．０５重量％以上であることが好ましい。また、当該Ｍｇの含有率は、原料にＳｉＣおよびＭｇＯが含まれている場合は、０．０２重量％以上であることが好ましい。これにより、Ａｌ_２Ｏ_３の粒成長を好適に抑制することができる。

上述のように、複合焼結体の４点曲げ強度は、４５０ＭＰａ以上であることが好ましい。これにより、複合焼結体が破損することを好適に防止または抑制することができる。当該４点曲げ強度は、より好ましくは５００ＭＰａ以上であり、さらに好ましくは５５０ＭＰａ以上である。

上述のように、複合焼結体は、高い耐電圧および高い体積抵抗率を有するため、半導体製造装置において使用される半導体製造装置部材に適している。複合焼結体は、特に、ハイパワーエッチング装置等の高出力半導体製造装置において使用される半導体製造装置部材に適している。当該複合焼結体を用いて作成される半導体製造装置部材の好適な一例として、上述のサセプター１が挙げられる。サセプター１は、上述のように、複合焼結体を用いて作成された本体部２１と、本体部２１の内部に配置される内部電極２３とを備える。

上述のように、複合焼結体の製造方法は、Ａｌ_２Ｏ_３と、ＭｇＯとを混合した混合粉末を所定形状の成形体に成形する工程（ステップＳ１１）と、当該成形体を焼成して複合焼結体を生成する工程（ステップＳ１２）とを備える。ステップＳ１１において、混合粉末におけるＡｌ_２Ｏ_３の含有率は、９５．５重量％以上である。ステップＳ１２終了後におけるＡｌ_２Ｏ_３の平均焼結粒径は、２μｍ以上かつ４μｍ以下である。また、ステップＳ１２終了後におけるＡｌ_２Ｏ_３の焼結粒径分布の標準偏差は、０．３５以下である。当該複合焼結体の嵩密度は、３．９４ｇ／ｃｍ^３以上かつ３．９８ｇ／ｃｍ^３以下である。当該複合焼結体はＭｇＡｌ_２Ｏ_４を備え、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４とＡｌ_２Ｏ_３との結晶相量の比は、０．００３以上かつ０．０１以下である。当該製造方法によれば、高い耐電圧、高い体積抵抗率および高い曲げ強度を有する緻密な複合焼結体を容易に製造することができる。また、複合焼結体の製造時における損傷を抑制することができる。

上述のように、ステップＳ１１において、混合粉末はＳｉＣを含んでいることが好ましく、当該混合粉末におけるＳｉＣの含有率は０．０１重量％以上かつ４重量％以下であることが好ましい。これにより、ＳｉＣに起因する複合焼結体の耐電圧および体積抵抗率の低下、および、複合焼結体の耐食性の劣化を抑制することができる。

上述のように、ステップＳ１１において、混合粉末におけるＭｇＯの含有率は、０．５重量％以下であることが好ましい。これにより、複合焼結体におけるＭｇの含有率を低減することができる。

また、ステップＳ１２において、焼成温度は１５５０℃以上かつ１７００℃以下である。上述のように、焼成条件の変動による複合焼結体の特性変動が抑制されるため、上述の複合焼結体の特性を、広い焼成温度範囲において実現することができる。

上述の複合焼結体、半導体製造装置部材、および、複合焼結体の製造では様々な変形が可能である。

複合焼結体におけるＳｉＣの含有率は、０．０１重量％未満でもよく、４重量％よりも大きくてもよい。また、複合焼結体は、ＳｉＣを実質的に含んでいなくてもよい。

複合焼結体におけるＭｇの含有率は、０．３５重量％よりも大きくてもよい。

複合焼結体の耐電圧は、１００ｋＶ／ｍｍ未満であってもよい。

複合焼結体の２５０℃における体積抵抗率は、１．０ｘ１０^１５Ω・ｃｍ未満であってもよい。

複合焼結体の４点曲げ強度は、４５０ＭＰａ未満であってもよい。

複合焼結体の製造方法では、ステップＳ１１において、混合粉末におけるＳｉＣの含有率は、０．０１重量％未満でもよく、４重量％よりも大きくてもよい。また、ステップＳ１１において、混合粉末におけるＭｇＯの含有率は０．５重量％よりも大きくてもよい。ステップＳ１２において、焼成温度は１５５０℃未満であってもよく、１７００℃よりも高くてもよい。

サセプター１では、内部電極２３は、プラズマ処理用のＲＦ電極であってもよい。あるいは、静電チャック用の内部電極２３に加えて、プラズマ処理用のＲＦ電極も本体部２１の内部に配置されてもよい。

サセプター１では、本体部２１の一部が、上述の複合焼結体とは異なる材料（例えば、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４を実質的に含んでいないＡｌ_２Ｏ_３焼結体）により形成されてもよい。

上述の複合焼結体は、サセプター１以外にも、半導体製造装置に設けられる他の半導体製造装置部材（例えば、リング、ドーム等）の作製に用いられてよい。また、当該複合焼結体により半導体製造装置以外の装置にて使用される部材が作製されてもよい。例えば、複合焼結体は、半導体基板以外の基板を支持するサセプターの作製に用いられてもよく、対象物を加熱するセラミックヒーターの作製に用いられてもよい。

上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。

発明を詳細に描写して説明したが、既述の説明は例示的であって限定的なものではない。したがって、本発明の範囲を逸脱しない限り、多数の変形や態様が可能であるといえる。

本発明は、半導体製造装置に関する分野、例えば、クーロン力またはジョンソン・ラーベック力を利用して半導体基板を吸着して保持するサセプターの製造に利用可能である。

１ サセプター
９ 基板
２１ 本体部
２３ 内部電極
Ｓ１１～Ｓ１２ ステップ

Claims (12)

1. 複合焼結体であって、
   酸化アルミニウムと、
   マグネシウムアルミニウムスピネルと、
   を備え、
   前記酸化アルミニウムの含有率は、９５．５重量％以上であり、
   前記酸化アルミニウムの平均焼結粒径は、２μｍ以上かつ４μｍ以下であり、
   前記酸化アルミニウムの焼結粒径分布の標準偏差は、０．３５以下であり、
   前記複合焼結体の嵩密度は、３．９４ｇ／ｃｍ^３以上かつ３．９８ｇ／ｃｍ^３以下であり、
   前記マグネシウムアルミニウムスピネルと前記酸化アルミニウムとの結晶相量の比は、０．００３以上かつ０．００８以下であることを特徴とする複合焼結体。
2. 請求項１に記載の複合焼結体であって、
   炭化ケイ素をさらに備え、
   前記炭化ケイ素の含有率は、０．０１重量％以上かつ４重量％以下であることを特徴とする複合焼結体。
3. 請求項１または２に記載の複合焼結体であって、
   マグネシウムの含有率は、０．３５重量％以下であることを特徴とする複合焼結体。
4. 請求項１ないし３のいずれか１つに記載の複合焼結体であって、
   耐電圧は、１００ｋＶ／ｍｍ以上であることを特徴とする複合焼結体。
5. 請求項１ないし４のいずれか１つに記載の複合焼結体であって、
   ２５０℃における体積抵抗率は１．０ｘ１０^１５Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする複合焼結体。
6. 請求項１ないし５のいずれか１つに記載の複合焼結体であって、
   ４点曲げ強度は４５０ＭＰａ以上であることを特徴とする複合焼結体。
7. 半導体製造装置において使用される半導体製造装置部材であって、
   請求項１ないし６のいずれか１つに記載の複合焼結体を用いて作製されていることを特徴とする半導体製造装置部材。
8. 請求項７に記載の半導体製造装置部材であって、
   前記複合焼結体を用いて作製されるとともに上面に半導体基板が載置される板状の本体部と、
   前記本体部の内部に配置される内部電極と、
   を備えることを特徴とする半導体製造装置部材。
9. 複合焼結体の製造方法であって、
   ａ）酸化アルミニウムと酸化マグネシウムとを混合した混合粉末を所定形状の成形体に成形する工程と、
   ｂ）前記成形体を焼成して複合焼結体を生成する工程と、
   を備え、
   前記ａ）工程において、前記混合粉末における前記酸化アルミニウムの含有率は９５．５重量％以上であり、
   前記複合焼結体における酸化アルミニウムの平均焼結粒径は、２μｍ以上かつ４μｍ以下であり、
   前記複合焼結体における前記酸化アルミニウムの焼結粒径分布の標準偏差は、０．３５以下であり、
   前記複合焼結体の嵩密度は、３．９４ｇ／ｃｍ^３以上かつ３．９８ｇ／ｃｍ^３以下であり、
   前記複合焼結体はマグネシウムアルミニウムスピネルを備え、前記複合焼結体における前記マグネシウムアルミニウムスピネルと前記複合焼結体における前記酸化アルミニウムとの結晶相量の比は、０．００３以上かつ０．００８以下であることを特徴とする複合焼結体の製造方法。
10. 請求項９に記載の複合焼結体の製造方法であって、
    前記ａ）工程において、前記混合粉末は炭化ケイ素を含んでおり、前記混合粉末における前記炭化ケイ素の含有率は、０．０１重量％以上かつ４重量％以下であることを特徴とする複合焼結体の製造方法。
11. 請求項９または１０に記載の複合焼結体の製造方法であって、
    前記ａ）工程において、前記混合粉末における前記酸化マグネシウムの含有率は０．５重量％以下であることを特徴とする複合焼結体の製造方法。
12. 請求項９ないし１１のいずれか１つに記載の複合焼結体の製造方法であって、
    前記ｂ）工程において、焼成温度は１５５０℃以上かつ１７００℃以下であることを特徴とする複合焼結体の製造方法。

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