JP2012216816A - 静電チャックの製法及び静電チャック - Google Patents
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Abstract
【解決手段】静電チャックの製法として、(a)成形型にセラミック粉体、溶媒、分散剤及びゲル化剤を含むセラミックスラリーを投入し、その成形型内でゲル化剤を化学反応させてスラリーをゲル化させたあと離型することにより、第1及び第2のセラミック成形体11、12を得る工程と、(b)第1及び第2のセラミック成形体を乾燥したあと脱脂し、更に仮焼することにより、第1及び第2のセラミック仮焼体を得る工程と、(c)第1及び第2のセラミック仮焼体のいずれか一方の表面に静電電極用ペースト14を印刷して静電電極とする工程と、(d)静電電極を挟み込むようにして第1及び第2のセラミック仮焼体を重ね合わせた状態でホットプレス焼成する工程と、を含む。
【選択図】図1
Description
(a)成形型にセラミック粉体、溶媒、分散剤及びゲル化剤を含むセラミックスラリーを投入し、前記成形型内で前記ゲル化剤を化学反応させて前記セラミックスラリーをゲル化させたあと離型することにより、第1及び第2のセラミック成形体を得る工程と、
(b)前記第1及び第2のセラミック成形体を乾燥したあと脱脂し、更に仮焼することにより、第1及び第2のセラミック仮焼体を得る工程と、
(c)前記第1のセラミック仮焼体が静電チャックの誘電層になるものとした上で、前記第1及び第2のセラミック仮焼体のいずれか一方の表面に静電電極用ペーストを印刷して静電電極とする工程と、
(d)前記静電電極を挟み込むようにして前記第1及び第2のセラミック仮焼体を重ね合わせた状態でホットプレス焼成することによりセラミック焼結体を作製する工程と、
を含むものである。
(a)成形型にセラミック粉体、溶媒、分散剤及びゲル化剤を含むセラミックスラリーを投入し、前記成形型内で前記ゲル化剤を化学反応させて前記セラミックスラリーをゲル化させたあと離型することにより、第1及び第2のセラミック成形体を得る工程と、
(b)前記第1のセラミック成形体が静電チャックの誘電層になるものとした上で、前記第1及び第2のセラミック成形体のいずれか一方の表面に静電電極用ペーストを印刷して静電電極とする工程と、
(c)前記第1及び第2のセラミック成形体を乾燥したあと脱脂し、更に仮焼することにより、第1及び第2のセラミック仮焼体を得る工程と、
(d)前記静電電極を挟み込むようにして前記第1及び第2のセラミック仮焼体を重ね合わせた状態でホットプレス焼成することによりセラミック焼結体を作製する工程と、
を含むものである。
セラミック成形体の作製は、本発明の第1及び第2の静電チャックの製法における工程(a)に相当する。
セラミック仮焼体の作製は、本発明の第1の静電チャックの製法における工程(b)に相当し、本発明の第2の静電チャックの製法における工程(c)に相当する。セラミック仮焼体を作製するには、セラミック成形体を乾燥したあと脱脂してから仮焼する。
電極の形成は、本発明の第1の静電チャックの製法における工程(c)に相当し、本発明の第2の静電チャックの製法における工程(b)に相当する。
ホットプレス焼成は、本発明の第1及び第2の静電チャックの製法における工程(d)に相当する。
(1)静電電極内蔵の静電チャック
工程(a)で第1及び第2のセラミック成形体を作製し、それらを工程(b)で第1及び第2のセラミック仮焼体とし、工程(c)で第1及び第2のセラミック仮焼体のいずれか一方の表面に静電電極を形成する。この場合、電極用ペーストの印刷の仕方は図1(a),(b)の2通りある。図1(a)は第1及び第2のセラミック仮焼体11,12のうち第1のセラミック仮焼体11に静電電極用ペースト14を印刷した例、図1(b)は第2のセラミック仮焼体12に静電電極用ペースト14を印刷した例である。そして、工程(d)で、静電電極を挟み込むようにして第1及び第2のセラミック仮焼体を重ね合わせ、その状態でホットプレス焼成する。ホットプレス焼成後、誘電層の厚みが設計値となるように表面を研削加工する。その後、例えば側面加工、穴あけ加工を施し、端子の取り付けを行い、静電チャックを得る。以上の製法によれば、誘電層の厚みのバラツキを小さく抑えることができる。その結果、ウェハーをチャックする際の吸着力の面内バラツキが生じにくくなる。なお、この静電チャックは誘電層と下層の2層構造であり、通常、下層は誘電層よりも厚く形成される。
工程(a)で第1〜第3のセラミック成形体を作製し、それらを工程(b)で第1〜第3のセラミック仮焼体とし、工程(c)で第1及び第2のセラミック仮焼体のいずれか一方の表面に静電電極、第2及び第3のセラミック仮焼体のいずれか一方の表面にヒーター電極を形成する。この場合、電極用ペーストの印刷の仕方は、図2(a)〜(d)の4通りある。図2(a)は、第1〜第3のセラミック仮焼体21〜23のうち第1のセラミック仮焼体21の下面に静電電極用ペースト24を印刷し、第3のセラミック仮焼体23の上面にヒーター電極用ペースト25を印刷した例を示す。図2(b)は第2のセラミック仮焼体22の上下両面に静電電極用ペースト24とヒーター電極用ペースト25をそれぞれ印刷した例を示す。図2(c)は第2のセラミック仮焼体22の上面に静電電極用ペースト24を印刷し、第3のセラミック仮焼体23の上面にヒーター電極用ペースト25を印刷した例を示す。図2(d)は第1のセラミック仮焼体21の下面に静電電極用ペースト24を印刷し、第2のセラミック仮焼体22の下面にヒーター電極用ペースト25を印刷した例である。そして、工程(d)で、静電電極を挟み込むようにして第1及び第2のセラミック仮焼体を重ね合わせ、ヒーター電極を挟み込むようにして第2及び第3のセラミック仮焼体を重ね合わせ、その状態でホットプレス焼成する。ホットプレス焼成後、誘電層の厚みが設計値となるように表面を研削加工する。その後、例えば側面加工、穴あけ加工を施し、端子の取り付けを行い、静電チャックを得る。以上の製法によれば、誘電層の厚みのバラツキを小さく抑えることができる。その結果、ウェハーをチャックする際の吸着力の面内バラツキが生じにくくなる。なお、この静電チャックは誘電層と中間層と下層の3層構造であり、通常、中間層が最も厚く、次に下層が厚く、誘電層は最も薄く形成される。
(1)静電電極内蔵の静電チャック
工程(a)で第1及び第2のセラミック成形体を作製し、工程(b)で第1及び第2のセラミック成形体のいずれか一方の表面に静電電極を形成し、それらを工程(c)で第1及び第2のセラミック仮焼体とする。この場合、電極用ペーストの印刷の仕方は図1(a),(b)と同様、2通りある。その後、工程(d)で、静電電極を挟み込むようにして第1及び第2のセラミック仮焼体を重ね合わせ、その状態でホットプレス焼成する。ホットプレス焼成後、誘電層の厚みが設計値となるように表面を研削加工する。その後、例えば側面加工、穴あけ加工を施し、端子の取り付けを行い、静電チャックを得る。以上の製法によれば、誘電層の厚みのバラツキを小さく抑えることができる。その結果、ウェハーをチャックする際の吸着力の面内バラツキが生じにくくなる。
工程(a)で第1〜第3のセラミック成形体を作製し、工程(b)で第1及び第2のセラミック成形体のいずれか一方の面に静電電極、第2及び第3のセラミック成形体のいずれか一方の面にヒーター電極を形成し、それらを工程(c)で第1〜第3のセラミック仮焼体とする。この場合、電極用ペーストの印刷の仕方は図2(a)〜(d)と同様、4通りある。その後、工程(d)で、静電電極を挟み込むようにして第1及び第2のセラミック仮焼体を重ね合わせ、ヒーター電極を挟み込むようにして第2及び第3のセラミック仮焼体を重ね合わせ、その状態でホットプレス焼成する。ホットプレス焼成後、誘電層の厚みが設計値となるように表面を研削加工する。その後、例えば側面加工、穴あけ加工を施し、端子の取り付けを行い、静電チャックを得る。以上の製法によれば、誘電層の厚みのバラツキを小さく抑えることができる。その結果、ウェハーをチャックする際の吸着力の面内バラツキが生じにくくなる。
1.セラミック成形体の作製
アルミナ粉末(平均粒径0.50μm,純度99.7%)100重量部、マグネシア0.04重量部、分散剤としてポリカルボン酸系共重合体3重量部、溶媒として多塩基酸エステル20重量部を秤量し、これらをボールミル(トロンメル)で14時間混合し、スラリー前駆体とした。このスラリー前駆体に対して、ゲル化剤、すなわちイソシアネート類として4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート 3.3重量部、ポリオール類としてエチレングリコール0.3重量部、触媒として6−ジメチルアミノ−1−ヘキサノール0.1重量部を加え、自公転式撹拌機で12分間混合し、セラミックスラリーを得た。得られたセラミックスラリーを、直径350mm、高さ4.0mmの円盤状の内部空間を有する第1成形型と、直径350mm、高さ6.0mmの円盤状の内部空間を有する第2成形型と、直径350mm、高さ4.0mmの円盤状の内部空間を有する第3成形型に、それぞれ流し込んだ。その後、22℃で2時間放置することにより、各成形型内でゲル化剤を化学反応させてセラミックスラリーをゲル化させたあと離型した。これにより、第1〜第3成形型からそれぞれ第1〜第3のセラミック成形体を得た。
第1〜第3のセラミック成形体を100℃で10時間乾燥した後、最高温度500℃で1時間脱脂し、更に最高温度820℃、大気雰囲気で1時間仮焼することにより、第1〜第3のセラミック仮焼体を得た。
WC粉末とアルミナ粉末をアルミナ含有量が20重量%となるようにしバインダーとしてポリビニルブチラールと溶媒としてテルピネオールを加えて混合することにより電極用ペーストを作製した。この電極用ペーストは、静電電極用、ヒーター電極用の両方に用いることとした。第1のセラミック仮焼体が静電チャックの誘電層になるものとし、この第1のセラミック仮焼体の片面に先ほどの電極用ペーストをスクリーン印刷し、静電電極を形成した。一方、第3のセラミック仮焼体の片面にも電極用ペーストをスクリーン印刷し、ヒーター電極を形成した。第2のセラミック仮焼体には印刷しなかった。
静電電極を挟み込むようにして第1及び第2のセラミック仮焼体を重ね合わせると共に、ヒーター電極を挟み込むようにして第2及び第3のセラミック仮焼体を重ね合わせた(図2(a)参照)。そして、その状態でホットプレス焼成することにより焼結体を作製し、その後、側面加工、穴あけ加工を施し、端子の取り付けを行い静電電極及びヒーター電極を内蔵した静電チャックを得た。ホットプレス焼成は、窒素雰囲気下、プレス圧100kgf/cm2、最高温度1600℃で2時間保持することにより行った。その後、セラミック焼結体表面をダイヤモンド砥石にて平面研削加工を行い、静電電極から表面までの厚みを350μmとし、ヒーター電極からもう一方の表面までの厚みを750μmとした。その後、側面加工、穴あけ加工を施し、端子の取り付けを行い静電電極及びヒーター電極を内蔵した静電チャックを得た。得られた静電チャックは、炭素含有量が0.1重量%以下、相対密度が98%以上であり、誘電層の厚みのバラツキつまり誘電層の厚みの最大値と最小値との差は60μmであった。なお、誘電層の厚みのバラツキは、静電電極の反りが大きいほど大きくなり、また、静電電極の厚みのバラツキが大きいほど大きくなる。図3は、静電電極の反りが誘電層の厚みのバラツキに影響を及ぼすことを示す説明図である。この図から、誘電層のバラツキ(=Lmax−Lmin)は、静電電極の反りが大きいほど大きくなることがわかる。また、図3には示していないが、静電電極の厚みが不均一であれば、誘電層の厚みも不均一になるため、誘電層の厚みのバラツキに影響が及ぶ。
実施例1の3.において、第1及び第3のセラミック仮焼体にはスクリーン印刷せず、第2のセラミック仮焼体の片面に電極用ペーストをスクリーン印刷して静電電極を形成すると共に、もう一方の片面に電極用ペーストをスクリーン印刷してヒーター電極を形成した。そして、実施例1の4.において、図2(b)のように、第1〜第3のセラミック仮焼体を重ね合わせた状態でホットプレス焼成することにより焼結体を作製し、その後、側面加工、穴あけ加工を施し、端子の取り付けを行い静電電極及びヒーター電極を内蔵した静電チャックを得た。ホットプレス焼成は実施例1と同じ条件で行った。得られた静電チャックは、炭素含有量が0.1重量%以下、相対密度が98%以上であり、誘電層の厚みのバラツキは55μmであった。
1.セラミック成形体の作製
窒化アルミニウム(平均粒径0.5μm,純度99.7%)100重量部、酸化ユウロピウム3重量部、アルミナ8.7重量部、酸化チタン0.4重量部、分散剤としてポリカルボン酸系共重合体3重量部、溶媒として多塩基酸エステル25重量部を秤量し、これらをボールミル(トロンメル)で14時間混合し、スラリー前駆体とした。このスラリー前駆体に対して、ゲル化剤、すなわちイソシアネート類として4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート7.7重量部、ポリオール類としてエチレングリコール1.4重量部、触媒として6−ジメチルアミノ−1−ヘキサノール0.3重量部を加え、プロペラ式撹拌機で10分間混合し、セラミックスラリーを得た。得られたセラミックスラリーを、直径350mm、高さ4.0mmの円盤状の内部空間を有する第1成形型と、直径350mm、高さ6.0mmの円盤状の内部空間を有する第2成形型と、直径350mm、高さ4.0mmの円盤状の内部空間を有する第3成形型に、それぞれ流し込んだ。その後、22℃で2時間放置することにより、各成形型内でゲル化剤を化学反応させてセラミックスラリーをゲル化させたあと離型した。これにより、第1〜第3成形型からそれぞれ第1〜第3のセラミック成形体を得た。
第1〜第3のセラミック成形体を100℃で10時間乾燥した後、真空中で最高温度500℃で3時間脱脂し、更に最高温度820℃、窒素雰囲気で1時間仮焼することにより、第1〜第3のセラミック仮焼体を得た。
実施例1の3.と同様にして、第1のセラミック仮焼体の表面に静電電極、第3のセラミック仮焼体の表面にヒーター電極を形成した。
実施例1の4.と同様にして、図2(a)のように第1〜第3のセラミック仮焼体を重ね合わせた状態でホットプレス焼成することによりセラミック焼結体を得た。但し、ホットプレス焼成は、窒素雰囲気下、プレス圧200kgf/cm2、最高温度1920℃で2時間保持することにより行った。その後、セラミック焼結体表面をダイヤモンド砥石にて平面研削加工を行い、静電電極から表面までの厚みを350μmとし、ヒーター電極からもう一方の表面までの厚みを750μmとした。その後、側面加工、穴あけ加工を施し、端子の取り付けを行い静電電極及びヒーター電極を内蔵した静電チャックを得た。得られた静電チャックは、炭素含有量が0.1重量%以下、相対密度が98%以上であり、誘電層の厚みのバラツキは60μmであった。
実施例3の3.において、第1及び第3のセラミック仮焼体にはスクリーン印刷せず、第2のセラミック仮焼体の片面に電極用ペーストをスクリーン印刷して静電電極を形成すると共に、もう一方の片面に電極用ペーストをスクリーン印刷してヒーター電極を形成した。そして、実施例3の4.において、図2(b)のように、第1〜第3のセラミック仮焼体を重ね合わせた状態でホットプレス焼成することによりセラミック焼結体を作製し、その後表面加工、側面加工、穴あけ加工を施し、端子の取り付けを行い静電電極及びヒーター電極を内蔵した静電チャックを得た。ホットプレス焼成は実施例3と同じ条件で行った。得られた静電チャックは、炭素含有量が0.1重量%以下、相対密度が98%以上であり、誘電層の厚みのバラツキは52μmであった。
アルミナ焼結体の下面に静電電極用ペーストを印刷すると共に、別のアルミナ焼結体の上面にヒーター電極用ペーストを印刷し、静電電極用ペーストの印刷面とヒーター電極用ペーストの印刷面とでアルミナ造粒粉を挟み込んだ状態でこれらを加圧してプレス成形体とした後、ホットプレス焼成を施すことにより、静電チャックを作製した。これは図2(a)と類似の手法である。
中間層となるアルミナ焼結体の上面に静電電極用ペースト、下面にヒーター電極用ペーストを印刷し、静電電極用ペーストの印刷面の上にアルミナ造粒粉を配置すると共にヒーター電極用ペーストの印刷面の下にもアルミナ造粒粉を配置し、その状態でこれらを加圧して成形体とした後、ホットプレス焼成し、その後表面加工、側面加工、穴あけ加工を施し、端子の取り付けを行い、静電電極及びヒーター電極を内蔵した静電チャックを作製した。これは図2(b)と類似の手法である。
1.セラミック成形体の作製
アルミナ粉末(平均粒径0.5μm,純度99.99%)100重量部、マグネシア0.2重量部、フッ化マグネシウム0.3重量部、分散剤としてポリカルボン酸系共重合体3重量部、溶媒として多塩基酸エステル20重量部を秤量し、これらをボールミル(トロンメル)で14時間混合し、スラリー前駆体とした。このスラリー前駆体に対して、ゲル化剤、すなわちイソシアネート類として4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート 3.3重量部、ポリオール類としてエチレングリコール0.3重量部、触媒として6−ジメチルアミノ−1−ヘキサノール0.1重量部を加え、自公転式撹拌機で12分間混合し、セラミックスラリーを得た。得られたスラリーを、実施例1の1.で用いた第1〜第3成形型にそれぞれ流し込んだ。その後、22℃で2時間放置することにより、各成形型内でゲル化剤を化学反応させてセラミックスラリーをゲル化させたあと離型した。これにより、第1〜第3成形型からそれぞれ第1〜第3のセラミック成形体を得た。
実施例1の2.と同様にして、第1〜第3のセラミック仮焼体を得た。
実施例1の3.と同様にして、第1のセラミック仮焼体の片面と第3のセラミック仮焼体の片面に電極用ペーストをスクリーン印刷した。但し、電極用ペーストは、Mo粉末とアルミナ粉末をアルミナ含有量が10重量%となるようにし、バインダーとしてポリビニルブチラールと溶媒としてテルピネオールを加えて混合することにより作製した。
実施例1の4.と同様にして、図2(a)のように第1〜第3のセラミック仮焼体を重ね合わせた状態でホットプレス焼成することによりセラミック焼結体を得た。但し、ホットプレス焼成は、真空雰囲気下、プレス圧250kgf/cm2、最高温度1170℃で2時間保持することにより行った。最高温度を実施例1(1600℃)より低くすることができたのは、スラリー前駆体に焼結助剤としてフッ化マグネシウムを添加したことによる。その後、セラミック焼結体表面をダイヤモンド砥石にて平面研削加工を行い、静電電極から表面までの厚みを350μmとし、ヒーター電極からもう一方の表面までの厚みを750μmとした。その後、側面加工、穴あけ加工を施し、端子の取り付けを行い静電電極及びヒーター電極を内蔵した静電チャックを得た。得られた静電チャックは、炭素含有量が0.1重量%以下、相対密度が98%以上であり、誘電層の厚みのバラツキは20μmであった。
アルミナ焼結体の下面に静電電極用ペーストを印刷すると共に、別のアルミナ焼結体の上面にヒーター電極用ペーストを印刷し、静電電極用ペーストの印刷面とヒーター電極用ペーストの印刷面とでアルミナ造粒粉を挟み込んだ状態でこれらを加圧して成形体とした後、ホットプレス焼成を施すことにより、静電チャックを作製した。これは図2(a)と類似の手法である。また、比較例1と比べて、アルミナ焼結体の作製方法、アルミナ造粒粉の作製方法、電極用ペーストの調製方法、最終的なホットプレス焼成工程が異なる。以下、これらについて説明する。
実施例5と比較例1,3との特性を比較した。その結果を表2に示す。各特性の測定方法は以下のとおり。
・粒径分布の測定
SEMにて観察した粒子40個以上について長軸と短軸の平均を粒径とし、粒径分布、平均粒径(Ave.)、標準偏差(σ)を求めた。
・全粒子の個数に対する平均粒径以下の粒子の個数の割合の算出
粒径分布の測定結果に基づいて、横軸を粒径、縦軸を累積頻度のグラフを作成し、そのグラフから、測定範囲における、全粒子の個数に対する平均粒径以下の粒子の個数の割合を求めた。
・絶縁破壊強度の測定
JIS C2110の油中で行う場合に従い測定を行った。
・パーティクルの測定
静電チャックにウェハを載せ、ウェハにレーザーを照射し、散乱孔の方向をデータ処理し、発生したパーティクルの数を検出した。
・粒界組成解析
粒界部分を電子プローブマイクロアナライザー(EPMA)とX線回折(XRD)により測定した。
Claims (8)
- (a)成形型にセラミック粉体、溶媒、分散剤及びゲル化剤を含むセラミックスラリーを投入し、前記成形型内で前記ゲル化剤を化学反応させて前記セラミックスラリーをゲル化させたあと離型することにより、第1及び第2のセラミック成形体を得る工程と、
(b)前記第1及び第2のセラミック成形体を乾燥したあと脱脂し、更に仮焼することにより、第1及び第2のセラミック仮焼体を得る工程と、
(c)前記第1のセラミック仮焼体が静電チャックの誘電層になるものとした上で、前記第1及び第2のセラミック仮焼体のいずれか一方の表面に静電電極用ペーストを印刷して静電電極とする工程と、
(d)前記静電電極を挟み込むようにして前記第1及び第2のセラミック仮焼体を重ね合わせた状態でホットプレス焼成することによりセラミック焼結体を作製する工程と、
を含む静電チャックの製法。 - 前記工程(a)では、前記第1及び第2のセラミック成形体と同様にして第3のセラミック成形体も作製し、
前記工程(b)では、前記第1及び第2のセラミック仮焼体と同様にして第3のセラミック仮焼体も作製し、
前記工程(c)では、前記第2及び第3のセラミック仮焼体のいずれか一方の表面にヒーター電極用ペーストを印刷してヒーター電極とし、
前記工程(d)では、前記静電電極を挟み込むようにして前記第1及び第2のセラミック仮焼体を重ね合わせると共に前記ヒーター電極を挟み込むようにして前記第2及び第3のセラミック仮焼体を重ね合わせた状態でホットプレス焼成することによりセラミック焼結体を作製する、
請求項1に記載の静電チャックの製法。 - (a)成形型にセラミック粉体、溶媒、分散剤及びゲル化剤を含むセラミックスラリーを投入し、前記成形型内で前記ゲル化剤を化学反応させて前記セラミックスラリーをゲル化させたあと離型することにより、第1及び第2のセラミック成形体を得る工程と、
(b)前記第1のセラミック成形体が静電チャックの誘電層になるものとした上で、前記第1及び第2のセラミック成形体のいずれか一方の表面に静電電極用ペーストを印刷して静電電極とする工程と、
(c)前記第1及び第2のセラミック成形体を乾燥したあと脱脂し、更に仮焼することにより、第1及び第2のセラミック仮焼体を得る工程と、
(d)前記静電電極を挟み込むようにして前記第1及び第2のセラミック仮焼体を重ね合わせた状態でホットプレス焼成することによりセラミック焼結体を作製する工程と、
を含む静電チャックの製法。 - 前記工程(a)では、前記第1及び第2のセラミック成形体と同様にして第3のセラミック成形体も作製し、
前記工程(b)では、前記第2及び第3のセラミック成形体のいずれか一方の表面にヒーター電極用ペーストを印刷してヒーター電極とし、
前記工程(c)では、前記第1及び第2のセラミック成形体と同様にして前記第3のセラミック成形体も乾燥、脱脂、仮焼して第3のセラミック仮焼体を作製し、
前記工程(d)では、前記静電電極を挟み込むようにして前記第1及び第2のセラミック仮焼体を重ね合わせると共に前記ヒーター電極を挟み込むようにして前記第2及び第3のセラミック仮焼体を重ね合わせた状態でホットプレス焼成することによりセラミック焼結体を作製する、
請求項3に記載の静電チャックの製法。 - 前記工程(a)では、前記セラミック粉体として、アルミナに焼結助剤として少なくともMgF2を加えたものを用い、
前記工程(d)では、ホットプレス焼成温度を1120〜1300℃の範囲に設定する、
請求項1〜4のいずれか1項に記載の静電チャックの製法。 - 前記工程(a)で使用するセラミック粉体は、平均粒径が0.4〜0.6μmである、
請求項1〜5のいずれか1項に記載の静電チャックの製法。 - 誘電層の厚みの最大値と最小値との差が60μm以下である、静電チャック。
- 前記誘電層を構成するセラミック粒子は、平均粒径が0.7〜1.2μmであり、全粒子の個数に対する平均粒径以下の粒子の個数の割合が60%以上である、請求項7に記載の静電チャック。
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