JP7245474B2 - 磁気冷凍用途に有用な磁気熱量合金 - Google Patents

磁気冷凍用途に有用な磁気熱量合金 Download PDF

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Description

関連出願の相互参照
本出願は、２０１８年２月２２日に出願された、発明の名称が「Ｍａｇｎｅｔｏｃａｌｏｒｉｃ Ａｌｌｏｙｓ Ｕｓｅｆｕｌ ｆｏｒ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｆｒｉｇｅｒａｔｉｏｎ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ」の米国仮特許出願第６２／６３４，０７８号明細書、および２０１８年７月３日に出願された、発明の名称が「Ｍａｇｎｅｔｏｃａｌｏｒｉｃ Ａｌｌｏｙｓ Ｕｓｅｆｕｌ ｆｏｒ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｆｒｉｇｅｒａｔｉｏｎ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ」の米国仮特許出願第６２／６９３，７１９号明細書に対する優先権を主張し、それらの内容は、参照によりそれらの全体が本明細書に組み込まれる。
政府のライセンス権
本発明は、アメリカ合衆国エネルギー省によって付与されたＤＥ－ＳＣ００１５９３２の下で政府支援によりなされたものである。政府は、本発明においてある一定の権利を有する。
本開示は一般に、磁気冷凍用途に有用な合金を含む磁気熱量材料に関する。一部の実施形態において、開示される合金は、二次磁気相転移のみを示し、熱的および構造的ヒステリシス損が限られている。これにより、開示される合金は、磁気冷凍用途における使用に対する魅力的な候補となる。さらに、開示される組成物の実施形態は、従来技術の材料よりもコストが低く、また性能が高い。
磁気冷凍は、磁場への曝露後の磁気材料の温度変化である磁気熱量効果（ＭＣＥ）を利用する。磁気熱量効果のより詳細な説明は、Plaza and Campoy, J. of Magnetism and Magnetic Mat., 321, 446 (2009)に記載されている。低コストの磁気冷凍機を開発する重要な課題は、ＭＣＥ材料のコストおよび入手の可能性であり、ＭＣＥ材料は通常、希土類であり、非常に高価である。磁気熱量効果（ＭＣＥ）は、様々な用途に首尾よく利用されている磁性固体の固有特性である。磁場の印加または除去に対するＭＣＥ材料の熱的応答は通常、材料がその磁気的秩序化温度付近である場合に最大化される。したがって、磁気冷凍デバイスのために考慮される材料は、目的の温度領域付近の磁気相転移温度、すなわち、水素液化に関してはおよそ２０°Ｋ、窒素液化に関してはおよそ８０°Ｋ等を示さなくてはならない。B.G. Shen, J.R. Sun, F.X. Hu, H.W. Zhang, and Z.H. Cheng, Adv. Mater., 21, 4545 (2009)によれば、最も一般的なＭＣＥ材料の幾つかとして、ＲＮｉ２（Ｒ＝Ｇｄ、ＤｙおよびＨｏ）およびＲＡｌ２（Ｒ＝Ｅｒ、Ｈｏ、ＤｙおよびＤｙ０．５Ｈｏ０．５、ＤｙｘＥｒ１－ｘおよびＧｄＰｄ）が挙げられ、それらは全て、希土類であり、高価である。Kamiya et al., Cryocoolers, 14, 637 (2007)は、カルノー効率９０％に近い効率を有する小規模の水素液化磁気冷凍機を首尾よく実証したが、１４．６Ｗの最大冷却力を達成するには、希土類ＭＣＥ材料であるジスプロシウム（純度９９％に関しては、原体価およそ３５０ドル／ｋｇ）ガドリニウム（純度９９．９％に関しては、原体価およそ５５ドル／ｋｇ）アルミニウムガーネット２８０ｇが必要とされた。これらの出発材料は、所望のＭＣＥ特性を得るのに相当な加工処理をさらに受けなくてはならず、それが材料コストを１０倍～１００倍増加させ得る。明らかに、伝統的な希土類ベースのＭＣＥ材料を使用した４００Ｗを上回る冷却力が可能な磁気冷凍システムの資本コストは、その経済的実現可能性をはるかに超えている。
磁気冷凍技術の開発を阻害する主な障害の１つは、幾つかの団体によって開発中である能動的磁気再生器（active magnetic regenerator）（ＡＭＲ）等の磁気冷凍環境において、長期にわたって実際に機能する市販の低コスト磁気熱量材料が存在しないことである。磁気熱量特性を有する新たな材料を発見する広範な研究が存在している一方で、これらの材料組成物の大多数が、ＡＭＲ技術に適合するには相当な操作を必要する。Shen, J.R Sun, F.X. Hu, H.W. Zhang, and Z.H. Cheng, Adv. Mater., 21, 4545, 2009およびV. Provenzano, A.J. Shapiro, and R.D. Shull, Nature, 429, 853, 2004に記載されるように、ＧｄＳｉＧｅまたはＬａＦｅＳｉベースの合金等の材料は、それらの巨大な磁気熱量効果に起因して、興味が持たれているが、この効果は、相当な磁気的および熱的ヒステリシスを有し、また構造変化も示す一次相転移に起因する。高い効率のＡＭＲに必要とされる高頻度の磁化および消磁中に、ＭＣＥの規模が劇的に低減されるように、ヒステリシスは、ＭＣＥの可逆性を低減させる。熱的および磁気的ヒステリシスを抑制する方法は可能であるが、さらなる材料および加工処理を必要とし、またＭＣＥを抑制するように働く。さらに、構造的変化は通常、材料の体積膨張および収縮として現れ、ＭＣＥ応答を素早く低減させて、熱伝導率を下げる磁化および消磁サイクル中にクラッキングを引き起こし、これらの材料をＡＭＲと不適合にしている。一次転移を有するＭＣＥ材料の機械的安定性を改善する方法が用いられ得る一方で、またこれにより、コストを上げる相当なさらなる材料および加工処理が必要となる。さらに、多くのＭＣＥ材料の拡大可能な製造は、これまでに実証されていない。
一部の実施形態において、磁気熱量材料は、（ＡｘＢ１－ｘ）Ｓｉ１－ｙ－ｚ（ＤｙＥｚ）（式中、ＡおよびＢは、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＧｄからなる群から選択され、Ｄは、ＣｒまたはＭｎからなる群から選択され、Ｅは、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、またはＺｎからなる群から選択され、ｘは、約０～約１．０の範囲であり、ｙは、約０．０５～約０．３の範囲であり、ｚは、約０～約０．３の範囲であり、０．０５≦ｙ＋ｚ≦０．３である）を含み得る。
磁気熱量材料の一部の実施形態において、ｙ＋ｚ＝０．１である。磁気熱量材料の一部の実施形態において、ｙ＋ｚ＝０．２である。磁気熱量材料の一部の実施形態において、ｙ＋ｚ＝０．３である。磁気熱量材料の一部の実施形態において、ｙ＝０．１およびｚ＝０である。磁気熱量材料の一部の実施形態において、ｙ＝０．２およびｚ＝０である。磁気熱量材料の一部の実施形態において、ｙ＝０．３およびｚ＝０である。磁気熱量材料の一部の実施形態において、ｙ＝０．０５およびｚ＝０．１である。磁気熱量材料の一部の実施形態において、ｙ＝０．０５およびｚ＝０．２である。磁気熱量材料の一部の実施形態において、ｙ＝０．０５およびｚ＝０．１５である。
一部の実施形態において、磁気熱量材料は、（ＡｘＢ１－ｘ）Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２（式中、ＡおよびＢは、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＧｄからなる群から選択され、ｘは、約０～約１．０の範囲である）を含む。一部の実施形態において、材料は、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｇｄ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｇｄ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｇｄ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｇｄ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｇｄ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｇｄ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｇｄ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｇｄ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．１Ｇｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．３Ｇｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．４Ｇｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．６Ｇｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．７Ｇｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．８Ｇｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．９Ｇｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２である。
一部の実施形態において、磁気熱量材料は、（ＡｘＢ１－ｘ）Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２（式中、ＡおよびＢは、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＧｄからなる群から選択され、ｘは、約０～約１．０の範囲である）を含む。一部の実施形態において、材料は、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｇｄ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｇｄ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｇｄ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｇｄ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｇｄ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｇｄ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｇｄ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｇｄ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．１Ｇｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．３Ｇｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．４Ｇｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．６Ｇｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．７Ｇｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．８Ｇｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．９Ｇｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２である。
一部の実施形態において、磁気熱量材料は、（ＡｘＢ１－ｘ）Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１（式中、ＡおよびＢは、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＧｄからなる群から選択され、ｘは、約０～約１．０の範囲である）を含む。一部の実施形態において、材料は、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｇｄ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｇｄ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｇｄ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｇｄ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｇｄ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｇｄ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｇｄ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｇｄ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．１Ｇｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．３Ｇｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．４Ｇｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．６Ｇｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．７Ｇｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．８Ｇｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．９Ｇｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１である。
一部の実施形態において、磁気熱量材料は、（ＡｘＢ１－ｘ）Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５（式中、ＡおよびＢは、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＧｄからなる群から選択され、ｘは、約０～約１．０の範囲である）を含む。一部の実施形態において、材料は、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｇｄ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｇｄ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｇｄ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｇｄ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｇｄ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｇｄ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｇｄ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｇｄ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．１Ｇｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．３Ｇｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．４Ｇｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．６Ｇｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．７Ｇｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．８Ｇｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．９Ｇｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５である。
一部の実施形態において、磁気熱量材料は、（ＡｘＢ１－ｘ）Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５（式中、ＡおよびＢは、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＧｄからなる群から選択され、ｘは、約０～約１．０の範囲である）を含む。一部の実施形態において、材料は、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｇｄ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｇｄ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｇｄ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｇｄ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｇｄ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｇｄ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｇｄ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｇｄ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．１Ｇｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．３Ｇｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．４Ｇｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．６Ｇｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．７Ｇｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．８Ｇｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．９Ｇｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５である。
一部の実施形態において、磁気熱量材料は、（ＡｘＢ１－ｘ）Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｅ０．１（式中、ＡおよびＢは、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＧｄからなる群から選択され、Ｅは、Ｆｅ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、またはＺｎからなる群から選択され、ｘは、約０～約１．０の範囲である）を含む。一部の実施形態において、材料は、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｇｄ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｇｄ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｇｄ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｇｄ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｇｄ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｇｄ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｇｄ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ｆｅ０．１、Ｇｄ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．１Ｇｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．３Ｇｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．４Ｇｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．６Ｇｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．７Ｇｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．８Ｇｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．９Ｇｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｇｄ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｇｄ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｇｄ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｇｄ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｇｄ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｇｄ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｇｄ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ａｌ０．１、Ｇｄ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．１Ｇｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．３Ｇｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．４Ｇｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．６Ｇｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．７Ｇｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．８Ｇｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．９Ｇｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌｅ０．１、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｇｄ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｇｄ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｇｄ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｇｄ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｇｄ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｇｄ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｇｄ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ｎｉ０．１、Ｇｄ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．１Ｇｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．３Ｇｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．４Ｇｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．６Ｇｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．７Ｇｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．８Ｇｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．９Ｇｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉｅ０．１、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１
Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｇｄ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｇｄ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｇｄ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｇｄ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｇｄ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｇｄ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｇｄ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ｃｏ０．１、Ｇｄ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．１Ｇｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．３Ｇｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．４Ｇｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．６Ｇｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．７Ｇｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．８Ｇｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．９Ｇｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｇｄ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｇｄ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｇｄ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｇｄ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｇｄ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｇｄ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｇｄ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ｃｕ０．１、Ｇｄ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．１Ｇｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．３Ｇｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．４Ｇｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．６Ｇｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．７Ｇｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．８Ｇｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．９Ｇｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｇｄ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｇｄ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｇｄ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｇｄ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｇｄ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｇｄ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｇｄ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ｚｎ０．１、Ｇｄ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．１Ｇｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．３Ｇｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．４Ｇｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．６Ｇｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．７Ｇｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．８Ｇｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．９Ｇｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１である。
一部の実施形態において、磁気熱量材料は、ＣｅＳｉｙＡｌ１－ｙ（式中、ｙは、０より大きく、１未満である）を含み得る。一部の実施形態において、材料は、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．９Ａｌ０．１、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ａｌ０．８、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．７Ａｌ０．３、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．６Ａｌ０．４、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．５Ａｌ０．５、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．４Ａｌ０．６、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．３Ａｌ０．７、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．２Ａｌ０．８、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．１Ａｌ０．９、またはそれらの任意の組合せである。
別の実施形態は、磁気熱量材料を含む磁気冷凍機である。一部の実施形態において、磁気冷凍機は、磁気熱量材料を含み、磁気熱量材料は、（ＡｘＢ１－ｘ）Ｓｉ１－ｙ－ｚ（ＤｙＥｚ）（式中、ＡおよびＢは、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＧｄからなる群から選択され、Ｄは、ＣｒまたはＭｎからなる群から選択され、Ｅは、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、またはＺｎからなる群から選択され、ｘは、約０～約１．０の範囲であり、ｙは、約０．０５～約０．３の範囲であり、ｚは、約０～約０．３の範囲であり、０．０５≦ｙ＋ｚ≦０．３である）を含む。一部の実施形態において、磁気冷凍機は、磁気熱量材料を含み、磁気熱量材料は、ＣｅＳｉｙＡｌ１－ｙ（式中、ｙは、０より大きく、１未満である）を含む。
別の実施形態は、ヒートポンプを製造する方法であって、ヒートポンプの少なくとも一部を、磁気熱量材料から製作することを含む、方法である。一部の実施形態において、ヒートポンプを製造する方法は、ヒートポンプの少なくとも一部を、磁気熱量材料から製作することを含み、磁気熱量材料は、（ＡｘＢ１－ｘ）Ｓｉ１－ｙ－ｚ（ＤｙＥｚ）（式中、ＡおよびＢは、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＧｄからなる群から選択され、Ｄは、ＣｒまたはＭｎからなる群から選択され、Ｅは、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、またはＺｎからなる群から選択され、ｘは、約０～約１．０の範囲であり、ｙは、約０．０５～約０．３の範囲であり、ｚは、約０～約０．３の範囲であり、０．０５≦ｙ＋ｚ≦０．３である）を含む。一部の実施形態において、ヒートポンプを製造する方法は、ヒートポンプの少なくとも一部を、磁気熱量材料から製作することを含み、磁気熱量材料は、ＣｅＳｉｙＡｌ１－ｙ（式中、ｙは、０より大きく、１未満である）を含む。
一部の実施形態は、磁気冷凍用途に有用な合金を含む磁気熱量材料に関する。一部の実施形態において、開示される合金は、かなり安価なセリウム、ネオジム、および／またはガドリニウムをベースとする組成物であり得、場合によっては、それらのキュリー温度付近で二次磁気相転移のみを示し、したがって、熱的および構造的ヒステリシス損が限られている。これにより、これらの組成物は、磁気冷凍用途における使用に対する魅力的な候補となる。驚くべきことに、開示される材料の性能は、公知の高価な希土類ベースの磁気熱量材料の多くに類似しているか、またはそれらよりもすぐ優れている。
本発明の態様および関連技術を上回って達成される利点を要約するために、本発明のある特定の目的および利点を、本開示において記載する。当然のことながら、かかる全ての目的または利点が、必ずしも本発明の任意の特定の実施形態に従って達成され得るとは限らないことは理解されよう。したがって、例えば、本発明は、本明細書中に教示または示唆され得る他の目的または利点を必ずしも達成することなく、本明細書中に教示する１つの利点もしくは一群の利点を達成または最適化する方法で、具体化または実行できることは、当業者に認識されよう。
本発明のさらなる態様、特徴および利点は、下記の実施形態の詳細な説明から明らかになる。
Ｎｄ１．０Ｓｉ０．９Ｍｎ０．１合金に関するエントロピーの変化対温度を示すグラフである。 開示される合金の幾つかに関する磁化対温度を示すグラフである。 Ｃｅ１．０Ｓｉ０．９Ｍｎ０．１合金に関する磁化対温度を示すグラフである。 開示される合金の幾つかに関するエントロピーの変化対温度を示すグラフである。 開示される合金の幾つかに関する磁化対温度を示すグラフである。 Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２合金に関するエントロピーの変化対温度を示すグラフである。 開示される合金の幾つかに関する磁化対温度を示すグラフである。 Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２合金に関するエントロピーの変化対温度を示すグラフである。 開示される合金の幾つかに関する磁化対温度を示すグラフである。 Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２合金に関するエントロピーの変化対温度を示すグラフである。 開示される合金の幾つかに関する磁化対温度を示すグラフである。 Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２合金に関するエントロピーの変化対温度を示すグラフである。 Ｃｅ１．０Ｓｉ０．９Ａｌ０．１合金に関する磁化対温度を示すグラフである。 種々のアニール処理を用いた幾つかの磁気熱量合金に関するエントロピーの変化対温度を示すグラフである。 ２時間の１４００℃のアニールを用いたＧｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２合金に関するエントロピーの変化対温度を示すグラフである。 １３００℃で６時間のアニールを用いたＧｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１合金に関するエントロピーの変化対温度を示すグラフである。 １３００℃で６時間のアニールを用いたＧｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１合金に関するエントロピーの変化対温度を示すグラフである。 １２００℃で１２時間のアニールを用いたＧｄ０．５Ｃｅ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２合金に関するエントロピーの変化対温度を示すグラフである。 １２００℃で１２時間のアニールを用いたＮｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１合金に関するエントロピーの変化対温度を示すグラフである。 １１００℃で４週間のアニールを用いたＧｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２合金に関するエントロピーの変化対温度を示すグラフである。
磁気熱量効果（ＭＣＥ）は、適切な材料の温度変化が、その材料を、変化中の磁場に曝露させることによって引き起こされる現象である。磁気熱量効果は、以下の方程式：
Figure 0007245474000001
 （式中、Ｔは温度であり、Ｈは、印加された磁場であり、Ｃは、作動中の磁石（冷媒）の熱容量であり、Ｍは、冷媒の磁化である）
で数量化することができる。材料の温度変化は、材料のエントロピーの変化によって引き起こされる。
本明細書中で使用する場合、用語「磁気熱量効果」は、材料の温度変化が、その材料を、変化中の磁場に曝露させることによって引き起こされる任意の現象を含む。
たいていの磁気熱量材料によって示される磁気熱量効果は、下記の通りである：磁場が磁気熱量材料付近に移動されるかまたは磁気熱量材料と接触している場合には、磁気熱量材料の温度は上昇し、磁場が磁気熱量材料から離れて移動される場合には、磁気熱量材料の温度は低下する。磁場の印加および除去による磁気熱量効果を受ける材料として、ガドリニウムベースの合金が挙げられるが、これに限定されない。一部の実施形態において、磁気熱量材料は、磁気熱量効果を示し、磁場が磁気熱量材料付近に移動されるかまたは磁気熱量材料と接触している場合には磁気熱量材料の温度が上昇し、磁場が磁気熱量材料から離れて移動される場合には磁気熱量材料の温度が低下する。
しかしながら、幾つかの磁気熱量材料は、逆の磁気熱量効果を示し、磁場が磁気熱量材料付近に移動されるかまたは磁気熱量材料と接触している場合には、磁気熱量材料の温度が低下し、磁場が磁気熱量材料から離れて移動される場合には、磁気熱量材料の温度が上昇する。磁場の印加および除去による逆の磁気熱量効果を受ける材料として、ホイスラー合金が挙げられるが、これに限定されず、またＮｉＭｎベースの合金が挙げられるが、これに限定されない。一部の実施形態において、磁気熱量材料は、逆の磁気熱量効果を示し、磁場が磁気熱量材料付近に移動されるかまたは磁気熱量材料と接触している場合には、磁気熱量材料の温度が低下し、磁場が磁気熱量材料から離れて移動される場合には、磁気熱量材料の温度が上昇する。
本開示は、二次磁気相転移を有する磁気熱量合金に関する。一部の実施形態は、（ＡｘＢ１－ｘ）Ｓｉ１－ｙ－ｚ（ＭｎｙＣｒｚ）（式中、ＡおよびＢは、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＧｄからなる群から選択され、Ｄは、ＣｒまたはＭｎからなる群から選択され、Ｅは、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、またはＺｎからなる群から選択され、ｘは、約０～約１．０の範囲であり、ｙは、約０．０５～約０．３の範囲であり、ｚは、約０～約０．３の範囲であり、０．０５≦ｙ＋ｚ≦０．３である）を含む磁気熱量材料を提供し得る。
驚くべきことに、Ｓｉを、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、またはＺｎ等の種々の元素と置き換えることにより、磁気熱量特性（ΔＳおよび／またはキュリー温度）が変更され、また室温における空気中での耐酸化性を改善されることを発見した。磁気熱量材料の一部の実施形態において、ｙ＋ｚ＝０．１。磁気熱量材料の一部の実施形態において、ｙ＋ｚ＝０．２。磁気熱量材料の一部の実施形態において、ｙ＋ｚ＝０．３。一部の実施形態において、最適な性能は、ｙ＋ｚ＝０．２である場合に達成される。磁気熱量材料の一部の実施形態において、ｙ＋ｚ＝０．２。一部の実施形態において、極めて少量のケイ素を、クロムと置き換えることにより、材料の耐酸化性が著しく改善される。磁気熱量材料の一部の実施形態において、ｙ＋ｚ＝０．１。磁気熱量材料の一部の実施形態において、ｙ＋ｚ＝０．２。磁気熱量材料の一部の実施形態において、ｙ＋ｚ＝０．３。磁気熱量材料の一部の実施形態において、ｙ＝０．１およびｚ＝０。磁気熱量材料の一部の実施形態において、ｙ＝０．２およびｚ＝０。磁気熱量材料の一部の実施形態において、ｙ＝０．３およびｚ＝０。磁気熱量材料の一部の実施形態において、ｙ＝０．０５およびｚ＝０．１である。磁気熱量材料の一部の実施形態において、ｙ＝０．０５およびｚ＝０．０５。磁気熱量材料の一部の実施形態において、ｙ＝０．０５およびｚ＝０．１５。
一部の実施形態において、磁気熱量材料は、（ＡｘＢ１－ｘ）Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２（式中、ＡおよびＢは、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＧｄからなる群から選択され、ｘは、約０～約１．０の範囲である）を含む。一部の実施形態において、材料は、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｇｄ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｇｄ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｇｄ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｇｄ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｇｄ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｇｄ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｇｄ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｇｄ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．１Ｇｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．３Ｇｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．４Ｇｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．６Ｇｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．７Ｇｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．８Ｇｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．９Ｇｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２である。
一部の実施形態において、磁気熱量材料は、（ＡｘＢ１－ｘ）Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２（式中、ＡおよびＢは、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＧｄからなる群から選択され、ｘは、約０～約１．０の範囲である）を含む。一部の実施形態において、材料は、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｇｄ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｇｄ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｇｄ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｇｄ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｇｄ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｇｄ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｇｄ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｇｄ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．１Ｇｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．３Ｇｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．４Ｇｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．６Ｇｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．７Ｇｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．８Ｇｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．９Ｇｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２である。
一部の実施形態において、磁気熱量材料は、（ＡｘＢ１－ｘ）Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１（式中、ＡおよびＢは、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＧｄからなる群から選択され、ｘは、約０～約１．０の範囲である）を含む。一部の実施形態において、材料は、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｇｄ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｇｄ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｇｄ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｇｄ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｇｄ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｇｄ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｇｄ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｇｄ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．１Ｇｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．３Ｇｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．４Ｇｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．６Ｇｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．７Ｇｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．８Ｇｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．９Ｇｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１である。
一部の実施形態において、磁気熱量材料は、（ＡｘＢ１－ｘ）Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５（式中、ＡおよびＢは、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＧｄからなる群から選択され、ｘは、約０～約１．０の範囲である）を含む。一部の実施形態において、材料は、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｇｄ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｇｄ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｇｄ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｇｄ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｇｄ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｇｄ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｇｄ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｇｄ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．１Ｇｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．３Ｇｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．４Ｇｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．６Ｇｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．７Ｇｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．８Ｇｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．９Ｇｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５である。
一部の実施形態において、磁気熱量材料は、（ＡｘＢ１－ｘ）Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５（式中、ＡおよびＢは、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＧｄからなる群から選択され、ｘは、約０～約１．０の範囲である）を含む。一部の実施形態において、材料は、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｇｄ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｇｄ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｇｄ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｇｄ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｇｄ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｇｄ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｇｄ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｇｄ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．１Ｇｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．３Ｇｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．４Ｇｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．６Ｇｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．７Ｇｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．８Ｇｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．９Ｇｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５である。
一部の実施形態において、磁気熱量材料は、（ＡｘＢ１－ｘ）Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｅ０．１（式中、ＡおよびＢは、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＧｄからなる群から選択され、Ｅは、Ｆｅ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、またはＺｎからなる群から選択され、ｘは、約０～約１．０の範囲である）を含む。一部の実施形態において、材料は、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｇｄ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｇｄ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｇｄ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｇｄ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｇｄ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｇｄ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｇｄ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ｆｅ０．１、Ｇｄ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．１Ｇｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．３Ｇｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．４Ｇｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．６Ｇｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．７Ｇｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．８Ｇｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ０．９Ｇｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｇｄ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｇｄ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｇｄ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｇｄ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｇｄ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｇｄ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｇｄ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ａｌ０．１、Ｇｄ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．１Ｇｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．３Ｇｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．４Ｇｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．６Ｇｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．７Ｇｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．８Ｇｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ａｌ０．１、Ｃｅ０．９Ｇｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ａｌｅ０．１、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｇｄ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｇｄ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｇｄ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｇｄ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｇｄ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｇｄ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｇｄ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ｎｉ０．１、Ｇｄ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．１Ｇｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．３Ｇｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．４Ｇｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．６Ｇｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．７Ｇｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．８Ｇｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．９Ｇｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉｅ０．１、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１
Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｇｄ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｇｄ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｇｄ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｇｄ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｇｄ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｇｄ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｇｄ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ｃｏ０．１、Ｇｄ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．１Ｇｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．３Ｇｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．４Ｇｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．６Ｇｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．７Ｇｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．８Ｇｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．９Ｇｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｇｄ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｇｄ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｇｄ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｇｄ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｇｄ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｇｄ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｇｄ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ｃｕ０．１、Ｇｄ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．１Ｇｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．３Ｇｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．４Ｇｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．６Ｇｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．７Ｇｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．８Ｇｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ０．９Ｇｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｕ０．１、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｇｄ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｇｄ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｇｄ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｇｄ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｇｄ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｇｄ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｇｄ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ｚｎ０．１、Ｇｄ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．１Ｇｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．３Ｇｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．４Ｇｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．６Ｇｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．７Ｇｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．８Ｇｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｅ０．１Ｚｎ０．１、Ｃｅ０．９Ｇｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｚｎ０．１である。
一部の実施形態において、磁気熱量材料は、ＣｅＳｉｙＡｌ１－ｙ（式中、ｙは、０より大きく、１未満である）を含み得る。一部の実施形態において、材料は、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．９Ａｌ０．１、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ａｌ０．８、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．７Ａｌ０．３、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．６Ａｌ０．４、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．５Ａｌ０．５、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．４Ａｌ０．６、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．３Ａｌ０．７、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．２Ａｌ０．８、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．１Ａｌ０．９、またはそれらの任意の組合せである。
別の実施形態は、磁気熱量材料を含む磁気冷凍機である。一部の実施形態において、磁気冷凍機は、磁気熱量材料を含み、磁気熱量材料は、（ＡｘＢ１－ｘ）Ｓｉ１－ｙ－ｚ（ＤｙＥｚ）（式中、ＡおよびＢは、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＧｄからなる群から選択され、Ｄは、ＣｒまたはＭｎからなる群から選択され、Ｅは、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、またはＺｎからなる群から選択され、ｘは、約０～約１．０の範囲であり、ｙは、約０．０５～約０．３の範囲であり、ｚは、約０～約０．３の範囲であり、０．０５≦ｙ＋ｚ≦０．３である）を含む。一部の実施形態において、磁気冷凍機は、磁気熱量材料を含み、磁気熱量材料は、ＣｅＳｉｙＡｌ１－ｙ（式中、ｙは、０より大きく、１未満である）を含む。
別の実施形態は、ヒートポンプを製造する方法であって、ヒートポンプの少なくとも一部を、磁気熱量材料から製作することを含む、方法である。一部の実施形態において、ヒートポンプを製造する方法は、ヒートポンプの少なくとも一部を、磁気熱量材料から製作することを含み、磁気熱量材料は、（ＡｘＢ１－ｘ）Ｓｉ１－ｙ－ｚ（ＤｙＥｚ）（式中、ＡおよびＢは、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＧｄからなる群から選択され、Ｄは、ＣｒまたはＭｎからなる群から選択され、Ｅは、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、またはＺｎからなる群から選択され、ｘは、約０～約１．０の範囲であり、ｙは、約０．０５～約０．３の範囲であり、ｚは、約０～約０．３の範囲であり、０．０５≦ｙ＋ｚ≦０．３である）を含む。一部の実施形態において、ヒートポンプを製造する方法は、ヒートポンプの少なくとも一部を、磁気熱量材料から製作することを含み、磁気熱量材料は、ＣｅＳｉｙＡｌ１－ｙ（式中、ｙは、０より大きく、１未満である）を含む。
磁気熱量材料の応答温度（キュリー温度または転移温度）は、材料の組成の小さな変化で調節され得る。一部の実施形態において、磁気熱量材料の応答温度は、材料の組成を変化させることによって調節される。一部の実施形態において、磁気熱量材料は、約１°Ｋ～約３５０°Ｋの範囲の任意の温度で、磁気熱量効果を示す。一部の実施形態において、磁気熱量材料は、約１０°Ｋ～約５０°Ｋの範囲の任意の温度で、磁気熱量効果を示す。一部の実施形態において、磁気熱量材料は、約５０°Ｋ～約１０００°Ｋの範囲の任意の温度で、磁気熱量効果を示す。一部の実施形態において、磁気熱量材料は、約１００°Ｋ～約３５０°Ｋの範囲の任意の温度で、磁気熱量効果を示す。一部の実施形態において、磁気熱量材料は、約５０°Ｋ～約２００°Ｋの範囲の任意の温度で、磁気熱量効果を示す。一部の実施形態において、磁気熱量ナノ材料は、約１０°Ｋ～約８０°Ｋの範囲の任意の温度で、磁気熱量効果を示す。
磁気熱量材料は、アーク溶解、誘導溶解、または任意の他のタイプの金属溶解プロセス等の様々な方法を使用して合成することができる。一部の実施形態において、磁気熱量材料は、アーク溶融炉を使用して合成される。一部の実施形態において、磁気熱量材料は、誘導溶融炉を使用して合成される。一部の実施形態において、磁気熱量材料は、回転ディスク式噴霧炉（rotating disk atomization furnace）を使用して合成される。一部の実施形態において、磁気熱量材料は、レビテーション溶融炉を使用して合成される。
磁気熱量合金の合成後、アニールプロセスを使用して、材料を均質化し得る。場合によっては、アニールは、磁気熱量特性（ΔＳまたはキュリー温度）を改善し、および／または磁気熱量特性（ΔＳまたはキュリー温度）をシフトさせる。アニールは、輻射炉、誘導炉、チューブ炉等を含む様々な炉のタイプで実施され得る。最適なアニール温度および時間は、磁気熱量材料組成に応じて多様であり得る。一部の実施形態において、アニール温度は、約７００℃～約２０００℃の間である。一部の実施形態において、アニール温度は、約３０分～約６週間の間である。
本発明の態様および関連技術を上回って達成される利点を要約するために、本発明のある特定の目的および利点が、本開示において記載されている。当然のことながら、かかる全ての目的または利点が、必ずしも本発明の任意の特定の実施形態に従って達成され得るとは限らないことは理解されよう。したがって、例えば、本発明は、本明細書中に教示または示唆され得るような他の目的または利点を必ずしも達成することなく、本明細書中に教示するような１つの利点もしくは一群の利点を達成または最適化する方法で、具体化または実行できることは、当業者に認識されよう。
本発明のさらなる態様、特徴および利点は、下記の詳細な例示的実施形態から明らかになる。
実施形態を、本発明を限定すること意図しない好ましい実施形態に関して説明する。さらに、条件および／または構造が特定されていない本開示において、当業者は、本明細書中の教示を鑑みて、日常実験のために、かかる条件および／または構造を容易に提供することができる。
本開示の目的は、磁気冷凍用途に有用な磁気熱量材料を提供することである。
[実施例１]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．９Ｍｎ０．１インゴットを調製した。インゴットは、鋳放しで測定した。１２５°Ｋ付近で起きる二次相転移を伴うＮｄ１．０Ｓｉ０．９Ｍｎ０．１合金に関して、図１は、ΔＳ対温度のプロットを示し、図２は、磁化対温度のプロットを示す。
[実施例２]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｎｄ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．９Ｍｎ０．１インゴットを調製した。インゴットは、鋳放しで測定した。２２５°Ｋ付近で起きる二次相転移を伴うＮｄ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．９Ｍｎ０．１合金に関して、図２は、磁化対温度のプロットを示す。
[実施例３]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．９Ｍｎ０．１インゴットを調製した。インゴットは、鋳放しで測定した。１２５°Ｋ付近で起きる二次相転移を伴うＧｄ１．０Ｓｉ０．９Ｍｎ０．１合金に関して、図２は、磁化対温度のプロットを示す。
[実施例４]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．９Ｍｎ０．１インゴットを調製した。インゴットは、鋳放しで測定した。７°Ｋ付近で起きる二次相転移を伴うＣｅ１．０Ｓｉ０．９Ｍｎ０．１合金に関して、図３は、磁化対温度のプロットを示す。
[実施例５]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｎｄ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．９Ｃｒ０．２インゴットを調製した。インゴットは、鋳放しで測定した。２３５°Ｋ付近で起きる二次相転移を伴うＮｄ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．９Ｃｒ０．２合金に関して、図４は、ΔＳ対温度のプロットを示す。
[実施例６]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｎｄ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．７Ｍｎ０．１Ｃｒ０．２インゴットを調製した。インゴットは、鋳放しで測定した。２３５°Ｋ付近で起きる二次相転移を伴うＮｄ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．７Ｍｎ０．１Ｃｒ０．２合金に関して、図４は、ΔＳ対温度のプロットを示す。
[実施例７]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｎｄ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．７Ｍｎ０．２Ｃｒ０．１インゴットを調製した。インゴットは、鋳放しで測定した。２３５°Ｋ付近で起きる二次相転移を伴うＮｄ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．７Ｍｎ０．２Ｃｒ０．１合金に関して、図４は、ΔＳ対温度のプロットを示す。
[実施例８]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｎｄ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１インゴットを調製した。インゴットは、鋳放しで測定した。２３５°Ｋ付近で起きる二次相転移を伴うＮｄ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１合金に関して、図４は、ΔＳ対温度のプロットを示す。このデータは、最適なドーピング濃度ｙ＋ｚ＝２（式中、ｙおよびＺの両方は、０より大きい）を示す。
[実施例９]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｎｄ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２インゴットを調製した。インゴットは、鋳放しで測定した。２９３°Ｋ付近で起きる二次相転移を伴うＮｄ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２合金に関して、図４は、ΔＳ対温度のプロットを示す。
[実施例１０]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．９Ｃｒ０．１インゴットを調製した。インゴットは、鋳放しで測定した。７５°Ｋ付近で起きる二次相転移を伴うＮｄ１．０Ｓｉ０．９Ｃｒ０．１合金に関して、図５は、磁化対温度のプロットを示す。
[実施例１１]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２インゴットを調製した。インゴットは、鋳放しで測定した。７５°Ｋ付近で起きる二次相転移を伴うＮｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２合金に関して、図６は、ΔＳ対温度のプロットを示し、図５は、磁化対温度を示す。
[実施例１２]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．９Ｍｎ０．１インゴットを調製した。インゴットは、鋳放しで測定した。７５°Ｋ付近で起きる二次相転移を伴うＮｄ１．０Ｓｉ０．９Ｍｎ０．１合金に関して、図７は、磁化対温度のプロットを示す。
[実施例１３]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２インゴットを調製した。インゴットは、鋳放しで測定した。７５°Ｋ付近で起きる二次相転移を伴うＮｄ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２合金に関して、図８は、ΔＳ対温度のプロットを示し、図７は、磁化対温度を示す。
[実施例１４]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．９５Ｍｎ０．０５インゴットを調製した。インゴットは、鋳放しで測定した。３２５°Ｋ付近で起きる二次相転移を伴うＧｄ１．０Ｓｉ０．９５Ｍｎ０．０５合金に関して、図９は、磁化対温度のプロットを示す。
す。
[実施例１５]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．９Ｍｎ０．１インゴットを調製した。インゴットは、鋳放しで測定した。３２５°Ｋ付近で起きる二次相転移を伴うＧｄ１．０Ｓｉ０．９Ｍｎ０．１合金に関して、図９は、磁化対温度のプロットを示す。
す。
[実施例１６]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２インゴットを調製した。インゴットは、鋳放しで測定した。３２５°Ｋ付近で起きる二次相転移を伴うＧｄ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２合金に関して、図１０は、ΔＳ対温度のプロットを示し、図９は、磁化対温度を示す。
[実施例１７]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．７Ｍｎ０．３インゴットを調製した。インゴットは、鋳放しで測定した。３２５°Ｋ付近で起きる二次相転移を伴うＧｄ１．０Ｓｉ０．７Ｍｎ０．３合金に関して、図９は、磁化対温度のプロットを示す。
[実施例１８]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．９Ｃｒ０．１インゴットを調製した。インゴットは、鋳放しで測定した。３２５°Ｋ付近で起きる二次相転移を伴うＧｄ１．０Ｓｉ０．９Ｃｒ０．１合金に関して、図１１は、磁化対温度のプロットを示す。
[実施例１９]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２インゴットを調製した。インゴットは、鋳放しで測定した。３２５°Ｋ付近で起きる二次相転移を伴うＧｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２合金に関して、図１２は、ΔＳ対温度のプロットを示し、図１１は、磁化対温度のプロットを示す。
[実施例２０]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．７Ｃｒ０．３インゴットを調製した。インゴットは、鋳放しで測定した。３２５°Ｋ付近で起きる二次相転移を伴うＧｄ１．０Ｓｉ０．７Ｃｒ０．３合金に関して、図１１は、磁化対温度のプロットを示す。
[実施例２１]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．９Ａｌ０．１インゴットを調製した。インゴットは、鋳放しで測定した。７°Ｋ付近で起きる二次相転移を有するＣｅ１．０Ｓｉ０．９Ａｌ０．１合金に関して、図１３は、磁化対温度のプロットを示す。
[実施例２２]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１インゴットを調製した。インゴットを、誘導炉中で、流動アルゴン下で１３００℃にて１時間、アニールした。１６０°Ｋ付近で起きる相転移を伴うＧｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１合金に関して、図１４は、３Ｔフィールド下でのΔＳ対温度のプロットを示す。
[実施例２３]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１インゴットを調製した。インゴットを、誘導炉中で、流動アルゴン下で１３００℃にて６時間、アニールした。１６０°Ｋおよび２４０°Ｋ付近で起きる二重相転移を伴うＧｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１合金に関して、図１４は、３Ｔフィールド下でのΔＳ対温度のプロットを示す。
[実施例２４]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５インゴットを調製した。インゴットを、誘導炉中で、流動アルゴン下で１３００℃にて６時間、アニールした。２３０°Ｋ付近で起きる相転移を伴うＧｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５合金に関して、図１４は、３Ｔフィールド下でのΔＳ対温度のプロットを示す。
[実施例２５]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２インゴットを調製した。インゴットを、誘導炉中で、流動アルゴン下で１３００℃にて６時間、アニールした。２４５°Ｋ付近で起きる相転移を伴うＧｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２合金に関して、図１４は、３Ｔフィールド下でのΔＳ対温度のプロットを示す。
[実施例２６]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２インゴットを調製した。インゴットを、誘導炉中で、流動アルゴン下で１４００℃にて２時間、アニールした。３３０°Ｋ付近で起きる相転移を伴うＧｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２合金に関して、図１５は、ΔＳ対温度のプロットを示す。
[実施例２６]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１インゴットを調製した。インゴットを、誘導炉中で、流動アルゴン下で１３００℃にて６時間、アニールした。１６０°Ｋ付近で起きる相転移を伴うＧｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１合金に関して、図１６は、ΔＳ対温度のプロットを示す。
[実施例２７]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１インゴットを調製した。インゴットを、誘導炉中で、流動アルゴン下で１３００℃にて６時間、アニールした。１６０°Ｋ付近で起きる相転移を伴うＧｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１合金に関して、図１７は、ΔＳ対温度のプロットを示す。
[実施例２８]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｇｄ０．５Ｃｅ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２インゴットを調製した。インゴットを、誘導炉中で、流動アルゴン下で１２００℃にて１２時間、アニールした。１２５°Ｋ付近で起きる相転移を伴うＧｄ０．５Ｃｅ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２合金に関して、図１８は、ΔＳ対温度のプロットを示す。
[実施例２９]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１インゴットを調製した。インゴットを、誘導炉中で、流動アルゴン下で１２００℃にて１２時間、アニールした。７０°Ｋ付近で起きる相転移を伴うＮｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１合金に関して、図１９は、ΔＳ対温度のプロットを示す。
[実施例３０]
アルゴン雰囲気中でのアーク溶解によって、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２インゴットを調製した。インゴットを、アルゴン下で石英管中に密封して、放射炉中で、１１００℃にて４週間、アニールした。３４０°Ｋ付近で起きる相転移を伴うＧｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２合金に関して、図２０は、ΔＳ対温度のプロットを示す。
[実施例３１]
開示される磁気熱量材料を含む例となる磁気冷凍機は、下記工程１）磁気熱量材料を、薄板またはミリメートルサイズの球へ調製する工程、２）磁気熱量材料を、磁場に配置させる工程であって、磁場の印加により材料を熱くさせる、工程、３）伝熱流体を使用して、熱を磁気熱量材料から除去する工程、４）次に、磁場を除去して、磁気熱量材料を冷却させる工程、５）続いて、冷えた磁気熱量材料を、所望の冷凍環境に曝露させる工程であって、冷凍環境からの熱が、磁気材料に移される、工程、６）続いて、工程１～工程５を繰り返して、冷凍環境内で所望の低温を維持する冷凍サイクルを創り出す工程によって作製される。
[実施例３２]
開示される磁気熱量材料を含む例となる磁気冷凍機を、伝熱流体を工程５で使用して冷えた磁気熱量材料を所望の冷凍環境に曝露しかつ冷凍環境からの熱を伝熱流体に移す以外は実施例１３と同様にして、下記の類似した工程によって作製する。
[実施例３３]
ヒートポンプの少なくとも一部を磁気熱量材料から製作することを含む例となるヒートポンプを、開示される本発明の少なくとも１つの磁気熱量材料、少なくとも１つの永久磁石、および少なくとも１つの機械的移動システムを組み込むことによって作製する。ここで、少なくとも１つの振動周期が機械的移動システムによって実施されると、永久磁石によって発生する磁場により、磁気熱量材料の磁気熱量効果が可能となり、磁気熱量材料が、磁場へまたは磁場から移動されると、磁気熱量材料の温度の変化が起こり、機械的移動システムは、永久磁石、磁気熱量材料、磁石遮蔽材料、またはそれらの任意の組合せを物理的に移動させることによって、少なくとも１つの振動周期を実施し、少なくとも１つの振動周期は、既定の磁場増加速度で、磁場を磁気熱量材料に曝露させることと、磁場を、磁気熱量材料付近に、または磁気熱量材料に接触して、指定の接触保持時間、保持することと、磁場を磁気熱量材料から、既定の減少速度で除去することと、磁場を指定の除去保持時間、磁気熱量材料から離れて保持することとを含み、少なくとも１つの振動周期は、ヒートポンプデバイスの片側での冷却を提供するように最適化される。
本発明の態様および関連技術を上回って達成される利点を要約するために、本発明のある特定の目的および利点が、本開示において記載されている。当然のことながら、かかる全ての目的または利点が、必ずしも本発明の任意の特定の実施形態に従って達成され得るとは限らないことは理解されよう。したがって、例えば、本発明は、本明細書中に教示または示唆され得るような他の目的または利点を必ずしも達成することなく、本明細書中に教示するような１つの利点もしくは一群の利点を達成または最適化する方法で、具体化または実行できることは、当業者に認識されよう。本発明の趣旨を逸脱することなく、多数の様々な変更がなされ得ることは、当業者に理解されよう。したがって、本発明の形態は、単に説明的であり、本発明の範囲を限定するとは意図されないことが、明らかに理解されるべきである。

Claims (16)

  1. （ＡＸＢ１－ｘ）Ｓｉ１－ｙ－ｚ（ＤｙＥｚ）
    （式中、
    ＡおよびＢは、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＧｄからなる群から選択され、
    Ｄは、ＣｒまたはＭｎからなる群から選択され、
    Ｅは、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、およびＣｏからなる群から選択され、
    ｘは、０～１．０の範囲であり、
    ｙは、０．０５～０．３の範囲であり、
    ｚは、０～０．２５の範囲であり、０．０５≦ｙ＋ｚ≦０．３である）
    を含む磁気熱量材料。
  2. ｙ＋ｚ＝０．２である、請求項１に記載の磁気熱量材料。
  3. （ＡｘＢ１－ｘ）Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２
    （式中、
    ＡおよびＢは、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＧｄからなる群から選択され、
    ｘは、０～１．０の範囲である）
    を含む、請求項２に記載の磁気熱量材料。
  4. Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｇｄ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｇｄ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｇｄ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｇｄ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｇｄ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｇｄ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｇｄ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｇｄ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．１Ｇｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．３Ｇｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．４Ｇｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．６Ｇｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．７Ｇｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．８Ｇｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２、Ｃｅ０．９Ｇｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．２である、請求項３に記載の磁気熱量材料。
  5. （ＡｘＢ１－ｘ）Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２
    （式中、
    ＡおよびＢは、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＧｄからなる群から選択され、
    ｘは、０～１．０の範囲である）
    を含む、請求項２に記載の磁気熱量材料。
  6. Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｇｄ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｇｄ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｇｄ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｇｄ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｇｄ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｇｄ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｇｄ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｇｄ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．１Ｇｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．３Ｇｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．４Ｇｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．６Ｇｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．７Ｇｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．８Ｇｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２、Ｃｅ０．９Ｇｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．２である、請求項５に記載の磁気熱量材料。
  7. （ＡｘＢ１－ｘ）Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１
    （式中、
    ＡおよびＢは、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＧｄからなる群から選択され、
    ｘは、０～１．０の範囲である）
    を含む、請求項２に記載の磁気熱量材料。
  8. Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｇｄ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｇｄ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｇｄ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｇｄ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｇｄ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｇｄ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｇｄ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｇｄ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．１Ｇｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．３Ｇｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．４Ｇｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．６Ｇｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．７Ｇｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．８Ｇｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１、Ｃｅ０．９Ｇｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１Ｃｒ０．１である、請求項７に記載の磁気熱量材料。
  9. （ＡｘＢ１－ｘ）Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５
    （式中、
    ＡおよびＢは、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＧｄからなる群から選択され、
    ｘは、０～１．０の範囲である）
    を含む、請求項２に記載の磁気熱量材料。
  10. Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｇｄ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｇｄ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｇｄ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｇｄ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｇｄ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｇｄ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｇｄ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｇｄ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．１Ｇｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．３Ｇｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．４Ｇｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．６Ｇｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．７Ｇｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．８Ｇｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５、Ｃｅ０．９Ｇｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．０５Ｃｒ０．１５である、請求項９に記載の磁気熱量材料。
  11. （ＡｘＢ１－ｘ）Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５
    （式中、
    ＡおよびＢは、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＧｄからなる群から選択され、
    ｘは、０～１．０の範囲である）
    を含む、請求項２に記載の磁気熱量材料。
  12. Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｇｄ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｇｄ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｇｄ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｇｄ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｇｄ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｇｄ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｇｄ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｇｄ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．１Ｇｄ０．９Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．３Ｇｄ０．７Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．４Ｇｄ０．６Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．６Ｇｄ０．４Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．７Ｇｄ０．３Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．８Ｇｄ０．２Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５、Ｃｅ０．９Ｇｄ０．１Ｓｉ０．８Ｍｎ０．１５Ｃｒ０．０５である、請求項１１に記載の磁気熱量材料。
  13. （ＡｘＢ１－ｘ）Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｅ０．１
    （式中、
    ＡおよびＢは、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＧｄからなる群から選択され、
    Ｅは、ＮｉおよびＣｏからなる群から選択され、
    ｘは、０～１．０の範囲である）
    を含む、請求項２に記載の磁気熱量材料。
  14. Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｇｄ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｇｄ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｇｄ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｇｄ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｇｄ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｇｄ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｇｄ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｇｄ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．１Ｇｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．３Ｇｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．４Ｇｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．６Ｇｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．７Ｇｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．８Ｇｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ０．９Ｇｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｎｉ０．１、Ｃｅ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｎｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｇｄ１．０Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｇｄ０．１Ｎｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｇｄ０．２Ｎｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｇｄ０．３Ｎｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｇｄ０．４Ｎｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｇｄ０．５Ｎｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｇｄ０．６Ｎｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｇｄ０．７Ｎｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｇｄ０．８Ｎｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｇｄ０．９Ｎｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．１Ｇｄ０．９Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．２Ｇｄ０．８Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．３Ｇｄ０．７Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．４Ｇｄ０．６Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．５Ｇｄ０．５Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．６Ｇｄ０．４Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．７Ｇｄ０．３Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．８Ｇｄ０．２Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１、Ｃｅ０．９Ｇｄ０．１Ｓｉ０．８Ｃｒ０．１Ｃｏ０．１である、請求項１３に記載の磁気熱量材料。
  15. 請求項１から１４のいずれかに記載の磁気熱量材料を含む、磁気冷凍機。
  16. ヒートポンプを製造する方法であって、前記ヒートポンプの少なくとも一部を、請求項１から１４のいずれかに記載の磁気熱量材料から製作することを含む、方法。
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