JP7227135B2 - 半導体構造エッチング用ヨウ素含有化合物 - Google Patents

半導体構造エッチング用ヨウ素含有化合物 Download PDF

Info

Publication number
JP7227135B2
JP7227135B2 JP2019536103A JP2019536103A JP7227135B2 JP 7227135 B2 JP7227135 B2 JP 7227135B2 JP 2019536103 A JP2019536103 A JP 2019536103A JP 2019536103 A JP2019536103 A JP 2019536103A JP 7227135 B2 JP7227135 B2 JP 7227135B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
iodine
etching
silicon
layer
compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019536103A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020515047A5 (ja
JP2020515047A (ja
Inventor
ヴィジャイ・シュル
ラーフル・グプタ
フイ・サン
ヴェンカテスワラ・アール・パレム
ネイサン・スタッフォード
ファブリジオ・マルケジアーニ
ヴィンセント・エム・オマージー
ジェームズ・ロイヤー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude
Original Assignee
LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude filed Critical LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude
Publication of JP2020515047A publication Critical patent/JP2020515047A/ja
Publication of JP2020515047A5 publication Critical patent/JP2020515047A5/ja
Priority to JP2023018581A priority Critical patent/JP7470834B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7227135B2 publication Critical patent/JP7227135B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H01L21/3083—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/3085—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by their behaviour during the process, e.g. soluble masks, redeposited masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
    • H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
    • H01L21/32137—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas of silicon-containing layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
    • H10B41/20—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
    • H10B43/20—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
    • H10B43/20—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
    • H10B43/23—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels
    • H10B43/27—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Description

関連出願への相互参照
本出願は、全ての目的に関して、参照によって全体として本明細書に組み込まれる、２０１６年１２月３０日出願の米国特許出願第１５／３９６，２２０号の利益を主張する。
ケイ素含有膜のエッチング方法が開示される。この方法は、基材上にケイ素含有膜を含有する反応チャンバー中にヨウ素含有エッチング化合物の蒸気を導入するステップを含む。ヨウ素含有エッチング化合物は、式ＣａＨｘＦｙＩｚ（式中、ａ＝１～３であり、ｘ＝０～６であり、ｙ＝１～７であり、ｚ＝１～２であり、ａ＝１である場合、ｘ＋ｙ＋ｚ＝４であり、ａ＝２である場合、ｘ＋ｙ＋ｚ＝４または６であり、ａ＝３である場合、ｘ＋ｙ＋ｚ＝６または８である）を有する。好ましくは、ヨウ素含有エッチング化合物は、ＣＦ２Ｉ２、Ｃ２Ｆ３Ｉ、Ｃ２Ｈ２ＦＩ、Ｃ２Ｈ３Ｆ２Ｉ、Ｃ２Ｈ４ＦＩ、Ｃ２Ｆ４Ｉ２、Ｃ３Ｆ５Ｉ、Ｃ３ＨＦ４Ｉ、Ｃ３Ｈ２Ｆ３Ｉ、Ｃ３ＨＦ６Ｉ、Ｃ３Ｈ２Ｆ５Ｉ、Ｃ３Ｈ３Ｆ４Ｉ、Ｃ３Ｈ４Ｆ３Ｉ、Ｃ３ＨＦ４Ｉ、Ｃ３Ｈ２Ｆ３Ｉ、Ｃ３Ｈ２Ｆ５Ｉ、Ｃ３Ｈ３Ｆ４ＩおよびＣ３Ｈ４Ｆ３Ｉ、またはそれらの組合せである。不活性ガスが反応チャンバー中に導入される。プラズマが活性化され、基材からケイ素含有膜をエッチングすることが可能である活性化ヨウ素含有エッチング化合物が生成する。
半導体産業でのメモリ応用において、プラズマエッチングによって、酸化ケイ素または窒化ケイ素層などのケイ素含有膜を半導体基材から除去する。ＤＲＡＭおよび２Ｄ ＮＡＮＤは、模範的なメモリ応用である。３ＤＮＡＮＤに関して、複数のＳｉＯ／ＳｉＮまたはＳｉＯ／ポリケイ素（ｐ－Ｓｉ）層のスタックのエッチングは重要である。例えば、Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．への米国特許出願公開第２０１１／０１８０９４１号明細書を参照のこと。マスクとエッチングされる層との間の高い選択性を有するエッチング剤が不可欠である。さらに、エッチングされた構造は、歪曲を有さないストレートな垂直プロフィールおよび低いラインエッジ粗さ（ＬＥＲ）を有するべきである。
従来のエッチングガスとしては、オクタフルオロシクロブタン（ｃＣ４Ｆ８）、ヘキサフルオロ－１，３－ブタジエン（Ｃ４Ｆ６）、ＣＦ４、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆおよび／またはＣＨＦ３が含まれる。Ｃ：Ｆの比率が増加すると（すなわち、Ｃ４Ｆ６＞Ｃ４Ｆ８＞ＣＦ４）、選択性およびポリマー堆積速度が増加することは周知である。例えば、Ｈｕｎｇらへの米国特許第６，３８７，２８７号明細書を参照のこと。加えて、Ａｒ、ＫｒまたはＸｅなどの不活性ガスなどの他のガスをプラズマに添加し、そこでそれらのガスはイオン化され、そしてウエハ表面へと加速し、表面に衝撃を与え、そしてエッチングプロセスを補助する。それらが不活性ガスであるため、それらはエッチングプロセスの化学反応に直接関与しない。
しかしながら、従来のエッチングの化学的性質は、少なくとも、プラズマエッチングプロセスの間の側壁上の不十分なエッチング抵抗ポリマー堆積のため、新規用途（例えば、３ＤＮＡＮＤ）で必要とされる２０：１より高いアスペクト比を有するホールまたはトレンチなどのフィーチャーを提供することが不可能であり得る。側壁－ＣｘＦｙ－ポリマー（式中、ｘは０．０１～１の範囲であり、かつｙは０．０１～４の範囲である）は、エッチングに影響され得る。結果として、エッチングされたパターンは垂直ではあり得ず、かつエッチング構造は歪曲、寸法の変化、パターン崩壊および／または増加した粗さを示し得る。
歪曲は、しばしば非晶質炭素（ａ－Ｃ）材料であり得るマスク層の側壁エッチングに起因し得る。ａ－Ｃ材料は、マスクの開口の増加を引き起こし得、そして歪曲様または角度のある／湾曲したエッチング構造をもたらす、プラズマ中の酸素ラジカルによってエッチングされ得る。
エッチングガスとしてヨウ素含有化合物が使用されている。例えば、Ｃｈｕｎｇ（米国特許第９，４６０，９３５号明細書）は、中でも、１，１，２，２－テトラフルオロ－１－ヨード－エタンを使用して発生したプラズマ下で第１および第２のエッチング層をエッチングすることを開示する。また、Ｋａｒｅｃｋｉら、Ｐｌａｓｍａ ｅｔｃｈｉｎｇ ｏｆ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｉｌｍｓ ｗｉｔｈ ｎｏｖｅｌ ｉｏｄｏｆｌｕｏｒｏｃａｒｂｏｎ ｃｈｅｍｉｓｔｒｉｅｓ：ｉｏｄｏｔｒｉｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ ａｎｄ １－ｉｏｄｏｈｅｐｔａｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐａｎｅ，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ａ １６，７５５（１９９８）；Ｕｌｖａｃへの特開２００６／１０８４８４号公報；ＵｌｖａｃへのＴＷＩ３４３６０１号明細書も参照のこと。
歪曲を最小化すること、および本用途（例えば、コンタクトエッチングまたは３Ｄ ＮＡＮＤ）のために必要な高アスペクト比（すなわち、最高２００：１）を達成することは重要である。さらに、エッチングは、フォトレジストマスクへの選択性に限定されない。ａ－Ｃ、ＳｉＮ、ｐ－Ｓｉ、ＳｉＣまたは他の形態のＳｉａＣｂＯｃＨｄＮｅ材料（式中、ａ＞０；ｂ、ｃ、ｄおよびｅ≧０）などの他の材料の間で高い選択性を得ることは等しく重要である。
したがって、広範囲のプロセス条件に対して選択性および高いアスペクト比を維持する、プラズマエッチング用途における使用のために適切なエッチングガス組成物が必要とされている。
ケイ素含有膜をプラズマエッチングするための方法が開示される。この方法は、基材の上にケイ素含有膜を含有する反応チャンバー中に、式ＣａＨｘＦｙＩｚ（式中、ａ＝１～３であり、ｘ＝０～６であり、ｙ＝１～７であり、ｚ＝１～２であり、ａ＝１である場合、ｘ＋ｙ＋ｚ＝４であり、ａ＝２である場合、ｘ＋ｙ＋ｚ＝４または６であり、ａ＝３である場合、ｘ＋ｙ＋ｚ＝６または８である）を有するヨウ素含有エッチング化合物の蒸気を導入するステップと；反応チャンバー中に不活性ガスを導入するステップと；プラズマを活性化して、基材からケイ素含有膜をエッチングすることが可能である活性化ヨウ素含有エッチング化合物を生成するステップとを含む。開示された方法は、次の態様の１つまたはそれ以上を含み得る。
・ヨウ素含有エッチング化合物は、式ＣＨｘＦｙＩｚ（式中、ｘは０～２であり、ｙは１～３であり、ｚは１～２であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝４である）を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、ＣＦ３Ｉである；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、ＣＦ２Ｉ２である；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、式ＣＨｘＦｙＩｚ（式中、ｘは１～２であり、ｙは１～２であり、ｚは１～２であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝４である）を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、ＣＨＦ２Ｉである；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、ＣＨ２ＦＩである；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、ＣＨＦＩ２である；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、式Ｃ２ＨｘＦｙＩｚ（式中、ｘは０～２であり、ｙは１～３であり、ｚは１～２であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝４である）を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２Ｆ３Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000001
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、式Ｃ２ＨｘＦｙＩｚ（式中、ｘは１～２であり、ｙは１～２であり、ｚは１～２であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝４である）を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２ＨＦ２Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000002
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２ＨＦ２Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000003
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２Ｈ２ＦＩであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000004
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２Ｈ２ＦＩであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000005
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、式Ｃ２ＨｘＦｙＩｚ（式中、ｘは０～４であり、ｙは１～５であり、ｚは１～２であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝６である）を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２Ｈ５Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000006
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、式Ｃ２ＨｘＦｙＩｚ（式中、ｘは１～４であり、ｙは１～４であり、ｚは１～２であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝６である）を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２ＨＦ４Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000007
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２ＨＦ４Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000008
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２Ｈ２Ｆ３Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000009
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２Ｈ２Ｆ３Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000010
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２Ｈ２Ｆ３Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000011
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２Ｈ３Ｆ２Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000012
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２Ｈ３Ｆ２Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000013
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２Ｈ４ＦＩであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000014
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２Ｈ４ＦＩであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000015
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２Ｆ４Ｉ２であり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000016
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２Ｆ４Ｉ２であり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000017
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、式Ｃ３ＨｘＦｙＩｚ（式中、ｘは０～４であり、ｙは１～５であり、ｚは１～２であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝６である）を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｆ５Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000018
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、式Ｃ３ＨｘＦｙＩｚ（式中、ｘは１～４であり、ｙは１～４であり、ｚは１～２であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝６である）を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３ＨＦ４Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000019
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３ＨＦ４Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000020
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３ＨＦ４Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000021
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ２Ｆ３Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000022
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ２Ｆ３Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000023
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ２Ｆ３Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000024
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ２Ｆ３Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000025
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、式Ｃ３ＨｘＦｙＩｚ（式中、ｘは０～６であり、ｙは１～７であり、ｚは１～２であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝８である）を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｆ７Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000026
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｆ７Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000027
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、式Ｃ３ＨｘＦｙＩｚ（式中、ｘは１～６であり、ｙは１～６であり、ｚは１～２であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝８である）を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３ＨＦ６Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000028
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３ＨＦ６Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000029
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ２Ｆ５Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000030
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ２Ｆ５Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000031
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ２Ｆ５Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000032
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ２Ｆ５Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000033
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ２Ｆ５Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000034
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ３Ｆ４Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000035
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ３Ｆ４Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000036
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ３Ｆ４Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000037
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ３Ｆ４Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000038
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ３Ｆ４Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000039
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ３Ｆ４Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000040
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ３Ｆ４Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000041
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ３Ｆ４Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000042
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ４Ｆ３Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000043
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ４Ｆ３Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000044
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ４Ｆ３Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000045
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ４Ｆ３Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000046
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ４Ｆ３Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000047
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ４Ｆ３Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000048
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ４Ｆ３Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000049
を有する；
・活性化ヨウ素含有エッチング化合物は、ケイ素含有膜と反応し、揮発性副産物を形成する；
・揮発性副産物は、反応チャンバーから除去される；
・不活性ガスは、Ｈｅ、Ａｒ、Ｘｅ、ＫｒおよびＮｅからなる群から選択される；
・不活性ガスは、Ａｒである；
・反応チャンバーへの導入の前に、ヨウ素含有エッチング化合物の蒸気および不活性ガスを混合して、混合物を生成する；
・不活性ガスとは別々にヨウ素含有エッチング化合物の蒸気を反応チャンバー中に導入する；
・不活性ガスを連続的に反応チャンバー中に導入し、そしてヨウ素含有エッチング化合物の蒸気を断続的に反応チャンバー中に導入する；
・不活性ガスは、反応チャンバー中に導入されるヨウ素含有エッチング化合物の蒸気および不活性ガスの全体積の約０．０１％ｖ／ｖ～約９９．９％ｖ／ｖを構成する；
・不活性ガスは、反応チャンバー中に導入されるヨウ素含有エッチング化合物の蒸気および不活性ガスの全体積の約９０％ｖ／ｖ～約９９％ｖ／ｖを構成する；
・酸化剤を反応チャンバー中に導入する；
・酸化剤を反応チャンバー中に導入しない；
・酸化剤は、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＯ、Ｎ２ＯおよびＮＯ２からなる群から選択される；
・酸化剤は、Ｏ２である；
・反応チャンバーへの導入の前に、ヨウ素含有エッチング化合物の蒸気および酸化剤を混合する；
・酸化剤とは別々にヨウ素含有エッチング化合物の蒸気を反応チャンバー中に導入する；
・酸化剤を連続的に反応チャンバー中に導入し、そしてヨウ素含有エッチング化合物の蒸気を断続的に反応チャンバー中に導入する；
・酸化剤は、反応チャンバー中に導入されるヨウ素含有エッチング化合物の蒸気および酸化剤の全体積の約０．０１％ｖ／ｖ～約９９．９％ｖ／ｖを構成する；
・酸化剤は、反応チャンバー中に導入されるヨウ素含有エッチング化合物の蒸気および酸化剤の全体積の約０．０１％ｖ／ｖ～約１０％ｖ／ｖを構成する；
・ケイ素含有膜は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリケイ素、結晶質ケイ素、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣＨ、ＳｉａＯｂＣｃＮｄＨｅ（式中、ａ＞０；ｂ、ｃ、ｄおよびｅ≧０である）またはそれらの組合せの層を含む；
・ケイ素含有膜は、酸素原子、窒素原子、炭素原子、水素原子またはそれらの組合せを含む；
・ケイ素含有膜は、炭化ケイ素を含む；
・ケイ素含有膜は、ａ－Ｃ層から選択的にエッチングされる；
・ケイ素含有膜は、フォトレジスト層から選択的にエッチングされる；
・ケイ素含有膜は、窒化ケイ素層から選択的にエッチングされる；
・ケイ素含有膜は、ポリケイ素層から選択的にエッチングされる；
・ケイ素含有膜は、結晶質ケイ素層から選択的にエッチングされる；
・ケイ素含有膜は、金属コンタクト層から選択的にエッチングされる；
・ケイ素含有膜は、窒化チタン層から選択的にエッチングされる；
・ケイ素含有膜は、タンタル層から選択的にエッチングされる；
・ケイ素含有膜は、酸化ケイ素層である；
・ａ－Ｃ層から酸化ケイ素層を選択的にエッチングする；
・フォトレジスト層から酸化ケイ素層を選択的にエッチングする；
・ｐ－Ｓｉ層から酸化ケイ素層を選択的にエッチングする；
・結晶質ケイ素層から酸化ケイ素層を選択的にエッチングする；
・金属コンタクト層から酸化ケイ素層を選択的にエッチングする；
・ＳｉＮ層から酸化ケイ素層を選択的にエッチングする；
・ケイ素含有膜は、窒化ケイ素層である；
・ａ－Ｃ層から窒化ケイ素層を選択的にエッチングする；
・パターン化フォトレジスト層から窒化ケイ素層を選択的にエッチングする；
・ｐ－Ｓｉ層から窒化ケイ素層を選択的にエッチングする；
・結晶質ケイ素層から窒化ケイ素層を選択的にエッチングする；
・金属コンタクト層から窒化ケイ素層を選択的にエッチングする；
・酸化ケイ素層から窒化ケイ素層を選択的にエッチングする；
・ケイ素含有膜は、ＳｉＯＮ層である；
・フォトレジスト層からＳｉＯＮ層を選択的にエッチングする；
・ケイ素含有膜は、ＳｉＣＯＨ層である；
・窒化チタン層からＳｉＣＯＨ層を選択的にエッチングする；
・ａ－Ｃ層からＳｉＣＯＨ層を選択的にエッチングする；
・フォトレジスト層からＳｉＣＯＨ層を選択的にエッチングする；
・ケイ素含有膜は、交互の酸化ケイ素および窒化ケイ素層である；
・類似のエッチング速度で酸化ケイ素および窒化ケイ素層の両方をエッチングする；
・ケイ素層から酸化ケイ素および窒化ケイ素層の両方を選択的にエッチングする；
・ｐ－Ｓｉ層から酸化ケイ素および窒化ケイ素層の両方を選択的にエッチングする；
・結晶質ケイ素層から酸化ケイ素および窒化ケイ素層の両方を選択的にエッチングする；
・ａ－Ｃ層から酸化ケイ素および窒化ケイ素層の両方を選択的にエッチングする；
・ケイ素含有膜は、交互の酸化ケイ素およびｐ－Ｓｉ層である；
・類似のエッチング速度で酸化ケイ素およびｐ－Ｓｉ層の両方をエッチングする；
・ａ－Ｃ層から酸化ケイ素およびｐ－Ｓｉ層の両方を選択的にエッチングする；
・窒化ケイ素層から酸化ケイ素およびｐ－Ｓｉ層の両方を選択的にエッチングする；
・ケイ素含有膜中に約１０：１～約２００：１のアスペクト比を有するアパーチャーを作成する；
・ゲートトレンチを作成する；
・階段状コンタクトを作成する；
・チャネルホールを作成する；
・約６０：１～約１００：１のアスペクト比を有するチャネルホールを作成する；
・約５ｎｍ～約１００ｎｍの範囲の直径を有するチャネルホールを作成する；
・約１０ｎｍ～約５０ｎｍの範囲の直径を有するチャネルホールを作成する；
・反応チャンバー中にエッチングガスを導入することによって、選択性を改善する；
・エッチングガスは、ｃＣ４Ｆ８、ｃＣ５Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、ＣＦ４、ＣＨ３Ｆ、ＣＦ３Ｈ、ＣＨ２Ｆ２、ＣＯＳ、Ｆ－Ｃ≡Ｎ、ＣＳ２、ＳＯ２、トランス－１，１，１，４，４，４－ヘキサフルオロ－２－ブテン（ｔｒａｎｓ－Ｃ４Ｈ２Ｆ６）、シス－１，１，１，４，４，４－ヘキサフルオロ－２－ブテン（ｃｉｓ－Ｃ４Ｈ２Ｆ６）、ヘキサフルオロイソブテン（Ｃ４Ｈ２Ｆ６）、トランス－１，１，２，２，３，４－ヘキサフルオロシクロブタン（ｔｒａｎｓ－Ｃ４Ｈ２Ｆ６）、１，１，２，２，３－ペンタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｈ３Ｆ５）、１，１，２，２－テトラフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｈ４Ｆ４）またはシス－１，１，２，２，３，４－ヘキサフルオロシクロブタン（ｃｉｓ－Ｃ４Ｈ２Ｆ６）からなる群から選択される；
・エッチングガスは、ｃＣ５Ｆ８である；
・エッチングガスは、ｃＣ４Ｆ８である；
・エッチングガスは、Ｃ４Ｆ６である；
・反応チャンバーへの導入の前に、ヨウ素含有エッチング化合物の蒸気およびエッチングガスを混合する；
・エッチングガスとは別々にヨウ素含有エッチング化合物の蒸気を反応チャンバー中に導入する；
・反応チャンバー中に約０．０１％ｖ／ｖ～約９９．９９％ｖ／ｖのエッチングガスを導入する；
・ＲＦ電力を適用することによってプラズマを活性化する；
・約２５Ｗ～約１０，０００Ｗの範囲のＲＦ電力によってプラズマを活性化する；
・反応チャンバーは、約１ｍＴｏｒｒ～約１０Ｔｏｒｒの範囲の圧力を有する；
・約０．１ｓｃｃｍ～約１ｓｌｍの範囲のフロー速度で、反応チャンバー中にヨウ素含有エッチング化合物の蒸気を導入する；
・約－１９６℃～約５００℃の範囲の温度に基材を維持する；
・約－１２０℃～約３００℃の範囲の温度に基材を維持する；
・約－１００℃～約５０℃の範囲の温度に基材を維持する；
・約－１０℃～約４０℃の範囲の温度に基材を維持する；そして
・四重極質量分析装置、光学発光分光器、ＦＴＩＲまたは他のラジカル／イオン測定ツールによって、活性化されたヨウ素含有エッチング化合物を測定する。
また、式ＣａＨｘＦｙＩｚ（式中、ａ＝１～３であり、ｘ＝０～６であり、ｙ＝１～７であり、ｚ＝１～２であり、ａ＝１である場合、ｘ＋ｙ＋ｚ＝４であり、ａ＝２である場合、ｘ＋ｙ＋ｚ＝４または６であり、かつａ＝３である場合、ｘ＋ｙ＋ｚ＝６または８である）を有するヨウ素含有エッチング化合物も開示される。開示された、ヨウ素含有エッチング化合物は、以下の態様の１つまたはそれ以上を含む。
・ヨウ素含有エッチング化合物は、式ＣＨｘＦｙＩｚ（式中、ｘは０～２であり、ｙは１～３であり、ｚは１～２であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝４である）を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、ＣＦ３Ｉである；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、ＣＦ２Ｉ２である；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、式ＣＨｘＦｙＩｚ（式中、ｘは１～２であり、ｙは１～２であり、ｚは１～２であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝４である）を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、ＣＨＦ２Ｉである；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、ＣＨ２ＦＩである；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、ＣＨＦＩ２である；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、式Ｃ２ＨｘＦｙＩｚ（式中、ｘは０～２であり、ｙは１～３であり、ｚは１～２であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝４である）を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２Ｆ３Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000050
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、式Ｃ２ＨｘＦｙＩｚ（式中、ｘは１～２であり、ｙは１～２であり、ｚは１～２であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝４である）を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２ＨＦ２Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000051
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２ＨＦ２Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000052
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２Ｈ２ＦＩであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000053
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２Ｈ２ＦＩであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000054
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、式Ｃ２ＨｘＦｙＩｚ（式中、ｘは０～４であり、ｙは１～５であり、ｚは１～２であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝６である）を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２Ｈ５Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000055
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、式Ｃ２ＨｘＦｙＩｚ（式中、ｘは１～４であり、ｙは１～４であり、ｚは１～２であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝６である）を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２ＨＦ４Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000056
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２ＨＦ４Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000057
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２Ｈ２Ｆ３Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000058
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２Ｈ２Ｆ３Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000059
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２Ｈ２Ｆ３Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000060
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２Ｈ３Ｆ２Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000061
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２Ｈ３Ｆ２Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000062
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２Ｈ４ＦＩであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000063
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２Ｈ４ＦＩであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000064
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２Ｆ４Ｉ２であり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000065
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ２Ｆ４Ｉ２であり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000066
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、式Ｃ３ＨｘＦｙＩｚ（式中、ｘは０～４であり、ｙは１～５であり、ｚは１～２であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝６である）を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｆ５Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000067
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、式Ｃ３ＨｘＦｙＩｚ（式中、ｘは１～４であり、ｙは１～４であり、ｚは１～２であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝６である）を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３ＨＦ４Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000068
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３ＨＦ４Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000069
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３ＨＦ４Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000070
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ２Ｆ３Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000071
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ２Ｆ３Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000072
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ２Ｆ３Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000073
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ２Ｆ３Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000074
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、式Ｃ３ＨｘＦｙＩｚ（式中、ｘは０～６であり、ｙは１～７であり、ｚは１～２であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝８である）を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｆ７Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000075
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｆ７Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000076
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、式Ｃ３ＨｘＦｙＩｚ（式中、ｘは１～６であり、ｙは１～６であり、ｚは１～２であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝８である）を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３ＨＦ６Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000077
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３ＨＦ６Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000078
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ２Ｆ５Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000079
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ２Ｆ５Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000080
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ２Ｆ５Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000081
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ２Ｆ５Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000082
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ２Ｆ５Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000083
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ３Ｆ４Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000084
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ３Ｆ４Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000085
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ３Ｆ４Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000086
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ３Ｆ４Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000087
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ３Ｆ４Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000088
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ３Ｆ４Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000089
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ３Ｆ４Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000090
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ３Ｆ４Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000091
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ４Ｆ３Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000092
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ４Ｆ３Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000093
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ４Ｆ３Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000094
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ４Ｆ３Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000095
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ４Ｆ３Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000096
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ４Ｆ３Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000097
を有する；
・ヨウ素含有エッチング化合物は、Ｃ３Ｈ４Ｆ３Ｉであり、かつ次の構造：
Figure 0007227135000098
を有する；
・約９５体積％～約９９．９９９体積％の範囲の純度を有する；
・約１０ｐｐｔｖ（ｐａｒｔｓ ｐｅｒ ｔｒｉｌｌｉｏｎ ｂｙ ｖｏｌｕｍｅ）～約５体積％の微量ガス不純物を含む；
・微量ガス不純物は、水を含む；
・微量ガス不純物は、ＣＯ２を含む；
・微量ガス不純物は、Ｎ２を含む；ならびに
・ヨウ素含有エッチング化合物は、２０ｐｐｍｗ未満の含水量を有する。
表示法および命名法
以下の詳細な説明および請求の範囲では、一般に、当該技術において周知である多数の略語、記号および用語が利用される。定義は典型的にそれぞれの頭字語によって提供されるが、便宜上、表１に、それらのそれぞれの定義と一緒に、使用された略語、記号および用語の一覧を示す。
Figure 0007227135000099
Figure 0007227135000100
本明細書で使用される場合、「エッチ」または「エッチング」という用語は、エッチングガスおよび基材の間のイオン衝撃、リモートプラズマまたは化学蒸気反応によって材料を除去するためにプラズマを使用することを意味する。エッチングプロセスは、異方性であっても、または等方性であってもよい。例えば、プラズマ乾式エッチングプロセスは異方性エッチングを生じ；化学エッチングまたは湿式エッチングプロセスは等方性エッチングを生じる。エッチングプロセスは、基材中に、ビア、トレンチ、チャンネルホール、ゲートトレンチ、階段状コンタクト、コンデンサーホール、コンタクトホールなどのアパーチャーを作成するために使用されてもよい。
「パターンエッチング」または「パターン化されたエッチング」という用語は、ケイ素含有膜のスタック上のパターン化されたマスク層などの非平面構造をエッチングすることを意味する。
「マスク」という用語は、エッチングに抵抗する層を示す。マスク層は、エッチングされる層の上に位置し得る。
「エッチング停止層」という用語は、下の層を保護する、エッチングされる層の下の層を意味する。
「デバイスチャネル」という用語は、実際のデバイスの一部である層を意味し、そしてそれに対するいずれのダメージもデバイス性能に影響するであろう。
「アスペクト比」という用語は、トレンチの幅（またはビアの直径）に対するトレンチ（またはビア）の高さの比率を意味する。
「選択性」という用語は、別の材料のエッチング速度に対する１つの材料のエッチング速度の比率を意味する。「選択性エッチング」または「選択的エッチング」という用語は、別の材料よりも１つの材料をエッチングすることを意味するか、あるいは換言すれば、２つの材料間のエッチング選択性が１：１より高いか、またはそれ未満であることを意味する。
「独立して」という用語は、Ｒ基の記載に関して使用される場合、対象のＲ基が、同一または異なる下付き文字または上付き文字を有する他のＲ基に対して独立して選択されるのみならず、同一Ｒ基のいずれかの追加の種に対しても独立して選択されることも意味するものとして理解されるべきである。例えば、Ｍが原子であり、ｘが２または３である式ＭＲ１ ｘ（ＮＲ２Ｒ３）（４－ｘ）において、２個または３個のＲ１基は、互いに、またはＲ２もしくはＲ３と同一であってもよいが、同一である必要はない。さらに、他に特記されない限り、Ｒ基の値は、異なる式で使用される場合、互いに独立していることは理解されるべきである。
本明細書中、「膜」および「層」という用語は、互換的に使用され得ることに留意されたい。膜は層に相当し得るか、または層に関連し得ること、および層が膜と呼ばれてもよいことが理解される。さらに、当業者は、「膜」または「層」という用語が、本明細書で使用される場合、表面上に適用されたか、または延展されたいくつかの材料の厚さを意味し、かつ表面が、ウエハ全体と同程度の大きいものからトレンチまたはライン程度の小さいものまでの範囲であり得ることを認識するであろう。
本明細書中、「エッチング化合物」および「エッチングガス」という用語は互換的に使用されてもよいことに留意されたい。エッチング化合物がエッチングガスに相当するか、または関連し得ること、およびエッチングガスがエッチング化合物を意味し得ることは理解される。
本明細書で使用される場合、「２Ｄ」という略語は、平面基材上の２次元ゲート構造を意味し；「３Ｄ」という略語は、ゲート構造が垂直方向に積み重なる、３次元または垂直ゲート構造を意味する。
本明細書中、元素周期表からの元素の標準的な略語が使用される。元素がこれらの略語によって示され得ることは理解されるべきである（例えば、Ｓｉはケイ素を意味し、Ｎは窒素を意味し、Ｏは酸素を意味し、Ｃは炭素を意味し、Ｈは水素を意味し、Ｆはフッ素を意味する、など）。
Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｓｅｒｖｉｃｅによって割り当てられたユニークなＣＡＳ登録番号（すなわち、「ＣＡＳ」）は、開示された分子をよりよく識別するのを助けるために提供される。
窒化ケイ素および酸化ケイ素などのケイ素含有膜が、それらの適切な化学量論を示さずに明細書および請求の範囲全体に列挙されることに留意されたい。ケイ素含有膜には、結晶質Ｓｉ、ポリケイ素（ｐ－Ｓｉもしくは多結晶質Ｓｉ）または非晶質ケイ素などの純粋なケイ素（Ｓｉ）層；窒化ケイ素（ＳｉｋＮｌ）層；酸化ケイ素（ＳｉｎＯｍ）層；またはその混合物が含まれてよく、ここで、ｋ、ｌ、ｍおよびｎは、全てを含めて０．１～６の範囲である。好ましくは、窒化ケイ素は、ｋおよびＩがそれぞれ０．５～１．５の範囲であるＳｉｋＮｌである。より好ましくは、窒化ケイ素はＳｉ３Ｎ４である。好ましくは、酸化ケイ素は、ｎが０．５～１．５の範囲であり、かつｍが１．５～３．５の範囲であるＳｉｎＯｍである。より好ましくは、酸化ケイ素はＳｉＯ２である。本明細書中、以下の明細書中のＳｉＮおよびＳｉＯは、それぞれＳｉｋＮｌおよびＳｉｎＯｍ含有層を表すのに使用される。ケイ素含有膜は、ＳｉＯＣＨを有する、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．によるＢｌａｃｋ Ｄｉａｍｏｎｄ ＩＩまたはＩＩＩ材料などの、有機ベースまたは酸化ケイ素ベースの低誘電率誘電体材料などの酸化ケイ素ベースの誘電体材料であることも可能である。ケイ素含有膜は、ａ、ｂ、ｃが０．１～６の範囲であるＳｉａＯｂＮｃを含み得る。ケイ素含有膜は、Ｂ、Ｃ、Ｐ、Ａｓおよび／またはＧｅなどのドーパントも含み得る。
発明を実施するための形態
本発明の特性および目的のさらなる理解のために、以下の詳細な説明は、添付の図面と関連して参照されるべきである。図面中、同様の要素は、同一または類似の参照番号が与えられる。
３Ｄ ＮＡＮＤスタック中の模範的な層の断面図である。 ３Ｄ ＮＡＮＤスタックのエッチングの間に側壁上に堆積したポリマーを示す３Ｄ ＮＡＮＤスタック中の模範的な層の断面図である。 ３Ｄ ＮＡＮＤスタックの交互ＳｉＯ／ＳｉＮ層エッチングの間に生じた粒子を示す３Ｄ ＮＡＮＤスタック中の模範的な層の断面図である。 ３Ｄ ＮＡＮＤスタック中の側壁上に暴露されたＳｉＮの選択的エッチングを示す３Ｄ ＮＡＮＤスタック中の模範的な層の断面図である。 ＤＲＡＭスタックの模範的な層の断面図である。 トランジスタ構造を作成するための典型的なトランジスタデバイス領域の周囲のＳｉＯ絶縁層上のフォトレジストパターンを示す模範的な層の断面図である。 ＳｉＯ絶縁層のエッチング後の図３ａの模範的な層の断面図である。 ＣＦ３Ｉの種濃度（Ｔｏｒｒ）に対する電子衝突イオン化エネルギー（ｅＶ）を示すグラフである。 Ｃ２Ｆ３Ｉの種濃度（Ｔｏｒｒ）に対する電子衝突イオン化エネルギー（ｅＶ）を示すグラフである。 Ｃ２Ｆ５Ｉの種濃度（Ｔｏｒｒ）に対する電子衝突イオン化エネルギー（ｅＶ）を示すグラフである。 Ｃ２ＨＦ４Ｉの種濃度（Ｔｏｒｒ）に対する電子衝突イオン化エネルギー（ｅＶ）を示すグラフである。 Ｃ３Ｆ５Ｉの種濃度（Ｔｏｒｒ）に対する電子衝突イオン化エネルギー（ｅＶ）を示すグラフである。 Ｃ３Ｆ７Ｉの種濃度（Ｔｏｒｒ）に対する電子衝突イオン化エネルギー（ｅＶ）を示すグラフである。 Ｃ２Ｆ６の種濃度（Ｔｏｒｒ）に対する電子衝突イオン化エネルギー（ｅＶ）を示すグラフである。 Ｃ３Ｆ８の種濃度（Ｔｏｒｒ）に対する電子衝突イオン化エネルギー（ｅＶ）を示すグラフである。 模範的な堆積およびエッチング試験で適用される模範的な反応器システムの断面図である。 ＣＦ３ＩおよびＯ２によるＳｉＯ、ＳｉＮ、ｐ－Ｓｉおよびａ－Ｃのエッチング速度を示すグラフである。 Ｃ２Ｆ３ＩおよびＯ２によるＳｉＯ、ＳｉＮ、ｐ－Ｓｉおよびａ－Ｃのエッチング速度を示すグラフである。 Ｃ２Ｆ５ＩおよびＯ２によるＳｉＯ、ＳｉＮ、ｐ－Ｓｉおよびａ－Ｃのエッチング速度を示すグラフである。 Ｃ２ＨＦ４ＩおよびＯ２によるＳｉＯ、ＳｉＮ、ｐ－Ｓｉおよびａ－Ｃのエッチング速度を示すグラフである。 Ｃ３Ｆ５ＩおよびＯ２によるＳｉＯ、ＳｉＮ、ｐ－Ｓｉおよびａ－Ｃのエッチング速度を示すグラフである。 Ｃ３Ｆ７ＩおよびＯ２によるＳｉＯ、ＳｉＮ、ｐ－Ｓｉおよびａ－Ｃのエッチング速度を示すグラフである。 Ｃ２Ｆ３ＩおよびＯ２によるＳｉＯ、ＳｉＮ、ｐ－Ｓｉおよびａ－Ｃのエッチング速度を示すグラフである。
ケイ素含有膜中のチャネルホール、ゲートトレンチ、階段状コンタクト、コンデンサーホール、コンタクトホールなどの半導体構造のプラズマエッチングのための方法が開示される。開示された方法は、ｉ）基材の上にケイ素含有膜を含有する反応チャンバー中に、式ＣａＨｘＦｙＩｚ（式中、ａ＝１～３であり、ｘ＝０～６であり、ｙ＝１～７であり、ｚ＝１～２であり、ａ＝１である場合、ｘ＋ｙ＋ｚ＝４であり、ａ＝２である場合、ｘ＋ｙ＋ｚ＝４または６であり、ａ＝３である場合、ｘ＋ｙ＋ｚ＝６または８である）を有するヨウ素含有エッチング化合物の蒸気を導入するステップと；ｉｉ）反応チャンバー中に不活性ガスを導入するステップと；ｉｉｉ）プラズマを活性化して、基材からケイ素含有膜をエッチングすることが可能である活性化ヨウ素含有エッチング化合物を生成するステップとを含む。
以下の例において示されるように、開示されたヨウ素含有エッチング化合物のヨウ化物イオンは、低エネルギー（ｅＶ）（すなわち、＜２０ｅＶ）において化合物から解離する。結果として、出願人らは、開示されたエッチング化合物は、それらがより低いプラズマエネルギーにおいて実行可能であるため、下の基材へのダメージが少ない乾式プラズマエッチングプロセスにおいて使用され得ると考える。例えば、より低いプラズマエネルギーによって、エッチングサイトを包囲する多孔性低誘電率材料へのダメージが少ないため、開示されたヨウ素含有エッチング化合物は、ダメージが特に懸念される低誘電率エッチングプロセスに特に適切であり得る。開示されたヨウ素含有エッチング化合物は、臨界寸法の損失も防ぎ、そして低誘電率表面粗さを減少させ得る。加えて、２個のヨウ素原子を有する分子は、これらの利点を強化し得るが、ヨウ素原子の大きさのために揮発性が失われる。
ヨウ素（１０．５ｅＶ）は、フッ素（１７．４ｅＶ）ならびに不活性ガス：Ａｒ（１５．８ｅＶ）、Ｘｅ（１２．１ｅＶ）およびＫｒ（１４ｅＶ）より低いイオン化閾値を有する。したがって、ヨウ素は、フッ素よりも容易にプラズマによってイオン化され得る。ヨウ素は、プラズマ中で不活性ガスと同様に作用し、そしてウエハに対して加速し得る。フッ素のイオン化閾値は中性化学種としてそれを維持するために有用である。結果として、フッ素は、典型的に化学反応によるエッチングプロセスに関与する。ヨウ素はフッ素より低い化学反応性を示し、そしてプラズマエッチングプロセスの間にイオン化され、そして表面に衝撃を与える。またＣ－Ｉの結合エネルギーはＣ－Ｆの結合エネルギーより低く、それによって、Ｃ－Ｆ結合と比較して、Ｃ－Ｉ結合は、プラズマ中でより容易に破壊される。
以下の例において示されるように、ヨウ化物イオンは、低いｅＶ（すなわち、＜２０ｅＶ）において、開示されたエッチング化合物から解離する。結果として生じるヨウ化物イオンは、狭い幅または直径を有するフィーチャーに入るには非常に大きくなり得る。しかしながら、マスクフィーチャー中へのヨウ化物イオン注入は可能性が高い。この注入は、マスクフィーチャーの強化を補助し得、そしてそれがエッチングプロセスの間にその形を維持するのを補助し得る。
開示されたヨウ素含有エッチング化合物は、式ＣａＨｘＦｙＩｚ（式中、ａ＝１～３であり、ｘ＝０～６であり、ｙ＝１～７であり、ｚ＝１～２であり、ａ＝１である場合、ｘ＋ｙ＋ｚ＝４であり、ａ＝２である場合、ｘ＋ｙ＋ｚ＝４または６であり、ａ＝３である場合、ｘ＋ｙ＋ｚ＝６または８である）を有する。模範的なヨウ素含有エッチング化合物を表２に列挙する。これらの分子は商業的に入手可能であるか、または当該技術で既知の方法によって合成され得る。それらの構造式、ＣＡＳ番号および沸点も表２に含まれる。
Figure 0007227135000101
Figure 0007227135000102
Figure 0007227135000103
Figure 0007227135000104
Figure 0007227135000105
Figure 0007227135000106
Figure 0007227135000107
Figure 0007227135000108
ａ＝１である場合、開示されたヨウ素含有エッチング化合物は、式ＣＨｘＦｙＩｚ（ｘ＝０～２であり、ｙ＝１～２であり、ｚ＝１～２であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝４である）を有する。模範的な化合物としては、ＣＦ３Ｉ、ＣＦ２Ｉ２、ＣＨＦ２Ｉ、ＣＨ２ＦＩおよびＣＨＦＩ２、好ましくは、ＣＦ２Ｉ２が含まれる。出願人らは、開示されたヨウ素含有エッチング化合物が、少なくとも１個のＨを含む場合、マスク層に対する高い選択性を維持しながら、ＳｉＮのエッチング速度が強化され得ると考える。ａ＝１である場合、１個のＨを有するヨウ素含有エッチング化合物は、式ＣＨｘＦｙＩｚ（式中、ｘ＝１～２であり、ｙ＝１～２であり、かつｚ＝１～２である）を有する。模範的な化合物としては、ＣＨＦ２Ｉ、ＣＨ２ＦＩおよびＣＨＦＩ２が含まれる。
出願人らは、２～３個の炭素原子を有する分子が、エッチングプロセスの間、Ｃ１分子より良好な側壁保護を提供し得ると考える。
側壁保護のために、それらがより厚いパッシベーション層を作成するであろうと出願人らが考えるため、Ｃ３分子が好ましい。Ｃ３ヨウ素含有エッチング化合物は、式Ｃ３ＨｘＦｙＩｚ（式中、ｘ＝０～６であり、ｙ＝１～７であり、ｚ＝１～２であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝６または８である）を有する。模範的なＣ３ヨウ素含有エッチング化合物としては、Ｃ３Ｆ５Ｉ、Ｃ３ＨＦ４Ｉ、Ｃ３Ｈ２Ｆ３Ｉ、Ｃ３Ｆ７Ｉ、Ｃ３ＨＦ６Ｉ、Ｃ３Ｈ２Ｆ５Ｉ、Ｃ３Ｈ３Ｆ４ＩおよびＣ３Ｈ４Ｆ３Ｉ、好ましくは、Ｃ３Ｆ５Ｉ、Ｃ３ＨＦ４Ｉ、Ｃ３Ｈ２Ｆ３Ｉ、Ｃ３ＨＦ６Ｉ、Ｃ３Ｈ２Ｆ５Ｉ、Ｃ３Ｈ３Ｆ４ＩまたはＣ３Ｈ４Ｆ３Ｉ、なおより好ましくは、Ｃ３ＨＦ４Ｉ、Ｃ３Ｈ２Ｆ３Ｉ、Ｃ３Ｈ２Ｆ５Ｉ、Ｃ３Ｈ３Ｆ４ＩまたはＣ３Ｈ４Ｆ３Ｉが含まれる。
しかしながら、Ｃ２分子は反応器に送達することがより容易であり得るか、または、いくつかの用途に関して、より薄いパッシベーション層が望ましくなり得る。Ｃ２ヨウ素含有エッチング化合物は、式Ｃ２ＨｘＦｙＩｚ（式中、ｘ＝０～４であり、ｙ＝１～５であり、ｚ＝１～２であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝４または６である）を有する。模範的なＣ２ヨウ素含有エッチング化合物としては、Ｃ２Ｆ３Ｉ、Ｃ２ＨＦ２Ｉ、Ｃ２Ｈ２ＦＩ、Ｃ２Ｆ５Ｉ、Ｃ２ＨＦ４Ｉ、Ｃ２Ｈ２Ｆ３Ｉ、Ｃ２Ｈ３Ｆ２Ｉ、Ｃ２Ｈ４ＦＩおよびＣ２Ｆ４Ｉ２、好ましくは、Ｃ２Ｆ３Ｉ、Ｃ２Ｈ２ＦＩ、Ｃ２Ｈ３Ｆ２Ｉ、Ｃ２Ｈ４ＦＩまたはＣ２Ｆ４Ｉ２、より好ましくは、Ｃ２Ｈ２ＦＩ、Ｃ２Ｈ３Ｆ２ＩまたはＣ２Ｈ４ＦＩ、なおより好ましくは、Ｃ２ＨＦ２Ｉ、Ｃ２ＨＦ４Ｉまたは１，１－ジフルオロ－１－ヨード－エタンが含まれる。
出願人らは、開示されたヨウ素含有エッチング化合物が少なくとも１個のＨを含む場合（すなわち、Ｃ２ＨＦ２Ｉ、Ｃ２ＨＦ４Ｉ、Ｃ２Ｈ２Ｆ３Ｉ、Ｃ２Ｈ３Ｆ２Ｉ、Ｃ２Ｈ４ＦＩ、Ｃ３ＨＦ４Ｉ、Ｃ３Ｈ２Ｆ３Ｉ、Ｃ３ＨＦ６Ｉ、Ｃ３Ｈ２Ｆ５Ｉ、Ｃ３Ｈ３Ｆ４ＩおよびＣ３Ｈ４Ｆ３Ｉ、好ましくは、Ｃ２Ｈ２ＦＩ、Ｃ２Ｈ３Ｆ２Ｉ、Ｃ２Ｈ４ＦＩ、Ｃ３ＨＦ４Ｉ、Ｃ３Ｈ２Ｆ３Ｉ、Ｃ３ＨＦ６Ｉ、Ｃ３Ｈ２Ｆ５Ｉ、Ｃ３Ｈ３Ｆ４ＩおよびＣ３Ｈ４Ｆ３Ｉ）、マスク層に対する高い選択性を維持しながら、ＳｉＮのエッチング速度が強化され得るとさらに考える。
再び、Ｃ３分子は側壁保護のために好ましい。１個のＨを含有するＣ３ヨウ素含有エッチング化合物は、式Ｃ３ＨｘＦｙＩｚ（式中、ｘ＝１～６であり、ｙ＝１～６であり、ｚ＝１～２であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝６または８である）を有する。模範的な分子としては、Ｃ３ＨＦ４Ｉ、Ｃ３Ｈ２Ｆ３Ｉ、Ｃ３ＨＦ６Ｉ、Ｃ３Ｈ２Ｆ５Ｉ、Ｃ３Ｈ３Ｆ４ＩおよびＣ３Ｈ４Ｆ３Ｉが含まれる。
しかしながら、再び、Ｃ２分子は反応器に送達することがより容易であり得る。１個のＨを含有するＣ２ヨウ素含有エッチング化合物は、式Ｃ２ＨｘＦｙＩｚ（式中、ｘ＝１～４であり、ｙ＝１～４であり、ｚ＝１～２であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝４または６である）を有する。模範的な分子としては、Ｃ２ＨＦ２Ｉ、Ｃ２Ｈ２ＦＩ、Ｃ２ＨＦ４Ｉ、Ｃ２Ｈ２Ｆ３Ｉ、Ｃ２Ｈ３Ｆ２ＩおよびＣ２Ｈ４ＦＩ、好ましくは、Ｃ２Ｈ２ＦＩ、Ｃ２Ｈ３Ｆ２ＩまたはＣ２Ｈ４ＦＩ、より好ましくは、Ｃ２ＨＦ２Ｉ、Ｃ２ＨＦ４Ｉまたは１，１－ジフルオロ－１－ヨード－エタンが含まれる。
開示されたヨウ素含有エッチング化合物は、マスク層、エッチング停止層およびデバイスチャネル材料に対して高い選択性を提供し得、かつＤＲＡＭおよび３Ｄ ＮＡＮＤ用途などの１０：１～２００：１の範囲のアスペクト比を有するものなどの高アスペクト比構造におけるプロフィール歪みを提供し得ない。代わりに、開示されたヨウ素含有エッチング化合物は、コンタクトエッチング用途において１：１～５０：１の範囲のアスペクト比を有するものなどのマスク層または窒化ケイ素に対して高い選択性を提供し得る。
開示されたヨウ素含有エッチング化合物は、エッチングの広範なプロセス条件に関する無数の選択性を提供し得る。本明細書中、選択性とは、２つの異なる層のエッチング速度比を示す。例えば、ＳｉＯ層対ａ－Ｃ層に関する選択性は、ａ－Ｃ層のエッチング速度で割られたＳｉＯのエッチング速度である。開示されたヨウ素含有エッチング化合物は、ケイ素含有膜とマスク材料との間の改善された選択性を提供し得、チャネル領域へのダメージが低下し、かつパターン高アスペクト比構造における歪曲が減少する。また、開示されたヨウ素含有エッチング化合物は、ｐ－Ｓｉ、ＳｉＯおよび／またはＳｉＮの交互の層を通してエッチングし得、垂直エッチングプロフィールをもたらす（すなわち、交互の層の間に２：１～１：２の範囲の選択性を示す）。
開示されたヨウ素含有エッチング化合物は、９５％ｖ／ｖより高い純度で、好ましくは、９９．９９％ｖ／ｖより高い純度で、より好ましくは、９９．９９９％ｖ／ｖより高い純度で提供される。開示されたヨウ素含有エッチング化合物は、５体積％未満の微量ガス不純物を含有し、微量ガス不純物中には、体積で１５０ｐｐｍ未満のＮ２および／またはＨ２Ｏおよび／またはＣＯ２などの不純物ガスが含まれる。好ましくは、プラズマエッチングガス中の含水量は、重量で２０ｐｐｍｗ未満である。精製された生成物は、蒸留、および／または４Ａモレキュラーシーブなどの適切な吸着剤を通してガスまたは液体を通過させることによって製造され得る。
開示されたヨウ素含有エッチング化合物は、１０％ｖ／ｖ未満、好ましくは、１％ｖ／ｖ未満、より好ましくは、０．１％ｖ／ｖ未満、さらにより好ましくは、０．０１％ｖ／ｖ未満のいずれかのその異性体を含有し、これは、異性体を除去するためのガスまたは液体の蒸留によって精製され得、かつより良好なプロセス繰返し性を提供し得る。
代わりに、開示されたヨウ素含有エッチング化合物は、特に異性体混合物が改善されたプロセスパラメーターを提供する場合、または標的異性体の単離が非常に困難であるか、もしくは高価である場合、５％ｖ／ｖ～５０％ｖ／ｖのその異性体を含有し得る。例えば、開示されたヨウ素含有エッチング化合物は、約５０％ｖ／ｖ～約７５％ｖ／ｖの（１Ｅ）－１，２－ジフルオロ－１－ヨード－エテンおよび約２５％ｖ／ｖ～約５０％ｖ／ｖの（１Ｚ）－１，２－ジフルオロ－１－ヨード－エテンを含み得る。異性体の混合物は、反応チャンバーへの２つ以上のガスラインの必要性も低減させ得る。
開示されたヨウ素含有エッチング化合物のいくつかは、室温および気圧においてガス状である。非ガス状（すなわち、液体または固体）化合物に関して、それらのガス形態は、直接蒸発などの従来的な蒸発ステップによって化合物を蒸発させることによって、または不活性ガス（Ｎ２、Ａｒ、Ｈｅ）によるバブリングによって生成され得る。非ガス状化合物は、それを反応器中に導入する前にそれを蒸発させる蒸発器に液体形態で提供され得る。
開示されたヨウ素含有エッチング化合物は、ケイ素含有膜中のチャネルホール、ゲートトレンチ、階段状コンタクト、コンデンサーホール、コンタクトホールなどの半導体構造のプラズマエッチングに適切である。開示されたヨウ素含有エッチング化合物が、高アスペクト比構造の良好なプロフィールとともにマスク上にダメージを誘発しないか、またはわずかのみ誘発するため、開示されたヨウ素含有エッチング化合物は、現在入手可能なマスク材料と適合性があるのみならず、次世代のマスク材料とも適合性がある。換言すれば、開示されたヨウ素含有エッチング化合物は、最小限の歪曲、パターン崩壊または粗さを有するか、または有さない垂直エッチングパターンを作成し得る。これらの特性を達成するために、開示されたヨウ素含有エッチング化合物は、エッチングプロセスの間に酸素およびフッ素ラジカルの直接的な影響を減少させることの補助とするため、エッチングの間にエッチング抵抗ポリマー層を堆積してもよい。開示されたヨウ素含有エッチング化合物は、エッチングの間のｐ－Ｓｉまたは結晶質Ｓｉチャネル構造に対するダメージを減少させ得る。好ましくは、開示されたヨウ素含有エッチング化合物は、反応器／チャンバー中への送達のため、エッチングプロセスの間、適切に揮発性および安定性である。
材料適合性試験は、いずれかの開示されたヨウ素含有エッチング化合物がチャンバー材料と反応して、そして短期または長期使用によってチャンバーの性能を低下させるかどうかを決定するために重要である。チャンバー、バルブなどの一部に関連する重要な材料としては、ステンレス鋼、アルミニウム、ニッケル、ＰＣＴＦＥ、ＰＶＤＦ、ＰＴＦＥ、ならびに他の金属およびポリマーが含まれる。時には、これらの材料は、それらの低下を強化し得る、高温、例えば、２０℃より高い温度、および高圧、例えば、１ａｔｍより高い圧力に暴露される。測定方法には、目視検査、重量測定、走査型電子顕微鏡法（ＳＥＭ）におけるナノメートルスケールでの変化の測定、引張強度、硬度などが含まれ得る。
開示されたヨウ素含有エッチング化合物は、基材上にケイ素含有膜をプラズマエッチングするために使用され得る。開示されたプラズマエッチング法は、ＮＡＮＤまたは３ＤＮＡＮＤゲートなどの半導体デバイス、あるいはフィン型電界効果トランジスタ（ｆｉｎ－ｓｈａｐｅｄ ｆｉｅｌｄ－ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）（ＦｉｎＦＥＴ）、バルク相補型金属酸化物半導体（ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ ｍｅｔａｌ－ｏｘｉｄｅ－ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）（バルクＣＭＯＳ）、完全空乏シリコン－オン－インシュレーター（ｆｕｌｌｙ ｄｅｐｌｅｔｅｄ ｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）（ＦＤ－ＳＯＩ）構造などのフラッシュまたはＤＲＡＭメモリまたはトランジスタの製造において有用であり得る。開示されたヨウ素含有エッチング化合物は、異なるフロントエンド（ｆｒｏｎｔ ｅｎｄ ｏｆ ｔｈｅ ｌｉｎｅ）（ＦＥＯＬ）およびバックエンド（ｂａｃｋ ｅｎｄ ｏｆ ｔｈｅ ｌｉｎｅ）（ＢＥＯＬ）エッチング用途などの他の領域の用途において有用であり得る。さらに、開示されたヨウ素含有エッチング化合物は、基材上のロジックにメモリを相互連結させるため、３Ｄ Ｓｉ貫通電極（ｔｈｒｏｕｇｈ ｓｉｌｉｃｏｎ ｖｉａ）（ＴＳＶ）エッチング用途においてＳｉをエッチングするために使用され得る。
プラズマエッチング法は、その中に配置された基材を有する反応チャンバーを提供することを含む。反応チャンバーは、限定されないが、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、単一または複数周波数ＲＦ源による容量結合プラズマ（ＣＣＰ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）、またはマイクロ波プラズマ反応器、あるいは選択的にケイ素含有膜の一部を除去することが可能であるか、または活性種を生成することが可能である他の種類のエッチングシステムなどのその中でエッチング法が実行されるデバイス中のいずれかのエンクロージャまたはチャンバーであり得る。当業者は、異なるプラズマ反応チャンバー設計によって異なる電子温度制御が提供されることを認識するであろう。適切な商業的に入手可能なプラズマ反応チャンバーとしては、限定されないが、ｅＭＡＸ（商標）の商標で販売されるＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ磁気強化反応性イオンエッチャー、または２３００（登録商標）Ｆｌｅｘ（商標）の商標名で販売されるＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｄｕａｌ ＣＣＰ反応性イオンエッチャー誘電体エッチング製品系統が含まれる。それらの中のＲＦ電力は、プラズマ特性を制御し、それによって、エッチング性能（選択性およびダメージ）をさらに改善するために断続的であってもよい。
代わりに、プラズマ処理された反応物は、反応チャンバーの外部で生成され得る。ＭＫＳ ＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓのＡＳＴＲＯＮｉ（登録商標）反応性ガス発生機は、反応チャンバー中への通過の前に反応物を処理するために使用され得る。２．４５ＧＨｚ、７ｋＷプラズマ電力および約０．５Ｔｏｒｒ～約１０Ｔｏｒｒの範囲の圧力で作動させると、反応物Ｏ２は２つのＯ・ラジカルに分解し得る。好ましくは、リモートプラズマは、約１ｋＷ～約１０ｋＷ、より好ましくは、約２．５ｋＷ～約７．５ｋＷの範囲の電力で生成され得る。
反応チャンバーは、１つまたは１つより多くの基材を含有し得る。例えば、反応チャンバーは、２５．４ｍｍ～４５０ｍｍの直径を有する１～２００のケイ素ウエハを含有し得る。基材は、半導体、光起電、フラットパネルまたはＬＣＤ－ＴＦＴデバイス製造において使用されるいずれかの適切な基材であってよい。適切な基材の例としては、ケイ素、シリカ、ガラスまたはＧａＡｓウエハなどのウエハが含まれる。ウエハは、ケイ素含有膜または層を含む、以前の製造ステップからのその上の複数の膜または層を有するであろう。層はパターン化されていても、またはされていなくてもよい。適切な層の例としては、限定されないが、ケイ素（非晶質ケイ素、ｐ－Ｓｉ、結晶質ケイ素、これらのいずれもＢ、Ｃ、Ｐ、Ａｓおよび／またはＧｅによってさらにｐ－ドープまたはｎ－ドープされていてよい）、シリカ、窒化ケイ素、酸化ケイ素、オキシ窒化ケイ素、ＳｉａＯｂＨｃＣｄＮｅ（式中、ａ＞０；ｂ、ｃ、ｄ、ｅ≧０）、マスク層材料、例えば、非晶質炭素、反射防止コーティング、フォトレジスト材料、タングステン、窒化チタン、窒化タンタルまたはそれらの組合せ、エッチング停止層、例えば、窒化ケイ素、ポリケイ素、結晶質ケイ素、炭化ケイ素、ＳｉＣＮまたはそれらの組合せ、デバイスチャネル材料、例えば、結晶質ケイ素、エピタキシャルケイ素、ドープされたケイ素、ＳｉａＯｂＨｃＣｄＮｅ（式中、ａ＞０；ｂ、ｃ、ｄ、ｅ≧０）、あるいはそれらの組合せが含まれる。酸化ケイ素層は、有機ベースか、または酸化ケイ素ベースの低誘電率誘電体材料（例えば、多孔性ＳｉＣＯＨ膜）などの誘電体材料を形成し得る。模範的な低誘電率誘電体材料は、商標名Ｂｌａｃｋ Ｄｉａｍｏｎｄ ＩＩまたはＩＩＩでＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓによって販売される。さらに、タングステンまたは貴金属（例えば、白金、パラジウム、ロジウムまたは金）を含む層が使用されてもよい。さらに、ケイ素含有膜の例は、ＳｉａＯｂＨｃＣｄＮｅ（式中、ａ＞０；ｂ、ｃ、ｄ、ｅ≧０）であり得る。明細書および請求の範囲全体で、ウエハおよびそのいずれかの関連層は基材と記載される。
以下は、開示されたヨウ素含有エッチング化合物がエッチングするために適用され得る基材の模範的な実施形態である。
一実施形態において、図１ａに示されるように、基材１００は、複数の層のスタックを含み得る。図１ａは、３Ｄ ＮＡＮＤゲートを作成するための３Ｄ ＮＡＮＤスタック中の模範的な層の断面図である。図１ａにおいて、７つの交互ＳｉＯ／ＳｉＮ（すなわち、１０４ａ／１０４ｂ）層１０４のスタックがケイ素ウエハ１０２上に位置する（すなわち、ＯＮＯＮまたはＴＣＡＴ技術）。当業者は、いくつかの技術によってＳｉＮ層１０４ｂがｐ－Ｓｉ層によって置き換えられること（例えば、ＳｉＯ／ｐ－Ｓｉまたはｐ－ＢＩＣＳ技術）を認識するであろう。非晶質炭素（ａ－Ｃ）マスク層１０６は、７つのＳｉＯ／ＳｉＮ層１０４の上部に位置する。ａ－Ｃマスク層１０６は、ＳｉＯ／ＳｉＮ層エッチングの間にエッチング抵抗を改善するために、ＣおよびＨ、ならびにホウ素、窒素などの他の元素を含み得る。反射防止コーティング層１０８は、ａ－Ｃマスク層１０６の上部に位置する。パターン化されたフォトレジスト層１１０は、反射防止コーティング層１０８の上部に位置する。本明細書中、フォトレジスト層１１０中のパターンをａ－Ｃ層１０６に移すために、反射防止コーティング層１０８とａ－Ｃマスク層１０６との間に（示されない）ＳｉＯＮ層が存在してもよい。当業者は、図１ａ中の基材１００中の層のスタックが、模範的な目的のためのみ提供され、かつ開示されたヨウ素含有エッチング化合物が他の種類の層のスタックをエッチングするために使用されてもよいことを認識するであろう。さらに、当業者は、基材１００のスタック中の交互ＳｉＯ／ＳｉＮまたはＳｉＯ／ｐ－Ｓｉ層１０４の数が変動し得ること（すなわち、記載された７つより多いか、または７つより少ないＳｉＯ／ＳｉＮ（１０４ａ／１０４ｂ）層を含み得ること）を認識するであろう。
図１ｂは、エッチングの間に側壁上に堆積したポリマーを示す、図１ａの３Ｄ ＮＡＮＤスタック中の模範的な層の断面図である。開示されたヨウ素含有エッチング化合物は、ケイ素含有膜１０４の異方性エッチング、および図１ｂに示されるようにエッチングされる構造の側壁上でのＩ含有ポリマーパッシベーション層２１２の堆積のために適切であるプラズマプロセスの間にフラグメントを生じ得る。図１ｂおよび図１ａの間の差異は、図１ｂにおいては、開示されたヨウ素含有エッチング化合物を使用するプラズマエッチングによって基材１００中にビア２１４が形成され、それによって、ビア２１４の側壁上にポリマーパッシベーション層２１２も堆積されるということである。また、ポリマーパッシベーション層２１２は、ビア２１４の底部において、より平滑な側壁、より少ない歪曲およびより少ない変形を提供する。しかしながら、ポリマーパッシベーション層２１２は、当該技術において既知の乾式または湿式エッチング化学薬品によって容易に除去またはクリーニングされ得る。
図１ｃは、３Ｄ ＮＡＮＤスタック中の交互ＳｉＯ／ＳｉＮ層エッチングの間に発生した粒子３１６を示す、図１ａの３Ｄ ＮＡＮＤスタック中の模範的な層の断面図である。図１ｃに示すように、交互ＳｉＯ／ＳｉＮ（すなわち、１０４ａ／１０４ｂ）層１０４の側壁上に生じた粒子３１６は、開示されたヨウ素含有エッチング化合物を使用することによって最小化され得る。図１ｃおよび図１ｂの間の差異は、図１ｃにおいては、交互ＳｉＯ／ＳｉＮ曝露側面が、プラズマエッチングの間に発生した粒子３１６を有するということである。出願人らは、開示されたヨウ素含有エッチング化合物が図１ｃに示される粒子３１６を発生させるとは考えない。
図１ｄは、異方性エッチングプロセス後に３Ｄ ＮＡＮＤスタック中の側壁上で暴露されたＳｉＮ層１０４ｂの選択的等方性エッチングを示す、図１ａの３Ｄ ＮＡＮＤスタック中の模範的な層の断面図である。スタック１００中のＳｉＮ曝露側面は、ＳｉＯ層１０４ａ中のＳｉ－Ｏ結合よりもＳｉＮ層１０４ｂ中のＳｉ－Ｎ結合を選択的に破壊し、ビア２１４中のＳｉＯ／ＳｉＮ層１０４中のスタック上に選択的側壁ＳｉＮエッチング４１８を形成するように、開示されたヨウ素含有エッチング化合物を使用することによって、図１ｄに示されるように選択的にエッチングされ得る。図１ｄおよび図１ｂの間の差異は、図１ｄにおいて、交互ＳｉＯ／ＳｉＮ側壁上に暴露されたＳｉＮが、開示されたヨウ素含有エッチング化合物によって選択的にエッチングされて、選択的側壁ＳｉＮエッチング４１８が形成されるということである。典型的に、選択的側壁ＳｉＮエッチング４１８は、リン酸との混合物を使用する湿式エッチングによって実行される。湿式エッチングは基材を異なる湿式エッチング装置に移動させることを必要とするため、湿式エッチングプロセスを乾式プラズマエッチングプロセスで置き換えることによって、半導体デバイス製作プロセスの経済的側面を非常に改善することが知られている。開示された方法に関して、図１ｄの選択的側壁ＳｉＮエッチングを含む全てのエッチングは、一体型エッチング装置において実行され得、このことは、半導体製作のコストを減少し得る。
別の実施形態において、図２に示されるように、基材１００は、その上に複数の層のスタックを含み得る。図２は、ＤＲＡＭメモリを作成するためのＤＲＡＭスタック中の模範的な層の断面図である。図２において、４層のスタックがケイ素ウエハ１０２上に位置する。ａ－Ｃマスク層１０６は、大ＳｉＯ層１０４ａの上部に位置する。反射防止コーティング層１０８は、ａ－Ｃマスク１０６の上部に位置する。パターンフォトレジスト層１１０は、反射防止コーティング１０８の上部に位置する。フォトレジスト層１１０中のパターンをａ－Ｃ層１０６に移すために、反射防止コーティング層１０８とａ－Ｃマスク層１０６との間に（示されない）ＳｉＯＮ層が存在してもよい。当業者は、図２中の層のスタックが、模範的な目的のためのみ提供され、かつ開示されたヨウ素含有エッチング化合物が他の層のスタック、例えば、ａ－Ｃマスク層１０６がＴｉＮ層によって置き換えられたスタックをエッチングするために使用されてもよいことを認識するであろう。さらに、当業者は、スタック中の層の数が変動し得ること（すなわち、記載された層より多いか、または少ない層を含み得ること）を認識するであろう。
図３ａは、トランジスタ構造を作成するための典型的なトランジスタデバイス領域を包囲するＳｉＯ絶縁層の上のフォトレジストパターンを示す、模範的な層の断面図である。基材６００は、図３ａに示されるように、ケイ素ウエハ６０２上に担持されたトランジスタゲート電極領域を包囲する４層のスタックを含み得る。図３ａに示されるトランジスタ領域には、ソースおよびドレインの役割を果たす２つのドープされたケイ素領域６０６が含まれる。トランジスタゲート誘電体６１４は、ゲート電極６１６の下に存在する。トランジスタ全体、すなわち、トランジスタゲート誘電体６１４およびゲート電極６１６は、後にコンタクトエッチングの間にエッチング停止層として作用し得る、ＳｉＮ薄層６０８によって包囲される。それぞれのトランジスタデバイス領域６１６／６０６は、電気的干渉を最小化するため、ケイ素ウエハ６０２中でＳｉＯ単離領域６０４によって分離される。当業者は、層６０２がシリコンオンインシュレーター（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）（ＳＯＩ）ウエハの酸化ケイ素層の上部に位置し得ることを認識するであろう。別のＳｉＯ層６１０はトランジスタ上に堆積されて、そしてトランジスタデバイス領域６０６へのいずれの金属接触も絶縁するために使用される。フォトレジストマスク６１２は、ＳｉＯ層６１０をパターン化するために使用される。エッチングは、プラズマ環境において開示されたヨウ素含有エッチング化合物を使用して実行される。図３ｂに示されるように、フォトレジストマスク６１２はＳｉＯ層６１０をエッチングするためのテンプレートとして機能し、そしてエッチングはＳｉＮ層６０８において停止する。
図３ｂは、ＳｉＯ絶縁層のエッチング後の図３ａの模範的な層の断面図である。図３ｂおよび図３ａの間の差異は、図３ｂにおいて、開示されたヨウ素含有エッチング化合物によるエッチングによって、ＳｉＯ層６１０中にビア７１８が形成されるということである。ＳｉＯ層６１０は、マスク層としてのフォトレジスト層６１２を用いてエッチングされ得る。マスク層は、ＴｉＮ、ａ－Ｃなどのいずれかの適切なフォトレジストマスク材料であり得る。エッチングは、下のＳｉＮ層６０８で停止され得る。
開示されたヨウ素含有エッチング化合物は、異なるプラズマ条件および異なる混合物を用いてＳｉＮ層６０８をエッチングするために使用されてもよい。当業者は、図３ａおよび図３ｂの層のスタックおよび幾何構造が、模範的な目的のためのみ提供され、かつ開示されたヨウ素含有エッチング化合物が他の種類の層のスタックをエッチングするために使用されてもよいことを認識するであろう。さらに、当業者は、スタック中の層の数が変動し得ること（すなわち、記載された４層より多いか、または少ない層を含み得ること）を認識するであろう。
開示されたヨウ素含有エッチング化合物の蒸気は、基材およびケイ素含有膜を含有する反応チャンバー中に導入される。蒸気は、約０．１ｓｃｃｍ～約１ｓｌｍの範囲のフロー速度においてチャンバーに導入され得る。例えば、２００ｍｍのウエハ径に関して、蒸気は約５ｓｃｃｍ～約５０ｓｃｃｍの範囲のフロー速度においてチャンバーに導入され得る。代わりに、４５０ｍｍのウエハ径に関して、蒸気は約２５ｓｃｃｍ～約２５０ｓｃｃｍの範囲のフロー速度においてチャンバーに導入され得る。当業者は、フロー速度がツールによって変動し得ることを認識するであろう。
開示されたヨウ素含有エッチング化合物は、そのままの形態で、またはＮ２、Ａｒ、Ｈｅ、Ｘｅなどの不活性ガスまたは溶媒とのブレンドのいずれかで供給され得る。開示されたヨウ素含有エッチング化合物は、ブレンド中、様々な濃度で存在し得る。液体ヨウ素含有エッチング化合物に関して、ヨウ素含有エッチング化合物の蒸気形態は、そのままの、またはブレンドされたヨウ素含有エッチング化合物溶液を、直接蒸留などの従来の蒸発ステップによって蒸発させることによって、またはバブリングによって生成され得る。そのままの、またはブレンドされたヨウ素含有エッチング化合物は、それを反応器中に導入する前にそれを蒸発させる蒸発器へと液体状態で供給され得る。
代わりに、そのままの、またはブレンドされたヨウ素含有エッチング化合物は、開示されたヨウ素含有エッチング化合物を含有する容器中にキャリアガスを通過させることによって、または開示されたヨウ素含有エッチング化合物中にキャリアガスをバブリングすることによって蒸発され得る。キャリアガスとしては、限定されないが、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ２およびそれらの混合物が含まれる。キャリアガスによるバブリングによって、そのままの、またはブレンドされたヨウ素含有エッチング化合物溶液中に存在するいずれかの溶解酸素が除去され得る。次いで、キャリアガスおよび開示されたヨウ素含有エッチング化合物は蒸気として反応器中に導入される。
必要であれば、ヨウ素含有エッチング化合物が液体相となり、かつエッチングツールへの送達のために十分な蒸気圧を有することを可能にする温度まで、開示されたヨウ素含有エッチング化合物を含有する容器を加熱してもよい。容器は、例えば、約０℃～約１５０℃、好ましくは、約２５℃～約１００℃、より好ましくは、約２５℃～約５０℃の範囲の温度に維持されてもよい。より好ましくは、容器は、エッチングツールへのラインの加熱を避けるために室温（約２５℃）に維持される。当業者は、容器の温度が、蒸発させるヨウ素含有化合物の量を制御するために周知の様式で調整され得ることを認識する。
さらに、ヨウ素含有エッチング化合物は、９５体積％～９９．９９９体積％の範囲の純度で送達され、かつＣＯ、ＣＯ２、Ｎ２、Ｈ２Ｏ、ＨＦ、Ｈ２Ｓ、ＳＯ２、ハロゲン化物および他の炭化水素またはヒドロハロカーボンの除去のための周知の標準的精製技術によって精製され得る。
不活性ガスもプラズマを受けるために反応チャンバー中に導入される。不活性ガスは、Ｈｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ、Ｎｅ、Ｎ２またはそれらの組合せであり得る。エッチングガスおよび不活性ガスは、不活性ガスが、得られた混合物の約０．０１％ｖ／ｖ～約９９．９％ｖ／ｖを構成するように、チャンバーへの導入の前に混合されてもよい。代わりに、不活性ガスは連続的にチャンバーに導入され得るが、エッチングガスは断続的にチャンバーに導入される。
開示されたエッチングガスの蒸気および不活性ガスをプラズマによって活性化し、活性化エッチングガスを生成する。プラズマによってエッチングガスはラジカル型（すなわち、活性化エッチングガス）へと分解する。プラズマは、ＲＦまたはＤＣ電力を適用することによって発生させてもよい。プラズマは、約２５Ｗ～約１０，０００Ｗの範囲のＲＦ電力によって発生させてもよい。プラズマは、遠位で、または反応器自体の中で発生させてもよい。プラズマは、両電極において適用されたＲＦによって、デュアルＣＣＰまたはＩＣＰモードで発生させてもよい。プラズマのＲＦ周波数は、２００ＫＨｚ～１ＧＨｚの範囲であり得る。異なる周波数における異なるＲＦ源を組み合わせて、そして同一電極において適用されてもよい。分子断片化および基材における反応を制御するため、さらにプラズマＲＦパルスを使用してもよい。当業者は、そのようなプラズマ処理のために適切な方法および装置を認識するであろう。
四重極質量分析装置（ＱＭＳ）、光学発光分光器、ＦＴＩＲまたは他のラジカル／イオン測定ツールによって、生成した種の種類および数を決定するために、チャンバー排出物からの活性化エッチングガスを測定してもよい。必要であれば、エッチングガスおよび／または不活性ガスのフロー速度は、発生したラジカル種の数を増加または減少させるように調整されてもよい。
開示されたエッチングガスは、反応チャンバー中への導入の前、または反応チャンバー中のいずれかで、他のガスと混合されてもよい。好ましくは、ガスは、混入ガスの均一な濃度を提供するために、チャンバーへの導入の前に混合されてよい。
別の選択肢において、ヨウ素含有化合物の蒸気は、２種以上のガスが反応するかまたは独立して送達するのがより容易である場合など、他のガスから独立してチャンバー中に導入されてよい。
別の選択肢において、エッチングガスおよび不活性ガスは、エッチングプロセスの間に使用される２種のみのガスである。
模範的な他のガスとしては、限定されないが、Ｏ２、Ｏ３、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２およびそれらの組合せなどの酸化剤が含まれる。開示されたエッチングガスおよび酸化剤は、反応チャンバー中に導入される前に一緒に混合されてもよい。
代わりに、酸化剤は連続的にチャンバーに導入され得、かつエッチングガスは断続的にチャンバーに導入される。酸化剤は、チャンバー中に導入される混合物の約０．０１％ｖ／ｖ～約９９．９９％ｖ／ｖを構成してもよい（９９．９９％ｖ／ｖは、連続導入の選択肢に関して、ほぼ純粋な酸化剤の導入を表す）。
開示されたヨウ素含有エッチング化合物が使用され得る他の模範的なガスとしては、ｃＣ４Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、ＣＦ４、ＣＨ３Ｆ、ＣＦ３Ｈ、ＣＨ２Ｆ２、ＣＯＳ、ＣＳ２、ＣＦ３Ｉ、Ｃ２Ｆ３Ｉ、Ｃ２Ｆ５Ｉ、ＳＯ２、トランス－１，１，１，４，４，４－ヘキサフルオロ－２－ブテン（ｔｒａｎｓ－Ｃ４Ｈ２Ｆ６）、シス－１，１，１，４，４，４－ヘキサフルオロ－２－ブテン（ｃｉｓ－Ｃ４Ｈ２Ｆ６）、ヘキサフルオロイソブテン（Ｃ４Ｈ２Ｆ６）、トランス－１，１，２，２，３，４－ヘキサフルオロシクロブタン（ｔｒａｎｓ－Ｃ４Ｈ２Ｆ６）、１，１，２，２，３－ペンタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｈ３Ｆ５）、１，１，２，２－テトラフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｈ４Ｆ４）またはシス－１，１，２，２，３，４－ヘキサフルオロシクロブタン（ｃｉｓ－Ｃ４Ｈ２Ｆ６）が含まれる。例えば、約１％ｖ／ｖ～約２５％ｖ／ｖの開示されたヨウ素含有エッチング化合物が使用され得、残りはＣ４Ｆ６またはｃＣ４Ｆ８である。以下の実施例に示されるように、開示されたヨウ素含有エッチング化合物と従来のエッチングガスとの組合せによって、基材と、開示されたヨウ素含有エッチング化合物と関連してエッチングされる層との間のより高い選択性を維持しながら、増加したエッチング速度をもたらし得る。
開示されたヨウ素含有エッチング化合物の蒸気およびエッチングガスは、反応チャンバーへの導入の前に混合されてもよい。追加のエッチングガスは、チャンバー中に導入される混合物の約０．０１％ｖ／ｖ～約９９．９９％ｖ／ｖを構成してもよい。
１つの非制限的な模範的なプラズマエッチングプロセスにおいて、１，１，３，３－テトラフルオロ－３－ヨード－１－プロペン（ＣＡＳ番号６７４－０３－３）の蒸気は、制御ガスフローデバイスを使用して、２００ｍｍデュアルＣＣＰプラズマエッチングツールへと導入される。制御ガスフローデバイスは、所望の分子の蒸気を送達するための不活性ガスフローによるマスフロー制御器またはバブラーデザインであり得る。高沸点分子の場合、Ｂｒｏｏｋｓ Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ（Ｎｏ．ＧＦ１２０ＸＳＤ）、ＭＫＳ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓなどからの特別な低圧損失マスフロー制御器が使用され得る。反応チャンバーの圧力は、約３０ｍＴｏｒｒに設定される。蒸気圧が十分である場合、ガス供給源の加熱は必要とされなくてもよい。２つのＣＣＰ電極間の距離は１．３５ｃｍに保持され、かつ上部電極ＲＦ電力は７５０Ｗに固定される。底部電極ＲＦ電力は、分子の性能を分析するために変更される。図１ａに示されるものと同様に、反応チャンバーは、その上にケイ素含有膜を有する基材を含有する。反射防止コーティング層１０８は、フッ化炭化水素（例えば、ＣＦ４およびＣＨ２Ｆ２）ならびに酸素含有ガス（例えば、Ｏ２）によってパターン化／エッチングされる。非晶質炭素マスク層は、酸素含有ガスによってパターン化／エッチングされる。ＳｉＯおよびＳｉＮ層１０４は、開示されたヨウ素含有エッチング化合物（例えば、１，１，３，３－テトラフルオロ－３－ヨード－１－プロペン）およびアルゴンのプラズマによってパターン化される。アルゴンは、独立して、２５０ｓｃｃｍフロー速度においてチャンバー中に導入される。１，１，３，３－テトラフルオロ－３－ヨード－１－プロペンは、独立して、１５ｓｃｃｍにおいてチャンバー中に導入される。Ｏ２は、独立して、チャンバー中に導入され、かつ最適エッチング条件を決定するために０ｓｃｃｍ～２０ｓｃｃｍで様々である。３０：１以上のアスペクト比を有するアパーチャーが作成され、それは垂直ＮＡＮＤ中のチャンネルホールとして使用され得る。類似の例は、図２および３ａに示されるような他のスタック層に関して使用されてもよい。
別の非限定的な模範的なプラズマエッチングプロセスにおいて、１，２－ジフルオロ－１－ヨード－エテンは、制御ガスフローデバイスを使用して、２００ｍｍデュアルＣＣＰプラズマエッチングツールへと導入される。制御ガスフローデバイスは、マスフロー制御器であり得る。高沸点分子の場合、Ｂｒｏｏｋｓ Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ（Ｎｏ．ＧＦ１２０ＸＳＤ）、ＭＫＳ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓなどからの特別な低圧損失マスフロー制御器が使用され得る。反応チャンバーの圧力は、約３０ｍＴｏｒｒに設定される。蒸気圧力が十分である場合、ガス供給源の加熱は必要とされなくてもよい。２つのＣＣＰ電極間の距離は１．３５ｃｍに保持され、かつ上部電極ＲＦ電力は７５０Ｗに固定される。底部電極ＲＦ電力は、１，２－ジフルオロ－１－ヨード－エテンの性能を分析するために変更される。反応チャンバーは、図２に示される層と同様に、その上にＳｉＯ厚層１０４ａを有する基材１００を含有する。このプロセスの前に、反射防止コーティング層１０８は、フッ化炭化水素（例えば、ＣＦ４）および酸素含有ガス（例えば、Ｏ２）によって除去され、そしてａ－Ｃマスク層１０６は酸素含有ガスによって除去される。アルゴンは、独立して、２５０ｓｃｃｍフロー速度においてチャンバー中に導入される。１，２－ジフルオロ－１－ヨード－エテンは、独立して、１５ｓｃｃｍにおいてチャンバー中に導入される。Ｏ２は、独立して、最適エッチング条件を決定するために０ｓｃｃｍ～２０ｓｃｃｍにおいてチャンバー中に導入される。１０：１以上のアスペクト比を有するアパーチャーが作成され、それはＤＲＡＭ中のコンタクトホールとして使用され得る。類似の例は、図１ａおよび３ａに示されるような他のスタック層に関して使用されてもよい。
ケイ素含有膜および活性化ヨウ素含有エッチングガスは反応して、反応チャンバーから除去される揮発性副産物を形成する。ａ－Ｃマスク、反射防止コーティングおよびフォトレジスト層は、活性化エッチングガスに対してそれほど反応性ではない。したがって、活性化エッチングガスはケイ素含有膜と選択的に反応し、揮発性副産物を形成する。
反応チャンバー中の温度および圧力は、ケイ素含有膜が活性化エッチングガスと反応するために適切な条件に保持される。例えば、チャンバー中の圧力は、エッチングパラメーターによる必要に応じて、約０．１ｍＴｏｒｒ～約１０００Ｔｏｒｒ、好ましくは、約１ｍＴｏｒｒ～約１０Ｔｏｒｒ、より好ましくは、約１０ｍＴｏｒｒ～約１Ｔｏｒｒ、より好ましくは、約１０ｍＴｏｒｒ～約１００ｍＴｏｒｒに保持され得る。同様に、チャンバー中の基材温度は、約－１９６℃～約５００℃、好ましくは、約－１２０℃～約３００℃、より好ましくは、約－１００℃～約５０℃、そしてより好ましくは、約－１０℃～約４０℃の範囲であり得る。チャンバー壁部温度は、プロセス必要条件次第で、約－１９６℃～約３００℃の範囲であり得る。
ケイ素含有膜と活性化エッチングガスとの間の反応は、基材からのケイ素含有膜の異方性除去をもたらす。窒素、酸素および／または炭素原子もケイ素含有膜に存在し得る。除去は、（プラズマによって促進された）プラズマイオンからのケイ素含有膜の物理的スパッタリングおよび／またはＳｉを、ｘが１～４の範囲であるＳｉＦｘなどの揮発性種に変換するためのプラズマ種の化学反応による。
開示されたヨウ素含有エッチング化合物のプラズマ活性化蒸気は、好ましくは、マスクに対して高い選択性を示し、かつＳｉＯおよびＳｉＮの交互層を通してエッチングが生じ、歪曲または粗さのない垂直エッチングプロフィールが得られる。これは３Ｄ ＮＡＮＤ適用に関して重要である。さらに、プラズマ活性化蒸気は、側壁上にポリマーを堆積させ、フィーチャプロフィール変形を最小化する。ＤＲＡＭおよび２Ｄ ＮＡＮＤなどの他の用途に関して、例えば、異なるプロセス条件下でのプラズマ活性化エッチングガスは、ＳｉＮから選択的にＳｉＯをエッチングし得る。プラズマ活性化エッチングガスは、ａ－Ｃ、フォトレジスト、ｐ－Ｓｉまたは炭化ケイ素などのマスク層から；あるいはＣｕなどの金属コンタクト層から；あるいはＳｉＧｅまたはポリケイ素領域からなるチャネル領域から、選択的にＳｉＯおよび／またはＳｉＮをエッチングし得る。
開示されたエッチングプロセスは、エッチングガスはケイ素含有膜中にチャネルホール、ゲートトレンチ、階段状コンタクト、コンデンサーホール、コンタクトホールなどを作成するため、開示されたヨウ素含有エッチング化合物を使用する。結果として生じるアパーチャーは、約１０：１～約２００：１の範囲のアスペクト比および約５ｎｍ～約５０ｎｍの範囲の直径を有し得る。例えば、当業者は、チャネルホールエッチングによって、６０：１より高いアスペクト比を有するケイ素含有膜中のアパーチャーが作成されることを認識するであろう。
プラズマエッチング条件下で半導体構造を作成するために、開示されたヨウ素含有エッチング化合物を使用する方法も開示される。開示された方法は、Ｓｉ含有膜をプラズマエッチングするためのヨウ素含有エッチング化合物の使用をもたらす。また、開示された方法は、基材中にアパーチャー、ホールまたはトレンチを形成しながら、パターン化されたフォトレジストマスク層またはパターン化されたハードマスク層へのダメージの抑制、パターン化されたフォトレジストマスク層またはパターン化されたハードマスク層の保護、あるいはパターン化されたフォトレジストマスク層またはパターン化されたハードマスク層へのダメージの最小化、あるいはパターン化されたフォトレジストマスク層またはパターン化されたハードマスク層の強化をもたらす。開示された方法は、３Ｄ ＮＡＮＤおよびＤＡＲＭ用途などの半導体の製造において有用である。
パターン化された構造を形成するための開示された方法は、ＣＦ２Ｉ２、Ｃ２Ｆ３Ｉ、Ｃ２Ｈ２ＦＩ、Ｃ２Ｈ３Ｆ２Ｉ、Ｃ２Ｈ４ＦＩ、Ｃ２Ｆ４Ｉ２、Ｃ３Ｆ５Ｉ、Ｃ３ＨＦ４Ｉ、Ｃ３Ｈ２Ｆ３Ｉ、Ｃ３ＨＦ６Ｉ、Ｃ３Ｈ２Ｆ５Ｉ、Ｃ３Ｈ３Ｆ４Ｉ、Ｃ３Ｈ４Ｆ３Ｉ、Ｃ３ＨＦ４Ｉ、Ｃ３Ｈ２Ｆ３Ｉ、Ｃ３Ｈ２Ｆ５Ｉ、Ｃ３Ｈ３Ｆ４ＩおよびＣ３Ｈ４Ｆ３Ｉからなる群から選択されるヨウ素含有エッチング化合物の蒸気を、基材上にケイ素含有膜を含有する反応チャンバー中に導入することと；反応チャンバー中に不活性ガスを導入することと；プラズマを活性化して、基材からケイ素含有膜をエッチングすることが可能である活性化ヨウ素含有エッチング化合物を生成し、パターン化された構造を形成することとを含む。
基材中にビアまたはトレンチを形成しながら、パターン化されたマスク層に対するダメージを最小化するための開示された方法は、Ｃ２Ｈ２ＦＩ、Ｃ２Ｈ３Ｆ２ＩまたはＣ２Ｈ４ＦＩからなる群から選択されるヨウ素含有エッチング化合物の蒸気を、その上に配置されたケイ素含有膜およびケイ素含有層上に配置されたパターン化されたマスク層を有する基材を含有する反応チャンバー中に導入することと；反応チャンバー中に不活性ガスを導入することと；活性化ヨウ素含有エッチング化合物を形成するためのプラズマを活性化させることによって、基材からケイ素含有膜をエッチングして、ビアまたはトレンチを形成することとを含む。
基材中にビアまたはトレンチを形成しながら、パターン化されたマスク層を強化するための開示された方法は、Ｃ２Ｈ２ＦＩ、Ｃ２Ｈ３Ｆ２ＩまたはＣ２Ｈ４ＦＩからなる群から選択されるヨウ素含有エッチング化合物の蒸気を、その上に配置されたケイ素含有膜およびケイ素含有層上に配置されたパターン化されたマスク層を有する基材を含有する反応チャンバー中に導入することと；反応チャンバー中に不活性ガスを導入することと；活性化ヨウ素含有エッチング化合物を形成するためにプラズマを活性化させることによって、基材からケイ素含有膜をエッチングして、ビアまたはトレンチを形成しながら、ヨウ素含有エッチング化合物からパターン化されたマスクへとＩイオンを注入することとを含む。
エッチングされる必要のある典型的な材料は、ＳｉＯであり得る。ＳｉＯのエッチングプロセスは、ボロホスホシリケートガラス（ＢＰＳＧ）、テトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）または低堆積速度ＴＥＯＳ（ＬＤＴＥＯＳ）にトレンチをエッチングすることに関連し得る。エッチング停止層は、窒化ケイ素または窒化ケイ素酸素（ＳｉＯＮ）またはポリケイ素であり得る。使用されたマスク材料は、ａ－Ｃ、ｐ－Ｓｉまたはフォトレジスト材料であり得る。本明細書中、開示されたヨウ素含有エッチング化合物は、ＳｉＯ、ＳｉＮ、ｐ－Ｓｉおよび／またはａ－Ｃ基材膜をエッチングするために使用される。
次の非限定的な実施例は、本発明の実施形態をさらに例示するために提供される。しかしながら、実施例は包括的であるように意図されず、かつ本明細書に記載される本発明の範囲を制限するように意図されない。
実施例１
いくつかの開示されたヨウ素含有エッチングガスの電子衝突イオン化を調査するために、質量分析装置が使用されてよい。この試験に関して、エッチングガスを質量分析装置チャンバーを通して流れさせ、かつ四重極質量分析装置（Ｈｉｄｅｎ Ａｎａｌｙｔｉｃａｌ Ｉｎｃ．）検出器を使用して、電子エネルギーの関数としてのエッチングガスからのフラグメントを調査する。以下の図面中、ｘ軸は０～１００ｅＶの電子エネルギーを表し、そしてｙ軸はフラグメントの種のＴｏｒｒでの分圧を表す。
図４は、ＣＦ３Ｉ（ＣＡＳ番号２３１４－９７－８）の種濃度（Ｔｏｒｒ）に対する電子衝突イオン化エネルギー（ｅＶ）を示すグラフである。１０～２０ｅＶで生じた支配的フラグメントまたはイオン化生成物は、ＣＦ３、ＩおよびＣＦ３Ｉである。
図５は、Ｃ２Ｆ３Ｉ（ＣＡＳ番号３５９－３７－５）の種濃度（Ｔｏｒｒ）に対する電子衝突イオン化エネルギー（ｅＶ）を示すグラフである。１０～２０ｅＶで生じた支配的フラグメントは、ＣＦＩ、ＣＦおよびＩである。
図６は、Ｃ２Ｆ５Ｉ（ＣＡＳ番号３５４－６４－３）の種濃度（Ｔｏｒｒ）に対する電子衝突イオン化エネルギー（ｅＶ）を示すグラフである。１０～２０ｅＶで生じた支配的フラグメントまたはイオン化生成物は、Ｃ２Ｆ５、Ｃ２Ｆ５Ｉ、ＣＦ３およびＩである。
図７は、Ｃ２ＨＦ４Ｉ（ＣＡＳ番号３５４－４１－６）の種濃度（Ｔｏｒｒ）に対する電子衝突イオン化エネルギー（ｅＶ）を示すグラフである。１０～２０ｅＶで生じた支配的フラグメントは、Ｃ２ＨＦ４、ＣＨＦ２、Ｃ２ＨＦ３およびＩである。
図８は、Ｃ３Ｆ５Ｉ（ＣＡＳ番号４３１－６５－２）の種濃度（Ｔｏｒｒ）に対する電子衝突イオン化エネルギー（ｅＶ）を示すグラフである。１０～２０ｅＶで生じた支配的フラグメントは、Ｃ３Ｆ５、ＣＦ３およびＩである。
図９は、Ｃ３Ｆ７Ｉ（ＣＡＳ番号７５４－３４－７）の種濃度（Ｔｏｒｒ）に対する電子衝突イオン化エネルギー（ｅＶ）を示すグラフである。１０～２０ｅＶで生じた支配的フラグメントは、ＣＦ３、Ｃ３Ｆ７およびＩである。
比較例
開示されたヨウ素含有エッチング化合物のいくつかの非ヨウ素含有類似体をＱＭＳに注入し、そして１０～１００ｅＶでデータを回収した。
図１０は、Ｃ２Ｆ６（ＣＡＳ番号７６－１６－４）の種濃度（Ｔｏｒｒ）に対する電子衝突イオン化エネルギー（ｅＶ）を示すグラフである。１０～２０ｅＶで生じた支配的フラグメントは、ＣＦ３、Ｃ３Ｆ７およびＩである。
図１１は、Ｃ３Ｆ８（ＣＡＳ番号７６－１９－７）の種濃度（Ｔｏｒｒ）に対する電子衝突イオン化エネルギー（ｅＶ）を示すグラフである。
図１０～１１の支配的ＣＦ３種は、図５～９の類似のＣ２およびＣ３化合物の支配的種を生じるために必要とされるイオン化エネルギーと比較して、より高いイオン化エネルギーにおいて活性化する。出願人らは、より低いエネルギーにおいて開示されたヨウ素含有エッチング化合物を解離する能力は、エッチングの種の増加した解離をもたらし、ならびにエッチングプロセスのために必要とされるプラズマエネルギーはより低いと考える。
実施例２
本実施例において、エッチング実験は、Ｌａｍ ４５２０ＸＬｅ ２００ｍｍ Ｄｕａｌ ＣＣＰエッチャーを使用して、ＳｉＯ、ＳｉＮ、ｐ－Ｓｉおよびａ－Ｃを含む４種の異なる基材材料を有する、４つの１×１ｃｍ２クーポン上で実行された。堆積および／またはエッチング速度は、エッチング時間の関数としてのエッチングの厚さの変化を測定することによって、偏光解析装置および／または走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を使用して測定される。クーポンを直径２００ｍｍのキャリアウエハ上に配置し、そして２ｓｐｉ製造業者から入手した二重側面炭素テープを使用することによって、接触するように保持される。代わりに、熱ペーストを使用して、クーポンをキャリアウエハ上に積み重ねることが可能である。
１×１ｃｍ２のＳｉクーポン上で、３０ｍＴｏｒｒおよび７５０Ｗ（２７ＭＨｚ）の電源において、基材上にバイアス電力を用いずに堆積試験を実行した。プロセス供給混合物は、２５０ｓｃｃｍのＡｒおよび１５ｓｃｃｍのエッチングガスを含有する。次いで、基材上に形成された重合膜の種類を調査するために、堆積試験試料をＸ線光電子分光分析（ＸＰＳ）分析用に送達する。
３０ｍＴｏｒｒ、７５０Ｗ（２７ＭＨｚ）の電源および１５００Ｗ（２ＭＨｚ）のバイアス電力においてエッチング試験も実行した。供給混合物は、２５０ｓｃｃｍのＡｒ、１５ｓｃｃｍのエッチングガスを含有し、Ｏ２は０～１５ｓｃｃｍの範囲で変動する。
図１２は、堆積およびエッチング試験において適用される模範的な反応器システムの模範的な側面図である。示されるように、反応器８００は、反応器チャンバー８０２を含む。反応器チャンバー８０２の内部において、底部電極８０４の上部に付着されたウエハ８０６が反応器チャンバー８０２の底部部分に配置されてよく、かつケイ素上部電極シャワーヘッド８０８が反応器チャンバー８０２の上部部分に配置されてよい。底部電極８０４は、それに対して適用されたバイアス電力を有する静電チャックであり得る。例えば、２ＭＨｚ ＲＦバイアス電力が底部電極８０４に適用され得る。ウエハ８０６は、エッチングされる必要のある複数層を有し得る。ケイ素上部電極シャワーヘッド８０８は、シャワーヘッド中に複数のホール８１０を有し、それを通してガスが通過する。ガスは、ガス入口８１２を通して反応器チャンバー８０２に導入され得、次いで、均一なガス分布のためにシャワーヘッド８０８中のホール８１０を通して通過する。電源は、ケイ素上部電極シャワーヘッド８０８に適用され得る。例えば、２７ＭＨｚ ＲＦ電源がケイ素上部電極シャワーヘッド８０８に適用され得る。ケイ素上部電極シャワーヘッド８０８および底部電極８０４の間がプラズマ領域である。シャワーヘッド８０８中のホール８１０を通して通過するガスは、プラズマ領域においてイオン化され得、次いで、ウエハ８０６上でエッチングを実行する。ガスは、出口８１４から反応器チャンバー８０２の外にガスをポンプ送出することによって除去され得る。
図１３は、ＣＦ３ＩおよびＯ２によるＳｉＯ、ＳｉＮ、ｐ－Ｓｉおよびａ－Ｃのエッチング速度を示すグラフである。図１３中、ｙ軸はエッチング速度を表し；ｘ軸は、ｓｃｃｍにおけるＯ２フロー速度であり；Ｏ２フロー速度は０～２０ｓｃｃｍで変動するが、ＣＦ３Ｉフロー速度は１５ｓｃｃｍで固定される。
図１４は、Ｃ２Ｆ３ＩおよびＯ２によるＳｉＯ、ＳｉＮ、ｐ－Ｓｉおよびａ－Ｃのエッチング速度を示すグラフである。図１４中、正のｙ軸はエッチング速度を表すが、負のｙ軸は堆積速度を表し；ｘ軸は、ｓｃｃｍにおけるＯ２フロー速度であり；Ｏ２フロー速度は０～１０ｓｃｃｍで変動するが、Ｃ２Ｆ３Ｉフロー速度は１５ｓｃｃｍで固定される。
図１５は、Ｃ２Ｆ５ＩおよびＯ２によるＳｉＯ、ＳｉＮ、ｐ－Ｓｉおよびａ－Ｃのエッチング速度を示すグラフである。図１５中、ｙ軸はエッチング速度を表し；ｘ軸は、ｓｃｃｍにおけるＯ２フロー速度であり；Ｏ２フロー速度は０～２０ｓｃｃｍで変動するが、Ｃ２Ｆ５Ｉフロー速度は１５ｓｃｃｍで固定される。
図１６は、Ｃ２ＨＦ４ＩおよびＯ２によるＳｉＯ、ＳｉＮ、ｐ－Ｓｉおよびａ－Ｃのエッチング速度を示すグラフである。図１６中、正のｙ軸はエッチング速度を表すが、負のｙ軸は堆積速度を表し；ｘ軸は、ｓｃｃｍにおけるＯ２フロー速度であり；Ｏ２フロー速度は０～１５ｓｃｃｍで変動するが、Ｃ２ＨＦ４Ｉフロー速度は１５ｓｃｃｍで固定される。
図１７は、Ｃ３Ｆ５ＩおよびＯ２によるＳｉＯ、ＳｉＮ、ｐ－Ｓｉおよびａ－Ｃのエッチング速度を示すグラフである。図１７中、正のｙ軸はエッチング速度を表すが、負のｙ軸は堆積速度を表し；ｘ軸は、ｓｃｃｍにおけるＯ２フロー速度であり；Ｏ２フロー速度は０～１５ｓｃｃｍで変動するが、Ｃ３Ｆ５Ｉフロー速度は１５ｓｃｃｍで固定される。
図１８は、Ｃ３Ｆ７ＩおよびＯ２によるＳｉＯ、ＳｉＮ、ｐ－Ｓｉおよびａ－Ｃのエッチング速度を示すグラフである。図１８中、ｙ軸はエッチング速度を表し；ｘ軸は、ｓｃｃｍにおけるＯ２フロー速度であり；Ｏ２フロー速度は０～２０ｓｃｃｍで変動するが、Ｃ３Ｆ７Ｉフロー速度は１５ｓｃｃｍで固定される。
ヨウ素の添加によって、Ｃ－Ｉのより弱い結合による断片化の増加が生じる。表面に衝撃を与えるＩイオンのより低いイオン化閾値は、非晶質炭素（ａ－Ｃ）またはポリケイ素（ポリ－Ｓｉ）に対する酸化物のエッチングに関する選択性の増加をもたらす。図１４、１６および１７は、Ｈまたは不飽和を有するガスの重合からであり、かつａ－Ｃ、ポリＳｉおよびＳｉＮに対する酸化物のエッチングに関する堆積および無限の選択性を示す。図１３、１５および１８の飽和分子は、堆積を示さず、したがって、無限の選択性を有さないが、非ヨウ素含有エッチングガスより高い選択性を示す。
実施例３
ｃＣ４Ｆ８の性能に相当するＳｉＯのエッチング速度を強化するために、２５０ｓｃｃｍのＡｒおよび１５ｓｃｃｍのＣ２Ｆ３Ｉのエッチングガス混合物にＣＦ４を添加する。
図１９は、Ｃ２Ｆ３ＩおよびＣＦ４によるＳｉＯ、ＳｉＮ、ｐ－Ｓｉおよびａ－Ｃのエッチング速度を示すグラフである。図１９中、ｙ軸はエッチング速度を表し；ｘ軸は、ｓｃｃｍにおけるＣＦ４フローである。Ｃ２Ｆ３Ｉフロー速度は１５ｓｃｃｍで固定され、かつＣＦ４フロー速度は１０～１５ｓｃｃｍで変動する。
図１９は、プロセスガス混合物にＣＦ４を添加することによって、ＳｉＯのエッチング速度が、ｐ－Ｓｉおよびａ－Ｃに対する良好な選択性を維持しながら、最高約５００ｎｍ／分まで増加したことを示す。ＣｘＦ２ｘ＋２（ｘ＝１～５）、ＣｘＦ２ｘ（ｘ＝３～５）、ＣｘＦ２ｘ－２（ｘ＝４～５）などの添加剤は、酸化物エッチング速度を強化するために混合物に添加されてもよい。
図１４と比較して、酸素の代わりにＣＦ４を使用することによって、スループットのために重要なＳｉＯ２エッチング速度も増加させながら、ａ－Ｃに対する選択性を改善する。
要約すると、ヨウ素含有エッチング化合物によるＳｉＯ、ＳｉＮ、ｐ－Ｓｉおよびａ－Ｃ膜の乾式エッチングの評価は、ヨウ素含有ＨＦＣが、従来技術のフッ化炭化水素よりも最も高い（無限までの）窒化ケイ素およびｐ－Ｓｉに対する酸化ケイ素の選択性をもたらすことを示す。高い選択性の理由は、基材上の保護ポリマー膜の形成をもたらすエッチングガスのプラズマ解離の間の少ないＦ／Ｃヨウ素含有フラグメントの形成によるものであり得る。さらに、ヨウ素はイオン化され、そしてＡｒ、ＫｒおよびＸｅなどの不活性ガスに類似の重質Ｉイオンによって表面に衝撃を与える。本明細書に提示されたエッチングガスの結果は、それらが単にコンタクトエッチングプロセスのために用意されるのみならず、低誘電率エッチングプロセスを含む、ケイ素または金属含有基材上での他のエッチングプロセスに有益であり得ることを示す。
本発明の実施形態が示されて、説明されているが、本発明の精神および教示から逸脱することなく、当業者によって修正され得る。本明細書に記載の実施形態は、単に模範的なものであり、限定するものではない。組成物および方法の多くの変形および修正は可能であり、かつそれらは本発明の範囲内である。したがって、保護の範囲は、本明細書に記載された実施形態に限定されないが、請求の範囲の対象の全ての同等物を含む請求の範囲によってのみ限定される。

Claims (14)

  1. パターン化された構造を形成する方法であって、
    Ｃ２Ｈ２ＦＩ、Ｃ２Ｈ３Ｆ２Ｉ、Ｃ２Ｈ４ＦＩ、Ｃ３ＨＦ４Ｉ、Ｃ３Ｈ２Ｆ３Ｉ、Ｃ３ＨＦ６Ｉ、Ｃ３Ｈ２Ｆ５Ｉ、Ｃ３Ｈ３Ｆ４ＩおよびＣ３Ｈ４Ｆ３Ｉからなる群から選択されるヨウ素含有エッチング化合物の蒸気を、基材上にケイ素含有膜を含有する反応チャンバー中に導入することと；
    前記反応チャンバー中に不活性ガスを導入することと；
    プラズマを活性化して、前記基材から前記ケイ素含有膜をエッチングすることが可能である活性化ヨウ素含有エッチング化合物を生成し、前記パターン化された構造を形成することと
    を含む方法。
  2. 揮発性副産物を前記反応チャンバーから除去することをさらに含み、前記活性化ヨウ素含有エッチング化合物が前記ケイ素含有膜と反応して、前記揮発性副産物が形成される、請求項１に記載の方法。
  3. 前記反応チャンバー中に酸化剤を導入することをさらに含み、請求項２に記載の方法。
  4. 前記酸化剤が、Ｏ２、Ｏ３、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２およびそれらの組合せからなる群から選択される、請求項３に記載の方法。
  5. 前記反応チャンバー中にエッチングガスを導入することをさらに含み、請求項２に記載の方法。
  6. 前記エッチングガスが、ｃＣ４Ｆ８、ｃＣ５Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、ＣＦ４、ＣＨ３Ｆ、ＣＦ３Ｈ、ＣＨ２Ｆ２、ＣＯＳ、Ｆ－Ｃ≡Ｎ、ＣＳ２、ＳＯ２、トランス－１，１，１，４，４，４－ヘキサフルオロ－２－ブテン（ｔｒａｎｓ－Ｃ４Ｈ２Ｆ６）、シス－１，１，１，４，４，４－ヘキサフルオロ－２－ブテン（ｃｉｓ－Ｃ４Ｈ２Ｆ６）、ヘキサフルオロ
    イソブテン（Ｃ４Ｈ２Ｆ６）、トランス－１，１，２，２，３，４－ヘキサフルオロシクロブタン（ｔｒａｎｓ－Ｃ４Ｈ２Ｆ６）、１，１，２，２，３－ペンタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｈ３Ｆ５）、１，１，２，２－テトラフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｈ４Ｆ４）およびシス－１，１，２，２，３，４－ヘキサフルオロシクロブタン（ｃｉｓ－Ｃ４Ｈ２Ｆ６）からなる群から選択される、請求項５に記載の方法。
  7. 前記不活性ガスが、Ｈｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ、Ｎｅ、Ｎ２またはそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
  8. 前記ケイ素含有膜が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリケイ素、結晶質ケイ素の層、低誘電率ＳｉＣＯＨ、ＳｉＯＣＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉａＯｂＨｃＣｄＮｅ（式中、ａ＞０；ｂ、ｃ、ｄおよびｅ≧０である）またはそれらの組合せを含む、請求項１に記載の方法。
  9. 前記ケイ素含有膜が、非晶質炭素層またはフォトレジスト層から選択的にエッチングされる、請求項１～８のいずれか一項に記載の方法。
  10. 前記酸化ケイ素の層が、窒化ケイ素、ポリケイ素または非晶質炭素層から選択的にエッチングされる、請求項８に記載の方法。
  11. 前記ケイ素含有膜中に約１０：１～約２００：１のアスペクト比を有するアパーチャーを作成する、請求項１～８のいずれか一項に記載の方法。
  12. 基材中にビアまたはトレンチを形成しながら、パターン化されたマスク層に対するダメージを最小化する方法であって、
    Ｃ２Ｈ２ＦＩ、Ｃ２Ｈ３Ｆ２ＩまたはＣ２Ｈ４ＦＩからなる群から選択されるヨウ素含有エッチング化合物の蒸気を、その上に配置されたケイ素含有膜および前記ケイ素含有膜上に配置されたパターン化されたマスク層を有する基材を含有する反応チャンバー中に導入することと；
    前記反応チャンバー中に不活性ガスを導入することと；
    活性化ヨウ素含有エッチング化合物を形成するためのプラズマを活性化させることによって、前記基材から前記ケイ素含有膜をエッチングして、前記ビアまたはトレンチを形成することと
    を含む方法。
  13. 前記活性化ヨウ素含有エッチング化合物が、前記パターン化されたマスク層を強化するヨウ素イオンを生成する、請求項１２に記載の方法。
  14. 基材中にビアまたはトレンチを形成しながら、パターン化されたマスク層を強化する方法であって、
    Ｃ２Ｈ２ＦＩ、Ｃ２Ｈ３Ｆ２ＩまたはＣ２Ｈ４ＦＩからなる群から選択されるヨウ素含有エッチング化合物の蒸気を、その上に配置されたケイ素含有膜および前記ケイ素含有膜上に配置されたパターン化されたマスク層を有する基材を含有する反応チャンバー中に導入することと；
    前記反応チャンバー中に不活性ガスを導入することと；
    活性化ヨウ素含有エッチング化合物を形成するためにプラズマを活性化させることによって、前記基材から前記ケイ素含有膜をエッチングして、前記ビアまたはトレンチを形成しながら、前記ヨウ素含有エッチング化合物から前記パターン化されたマスクへとＩイオンを注入することと
    を含む方法。
JP2019536103A 2016-12-30 2017-12-29 半導体構造エッチング用ヨウ素含有化合物 Active JP7227135B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023018581A JP7470834B2 (ja) 2016-12-30 2023-02-09 半導体構造エッチング用ヨウ素含有化合物

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/396,220 2016-12-30
US15/396,220 US10607850B2 (en) 2016-12-30 2016-12-30 Iodine-containing compounds for etching semiconductor structures
PCT/US2017/069085 WO2018126206A1 (en) 2016-12-30 2017-12-29 Iodine-containing compounds for etching semiconductor structures

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023018581A Division JP7470834B2 (ja) 2016-12-30 2023-02-09 半導体構造エッチング用ヨウ素含有化合物

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2020515047A JP2020515047A (ja) 2020-05-21
JP2020515047A5 JP2020515047A5 (ja) 2021-02-12
JP7227135B2 true JP7227135B2 (ja) 2023-02-21

Family

ID=59066602

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019536103A Active JP7227135B2 (ja) 2016-12-30 2017-12-29 半導体構造エッチング用ヨウ素含有化合物
JP2023018581A Active JP7470834B2 (ja) 2016-12-30 2023-02-09 半導体構造エッチング用ヨウ素含有化合物

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023018581A Active JP7470834B2 (ja) 2016-12-30 2023-02-09 半導体構造エッチング用ヨウ素含有化合物

Country Status (7)

Country Link
US (2) US10607850B2 (ja)
EP (1) EP3563406B1 (ja)
JP (2) JP7227135B2 (ja)
KR (2) KR102626466B1 (ja)
CN (2) CN110178206B (ja)
TW (2) TWI887536B (ja)
WO (1) WO2018126206A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023053121A (ja) * 2016-12-30 2023-04-12 レール・リキード－ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 半導体構造エッチング用ヨウ素含有化合物

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180277387A1 (en) * 2014-08-06 2018-09-27 American Air Liquide, Inc. Gases for low damage selective silicon nitride etching
US10446681B2 (en) 2017-07-10 2019-10-15 Micron Technology, Inc. NAND memory arrays, and devices comprising semiconductor channel material and nitrogen
US10276398B2 (en) * 2017-08-02 2019-04-30 Lam Research Corporation High aspect ratio selective lateral etch using cyclic passivation and etching
DE102017128070B4 (de) * 2017-08-31 2023-08-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Ätzen zum Verringern von Bahnunregelmässigkeiten
JP6883495B2 (ja) * 2017-09-04 2021-06-09 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP2019050305A (ja) * 2017-09-11 2019-03-28 東芝メモリ株式会社 プラズマエッチング方法、及び、半導体装置の製造方法
US10297611B1 (en) 2017-12-27 2019-05-21 Micron Technology, Inc. Transistors and arrays of elevationally-extending strings of memory cells
US10559466B2 (en) 2017-12-27 2020-02-11 Micron Technology, Inc. Methods of forming a channel region of a transistor and methods used in forming a memory array
US10529581B2 (en) 2017-12-29 2020-01-07 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude SiN selective etch to SiO2 with non-plasma dry process for 3D NAND device applications
KR102272823B1 (ko) * 2018-07-30 2021-07-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 방법 및 에칭 장치
JP7209567B2 (ja) * 2018-07-30 2023-01-20 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法およびエッチング装置
IL283831B2 (en) * 2018-12-21 2025-07-01 Showa Denko Kk Halogen fluoride etching method and semiconductor manufacturing method
US11145504B2 (en) * 2019-01-14 2021-10-12 Applied Materials, Inc. Method of forming film stacks with reduced defects
KR20210114509A (ko) * 2019-01-23 2021-09-23 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 드라이 에칭 방법, 드라이 에칭제, 및 그 보존 용기
US10629451B1 (en) * 2019-02-01 2020-04-21 American Air Liquide, Inc. Method to improve profile control during selective etching of silicon nitride spacers
US10978473B2 (en) * 2019-02-12 2021-04-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Flash memory structure and method of forming the same
CN113614891A (zh) * 2019-03-22 2021-11-05 中央硝子株式会社 干蚀刻方法及半导体装置的制造方法
JP7604145B2 (ja) * 2019-11-25 2024-12-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及びプラズマ処理装置
US11521846B2 (en) 2019-12-16 2022-12-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Methods for patterning a silicon oxide-silicon nitride-silicon oxide stack and structures formed by the same
KR102664702B1 (ko) * 2020-02-14 2024-05-09 한양대학교 산학협력단 식각 선택비의 조절에 의한 미세패턴의 형성방법
FR3107280B1 (fr) * 2020-02-19 2023-01-13 Arkema France Composition comprenant un composé iodofluorocarbure
JP2021163839A (ja) * 2020-03-31 2021-10-11 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びプラズマ処理装置
US11798811B2 (en) * 2020-06-26 2023-10-24 American Air Liquide, Inc. Iodine-containing fluorocarbon and hydrofluorocarbon compounds for etching semiconductor structures
WO2022080267A1 (ja) * 2020-10-15 2022-04-21 昭和電工株式会社 エッチングガス、エッチング方法、及び半導体素子の製造方法
US12106971B2 (en) * 2020-12-28 2024-10-01 American Air Liquide, Inc. High conductive passivation layers and method of forming the same during high aspect ratio plasma etching
US11538919B2 (en) 2021-02-23 2022-12-27 Micron Technology, Inc. Transistors and arrays of elevationally-extending strings of memory cells
KR20220122260A (ko) * 2021-02-26 2022-09-02 에스케이스페셜티 주식회사 실리콘 함유막의 다중 적층체의 식각 방법 및 이를 포함하는 반도체 디바이스의 제조방법
KR20220126045A (ko) * 2021-03-08 2022-09-15 에스케이스페셜티 주식회사 실리콘 함유막의 다중 적층체의 식각 방법 및 이를 포함하는 반도체 디바이스의 제조방법
US20220293430A1 (en) * 2021-03-12 2022-09-15 Applied Materials, Inc. Isotropic silicon nitride removal
JP7638119B2 (ja) * 2021-03-15 2025-03-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN114023879B (zh) * 2021-10-20 2025-02-11 上海华虹宏力半导体制造有限公司 表面粗糙的多晶硅结构的刻蚀方法
US12272562B2 (en) * 2021-12-17 2025-04-08 L'Aire Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Oxygen and iodine-containing hydrofluorocarbon compound for etching semiconductor structures
US12188123B2 (en) * 2021-12-17 2025-01-07 American Air Liquide, Inc. Deposition of iodine-containing carbon films
KR20250070060A (ko) * 2022-09-13 2025-05-20 램 리써치 코포레이션 Hf 가스를 사용하여 피처를 에칭하기 위한 방법
JP2025530844A (ja) * 2022-09-13 2025-09-17 ラム リサーチ コーポレーション スタック内にフィーチャをエッチングするための方法
WO2025117301A1 (en) * 2023-11-27 2025-06-05 Lam Research Corporation SELECTIVE ETCH OF STACK USING A HYDROGEN CONTAINING COMPONENT AND AT LEAST ONE OF SeF6, AND IF7 AND TeF6

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002021586A1 (en) 2000-09-07 2002-03-14 Daikin Industries, Ltd. Dry etching gas and method for dry etching
JP2008252139A (ja) 2008-07-14 2008-10-16 Philtech Inc 層間絶縁膜のドライエッチング方法
US20090176375A1 (en) 2008-01-04 2009-07-09 Benson Russell A Method of Etching a High Aspect Ratio Contact
US20110059617A1 (en) 2009-09-10 2011-03-10 Matheson Tri-Gas, Inc. High aspect ratio silicon oxide etch
JP2013055336A (ja) 2011-09-01 2013-03-21 Tel Epion Inc 複合材料の目標エッチングプロセス特性を達成するためのガスクラスタイオンビームエッチングプロセス
JP2015533029A (ja) 2012-10-30 2015-11-16 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 高アスペクト比酸化物エッチング用のフルオロカーボン分子

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3371143B2 (ja) * 1991-06-03 2003-01-27 ソニー株式会社 ドライエッチング方法
EP0854502A3 (en) * 1997-01-21 1998-09-02 Texas Instruments Incorporated Iodofluorocarbon gas for the etching of dielectric layers and the cleaning of process chambers
JPH10223614A (ja) 1997-02-12 1998-08-21 Daikin Ind Ltd エッチングガスおよびクリーニングガス
JP3559691B2 (ja) * 1997-09-04 2004-09-02 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
US6387287B1 (en) 1998-03-27 2002-05-14 Applied Materials, Inc. Process for etching oxide using a hexafluorobutadiene and manifesting a wide process window
JP3570903B2 (ja) 1998-09-25 2004-09-29 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JP4186045B2 (ja) 2000-11-08 2008-11-26 ダイキン工業株式会社 ドライエッチングガスおよびドライエッチング方法
JP2002319574A (ja) * 2001-04-23 2002-10-31 Nec Corp 窒化シリコン膜の除去方法
US6921725B2 (en) * 2001-06-28 2005-07-26 Micron Technology, Inc. Etching of high aspect ratio structures
US7547635B2 (en) * 2002-06-14 2009-06-16 Lam Research Corporation Process for etching dielectric films with improved resist and/or etch profile characteristics
WO2004067152A1 (en) * 2003-01-29 2004-08-12 Showa Denko K. K. Process for decomposing fluorine compounds
US20050241671A1 (en) * 2004-04-29 2005-11-03 Dong Chun C Method for removing a substance from a substrate using electron attachment
JP4761502B2 (ja) 2004-10-07 2011-08-31 株式会社アルバック 層間絶縁膜のドライエッチング方法
US20090191715A1 (en) * 2006-03-09 2009-07-30 Toshio Hayashi Method for etching interlayer dielectric film
TW200735206A (en) 2006-03-10 2007-09-16 Philtech Inc Method of dry etching of interlayer insulation film and etching device
US8125069B2 (en) * 2006-04-07 2012-02-28 Philtech Inc. Semiconductor device and etching apparatus
US7517804B2 (en) 2006-08-31 2009-04-14 Micron Technologies, Inc. Selective etch chemistries for forming high aspect ratio features and associated structures
US20080191163A1 (en) 2007-02-09 2008-08-14 Mocella Michael T Laser-Assisted Etching Using Gas Compositions Comprising Unsaturated Fluorocarbons
US8372756B2 (en) * 2008-08-29 2013-02-12 Air Products And Chemicals, Inc. Selective etching of silicon dioxide compositions
JP2011071223A (ja) * 2009-09-24 2011-04-07 Ulvac Japan Ltd ドライエッチング方法
KR101660488B1 (ko) 2010-01-22 2016-09-28 삼성전자주식회사 3차원 반도체 장치 및 그 제조 방법
US9368363B2 (en) 2011-03-17 2016-06-14 Zeon Corporation Etching gas and etching method
US8603921B2 (en) * 2011-07-25 2013-12-10 Applied Materials, Inc. Maintaining mask integrity to form openings in wafers
US20150270135A1 (en) * 2011-09-01 2015-09-24 Tel Epion Inc. Gas cluster ion beam etching process
TWI642809B (zh) 2013-09-09 2018-12-01 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 用蝕刻氣體蝕刻半導體結構的方法
KR102333443B1 (ko) 2014-10-24 2021-12-02 삼성전자주식회사 반도체 소자의 제조 방법
US9728422B2 (en) 2015-01-23 2017-08-08 Central Glass Company, Limited Dry etching method
JP6544215B2 (ja) * 2015-01-23 2019-07-17 セントラル硝子株式会社 ドライエッチング方法
US9659788B2 (en) * 2015-08-31 2017-05-23 American Air Liquide, Inc. Nitrogen-containing compounds for etching semiconductor structures
US10607850B2 (en) * 2016-12-30 2020-03-31 American Air Liquide, Inc. Iodine-containing compounds for etching semiconductor structures

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002021586A1 (en) 2000-09-07 2002-03-14 Daikin Industries, Ltd. Dry etching gas and method for dry etching
US20090176375A1 (en) 2008-01-04 2009-07-09 Benson Russell A Method of Etching a High Aspect Ratio Contact
JP2008252139A (ja) 2008-07-14 2008-10-16 Philtech Inc 層間絶縁膜のドライエッチング方法
US20110059617A1 (en) 2009-09-10 2011-03-10 Matheson Tri-Gas, Inc. High aspect ratio silicon oxide etch
JP2013055336A (ja) 2011-09-01 2013-03-21 Tel Epion Inc 複合材料の目標エッチングプロセス特性を達成するためのガスクラスタイオンビームエッチングプロセス
JP2015533029A (ja) 2012-10-30 2015-11-16 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 高アスペクト比酸化物エッチング用のフルオロカーボン分子

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023053121A (ja) * 2016-12-30 2023-04-12 レール・リキード－ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 半導体構造エッチング用ヨウ素含有化合物
JP7470834B2 (ja) 2016-12-30 2024-04-18 レール・リキード－ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 半導体構造エッチング用ヨウ素含有化合物

Also Published As

Publication number Publication date
CN110178206A (zh) 2019-08-27
TW201825446A (zh) 2018-07-16
KR20230070539A (ko) 2023-05-23
US10607850B2 (en) 2020-03-31
US11430663B2 (en) 2022-08-30
KR102626466B1 (ko) 2024-01-17
CN116884838A (zh) 2023-10-13
KR20190093221A (ko) 2019-08-08
TW202229216A (zh) 2022-08-01
EP3563406A4 (en) 2020-08-26
JP2020515047A (ja) 2020-05-21
WO2018126206A1 (en) 2018-07-05
EP3563406A1 (en) 2019-11-06
CN110178206B (zh) 2023-08-18
JP7470834B2 (ja) 2024-04-18
JP2023053121A (ja) 2023-04-12
EP3563406B1 (en) 2024-04-24
TWI756330B (zh) 2022-03-01
TWI887536B (zh) 2025-06-21
US20170178923A1 (en) 2017-06-22
US20200203174A1 (en) 2020-06-25
KR102537653B1 (ko) 2023-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7470834B2 (ja) 半導体構造エッチング用ヨウ素含有化合物
JP7079872B2 (ja) 半導体構造物上に窒素含有化合物を堆積させる方法
US11152223B2 (en) Fluorocarbon molecules for high aspect ratio oxide etch
US11075084B2 (en) Chemistries for etching multi-stacked layers
JP7775553B2 (ja) 半導体構造エッチング用ヨウ素含有フルオロカーボン及びハイドロフルオロカーボン化合物
WO2018126202A1 (en) Methods for minimizing sidewall damage during low k etch processes

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20190712

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20190712

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201228

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20201228

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20211209

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220125

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220425

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220906

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220929

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230110

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230209

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7227135

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150