JP7219743B2 - 研磨パッド、その製造方法、およびそれを用いた半導体素子の製造方法 - Google Patents
研磨パッド、その製造方法、およびそれを用いた半導体素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7219743B2 JP7219743B2 JP2020147682A JP2020147682A JP7219743B2 JP 7219743 B2 JP7219743 B2 JP 7219743B2 JP 2020147682 A JP2020147682 A JP 2020147682A JP 2020147682 A JP2020147682 A JP 2020147682A JP 7219743 B2 JP7219743 B2 JP 7219743B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- pores
- polishing pad
- less
- diameter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 437
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 46
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 315
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 60
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 claims description 59
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 54
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 claims description 54
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 48
- 239000004604 Blowing Agent Substances 0.000 claims description 38
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 30
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 14
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 63
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 49
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 49
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 49
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 33
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 22
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 21
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 14
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 13
- -1 tertiary amine compounds Chemical class 0.000 description 13
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 11
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 10
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 10
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 9
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 9
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 9
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 9
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical group C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- IBOFVQJTBBUKMU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-methylene-bis-(2-chloroaniline) Chemical compound C1=C(Cl)C(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C(Cl)=C1 IBOFVQJTBBUKMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 6
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical compound CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SVYKKECYCPFKGB-UHFFFAOYSA-N N,N-dimethylcyclohexylamine Chemical compound CN(C)C1CCCCC1 SVYKKECYCPFKGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ALQLPWJFHRMHIU-UHFFFAOYSA-N 1,4-diisocyanatobenzene Chemical compound O=C=NC1=CC=C(N=C=O)C=C1 ALQLPWJFHRMHIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 6-[3-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperidin-1-yl]-3-oxopropyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1CCN(CC1)C(CCC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)=O DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 2
- 241001112258 Moca Species 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N Propene Chemical compound CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FDLQZKYLHJJBHD-UHFFFAOYSA-N [3-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=CC(CN)=C1 FDLQZKYLHJJBHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N butene Natural products CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- PXBRQCKWGAHEHS-UHFFFAOYSA-N dichlorodifluoromethane Chemical compound FC(F)(Cl)Cl PXBRQCKWGAHEHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019404 dichlorodifluoromethane Nutrition 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N isopentane Chemical compound CCC(C)C QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CRSOQBOWXPBRES-UHFFFAOYSA-N neopentane Chemical compound CC(C)(C)C CRSOQBOWXPBRES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- CYRMSUTZVYGINF-UHFFFAOYSA-N trichlorofluoromethane Chemical compound FC(Cl)(Cl)Cl CYRMSUTZVYGINF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SBJCUZQNHOLYMD-UHFFFAOYSA-N 1,5-Naphthalene diisocyanate Chemical compound C1=CC=C2C(N=C=O)=CC=CC2=C1N=C=O SBJCUZQNHOLYMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXFVIWBTKYFOCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,3-n,3-n-tetramethylbutane-1,3-diamine Chemical compound CN(C)C(C)CCN(C)C AXFVIWBTKYFOCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GGSRTHRSSCWGGK-UHFFFAOYSA-L 2,2-dibutyl-5-hydroxy-1,3,2-dioxastannepane-4,7-dione Chemical compound CCCC[Sn]1(CCCC)OC(=O)CC(O)C(=O)O1 GGSRTHRSSCWGGK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PISLZQACAJMAIO-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethyl-6-methylbenzene-1,3-diamine Chemical compound CCC1=CC(C)=C(N)C(CC)=C1N PISLZQACAJMAIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNLHGQLZWXBQNY-UHFFFAOYSA-N 3-(aminomethyl)-3,5,5-trimethylcyclohexan-1-amine Chemical compound CC1(C)CC(N)CC(C)(CN)C1 RNLHGQLZWXBQNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLAMAEIOZLEXMF-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-3-azabicyclo[2.2.1]heptane Chemical compound C1CC2N(C)CC1C2 LLAMAEIOZLEXMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVCNXQOWACZAFN-UHFFFAOYSA-N 4-ethylmorpholine Chemical compound CCN1CCOCC1 HVCNXQOWACZAFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004338 Dichlorodifluoromethane Substances 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 1
- 239000005058 Isophorone diisocyanate Substances 0.000 description 1
- KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine Chemical compound CN(C)CCN(C)C KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N Triisopropanolamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CC(C)O SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAWMENYCRQKKJY-UHFFFAOYSA-N [3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-ylmethyl)-1-oxa-2,8-diazaspiro[4.5]dec-2-en-8-yl]-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]methanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CC1=NOC2(C1)CCN(CC2)C(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F JAWMENYCRQKKJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N [4-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=C(CN)C=C1 ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQQXCSFSYHAZOO-UHFFFAOYSA-L [acetyloxy(dioctyl)stannyl] acetate Chemical compound CCCCCCCC[Sn](OC(C)=O)(OC(C)=O)CCCCCCCC CQQXCSFSYHAZOO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KXBFLNPZHXDQLV-UHFFFAOYSA-N [cyclohexyl(diisocyanato)methyl]cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1C(N=C=O)(N=C=O)C1CCCCC1 KXBFLNPZHXDQLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPDWNEFHGANACG-UHFFFAOYSA-L [dibutyl(2-ethylhexanoyloxy)stannyl] 2-ethylhexanoate Chemical compound CCCCC(CC)C(=O)O[Sn](CCCC)(CCCC)OC(=O)C(CC)CCCC GPDWNEFHGANACG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UKLDJPRMSDWDSL-UHFFFAOYSA-L [dibutyl(dodecanoyloxy)stannyl] dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)O[Sn](CCCC)(CCCC)OC(=O)CCCCCCCCCCC UKLDJPRMSDWDSL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- CDQSJQSWAWPGKG-UHFFFAOYSA-N butane-1,1-diol Chemical compound CCCC(O)O CDQSJQSWAWPGKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- AFYPFACVUDMOHA-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoromethane Chemical compound FC(F)(F)Cl AFYPFACVUDMOHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 229960002887 deanol Drugs 0.000 description 1
- AYOHIQLKSOJJQH-UHFFFAOYSA-N dibutyltin Chemical compound CCCC[Sn]CCCC AYOHIQLKSOJJQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012975 dibutyltin dilaurate Substances 0.000 description 1
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 1
- AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N dimethyl butane Natural products CCCC(C)C AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUNMPGNGSSIWFP-UHFFFAOYSA-N dimethylaminopropylamine Chemical compound CN(C)CCCN IUNMPGNGSSIWFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012972 dimethylethanolamine Substances 0.000 description 1
- ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- UKAJDOBPPOAZSS-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethyl)silane Chemical compound CC[Si](C)(C)C UKAJDOBPPOAZSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N hexane-1,1-diol Chemical compound CCCCCC(O)O ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- DILRJUIACXKSQE-UHFFFAOYSA-N n',n'-dimethylethane-1,2-diamine Chemical compound CN(C)CCN DILRJUIACXKSQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXPJBVRYAHYMNY-UHFFFAOYSA-N n-methyl-2-[2-(methylamino)ethoxy]ethanamine Chemical compound CNCCOCCNC VXPJBVRYAHYMNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005474 octanoate group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920005906 polyester polyol Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000909 polytetrahydrofuran Polymers 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940029284 trichlorofluoromethane Drugs 0.000 description 1
- WDIWAJVQNKHNGJ-UHFFFAOYSA-N trimethyl(propan-2-yl)silane Chemical compound CC(C)[Si](C)(C)C WDIWAJVQNKHNGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNWMJFBAIXMNOF-UHFFFAOYSA-N trimethyl(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](C)(C)C WNWMJFBAIXMNOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B47/00—Drives or gearings; Equipment therefor
- B24B47/10—Drives or gearings; Equipment therefor for rotating or reciprocating working-spindles carrying grinding wheels or workpieces
- B24B47/12—Drives or gearings; Equipment therefor for rotating or reciprocating working-spindles carrying grinding wheels or workpieces by mechanical gearing or electric power
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D11/00—Constructional features of flexible abrasive materials; Special features in the manufacture of such materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D11/00—Constructional features of flexible abrasive materials; Special features in the manufacture of such materials
- B24D11/001—Manufacture of flexible abrasive materials
- B24D11/003—Manufacture of flexible abrasive materials without embedded abrasive particles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D18/00—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for
- B24D18/0009—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for using moulds or presses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Polyurethanes Or Polyureas (AREA)
Description
dは、それぞれの気孔径から複数気孔の数平均径(number mean diameter)を引いた値であり、nは単位面積(mm2)当りの気孔全体の数である。
以下の実現例の説明において、各層またはパッド等が、各層またはパッド等の「上(on)」または「下(under)」に形成されるものとして記載される場合において、「上(on)」および「下(under)」は、直接(directly)または他の構成要素を介して(indirectly)形成されるものをすべて含む。
本明細書において、ある部分がある構成要素を「含む」と言うことは、特に反する記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含み得ることを意味する。
一実現例に係る研磨パッドは、複数の気孔を含む研磨層を含み、研磨面の単位面積(mm2)当り前記気孔の総面積が40%~60%であり、下記数学式1で表示されるDq値が5μm以上~15μm以下であり、下記数学式2で表示されるDsk値が0.3超~1未満であり、下記数学式3で表示されるDku値が1超~5未満である。
dは、それぞれの気孔径から複数気孔の数平均径を引いた値であり、nは単位面積(mm2)当りの気孔全体の数である。
Du>Da×2
前記数学式5において、
Duは、複数気孔の数平均径に対して200%以上大きい径を有する気孔の直径であり、Daは、複数気孔の数平均径である。
前記研磨パッドの製造方法は、ウレタン系プレポリマー、硬化剤、および発泡剤を含む組成物を混合する段階と、前記組成物を所定の圧力または減圧条件下のモールドに吐出注入して研磨層を成形する段階と、を含み得る。
以下、研磨パッドに含まれる個々の具体的な成分を詳細に説明する。
プレポリマー(prepolymer)とは、一般に、一種の最終成形品を製造するにおいて、成形し易いように重合度を中間段階で中止させた、比較的低い分子量を有する高分子のことを意味する。プレポリマーは、それ自体で、または他の重合性化合物と反応させた後に成形することができ、例えば、イソシアネート化合物とポリオールとを反応させてプレポリマーを調製し得る。
前記硬化剤は、アミン化合物およびアルコール化合物中の1種以上であり得る。具体的に、前記硬化剤は、芳香族アミン、脂肪族アミン、芳香族アルコール、および脂肪族アルコールからなる群より選択される1つ以上の化合物を含み得る。
前記発泡剤は、前記研磨層内の気孔構造を形成するための成分であり、研磨パッドの空隙の形成に通常使用されるものであれば、特に制限しない。
前記固相発泡剤は、熱膨張された(サイズ調整された)マイクロカプセルであり、5μm~200μmの平均粒径を有するマイクロバルーン構造体であり得る。前記熱膨張された(サイズ調整された)マイクロカプセルは、熱膨張性マイクロカプセルを加熱膨張させて得られたものであり得る。
前記気相発泡剤は、不活性ガスを含み得、前記気相発泡剤は、前記ウレタン系プレポリマー、硬化剤、固相発泡剤、反応速度調整剤、およびシリコーン系界面活性剤が混合されて反応する過程に投入され、気孔を形成し得る。前記不活性ガスは、プレポリマーと硬化剤との間の反応に関与しないガスであれば、種類は特に限定されない。例えば、前記不活性ガスは、窒素ガス(N2)、アルゴンガス(Ar)、およびヘリウムガス(He)からなる群より選択される1種以上であり得る。具体的に、前記不活性ガスは、窒素ガス(N2)またはアルゴンガス(Ar)であり得る。
本発明の一実現例によると、前記組成物は反応速度調整剤を含み得る。
本発明の一実現例によると、前記組成物は界面活性剤を含み得る。前記界面活性剤は、形成される気孔の重なりおよびまとまり現象を防止する役割をし、研磨パッドの製造に通常使用されるものであれば、その種類を特に制限しない。例えば、前記界面活性剤は、シリコーン系界面活性剤を含み得る。前記シリコーン系界面活性剤の市販品としては、Evonik社製のB8749LF、B8736LF2、およびB8734LF2などが挙げられる。
前記ウレタン系プレポリマーと硬化剤とは、混合した後反応して固相のポリウレタンを形成して、シート等として製造される。具体的に、前記ウレタン系プレポリマーのイソシアネート末端基は、前記硬化剤のアミン基、アルコール基等と反応し得る。この際、不活性ガスを含む気相発泡剤および固相発泡剤は、ウレタン系プレポリマーと硬化剤との化学的反応に関与せず、かつ、物理的に原料内にむらなく分散され気孔構造を形成する
前記研磨パッド製造工程中の圧力および/または吐出条件等により、前記固相発泡剤の大きさ変化が生じるか、あるいは前記固相発泡剤による気孔構造中の外部気体による気孔が浸透する等により、前記研磨パッドの気孔構造が決定され得る。
図2は、本発明の一実現例による、モールドを用いた成形工程を示す概略図である。
先般記載したように、実現例による研磨パッドは、単位面積当たりの気孔の総面積および前記数学式1~3のDq、DskおよびDkuを含む気孔分布パラメータが前記範囲内であるとき、研磨パッドの研磨率および平坦度などの研磨パッドの研磨性能が著しく向上し得る。
実現例による研磨パッドは、前述した研磨パッドの物性を同時に示し得る。
一実現例による半導体素子の製造方法は、前記一実現例による研磨パッドを用いて半導体基板の表面を研磨する段階を含む。
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例は、本発明を例示するものであるのみ、本発明の範囲がこれらに限定されない。
ウレタン系プレポリマー、硬化剤、不活性ガス注入ライン、および反応速度調整剤注入ラインが備えられているキャスティング装置において、プレポリマータンクに未反応NCOを9.1重量%で有するPUGL-550D(SKC社製)を充填し、硬化剤タンクに4、4'-メチレンビス(2-クロロアニリン)(MOCA、イシハラ社製)を充填し、不活性ガスとしては窒素(N2)を、反応速度調整剤としては、反応促進剤(Airproduct社製、製品名:A1、3級アミン系化合物)を準備した。また、前記ウレタン系プレポリマー100重量部に対して1重量部の固相発泡剤(AkzoNobel社製、製品名:Expancel 461 DET 20 d40、平均粒径:32.67μm)、および1重量部のシリコーン系界面活性剤(Evonik社製、製品名:B8462)を予め混合した後、プレポリマータンクに注入した。
反応速度調整剤、気相発泡剤、および固相発泡剤の含有量を下記表1のように調整したことを除いては、実施例1-1と同様の方法により研磨パッドを製造した。
前記実施例1-1のキャスティング装置において、前記不活性ガス注入ラインと、前記反応速度調整剤注入ラインを遮断した。プレポリマータンクに、9.1NCO%を有するPUGL-600D(SKC社製、重量平均分子量:1500g/mol)を充填し、硬化剤タンクに、4,4'-メチレンビス(2-クロロアニリン)(TCI(Tokyo Chemical Industry)社製)を充填した。
固相発泡剤の含有量およびモールド内の真空圧力等を下記表1のように調整したことを除いては、実施例1-3と同様の方法により研磨パッドを製造した。
ウレタン系プレポリマー、硬化剤、不活性ガス注入ライン、および反応速度調整剤注入ラインが備えられているキャスティング装置において、プレポリマータンクに、9.1NCO%を有するPUGL-600D(SKC社製、重量平均分子量:1500g/mol)を充填し、硬化剤タンクに、4,4'-メチレンビス(2-クロロアニリン)(TCI社製)を充填し、不活性ガスとして窒素(N2)を準備した。また、前記反応速度調整剤としては、シグマアルドリッチ社のトリエチレンジアミン(triethylene diamine、TEDA)を使用した。
下記表2に示すように、吐出量を12kg/分に調整したことを除いては、実施例2-1と同様の方法により研磨パッドを製造した。
下記表2に示すように、吐出量を12kg/分にし、真空度を0.7kgf/cm2に調整したことを除いては、実施例2-1と同様の方法により研磨パッドを製造した。
下記表2に示すように、吐出量を10kg/分にし、真空度を0.9kgf/cm2に調整したことを除いては、実施例2-1と同様の方法により研磨パッドを製造した。
前記実施例2-1のキャスティング装置において、前記不活性ガス注入ラインと、前記反応速度調整剤注入ラインとを遮断した。プレポリマータンクに、9.1NCO%を有するPUGL-600D(SKC社製、重量平均分子量:1500g/mol)を充填し、硬化剤タンクに、4,4'-メチレンビス(2-クロロアニリン)(TCI社製)を充填した。
モールド内の真空圧力、反応速度調整剤、気相発泡剤、および固相発泡剤の含有量を下記表1のように調整したことを除いては、実施例1-1と同様の方法により研磨パッドを製造した。
固相発泡剤の含有量およびモールド内の真空圧力等を下記表1のように調整したことを除いては、実施例1-3と同様の方法により研磨パッドを製造した。
下記表2のように真空度を常圧に調整したことを除いては、実施例2-1と同様の方法により研磨パッドを製造した。
下記表2に示すように吐出量を12kg/分にし、真空度を0.5kgf/cm2に調整したことを除いては、実施例2-5と同様の方法により研磨パッドを製造した。
下記表2のように真空度を常圧に調整したことを除いては、実施例2-5と同様の方法により研磨パッドを製造した。
(1)気孔特性
<複数気孔の数平均径および単位面積当たり気孔の総面積>
研磨パッドを1mm×1mmの正方形(厚さ:2mm)に切った1mm2の研磨面を、走査電子顕微鏡(SEM)を使用して100倍に拡大された画像から断面を観察した。
- 数平均径(number mean diameter)(Da):研磨面1mm2内の複数気孔径の和を複数気孔の数で割った平均値
- 気孔数:SEM画像上の単位面積(mm2)当りの気孔全体の数
- 単位面積(mm2)当り気孔の総面積(%):SEM画像の全面積に対する気孔のみの面積の百分率
Au(%)は、下記数学式4のように計算し得る。
Ap(%)は、下記数学式6のように計算し得る。
An(%)は、下記数学式7のように計算し得る。
CMP研磨装置を使用して、CVD工程によってタングステン(W)膜が形成された直径300mmのシリコンウェーハを設置した。その後、前記研磨パッドを付けたプラテン上に、シリコンウェーハのタングステン膜を下にしてセットした。その後、研磨荷重が2.8psiになるように調整し、研磨パッド上にか焼シリカスラリーを190ml/分の速度で投入しながら、プラテンを115rpmで30秒間回転させ、タングステン膜を研磨した。研磨後、シリコンウェーハをキャリアから外して、回転式脱水機(spin dryer)に装着して精製水(DIW)で洗浄した後、空気により15秒間乾燥した。乾燥されたシリコンウェーハを、接触式面抵抗測定装置(4探針プローブ)を使用して研磨前後の厚さの差を測定した。その後、下記数学式8に基づいて研磨率を計算した。
研磨率(Å/分)=研磨前後の厚さの差(Å)/研磨時間(分)
前記実験例(2)と同様の方法により得られたタングステン膜が形成されたシリコンウェーハおよび酸化ケイ素(SiOx)膜が形成されたシリコンウェーハのそれぞれに対して、熱酸化膜が1μm(10000Å)塗布されたものを利用して、前述の研磨条件で1分間研磨した後、98ヶ所のウェーハの面内膜厚を測定し、下記数学式9に基づいて、ウェーハ面内の研磨平坦度(WIWNU:Within Wafer Non Uniformity)を測定した。
研磨平坦度(WIWNU)(%)=(研磨された厚さの標準偏差/平均研磨厚さ)×100(%)
a:減圧排出
b:吐出
110:研磨パッド
120:プラテン
130:半導体基板
140:ノズル
150:研磨スラリー
160:研磨ヘッド
170:コンディショナー
Claims (7)
- 前記nが700~2500であり、
前記dが-30~60である、請求項1に記載の研磨パッド。 - 前記研磨面を基準に、前記複数気孔の直径分布において最大ピークの気孔径が10μm~150μmである、請求項1に記載の研磨パッド。
- 請求項1に記載の研磨パッドの製造方法であって、
ウレタン系プレポリマー、硬化剤、および発泡剤を含む組成物を混合する段階と、
前記組成物を所定の圧力または減圧条件下のモールドに吐出注入して前記研磨層を成形する段階と、を含む、研磨パッドの製造方法。 - 前記発泡剤が、固相発泡剤を含むか、または気相発泡剤及び固相発泡剤の両方ともを含み、
前記固相発泡剤が20μm~50μmの平均粒径(D50)を有し、
前記組成物が、前記ウレタン系プレポリマー100重量部に対して、前記固相発泡剤を0.5重量部超~2.5重量部未満の量で含む、請求項4に記載の研磨パッドの製造方法。 - 前記減圧が、真空度0.6kgf/cm2~1kgf/cm2未満の範囲で行われる、請求項4に記載の研磨パッドの製造方法。
- 請求項1に記載の研磨パッドを用いる半導体素子製造方法であって、
複数の気孔を含む研磨層を含む前記研磨パッドをプラテンに装着する段階と、
前記研磨層の研磨面とウェーハの表面とを当接するよう互いに相対回転させて、前記ウェーハの表面を研磨する段階と、を含む、研磨パッドを用いる半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022000716A JP2022059606A (ja) | 2019-10-29 | 2022-01-05 | 研磨パッド、その製造方法、およびそれを用いた半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190135512A KR102188525B1 (ko) | 2019-10-29 | 2019-10-29 | 연마패드, 이의 제조방법, 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
KR10-2019-0135512 | 2019-10-29 | ||
KR1020190136302A KR102304965B1 (ko) | 2019-10-30 | 2019-10-30 | 연마패드, 이의 제조방법, 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
KR10-2019-0136302 | 2019-10-30 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022000716A Division JP2022059606A (ja) | 2019-10-29 | 2022-01-05 | 研磨パッド、その製造方法、およびそれを用いた半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021070153A JP2021070153A (ja) | 2021-05-06 |
JP7219743B2 true JP7219743B2 (ja) | 2023-02-08 |
Family
ID=75586693
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020147682A Active JP7219743B2 (ja) | 2019-10-29 | 2020-09-02 | 研磨パッド、その製造方法、およびそれを用いた半導体素子の製造方法 |
JP2022000716A Pending JP2022059606A (ja) | 2019-10-29 | 2022-01-05 | 研磨パッド、その製造方法、およびそれを用いた半導体素子の製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022000716A Pending JP2022059606A (ja) | 2019-10-29 | 2022-01-05 | 研磨パッド、その製造方法、およびそれを用いた半導体素子の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11298795B2 (ja) |
JP (2) | JP7219743B2 (ja) |
CN (1) | CN112809549B (ja) |
SG (1) | SG10202008337RA (ja) |
TW (1) | TWI741753B (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002264006A (ja) | 2001-03-13 | 2002-09-18 | Toray Coatex Co Ltd | 研磨パッド |
JP2013515379A (ja) | 2009-12-22 | 2013-05-02 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 研磨パッド及びこれの製造方法 |
JP2016129223A (ja) | 2014-12-19 | 2016-07-14 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | 高安定性ポリウレタン研磨パッド |
WO2018131868A1 (ko) | 2017-01-12 | 2018-07-19 | 에스케이씨 주식회사 | 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이의 제조방법 |
JP2019024079A (ja) | 2017-05-29 | 2019-02-14 | エスケイシー・カンパニー・リミテッドSkc Co., Ltd. | 多孔質ポリウレタン研磨パッドおよびそれを用いて半導体デバイスを調製するための方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6126532A (en) | 1997-04-18 | 2000-10-03 | Cabot Corporation | Polishing pads for a semiconductor substrate |
JP2000344902A (ja) | 1999-06-04 | 2000-12-12 | Fuji Spinning Co Ltd | 研磨パッド用ウレタン成形物の製造法及び研磨パッド用ウレタン成形物 |
US6913517B2 (en) * | 2002-05-23 | 2005-07-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Microporous polishing pads |
US20060189269A1 (en) * | 2005-02-18 | 2006-08-24 | Roy Pradip K | Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof |
KR100526877B1 (ko) * | 2003-06-23 | 2005-11-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼용 cmp 설비의 폴리싱 패드 |
EP1848569B1 (en) | 2005-02-18 | 2016-11-23 | NexPlanar Corporation | Customized polishing pads for cmp and method of using the same |
KR100960585B1 (ko) * | 2005-07-15 | 2010-06-03 | 도요 고무 고교 가부시키가이샤 | 적층 시트 및 그 제조 방법 |
MY148785A (en) * | 2008-01-30 | 2013-05-31 | Asahi Glass Co Ltd | Method for producing glass substrate for magnetic disk |
JP5484145B2 (ja) | 2010-03-24 | 2014-05-07 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
US20150038066A1 (en) | 2013-07-31 | 2015-02-05 | Nexplanar Corporation | Low density polishing pad |
WO2015026614A1 (en) * | 2013-08-22 | 2015-02-26 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing pad with porous interface and solid core, and related apparatus and methods |
JP6818489B2 (ja) * | 2016-09-30 | 2021-01-20 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド及びその製造方法 |
KR101835090B1 (ko) * | 2017-05-29 | 2018-03-06 | 에스케이씨 주식회사 | 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이를 사용하여 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR101949905B1 (ko) * | 2017-08-23 | 2019-02-19 | 에스케이씨 주식회사 | 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이의 제조방법 |
WO2019050365A1 (ko) * | 2017-09-11 | 2019-03-14 | 에스케이씨 주식회사 | 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이의 제조방법 |
KR102054309B1 (ko) * | 2018-04-17 | 2019-12-10 | 에스케이씨 주식회사 | 다공성 연마 패드 및 이의 제조방법 |
KR102058877B1 (ko) * | 2018-04-20 | 2019-12-24 | 에스케이씨 주식회사 | 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이의 제조방법 |
-
2020
- 2020-08-24 TW TW109128822A patent/TWI741753B/zh active
- 2020-08-25 US US17/002,468 patent/US11298795B2/en active Active
- 2020-08-28 SG SG10202008337RA patent/SG10202008337RA/en unknown
- 2020-09-02 JP JP2020147682A patent/JP7219743B2/ja active Active
- 2020-10-29 CN CN202011178119.XA patent/CN112809549B/zh active Active
-
2022
- 2022-01-05 JP JP2022000716A patent/JP2022059606A/ja active Pending
- 2022-02-04 US US17/592,706 patent/US11931856B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002264006A (ja) | 2001-03-13 | 2002-09-18 | Toray Coatex Co Ltd | 研磨パッド |
JP2013515379A (ja) | 2009-12-22 | 2013-05-02 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 研磨パッド及びこれの製造方法 |
JP2016129223A (ja) | 2014-12-19 | 2016-07-14 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | 高安定性ポリウレタン研磨パッド |
WO2018131868A1 (ko) | 2017-01-12 | 2018-07-19 | 에스케이씨 주식회사 | 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이의 제조방법 |
JP2019024079A (ja) | 2017-05-29 | 2019-02-14 | エスケイシー・カンパニー・リミテッドSkc Co., Ltd. | 多孔質ポリウレタン研磨パッドおよびそれを用いて半導体デバイスを調製するための方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220152776A1 (en) | 2022-05-19 |
CN112809549B (zh) | 2023-03-28 |
US11298795B2 (en) | 2022-04-12 |
JP2021070153A (ja) | 2021-05-06 |
JP2022059606A (ja) | 2022-04-13 |
TW202116479A (zh) | 2021-05-01 |
CN112809549A (zh) | 2021-05-18 |
US11931856B2 (en) | 2024-03-19 |
TWI741753B (zh) | 2021-10-01 |
SG10202008337RA (en) | 2021-05-28 |
US20210122006A1 (en) | 2021-04-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI694102B (zh) | 多孔性聚胺甲酸酯拋光墊及其製備方法 | |
KR101835090B1 (ko) | 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이를 사용하여 반도체 소자를 제조하는 방법 | |
KR101835087B1 (ko) | 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이를 사용하여 반도체 소자를 제조하는 방법 | |
CN110191781B (zh) | 多孔性聚胺酯抛光垫及其制备方法 | |
US20190314954A1 (en) | Porous polishing pad and process for producing the same | |
KR102088919B1 (ko) | 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이의 제조방법 | |
US11642752B2 (en) | Porous polyurethane polishing pad and process for preparing the same | |
TW201943775A (zh) | 多孔性聚胺甲酸酯拋光墊及其製造方法 | |
JP7186203B2 (ja) | 研磨パッド、その製造方法、およびそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
JP2010274362A (ja) | 発泡ポリウレタンの製造方法および研磨パッドの製造方法 | |
KR102304965B1 (ko) | 연마패드, 이의 제조방법, 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 | |
JP2022056422A (ja) | 研磨パッド、研磨パッドの製造方法およびこれを用いた半導体素子の製造方法 | |
JP7196146B2 (ja) | 研磨パッド、その製造方法およびこれを用いる半導体素子の製造方法 | |
JP7219743B2 (ja) | 研磨パッド、その製造方法、およびそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
JP7285613B2 (ja) | 研磨パッド、その製造方法およびこれを用いる半導体素子の製造方法 | |
JP2022140415A (ja) | 研磨パッド、研磨パッドの製造方法およびこれを用いた半導体素子の製造方法 | |
KR102188525B1 (ko) | 연마패드, 이의 제조방법, 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 | |
KR101949911B1 (ko) | 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이의 제조방법 | |
EP3683019B1 (en) | Porous polyurethane polishing pad and method for manufacturing same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200902 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20210324 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210910 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211005 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220105 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220531 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220831 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230104 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230127 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7219743 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |