JP7196146B2 - 研磨パッド、その製造方法およびこれを用いる半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Description
Ed=[3×(Da-Dm)]/STDEV
前記数学式1において、
Daは、研磨面1mm2内の前記複数の気孔の数平均径(number mean diameter)であり、
Dmは、研磨面1mm2内の前記複数の気孔の中央値直径(number median diameter)であり、
STDEVは、研磨面1mm2内の前記複数の気孔の数平均径に対する標準偏差(standard deviation)である。
一実現例による研磨パッドは、複数の気孔を含む研磨層を含み、前記複数の気孔は、数平均径(Da)が16μm以上~30μm未満であり、下記数学式1で表示されるEd値が0より大きい。
Ed=[3×(Da-Dm)]/STDEV
前記数学式1において、
Daは、研磨面1mm2内の前記複数の気孔の数平均径(number mean diameter)であり、
Dmは、研磨面1mm2内の前記複数の気孔の中央値直径(number median diameter)であり、
STDEVは、研磨面1mm2内の前記複数の気孔の数平均径に対する標準偏差(standard deviation)である。
一実現例による研磨パッドの製造方法は、ウレタン系プレポリマー、硬化剤および固相発泡剤を含む組成物を混合する段階と、前記混合された組成物を減圧下でモールドに吐出注入して研磨層を成形する段階とを含み、前記研磨層は複数の気孔を含み、前記複数の気孔は数平均径(Da)が16μm以上~30μm未満であり、前記数学式1で表示されるEd値が0より大きくて良い。
前記ウレタン系プレポリマーは、前述のように、イソシアネート化合物とポリオールとを反応させて調製し得る。前記イソシアネート化合物およびポリオールの具体的な種類は、前記研磨パッドにおいて例示した通りである。
前記硬化剤は、アミン化合物およびアルコール化合物のうちの1種であり得る。具体的に、前記硬化剤は、芳香族アミン、脂肪族アミン、芳香族アルコール、および脂肪族アルコールからなる群より選択される1つ以上の化合物を含み得る。
本発明の一実現例によると、前記固相発泡剤は、前記複数の気孔の数平均径および中央値直径を調節し、本発明のEd値を実現するために非常に重要な要素であり得る。すなわち、前記固相発泡剤の平均粒径(D50)、その標準偏差およびその投入量を制御することにより、前記数学式1で表示されるEd値を0より大きく調節し、複数の気孔の数平均径(Da)を16μm以上~30μm未満に制御し得る。
前記反応速度調整剤は、反応促進剤または反応遅延剤であり得る。具体的には、前記反応速度調整剤は反応促進剤であり得、例えば、3級アミン系化合物および有機金属系化合物からなる群より選択された1種以上の反応促進剤であり得る。
前記界面活性剤はシリコーン系界面活性剤を含み得、これは形成される気孔の重なりおよびまとまり現象を防止する役割をし、研磨パッドの製造に通常使用されるものであれば、その種類を特に制限しない。
前記気相発泡剤は不活性ガスを含み得、前記気相発泡剤は、前記ウレタン系プレポリマー、硬化剤、固相発泡剤、反応速度調整剤、およびシリコーン系界面活性剤が混合され反応する過程に投入され、気孔を形成し得る。前記不活性ガスは、プレポリマーと硬化剤との間の反応に関与しないガスであれば、種類は特に限定されない。例えば、前記不活性ガスは、窒素ガス(N2)、アルゴンガス(Ar)、およびヘリウムガス(He)からなる群より選択される1種以上であり得る。具体的に、前記不活性ガスは、窒素ガス(N2)またはアルゴンガス(Ar)であり得る。
前記ウレタン系プレポリマーと硬化剤とは、混合した後反応し、固相のポリウレタンを形成して、シート等に製造される。具体的に、前記ウレタン系プレポリマーのイソシアネート末端基は、前記硬化剤のアミン基、アルコール基等と反応し得る。この際、不活性ガスを含む気相発泡剤および固相発泡剤は、ウレタン系プレポリマーと硬化剤との反応に関与せず、かつ、原料内にむらなく分散され気孔を形成する。
前記成形は、モールドを利用して行われ得る。具体的に、ミキシングヘッドなどで十分に撹拌された原料(ウレタン系プレポリマー、硬化剤、固相発泡剤、反応速度調整剤、シリコーン系界面活性剤、および不活性ガス)は、モールドに吐出されてモールドの内部を満たし得る。ウレタン系プレポリマーと硬化剤との間の反応はモールド内で完了され、モールドの形状通りに固相化したケーキ状の成形体が得られる。
前述のように、実現例による研磨パッドは、Ed値およびDaが前記範囲内のとき、研磨パッドの研磨率および平坦度等の研磨パッドの研磨性能が著しく向上され得る。
一実現例による半導体素子の製造方法は、前記一実現例による研磨パッドを用いて半導体基板の表面を研磨する段階を含む。
以下、本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明する。但し、下記実施例は、本発明を例示するためのものであるのみ、本発明の範囲がこれらに限定されるものではない。
[1-1:装置の構成]
ウレタン系プレポリマー、硬化剤、不活性ガス注入ラインおよび反応速度調整剤注入ラインが備えられたキャスティング装置において、プレポリマータンクに未反応NCOを9.1重量%で有するPUGL-550D(SKC社製)を充填し、硬化剤タンクにビス(4-アミノ-3-クロロニル)メタン)(bis(4-amino-3-chlorophenyl)methane、ISHIHARA社製)を充填し、不活性ガスとして窒素(N2)を、反応速度調節剤として反応促進剤(Air product社、製品名:A1、3級アミン系化合物)を用意して研磨パッド用組成物を準備した。また、前記研磨パッド用組成物100重量部に対して1.5重量部の固相発泡剤(AkzoNobel社、製品名:Expancel(登録商標)461 DET 20 d40、平均粒径:33.8μm)および1重量部のシリコーン系界面活性剤(Evonik社、製品名:B8462)を予め混合した後、プレポリマータンクに注入した。
それぞれの投入ラインを介してウレタン系プレポリマー、硬化剤、固相発泡剤、反応速度調整剤および不活性ガスをミキシングヘッドに一定の速度で投入しながら撹拌した。この際、ウレタン系プレポリマーのNCO基のモル当量と硬化剤の反応性基のモル当量を1:1で合わせ、合計投入量を10kg/分の速度で維持した。また、不活性ガスは、研磨パッド用組成物の総体積の10%の体積で一定に投入し、反応速度調整剤は、研磨パッド用組成物100重量部を基準に0.5重量部の量で投入した。
下記表1のように、固相発泡剤の平均粒径、固相発泡剤の平均粒径に対する標準偏差、反応速度調整剤、不活性ガス、および固相発泡剤の投入量を調節して気孔の数平均径および前記数学式1で表示されるEd値を調節したことを除いては、実施例1と同様の方法により研磨パッドを製造した。
下記表1のように、固相発泡剤の平均粒径、固相発泡剤の平均粒径に対する標準偏差、反応速度調整剤、不活性ガス、および固相発泡剤の投入量を調節して気孔の数平均径および前記数学式1で表示されるEd値を調節したことを除いては、実施例1と同様の方法により研磨パッドを製造した。
前記実施例1~4で製造した研磨パッドについて、下記のような条件および手順により、それぞれの物性を測定し、下記表1に示した。
研磨パッドを1mm角の正方形に切った1mm2の研磨面を走査型電子顕微鏡(SEM)により100倍に拡大した画像から断面を観察した。
-中央値直径(number median diameter)(Dm):研磨面1mm2内の複数の気孔径全体をサイズ順に整列したとき、最も中央にある直径の中央値
-標準偏差(STDEV):研磨面1mm2内の前記複数の気孔の数平均径に対する標準偏差(standard deviation)
-Ed:前記Da、DmおよびSTDEVをもって下記数学式1に代入して計算した。
[数1]
Ed=[3×(Da-Dm)]/STDEV
CMP研磨装置を使用して、CVD工程によりタングステン(W)膜が形成された直径300mmのシリコンウェーハを設置した。その後、前記研磨パッドを貼り付けた定盤上にシリコンウェーハのタングステン膜を下にしてセットした。その後、研磨荷重が2.8psiになるように調整し、研磨パッド上にか焼シリカスラリーを190ml/分の速度で投入しながら定盤を115rpmで30秒間回転させ、タングステン膜を研磨した。研磨後、シリコンウェーハをキャリアから外して、回転式脱水機(spin dryer)に装着し、精製水(DIW)により洗浄した後、空気により15秒間乾燥した。乾燥されたシリコンウェーハを接触式面抵抗測定装置(4point probe)により研磨前後の厚さの差を測定した。その後、下記数学式2により研磨率を計算した。
[数2]
研磨率(Å/分)=研磨前後の厚さの差(Å)/研磨時間(分)
前記実験例(2)と同様の方法により得られたタングステン膜が形成されたシリコンウェーハおよび酸化ケイ素(SiOx)膜が形成されたシリコンウェーハのそれぞれについて、熱酸化膜が1μm(10000Å)塗布されたものを利用して、前述の研磨条件で1分間研磨した後、98ヶ所のウェーハの面内膜厚さを測定し、下記数学式3によりウェーハ面内の研磨平坦度(WIWNU:Within Wafer Non Uniformity)を測定した。
[数3]
研磨平坦度(WIWNU)(%)=(研磨された厚さの標準偏差/平均研磨厚さ)X 100(%)
120:定盤
130:半導体基板
140:ノズル
150:研磨スラリー
160:研磨ヘッド
170:コンディショナー
Claims (8)
- 複数の気孔を有する研磨層を含み、
前記複数の気孔は、数平均径(Da)が16μm以上~30μm未満であり、
前記研磨層が、ウレタン系プレポリマー、硬化剤、および固相発泡剤を含む組成物の硬化物を含み、
前記固相発泡剤が、前記組成物100重量部を基準として0.7重量部~2重量部の量で含まれ、
前記固相発泡剤が16μm~50μmの平均粒径を有し、
前記平均粒径の標準偏差が12以下であり、
下記数学式1で表示されるEd値が0より大きい、研磨パッド:
[数1]
Ed=[3×(Da-Dm)]/STDEV
前記数学式1において、
Daは、研磨面1mm2内の前記複数の気孔の数平均径(number mean diameter)であり、
Dmは、研磨面1mm2内の前記複数の気孔の中央値直径(number median diameter)であり、
STDEVは、研磨面1mm2内の前記複数の気孔の数平均径に対する標準偏差(standard deviation)である。 - 前記数学式1で表示されるEd値が0超~2未満であり、
前記Dmが12μm~28μmであり、
前記STDEVが5~15である、請求項1に記載の研磨パッド。 - 前記数学式1においてDaがDmより0.3μm~3μm大きい、請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記数学式1において、Daが16μm以上~21μm未満のとき、Ed値が0.5超~2未満であり、
前記数学式1において、Daが21μm以上~30μm未満のとき、Ed値が0.1以上~0.5以下である、請求項1に記載の研磨パッド。 - 前記組成物が、反応速度調整剤を、前記組成物100重量部を基準として0.05重量部~2重量部の量でさらに含み、
前記反応速度調整剤は、トリエチレンジアミン、ジメチルエタノールアミン、テトラメチルブタンジアミン、2-メチル-トリエチレンジアミン、ジメチルシクロヘキシルアミン、トリエチルアミン、トリイソプロパノールアミン、1,4-ジアザビシクロ(2,2,2)オクタン、ビス(2-メチルアミノエチル)エーテル、トリメチルアミノエチルエタノールアミン、N,N,N,N,N''-ペンタメチルジエチレントリアミン、ジメチルアミノエチルアミン、ジメチルアミノプロピルアミン、ベンジルジメチルアミン、N-エチルモルホリン、N,N-ジメチルアミノエチルモルホリン、N,N-ジメチルシクロヘキシルアミン、2-メチル-2-アザノルボルネン、ジラウリン酸ジブチルスズ、スタナスオクトエート、ジブチルスズジアセテート、ジオクチルスズジアセテート、ジブチルスズマレート、ジブチルスズジ-2-エチルヘキサノエート、およびジブチルスズジメルカプチドからなる群より選択された1種以上を含む、請求項1に記載の研磨パッド。 - 前記研磨パッドが、タングステン膜に対して700Å/分~900Å/分の研磨率を有し、
前記研磨パッドがオキサイド膜に対して2750Å/分~3200Å/分の研磨率を有する、請求項1に記載の研磨パッド。 - ウレタン系プレポリマー、硬化剤、および固相発泡剤を含む組成物を混合する段階と、
前記混合された組成物を減圧下モールドに吐出注入して研磨層を形成する段階とを含み、
前記研磨層は複数の気孔を含み、
前記複数の気孔は、数平均径(Da)が16μm以上~30μm未満であり、
前記固相発泡剤が、前記組成物100重量部を基準として0.7重量部~2重量部の量で含まれ、
前記固相発泡剤が16μm~50μmの平均粒径を有し、
前記平均粒径の標準偏差が12以下であり、
下記数学式1で表示されるEd値が0よりも大きい、研磨パッドの製造方法:
[数1]
Ed=[3×(Da-Dm)]/STDEV
前記数学式1において、
Daは、研磨面1mm2内前記複数の気孔の数平均径であり、
Dmは、研磨面1mm2内前記複数の気孔の中央値直径であり、
STDEVは、研磨面1mm2内前記複数の気孔の数平均径に対する標準偏差である。 - 前記混合の際に、気相発泡剤を前記組成物の総体積を基準に6%~25%未満の量で投入する、請求項7に記載の研磨パッドの製造方法。
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