JP7209764B2 - 高周波基板用樹脂組成物及び金属積層板 - Google Patents

高周波基板用樹脂組成物及び金属積層板 Download PDF

Info

Publication number
JP7209764B2
JP7209764B2 JP2021076148A JP2021076148A JP7209764B2 JP 7209764 B2 JP7209764 B2 JP 7209764B2 JP 2021076148 A JP2021076148 A JP 2021076148A JP 2021076148 A JP2021076148 A JP 2021076148A JP 7209764 B2 JP7209764 B2 JP 7209764B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
polyphenylene ether
resin composition
weight
frequency
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021076148A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022022090A (ja
Inventor
▲徳▼超 廖
豪昇 陳
宏毅 張
家霖 劉
智凱 張
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nan Ya Plastics Corp
Original Assignee
Nan Ya Plastics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nan Ya Plastics Corp filed Critical Nan Ya Plastics Corp
Publication of JP2022022090A publication Critical patent/JP2022022090A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7209764B2 publication Critical patent/JP7209764B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L71/00—Compositions of polyethers obtained by reactions forming an ether link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L71/08—Polyethers derived from hydroxy compounds or from their metallic derivatives
    • C08L71/10—Polyethers derived from hydroxy compounds or from their metallic derivatives from phenols
    • C08L71/12—Polyphenylene oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08L79/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08L79/085—Unsaturated polyimide precursors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H05K1/0373—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement containing additives, e.g. fillers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/14—Layered products comprising a layer of metal next to a fibrous or filamentary layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/285—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polyethers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/34—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyamides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B5/00—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts
    • B32B5/02—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts characterised by structural features of a fibrous or filamentary layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H05K1/0366—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement reinforced, e.g. by fibres, fabrics
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2250/00—Layers arrangement
    • B32B2250/40—Symmetrical or sandwich layers, e.g. ABA, ABCBA, ABCCBA
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2260/00—Layered product comprising an impregnated, embedded, or bonded layer wherein the layer comprises an impregnation, embedding, or binder material
    • B32B2260/02—Composition of the impregnated, bonded or embedded layer
    • B32B2260/021—Fibrous or filamentary layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2260/00—Layered product comprising an impregnated, embedded, or bonded layer wherein the layer comprises an impregnation, embedding, or binder material
    • B32B2260/04—Impregnation, embedding, or binder material
    • B32B2260/046—Synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2262/00—Composition or structural features of fibres which form a fibrous or filamentary layer or are present as additives
    • B32B2262/02—Synthetic macromolecular fibres
    • B32B2262/0261—Polyamide fibres
    • B32B2262/0269—Aromatic polyamide fibres
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2262/00—Composition or structural features of fibres which form a fibrous or filamentary layer or are present as additives
    • B32B2262/02—Synthetic macromolecular fibres
    • B32B2262/0276—Polyester fibres
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2262/00—Composition or structural features of fibres which form a fibrous or filamentary layer or are present as additives
    • B32B2262/10—Inorganic fibres
    • B32B2262/101—Glass fibres
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2262/00—Composition or structural features of fibres which form a fibrous or filamentary layer or are present as additives
    • B32B2262/10—Inorganic fibres
    • B32B2262/106—Carbon fibres, e.g. graphite fibres
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2270/00—Resin or rubber layer containing a blend of at least two different polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
    • B32B2307/204—Di-electric
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/748—Releasability
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/08—PCBs, i.e. printed circuit boards
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L47/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, at least one having two or more carbon-to-carbon double bonds; Compositions of derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08L79/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/381—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Description

本発明は、高周波基板用樹脂組成物及び金属積層板に関し、特に、金属層との結合力が優れた高周波基板用樹脂組成物及び金属積層板に関する。
ミリ波（ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ ｗａｖｅ，ｍｍＷａｖｅ）とは、波長が１ｍｍ～１０ｍｍ、周波数が３０ＧＨｚ～３００ＧＨｚの電磁波のことで、超高周波（ｅｘｔｒｅｍｅｌｙ ｈｉｇｈ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ，ＥＨＦ）とも呼ばれる。ミリ波は、主に電子通信、軍事通信、科学研究、医療などの分野で利用されており、第５世代無線システム（５ｔｈ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｗｉｒｅｌｅｓｓ ｓｙｓｔｅｍ，５Ｇ）開発のキーテクノロジーともなっており、無線通信規格「５Ｇ」に対応するため、現在の開発トレンドの主流が高周波伝送であることは間違いない。そのため、業界では、高周波基板を基地局アンテナ、衛星レーダー、車載レーダー、無線通信用アンテナ、あるいは電力増幅器などに使用できるように、高周波伝送（例えば６ＧＨｚ～７７ＧＨｚの周波数帯）に対応した高周波基板材料の開発に力を入れている。
高周波伝送機能を持つ基板にするために、高周波基板は通常、高い誘電率（Ｄｋ）と低い誘電正接（Ｄｆ）を有しており、高周波基板の誘電率と誘電正接を高周波基板の誘電特性と呼ぶ。
一般的に、高周波基板の材料としては、低極性のポリフェニレンエーテル樹脂及びポリブタジエン樹脂で構成される。ポリフェニレンエーテル樹脂及びポリブタジエン樹脂低極性の特性は、高周波基板の吸水性を下げることができる。かつ、ポリブタジエン樹脂の添加は、高周波基板の誘電特性をさらに向上させることができる。なお、ポリフェニレンエーテル樹脂及びポリブタジエン樹脂で製造された高周波基板は、ガラス転移温度（ｇｌａｓｓ ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ，Ｔｇ）が低下し、高周波基板と金属層との結合力が良くない課題を有している。そのため、既存の技術では、高周波基板が理想な誘電特性を有するものの、加工性が悪い。また、ポリブタジエンを使用することには、樹脂組成物が高い粘度を有しがち、樹脂組成物で製造されたプリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）はベタベタになりやすく、加工性もよくない。
上記によれば、既存の技術では、誘電特性がよく、ガラス転移温度が適当で、金属層同士に良い結合力が有される、加工性の優れた高周波基板用樹脂組成物が未だ開発されておらないことが明らかである。
本発明が解決しようとする課題は、既存の技術の不足に対し、高周波基板用樹脂組成物及び金属積層板を提供することにある。
上記技術的課題を解決するために、本発明が採用する技術的手段の１つとしては、下記のような高周波基板用樹脂組成物を提供することである。高周波基板用樹脂組成物の総重量が１００重量部とする場合、本発明に係る高周波基板用樹脂組成物は、ポリフェニレンエーテル樹脂２０～７０重量部と、ポリブタジエン樹脂５～４０重量部と、ビスマレイミド５～３０重量部と、架橋剤２０～４５重量部と、を含む。なかでも、高周波基板用樹脂組成物のガラス転移温度は２３０°Ｃ以上である。
本発明に係る特定の実施形態において、高周波基板用樹脂組成物の総重量が１００ｗｔ％とする場合、ポリブタジエン樹脂の含有量が２５ｗｔ％以下である。
本発明に係る特定の実施形態において、ポリフェニレンエーテル樹脂は、少なくとも１つの修飾基を有し、修飾基は、水酸基、アミン基、ビニル基、スチリル基、メタクリレート基およびエポキシ基からなる分子基の群から選択される。
本発明に係る特定の実施形態において、ポリフェニレンエーテル組成物は、第１のポリフェニレンエーテル及び第２のポリフェニレンエーテルを含み、第１のポリフェニレンエーテルと前記第２のポリフェニレンエーテルとのそれぞれの分子末端に少なくとも１つの修飾基を有し、修飾基は、水酸基、アミン基、ビニル基、スチリル基、メタクリレート基およびエポキシ基からなる分子基の群から選択される。かつ、第１のポリフェニレンエーテルの修飾基は、第２のポリフェニレンエーテルの修飾基と異なっている。第１のポリフェニレンエーテルと第２のポリフェニレンエーテルとの重量比は、０．５～１．５である。
本発明に係る特定の実施形態において、ポリブタジエン樹脂は、ブタジエンホモポリマー、スチレンブタジエン共重合体、スチレン－ブタジエン－スチレン共重合体、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体、水素化スチレン－ブタジエン－スチレン共重合体、及び水素化スチレン－ブタジエン－イソプレン－スチレン共重合体からなる群から選ばれる。
本発明に係る特定の実施形態において、ポリブタジエン樹脂は、ブタジエン－スチレン共重合体で形成され、ポリブタジエン樹脂の総重量が１００ｗｔ％とする場合、ポリブタジエン樹脂においてスチリルの含有量が１５ｗｔ％～４０ｔ％である。
本発明に係る特定の実施形態において、ポリブタジエン樹脂は、ブタジエン－スチレン共重合体で形成され、ポリブタジエン樹脂の総重量が１００ｗｔ％とする場合、ポリブタジエン樹脂においてスチリルの含有量が２０ｗｔ％～７０ｗｔ％である。
本発明に係る特定の実施形態において、ビスマレイミドは、（４，４’－メチレンジフェニル）ビスマレイミド（４，４’－ｄｉｐｈｅｎｙｌｍｅｔｈａｎｅ ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ）、フェニルマレイミドオリゴマー（ｏｌｉｇｏｍｅｒ ｏｆ ｐｈｅｎｙｌｍｅｔｈａｎｅ ｍａｌｅｉｍｉｄｅ）、Ｍ－フェニレンビスマレイミド（ｍ－ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ）、ビスフェノールＡジフェニルエーテルビスマレイン酸イミド（ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ ｄｉｐｈｅｎｙｌｅｔｈｅｒ ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ）、３，３’－ジメチル－５，５’－ジエチル－４，４’－ジフェニルエタンビスマレイミド（３，３’－ｄｉｍｅｔｈｙｌ－５，５’－ｄｉｅｔｈｙｌ－４，４’－ｄｉｐｈｅｎｙｌｍｅｔｈａｎｅ ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ）、（４－メチル－１，３－フェニレン）ビスマレイミド（４－ｍｅｔｈｙｌ－１，３－ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ）、１，６－ビスマレイミド－（２，２，４－トリメチル）ヘキサン（１，６’－ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ－（２，２，４－ｔｒｉｍｅｔｈｙｌ）ｈｅｘａｎｅ）又はそれらの任意の組み合わせである。
上記技術的課題を解決するために、本発明が採用する他の技術的手段では、下記のような金属積層板を提供することである。本発明に係る金属積層板は、基板と、基板に配置される金属層を含む。基板は、高周波基板用樹脂組成物で形成され、高周波基板用樹脂組成物の総重量が１００重量部とする場合、高周波基板用樹脂組成物は、ポリフェニレンエーテル樹脂２０～７０重量部と、ポリブタジエン樹脂５～４０重量部と、ビスマレイミド５～３０重量部と、架橋剤２０～４５重量部と、を含む。なかでも、高周波基板用樹脂組成物のガラス転移温度は２３０°Ｃ以上である。
金属積層板の剥離強度（ｐｅｅｌｉｎｇ ｓｔｒｅｎｇｔｈ）は６ｌｂ／ｉｎ以上である。
本発明に係る特定の実施形態において、基板の誘電率が３．５～３．８であり、基板の誘電正接が０．００３５～０．００４５である。
本発明による有益な効果の１つとしては、本発明が提供する高周波基板用樹脂組成物及び金属積層板は、「ビスマレイミドを５～３０重量部含む」という技術的手段によって、既存のプリプレグがベタベタで加工性の悪い問題を克服しつつ、高周波基板用樹脂組成物のガラス転移温度を高めるようにすることができる。
本発明に係る実施形態の金属積層板を示す側面模式図である。 本発明に係る他の実施形態の金属積層板を示す側面模式図である。
本発明の特徴及び技術内容がより一層分かるように、以下本発明に関する詳細な説明と添付図面を参照する。しかし、提供される添付図面は参考と説明のために提供するものに過ぎず、本発明の特許請求の範囲を制限するためのものではない。
下記より、具体的な実施例で本発明が開示する「高周波基板用樹脂組成物及び金属積層板」に係る実施形態を説明する。当業者は本明細書の公開内容により本発明のメリット及び効果を理解し得る。本発明は他の異なる実施形態により実行又は応用できる。本明細書における各細節も様々な観点又は応用に基づいて、本発明の精神逸脱しない限りに、均等の変形と変更を行うことができる。また、本発明の図面は簡単で模式的に説明するためのものであり、実際的な寸法を示すものではない。以下の実施形態において、さらに本発明に係る技術事項を説明するが、公開された内容は本発明を限定するものではない。
なお、本明細書において「第１」、「第２」、「第３」等の用語で各種の部品又は信号を説明する可能性があるが、これらの部品又は信号はこれらの用語によって制限されるものではない。これらの用語は、主として一つの部品と別の部品を区分するためのものであることが理解されたい。また、本明細書に用いられる「又は」という用語は、実際の状況に応じて、関連する項目中の何れか一つ又は複数の組合せを含み得る。
従来の技術において、高周波基板のガラス転移温度が低下し、高周波基板と金属層との結合性が悪い、またはプリプレグの加工性が悪い課題について、本発明は、下記のような高周波基板用樹脂組成物を提供する。本発明に係る高周波基板用樹脂組成物にビスマレイミドが添加され、高周波基板用樹脂組成物の粘度を下げることができる。このように、高周波基板用樹脂組成物にポリブタジエン樹脂が同時に含まれても、高周波基板用樹脂組成物で製造されたプリプレグには加工性が悪い問題が起こさない。かつ、本発明に係る高周波基板用樹脂組成物で形成された高周波基板は金属層と優れた結合力を有し、より高いガラス転移温度を有する。
［高周波基板用樹脂組成物］
本発明に係る高周波基板用樹脂組成物は、ポリフェニレンエーテル樹脂２０重量部（ｐｈｒ）～７０重量部と、ポリブタジエン樹脂５～４０重量部と、ビスマレイミド５～３０重量部と、架橋剤２０～４５重量部と、を含む。なかでも、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリブタジエン樹脂及びビスマレイミドの総重量が１００重量部とする。特定の成分と含有量を制限するによって、本発明に係る高周波基板用樹脂組成物は誘電特性がよく、ガラス転移温度が高く（は２３０°Ｃ以上である）、金属層と優れた結合力（剥離強度が６ｌｂ／ｉｎ以上である）を持つ高周波基板を製造し得ることができる。
本発明に係るポリフェニレンエーテル樹脂の重量平均分子量（ｗｅｉｇｈｔ－ａｖｅｒａｇｅ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｗｅｉｇｈｔ，Ｍｗ）が１０００ｇ／ｍｏｌ～２００００ｇ／ｍｏｌであり、好ましくは、ポリフェニレンエーテル樹脂の重量平均分子量が２０００ｇ／ｍｏｌ～１００００ｇ／ｍｏｌであり、さらに好ましくは、ポリフェニレンエーテル樹脂の重量平均分子量が２０００ｇ／ｍｏｌ～２２００ｇ／ｍｏｌである。ポリフェニレンエーテル樹脂の重量平均分子量が２００００ｇ／ｍｏｌ未満である時、溶媒への溶解率が高いため、高周波基板用樹脂組成物の製造に向いている。
好ましい実施形態において、ポリフェニレンエーテル樹脂は少なくとも１つの修飾基を有してもよい。修飾基は、水酸基、アミン基、ビニル基、スチリル基、メタクリレート基およびエポキシ基からなる分子基の群から選択される。ポリフェニレンエーテル樹脂の修飾基は架橋反応を促進する不飽和結合を提供し、高いガラス転移温度（ｇｌａｓｓ ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ，Ｔｇ）かつ耐熱性の良い材料が形成できる。本実施形態において、ポリフェニレンエーテル樹脂の分子構成における相対する末端のそれぞれに修飾基が有さえられ、かつ、上記２つの修飾基が同じである。
好ましい実施形態において、ポリフェニレンエーテル組成物は、複数種類のポリフェニレンエーテルを含んでもよい。例えば、本発明に係るポリフェニレンエーテル組成物に、第１のポリフェニレンエーテル及び第２のポリフェニレンエーテルが含まれてもよい。第１のポリフェニレンエーテル及び第２のポリフェニレンエーテルの分子末端のそれぞれに少なくとも１つの修飾基を有する。修飾基は、水酸基、アミン基、ビニル基、スチリル基、メタクリレート基およびエポキシ基からなる分子基の群から選択される。かつ、第１のポリフェニレンエーテルの修飾基は、第２のポリフェニレンエーテルの修飾基と異なっている。具体的に、第１のポリフェニレンエーテルと第２のポリフェニレンエーテルとの重量比が０．５～１．５であり、好ましくは、第１のポリフェニレンエーテルと第２のポリフェニレンエーテルとの重量比が０．７５～１．２５であり、さらに好ましくは、第１のポリフェニレンエーテルと第２のポリフェニレンエーテルとの重量比が１である。
例えば、第１のポリフェニレンエーテルと第２のポリフェニレンエーテルはそれぞれ、サウジ基礎産業公社（ＳＡＢＩＣ）製のＳＡ９０（２つの末端に配置される修飾基がヒドロキシ基である）、またはＳＡ９０００（２つの末端に配置される修飾基がメタクリレート基である）であるか、或いは三菱ガス化学株式会社（ＭＧＣ）製のＯＰＥ－２Ｓｔ（２つの末端に配置される修飾基がスチリル基である）、ＯＰＥ－２ＥＡ（２つの末端に配置される修飾基がメタクリレート基である）、またはＯＰＥ－２Ｇｌｙ（２つの末端に配置される修飾基がエポキシ基である）である。なお、本発明はこれらの例に制限されない。好ましい実施形態において、第１のポリフェニレンエーテルは、末端がスチレン基で修飾されたポリフェニレンエーテルであり、第２のポリフェニレンエーテルは、末端がメタクリレート基で修飾されたポリフェニレンエーテルである。スチリル基とメタクリレート基はいずれも非極性基であるため、第１のポリフェニレンエーテルと第２のポリフェニレンエーテルが硬化される際、極性基が生じないため、高周波基板により優れた誘電特性及び比較的に低い吸水率を持たせることができる。
本発明に係るポリブタジエン樹脂の重量平均分子量は１０００ｇ／ｍｏｌ～５００００ｇ／ｍｏｌであり、常温では、固体または液体となる。好ましくは、ポリブタジエン樹脂の重量平均分子量は、１０００ｇ／ｍｏｌ～１２０００ｇ／ｍｏｌであり、さらに好ましくは、ポリブタジエン樹脂の重量平均分子量が１０００ｇ／ｍｏｌ～９０００ｇ／ｍｏｌである。
好ましい実施形態において、ポリブタジエン樹脂は、アルキル基含有側鎖（ｓｉｄｅ ｃｈａｉｎ）を少なくとも１つを有する。ポリブタジエン樹脂に含まれるアルキル基含有側鎖は、不飽和結合となれ、架橋反応を促進することができる。このように、架橋後高周波基板用樹脂組成物の架橋密度を高めることができるため、優れた耐熱性を持たせることができる。かつ、ポリブタジエン樹脂には、アルキル基含有側鎖を有することによって、高周波基板用樹脂組成物の流動性を向上させ、さらに高周波基板用樹脂組成物の充填性を向上させることができる。
本明細書において、ポリブタジエン樹脂とは、ブタジエンホモポリマー、またはブタジエンと他のモノマーの共重合体等、ブタジエンモノマーで合成されたポリマーである。例えば、ブタジエンと他のモノマーの共重合体としては、スチレンブタジエン共重合体（ｓｔｙｒｅｎｅ－ｂｕｔａｄｉｅｎｅ ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ，ＳＢＲ）、スチレン－ブタジエン－スチレン共重合体（ｓｔｙｒｅｎｅ－ｂｕｔａｄｉｅｎｅ－ｓｔｙｒｅｎｅ ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ，ＳＢＳ）、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体、水素化スチレン－ブタジエン－スチレン共重合体、水素化スチレン－ブタジエン－イソプレン－スチレン共重合体が挙げられる。ポリブタジエン樹脂における不飽和結合には、架橋反応が起こされ、架橋後高周波基板用樹脂組成物の架橋密度を向上させることができるが、本発明は、この例に制限されない。
好ましい実施形態において、ポリブタジエン樹脂は、例えば、フランスのクレイバレー社（Ｃｒａｙ Ｖａｌｌｅｙ）製Ｒｉｃｏｎ(登録商標)１００、Ｒｉｃｏｎ(登録商標)１８４またはＲｉｃｏｎ(登録商標)２５７等のスチレンとブタジエンの共重合体である。ポリブタジエン樹脂は、スチレン－ブタジエン共重合体で形成される時、ポリブタジエン樹脂の総重量が１００ｗｔ％とする場合、ポリブタジエン樹脂において、スチリル基の含有量が１５ｗｔ％～４０ｗｔ％であり、ビニル基の含有量が２０ｗｔ％～７０ｗｔ％である。
本発明では、ビスマレイミドは高周波基板のガラス転移温度を高めることができる。例えば、本発明において、ビスマレイミドとしては、（４，４’－メチレンジフェニル）ビスマレイミド（例えば、日本大和化成工業株式会社（ＤＡＩＷＡＫＡＳＥＩ ＩＮＤＵＳＴＲＹ Ｃｏ．， ＬＴＤ．）製のＢＭＩ－１０００、ＢＭＩ－１０００Ｈ、ＢＭＩ－１０００Ｓ、ＢＭＩ－１１００またはＢＭＩ－１１００Ｈ）、フェニルマレイミドオリゴマー（例えば、日本大和化成工業株式会社製のＢＭＩ－２０００またはＢＭＩ－２３００）、Ｍ－フェニレンビスマレイミド（例えば、日本大和化成工業株式会社製のＢＭＩ－３０００またはＢＭＩ－３０００Ｈ）、ビスフェノールＡジフェニルエーテルビスマレイン酸イミド（例えば、日本大和化成工業株式会社製のＢＭＩ－４０００）、３，３’－ジメチル－５，５’－ジエチル－４，４’－ジフェニルエタンビスマレイミド（例えば、日本大和化成工業株式会社製のＢＭＩ－５１００）、（４－メチル－１，３－フェニレン）ビスマレイミド（例えば、日本大和化成工業株式会社製のＢＭＩ－７０００またはＢＭＩ－７０００Ｈ）、或いは１，６－ビスマレイミド－（２，２，４－トリメチル）ヘキサン（例えば、日本大和化成工業株式会社製のＢＭＩ－ＴＭＨ）が挙げられるが、本発明は、この例に制限されない。
なお、ビスマレイミドの添加は、高周波基板のガラス転移温度を向上させることができるが、高周波基板の誘電特性を低下させるようになることは注意されたい。そのため、本発明は、高周波基板のガラス転移温度及び誘電特性を両立させるために、ポリフェニレンエーテル樹脂とポリブタジエン樹脂との重量比を０．５～１３にすることによって、高周波基板の誘電特性を確保する。好ましくは、ポリフェニレンエーテル樹脂とポリブタジエン樹脂との重量比を０．８～３にする。さらに好ましくは、ポリフェニレンエーテル樹脂とポリブタジエン樹脂との重量比を０．８５～２にする。
本発明に架橋剤を添加することでは、ポリフェニレンエーテル樹脂とポリブタジエン樹脂との架橋度を高めることができる。本実施形態において、架橋剤は、アリル基（ａｌｌｙｌ ｇｒｏｕｐ）を含んでもよい。例えば、架橋剤としては、トリアリルシアヌレート（ｔｒｉａｌｌｙｌ ｃｙａｎｕｒａｔｅ，ＴＡＣ）、トリアリルイソシアヌレート（ｔｒｉａｌｌｙｌ ｉｓｏｃｙａｎｕｒａｔｅ，ＴＡＩＣ）、ジアリルフタレート（ｄｉａｌｌｙｌ ｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ジビニルベンゼン（ｄｉｖｉｎｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）、トリアリルトリメリテート（ｔｒｉａｌｌｙｌ ｔｒｉｍｅｌｌｉｔａｔｅ）またはそれらの任意の組み合わせが挙げられる。好ましくは、架橋剤はトリアリルイソシアヌレートであるが、本発明はこの例に制限されない。
高周波基板用樹脂組成物において、前記ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリブタジエン樹脂、ビスマレイミド及び架橋剤の他、また、必要に応じて、無機充填剤、増量剤及び／または難燃剤を添加することもできる。なお、無機充填剤、増量剤及び／または難燃剤は必要成分ではなく高周波基板用樹脂組成物に添加されなくてもよいことは注意されたい。
無機充填剤の添加は、高周波基板用樹脂組成物の粘度を下げるに有益である。例えば、無機充填剤としては、二酸化ケイ素、二酸化チタン、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化ホウ素、酸化カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、窒化ホウ素、窒素アルミニウム、炭化ケイ素、酸化セリウムまたはそれらの任意の組み合わせが挙げられるが、本発明は、この例に制限されない。
また、二酸化ケイ素は溶融または結晶性二酸化ケイ素であることが可能であり、銅箔全体的な誘電特性を考えれば、溶融性の二酸化ケイ素が好ましい。二酸化チタンはとして、ルチル（ｒｕｔｉｌｅ）、アナターゼ（ａｎａｔａｓｅ）、またはブルッカイト（ｂｒｏｏｋｉｔｅ）構成の二酸化チタンであることが可能であり、銅箔全体的な誘電特性を考えれば、ルチルで構成された二酸化チタンが好ましい。無機充填剤の総重量は、高周波基板用樹脂組成物の総重量の０．４倍～２．５倍である。好ましい実施形態において、無機充填剤の総重量は、高周波基板用樹脂組成物の総重量の０．６倍～２．２５倍である。
相溶化剤は、非極性ポリマーであり、ポリフェニレンエーテル樹脂とポリブタジエン樹脂との混練性を高めることができる。相溶化剤の形態は分子量によって異なっており、炭素数が５～１６である時、相溶化剤は通常、液体的な形式で存在し、炭素数が増えると相溶化剤は固体的な形式で存在する場合もある。
本実施形態において、相溶化剤は直鎖状オレフィンポリマーであり、複数のポリマーが重合された後、直鎖状ポリマーに形成されるが、ポリマーセルの構造は限定されない。言い換えれば、相溶化剤は、分岐状ポリマー（ｂｒａｎｃｈｅｄ ｐｏｌｙｍｅｒ）、網状化ポリマー（ｎｅｔｗｏｒｋ ｐｏｌｙｍｅｒ）或環状ポリマー（ｍａｃｒｏｃｙｃｌｉｃ ｐｏｌｙｍｅｒ）ではなく、線状ポリマー（ｌｉｎｅａｒ ｐｏｌｙｍｅｒ）である。また、相溶化剤はポリブタジエン樹脂ではない。
具体的に、相溶化剤としては、ポリエチレン共重合体、ポリプロピレン共重合体、メチルスチレン共重合体、環状オレフィン共重合体（ｃｙｃｌｉｃ ｏｌｅｆｉｎ ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）またはそれらの任意の組み合わせが挙げられるが、この例に制限されない。
本実施形態において、相溶化剤は、炭素数が２～１０となる少なくとも１つのアルキル基含有側鎖を有する。相溶化剤に含まれるアルキル基含有側鎖はポリフェニレンエーテル樹脂とポリブタジエン樹脂との混錬に役立ち、高周波基板用樹脂組成物の吸湿性、誘電率及び誘電正接を下げることができる。好ましい実施形態において、アルキル含有側鎖としては、ビニル基、アクリル基、スチレン基またはそれらの任意の組み合わせが挙げられる。好ましい他の実施形態において、相溶化剤は、ヒドロキシ基を有しない。相溶化剤にヒドロキシ基が含まれると、高周波基板用樹脂組成物の耐熱性と電気的特性が低下し、吸湿性が上がってしまう場合がある。
難燃剤の添加により、高周波基板の難燃性を高めることができる。難燃剤としては、例えば、リン系難燃剤や臭素系難燃剤などが挙げられる。
臭素系難燃剤としては、エチレンビステトラブロモフタルイミド（ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｂｉｓｔｅｔｒａｂｒｏｍｏｐｈｔｈａｌｉｍｉｄｅ）、ビス（ペンタブロモフェノキシ）テトラブロモベンゼン（ｔｅｔｒａｄｅｃａｂｒｏｍｏｄｉｐｈｅｎｏｘｙ ｂｅｎｚｅｎｅ）、デカブロモジフェニルオキシド（ｄｅｃａｂｒｏｍｏ ｄｉｐｈｅｎｏｘｙ ｏｘｉｄｅ）またはそれらの任意の組み合わせが挙げられるが、これらの例に制限されない。例えば、臭素系難燃剤は、米国のアルベマール社（ａｌｂｅｍａｒｌｅ ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）製のＳａｙｔｅｘ ＢＴ ９３Ｗ（ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｂｉｓｔｅｔｒａｂｒｏｍｏｐｈｔｈａｌｉｍｉｄｅ）難燃剤、Ｓａｙｔｅｘ １２０（ｔｅｔｒａｄｅｃａｂｒｏｍｏｄｉｐｈｅｎｏｘｙ ｂｅｎｚｅｎｅ）難燃剤、Ｓａｙｔｅｘ ８０１０（ｅｔｈａｎｅ－１，２－ｂｉｓ（ｐｅｎｔａｂｒｏｍｏｐｈｅｎｙｌ））難燃剤またはＳａｙｔｅｘ １０２（ｄｅｃａｂｒｏｍｏ ｄｉｐｈｅｎｏｘｙ ｏｘｉｄｄ）難燃剤であってもよいが、本発明は、これらの例に制限されない。
リン系難燃剤は、リン脂質系（ｓｕｌｐｈｏｓｕｃｃｉｎｉｃ ａｃｉｄ ｅｓｔｅｒ）、ホスファゼン系（ｐｈｏｓｐｈａｚｅｎｅ）、ポリリン酸アンモニウム系、メラミンリン酸塩系（ｍｅｌａｍｉｎｅ ｐｏｌｙｐｈｏｓｐｈａｔｅ）、メラミンシアヌレート（ｍｅｌａｍｉｎｅ ｃｙａｎｕｒａｔｅ）であってもよい。リン脂質系は、リン酸トリフェニル（ｔｒｉｐｈｅｎｙｌ ｐｈｏｓｐｈａｔｅ，ＴＰＰ）、レゾルシノールビスフォスフォネート（ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌ ｒｅｓｏｒｃｉｎｏｌ ｂｉｓ（ｄｉｐｈｅｎｙｌｐｈｏｓｐｈａｔｅ），ＲＤＰ）、ビスフェノールＡビス（ジフェニル）ホスフェート（ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ ｂｉｓ（ｄｉｐｈｅｎｙｌ ｐｈｏｓｐｈａｔｅ），ＢＰＡＰＰ）、ビスフェノールＡビス（ジメチル）ホスフェート（ＢＢＣ）、レゾルシノール二リン酸（例えば、ＤＡＩＨＡＣＨＩ社製のＣＲ－７３３Ｓ）、レゾルシノール－ビス（ジ－２，６－ジメチルフェニルホスフェート）（例えば、大八化学工業株式会社製のＰＸ－２００）であってもよいが、本発明は、これらの例に制限されない。
本実施形態において、難燃剤の総重量は、高周波基板用樹脂組成物の総重量の０．２倍～１．５倍である。好ましい実施形態において、難燃剤の総重量は、高周波基板用樹脂組成物の総重量の０．３倍～１．２５倍である。
また、本発明には、優れた誘電特性と高剥離強度を有し、高周波数伝送に向いている金属積層板が開示されている。
［金属積層板］
図１を参照されたい。図１は、本発明に係る特定の実施形態において、金属積層板の側面模式図である。本発明に係る金属積層板は基板１０と、１０に配置される金属層２０を備える。金属積層板の作製方法では、前記高周波基板用樹脂組成物で基板１０を形成させ、さらに基板１０に金属層２０を配置することである。
まず、基板１０の作製方法は、前記高周波基板用樹脂組成物を溶融し、含浸液となるように均一に混合させてから、繊維布を含浸液に含浸させる。そして、含浸済む繊維布を取り出し、乾燥させて、プリプレグとして得られる。プリプレグは次の加工処理を経たと基板１０が得られる。
本実施形態において、繊維布は、ガラス繊維、カーボン繊維、ケルバー(登録商標)ファイバー繊維、ポリエステル繊維、石英繊維、またはそれらの組み合わせなどで織り成すことができる。好ましい実施形態において、繊維布は、例えば、電子工業用通用繊維布（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｇｌａｓｓ ｆａｂｒｉｃ）、電子工業用超薄型ガラス繊維布（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｇｌａｓｓ ｆａｂｒｉｃｓ－ｕｌｔｒａ ｔｈｉｎ ｃｌｏｔｈ）或電子工業用低誘電率ガラス繊維布（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｇｌａｓｓ ｆａｂｒｉｃｓ－ｌｏｗ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｃｌｏｔｈ）等のガラス繊維で織り成される。なお、本発明は、これらの例に制限されない。
また、金属層２０の構成では、金属箔を温度１８０°Ｃ～２６０°Ｃ、圧力１５ｋｇ／ｃｍ２～５５ｋｇ／ｃｍ２で２～４時間連続的に熱圧することによって、金属箔を基板１０に貼り合って、金属層２０として形成させる。続いて、１°Ｃ／ｍｉｎ～４°Ｃ／ｍｉｎの冷却速度で１５０°Ｃまで冷却させてから、１０°Ｃ／ｍｉｎの冷却速度で１５０°Ｃから室温まで冷却させる。このように、基板１０の結晶度を向上させ、金属積層板の寸法安定性を向上させることができる。なお、本発明は、この例に制限されない。
金属層２０の配置数は、金属積層板の種類によって調整できる。例えば、基板１０の片面に金属層２０が配置されると、片面金属積層板（例えば、図１に示すように）が得られる。また、基板１０の両面に金属層２０が配置されると、両面金属積層板（例えば、図２に示すように）が得られる。
図２を参照されたい。図２は、本発明に係る他の実施形態における金属積層板の側面模式図である。両面金属積層板は、上記のような製造方法で、基板１０の両面のそれぞれに金属層２０を配置するようになる。図２において、基板１０及び金属層２０の構成は上記実施形態と同様であり、ここでは説明を繰り返さない。
また、他の実施形態において、金属層２０は、エッチングと現像によって、金属層２０をパターン化させ、回路層を形成させる。このように、高周波数伝送に適する、誘電特性の優れたプリント回路基板が得られる。
Figure 0007209764000001
上記の表に示すように、基板１０は、本発明に係る高周波基板用樹脂組成物で製造されたため、具体的に、基板１０の誘電率は３．５～３．８であり、誘電正接が０．００３５～０．００４５である優れた誘電特性を有する。基板１０の誘電率及び誘電正接のいずれも、誘電分析装置（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ａｎａｌｙｚｅｒ）（型番ＨＰ Ａｇｉｌｅｎｔ Ｅ５０７１Ｃ）で測定され、測定時の周波数は１０ＧＨｚであった。
本発明に係る高周波基板用樹脂組成物にビスマレイミドが添加されるため、基板１０のガラス転移温度を高める効果が果たせる。このように、本発明に係る基板１０のガラス転移温度が２３０°Ｃ以上であり、具体的に、基板１０のガラス転移温度が２３０°Ｃ～２８０°Ｃである。好ましくは、基板１０のガラス転移温度が２３５°Ｃ～２８０°Ｃである。
また、本発明に係る基板１０と金属層２０とは優れた結合力を有し、金属積層板の剥離強度が６ｌｂ／ｉｎ以上となり、具体的に、金属積層板の剥離強度が６ｌｂ／ｉｎ～８．５ｌｂ／ｉｎである。好ましくは、金属積層板の剥離強度が６．５ｌｂ／ｉｎ～８．５ｌｂ／ｉｎである。金属積層板の剥離強度は、ＩＰＣ－ＴＭ－６５０－２．４．８の測定法で測定されたものである。
［実施形態による有益な効果］
本発明に係る有益な効果の１つとしては、本発明が提供する高周波基板用樹脂組成物及び金属積層板は、「ビスマレイミドを５～３０重量部含有する」という技術的手段によって、従来のプリプレグがベタベタになりやすく加工性が悪い課題を克服しつつ、高周波基板用樹脂組成物のガラス転移温度を高めることができる。
さらに言えば、本発明が提供する高周波基板用樹脂組成物及び金属積層板は、「前記高周波基板用樹脂組成物の総重量を基準にして、前記ポリブタジエン樹脂の含有量が２５ｗｔ％以下である」という技術的手段によって、優れた誘電特性及び加工性を両立させることができる。
また、本発明が提供する高周波基板用樹脂組成物及び金属積層板は、「前記ポリフェニレンエーテル樹脂が少なくとも１つの修飾基を有する」という技術的手段によって、架橋反応を起こさせ、ガラス転移温度を高めることができる。
以上に開示される内容は本発明の好ましい実施可能な実施例に過ぎず、これにより本発明の特許請求の範囲を制限するものではないので、本発明の明細書及び添付図面の内容に基づき為された等価の技術変形は、全て本発明の特許請求の範囲に含まれるものとする。
１０：基板
２０：金属層

Claims (11)

  1. 総重量１００重量部に対して、
    ポリフェニレンエーテル樹脂２０～７０重量部と、
    ポリブタジエン樹脂５～４０重量部と、
    ビスマレイミド５～３０重量部と、
    架橋剤２０～４５重量部と、
    を含み、
    前記ポリフェニレンエーテル樹脂は、第１のポリフェニレンエーテル及び第２のポリフェニレンエーテルを含んでなり、第１のポリフェニレンエーテルは、末端がスチレン基で修飾されたポリフェニレンエーテルであり、第２のポリフェニレンエーテルは、末端がメタクリレート基で修飾されたポリフェニレンエーテルであり、
    硬化後のガラス転移温度が２３０℃以上であることを特徴とする、高周波基板用樹脂組成物。
  2. 前記高周波基板用樹脂組成物の総重量を１００ｗｔ％として、前記ポリブタジエン樹脂の含有量が２５ｗｔ％以下である、請求項１に記載の高周波基板用樹脂組成物。
  3. 前記第１のポリフェニレンエーテルと前記第２のポリフェニレンエーテルとの重量比が０．５～１．５である、請求項１に記載の高周波基板用樹脂組成物。
  4. 前記ポリブタジエン樹脂は、ブタジエンホモポリマー（ｂｕｔａｄｉｅｎｅ ｈｏｍｏｐｏｌｙｍｅｒ）、スチレンブタジエン共重合体（ｓｔｙｒｅｎｅ－ｂｕｔａｄｉｅｎｅ ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）、スチレン－ブタジエン－スチレン共重合体（ｓｔｙｒｅｎｅ－ｂｕｔａｄｉｅｎｅ－ｓｔｙｒｅｎｅ ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体（ａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ－ｂｕｔａｄｉｅｎｅ ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）、水素化スチレン－ブタジエン－スチレン共重合体（ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ ｓｔｙｒｅｎｅ－ｂｕｔａｄｉｅｎｅ－ｓｔｙｒｅｎｅ ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）、及び水素化スチレン－ブタジエン－イソプレン－スチレン共重合体（ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ ｓｔｙｒｅｎｅ－ｂｕｔａｄｉｅｎｅ－ｉｓｏｐｒｅｎｅ－ｓｔｙｒｅｎｅ ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）からなる群から選ばれる、請求項１に記載の高周波基板用樹脂組成物。
  5. 前記ポリブタジエン樹脂は、ブタジエン－スチレン共重合体で形成され、前記ポリブタジエン樹脂の総重量を１００ｗｔ％として、前記ポリブタジエン樹脂においてビニル基の含有量が２０ｗｔ％～７０ｗｔ％である、請求項４に記載の高周波基板用樹脂組成物。
  6. 前記ポリブタジエン樹脂は、ブタジエン－スチレン共重合体で形成され、前記ポリブタジエン樹脂の総重量を１００ｗｔ％として、前記ポリブタジエン樹脂においてスチリルの含有量が１５ｗｔ％～４０ｗｔ％である、請求項４に記載の高周波基板用樹脂組成物。
  7. 前記ビスマレイミドが（４，４’－メチレンジフェニル）ビスマレイミド、フェニルマレイミドオリゴマー、Ｍ－フェニレンビスマレイミド、ビスフェノールＡジフェニルエーテルビスマレイン酸イミド、３，３’－ジメチル－５，５’－ジエチル－４，４’－ジフェニルエタンビスマレイミド、（４－メチル－１，３－フェニレン）ビスマレイミド、１，６－ビスマレイミド－（２，２，４－トリメチル）ヘキサンまたはそれらの任意の組み合わせである、請求項１に記載の高周波基板用樹脂組成物。
  8. 前記ポリフェニレンエーテル樹脂の重量平均分子量が１０００ｇ／ｍｏｌ～２００００ｇ／ｍｏｌである、請求項１に記載の高周波基板用樹脂組成物。
  9. 前記ポリブタジエン樹脂の重量平均分子量が１０００ｇ／ｍｏｌ～９０００ｇ／ｍｏｌである、請求項１に記載の高周波基板用樹脂組成物。
  10. 請求項１～９のいずれか１項に記載の高周波基板用樹脂組成物から形成される、基板と、
    前記基板に配置された金属層と、
    を含む金属積層板であって、
    前記金属積層板の剥離強度が６ｌｂ／ｉｎ以上である、ことを特徴とする金属積層板。
  11. 前記基板の誘電率が３．５～３．８であり、前記基板の誘電正接が０．００３５～０．００４５である、請求項１０に記載の金属積層板。
JP2021076148A 2020-07-23 2021-04-28 高周波基板用樹脂組成物及び金属積層板 Active JP7209764B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW109124865 2020-07-23
TW109124865A TWI795658B (zh) 2020-07-23 2020-07-23 高頻基板用樹脂組成物及金屬積層板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022022090A JP2022022090A (ja) 2022-02-03
JP7209764B2 true JP7209764B2 (ja) 2023-01-20

Family

ID=79586051

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021076148A Active JP7209764B2 (ja) 2020-07-23 2021-04-28 高周波基板用樹脂組成物及び金属積層板

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220030709A1 (ja)
JP (1) JP7209764B2 (ja)
CN (1) CN113969051A (ja)
TW (1) TWI795658B (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI809707B (zh) * 2022-02-10 2023-07-21 台光電子材料股份有限公司 半固化片及其製品
CN114524942A (zh) * 2022-03-22 2022-05-24 林州致远电子科技有限公司 一种热特性高的低介电低损耗树脂预聚物及制备方法
CN115073858B (zh) * 2022-06-15 2023-11-14 西安天和嘉膜工业材料有限责任公司 高频板用双马改性烯烃树脂胶液、胶布及制备方法和应用
TWI828197B (zh) * 2022-06-16 2024-01-01 南亞塑膠工業股份有限公司 橡膠樹脂材料及應用其的金屬基板
TWI814448B (zh) * 2022-06-16 2023-09-01 南亞塑膠工業股份有限公司 高導熱低介電橡膠樹脂材料及應用其的金屬基板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019230945A1 (ja) 2018-06-01 2019-12-05 三菱瓦斯化学株式会社 樹脂組成物、プリプレグ、金属箔張積層板、樹脂シート及びプリント配線板
WO2020096036A1 (ja) 2018-11-08 2020-05-14 日立化成株式会社 樹脂組成物、プリプレグ、積層板、樹脂フィルム、多層プリント配線板及びミリ波レーダー用多層プリント配線板

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7645838B2 (en) * 2001-06-29 2010-01-12 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Conjugated non-aromatic diene or dienophilic compound-modified polyphenylene ethers
US7413791B2 (en) * 2003-01-28 2008-08-19 Matsushita Electric Works, Ltd. Poly (phenylene ether) resin composition, prepreg, and laminated sheet
JP4325337B2 (ja) * 2003-09-19 2009-09-02 日立化成工業株式会社 樹脂組成物、それを用いたプリプレグ、積層板及び多層プリント配線板
WO2005073264A1 (ja) * 2004-01-30 2005-08-11 Nippon Steel Chemical Co., Ltd. 硬化性樹脂組成物
JP5138267B2 (ja) * 2007-04-18 2013-02-06 日立化成工業株式会社 プリプレグ、それを用いた多層基配線板及び電子部品
JP5104507B2 (ja) * 2007-04-26 2012-12-19 日立化成工業株式会社 セミｉｐｎ型複合体の熱硬化性樹脂を含有する樹脂ワニスの製造方法、並びにこれを用いたプリント配線板用樹脂ワニス、プリプレグ及び金属張積層板
CN102304264B (zh) * 2011-08-23 2013-03-13 南亚塑胶工业股份有限公司 一种高频铜箔基板及其所使用的复合材料
CN103965606A (zh) * 2013-02-04 2014-08-06 联茂电子股份有限公司 一种低介电材料
TWI513761B (zh) * 2013-04-30 2015-12-21 Ind Tech Res Inst 樹脂組合物、膠片、及包含其之基材
JP6504386B2 (ja) * 2014-12-16 2019-04-24 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 ポリフェニレンエーテル樹脂組成物、プリプレグ、金属張積層板及びプリント配線板
TWI600709B (zh) * 2016-03-10 2017-10-01 台燿科技股份有限公司 樹脂組合物及其應用
CN108411446B (zh) * 2017-02-10 2021-08-27 旭化成株式会社 玻璃布、预浸料、及印刷电路板
WO2019208471A1 (ja) * 2018-04-27 2019-10-31 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 樹脂組成物、プリプレグ、樹脂付きフィルム、樹脂付き金属箔、金属張積層板、及び配線板
CN112011181A (zh) * 2019-05-31 2020-12-01 台光电子材料(昆山)有限公司 一种树脂组合物及其制品

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019230945A1 (ja) 2018-06-01 2019-12-05 三菱瓦斯化学株式会社 樹脂組成物、プリプレグ、金属箔張積層板、樹脂シート及びプリント配線板
WO2020096036A1 (ja) 2018-11-08 2020-05-14 日立化成株式会社 樹脂組成物、プリプレグ、積層板、樹脂フィルム、多層プリント配線板及びミリ波レーダー用多層プリント配線板

Also Published As

Publication number Publication date
US20220030709A1 (en) 2022-01-27
CN113969051A (zh) 2022-01-25
TWI795658B (zh) 2023-03-11
JP2022022090A (ja) 2022-02-03
TW202204512A (zh) 2022-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7209764B2 (ja) 高周波基板用樹脂組成物及び金属積層板
EP2407503B1 (en) Thermosetting resin composition of semi-ipn composite, and varnish, prepreg and metal clad laminated board using the same
KR100561070B1 (ko) 고속전송 회로기판용 열경화성 수지 조성물
US10584222B2 (en) Resin composition and pre-preg and laminate using the composition
US11015052B2 (en) Halogen-free low dielectric resin composition, and prepreg, metal-clad laminate, and printed circuit board prepared using the same
CN107227015B (zh) 低介电材料
TWI532776B (zh) Aromatic tetrafunctional vinyl benzyl resin composition and its application
KR102537178B1 (ko) 수지 조성물, 수지 필름, 적층판, 다층 프린트 배선판 및 다층 프린트 배선판의 제조 방법
KR102669464B1 (ko) 인쇄 회로 기판용 물질
CN113150457A (zh) 一种改性碳氢-改性间规聚苯乙烯复合材料及含其覆铜板和制备方法
US20230331957A1 (en) Resin composition, prepreg, film provided with resin, metal foil provided with resin, metal-clad laminate, and wiring board
CN111690247A (zh) 树脂组合物及其应用
TW202024235A (zh) 樹脂組合物、印刷電路用預浸片及覆金屬層壓板
TWI801765B (zh) 電路基板材料、預浸基材及電路基板
JPH0579686B2 (ja)
CN112079722A (zh) 活性酯化合物、树脂组合物及具有其的半固化片、绝缘薄膜、覆金属箔层压板、印制线路板
TW202037668A (zh) 熱固性樹脂組成物及包含其之印刷電路板
JP2000315845A (ja) 回路基板
JP2000026553A (ja) 硬化性組成物
KR102613586B1 (ko) 저유전정접 수지 조성물
WO2023171215A1 (ja) 樹脂組成物、プリプレグ、樹脂付きフィルム、樹脂付き金属箔、金属張積層板、及び配線板
WO2024009831A1 (ja) 樹脂組成物、プリプレグ、樹脂付きフィルム、樹脂付き金属箔、金属張積層板、及び配線板
TW201724126A (zh) 低介電材料
JPH0289386A (ja) 難燃性樹脂組成物
US20230265275A1 (en) Curable Compositions

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210428

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220407

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220418

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220712

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220822

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221006

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20221212

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230110

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7209764

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150