JP7190529B2 - 接合用組成物、並びに導電体の接合構造及びその製造方法 - Google Patents
接合用組成物、並びに導電体の接合構造及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7190529B2 JP7190529B2 JP2021080397A JP2021080397A JP7190529B2 JP 7190529 B2 JP7190529 B2 JP 7190529B2 JP 2021080397 A JP2021080397 A JP 2021080397A JP 2021080397 A JP2021080397 A JP 2021080397A JP 7190529 B2 JP7190529 B2 JP 7190529B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mass
- parts
- reducing agent
- conductor
- liquid medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/16—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
- B22F9/18—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
- B22F9/24—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from liquid metal compounds, e.g. solutions
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
- B22F7/06—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
- B22F7/062—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools involving the connection or repairing of preformed parts
- B22F7/064—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools involving the connection or repairing of preformed parts using an intermediate powder layer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/10—Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/10—Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material
- B22F1/107—Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material containing organic material comprising solvents, e.g. for slip casting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/14—Treatment of metallic powder
- B22F1/145—Chemical treatment, e.g. passivation or decarburisation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
- B22F7/02—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite layers
- B22F7/04—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite layers with one or more layers not made from powder, e.g. made from solid metal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/27—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R11/00—Individual connecting elements providing two or more spaced connecting locations for conductive members which are, or may be, thereby interconnected, e.g. end pieces for wires or cables supported by the wire or cable and having means for facilitating electrical connection to some other wire, terminal, or conductive member, blocks of binding posts
- H01R11/01—Individual connecting elements providing two or more spaced connecting locations for conductive members which are, or may be, thereby interconnected, e.g. end pieces for wires or cables supported by the wire or cable and having means for facilitating electrical connection to some other wire, terminal, or conductive member, blocks of binding posts characterised by the form or arrangement of the conductive interconnection between the connecting locations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R43/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/10—Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material
- B22F1/103—Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material containing an organic binding agent comprising a mixture of, or obtained by reaction of, two or more components other than a solvent or a lubricating agent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/273—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector
- H01L2224/2731—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector in liquid form
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/273—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector
- H01L2224/2731—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector in liquid form
- H01L2224/27312—Continuous flow, e.g. using a microsyringe, a pump, a nozzle or extrusion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/273—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector
- H01L2224/2731—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector in liquid form
- H01L2224/2732—Screen printing, i.e. using a stencil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/278—Post-treatment of the layer connector
- H01L2224/27848—Thermal treatments, e.g. annealing, controlled cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29199—Material of the matrix
- H01L2224/29294—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a liquid not provided for in groups H01L2224/292 - H01L2224/29291
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/29347—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/2939—Base material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/83053—Bonding environment
- H01L2224/83054—Composition of the atmosphere
- H01L2224/83075—Composition of the atmosphere being inert
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/832—Applying energy for connecting
- H01L2224/83201—Compression bonding
- H01L2224/83203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8384—Sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/1026—Compound semiconductors
- H01L2924/1027—IV
- H01L2924/10272—Silicon Carbide [SiC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/1026—Compound semiconductors
- H01L2924/1032—III-V
- H01L2924/1033—Gallium nitride [GaN]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
前記還元剤が、少なくとも1個のアミノ基及び複数の水酸基を有し、
前記還元剤の沸点が、前記液媒体の沸点よりも高く、
前記還元剤の融点が、前記銅粉の焼結温度以下である、接合用組成物を提供することにより前記の課題を解決したものである。
前記塗膜を乾燥させて、前記液媒体の少なくとも一部を除去し、乾燥塗膜を得、
第2の導電体を前記乾燥塗膜上に積層して、前記乾燥塗膜を前記第1の導電体と前記第2の導電体の間に介在させ、
前記乾燥塗膜を加熱して該乾燥塗膜中の前記銅粉を焼結させることによって、前記第1の導電体と前記第2の導電体とを接合する、導電体の接合構造の製造方法を提供するものである。
(a)銅粉
(b)液媒体
(c)還元剤
DSEM50は、銅粒子の走査型電子顕微鏡像から、無作為に50個以上選んで粒径(ヘイウッド径)を測定し、次いで、得られた粒径から、粒子が真球であると仮定したときの体積を算出し、該体積の累積体積50容量%における体積累積粒径をDSEM50とする。
具体的には、マウンテック社製Mac-Viewを用い、銅粒子の画像データを読み込んだ後、データ上の銅粒子を無作為に50個以上選んで、該粒子の粒径(ヘイウッド径)、該粒子の二次元投影像の面積S、及び該粒子の二次元投影像の周囲長Lをそれぞれ測定する。次いで、得られたヘイウッド径から、粒子が真球であると仮定したときの体積を算出し、該体積の累積体積50容量%における体積累積粒径をDSEM50とする。
フレーク状銅粒子における長軸a及び短軸bの長さは、以下のようにして求める。すなわち、測定対象の粒子について、その横断長が最も長い線分を決定し、その線分を回転軸として該回転軸まわりに360度回転させて得られる立体を考える。この立体について、回転軸と直交する方向への二次元投影像を求め、該二次元投影像が外接する長方形を決定する。この長方形の長辺の長さを長軸aとする。一方、短軸bについては、上述の立体について、回転軸に沿った方向への二次元投影像を求め、該二次元投影像が外接する長方形を決定する。この長方形の長辺の長さを短軸bとする。粒子を無作為に50個以上選んで上述の方法で各粒子について長軸a及び短軸bをそれぞれ決定し、これらの算術平均値を算出する。
また、還元力を高めるという観点より、還元剤は水酸基を3個以上有することが好ましく、4個以上有することが更に好ましく、5個以上有することがより一層好ましい。
(1)接合用組成物の調製
銅粉として、DSEM50が0.16μmである球状のものを用いた。還元剤として、ビス(2-ヒドロキシエチル)イミノトリス(ヒドロキシメチル)メタンを用いた。この還元剤は25℃において固体であり、融点は104℃であり、沸点は300℃超である。液媒体としてエチレングリコールを用いた。この液媒体の沸点は197℃である。これらを混合してペースト状の接合用組成物を得た。接合用組成物における還元剤の割合は銅粉100部に対して2.5部であり、液媒体の割合は銅粉100部に対して22.5部であった。また、せん断速度10s-1における接合用組成物の粘度は25℃において25Pa・sであった。
10mm四方の正方形の銅板(厚み0.5mm)の中央に、スクリーン印刷によって接合用組成物を塗布して塗膜を形成した。塗膜は、5mm四方の正方形に形成した。塗膜の厚みは35μmであった。この塗膜を熱風乾燥機中、110℃、10分で乾燥させて液媒体を除去し、室温下に放置し、乾燥塗膜を得た。また、乾燥塗膜中の液媒体の含有量を確認した結果、4質量%以下であった。
接合用組成物における還元剤の割合を銅粉100部に対して5.0部とし、液媒体の割合を銅粉100部に対して20.0部とした他は、実施例1と同様にしてペースト状の接合用組成物を得た。また、せん断速度10s-1における接合用組成物の粘度は25℃において42Pa・sであった。そして、実施例1と同様の条件で乾燥塗膜を得た。また、乾燥塗膜中の液媒体の含有量を確認した結果、4質量%以下であった。そして、実施例1と同様の条件で接合構造を作製した。銅の接合部位に、前記の構造(3)で表される構造が形成されていることを、TOF-SIMSによる質量分析によって確認した。
還元剤をmeso-エリスリトール(融点:121℃、沸点:330℃)とし、接合用組成物における還元剤の割合を銅粉100部に対して2.5部とし、液媒体の割合を銅粉100部に対して22.5部とした他は、実施例1と同様にしてペースト状の接合用組成物を得た。せん断速度10s-1における接合用組成物の粘度は25℃において59Pa・sであった。そして、実施例1と同様の条件で乾燥塗膜を得た。また、乾燥塗膜中の液媒体の含有量を確認した結果、4質量%以下であった。そして、実施例1と同様の条件で接合構造を作製した。銅の接合部位に、前記の構造(3)で表される構造が形成されていないことを、TOF-SIMSによる質量分析によって確認した。なお、meso-エリスリトールとは、4つの水酸基を有するものの、アミノ基を有さない還元剤である。
還元剤をmeso-エリスリトール(融点:121℃、沸点:330℃)とし、接合用組成物における還元剤の割合を銅粉100部に対して5.0部とし、液媒体の割合を銅粉100部に対して20.0部とした他は、実施例1と同様にしてペースト状の接合用組成物を得た。せん断速度10s-1における接合用組成物の粘度は25℃において70Pa・sであった。そして、実施例1と同様の条件で乾燥塗膜を得た。また、乾燥塗膜中の液媒体の含有量を確認した結果、4質量%以下であった。そして、実施例1と同様の条件で接合構造を作製した。銅の接合部位に、前記の構造(3)で表される構造が形成されていないことを、TOF-SIMSによる質量分析によって確認した。
還元剤をトリメチロールプロパン(融点:58℃、沸点:296℃)とし、接合用組成物における還元剤の割合を銅粉100部に対して2.5部とし、液媒体の割合を銅粉100部に対して22.5部とした他は、実施例1と同様にしてペースト状の接合用組成物を得た。せん断速度10s-1における接合用組成物の粘度は25℃において51Pa・sであった。そして、実施例1と同様の条件で乾燥塗膜を得た。また、乾燥塗膜中の液媒体の含有量を確認した結果、4質量%以下であった。そして、実施例1と同様の条件で接合構造を作製した。銅の接合部位に、前記の構造(3)で表される構造が形成されていないことを、TOF-SIMSによる質量分析によって確認した。なお、トリメチロールプロパンは、水酸基を有するもののアミノ基を有さない還元剤である。
還元剤をトリメチロールプロパン(融点:58℃、沸点:296℃)とし、接合用組成物における還元剤の割合を銅粉100部に対して5.0部とし、液媒体の割合を銅粉100部に対して20.0部とした他は、実施例1と同様にしてペースト状の接合用組成物を得た。せん断速度10s-1における接合用組成物の粘度は25℃において66Pa・sであった。そして、実施例1と同様の条件で乾燥塗膜を得た。また、乾燥塗膜中の液媒体の含有量を確認した結果、4質量%以下であった。そして、実施例1と同様の条件で接合構造を作製した。銅の接合部位に、前記の構造(3)で表される構造が形成されていないことを、TOF-SIMSによる質量分析によって確認した。
接合用組成物における銅粉を、DSEM50が0.14μmの球状銅粉と、D50が4.9μmでアスペクト比が13のフレーク状銅粉との混合物に変更した。銅粉の混合物中に占める球状銅粉とフレーク状銅粉の含有割合は、球状銅粉70質量%:フレーク状銅粉30質量%とした。また、還元剤の割合を銅粉100部に対して2.5部とした。更に、液媒体をポリエチレングリコール300とヘキシレングリコールとの混合物に変更した。銅粉100部に対する各液媒体の含有割合は表2に示すとおりとした。その他は実施例1と同様にして、ペースト状の接合用組成物を得た。せん断速度10s-1における接合用組成物の粘度は25℃において34Pa・sであった。そして、実施例1と同様の条件で乾燥塗膜を得た。乾燥塗膜中の液媒体の含有量を確認した結果、5質量%以下であった。実施例1と同様の条件で接合構造を作製したところ、銅の接合部位に、前記の構造(3)で表される構造が形成されていることを、TOF-SIMSによる質量分析によって確認した。
接合用組成物における銅粉を、実施例3と同様の球状銅粉とフレーク状銅粉との混合物に変更した。また、還元剤の割合を銅粉100部に対して0.1部とした。更に、液媒体をポリエチレングリコールとヘキシレングリコールの混合物に変更した。銅粉100部に対する各液媒体の含有割合は表2に示すとおりとした。その他は実施例1と同様にして、ペースト状の接合用組成物を得た。せん断速度10s-1における接合用組成物の粘度は25℃において14Pa・sであった。そして、実施例1と同様の条件で乾燥塗膜を得た。乾燥塗膜中の液媒体の含有量を確認した結果、5質量%以下であった。実施例1と同様の条件で接合構造を作製したところ、銅の接合部位に、前記の構造(3)で表される構造が形成されていることを、TOF-SIMSによる質量分析によって確認した。
実施例及び比較例で得られた接合構造について、外観及びシェア強度を以下の方法で評価及び測定した。また、乾燥塗膜についても以下の方法で外観の評価を行った。それらの結果を以下の表1及び表2に示す。
乾燥塗膜を目視にて観察し、割れ、表面の異物、穴の有無を確認し、以下の基準で評価した。
A:割れ、表面の異物及び穴がいずれも確認されない。
B:割れ、表面の異物及び穴のうちのいずれかが確認される。
接合部位を目視観察して、銅板の周囲からのはみ出しの程度を以下の基準で評価した。
A:銅板の周囲からの接合部位のはみ出しが観察されない。
B:銅板の周囲からの接合部位のはみ出しが観察される。
XYZTEC社製のボンドテスター Condor Sigmaを用いて接合構造のシェア強度を測定した。以下の基準で評価した。シェア強度(MPa)は、破断荷重(N)/接合面積(mm2)で定義される値である。
A:30MPa以上
B:30MPa未満
Claims (11)
- 銅粉、液媒体及び還元剤を含む接合用組成物を、第1の導電体の表面上に塗布して塗膜を形成し、
前記塗膜を乾燥させて乾燥塗膜を得、
第2の導電体を前記乾燥塗膜上に積層して、前記乾燥塗膜を前記第1の導電体と前記第2の導電体の間に介在させ、
前記乾燥塗膜に含まれる前記銅粉を圧力下で焼結させることによって、前記第1の導電体と前記第2の導電体とを接合する、導電体の接合構造の製造方法であって、
前記還元剤の沸点が前記液媒体の沸点よりも高く、
前記還元剤の融点が前記銅粉の焼結温度以下であり、
前記液媒体が沸点が188℃以上300℃未満のアルコールであり、
前記液媒体の割合が前記銅粉100質量部に対して10質量部以上40質量部以下であり、
前記還元剤が少なくとも1個のアミノ基及び複数の水酸基を有する、導電体の接合構造の製造方法。 - 前記塗膜の全質量に対して前記液媒体が9質量%以下になるまで該塗膜を乾燥させる、請求項1に記載の製造方法。
- せん断速度10s-1及び25℃における粘度が10Pa・s以上200Pa・s以下である前記接合用組成物を用いる、請求項1又は2に記載の製造方法。
- 前記銅粉100質量部に対し、前記還元剤が0.1質量部以上10質量部以下含まれる前記接合用組成物を用いる、請求項1ないし3のいずれか一項に記載の製造方法。
- 銅粉、液媒体及び還元剤を含む接合用組成物を、第1の導電体の表面上に塗布して塗膜を形成し、
前記塗膜を乾燥させて乾燥塗膜を得、
第2の導電体を前記乾燥塗膜上に積層して、前記乾燥塗膜を前記第1の導電体と前記第2の導電体の間に介在させ、
前記乾燥塗膜に含まれる前記銅粉を圧力下で焼結させることによって、前記第1の導電体と前記第2の導電体とを接合する、導電体の接合方法であって、
前記還元剤の沸点が前記液媒体の沸点よりも高く、
前記還元剤の融点が前記銅粉の焼結温度以下であり、
前記液媒体が沸点が188℃以上300℃未満のアルコールであり、
前記液媒体の割合が前記銅粉100質量部に対して10質量部以上40質量部以下であり、
前記還元剤が少なくとも1個のアミノ基及び複数の水酸基を有する、導電体の接合方法。 - 前記塗膜の全質量に対して前記液媒体が9質量%以下になるまで該塗膜を乾燥させる、請求項5に記載の接合方法。
- せん断速度10s-1及び25℃における粘度が10Pa・s以上200Pa・s以下である前記接合用組成物を用いる、請求項5又は6に記載の接合方法。
- 前記銅粉100質量部に対し、前記還元剤が0.1質量部以上10質量部以下含まれる前記接合用組成物を用いる、請求項5ないし7のいずれか一項に記載の接合方法。
- 第1の導電体と第2の導電体とを加圧下に接合するために用いられる接合用組成物であって、
銅粉、液媒体及び還元剤を含み、
前記還元剤の沸点が前記液媒体の沸点よりも高く、
前記還元剤の融点が前記銅粉の焼結温度以下であり、
前記液媒体が沸点が188℃以上300℃未満のアルコールであり、
前記液媒体の割合が前記銅粉100質量部に対して10質量部以上40質量部以下であり、
前記還元剤が少なくとも1個のアミノ基及び複数の水酸基を有する、接合用組成物。 - せん断速度10s-1及び25℃における粘度が10Pa・s以上200Pa・s以下である、請求項9に記載の接合用組成物。
- 前記銅粉100質量部に対し、前記還元剤が0.1質量部以上10質量部以下含まれる、請求項9又は10に記載の前記接合用組成物。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018149768 | 2018-08-08 | ||
JP2018149768 | 2018-08-08 | ||
JP2020535870A JP6884285B2 (ja) | 2018-08-08 | 2019-08-08 | 接合用組成物、並びに導電体の接合構造及びその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020535870A Division JP6884285B2 (ja) | 2018-08-08 | 2019-08-08 | 接合用組成物、並びに導電体の接合構造及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021143426A JP2021143426A (ja) | 2021-09-24 |
JP7190529B2 true JP7190529B2 (ja) | 2022-12-15 |
Family
ID=69414775
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020535870A Active JP6884285B2 (ja) | 2018-08-08 | 2019-08-08 | 接合用組成物、並びに導電体の接合構造及びその製造方法 |
JP2021080397A Active JP7190529B2 (ja) | 2018-08-08 | 2021-05-11 | 接合用組成物、並びに導電体の接合構造及びその製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020535870A Active JP6884285B2 (ja) | 2018-08-08 | 2019-08-08 | 接合用組成物、並びに導電体の接合構造及びその製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11931808B2 (ja) |
EP (1) | EP3834965A4 (ja) |
JP (2) | JP6884285B2 (ja) |
KR (2) | KR20230030007A (ja) |
CN (2) | CN112437706B (ja) |
SG (1) | SG11202100308YA (ja) |
TW (1) | TW202012564A (ja) |
WO (1) | WO2020032161A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3951840A4 (en) * | 2019-03-29 | 2022-06-08 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | COMPOSITE BODIES AND METHOD OF MAKING THEREOF |
WO2020203530A1 (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 三井金属鉱業株式会社 | 加圧接合用組成物、並びに導電体の接合構造及びその製造方法 |
US20220157765A1 (en) * | 2019-03-29 | 2022-05-19 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Bonding material and bonded structure |
KR20220152384A (ko) * | 2020-03-19 | 2022-11-15 | 미쓰이금속광업주식회사 | 접합용 시트 및 접합 구조 |
WO2022210477A1 (ja) | 2021-03-30 | 2022-10-06 | 三井金属鉱業株式会社 | 接合構造体 |
WO2023282235A1 (ja) * | 2021-07-06 | 2023-01-12 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 接合用金属ペースト、並びに接合体及びその製造方法 |
WO2023190451A1 (ja) * | 2022-03-30 | 2023-10-05 | 三井金属鉱業株式会社 | 接合体の製造方法 |
WO2023210449A1 (ja) * | 2022-04-28 | 2023-11-02 | 三井金属鉱業株式会社 | 接合用銅ペースト、被接合体の接合方法、接合体の製造方法及び接合用銅ペーストの製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011114747A1 (ja) | 2010-03-18 | 2011-09-22 | 古河電気工業株式会社 | 導電性ペースト、及び該ペーストから得られる導電接続部材 |
JP2013196936A (ja) | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Asahi Glass Co Ltd | 導電ペースト、導電体、導電膜付き基材およびその製造方法 |
WO2014080662A1 (ja) | 2012-11-26 | 2014-05-30 | 三井金属鉱業株式会社 | 銅粉及びその製造方法 |
JP2015076232A (ja) | 2013-10-08 | 2015-04-20 | 東洋紡株式会社 | 導電性ペースト、導電性薄膜及び電気回路 |
JP2016178047A (ja) | 2015-03-23 | 2016-10-06 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | 導電性材料および導電性組成物 |
JP2017157329A (ja) | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 三井金属鉱業株式会社 | 銅ペースト及び銅の焼結体の製造方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7820232B2 (en) * | 2003-05-16 | 2010-10-26 | Harima Chemicals, Inc. | Method for forming fine copper particle sintered product type of electric conductor having fine shape, and process for forming copper fine wiring and thin copper film by applying said method |
US7828872B2 (en) * | 2004-08-20 | 2010-11-09 | Ishihara Sangyo Kaisha, Ltd. | Copper microparticle and process for producing the same |
JP2010050238A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Seiko Epson Corp | 接合方法および接合体 |
CN102326213A (zh) * | 2009-02-18 | 2012-01-18 | 东洋纺织株式会社 | 金属薄膜制造方法以及金属薄膜 |
JP5829919B2 (ja) * | 2010-02-05 | 2015-12-09 | ナミックス株式会社 | 金属導電性ペースト用の還元剤組成物 |
KR101260956B1 (ko) * | 2011-02-25 | 2013-05-06 | 한화케미칼 주식회사 | 오프셋 또는 리버스오프셋 인쇄용 전도성 잉크 조성물 |
CN102675961B (zh) * | 2011-03-08 | 2015-08-19 | 深圳市尊业纳米材料有限公司 | 一种导电油墨及其制备方法和使用方法 |
JP5830302B2 (ja) | 2011-08-11 | 2015-12-09 | 古河電気工業株式会社 | 加熱接合用材料、加熱接合用シート体、及び加熱接合用成形体 |
JP5976684B2 (ja) * | 2012-01-20 | 2016-08-24 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 接合材およびそれを用いた接合方法 |
WO2013125604A1 (ja) * | 2012-02-20 | 2013-08-29 | 株式会社応用ナノ粒子研究所 | 酸素供給源含有複合ナノ金属ペースト及び接合方法 |
JP5610112B1 (ja) * | 2013-01-30 | 2014-10-22 | Dic株式会社 | 導電性ペースト、導電性パターンの形成方法及び導電性パターン印刷物 |
US9190188B2 (en) | 2013-06-13 | 2015-11-17 | E I Du Pont De Nemours And Company | Photonic sintering of polymer thick film copper conductor compositions |
JP2015018672A (ja) | 2013-07-10 | 2015-01-29 | 富士フイルム株式会社 | 導電膜形成用組成物およびこれを用いる導電膜の製造方法 |
KR102097368B1 (ko) | 2014-08-29 | 2020-04-06 | 미쓰이금속광업주식회사 | 도전체의 접속 구조 및 그 제조 방법, 도전성 조성물 그리고 전자부품 모듈 |
MY182241A (en) * | 2014-09-01 | 2021-01-18 | Dowa Electronics Materials Co | Bonding material and bonding method using same |
US10610928B2 (en) * | 2015-09-30 | 2020-04-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Powder for conductive material, ink for conductive material, conductive paste, and method for producing powder for conductive material |
-
2019
- 2019-08-08 EP EP19848184.8A patent/EP3834965A4/en active Pending
- 2019-08-08 TW TW108128275A patent/TW202012564A/zh unknown
- 2019-08-08 CN CN201980048168.0A patent/CN112437706B/zh active Active
- 2019-08-08 CN CN202311727224.8A patent/CN117696898A/zh active Pending
- 2019-08-08 US US17/262,924 patent/US11931808B2/en active Active
- 2019-08-08 KR KR1020237005174A patent/KR20230030007A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-08-08 WO PCT/JP2019/031325 patent/WO2020032161A1/ja unknown
- 2019-08-08 KR KR1020217001057A patent/KR102501588B1/ko active IP Right Grant
- 2019-08-08 SG SG11202100308YA patent/SG11202100308YA/en unknown
- 2019-08-08 JP JP2020535870A patent/JP6884285B2/ja active Active
-
2021
- 2021-05-11 JP JP2021080397A patent/JP7190529B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011114747A1 (ja) | 2010-03-18 | 2011-09-22 | 古河電気工業株式会社 | 導電性ペースト、及び該ペーストから得られる導電接続部材 |
JP2013196936A (ja) | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Asahi Glass Co Ltd | 導電ペースト、導電体、導電膜付き基材およびその製造方法 |
WO2014080662A1 (ja) | 2012-11-26 | 2014-05-30 | 三井金属鉱業株式会社 | 銅粉及びその製造方法 |
JP2015076232A (ja) | 2013-10-08 | 2015-04-20 | 東洋紡株式会社 | 導電性ペースト、導電性薄膜及び電気回路 |
JP2016178047A (ja) | 2015-03-23 | 2016-10-06 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | 導電性材料および導電性組成物 |
JP2017157329A (ja) | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 三井金属鉱業株式会社 | 銅ペースト及び銅の焼結体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3834965A4 (en) | 2021-08-18 |
CN112437706A (zh) | 2021-03-02 |
WO2020032161A1 (ja) | 2020-02-13 |
EP3834965A1 (en) | 2021-06-16 |
US11931808B2 (en) | 2024-03-19 |
KR20230030007A (ko) | 2023-03-03 |
JPWO2020032161A1 (ja) | 2021-03-11 |
CN112437706B (zh) | 2024-01-02 |
JP6884285B2 (ja) | 2021-06-09 |
TW202012564A (zh) | 2020-04-01 |
KR20210042081A (ko) | 2021-04-16 |
KR102501588B1 (ko) | 2023-02-21 |
CN117696898A (zh) | 2024-03-15 |
JP2021143426A (ja) | 2021-09-24 |
US20210138541A1 (en) | 2021-05-13 |
SG11202100308YA (en) | 2021-02-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7190529B2 (ja) | 接合用組成物、並びに導電体の接合構造及びその製造方法 | |
CN107921541B (zh) | 接合体及半导体装置 | |
JP5774472B2 (ja) | 熱強化された電気絶縁性接着ペースト | |
JP7455114B2 (ja) | 接合材料及び接合構造 | |
JPWO2019082932A1 (ja) | 熱電変換モジュールの製造方法、熱電変換モジュール及び熱電変換モジュール用接合材 | |
JP2019087396A (ja) | 銀ペースト、接合体及び接合体の製造方法 | |
JP7150144B2 (ja) | 加圧接合用組成物、並びに導電体の接合構造及びその製造方法 | |
WO2019021637A1 (ja) | 金属接合積層体の製造方法 | |
JP7317397B2 (ja) | 酸化銅ペースト及び電子部品の製造方法 | |
WO2022210477A1 (ja) | 接合構造体 | |
KR20220152384A (ko) | 접합용 시트 및 접합 구조 | |
JP7487011B2 (ja) | 接合材、接合材の製造方法及び接合方法 | |
WO2023189120A1 (ja) | 加圧接合用銅ペースト、半導体装置、加圧接合用銅ペーストの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210610 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220603 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20220826 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220927 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221021 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221115 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221205 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7190529 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |