JP7187478B2 - フォトンカウンティング装置およびフォトンカウンティング方法 - Google Patents
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Description
図1はフォトンカウンティング装置の構成を示す図である。図1に示すように、フォトンカウンティング装置1は、CMOSイメージセンサ10と、CMOSイメージセンサ10に接続されたコンピュータ20とを備えている。CMOSイメージセンサ10は、複数の画素11と、A/Dコンバータ15とを含んでいる。複数の画素11は、2次元に配置されており、行方向及び列方向に配列されている。各画素11は、フォトダイオード(光電変換素子)12とアンプ13とを有している。フォトダイオード12は、フォトンの入力によって生成された電子(光電子)を電荷として蓄積する。アンプ13は、フォトダイオード12に蓄積された電荷を電圧に変換し、増幅する。増幅された電圧は、各画素11の選択スイッチ14の切換によって、ライン毎(行毎)に垂直信号線16に転送される。各垂直信号線16にはCDS(correlated double sampling)回路17が配置されている。CDS回路17は、画素間でバラツキのあるノイズを除去し、転送された電圧を一時的に保管する。
デジタル値[DN]=ゲイン[DN/e]×電子数[e]+オフセット値[DN]
閾値(下限)=(電子数-0.5)×ゲイン+オフセット値×ビニングサイズ
閾値(上限)=(電子数+0.5)×ゲイン+オフセット値×ビニングサイズ
補正後のデジタル値=((デジタル値-オフセット値)/ゲイン)×見た目上のゲイン+見た目上のオフセット値
デジタル値[DN]=ゲイン[DN/e]×電子数[e]+オフセット値[DN]
補正後のデジタル値=((デジタル値-オフセット値)/ゲイン)×11+100
閾値(下限)=(電子数-0.5)×見た目上のゲイン+見た目上のオフセット値×ビニングサイズ
閾値(上限)=(電子数+0.5)×見た目上のゲイン+見た目上のオフセット値×ビニングサイズ
補正後のデジタル値=((デジタル値-オフセット値)/ゲイン)×見た目上のゲイン+見た目上のオフセット値
補正後のデジタル値=((デジタル値-オフセット値)/ゲイン)×見た目上のゲイン
閾値(下限)=(電子数-0.5)×見た目上のゲイン
閾値(上限)=(電子数+0.5)×見た目上のゲイン
補正後のデジタル値=((デジタル値-オフセット値)/ゲイン)
閾値(下限)=(電子数-0.5)
閾値(上限)=(電子数+0.5)
Claims (8)
- 入力された光を電荷に変換する光電変換素子と前記光電変換素子によって変換された電荷を増幅して電圧に変換するアンプとを含む複数の画素と、
前記複数の画素のそれぞれの前記アンプから出力される電圧をデジタル値に変換して出力するA/Dコンバータと、
前記複数の画素間におけるゲイン及びオフセット値のばらつきの影響が抑制されるように、前記A/Dコンバータから出力される前記デジタル値を補正する補正部と、
少なくとも2つの前記画素における前記補正されたデジタル値が互いに加算された加算値を出力する演算部と、
前記演算部から出力された前記加算値をフォトン数に変換する変換部と、を備え、
前記補正部は、前記ゲイン及び前記オフセット値に対応するパラメータであって前記複数の画素に共通する予め設定された該パラメータを参照し、前記ゲイン及び前記オフセット値と前記パラメータとのズレに基づいて、前記複数の画素ごとの前記デジタル値を補正する、フォトンカウンティング装置。 - 前記アンプの読み出しノイズは、0.2[e-rms]以下である、請求項1に記載のフォトンカウンティング装置。
- 前記アンプの読み出しノイズは、0.15[e-rms]以下である、請求項1に記載のフォトンカウンティング装置。
- 前記ゲインは、10[DN/e]以上である、請求項1~3のいずれか一項に記載のフォトンカウンティング装置。
- 複数の画素を構成するそれぞれの光電変換素子に入力された光を電荷に変換するステップと、
変換された前記電荷を前記複数の画素を構成するアンプによって増幅して、電圧に変換するステップと、
それぞれの前記アンプから出力される電圧をA/Dコンバータによってデジタル値に変換して出力するステップと、
前記複数の画素間におけるゲイン及びオフセット値のばらつきの影響が抑制されるように、前記A/Dコンバータから出力される前記デジタル値を補正するステップと、
少なくとも2つの前記画素に対応する前記補正されたデジタル値を加算し、加算値を出力するステップと、
前記加算値をフォトン数に変換するステップと、を備え、
前記デジタル値を補正するステップでは、前記ゲイン及び前記オフセット値と、パラメータとのズレに基づいて、前記複数の画素ごとの前記デジタル値を補正し、
前記パラメータは、前記ゲイン及び前記オフセット値に対応しており、前記複数の画素に共通するように予め設定されている、フォトンカウンティング方法。 - 前記アンプの読み出しノイズは、0.2[e-rms]以下である、請求項5に記載のフォトンカウンティング方法。
- 前記アンプの読み出しノイズは、0.15[e-rms]以下である、請求項5に記載のフォトンカウンティング方法。
- 前記ゲインは、10[DN/e]以上である、請求項5~7のいずれか一項に記載のフォトンカウンティング方法。
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WO2023119934A1 (ja) | 2021-12-24 | 2023-06-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | 閾値決定方法、閾値決定プログラム、閾値決定装置、光子数識別システム、光子数識別方法および光子数識別処理プログラム |
WO2023129566A1 (en) * | 2021-12-28 | 2023-07-06 | Gigajot Technology, Inc. | Image sensors with on-chip adc data compression for multi-bit electron-number outputs |
US20230209226A1 (en) * | 2021-12-28 | 2023-06-29 | Gigajot Technology, Inc. | Image Sensors with On-Chip ADC Data Compression for Multi-Bit Electron-Number Outputs |
WO2023228449A1 (ja) * | 2022-05-27 | 2023-11-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光装置、ラマン分光測定装置、及び分光方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004532998A (ja) | 2001-06-23 | 2004-10-28 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | ガンマ光線撮像用の耐障害検出器アレイ |
JP2005167918A (ja) | 2003-12-05 | 2005-06-23 | Sony Corp | 固体撮像装置、撮像方法 |
JP2011071958A (ja) | 2009-08-28 | 2011-04-07 | Sony Corp | 撮像素子およびカメラシステム |
JP2011119441A (ja) | 2009-12-03 | 2011-06-16 | Sony Corp | 撮像素子およびカメラシステム |
JP2016019115A (ja) | 2014-07-08 | 2016-02-01 | ソニー株式会社 | 画素回路、半導体光検出装置および放射線計数装置 |
WO2016080016A1 (ja) | 2014-11-20 | 2016-05-26 | 株式会社島津製作所 | 光検出器 |
JP2016111670A (ja) | 2014-12-01 | 2016-06-20 | ソニー株式会社 | 放射線計数装置、および、放射線計数装置の制御方法 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4370127B2 (ja) | 2002-08-29 | 2009-11-25 | オリンパス株式会社 | 光走査型顕微鏡及び顕微鏡用測光装置 |
WO2006034585A1 (en) * | 2004-09-28 | 2006-04-06 | UNIVERSITé DE SHERBROOKE | Method and system for low radiation computed tomography (ct) |
US7453054B2 (en) * | 2005-08-23 | 2008-11-18 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus for calibrating parallel readout paths in imagers |
JP4808557B2 (ja) | 2006-07-04 | 2011-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
US7605375B2 (en) | 2007-04-26 | 2009-10-20 | Oy Ajat Ltd. | Multi-functional radiation/photon identifying and processing application specific integrated circuit and device |
US9200956B2 (en) * | 2010-06-27 | 2015-12-01 | Sri International | Readout transistor circuits for CMOS imagers |
JP5797884B2 (ja) * | 2010-08-04 | 2015-10-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 光量検出方法及びその装置 |
CN101980146B (zh) * | 2010-10-13 | 2012-10-24 | 华东师范大学 | 基于光子数可分辨探测的真随机数发生器 |
JP2013038661A (ja) | 2011-08-09 | 2013-02-21 | Sharp Corp | A/d変換器、固体撮像装置および電子情報機器 |
JP2013090139A (ja) | 2011-10-18 | 2013-05-13 | Sony Corp | 撮像素子およびカメラシステム |
WO2013099723A1 (ja) | 2011-12-27 | 2013-07-04 | ソニー株式会社 | 撮像素子、撮像装置、電子機器および撮像方法 |
CN104471441B (zh) * | 2012-06-27 | 2017-07-18 | 皇家飞利浦有限公司 | 谱光子计数探测器 |
US9521337B1 (en) | 2012-07-13 | 2016-12-13 | Rambus Inc. | Reset-marking pixel sensor |
FR2998666B1 (fr) * | 2012-11-27 | 2022-01-07 | E2V Semiconductors | Procede de production d'images avec information de profondeur et capteur d'image |
KR20150099727A (ko) | 2012-12-20 | 2015-09-01 | 소니 주식회사 | 촬상 소자, 촬상 장치, 전자 기기, 임계치 산출 장치 및 촬상 방법 |
JP2015065532A (ja) * | 2013-09-24 | 2015-04-09 | 株式会社東芝 | 信号処理装置および信号処理方法 |
EP3063874B1 (en) * | 2013-10-31 | 2018-10-10 | Thorlabs, Inc. | Multiple channel matching method |
JP2015162604A (ja) | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 株式会社東芝 | Cmosイメージセンサ |
US9897707B2 (en) | 2014-06-20 | 2018-02-20 | Bruker Axs, Inc. | X-ray detector operable in a mixed photon-counting/analog output mode |
WO2016076767A1 (en) | 2014-11-10 | 2016-05-19 | Prismatic Sensors Ab | X-ray imaging based on image data from a photon-counting multi bin x-ray detector |
JP6821596B2 (ja) * | 2015-11-19 | 2021-01-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光パルス検出装置、光パルス検出方法、放射線計数装置、および生体検査装置 |
JP6700737B2 (ja) | 2015-11-20 | 2020-05-27 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像システム、信号処理装置、及び、放射線画像の信号処理方法 |
US20170212253A1 (en) | 2016-01-22 | 2017-07-27 | General Electric Company | Adaptive ct detector having integrated readout electronics |
JP6933471B2 (ja) | 2016-03-09 | 2021-09-08 | キヤノンメディカルシステムズ株式会社 | 光子計数型検出器及びx線ct装置 |
US10338012B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-07-02 | Toshiba Medical Systems Corporation | Photon counting detector and X-ray computed tomography (CT) apparatus |
EP4283980A3 (en) * | 2017-11-24 | 2024-02-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photon counting device and photon counting method |
-
2018
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-
2020
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-
2021
- 2021-07-26 JP JP2021121336A patent/JP7181972B2/ja active Active
- 2021-10-14 US US17/501,398 patent/US11835667B2/en active Active
- 2021-10-15 US US17/502,424 patent/US11656374B2/en active Active
-
2022
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-
2023
- 2023-04-12 US US18/133,578 patent/US11921245B2/en active Active
- 2023-06-07 US US18/206,806 patent/US20230324570A1/en active Pending
-
2024
- 2024-04-08 JP JP2024062071A patent/JP2024074951A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004532998A (ja) | 2001-06-23 | 2004-10-28 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | ガンマ光線撮像用の耐障害検出器アレイ |
JP2005167918A (ja) | 2003-12-05 | 2005-06-23 | Sony Corp | 固体撮像装置、撮像方法 |
JP2011071958A (ja) | 2009-08-28 | 2011-04-07 | Sony Corp | 撮像素子およびカメラシステム |
JP2011119441A (ja) | 2009-12-03 | 2011-06-16 | Sony Corp | 撮像素子およびカメラシステム |
JP2016019115A (ja) | 2014-07-08 | 2016-02-01 | ソニー株式会社 | 画素回路、半導体光検出装置および放射線計数装置 |
WO2016080016A1 (ja) | 2014-11-20 | 2016-05-26 | 株式会社島津製作所 | 光検出器 |
JP2016111670A (ja) | 2014-12-01 | 2016-06-20 | ソニー株式会社 | 放射線計数装置、および、放射線計数装置の制御方法 |
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