JP7176013B2 - 回折格子の製造 - Google Patents
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Description
[0002] 導波路は、信号の拡がりを1次元または2次元に制限し、最小のエネルギー損失での信号の伝播を可能にすることによって、電磁波または音波を導く構造である。波は3次元的に伝播し、音波や電磁波などの波の生成源から伝播して離れるにつれて、波は出力を失うことがある。波が1次元または2次元で伝搬するように波を閉じ込めることによって、波の出力は保存される。導波路はこのように、波が伝搬する間、波の出力を保持する。
Claims (17)
- 基板をパターニングする方法であって、
基板の第1の面上にハードマスク層を形成することであって、前記基板は、透明な材料から形成され、前記基板の幅に沿った垂直面によって規定される、ハードマスク層を形成することと、
ナノインプリントリソグラフィによって、前記ハードマスク層上に、パターニングされた層を形成することと、
前記パターニングされた層および前記ハードマスク層をエッチングして、前記基板の前記第1の面を露出させることと、
前記パターニングされた層を除去することと、
前記基板の前記第1の面をエッチングして、前記基板の前記第1の面に第1の複数の傾斜メサを形成することであって、前記第1の複数の傾斜メサの各傾斜メサは、前記垂直面に対して20度から70度の角度でエッチングされる、第1の複数の傾斜メサを形成することと、
その後、前記ハードマスク層を除去することと、
前記第1の面とは反対側の前記基板の第2の面上に、第2の複数の傾斜メサを含むパターンを形成することであって、前記第2の複数の傾斜メサは、前記第1の複数の傾斜メサとは異なる角度にある、パターンを形成することと、
を含む、方法。 - 前記基板の前記第1の面上に前記ハードマスク層を形成することは、化学気相堆積(CVD)、物理的気相堆積(PVD)、または原子層堆積(ALD)を使用することを含む、請求項1に記載の方法。
- 回折格子を形成する方法であって、
ターゲットスタック上に第1のハードマスク層を形成することであって、前記ターゲットスタックは、第1の基板の第1の面上に形成され、前記第1の基板は、透明な材料を含み、前記第1の基板の幅に沿った垂直面によって規定される、第1のハードマスク層を形成することと、
前記第1のハードマスク層に複数の開口をエッチングすることと、
前記ターゲットスタックをエッチングして、前記第1の基板の前記第1の面上の前記ターゲットスタックに第1の複数の傾斜メサを形成することであって、前記第1の複数の傾斜メサの各傾斜メサは、前記垂直面に対して20度から70度の第1の角度でエッチングされる、第1の複数の傾斜メサを形成することと、
前記第1の面とは反対側の前記第1の基板の第2の面上に、第2のハードマスク層を形成することと、
ナノインプリントリソグラフィによって、前記第2のハードマスク層上に、パターニングされた層を形成することと、
前記パターニングされた層および前記第2のハードマスク層をエッチングして、前記第1の基板の前記第2の面を露出させることと、
前記パターニングされた層を除去することと、
前記第1の基板の前記第2の面をエッチングすることと、
前記エッチングに応答して、前記第1の基板の前記第2の面に第2の複数の傾斜メサを形成することであって、前記第2の複数の傾斜メサの各傾斜メサは、前記垂直面に対して20度から70度の第2の角度でエッチングされる、第2の複数の傾斜メサを形成することと、
を含む方法。 - 前記第1のハードマスク層を形成することは、ナノインプリントリソグラフィ(NIL)を使用して、前記第1のハードマスク層をパターンとして堆積させることを含み、前記パターンは、複数のメサと、該複数のメサの隣接するメサ間の複数の傾斜トラフとを含む、請求項3に記載の方法。
- 透明基板を前記ターゲットスタックに取り付けることをさらに含む、請求項3または4に記載の方法。
- 前記第1の基板の前記第2の面上に前記第2のハードマスク層を形成することは、ナノインプリントリソグラフィ(NIL)を使用して、前記第2のハードマスク層をパターンとして堆積させることを含み、前記パターンは、複数のメサと、該複数のメサの隣接するメサ間の複数の傾斜トラフとを含む、請求項3から5のいずれか一項に記載の方法。
- 指向性エッチングを使用して、前記ターゲットスタックおよび前記第1の基板の前記第2の面の各々をエッチングすることをさらに含む、請求項3から6のいずれか一項に記載の方法。
- 指向性エッチングは、
前記第1の基板の前記垂直面に対して前記第1の角度をなすイオンビームの経路に前記ターゲットスタックの第1の部分を位置付けることであって、前記ターゲットスタックの前記第1の部分をエッチングすることは、前記ターゲットスタックの前記第1の部分を前記イオンビームに露出して、前記第1の角度で前記第1の複数の傾斜メサを形成することを含む、第1の部分を位置付けることと、
前記第1の基板を、前記垂直面に対して垂直な中心軸の周りに所定の回転角度まで回転させることと、
を含む、請求項7に記載の方法。 - 回折格子を形成する方法であって、
ターゲットスタック上に第1のハードマスク層を形成することであって、前記ターゲットスタックは、第1の基板の第1の面上に形成され、前記第1の基板は、前記第1の基板の幅に沿った垂直面によって規定される、第1のハードマスク層を形成することと、
前記第1のハードマスク層に複数の開口をエッチングすることと、
前記ターゲットスタックをエッチングして、前記第1の基板の前記第1の面上の前記ターゲットスタックに、第1の複数の傾斜メサを形成することであって、前記第1の複数の傾斜メサの各傾斜メサは、前記垂直面に対して20度から70度の角度でエッチングされる、傾斜メサを形成することと、
前記第1の面とは反対側の前記第1の基板の第2の面上に、第2のハードマスク層を形成することと、
ナノインプリントリソグラフィによって、前記第2のハードマスク層上に、パターニングされた層を形成することと、
を含む方法。 - 前記パターニングされた層および前記第2のハードマスク層をエッチングして、前記第1の基板の前記第2の面を露出させることと、
前記パターニングされた層を除去することと、
前記第1の基板の前記第2の面をエッチングすることと、
をさらに含む、請求項9に記載の方法。 - 前記第1のハードマスク層を形成することは、ナノインプリントリソグラフィ(NIL)を使用して、前記第1のハードマスク層をパターンとして堆積することを含み、前記パターンは、複数のメサと、該複数のメサの隣接するメサ間の複数の傾斜トラフとを含む、請求項9または10に記載の方法。
- 前記第1のハードマスク層を形成することおよび/または前記第2のハードマスク層を形成することは、化学気相堆積(CVD)、物理的気相堆積(PVD)、または原子層堆積(ALD)を使用することを含む、請求項9または10に記載の方法。
- 前記透明な材料は、ガラスまたはポリマーを含む、請求項1または2に記載の方法。
- 前記基板の前記第2の面上に前記第2の複数の傾斜メサを形成することに、ナノインプリントリソグラフィが使用される、請求項1または2に記載の方法。
- 前記第1の基板を前記所定の回転角度まで回転した後に、前記イオンビームの前記経路に前記ターゲットスタックの第2の部分を位置付けることと、
前記ターゲットスタックの前記第2の部分を前記イオンビームに露出することによって、前記ターゲットスタックの前記第2の部分をエッチングして、第3の複数のメサを形成することと、
をさらに含む、請求項8に記載の方法。 - 前記エッチングに応答して、前記第1の基板の前記第2の面に第2の複数の傾斜メサを形成することをさらに含み、前記第2の複数の傾斜メサの各傾斜メサは、前記垂直面に対して20度から70度の角度でエッチングされる、請求項10に記載の方法。
- 前記第1の基板は光学的に透明で、ガラスまたはポリマーを含む、請求項9から12のいずれか一項に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022178867A JP2023022053A (ja) | 2018-06-28 | 2022-11-08 | 回折格子の製造 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201862691421P | 2018-06-28 | 2018-06-28 | |
US62/691,421 | 2018-06-28 | ||
US201862692286P | 2018-06-29 | 2018-06-29 | |
US62/692,286 | 2018-06-29 | ||
PCT/US2019/039615 WO2020006308A1 (en) | 2018-06-28 | 2019-06-27 | Fabrication of diffraction gratings |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022178867A Division JP2023022053A (ja) | 2018-06-28 | 2022-11-08 | 回折格子の製造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021530862A JP2021530862A (ja) | 2021-11-11 |
JP7176013B2 true JP7176013B2 (ja) | 2022-11-21 |
Family
ID=68987556
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020571759A Active JP7176013B2 (ja) | 2018-06-28 | 2019-06-27 | 回折格子の製造 |
JP2022178867A Pending JP2023022053A (ja) | 2018-06-28 | 2022-11-08 | 回折格子の製造 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022178867A Pending JP2023022053A (ja) | 2018-06-28 | 2022-11-08 | 回折格子の製造 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11333896B2 (ja) |
EP (1) | EP3814840A4 (ja) |
JP (2) | JP7176013B2 (ja) |
KR (2) | KR102650642B1 (ja) |
CN (1) | CN112368639A (ja) |
TW (1) | TWI710016B (ja) |
WO (1) | WO2020006308A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
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- 2019-06-27 JP JP2020571759A patent/JP7176013B2/ja active Active
- 2019-06-27 KR KR1020237016781A patent/KR102650642B1/ko active IP Right Grant
- 2019-06-27 US US16/454,642 patent/US11333896B2/en active Active
- 2019-06-27 KR KR1020217002777A patent/KR102535740B1/ko active IP Right Grant
- 2019-06-27 EP EP19824762.9A patent/EP3814840A4/en active Pending
- 2019-06-27 WO PCT/US2019/039615 patent/WO2020006308A1/en active Application Filing
- 2019-06-27 CN CN201980040608.8A patent/CN112368639A/zh active Pending
- 2019-06-28 TW TW108122812A patent/TWI710016B/zh active
-
2022
- 2022-05-16 US US17/745,457 patent/US11733533B2/en active Active
- 2022-11-08 JP JP2022178867A patent/JP2023022053A/ja active Pending
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WO2020006308A1 (en) | 2020-01-02 |
TW202002047A (zh) | 2020-01-01 |
US20200004029A1 (en) | 2020-01-02 |
US20220276498A1 (en) | 2022-09-01 |
CN112368639A (zh) | 2021-02-12 |
US11733533B2 (en) | 2023-08-22 |
KR20210016062A (ko) | 2021-02-10 |
KR102535740B1 (ko) | 2023-05-26 |
KR20230070541A (ko) | 2023-05-23 |
JP2023022053A (ja) | 2023-02-14 |
TWI710016B (zh) | 2020-11-11 |
EP3814840A4 (en) | 2022-03-23 |
JP2021530862A (ja) | 2021-11-11 |
EP3814840A1 (en) | 2021-05-05 |
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