JP2021530862A - 回折格子の製造 - Google Patents
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Abstract
Description
[0002] 導波路は、信号の拡がりを1次元または2次元に制限し、最小のエネルギー損失での信号の伝播を可能にすることによって、電磁波または音波を導く構造である。波は3次元的に伝播し、音波や電磁波などの波の生成源から伝播して離れるにつれて、波は出力を失うことがある。波が1次元または2次元で伝搬するように波を閉じ込めることによって、波の出力は保存される。導波路はこのように、波が伝搬する間、波の出力を保持する。
Claims (15)
- 基板をパターニングする方法であって、
基板の第1の面上にハードマスク層を形成することであって、前記基板は、透明な材料から形成され、前記基板の幅に沿った垂直面によって規定される、ハードマスク層を形成することと、
ナノインプリントリソグラフィによって、前記ハードマスク層上に、パターニングされた層を形成することと、
前記パターニングされた層および前記ハードマスク層をエッチングして、前記基板の前記第1の面を露出させることと、
前記パターニングされた層を除去することと、
前記基板の前記第1の面をエッチングして、前記基板の前記第1の面に第1の複数の傾斜メサを形成することであって、前記第1の複数の傾斜メサの各傾斜メサは、前記垂直面に対して20度から70度の角度でエッチングされる、第1の複数の傾斜メサを形成することと、
その後、前記ハードマスク層を除去することと、
を含む、方法。 - 前記基板の前記第1の面上に前記ハードマスク層を形成することは、化学気相堆積(CVD)、物理的気相堆積(PVD)、または原子層堆積(ALD)を使用することを含む、請求項1に記載の方法。
- ナノインプリントリソグラフィを使用して、前記基板の第2の面上にパターンを形成することをさらに含み、前記基板の前記第2の面上の前記パターンは、第2の複数の傾斜メサを含み、前記第2の複数の傾斜メサは、前記第1の複数の傾斜メサとは異なる角度にある、請求項1に記載の方法。
- 回折格子を形成する方法であって、
ターゲットスタック上にハードマスク層を形成することであって、前記ターゲットスタックは、第1の基板の第1の面上に形成される、ハードマスク層を形成することと、
前記ハードマスク層に複数の開口をエッチングすることと、
前記ターゲットスタックをエッチングして、前記第1の基板の前記第1の面上の前記ターゲットスタックに第1の複数の傾斜メサを形成することとを含み、前記第1の複数の傾斜メサの各傾斜メサは、垂直面に対して20度から70度の第1の角度でエッチングされる、方法。 - 前記ハードマスク層を形成することは、ナノインプリントリソグラフィ(NIL)を使用して、前記ハードマスク層をパターンとして堆積させることを含み、前記パターンは、複数のメサと、前記メサ間の複数の傾斜トラフとを含む、請求項4に記載の方法。
- 前記第1の基板の第2の面上にハードマスク層を形成することであって、前記第1の基板は、透明な材料を含み、前記基板の幅に沿った垂直面によって規定される、ハードマスク層を形成することと、
ナノインプリントリソグラフィによって、前記ハードマスク層上に、パターニングされた層を形成することと、
前記パターニングされた層および前記ハードマスク層をエッチングして、前記第1の基板の前記第2の面を露出させることと、
前記パターニングされた層を除去することと、
前記第1の基板の前記第2の面をエッチングすることと、
前記エッチングに応答して、前記第1の基板の前記第2の面に第2の複数の傾斜メサを形成することであって、前記第2の複数の傾斜メサの各傾斜メサは、前記垂直面に対して20度から70度の第2の角度でエッチングされる、第2の複数の傾斜メサを形成することと、
をさらに含む、請求項4に記載の方法。 - 透明基板を前記ターゲットスタックに取り付けることをさらに含む、請求項4に記載の方法。
- 前記ターゲットスタックに前記第1の複数の傾斜メサを形成した後に、前記第1の基板を除去することをさらに含み、前記ターゲットスタックは、デボンディング層を介して前記第1の基板に結合され、前記基板を除去することは、前記デボンディング層を介して前記ターゲットスタックから前記第1の基板を取り外すことを含む、請求項6に記載の方法。
- 前記第1の基板の前記第2の面上に前記ハードマスク層を形成することは、ナノインプリントリソグラフィ(NIL)を使用して、前記ハードマスク層をパターンとして堆積させることを含み、前記パターンは、複数のメサと、前記メサ間の複数の傾斜トラフとを含む、請求項6に記載の方法。
- 指向性エッチングを使用して、前記ターゲットスタックおよび前記基板の前記第2の面の各々をエッチングすることをさらに含む、請求項6に記載の方法。
- 指向性エッチングは、
前記第1の基板の前記垂直面に対して前記第1の角度をなすイオンビームの経路に前記ターゲットスタックの第1の部分を位置付けることであって、前記ターゲットスタックの前記第1の部分をエッチングすることは、前記ターゲットスタックの前記第1の部分を前記イオンビームに露出して、前記第1の角度で前記第1の複数の傾斜メサを形成することを含む、第1の部分を位置付けることと、
前記第1の基板を、前記垂直面に対して垂直な中心軸の周りに所定の回転角度まで回転させることと、
前記第1の基板を前記所定の回転角度まで回転した後に、前記イオンビームの前記経路に前記ターゲットスタックの第2の部分を位置付けることと、
前記ターゲットスタックの前記第2の部分を前記イオンビームに露出することによって、前記ターゲットスタックの前記第2の部分をエッチングして、第3の複数のメサを形成することと、
を含む、請求項10に記載の方法。 - 回折格子を形成する方法であって、
ターゲットスタック上にハードマスク層を形成することであって、前記ターゲットスタックは、第1の基板の第1の面上に形成される、ハードマスク層を形成することと、
前記ハードマスク層に複数の開口をエッチングすることと、
前記ターゲットスタックをエッチングして、前記第1の基板の前記第1の面上の前記ターゲットスタックに、第1の複数の傾斜メサを形成することであって、前記複数の傾斜メサの各傾斜メサは、垂直面に対して20度から70度の角度でエッチングされる、傾斜メサを形成することと、
前記第1の基板の第2の面上にハードマスク層を形成することであって、前記第1の基板は、前記基板の幅に沿った垂直面によって規定される、ハードマスク層を形成することと、
ナノインプリントリソグラフィによって、前記ハードマスク層上に、パターニングされた層を形成することと、
を含む方法。 - 前記パターニングされた層および前記ハードマスク層をエッチングして、前記第1の基板の前記第2の面を露出させることと、
前記パターニングされた層を除去することと、
前記第1の基板の前記第2の面をエッチングすることと、
前記エッチングに応答して、前記第1の基板の前記第2の面に複数の傾斜メサを形成することであって、前記複数の傾斜メサの各傾斜メサは、前記垂直面に対して20度から70度の角度でエッチングされる、複数の傾斜メサを形成することと、
をさらに含む、請求項12に記載の方法。 - 前記ハードマスク層を形成することは、ナノインプリントリソグラフィ(NIL)を使用して、前記ハードマスク層をパターンとして堆積することを含み、前記パターンは、複数のメサと、前記メサ間の複数の傾斜トラフとを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記基板上に前記ハードマスク層を形成することは、化学気相堆積(CVD)、物理的気相堆積(PVD)、または原子層堆積(ALD)を使用することを含む、請求項12に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022178867A JP2023022053A (ja) | 2018-06-28 | 2022-11-08 | 回折格子の製造 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201862691421P | 2018-06-28 | 2018-06-28 | |
US62/691,421 | 2018-06-28 | ||
US201862692286P | 2018-06-29 | 2018-06-29 | |
US62/692,286 | 2018-06-29 | ||
PCT/US2019/039615 WO2020006308A1 (en) | 2018-06-28 | 2019-06-27 | Fabrication of diffraction gratings |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022178867A Division JP2023022053A (ja) | 2018-06-28 | 2022-11-08 | 回折格子の製造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021530862A true JP2021530862A (ja) | 2021-11-11 |
JP7176013B2 JP7176013B2 (ja) | 2022-11-21 |
Family
ID=68987556
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020571759A Active JP7176013B2 (ja) | 2018-06-28 | 2019-06-27 | 回折格子の製造 |
JP2022178867A Pending JP2023022053A (ja) | 2018-06-28 | 2022-11-08 | 回折格子の製造 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022178867A Pending JP2023022053A (ja) | 2018-06-28 | 2022-11-08 | 回折格子の製造 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11333896B2 (ja) |
EP (1) | EP3814840A4 (ja) |
JP (2) | JP7176013B2 (ja) |
KR (2) | KR102535740B1 (ja) |
CN (1) | CN112368639A (ja) |
TW (1) | TWI710016B (ja) |
WO (1) | WO2020006308A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024084965A1 (ja) * | 2022-10-18 | 2024-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 回折格子の形成方法 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102535740B1 (ko) * | 2018-06-28 | 2023-05-26 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 회절 격자들의 제조 |
US11662524B2 (en) * | 2020-03-13 | 2023-05-30 | Applied Materials, Inc. | Forming variable depth structures with laser ablation |
EP4147081A1 (en) * | 2020-05-08 | 2023-03-15 | Nil Technology ApS | Multi-level structures and methods for manufacturing the same |
US20210373200A1 (en) * | 2020-06-02 | 2021-12-02 | National Taiwan University | Metasurface based device for generating abrupt autofocusing beam |
EP4179381A1 (en) * | 2020-07-09 | 2023-05-17 | Applied Materials, Inc. | Air-gap encapsulation of nanostructured optical devices |
US11543584B2 (en) * | 2020-07-14 | 2023-01-03 | Meta Platforms Technologies, Llc | Inorganic matrix nanoimprint lithographs and methods of making thereof with reduced carbon |
US11487058B2 (en) * | 2020-08-13 | 2022-11-01 | Applied Materials, Inc. | Method for manufacturing optical device structures |
EP4020024A1 (en) | 2020-12-22 | 2022-06-29 | Paul Scherrer Institut | Method for producing high aspect ratio fan-shaped optics |
US11892676B2 (en) | 2022-01-10 | 2024-02-06 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned formation of angled optical device structures |
US20230375774A1 (en) * | 2022-04-20 | 2023-11-23 | Applied Materials, Inc. | Method for roughness reduction in manufacturing optical device structures |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1096807A (ja) * | 1996-09-19 | 1998-04-14 | Dainippon Printing Co Ltd | ホログラフィック光学素子及びその作製方法 |
JP2000075117A (ja) * | 1998-09-02 | 2000-03-14 | Fujitsu Ltd | 回折格子作製方法及び回折格子 |
JP2005004068A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-06 | Dainippon Printing Co Ltd | スラント凹凸パターンの形成方法及びスラント凹凸パターンを有する基板 |
JP2009516225A (ja) * | 2005-11-18 | 2009-04-16 | ナノコンプ オイ リミテッド | 回折格子の製造方法 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6570753B2 (en) * | 2001-05-25 | 2003-05-27 | University Of Houston | Capacitor and method of storing energy |
JP3955066B2 (ja) * | 2002-04-03 | 2007-08-08 | 東邦エンジニアリング株式会社 | 研磨パッドと該研磨パッドの製造方法および該研磨パッドを用いた半導体基板の製造方法 |
JP4478398B2 (ja) * | 2002-04-19 | 2010-06-09 | 株式会社リコー | 偏光光学素子、光学素子ユニット、光ヘッド装置及び光ディスクドライブ装置 |
US7164532B2 (en) * | 2002-04-19 | 2007-01-16 | Ricoh Company, Ltd. | Diffraction grating, light source unit applying the same therein, and optical head device employing the same |
US6716737B2 (en) * | 2002-07-29 | 2004-04-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a through-substrate interconnect |
US7670758B2 (en) | 2004-04-15 | 2010-03-02 | Api Nanofabrication And Research Corporation | Optical films and methods of making the same |
US20050275944A1 (en) * | 2004-06-11 | 2005-12-15 | Wang Jian J | Optical films and methods of making the same |
JP4336665B2 (ja) * | 2005-05-12 | 2009-09-30 | 株式会社エンプラス | 光学素子およびこれを備えた光ピックアップ装置 |
JP2007316270A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Sony Corp | 光学部品の製造方法、位相差素子および偏光子 |
EP2095171A4 (en) * | 2006-12-14 | 2009-12-30 | Nokia Corp | DISPLAY DEVICE HAVING TWO OPERATING MODES |
JP5724213B2 (ja) * | 2010-05-13 | 2015-05-27 | セイコーエプソン株式会社 | 検出装置 |
US20120257490A1 (en) * | 2011-04-07 | 2012-10-11 | Seagate Technology Llc | Gratings For Waveguide Coupling |
KR101966622B1 (ko) | 2012-04-05 | 2019-04-09 | 삼성전자주식회사 | 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트의 제조 및 보정 방법 |
GB2502818A (en) * | 2012-06-08 | 2013-12-11 | Nanogan Ltd | Epitaxial growth of semiconductor material such as Gallium Nitride on oblique angled nano or micro-structures |
CN103675969B (zh) * | 2013-12-04 | 2016-01-20 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 高效率斜双层光栅 |
US20160033784A1 (en) * | 2014-07-30 | 2016-02-04 | Tapani Levola | Optical Components |
US20160035539A1 (en) * | 2014-07-30 | 2016-02-04 | Lauri SAINIEMI | Microfabrication |
JPWO2016133161A1 (ja) | 2015-02-20 | 2017-11-30 | 日本碍子株式会社 | 光学素子の製造方法 |
JP6580705B2 (ja) | 2015-04-20 | 2019-09-25 | ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | 大面積多層ナノ構造体の加工 |
EP3500889B1 (en) * | 2016-08-22 | 2020-12-16 | Magic Leap, Inc. | Multi-layer diffractive eyepiece |
WO2019108379A1 (en) | 2017-11-29 | 2019-06-06 | Applied Materials, Inc. | Method of direct etching fabrication of waveguide combiners |
US10845596B2 (en) * | 2018-01-23 | 2020-11-24 | Facebook Technologies, Llc | Slanted surface relief grating for rainbow reduction in waveguide display |
US10302826B1 (en) | 2018-05-30 | 2019-05-28 | Applied Materials, Inc. | Controlling etch angles by substrate rotation in angled etch tools |
KR102535740B1 (ko) * | 2018-06-28 | 2023-05-26 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 회절 격자들의 제조 |
TWI729629B (zh) * | 2018-12-17 | 2021-06-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 蝕刻裝置 |
-
2019
- 2019-06-27 KR KR1020217002777A patent/KR102535740B1/ko active IP Right Grant
- 2019-06-27 KR KR1020237016781A patent/KR102650642B1/ko active IP Right Grant
- 2019-06-27 WO PCT/US2019/039615 patent/WO2020006308A1/en active Application Filing
- 2019-06-27 US US16/454,642 patent/US11333896B2/en active Active
- 2019-06-27 EP EP19824762.9A patent/EP3814840A4/en active Pending
- 2019-06-27 JP JP2020571759A patent/JP7176013B2/ja active Active
- 2019-06-27 CN CN201980040608.8A patent/CN112368639A/zh active Pending
- 2019-06-28 TW TW108122812A patent/TWI710016B/zh active
-
2022
- 2022-05-16 US US17/745,457 patent/US11733533B2/en active Active
- 2022-11-08 JP JP2022178867A patent/JP2023022053A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1096807A (ja) * | 1996-09-19 | 1998-04-14 | Dainippon Printing Co Ltd | ホログラフィック光学素子及びその作製方法 |
JP2000075117A (ja) * | 1998-09-02 | 2000-03-14 | Fujitsu Ltd | 回折格子作製方法及び回折格子 |
JP2005004068A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-06 | Dainippon Printing Co Ltd | スラント凹凸パターンの形成方法及びスラント凹凸パターンを有する基板 |
JP2009516225A (ja) * | 2005-11-18 | 2009-04-16 | ナノコンプ オイ リミテッド | 回折格子の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024084965A1 (ja) * | 2022-10-18 | 2024-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 回折格子の形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3814840A4 (en) | 2022-03-23 |
EP3814840A1 (en) | 2021-05-05 |
KR20210016062A (ko) | 2021-02-10 |
TW202002047A (zh) | 2020-01-01 |
KR20230070541A (ko) | 2023-05-23 |
TWI710016B (zh) | 2020-11-11 |
WO2020006308A1 (en) | 2020-01-02 |
US11733533B2 (en) | 2023-08-22 |
JP7176013B2 (ja) | 2022-11-21 |
US20200004029A1 (en) | 2020-01-02 |
KR102535740B1 (ko) | 2023-05-26 |
US11333896B2 (en) | 2022-05-17 |
KR102650642B1 (ko) | 2024-03-21 |
US20220276498A1 (en) | 2022-09-01 |
JP2023022053A (ja) | 2023-02-14 |
CN112368639A (zh) | 2021-02-12 |
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