TW202046449A - 多深度光學裝置的圖案化 - Google Patents

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Abstract

提供製作光學裝置的多深度層的圖案化之方法。在一個實施例中，提供一種方法，包括在裝置層上佈置阻隔層，裝置層佈置於基板的頂部表面上，裝置層具有第一部分及第二部分；圖案化阻隔層，以形成具有複數個第一開口的第一阻隔層圖案及具有複數個第二開口的第二阻隔層圖案；及蝕刻藉由複數個第一開口及複數個第二開口界定的裝置層的暴露部分，其中複數個第一開口配置成在光學裝置之中形成複數個第一結構之至少一部分，且複數個第二開口配置成在光學裝置之中形成複數個第二結構之至少一部分。

Description

多深度光學裝置的圖案化
本揭露案的實施例大致關於光學裝置。更具體而言，此處所述的實施例提供用於在製作光學裝置中圖案化多深度層。
光學裝置可藉由在基板上形成的光學裝置的結構的空間變化的結構參數（例如，形狀、尺寸、定向），而用以操縱光的傳播。光學裝置提供空間變化的光學回應，而如所欲地模塑光學波前。光學裝置的此等結構藉由誘發局部相位不連續（即，在小於光的波長的距離上突然改變相位）來改變光的傳播。此等結構可以基板上不同類型的材料、形狀或配置組成，且可基於不同物理原理來操作。
製作光學裝置需要從佈置於基板上的裝置層形成結構。然而，待製作的光學裝置的所欲特性可能必須具有各種深度的結構。形成具有各種深度的結構可能需要圖案化在基板上鄰接佈置的多層。因此，本領域中需要用於製作光學裝置的多深度層的圖案化之方法。
提供製作光學裝置的多深度層的圖案化之方法。在一個實施例中，提供一種方法，包括在裝置層上佈置阻隔層，裝置層佈置於基板的頂部表面上，裝置層具有第一部分，具有從基板的頂部表面的第一高度；及第二部分，具有從基板的頂部表面的第二高度；圖案化阻隔層，以：形成第一阻隔層圖案，該圖案在裝置層的第一部分上具有複數個第一開口形成於其中；及形成第二阻隔層圖案，該圖案在裝置層的第二部分上具有複數個第二開口形成於其中；及蝕刻藉由複數個第一開口及複數個第二開口界定的裝置層的暴露部分，其中第一阻隔層圖案中的複數個第一開口配置成在光學裝置之中形成複數個第一結構之至少一部分，且第一結構具有相對於基板的頂部表面的第一深度，及在第二阻隔層圖案中的複數個第二開口配置成在光學裝置之中形成複數個第二結構之至少一部分，且第二結構具有相對於基板的頂部表面的第二深度。
在另一實施例中，提供一種方法，包括在裝置層上佈置硬遮罩，裝置層佈置於基板的頂部表面上，裝置層具有第一部分，該第一部分具有從基板的頂部表面的第一高度；及第二部分，該第二部分具有從基板的頂部表面的第二高度；在硬遮罩上佈置阻隔層，該阻隔層具有平行於基板的頂部表面的頂部表面；圖案化阻隔層，以：形成第一阻隔層圖案，該圖案在裝置層的第一部分上具有複數個第一開口形成於其中；及形成第二阻隔層圖案，該圖案在裝置層的第二部分上具有複數個第二開口形成於其中；及蝕刻藉由複數個第一開口及複數個第二開口界定的硬遮罩的暴露部分，以：暴露裝置層的第一部分的無遮罩的第一裝置層片段；及暴露裝置層的第二部分的無遮罩的第二裝置層片段；及蝕刻第一裝置層片段及第二裝置層片段，其中第一裝置層片段配置成在光學裝置之中形成複數個第一結構之至少一部分，且第一結構具有相對於基板的頂部表面的第一深度；及第二裝置層片段配置成在光學裝置之中形成複數個第二結構之至少一部分，且第二結構具有相對於基板的頂部表面的第二深度。
在又一實施例中，提供一種方法，包括在裝置層上佈置平坦化層，裝置層佈置於基板的頂部表面上，裝置層具有：第一部分，具有從基板的頂部表面的第一高度；及第二部分，具有從基板的頂部表面的第二高度；在平坦化層上佈置阻隔層；圖案化阻隔層，以：形成第一阻隔層圖案，該圖案在裝置層的第一部分上具有複數個第一開口形成於其中；及形成第二阻隔層圖案，該圖案在裝置層的第二部分上具有複數個第二開口形成於其中；及蝕刻藉由複數個第一開口及複數個第二開口界定的平坦化層的暴露部分，以：暴露裝置層的第一部分的無遮罩的第一裝置層片段；及暴露裝置層的第二部分的無遮罩的第二裝置層片段；及蝕刻第一裝置層片段及第二裝置層片段，其中第一裝置層片段配置成在光學裝置之中形成複數個第一結構之至少一部分，且第一結構具有相對於基板的頂部表面的第一深度；及第二裝置層片段配置成在光學裝置之中形成複數個第二結構之至少一部分，且第二結構具有相對於基板的頂部表面的第二深度。
本揭露案的實施例關於用於在製作光學裝置中圖案化多深度層。
第1A圖為光學裝置100的概要立體視圖。在一個實施例中，光學裝置100為波導組合器，例如增強實境波導組合器。應理解以下所述的光學裝置100為範例波導組合器。光學裝置100包括基板101、藉由複數個結構103界定的第一光柵102、及藉由複數個結構106界定的第二光柵105。在一個實施例中，結構103及結構106為奈米結構，具有次微米臨界尺寸，例如奈米尺寸的臨界尺寸。
第1B圖為根據第1A圖的光學裝置100的概要剖面視圖。光學裝置100包括具有二或更多深度的複數個結構103。如第1B圖中所顯示，複數個第一結構114具有對基板101的頂部表面118的第一深度116，且複數個第二結構115具有對基板101的頂部表面118的第二深度117。第一深度116及第二深度117為不同的。舉例而言，如第1B圖中所顯示，第一深度116小於第二深度117。在一個實施例中，結構103與基板101的頂部表面118成一角度。在另一實施例中，結構103垂直於基板101的頂部表面118。
第2A圖為根據此處所述的實施例的具有一或更多結構203的光學裝置200的立體視圖。在某些實施例中，光學裝置200為平的光學裝置，例如超表面。在基板101上佈置一或更多結構203。儘管第2A圖將一或更多結構203描繪為具有方形或矩形的剖面，但一或更多結構203的剖面可具有其他形狀，包括但非限於圓形、三角形及/或不規則形狀的剖面。在一個實施例中，結構203為奈米結構，具有次微米臨界尺寸，例如奈米尺寸的臨界尺寸。
第2B圖為根據第2A圖的光學裝置200的概要剖面視圖。光學裝置200包括一或更多結構203，例如佈置於基板101上的一或更多第一結構214及一或更多第二結構215。一或更多第一結構214具有對基板101的頂部表面118的第一深度216。一或更多第二結構215具有對基板101的頂部表面188的第二深度217。第一深度216及第二深度217為不同的。舉例而言，如第2B圖中所顯示，第一深度216小於第二深度217。在一個實施例中，結構203與基板101的頂部表面118成一角度。在另一實施例中，結構203垂直於基板101的頂部表面118。
基板101可經選擇以傳送所欲的波長或波長範圍的適量光，例如在紅外區域至UV區域中的一或更多波長（即，從約700至約1500奈米）。並非限制，在某些實施例中，基板101經配置使得基板101傳送大於或等於約50%、60%、70%、80%、90%、95%、99%的UV區域的光譜。基板101可以任何適合的材料形成，前提是基板101可充分傳送在所欲波長或波長範圍中的光，且可充當光學裝置的充分支援。在某些實施例中，基板101的材料與裝置材料的折射率相比較具有相對低的折射率。基板選擇可包括任何適合材料的基板，包括但非限於非晶介電質、結晶介電質、氧化矽、聚合物及其組合。在某些實施例中，基板101包括透明材料。在一個實施例中，基板101為透明的，具有小於0.001的吸收係數。適合的實例可包括氧化物、硫化物、磷化物、碲化物或其組合。
在某些實施例中，此處所述的光學裝置100、200包括佈置於基板101中具有第一深度116、216的第一結構114、214，及具有第二深度117、217的第二結構115、215。在此處所述用於形成光學裝置100、200的方法300、500及700的實施例中，基板101具有第一高度404及第二高度405（顯示於第4A圖中）。第一高度404相對應至待形成的第一結構114、214的第一深度116、216，且第二高度405相對應至在基板101中待形成的複數個第二結構115、215的第二深度117、217。
在其他實施例中，包括具有第一深度116、216的第一結構114、214及具有第二深度117、217的第二結構115、215的此處所述的光學裝置100、200佈置於基板101上。第一結構114、214及第二結構115、215由裝置層408形成。在方法300、500及700之前，裝置層408具有第一高度411及第二高度412。第一高度411相對應至待形成的第一結構114、214的第一深度116、216。且第二高度412相對應至待形成的複數個第二結構115、215的第二深度117、217。
第3圖為根據此處所述的實施例的用於形成光學裝置100、200的一部分之方法300的流程圖。第4A-4E圖為根據一實施例的在形成光學裝置100或光學裝置200的一部分之方法期間，基板101的概要剖面視圖。該部分可相對應至一個光柵，例如第一光柵102或第二光柵105，或該部分可相對應至整個光學裝置100或光學裝置200。
第4A圖圖示一實施例，其中阻隔層407佈置於基板101上。在一個實施例中，基板101經圖案化，基板101具有第一高度404及第二高度405用於達成各種高度的第一結構114、214及第二結構115、215。第4B圖圖示一實施例，其中阻隔層407佈置於裝置層408上，且裝置層408佈置於基板101的頂部表面118上。在一個實施例中，裝置層408經圖案化，裝置層具有第一高度411及第二高度412，用於達成各種高度的第一結構114、214及第二結構115、215。
在一個實施例中，阻隔層407包括含矽材料。在另一實施例中，阻隔層407包括有機材料。阻隔層407透過任何適合的方法佈置於基板101上，例如液體材料澆鑄處理、旋塗處理、液體噴灑塗佈處理、乾粉塗佈處理、絲網印刷處理、刮刀處理、物理氣相沉積（PVD）處理、化學氣相沉積（CVD）處理、可流動CVD（FCVD）處理或原子層沉積（ALD）處理。阻隔層407的厚度經選擇，以便調適蝕刻處理及得到的複數個結構103的臨界尺寸。舉例而言，較大厚度的阻隔層407可導致複數個結構103較小的臨界尺寸。在一個實施例中，阻隔層407的厚度為從約50nm至約300nm的範圍。在一個實施例中，阻隔層407具有第一厚度409及第二厚度410。第一厚度409可大於或小於第二厚度410。第一厚度409將導致第一結構114、214具有第一深度116、216。第二厚度410將導致第二結構115、215具有第二深度117、217。
根據一個實施例，裝置層408包括但非限於以下一或更多者：二氧化鈦（TiO2 ）、氧化鋅（ZnO）、二氧化錫（SnO2 ）、鋁摻雜的氧化鋅（AZO）、氟摻雜的氧化錫（FTO）、錫酸鎘（氧化錫）（CTO）、氧化鈮（Nb2 O5 ）、及錫酸鋅（氧化錫）（SnZnO3 ）、氮化矽（Si3 N4 ）及含非晶矽（a-Si）材料。在一個實施例中，裝置層408的高度為從約20nm至約200nm的範圍。如第3圖中所顯示，在步驟301處，阻隔層407佈置於裝置層408上。裝置層408包括從基板的表面具有第一高度411的第一部分424，及從基板的表面具有第二高度412的第二部分425。第一高度411相對應至待形成的第一結構114、214，且第二高度412相對應至待形成的第二結構115、215。
第4A圖的實施例圖示1：1蝕刻速率，其中阻隔層407以與裝置層408大約相同的速率蝕刻。第4D圖圖示除了1：1之外的蝕刻速率。在步驟301處，如第4A圖中所顯示，阻隔層407佈置於裝置層408上，裝置層408相對應至待形成的複數個第一結構114、214及複數個第二結構115、215。在一個實施例中，如第4B圖中所顯示，阻隔層407佈置於基板101上。
在步驟302處，如第4C及4D圖中描繪，阻隔層407經圖案化以暴露裝置層408無遮罩的部分。圖案化阻隔層407包括在裝置層408的第一部分424上形成具有複數個第一開口420形成於其中的第一阻隔層圖案422，及在裝置層408的第二部分425上形成具有複數個第二開口421形成於其中的第二阻隔層圖案423。阻隔層407可藉由包括但非限於奈米壓印光刻、光壓印光刻或任何適合的處理之的處理圖案化，以暴露裝置層408無遮罩的部分。在第4D圖中描繪的實施例中，在阻隔層407之後保留的殘留層413經圖案化。在一個實施例中，殘留層413透過乾式蝕刻處理移除。
第4D圖圖示一實施例，其中蝕刻停止層406佈置於基板101上。蝕刻停止層406避免過度蝕刻至基板101中。蝕刻停止層406可藉由一者或PVD、CVD、電漿強化的（PECVD）、FCVD、ALD及旋塗處理佈置。蝕刻停止層406以任何適合的材料形成，前提是蝕刻停止層406耐抗此處所述的蝕刻處理。在一個實施例中，蝕刻停止層406包括含氮材料。在一個實施例中，蝕刻停止層406為不透明的蝕刻停止層，該層在形成波導組合器之後移除。在另一實施例中，蝕刻停止層406為透明蝕刻停止層。蝕刻停止層406具有約5nm至約50nm的深度。儘管此處描繪蝕刻停止層406，亦考量不具有蝕刻停止層406的一或更多實施例。
在步驟303處且如第4C及4D圖中所顯示，蝕刻藉由複數個第一開口420及複數個第二開口421界定的裝置層408的暴露部分，以形成複數個第一結構114、214及複數個第二結構115、215。在第一阻隔層圖案422中的複數個第一開口420配置成於光學裝置100、200之中形成複數個第一結構114、214之至少一部分。在第二阻隔層圖案423中的複數個第二開口421配置成於光學裝置100、200之中形成複數個第二結構115、215之至少一部分。蝕刻處理可包括但非限於以下至少一者：離子佈植、離子束蝕刻（IBE）、反應離子蝕刻（RIE）、定向RIE、電漿蝕刻及熱原子層蝕刻。在某些實施例中，蝕刻處理利用氧化蝕刻化學物。在其他實施例中，蝕刻處理利用還原蝕刻化學物。在一個實施例中，蝕刻處理利用以下一或更多者：氧氣、氮氣（N2 ）、SiO2 、氯氣及含氨（NH3 ）氣體。在另一實施例中，使用含氟氣體作為蝕刻劑，例如氟甲烷（CH3 F）、六氟化硫（SF6 ）、四氟甲烷（CF4 ）、氟仿（CHF3 ）及三氟化氮（NF3 ）。可選地以含甲烷氣體傳輸含氟氣體至處理環境，例如甲烷（CH4 ）及二氯二氟甲烷（CCl2 F2 ）。
儘管第4E圖描繪在裝置層408中形成第一結構114、214及第二結構115、215，步驟301-303可應用以圖案化基板101。在一個實施例中，如第3及4D圖中所顯示，在步驟303中藉由蝕刻處理蝕刻裝置層408，以移除裝置層408的部分且形成第一結構114、214及第二結構115、215。在另一實施例中，於步驟303中藉由蝕刻處理蝕刻基板101，以移除基板101的部分且形成第一結構114、214及第二結構115、215。
第5圖根據此處所述的實施例，為用於形成光學裝置100、200的一部分之方法500的流程圖。第6A-6D圖為根據方法500形成的光學裝置100、200的概要剖面視圖。光學裝置100、200的部分可相對應至一個光柵，例如第一光柵102或第二光柵105，或部分可相對應至整個光學裝置100或光學裝置200。
在步驟501處，如第6A圖中所顯示，在裝置層408上佈置硬遮罩609。硬遮罩609可藉由以下一或更多者佈置於裝置層408上：液體材料澆鑄、旋塗、液體噴灑塗佈、乾粉塗佈、絲網印刷、刮刀、PVD、CVD、PECVD、FCVD、ALD、蒸發及濺射處理。在一個實施例中，硬遮罩609為不透明的，且在形成光學裝置100或光學裝置200之後移除。在另一實施例中，硬遮罩609為透明的。在某些實施例中，硬遮罩609包括任何適合的抗壓印材料，例如鉻（Cr）、銀（Ag）、Si3 N4 、SiO2 、TiN、鋁及含碳材料。
在步驟502處，在硬遮罩609上佈置阻隔層407，且裝置層408相對應至待形成的複數個第一結構114、214及複數個第二結構115、215。裝置層408具有第一高度411及第二高度412。在一個實施例中，阻隔層407的第一厚度409及第二厚度410為不同的，使得阻隔層407的頂部表面610平行於基板101的頂部表面118。阻隔層407的頂部表面610平行於基板101的頂部表面118，該頂部表面610提供平坦化的表面，以強化步驟503及504的圖案化及/或蝕刻處理的均勻性。
在步驟503處且如第6B圖中所顯示，圖案化阻隔層407以暴露硬遮罩609之部分。圖案化阻隔層407包括在裝置層408的第一部分424上形成在其中形成具有複數個第一開口420的第一阻隔層圖案422，及在裝置層408的第二部分425上形成在其中形成具有複數個第二開口421的第二阻隔層圖案423。在步驟504處且如第6C圖中所顯示，蝕刻硬遮罩609的暴露的部分，以暴露裝置層408的第一部分424的無遮罩的第一裝置層片段612，且暴露裝置層408的第二部分425的無遮罩的第二裝置層片段613。如第6D圖中所顯示，蝕刻裝置層408的第一裝置層片段612及第二裝置層片段613，以形成複數個第一結構114、214及複數個第二結構115、215。第一裝置層片段612配置成在光學裝置100、200之中形成複數個第一結構114、214之至少一部分。第二裝置層片段613配置成在光學裝置100、200之中形成複數個第二結構115、215之至少一部分。
在一個實施例中，於蝕刻裝置層408之後移除硬遮罩609。在另一實施例中，於蝕刻裝置層408之後在裝置層408上保留硬遮罩609。儘管第6D圖描繪在裝置層408中形成第一結構114、214及第二結構115、215，可應用步驟501-504圖案化基板101。在一個實施例中，如第5及6D圖中所顯示，在步驟504中藉由蝕刻處理蝕刻裝置層408，以移除裝置層408的部分，且形成第一結構114、214及第二結構115、215。在另一實施例中，在步驟504中藉由蝕刻處理蝕刻基板101，以移除基板101的部分，且形成第一結構114、214及第二結構115、215。
第7圖根據此處所述的實施例，為用於形成光學裝置100、200的一部分之方法700的流程圖。第8A-8D圖為根據方法700形成的光學裝置100、200的概要剖面視圖。光學裝置100、200的部分可相對應至一個光柵，例如第一光柵102或第二光柵105，或部分可相對應至整個光學裝置100或光學裝置200。
在步驟701處，如第8A圖中所顯示，在裝置層408上佈置平坦化層810，裝置層408相對應至待形成的複數個第一結構114、214及複數個第二結構115、215。在一個實施例中，平坦化層810包括含a-Si材料。平坦化層810可透過任何適合的處理沉積，包括但非限於液體材料澆鑄處理、旋塗處理、液體噴灑塗佈處理、乾粉塗佈處理、絲網印刷處理、刮刀處理、PVD處理、CVD處理、PECVD處理、FCVD處理或ALD處理。平坦化層810形成平行於基板101的頂部表面812，使得平坦化層810避免在蝕刻處理中裝置層408的過度蝕刻。在步驟702處，於平坦化層810上佈置阻隔層407。
在步驟703處且如第8B圖中所顯示，圖案化阻隔層407以暴露平坦化層810之部分。圖案化阻隔層407包括在裝置層408的第一部分424上形成在其中形成具有複數個第一開口420的第一阻隔層圖案422，及在裝置層408的第二部分425上形成在其中形成具有複數個第二開口421的第二阻隔層圖案423。在步驟704處且如第8C圖中所顯示，蝕刻藉由複數個第一開口420及複數個第二開口421界定的平坦化層810的暴露的部分，以暴露裝置層408的第一部分424的無遮罩的第一裝置層片段612，且暴露裝置層408的第二部分425的無遮罩的第二裝置層片段613。
在步驟705中且如第8D圖中所顯示，蝕刻裝置層408的第一裝置層片段612及第二裝置層片段613，以形成複數個第一結構114、214及複數個第二結構115、215。第一裝置層片段612配置成在光學裝置100、200之中形成複數個第一結構114、214之至少一部分。第二裝置層片段613配置成在光學裝置100、200之中形成複數個第二結構115、215之至少一部分。
蝕刻包括但非限於以下一或更多者：離子佈植、離子蝕刻、反應離子蝕刻（RIE）、定向RIE及電漿蝕刻。在一個實施例中，平坦化層810比裝置層408具有更大的蝕刻選擇性。儘管第8D圖描繪在裝置層408中形成第一結構114、214及第二結構115、215，可應用步驟701-705圖案化基板101。在一個實施例中，於步驟705中藉由蝕刻處理蝕刻裝置層408，以移除裝置層408的部分且形成第一結構114、214及第二結構115、215。在另一實施例中，於步驟705中藉由蝕刻處理蝕刻基板101，以移除基板101的部分且形成第一結構114、214及第二結構115、215。
此處所述的實施例提供用於多深度光學裝置之方法，同時最小化與過度蝕刻及非均勻性相關聯的缺陷。
儘管以上導向本揭露案的實施例，可衍生本揭露案的其他及進一步實施例而不會悖離其基本範疇，且其範疇藉由以下申請專利範圍來決定。
100:光學裝置 101:基板 102:第一光柵 103:結構 105:第二光柵 106:結構 114:第一結構 115:第二結構 116:第一深度 117:第二深度 118:頂部表面 188:頂部表面 200:光學裝置 203:結構 214:第一結構 215:第二結構 216:第一深度 217:第二深度 300:方法 301:步驟 302:步驟 303:步驟 404:第一高度 405:第二高度 406:蝕刻停止層 407:阻隔層 408:裝置層 409:第一厚度 410:第二厚度 411:第一高度 412:第二高度 413:殘留層 420:第一開口 421:第二開口 422:第一阻隔層圖案 423:第二阻隔層圖案 424:第一部分 425:第二部分 500:方法 501:步驟 502:步驟 503:步驟 504:步驟 609:硬遮罩 610:頂部表面 612:無遮罩的第一裝置層片段 613:無遮罩的第二裝置層片段 700:方法 701:步驟 702:步驟 703:步驟 704:步驟 705:步驟 810:平坦化層 812:頂部表面
由此方式可詳細理解本揭露案以上所載之結構，以上簡要概述的本揭露案的更特定說明可藉由參考實施例而獲得，某些實施例圖示於隨附圖式中。然而，應理解隨附圖式僅圖示範例實施例，且因此不應考量為其範疇之限制，且可認可其他均等效果的實施例。
第1A圖為根據一個實施例的光學裝置的概要立體視圖。
第1B圖為第1A圖的光學裝置的概要剖面視圖。
第2A圖為根據一個實施例的光學裝置的概要立體視圖。
第2B圖為第2A圖的光學裝置的概要剖面視圖。
第3圖為根據一實施例的形成光學裝置之方法的流程圖。
第4A-4E圖為根據一實施例的在形成光學裝置之方法期間，基板的概要剖面視圖。
第5圖為根據一實施例的形成光學裝置之方法的流程圖。
第6A-6D圖為根據一實施例的在形成光學裝置之方法期間，基板的概要剖面視圖。
第7圖為根據一實施例的形成光學裝置之方法的流程圖。
第8A-8D圖為根據一實施例的在形成光學裝置之方法期間，基板的概要剖面視圖。
為了促進理解，已盡可能地使用相同的元件符號代表共通圖式中相同的元件。應考量一個實施例的元件及結構可有益地併入其他實施例中而無須進一步說明。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
300:方法
301:步驟
302:步驟
303:步驟

Claims (20)

  1. 一種形成一光學裝置之方法，包含以下步驟： 在一裝置層上佈置一阻隔層，該裝置層佈置於一基板的一頂部表面上，該裝置層具有： 一第一部分，具有從該基板的該頂部表面的一第一高度；及 一第二部分，具有從該基板的該頂部表面的一第二高度； 圖案化該阻隔層，以： 形成一第一阻隔層圖案，在該裝置層的該第一部分上具有複數個第一開口形成於其中；及 形成一第二阻隔層圖案，在該裝置層的該第二部分上具有複數個第二開口形成於其中；及 蝕刻藉由該複數個第一開口及該複數個第二開口界定的該裝置層的暴露部分，其中 在該第一阻隔層圖案中的該複數個第一開口配置成在該光學裝置之中形成複數個第一結構之至少一部分，且該等第一結構具有相對於該基板的該頂部表面的一第一深度，及 在該第二阻隔層圖案中的該複數個第二開口配置成在該光學裝置之中形成複數個第二結構之至少一部分，且該等第二結構具有相對於該基板的該頂部表面的一第二深度。
  2. 如請求項1所述之方法，其中蝕刻藉由該複數個第一開口及該複數個第二開口界定的該裝置層的該等暴露的部分之步驟包含以下至少一者：離子佈植、離子束蝕刻（IBE）、反應離子蝕刻（RIE）、定向RIE、電漿蝕刻及熱原子層蝕刻。
  3. 如請求項2所述之方法，其中該裝置層包含以下一或更多者：二氧化鈦、氧化鋅、二氧化錫、鋁摻雜的氧化鋅、氟摻雜的氧化錫、錫酸鎘、氧化鈮、錫酸鋅、氮化矽及含非晶矽材料。
  4. 如請求項1所述之方法，其中在該基板上佈置一蝕刻停止層。
  5. 如請求項4所述之方法，其中該蝕刻停止層為不透明的。
  6. 如請求項1所述之方法，其中該第一深度小於該第二深度。
  7. 如請求項1所述之方法，其中該複數個第一結構及該複數個第二結構垂直於該基板的該頂部表面。
  8. 如請求項1所述之方法，其中該複數個第一結構及該複數個第二結構與該基板的該頂部表面成一角度。
  9. 一種形成一光學裝置之方法，包含以下步驟： 在一裝置層上佈置一硬遮罩，該裝置層佈置於一基板的一頂部表面上，該裝置層具有： 一第一部分，具有從該基板的該頂部表面的一第一高度；及 一第二部分，具有從該基板的該頂部表面的一第二高度； 在該硬遮罩上佈置一阻隔層，該阻隔層具有平行於該基板的該頂部表面的一頂部表面； 圖案化該阻隔層，以： 形成一第一阻隔層圖案，在該裝置層的該第一部分上具有複數個第一開口形成於其中；及 形成一第二阻隔層圖案，在該裝置層的該第二部分上具有複數個第二開口形成於其中；及 蝕刻藉由該複數個第一開口及該複數個第二開口界定的該硬遮罩的暴露的部分，以： 暴露該裝置層的該第一部分的無遮罩的第一裝置層片段；及 暴露該裝置層的該第二部分的無遮罩的第二裝置層片段；及 蝕刻該等第一裝置層片段及該等第二裝置層片段，其中 該等第一裝置層片段配置成在該光學裝置之中形成複數個第一結構之至少一部分，且該等第一結構具有相對於該基板的該頂部表面的一第一深度；及 該等第二裝置層片段配置成在該光學裝置之中形成複數個第二結構之至少一部分，且該等第二結構具有相對於該基板的該頂部表面的一第二深度。
  10. 如請求項9所述之方法，其中該第一深度小於該第二深度。
  11. 如請求項9所述之方法，其中該複數個第一結構及該複數個第二結構垂直於該基板的該頂部表面。
  12. 如請求項9所述之方法，其中該複數個第一結構及該複數個第二結構與該基板的該頂部表面成一角度。
  13. 如請求項9所述之方法，其中該硬遮罩為不透明的。
  14. 如請求項13所述之方法，進一步包含以下步驟： 移除該硬遮罩。
  15. 一種形成一光學裝置之方法，包含以下步驟： 在一裝置層上佈置一平坦化層，該裝置層佈置於一基板的一頂部表面上，該裝置層具有： 一第一部分，具有從該基板的該頂部表面的一第一高度；及 一第二部分，具有從該基板的該頂部表面的一第二高度； 在該平坦化層上佈置一阻隔層； 圖案化該阻隔層，以： 形成一第一阻隔層圖案，在該裝置層的該第一部分上具有複數個第一開口形成於其中；及 形成一第二阻隔層圖案，在該裝置層的該第二部分上具有複數個第二開口形成於其中；及 蝕刻藉由該複數個第一開口及該複數個第二開口界定的該平坦化層的暴露的部分，以： 暴露該裝置層的該第一部分的無遮罩的第一裝置層片段；及 暴露該裝置層的該第二部分的無遮罩的第二裝置層片段；及 蝕刻該等第一裝置層片段及該等第二裝置層片段，其中 該等第一裝置層片段配置成在該光學裝置之中形成複數個第一結構之至少一部分，且該等第一結構具有相對於該基板的該頂部表面的一第一深度；及 該等第二裝置層片段配置成在該光學裝置之中形成複數個第二結構之至少一部分，且該等第二結構具有相對於該基板的該頂部表面的一第二深度。
  16. 如請求項15所述之方法，其中在該基板上佈置一蝕刻停止層。
  17. 如請求項16所述之方法，其中該蝕刻停止層包含一含氮材料。
  18. 如請求項15所述之方法，其中該第一深度小於該第二深度。
  19. 如請求項15所述之方法，其中該複數個第一結構及該複數個第二結構垂直於該基板的該頂部表面。
  20. 如請求項15所述之方法，其中該複數個第一結構及該複數個第二結構與該基板的該頂部表面成一角度。
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