JP7155025B2 - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Description
11:シンチレータチップ
12:ガラス基板
13:分割予定ライン
14:シンチレータ層
16:ヨウ化セシウム層
18:アルミニウム箔
20:切削装置
21:スピンドルユニット
22:回転スピンドル
23A:第一の切削ブレード
23B:第二の切削ブレード
25:切削水供給手段
30:洗浄手段
32:洗浄ノズル
34:先端部
100:切削溝
110:貫通切削溝
121:残部
122:底部
n:ノッチ
W1:切削水
W2:洗浄水
H:温風
F:フレーム
T:保護テープ(保護部材)
Claims (2)
- ガラス基板の上面に、シンチレーションを示す無機結晶層とアルミニウム箔とが積層され、放射線により励起されて発光するシンチレータ層を有するウエーハを、個々のシンチレータチップに分割するウエーハの加工方法であって、
シンチレータ層の上面に保護部材を配設する保護部材配設工程と、
ガラス基板側から分割すべき領域に第一の切削ブレードを位置付けると共に、切削水を供給して切削しガラス基板を僅かに残した切削溝を形成する切削溝形成工程と、
ガラス基板を洗浄すると共に乾燥させる洗浄工程と、
該第一の切削ブレードの厚みよりも薄い厚みの第二の切削ブレードを用いて切削水を供給することなく該切削溝の底部を完全に切断する乾式切断工程と、
を備えるウエーハの加工方法。 - 該無機結晶層は、ヨウ化セシウムである請求項1に記載のウエーハの加工方法。
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2019
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