JP2020088002A - 積層体の加工方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】ウエーハの表面に透明な接着層を介してガラス基板が配設された積層体をイメージセンサーチップに分割する際に品質の低下を生じさせない加工方法を提供する。【解決手段】積層体20の加工方法は、ガラス基板18側から切削ブレードで接着層Bに達する切削溝100を形成する切削溝形成工程と、ウエーハ10側からレーザー光線を照射し改質層を形成すると共に改質層から接着層に達するクラック110bを形成して分割起点を形成する分割起点形成工程と、フレームFに拡張テープTを介して積層体のガラス基板側を支持する積層体支持工程と、ウエーハ側から水溶性樹脂が混入した切削水Wを供給しながら切削ブレード53で改質層を除去する改質層除去工程と、拡張テープを拡張して積層体をイメージセンサーチップに分割する分割工程と、拡張状態を維持した状態で洗浄水をウエーハの裏面から供給して積層体を洗浄する洗浄工程と、から少なくとも構成される。【選択図】図7

Description

本発明は、ウエーハの表面に透明な接着層を介してガラス基板が配設された積層体を個々のイメージセンサーチップに分割する積層体の加工方法に関する。
シリコン等の半導体基板の上面に分割予定ラインによって区画されCMOS、CCD等のイメージセンサーが複数形成されたウエーハは、切削ブレードを回転可能に備えたダイシング装置、あるいは、レーザー光線を被加工物に集光して加工を施す集光器を備えたレーザー加工装置によって個々のイメージセンサーチップに分割され、デジタルカメラ、携帯電話、顕微鏡等に利用される。
イメージセンサーは、ゴミ、キズ等によって撮像機能が低下することから、イメージセンサーが複数形成されたウエーハの上面にガラス等の透明体を配設して積層体を構成することにより、キズ等からイメージセンサーを保護するようにしている。
例えば、上記積層体を個々のイメージセンサーチップに分割する手段として、ダイシング装置で分割する方法が提案されている(特許文献1を参照。)。また、該積層体を個々のイメージセンサーチップに分割する別の手段として、該積層体の内部に、積層体に対して透過性を有するレーザー光線の集光点を位置付けて照射して改質層を形成し、該積層体に外力を付与して該改質層を分割起点として個々のイメージセンサーチップに分割する方法が提案されている(特許文献2を参照。)。
特開2010−103327号公報 特開2010−108992号公報
上記特許文献1に記載された技術によって積層体を分割する場合は、該ウエーハ側におけるイメージセンサーチップの外周に欠けが生じて品質の低下を招くという問題があり、また、上記特許文献2に記載された技術によって積層体を分割する場合は、該積層体を構成するウエーハの改質層から粉塵が落下しイメージセンサーチップに付着して、品質の低下を招くという問題がある。
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、ウエーハの表面に透明な接着層を介してガラス基板が配設された積層体を個々のチップに分割する際に、上記した品質の低下を生じさせることのない積層体の加工方法を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、複数のイメージセンサーが分割予定ラインで区画され表面に複数形成されたウエーハの表面に透明な接着層を介してガラス基板が配設された積層体を個々のイメージセンサーチップに分割する積層体の加工方法であって、積層体のガラス基板側から切削ブレードを位置付けて分割予定ラインに対応する領域を切削して接着層に達する切削溝を該ガラス基板に形成する切削溝形成工程と、ウエーハの裏面側から該ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を該ウエーハの分割予定ラインに対応する領域の内部に位置付けて照射し、該ウエーハの内部に連続的に改質層を形成すると共に該改質層から該接着層に達するクラックを形成して分割起点を形成する分割起点形成工程と、少なくとも該切削溝形成工程の後、該積層体を収容する大きさの開口部を有するフレームに拡張テープを介して該積層体のガラス基板側を支持する積層体支持工程と、該積層体のウエーハ側から水溶性樹脂が混入した切削水を供給しながら切削ブレードを分割予定ラインに対応する領域に位置付けて切削し、該ウエーハの内部に形成された該改質層を除去する改質層除去工程と、該改質層除去工程を実施した後、該拡張テープを拡張して該積層体を個々のイメージセンサーチップに分割する分割工程と、該拡張テープの該拡張状態を維持した状態で洗浄水を該ウエーハの裏面から供給して該積層体を洗浄する洗浄工程と、から少なくとも構成される積層体の加工方法が提供される。
該分割工程、又は洗浄工程において、該積層体と該フレームとの間にある拡張テープに熱を加えて収縮させて拡張状態を維持することが好ましい。また、該洗浄工程において使用する水溶性樹脂が混入した切削水は、フィルタによって切削屑を除去し、循環して使用されることが好ましい。
本発明の積層体の加工方法は、積層体のガラス基板側から切削ブレードを位置付けて分割予定ラインに対応する領域を切削して接着層に達する切削溝を該ガラス基板に形成する切削溝形成工程と、ウエーハの裏面側から該ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を該ウエーハの分割予定ラインに対応する領域の内部に位置付けて照射し、該ウエーハの内部に連続的に改質層を形成すると共に該改質層から該接着層に達するクラックを形成して分割起点を形成する分割起点形成工程と、少なくとも該切削溝形成工程の後、該積層体を収容する大きさの開口部を有するフレームに拡張テープを介して該積層体のガラス基板側を支持する積層体支持工程と、該積層体のウエーハ側から水溶性樹脂が混入した切削水を供給しながら切削ブレードを分割予定ラインに対応する領域に位置付けて切削し、該ウエーハの内部に形成された該改質層を除去する改質層除去工程と、該改質層除去工程を実施した後、該拡張テープを拡張して該積層体を個々のイメージセンサーチップに分割する分割工程と、該拡張テープの該拡張状態を維持した状態で洗浄水を該ウエーハの裏面から供給して該積層体を洗浄する洗浄工程と、から少なくとも構成されるので、改質層を除去する際に生じるウエーハの切削屑、及び改質層から生じる粉塵を水溶性樹脂を含む切削水と共に積層体の外部に排出することができ、個々のイメージセンサーチップ(CMOS、CCD)に改質層から生じる粉塵が付着せず、また、外周に欠けが生じることがないため、イメージセンサーの品質を低下させることがない。
本実施形態で被加工物となる積層体の構成を示す斜視図である。 切削装置に対して積層体を保持する態様を示す斜視図である。 切削溝形成工程の実施態様を示す斜視図である。 (a)切削溝形成工程により切削溝が形成された積層体の斜視図、(b)切削溝が形成された積層体の一部拡大断面図である。 積層体支持工程によって、積層体を、拡張テープTを介してフレームFに支持する態様を示す斜視図である。 (a)分割起点形成工程の実施態様を示す斜視図、(b)分割起点形成工程により、積層体を構成するウエーハの内部に分割起点が形成された状態を示す積層体の一部拡大断面図である。 (a)改質層除去工程の実施態様を示す斜視図、(b)改質層除去工程により改質層が除去される状態を示す積層体の一部拡大断面図である。 (a)分割工程を実施する分割装置の断面図、(b)分割工程により分割された積層体の斜視図、(c)分割工程により分割された積層体の一部拡大断面図である。 洗浄工程の実施態様を示す斜視図である。
以下、本発明に基づき構成された積層体の加工方法に係る実施形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
図1に示すように、まず、例えば、複数のイメージセンサー(CMOS)12が分割予定ライン14で区画され、表面10aに複数形成されたシリコン(Si)からなるウエーハ10と、透明なガラス基板18を用意する、ウエーハ10、及びガラス基板18を用意したならば、ウエーハ10の表面10aに透明な接着剤(樹脂ボンド)Bを滴下して、ガラス基板18を貼り付ける。このようにして、ウエーハ10とガラス基板18とを、上記接着剤Bから構成される接着層Bを介して一体化して積層体20を形成する(図1の下段を参照。)。
(切削溝形成工程)
上記したように積層体20を形成したならば、積層体20のガラス基板18側から切削溝を形成する切削溝形成工程を実施する。以下に、切削溝形成工程について、図2、及び図3を参照しながら説明する。
先ず、積層体20を、ダイシング装置30(一部のみ示す。)に備えられる保持テーブル31の保持面31aに、ガラス基板18側を上方に向けて載置する。保持面31aは、通気性を有するポーラスセラミックにより形成され、図示しない吸引手段に接続されている。保持テーブル31に積層体20を載置したならば、該吸引手段を作動して、吸引保持する。
図3に示すようにダイシング装置30は、スピンドルユニット32を備えている。スピンドルユニット32は、回転スピンドル33の先端部に固定され外周に切り刃を有する切削ブレード34と、切削ブレード34を保護するブレードカバー35とを備えている。切削ブレード34は、例えば、ガラス基板18の切削に適したレジンボンド砥石であり、直径が50mm、厚みが30μmに設定されている。切削ブレード34は、回転スピンドル33と共に回転可能に構成されており、例えば20,000rpmの速度で回転される。ブレードカバー35には、切削ブレード34に隣接する位置に切削水供給手段36が配設されており、切削水を切削ブレード34による積層体20の切削位置に向けて供給する。切削ブレード34によって切削を実施する際には、図示しないアライメント手段を用いて、切削ブレード34と、保持テーブル31に保持された積層体20の加工位置となる位置との位置合わせ(アライメント)を行う。該アライメント手段には、少なくとも図示しない照明手段、及び撮像手段が備えられ、透明なガラス基板18側から撮像されるウエーハ10の表面10aの分割予定ライン14を、ガラス基板18側から撮像、検出することが可能に構成されている。さらに、ダイシング装置30は、アライメント手段に、積層体20の上面の高さを検出する高さ検出手段を備えている。
該アライメント手段によるアライメントを実施したならば、回転スピンドル33と共に高速回転させられる切削ブレード34を、保持テーブル31に保持した積層体20の分割予定ライン14に対応した領域の外周端に位置付けて、切削ブレード34の下端位置を、ガラス基板18を完全に切削し、積層体20の接着層Bに達する高さ位置まで下降させて切り込ませ、積層体20を切削ブレード34に対して矢印Xで示すX軸方向(加工送り方向)に移動させる。この時の加工送り速度は、例えば、50mm/秒に設定される。これにより、図3に示すように、積層体20を構成するガラス基板18の分割予定ライン14に対応する領域を切削して切削溝100を形成する。そして、図示しない移動手段によって、積層体20を吸引保持する保持テーブル31を、X軸方向、及びX軸方向と直交する方向に適宜移動させながら、積層体20の所定方向における全ての分割予定ライン14に対し、上記した切削ブレード34により切削溝100を形成する。積層体20の所定方向における全ての分割予定ライン14に対応して切削溝100を形成したならば、保持テーブル31を90度回転させて、上記した所定方向に直交する方向において、分割予定ライン14に対応する領域に上記と同様の切削溝100を形成する。これにより、図4(a)に示すように、全ての分割予定ライン14に対応する領域に切削溝100を形成する。この切削溝100は、図4(b)に示す積層体20の一部拡大断面図から理解されるように、積層体20のガラス基板18側から切削して接着層Bに達する溝であり、積層体20を完全に分割する溝ではない。以上のようにして、切削溝形成工程が完了する。
(積層体支持工程・分割起点形成工程)
上記した切削溝形成工程を実施したならば、積層体支持工程、及び分割起点形成工程を実施する。以下に、図5、図6を参照しながら、積層体支持工程、及び分割起点形成工程について説明する。
積層体支持工程を実施するに際し、図5に示すように、積層体20を収容する大きさの開口部を有するフレームFに、拡張テープTの外周部を貼着した支持部材を用意する。該支持部材を用意したならば、切削溝100が形成された積層体20を、ウエーハ10側を上方に向けて、ガラス基板18側を拡張テープTの表面中央に貼着し支持する。拡張テープTは、伸縮性を有し、糊剤等により粘着性が付与されており、拡張テープTに配設された積層体20は、拡張テープTを介して環状のフレームFに支持される(図5の下段を参照。)。
上記したように、積層体支持工程を実施したならば、分割起点形成工程を実施する。本実施形態において実施される分割起点形成工程は、図6(a)に示すレーザー加工装置40(一部のみを示す。)を使用して実施することができる。以下に、レーザー加工装置40によって実施される分割起点形成工程について説明する。
図6(a)に示すように、レーザー加工装置40は、レーザー光線照射手段42を備えている。レーザー光線照射手段42は、図示しないレーザー光線発振器を含む光学系を備え、該レーザー光線発振器から発振されたレーザー光線LBを集光して照射する集光器42aを備える。レーザー光線照射手段42は、図6(b)に示すように、ウエーハ10に対して透過性を有する波長のレーザー光線LBの集光点を、ウエーハ10の分割予定ライン14に対応する領域の内部に位置付けて照射して連続的に改質層110aを形成するレーザー加工を実施することができる。レーザー光線照射手段42によって分割起点形成工程を実施する際には、まずフレームFに保持された積層体20を、レーザー加工装置40に備えられた図示しない保持テーブルに保持する。該保持テーブルに積層体20を保持したならば、図示しないアライメント手段を用いて、ウエーハ10の裏面10bの高さ位置を検出すると共に、集光器42aによって照射されるレーザー光線LBの照射位置と、ウエーハ10の表面10a側に形成された分割予定ライン14との位置合わせ(アライメント)を行う。該アライメント手段には、図示しない赤外線照明手段及び赤外線撮像手段が備えられ、表面10aの分割予定ライン14を、ウエーハ10の裏面10b側から撮像、検出することが可能に構成されている。
該アライメント手段によるアライメントを実施したならば、集光器42aを、ウエーハ10の分割予定ライン14に対応した領域であって、加工を開始すべきウエーハ10の外周端位置の上方に位置付け、集光器42aから照射されるレーザー光線LBの集光点を、ウエーハ10の分割予定ライン14に対応する領域の内部に位置付ける。次いで、レーザー光線照射手段42を作動すると共に、図示しない移動手段によって積層体20を集光器42aに対して矢印Xで示すX軸方向(加工送り方向)に移動させる。これにより、図6(b)に示す積層体20の一部拡大断面図から理解されるように、ウエーハ10の所定の内部位置であって、分割予定ライン14に対応する位置に沿って改質層110aを連続的に形成すると共に、改質層110aから接着層Bに達するクラック110bを形成して分割の起点となる分割起点110を形成する。なお、図6(b)において、X軸方向は、図6(b)が記載された紙面に垂直な方向である。
さらに、図示しない移動手段によって、積層体20を保持する保持テーブルを、X軸方向、及びX軸方向と直交するY軸方向に適宜移動させながら、所定方向における全ての分割予定ライン14に対応して、上記したレーザー光線照射手段42によって分割起点110を形成する。ウエーハ10の所定方向における全ての分割予定ライン14に対応して分割起点110を形成したならば、図示しない保持テーブルを90度回転させて、該所定方向に直交する方向においても、ウエーハ10の分割予定ライン14に対応する領域の内部に上記と同様のレーザー加工を実施して分割起点110を形成する。これにより、ウエーハ10の全ての分割予定ライン14に対応する領域に沿って分割起点110を形成する。以上により、本実施形態の積層体支持工程、及び分割起点形成工程が実施される。なお、上記した実施形態では、積層体支持工程を実施した後に、分割起点形成工程を実施したが、本発明では、必ずしも、分割起点形成工程の前に積層体支持工程を実施することに限定されず、分割起点形成工程を実施した後に、積層体支持工程を実施するものであってもよい。すなわち、積層体支持工程は、少なくとも、上記した切削溝形成工程の後であって、後述する分割工程を実施する前のいずれかのタイミングで実施されればよい。
なお、上記した分割起点形成工程におけるレーザー加工条件は、例えば、以下のように設定される。
波長 :1342nm
繰り返し周波数 :60kHz
平均出力 :1W
加工送り速度 :600mm/秒
(改質層除去工程)
上記したように、積層体支持工程、分割起点形成工程を実施したならば、改質層除去工程を実施する。以下に、図7を参照しながら、改質層除去工程について説明する。
上記した分割起点形成工程が施された積層体20を、図7に示すダイシング装置50に搬送し、ダイシング装置50に備えられる図示しない保持テーブルに、積層体20のウエーハ10側を上方に向けて載置し保持する。
図7に示すように、ダイシング装置50は、スピンドルユニット51を備えている。スピンドルユニット51は、回転スピンドル52の先端部に固定され外周に切り刃を有する切削ブレード53と、切削ブレード53を保護するブレードカバー54とを備えている。切削ブレード53は、例えば、ウエーハ10の切削に適した電鋳砥石であり、直径が50mm、厚みが30μmに設定されている。切削ブレード53は、回転スピンドル52と共に回転可能に構成されており、例えば20,000rpmの速度で回転される。ブレードカバー54には、切削ブレード53に隣接する両側位置に切削水供給手段55が配設されており、切削水導入口55aから導入される切削水Wを切削ブレード53による切削位置に向けて供給する。切削水Wは、切削水供給回路60によって切削水導入口55aに供給される。切削水供給回路60は、水溶性樹脂(例えば、ポリビニルアルコール(PVA))が混入された切削水Wを貯留する切削水貯留タンク62と、切削水貯留タンク62から切削水Wを吸引し圧送する圧送ポンプ64と、切削水Wを濾過するフィルタ66と、フィルタ66を介して切削水導入口55aに切削水Wを導入する切削水通路68とを備えている。切削水貯留タンク62に貯留された切削水Wは、圧送ポンプ64によって吸引され、フィルタ66、及び切削水通路68を介して切削水導入口55aに導入され、切削水供給手段55から切削位置に供給される。該切削位置に供給された切削水Wは、切削屑を含んだ切削水W’となって、図示しない回収路によって切削水貯留タンク62に回収される。切削水貯留タンク62に回収された切削水W’は、フィルタ66によって切削屑等が除去されて清浄な切削水Wとなり、該切削水供給回路60を循環して繰り返し使用される。
切削ブレード53によって切削を実施する際には、図示しないアライメント手段を用いて、切削ブレード53と、積層体20の加工位置となる分割予定ライン14に対応する領域、すなわち、ガラス基板18側では切削溝100が形成され、ウエーハ10側には、改質層110aを含む分割起点110が形成された位置との位置合わせ(アライメント)を行う。該アライメント手段には、少なくとも図示しない赤外線照明手段、及び赤外線撮像手段が備えられ、ウエーハ10の裏面10b側から撮像されるウエーハ10に形成された分割起点110を撮像、検出することが可能に構成されている。さらに、ダイシング装置50は、アライメント手段に、積層体20の上面、すなわち、ウエーハ10の裏面10bの高さを検出する高さ検出手段を備えており、アライメント時に該積層体20の高さも検出する。
該アライメント手段によるアライメントを実施したならば、回転スピンドル52と共に高速回転させられる切削ブレード53を、積層体20を構成するウエーハ10の分割起点110に対応した外周端部に位置付けて、切削ブレード53の下端の高さ位置を、上記した分割起点形成工程においてウエーハ10の内部に形成した改質層110aの下端よりも所定量下方の高さになる位置に位置付ける。そして、積層体20を切削ブレード53に対して矢印Xで示すX軸方向(加工送り方向)に移動させる。この時の加工送り速度は、例えば、50mm/秒に設定される。これにより、図7(a)に示すように、積層体20を構成するウエーハ10の裏面10bにおいて、改質層110aを除去する切削溝120を形成する。切削ブレード53によって切削する切削位置には、図7(b)に示すように、切削ブレード53を挟むように両側に配設される切削水供給手段55から、水溶性樹脂が混入した切削水Wを供給する。そして、図示しない移動手段によって、積層体20を吸引保持する保持テーブルを、X軸方向、及びX軸方向と直交するY軸方向に適宜移動させながら、積層体20の所定方向における全ての分割起点110に対し、上記した切削ブレード53により切削溝120を形成する。
積層体20の所定方向における全ての分割起点110に対し改質層110aを除去する切削溝120を形成したならば、積層体20を90度回転させて、上記した所定方向に直交する方向においても、分割起点110に対応する位置に対し、上記と同様にして切削溝120を形成する。図7(b)に示す積層体20の一部拡大断面図から理解されるように、この切削溝120が形成されることにより、分割起点形成工程によってウエーハ10の内部に形成された改質層110aが除去される。これにより、上記した分割起点形成工程によって形成された全ての分割起点110に沿って切削溝120が形成され、改質層除去工程が完了する。本実施形態の改質層除去工程では、上記したように、切削位置に対して、水溶性樹脂が混合した切削水Wを供給している。これにより、改質層110aを除去する際に生じるウエーハ10の切削屑、及び改質層110aから生じる粉塵を水溶性樹脂を含む切削水Wと共に積層体20の外部に排出することができる。
(分割工程)
上記したように、積層体20を構成するウエーハ10の分割予定ライン14に対応する領域の内部に沿って形成した改質層110aを除去したならば、図8(a)に示す分割装置70を用いて積層体20に対して外力を付与し、積層体20のウエーハ10に形成されたイメージセンサー12を個々のイメージセンサーチップ12’に分割する分割工程を実施する。
図8(a)に示す分割装置70は、積層体20を支持する環状のフレームFを保持するフレーム保持手段72と、フレーム保持手段72に保持されるフレームFに貼着された拡張テープTを拡張するテープ拡張手段76とを備えている。フレーム保持手段72は、環状のフレームFを保持すべく環状に形成されたフレーム保持部材72aと、フレーム保持部材72aの外周に配設された固定手段としての複数のクランプ72bとからなっている。フレーム保持部材72aの上面は平坦に形成され、フレームFが載置される。そして、フレーム保持部材72a上に載置されたフレームFは、クランプ72bによってフレーム保持部材72a上に固定される。このように構成されたフレーム保持手段72は、テープ拡張手段76によって上下方向に進退可能に支持されている。
環状のフレーム保持部材72aの内側には、図示しない基台に固定された拡張ドラム78が配設されている。この拡張ドラム78は、フレームFの内径より小さくフレームFに装着された拡張テープTに支持される積層体20の外径より大きく設定される。図示の実施形態におけるテープ拡張手段76は、拡張ドラム78の周囲に複数配置され、フレーム保持部材72aを上下方向に進退可能とすべく、フレーム保持部材72aの下面に上端が連結されるピストンロッド76aと、ピストンロッド76aを上下方向に進退させるエアシリンダ76bとを備える。このように複数のピストンロッド76aとエアシリンダ76bとからなるテープ拡張手段76は、図8(a)にて実線で示すようにフレーム保持部材72aの上面を拡張ドラム78の上端と略同一高さとなる基準位置と、2点鎖線で示すようにフレーム保持部材72aの上面が拡張ドラムの上端から所定量下方の拡張位置に選択的に移動させ得る。
図示の実施形態における分割装置70は概略以上のように構成されており、この分割装置70を用いて実施する分割工程についてより具体的に説明する。
上述したように拡張テープTを介して積層体20を支持したフレームFを、フレーム保持部材72a上に載置し、クランプ72bによって固定したならば、テープ拡張手段76を構成する複数のエアシリンダ76bを作動して、フレーム保持部材72aを下降させる。従って、フレーム保持部材72a上に固定されているフレームFも下降するため、図8(a)にて2点鎖線で示すようにフレームFに装着された拡張テープTは、相対的に上昇する拡張ドラム78の上端縁に当接して拡張させられる(T’で示す。)。この結果、拡張テープT’に貼着されている積層体20には放射状に引張力が作用するので、分割予定ライン14に沿って形成された切削溝120及びクラック110bに沿って積層体20が完全に破断され、分割溝120’を形成する。
以上のようにして、分割溝120’が形成されたならば、テープ拡張手段76を作動して、拡張ドラム78の上端位置と、フレーム保持部材72aの上面とが一致する基準位置に戻す。ここで、拡張テープTは、上記分割工程によって一旦拡張されることにより、図8(b)において矢印で示すように、積層体20に対して引張力を作用した状態をある程度維持できる。このため、図8(c)に示す積層体20の一部拡大断面図から理解されるように、拡張ドラム78の上端位置と、フレーム保持部材72aの上面とが一致する基準位置に戻しても、分割溝120’の隙間間隔を維持することができる。以上により、分割工程が完了する。なお、この際、積層体20の外周とフレームFの内側開口との間の領域にある拡張テープTを加熱することが好ましい。このようにすることで、当該領域にある拡張テープTが収縮し、積層体20に対する拡張状態をより確実に維持することができる。
上記した分割工程が完了したならば、洗浄工程を実施する。以下に、図9を参照しながら、洗浄工程の実施態様について説明する。
上記した分割工程が完了したならば、フレームFによって支持された積層体20を、洗浄手段80の下方に位置付ける。上記したように、該分割工程において、積層体20とフレームFとの間にある拡張テープTに熱が加えられていることから、拡張テープTの収縮によって拡張状態が維持されて、図8(c)に示したように、分割溝120’の間隙が維持されている。この分割溝120’が形成されたウエーハ10の裏面10bに対し、洗浄手段80から所定の圧力が付与された洗浄水W0を噴射することで、ウエーハ10の裏面10b、分割溝120’、及びガラス基板18側に形成された切削溝100に洗浄水W0を供給する。これにより、ウエーハ10の裏面10b全体、分割溝120’、及び切削溝100に洗浄水W0が流れ込み、積層体20上に残存していた水溶性樹脂を含む切削水Wを完全に除去する。以上により洗浄工程が完了し、ウエーハ10の表面10aに透明な接着層Bを介してガラス基板18が配設された積層体20が、個々のイメージセンサーチップ12’に分割された状態となる。
本実施形態によれば、積層体20をイメージセンサーチップ12’に分割する際に、ウエーハ10の内部に形成した改質層110aを、ウエーハ10の裏面10b側から切削ブレード53を切り込ませ、該切削位置に対して水溶性樹脂を含む切削水を供給しながら除去している。これにより、改質層110aから生じる粉塵がイメージセンサーチップ12’の周囲に付着して品質を低下させることが回避される。また、改質層110aを除去する際に切削ブレード53を用いているが、切削ブレード53によって改質層110aを除去する際には、ウエーハ10は、既に改質層110a、及びクラック110bからなる分割起点110によって分割されやすくなっていることから、イメージセンサーチップ12’を構成するウエーハ10の外周に過度な負荷が掛かることがなく、欠け等が生じることが抑制される。また、改質層110aから発生する粉塵が該切削水Wと共に流されるため、イメージセンサーチップ12’の周囲に改質層110aから発生する粉塵が付着して、イメージセンサーチップ12’の品質が低下するという問題が解消される。
本発明によれば、上記した実施形態に限定されず、種々の変形例が提供される。上記した実施形態では、分割工程が完了した際に、積層体20とフレームFとの間にある拡張テープTに対して熱を加えて収縮させて拡張テープTの拡張状態を維持するようにしたが、本発明はこれに限定されない。分割工程が完了した直後の拡張テープTは、分割工程により拡張された状態がしばらく維持されるため、分割工程から時間をおかずに洗浄工程を実施する場合は、拡張テープTに対する加熱を実施しなくてもよい。また、分割工程を実施した後に実施される洗浄工程において、洗浄水W0を噴射する前に、積層体20とフレームFとの間にある拡張テープTに対して熱を加えて収縮させることもできる。
さらに、上記した実施形態では、ガラス基板18に切削溝100を形成する切削溝形成工程をダイシング装置30によって実施し、ウエーハ10の内部に形成した改質層110aを除去する改質層除去工程を別のダイシング装置50によって実施したが、本発明はこれに限定されず、切削溝形成工程、及び改質層除去工程をダイシング装置30、又はダイシング装置50のいずれか一方のみによって実施してもよい。その場合は、切削部位がガラス基板18であるか、ウエーハ10であるかに応じて、適宜切削ブレード34と、切削ブレード53とを選択すればよく、切削時に使用される洗浄水についても、一般的な水からなる洗浄水W0とするか、水溶性樹脂を含む洗浄水Wとするかを選択すればよい。
10:ウエーハ
12:イメージセンサー
12’:イメージセンサーチップ
14:分割予定ライン
18:ガラス基板
20:積層体
30、50:ダイシング装置
34、53:切削ブレード
40:レーザー加工装置
42:レーザー光線照射手段
42a:集光器
60:切削水供給回路
70:分割装置
76:テープ拡張手段
80:洗浄手段
100:切削溝
110:分割起点
110a:改質層
110b:クラック
120:切削溝
120’:分割溝
B:接着層(接着剤)
F:フレーム
T:拡張テープ
W:切削水
W0:洗浄水

Claims (3)

  1. 複数のイメージセンサーが分割予定ラインで区画され表面に複数形成されたウエーハの表面に透明な接着層を介してガラス基板が配設された積層体を個々のイメージセンサーチップに分割する積層体の加工方法であって、
    積層体のガラス基板側から切削ブレードを位置付けて分割予定ラインに対応する領域を切削して接着層に達する切削溝を該ガラス基板に形成する切削溝形成工程と、
    ウエーハの裏面側から該ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を該ウエーハの分割予定ラインに対応する領域の内部に位置付けて照射し、該ウエーハの内部に連続的に改質層を形成すると共に該改質層から該接着層に達するクラックを形成して分割起点を形成する分割起点形成工程と、
    少なくとも該切削溝形成工程の後、該積層体を収容する大きさの開口部を有するフレームに拡張テープを介して該積層体のガラス基板側を支持する積層体支持工程と、
    該積層体のウエーハ側から水溶性樹脂が混入した切削水を供給しながら切削ブレードを分割予定ラインに対応する領域に位置付けて切削し、該ウエーハの内部に形成された該改質層を除去する改質層除去工程と、
    該改質層除去工程を実施した後、該拡張テープを拡張して該積層体を個々のイメージセンサーチップに分割する分割工程と、
    該拡張テープの該拡張状態を維持した状態で洗浄水を該ウエーハの裏面から供給して該積層体を洗浄する洗浄工程と、
    から少なくとも構成される積層体の加工方法。
  2. 該分割工程、又は洗浄工程において、該積層体と該フレームとの間にある拡張テープに熱を加えて収縮させて拡張状態を維持する請求項1に記載の積層体の加工方法。
  3. 該洗浄工程において使用する水溶性樹脂が混入した切削水は、フィルタによって切削屑を除去し、循環して使用される請求項1又は2に記載の積層体の加工方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12077465B2 (en) * 2018-01-31 2024-09-03 Hoya Corporation Method for manufacturing disk-shaped glass blank and method for manufacturing glass substrate for magnetic disk

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007235008A (ja) * 2006-03-03 2007-09-13 Denso Corp ウェハの分断方法およびチップ
JP2015207604A (ja) * 2014-04-17 2015-11-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2017028259A (ja) * 2015-07-24 2017-02-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子、製造方法、基板分割方法
WO2017077792A1 (ja) * 2015-11-05 2017-05-11 ソニー株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、電子機器

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010103327A (ja) 2008-10-24 2010-05-06 Disco Abrasive Syst Ltd デバイスの製造方法
JP5231167B2 (ja) * 2008-10-28 2013-07-10 株式会社ディスコ 貼り合わせウエーハの分割方法及び該分割方法により製造されるデバイス
JP2012206869A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Seiko Instruments Inc ガラス体の切断方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計
JP2015167197A (ja) * 2014-03-04 2015-09-24 株式会社ディスコ 加工方法
JP2016115800A (ja) * 2014-12-15 2016-06-23 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2018078249A (ja) * 2016-11-11 2018-05-17 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6808282B2 (ja) * 2016-12-14 2021-01-06 株式会社ディスコ インターポーザの製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007235008A (ja) * 2006-03-03 2007-09-13 Denso Corp ウェハの分断方法およびチップ
JP2015207604A (ja) * 2014-04-17 2015-11-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2017028259A (ja) * 2015-07-24 2017-02-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子、製造方法、基板分割方法
WO2017077792A1 (ja) * 2015-11-05 2017-05-11 ソニー株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、電子機器

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