JP7129558B2 - 処理装置及び処理方法 - Google Patents

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7643816B2 (ja) * 2021-03-09 2025-03-11 東京エレクトロン株式会社 積層基板の製造方法
US20240162061A1 (en) * 2021-03-12 2024-05-16 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing system, and substrate processing method
JP7772523B2 (ja) * 2021-08-16 2025-11-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
CN119256388A (zh) * 2022-06-07 2025-01-03 东京毅力科创株式会社 基板处理系统和基板处理方法
US20240067555A1 (en) * 2022-08-22 2024-02-29 Uti Inc. Method of manufacturing sapphire cover window and sapphire cover window manufactured thereby
WO2025204976A1 (ja) * 2024-03-27 2025-10-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理システム

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011155069A (ja) 2010-01-26 2011-08-11 Saitama Univ 基板加工方法
WO2012014716A1 (ja) 2010-07-26 2012-02-02 浜松ホトニクス株式会社 チップの製造方法
JP2015032690A (ja) 2013-08-02 2015-02-16 株式会社ディスコ 積層ウェーハの加工方法
JP2015516672A (ja) 2012-02-26 2015-06-11 ソレクセル、インコーポレイテッド レーザ分割及び装置層移設のためのシステム及び方法
JP2015138951A (ja) 2014-01-24 2015-07-30 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2015204442A (ja) 2014-04-16 2015-11-16 信越ポリマー株式会社 原盤製造方法及び原盤
JP2017022283A (ja) 2015-07-13 2017-01-26 株式会社ディスコ 多結晶SiCウエーハの生成方法
JP2017071074A (ja) 2015-10-05 2017-04-13 国立大学法人埼玉大学 内部加工層形成単結晶基板の製造方法、および、単結晶基板の製造方法
JP2017195245A (ja) 2016-04-19 2017-10-26 株式会社ディスコ SiCウエーハの加工方法
JP2017195244A (ja) 2016-04-19 2017-10-26 株式会社ディスコ SiCウエーハの加工方法
WO2018235843A1 (ja) 2017-06-19 2018-12-27 ローム株式会社 半導体装置の製造方法およびウエハ貼着構造体
JP2020501376A (ja) 2016-12-12 2020-01-16 ジルテクトラ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 構成部材を備えた固体層を薄くするための方法
JP2020069533A (ja) 2018-10-30 2020-05-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009007003A1 (en) * 2007-07-11 2009-01-15 S.O.I. Tec Silicon On Insulator Technologies Method for recycling a substrate, laminated water fabricating method and suitable recycled donor substrate
JP5093850B2 (ja) * 2008-06-26 2012-12-12 リンテック株式会社 シート剥離装置及び剥離方法
JP2010021398A (ja) * 2008-07-11 2010-01-28 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの処理方法
KR101803790B1 (ko) * 2013-04-18 2017-12-04 한화테크윈 주식회사 웨이퍼의 시닝 방법 및 장치

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011155069A (ja) 2010-01-26 2011-08-11 Saitama Univ 基板加工方法
WO2012014716A1 (ja) 2010-07-26 2012-02-02 浜松ホトニクス株式会社 チップの製造方法
JP2015516672A (ja) 2012-02-26 2015-06-11 ソレクセル、インコーポレイテッド レーザ分割及び装置層移設のためのシステム及び方法
JP2015032690A (ja) 2013-08-02 2015-02-16 株式会社ディスコ 積層ウェーハの加工方法
JP2015138951A (ja) 2014-01-24 2015-07-30 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2015204442A (ja) 2014-04-16 2015-11-16 信越ポリマー株式会社 原盤製造方法及び原盤
JP2017022283A (ja) 2015-07-13 2017-01-26 株式会社ディスコ 多結晶SiCウエーハの生成方法
JP2017071074A (ja) 2015-10-05 2017-04-13 国立大学法人埼玉大学 内部加工層形成単結晶基板の製造方法、および、単結晶基板の製造方法
JP2017195245A (ja) 2016-04-19 2017-10-26 株式会社ディスコ SiCウエーハの加工方法
JP2017195244A (ja) 2016-04-19 2017-10-26 株式会社ディスコ SiCウエーハの加工方法
JP2020501376A (ja) 2016-12-12 2020-01-16 ジルテクトラ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 構成部材を備えた固体層を薄くするための方法
WO2018235843A1 (ja) 2017-06-19 2018-12-27 ローム株式会社 半導体装置の製造方法およびウエハ貼着構造体
JP2020069533A (ja) 2018-10-30 2020-05-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法

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