JP7129558B2 - 処理装置及び処理方法 - Google Patents
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Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019080300 | 2019-04-19 | ||
| JP2019080300 | 2019-04-19 | ||
| PCT/JP2020/015687 WO2020213479A1 (ja) | 2019-04-19 | 2020-04-07 | 処理装置及び処理方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2020213479A1 JPWO2020213479A1 (https=) | 2020-10-22 |
| JPWO2020213479A5 JPWO2020213479A5 (https=) | 2022-03-07 |
| JP7129558B2 true JP7129558B2 (ja) | 2022-09-01 |
Family
ID=72837833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021514898A Active JP7129558B2 (ja) | 2019-04-19 | 2020-04-07 | 処理装置及び処理方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7129558B2 (https=) |
| TW (1) | TWI858047B (https=) |
| WO (1) | WO2020213479A1 (https=) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7643816B2 (ja) * | 2021-03-09 | 2025-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 積層基板の製造方法 |
| US20240162061A1 (en) * | 2021-03-12 | 2024-05-16 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing system, and substrate processing method |
| JP7772523B2 (ja) * | 2021-08-16 | 2025-11-18 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| CN119256388A (zh) * | 2022-06-07 | 2025-01-03 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理系统和基板处理方法 |
| US20240067555A1 (en) * | 2022-08-22 | 2024-02-29 | Uti Inc. | Method of manufacturing sapphire cover window and sapphire cover window manufactured thereby |
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| WO2012014716A1 (ja) | 2010-07-26 | 2012-02-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | チップの製造方法 |
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| JP2015204442A (ja) | 2014-04-16 | 2015-11-16 | 信越ポリマー株式会社 | 原盤製造方法及び原盤 |
| JP2017022283A (ja) | 2015-07-13 | 2017-01-26 | 株式会社ディスコ | 多結晶SiCウエーハの生成方法 |
| JP2017071074A (ja) | 2015-10-05 | 2017-04-13 | 国立大学法人埼玉大学 | 内部加工層形成単結晶基板の製造方法、および、単結晶基板の製造方法 |
| JP2017195245A (ja) | 2016-04-19 | 2017-10-26 | 株式会社ディスコ | SiCウエーハの加工方法 |
| JP2017195244A (ja) | 2016-04-19 | 2017-10-26 | 株式会社ディスコ | SiCウエーハの加工方法 |
| WO2018235843A1 (ja) | 2017-06-19 | 2018-12-27 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法およびウエハ貼着構造体 |
| JP2020501376A (ja) | 2016-12-12 | 2020-01-16 | ジルテクトラ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 構成部材を備えた固体層を薄くするための方法 |
| JP2020069533A (ja) | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP5093850B2 (ja) * | 2008-06-26 | 2012-12-12 | リンテック株式会社 | シート剥離装置及び剥離方法 |
| JP2010021398A (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの処理方法 |
| KR101803790B1 (ko) * | 2013-04-18 | 2017-12-04 | 한화테크윈 주식회사 | 웨이퍼의 시닝 방법 및 장치 |
-
2020
- 2020-04-07 WO PCT/JP2020/015687 patent/WO2020213479A1/ja not_active Ceased
- 2020-04-07 JP JP2021514898A patent/JP7129558B2/ja active Active
- 2020-04-09 TW TW109111892A patent/TWI858047B/zh active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2011155069A (ja) | 2010-01-26 | 2011-08-11 | Saitama Univ | 基板加工方法 |
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| JP2015516672A (ja) | 2012-02-26 | 2015-06-11 | ソレクセル、インコーポレイテッド | レーザ分割及び装置層移設のためのシステム及び方法 |
| JP2015032690A (ja) | 2013-08-02 | 2015-02-16 | 株式会社ディスコ | 積層ウェーハの加工方法 |
| JP2015138951A (ja) | 2014-01-24 | 2015-07-30 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2015204442A (ja) | 2014-04-16 | 2015-11-16 | 信越ポリマー株式会社 | 原盤製造方法及び原盤 |
| JP2017022283A (ja) | 2015-07-13 | 2017-01-26 | 株式会社ディスコ | 多結晶SiCウエーハの生成方法 |
| JP2017071074A (ja) | 2015-10-05 | 2017-04-13 | 国立大学法人埼玉大学 | 内部加工層形成単結晶基板の製造方法、および、単結晶基板の製造方法 |
| JP2017195245A (ja) | 2016-04-19 | 2017-10-26 | 株式会社ディスコ | SiCウエーハの加工方法 |
| JP2017195244A (ja) | 2016-04-19 | 2017-10-26 | 株式会社ディスコ | SiCウエーハの加工方法 |
| JP2020501376A (ja) | 2016-12-12 | 2020-01-16 | ジルテクトラ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 構成部材を備えた固体層を薄くするための方法 |
| WO2018235843A1 (ja) | 2017-06-19 | 2018-12-27 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法およびウエハ貼着構造体 |
| JP2020069533A (ja) | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2020213479A1 (https=) | 2020-10-22 |
| TW202046391A (zh) | 2020-12-16 |
| TWI858047B (zh) | 2024-10-11 |
| WO2020213479A1 (ja) | 2020-10-22 |
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