JP7111068B2 - めっき装置およびめっき方法 - Google Patents

Description

本発明は、めっき装置およびめっき方法に関する。

例えば、チップ型積層コンデンサなどの電子部品においては、はんだ喰われを防止したり、はんだ付けによる実装の信頼性を向上させたりする目的で、電子部品が備える外部電極の表面に、ＮｉめっきやＳｎめっきを施すことが一般的に行われている。

そして、このような電子部品に、ＮｉめっきやＳｎめっきなどのめっきを施す場合、特許文献１に開示されているような、バレルめっきの方法で行われることが多い。

バレルめっきを行うにあたっては、被めっき物が陰極となるように、バレル内の被めっき物群と接するように陰極端子をバレル内に配置するとともに、バレルの外側に、めっき液に浸かるように陽極端子を配置し、両極に電流を印加して通電することにより、被めっき物に対してめっきを行う。

しかしながら、そのようなバレルめっきの方法では、バレル内での電流密度分布の不均一性が高く、形成されるめっき膜の膜厚ばらつきが大きい。

これに対して、特許文献２には、アノードおよびカソードに挟まれた被めっき物通過領域に被めっき物を通過させながら電解めっきを行うように構成されためっき装置が開示されている。

図１０は、特許文献２に記載のめっき装置２００の構成を示す正面断面図である。このめっき装置２００では、下記の（ａ）～（ｃ）の工程により、被めっき物にめっきが行われる。
（ａ）めっき液２０１と被めっき物２０２との混合流体２０３を、めっき液２０１は通過させるが被めっき物２０２は通過させない隔壁２０４に少なくとも一部が囲まれた被めっき物通過領域２０５に誘導する工程
（ｂ）被めっき物２０２が被めっき物通過領域２０５を上方から下方に向かって通過する際に、被めっき物通過領域２０５の外側に配設されているアノード２０６と、被めっき物通過領域２０５の内側に配設されているカソード２０７との間に電圧を印加して、被めっき物２０２に電解めっきを行う工程
（ｃ）カソード２０７の下方において、めっき液２０１を下方から上方へと噴射することによって、噴射されためっき液２０１と被めっき物通過領域２０５を通過した被めっき物２０２とを混合させて、めっき液２０１と被めっき物２０２との混合流体２０３を、カソード２０７の内部に設けられている中空領域２０８を下方から上方へと通過させる工程

（ｃ）の工程において、中空領域２０８を下方から上方へと通過した混合流体２０３のうち、めっき液２０１の一部は、めっき液２０１は通過可能であるが、被めっき物２０２は通過できない構造のめっき液通過部２０９を通過して、外側に流出する。また、混合流体２０３に含まれる被めっき物２０２は、自身の重みにより沈降する。

このめっき装置２００によれば、安定した電流密度で良好なめっきを行うことができるので、形成されるめっき膜の膜厚ばらつきを抑制することができるとされている。

特開平１０－２１２５９６号公報 国際公開第２０１７／２１７２１６号

ここで、特許文献２に記載のめっき装置２００において、アノード２０６とカソード２０７とが対向する部分には電流が流れるが、さらに、アノード２０６から、めっき液通過部２０９を流れるめっき液２０１を介して、カソード２０７へと電流が流れる経路があることが分かった。中空領域２０８を下方から上方へと通過した混合流体２０３に含まれる被めっき物２０２は、カソード２０７とは電気的に導通していない状態であるため、上述した電流経路における被めっき物２０２は、バイポーラ現象によって、導通性のある部分で分極が生じ、酸化溶解が生じる可能性がある。

本発明は、上記課題を解決するものであり、バイポーラ現象の発生を抑制することができるめっき装置およびめっき方法を提供することを目的とする。

本発明のめっき装置は、
めっき液を貯留するめっき槽と、
前記めっき槽の内部に設けられ、被めっき物に電解めっきを施すめっき部と、
を備え、
前記めっき部は、
前記めっき液は通過させるが前記被めっき物は通過させない隔壁であって、その内側を上方から下方に向かって前記被めっき物が通過する被めっき物通過領域を構成する隔壁と、
前記めっき液を下方から上方へと噴射する噴射部と、
前記噴射部より上方、かつ、前記被めっき物通過領域より下方に配設され、前記噴射部によって噴射された前記めっき液と、前記被めっき物通過領域を通過した前記被めっき物とが混合する混合部と、
前記被めっき物通過領域の外側に配設されたアノードと、
前記被めっき物通過領域の内側に配設され、前記混合部によって混合された前記めっき液と前記被めっき物との混合流体が下方から上方に向かって通過する中空領域を有するカソードと、
前記カソードより上方、かつ、前記被めっき物通過領域の延伸方向に見たときに前記カソードより外側に配設され、前記中空領域を通過した前記混合流体を下方へと導くための第１の遮蔽壁と、
前記第１の遮蔽壁の外側に配設され、前記第１の遮蔽壁に沿って下方に導かれた前記混合流体のうち、前記めっき液の少なくとも一部を上昇させて上端を超えて外側へと導くための第２の遮蔽壁と、
を備え、
前記第１の遮蔽壁の下端は、前記第２の遮蔽壁の上端よりも低い位置にあることを特徴とする。
前記第２の遮蔽壁の上端は、前記めっき液の液面よりも高い位置にあってもよい。

上記めっき装置は、前記カソードの前記中空領域を下方から上方へと通過した前記混合流体を衝突させて外側へと導く導流部をさらに備えていてもよい。

前記導流部は、前記カソードの上方に配設されていてもよい。

前記アノードの上端は、前記めっき液の液面よりも低い位置にあり、
上方から見たときに前記アノードを覆い隠すように、前記アノードの上方に配設された絶縁体をさらに備えていてもよい。

また、前記アノードの上端は、前記めっき液の液面よりも高い位置にあり、
前記アノードのうち、前記被めっき物のめっきを行う領域よりも高い位置にある部分は、絶縁体で覆われていてもよい。

前記噴射部の噴射口の口径は、前記カソードの内径よりも小さくてもよい。

前記噴射部の噴射口の口径は、前記カソードの内径の６０％以上の大きさであってもよい。

本発明のめっき方法は、
（ａ）めっき液と被めっき物との混合流体を、前記めっき液は通過させるが前記被めっき物は通過させない隔壁に少なくとも一部が囲まれた被めっき物通過領域に誘導する工程と、
（ｂ）前記被めっき物が前記被めっき物通過領域を上方から下方に向かって通過する際に、前記被めっき物通過領域の外側に配設されているアノードと、前記被めっき物通過領域の内側に配設されているカソードとの間に電圧を印加して、前記被めっき物に電解めっきを行う工程と、
（ｃ）前記カソードの下方において、前記めっき液を下方から上方へと噴射することによって、噴射された前記めっき液と前記被めっき物通過領域を通過した前記被めっき物とを混合させて、前記めっき液と前記被めっき物との混合流体を、前記カソードの内部に設けられている中空領域を下方から上方へと通過させる工程と、
（ｄ）前記中空領域を通過した前記混合流体を、前記カソードより上方、かつ、前記被めっき物通過領域の延伸方向に見たときに前記カソードより外側に配設された第１の遮蔽壁に沿って下方へ導く工程と、
（ｅ）前記第１の遮蔽壁に沿って下方に導かれた前記混合流体のうち、前記めっき液の少なくとも一部を、前記第１の遮蔽壁の外側に配設された第２の遮蔽壁に沿って上昇させて、前記第２の遮蔽壁の上端を超えて外側へと導く工程と、
を備えることを特徴とする。

本発明によれば、アノードの上方側からカソードへと流れる電流を低減して、バイポーラ現象の発生を抑制することができる。これは、以下のような理由による。

すなわち、中空領域を下方から上方へと通過した被めっき物とめっき液の混合流体は、第１の遮蔽壁に沿って下方へと導かれる。この混合流体のうち、比重の重い被めっき物は下降し、堆積するが、めっき液の少なくとも一部は、堆積している被めっき物によって下方への移動が遮られ、第１の遮蔽壁の外側に配設された第２の遮蔽壁に沿って上昇し、第２の遮蔽壁の上端を超えて外側へ流出する。このような構成により、めっき液がめっき液通過部を通過して外側へ流出する従来のめっき装置と比べて、アノードの上方側からカソードへと流れる電流を低減することができ、バイポーラ現象の発生を抑制することができる。これにより、被めっき物の導通性のある部分における酸化溶解を抑制し、被めっき物の信頼性の低下を抑制することができる。

本発明の第１の実施形態におけるめっき装置を示す正面断面図である。 図１のＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図である。 図１のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面図である。 隔壁、混合部、カソード、第１の遮蔽壁、第２の遮蔽壁、および、誘導部を含む分離部を示す図である。 分離部から先端部を取り外した状態を示す図である。 めっきが施された被めっき物を洗浄するために、分離部を洗浄槽内にセットした状態を示す図である。 めっきが施された被めっき物を取り出す方法を説明するための図である。 （ａ）は、一実施形態のめっき装置を用いてめっきを施したチップの絶縁抵抗の変化を示す図であり、（ｂ）は、特許文献２に記載のめっき装置を用いてめっきを施したチップの絶縁抵抗の変化を示す図である。 本発明の第２の実施形態におけるめっき装置を示す正面断面図である。 特許文献２に記載のめっき装置を示す正面断面図である。

以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴を具体的に説明する。

以下では、代表的なチップ型電子部品である積層セラミックコンデンサを被めっき物とし、めっき装置によって、積層セラミックコンデンサの表面に形成された外部電極に電解めっきを施す例を挙げて説明する。ただし、被めっき物が積層セラミックコンデンサに限定されることはない。

＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態におけるめっき装置１００を示す正面断面図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図であり、図３は、図１のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面図である。

図１～図３に示すように、めっき装置１００は、めっき液１を貯留するめっき槽１０と、めっき槽１０の内部に設けられ、被めっき物２に電解めっきを施すめっき部２０とを備える。

被めっき物２に電解めっきを施す際、めっき槽１０には、後述するカソード２６の上端よりも高い位置までめっき液１が貯留される。

めっき部２０は、隔壁２２と、噴射部２４と、混合部２５と、アノード２１と、カソード２６と、第１の遮蔽壁２７と、第２の遮蔽壁２８とを少なくとも備える。

隔壁２２は、めっき液１は通過させるが被めっき物２は通過させない構造を有し、その内側を上方から下方に向かって被めっき物２が通過する被めっき物通過領域２３を構成する。本実施形態では、隔壁２２は、円筒状の形状を有しており、例えばメッシュにより構成されている。また、本実施形態では、隔壁２２の上側部分および下側部分は、通液性を有さないように構成されている。

被めっき物通過領域２３は、隔壁２２と、隔壁２２よりも内側に配設されている、後述するカソード２６との間の領域である。

噴射部２４は、循環ライン３２と、ポンプ３３と、フィルタ３４とを備えている。

循環ライン３２は、めっき槽１０内のめっき液１を、めっき槽１０の底部に設けられている噴射口２４ａから噴射させるためのめっき液１の流路である。

ポンプ３３は、めっき槽１０内のめっき液１を、循環ライン３２を介して噴射口２４ａから噴射させるためのものであり、循環ライン３２に設けられている。

フィルタ３４は、循環ライン３２を流れるめっき液１に含まれる異物を除去するために設けられている。

混合部２５は、噴射部２４よりも上方、かつ、被めっき物通過領域２３およびカソード２６よりも下方に配設されている。混合部２５は、上面の直径が下面の直径よりも大きい円錐台形状を有している。混合部２５の上面の直径は、隔壁２２の下側部分に構成された通液性を有しない部分の内径以上の大きさを有している。また、混合部２５の下面の直径は、噴射部２４の噴射口２４ａの直径と略同じである。

混合部２５の上面は開口しており、被めっき物通過領域２３およびカソード２６の中空領域２６ａと通じている。また、混合部２５の下面も開口しており、噴射口２４ａと通じている。上述の混合部２５となる円錐台形状の空隙は、混合部２５の高さ寸法と同じ寸法の厚みを有する部材２５ａに、混合部２５の円錐台形状に対応する貫通孔を穿設することにより形成されている。

この混合部２５は、被めっき物通過領域２３を沈降しつつ通過してきた、被めっき物２とめっき液１とを含み、沈降濃縮されて被めっき物２の割合が高くなっている流体と、噴射口２４ａから上方に向かって噴射されるめっき液１とを混合させる領域であって、噴射口２４ａから噴射されためっき液１の噴出力により、被めっき物２を高い割合で含む流体が、下記の中空領域２６ａに導かれる過程でめっき液１との混合が行われる領域である。

アノード２１およびカソード２６には、電源３１から電圧が印加される。ここでは、アノード２１を陽極、カソード２６を陰極としている。

カソード２６は、金属製のパイプにより構成されており、被めっき物通過領域２３の内側に配設されている。カソード２６は、その内部が空洞となっており、この空洞部分が、めっき液１と被めっき物２との混合流体３が下方から上方に向かって通過するための中空領域２６ａとなる。カソード２６は、吊るし部材３６によって上方から吊り下げられている。カソード２６の上端は、隔壁２２の上端よりも高い位置にある。

アノード２１は、円筒状の形状を有しており、被めっき物通過領域２３よりも外側に配設されている。図２に示すように、隔壁２２は、カソード２６を取り囲むように配置されており、アノード２１は、隔壁２２を取り囲むように配置されている。また、図２に示すように、カソード２６、隔壁２２、およびアノード２１は、それぞれの中心軸が一致するように、同心円状に配置されている。

すなわち、同心円状に囲まれた隔壁２２の内周面とカソード２６の外周面との間の領域が被めっき物通過領域２３として構成されている。これにより、めっき時の電流密度を均一にすることができ、均一なめっき膜を形成することが可能になる。また、電流密度が均一であるため、限界電流密度範囲内で電流密度を高くする限り、電流密度が限界電流密度を超える部位が存在しないので、電流密度を高く設定することができ、生産性を高めることができる。

なお、隔壁２２とアノード２１との間には、被めっき物通過領域２３内の電流密度を均一化するために、被めっき物通過領域２３の下部を取り囲むようにマスク部材が設けられている。

本実施形態では、アノード２１の上端は、めっき液１の液面よりも低い位置にある。また、上方から見たときにアノード２１を覆い隠すように、アノード２１の上方に第１の絶縁体３５が配設されている。本実施形態では、第１の絶縁体３５は、アノード２１の上端と接して配設されている。第１の絶縁体３５が配設されていることにより、アノード２１の上方を通ってカソード２６へと流れる電流を低減することができる。

なお、第１の絶縁体３５は省略することもできるが、アノード２１の上方に第１の絶縁体３５を配設することにより、後述するように、第２の遮蔽壁２８の上端を超えて外側へと流出するめっき液１を介して、アノード２１からカソード２６へと流れる電流をより低減することができるので、バイポーラ現象の発生を効果的に抑制することができる。

第１の遮蔽壁２７は、カソード２６より上方、かつ、被めっき物通過領域２３の延伸方向に見たときにカソード２６より外側に配設されており、中空領域２６ａを下方から上方へと通過した混合流体３を下方へと導くためのものである。第１の遮蔽壁２７は、めっき液１および被めっき物２が通過できない構造とされている。

第２の遮蔽壁２８は、図３に示すように、第１の遮蔽壁２７の外側に配設されている。第２の遮蔽壁２８は、めっき液１および被めっき物２が通過できない構造とされている。また、第２の遮蔽壁２８は、後述する誘導部３０と接しており、第２の遮蔽壁２８と誘導部３０との間には隙間が生じないように構成されている。

第２の遮蔽壁２８の上端は、めっき液１の液面よりも高い位置にある。なお、ここでの「めっき液１の液面」は、第２の遮蔽壁２８よりも外側の液面を意味する。

第１の遮蔽壁２７の下端は、第２の遮蔽壁２８の上端よりも低い位置にある。

本実施形態のめっき部２０はさらに、カソード２６の中空領域２６ａを下方から上方へと通過した混合流体３を衝突させて外側へと導く導流部２９を備える。導流部２９は、カソード２６の上方に配設されている。

なお、導流部２９を省略した構成としてもよい。ただし、本実施形態のめっき装置１００のように、導流部２９を備えた構成とすることにより、カソード２６の中空領域２６ａを下方から上方へと通過した混合流体３をスムーズに外側へと導くことができる。これにより、めっき液１の泡立ちを抑制することができ、Ｓｎめっき液を用いた場合の酸化を抑制することができる。したがって、めっき浴の寿命を長くすることができる。

また、本実施形態のめっき装置１００のように、導流部２９をカソード２６の上方に配設した構成とすることにより、カソード２６の中空領域２６ａを下方から上方へと通過した混合流体３をよりスムーズに外側へと導くことができる。

本実施形態のめっき部２０はさらに、上面が下面よりも大きい円錐台形状を有する誘導部３０を備える。誘導部３０の上面および下面は開口面であり、側面は、めっき液１および被めっき物２が通過できない構造とされている。誘導部３０の下面の直径は、隔壁２２の上側に構成された通液性を有しない部分の内径以下の大きさである。

上述した隔壁２２、混合部２５、カソード２６、第１の遮蔽壁２７、第２の遮蔽壁２８、導流部２９、および、誘導部３０は、図４に示すように、一体的に、めっき装置１００から分離可能な構造とされている。以下では、一体的に分離した隔壁２２、混合部２５、カソード２６、第１の遮蔽壁２７、第２の遮蔽壁２８、導流部２９、および、誘導部３０を、分離部４０とも呼ぶ。

分離部４０の下部、すなわち、混合部２５の下部に設けられている先端部４１は、図５に示すように、取り外すことができる。先端部４１には、めっき液１は通過可能であるが、被めっき物２は通過することができない隔膜４１ａが設けられている。被めっき物２にめっきを施す処理が行われている状態では、隔膜４１ａが設けられていることにより、被めっき物２は、噴射口２４ａに落下しない。

次に、上述のように構成されているめっき装置１００を用いて、被めっき物２にめっきを行う方法について説明する。

本発明のめっき方法は、
（ａ）めっき液１と被めっき物２との混合流体３を、めっき液１は通過させるが被めっき物２は通過させない隔壁２２に少なくとも一部が囲まれた被めっき物通過領域２３に誘導する工程と、
（ｂ）被めっき物２が被めっき物通過領域２３を上方から下方に向かって通過する際に、被めっき物通過領域２３の外側に配設されているアノード２１と、被めっき物通過領域２３の内側に配設されているカソード２６との間に電圧を印加して、被めっき物２に電解めっきを行う工程と、
（ｃ）カソード２６の下方において、めっき液１を下方から上方へと噴射することによって、噴射されためっき液１と被めっき物通過領域２３を通過した被めっき物２とを混合させて、めっき液１と被めっき物２との混合流体３を、カソード２６の内部に設けられている中空領域２６ａを下方から上方へと通過させる工程と、
（ｄ）中空領域２６ａを通過した混合流体３を、カソード２６より上方、かつ、被めっき物通過領域２３の延伸方向に見たときにカソード２６より外側に配設された第１の遮蔽壁２７に沿って下方へ導く工程と、
（ｅ）第１の遮蔽壁２７に沿って下方に導かれた混合流体３のうち、めっき液１の少なくとも一部を、第１の遮蔽壁２７の外側に配設された第２の遮蔽壁２８に沿って上昇させて、第２の遮蔽壁２８の上端を超えて外側へと導く工程と、
を備える。

すなわち、上記（ａ）～（ｅ）の工程を順に繰り返すことにより、被めっき物２へのめっきを行う。

上記（ａ）の工程は、誘導部３０において、めっき液１と被めっき物２との混合流体３を被めっき物通過領域２３に誘導する工程である。カソード２６の中空領域２６ａを下方から上方へと通過しためっき液１と被めっき物２との混合流体３のうち、めっき液１の少なくとも一部は、後述する工程（ｅ）において、第２の遮蔽壁２８の上端を超えて外側へと流出する。また、混合流体３に含まれる被めっき物２は、自身の重みにより沈降していくが、その際に、誘導部３０の形状に沿って、被めっき物通過領域２３に誘導される。

上記（ｂ）の工程において、（ａ）の工程によって被めっき物通過領域２３に誘導された被めっき物２は、被めっき物通過領域２３を上方から下方に向かって通過する。このときに、アノード２１およびカソード２６間に電圧を印加することによって、被めっき物通過領域２３を移動している被めっき物２に電解めっきが施される。

より具体的には、（ｂ）の工程において、被めっき物通過領域２３に誘導された被めっき物２は、被めっき物通過領域２３内で堆積し、堆積した状態で少しずつ下降していく。上述したように、カソード２６、隔壁２２、およびアノード２１は、それぞれの中心軸が一致するように同心円状に配置されているため、被めっき物通過領域２３を通過する被めっき物２に対して、電流密度分布の均一性が高い条件下で、安定した良好なめっきを行うことができる。これにより、めっき膜の膜厚ばらつきを抑制して、均一な膜厚のめっき膜を形成することができる。

また、上述したように、隔壁２２の上側部分および下側部分は、通液性を有さないように構成されている。隔壁２２の上側部分が通液性を有さないようにすることにより、被めっき物通過領域２３の上側に配置されている誘導部３０からの液流の影響を抑制することができる。また、隔壁２２の下側部分が通液性を有さないようにすることにより、被めっき物通過領域２３の下側から噴射されるめっき液１の液流の影響を抑制することができる。これにより、被めっき物通過領域２３内において、被めっき物２を安定的に通過させることができる。

（ｃ）の工程では、噴射部２４において、めっき槽１０内のめっき液１が、循環ライン３２を介して噴射口２４ａから噴射される。被めっき物通過領域２３を通過した被めっき物２は、噴射口２４ａからの噴流による吸引力によって、混合部２５で、噴射口２４ａから噴射されためっき液１と混合される。このとき、被めっき物通過領域２３内を堆積しつつ降下してきた被めっき物２は、混合部２５において、噴射口２４ａからの噴流のせん断力によってほぐされ、めっき液１内に分散されて、混合流体３となる。めっき液１と被めっき物２との混合流体３は、噴射口２４ａからの噴流によって、カソード２６の中空領域２６ａを下方から上方へと通過して、中空領域２６ａの上端から上方へと噴出される。

このように、噴射部２４は、めっき液１と被めっき物２との混合流体３を、カソード２６の中空領域２６ａを通過させて、中空領域２６ａの上端から上方へと噴出させるようにポンプ３３を作動させて、噴射口２４ａからめっき液１を噴射させる。

（ｄ）の工程では、中空領域２６ａを下方から上方へと通過して、中空領域２６ａの上端から噴出された混合流体３が第１の遮蔽壁２７に沿って下方へと導かれる。すなわち、中空領域２６ａの上端から噴出された混合流体３は、カソード２６の上方に配設されている導流部２９に衝突して外側へと導かれ、さらに、第１の遮蔽壁２７に衝突して、第１の遮蔽壁２７に沿って下方へと導かれる。

（ｅ）の工程において、第１の遮蔽壁２７に沿って下方に導かれた混合流体３のうち、比重の重い被めっき物２は下降し、堆積する。一方、混合流体３のうち、めっき液１の少なくとも一部は、堆積している被めっき物２によって下方への移動が遮られ、第１の遮蔽壁２７の外側に配設された第２の遮蔽壁２８に沿って上昇し、第２の遮蔽壁２８の上端を超えて外側へ流出する。

すなわち、混合流体３のうち、被めっき物２は沈降し、めっき液１は、第２の遮蔽壁２８に沿って上昇することによって、被めっき物２とめっき液１との分離が効果的に進む。外力が加わることなく、被めっき物２とめっき液１との分離が行われるので、めっき処理後の被めっき物２の表面に傷がついたりするのを抑制することができる。また、めっき液１は、第１の遮蔽壁２７の下端において急激に方向転換して上昇するので、被めっき物２とめっき液１との分離を迅速に行うことができる。

ここで、めっき液１が第１の遮蔽壁２７と第２の遮蔽壁２８の間の領域を上昇する際の平均流速を、被めっき物２が沈降する際の平均速度以下に設計することにより、被めっき物２が第２の遮蔽壁２８を超えて外側に流出することを抑制することができる。めっき液１が第１の遮蔽壁２７と第２の遮蔽壁２８の間の領域を上昇する際の平均流速は、第１の遮蔽壁２７と第２の遮蔽壁２８との間の間隔を調整することによって制御することができる。

以後、（ａ）～（ｅ）の工程がこの順に繰り返し行われることにより、被めっき物２に電界めっきが施される。これにより、被めっき物２が複数回、被めっき物通過領域２３を通過するため、被めっき物２毎のめっき膜厚のばらつきは低下し、所望の膜厚のめっき膜を得ることができる。

上述したように、本実施形態のめっき装置１００は、カソード２６より上方、かつ、被めっき物通過領域２３の延伸方向に見たときにカソード２６より外側に配設された第１の遮蔽壁２７、および、第１の遮蔽壁２７の外側に配設された第２の遮蔽壁２８を備えており、第１の遮蔽壁２７の下端は、第２の遮蔽壁２８の上端よりも低い位置にある。そのような構成により、カソード２６の中空領域２６ａを下方から上方へと通過した混合流体３のうち、めっき液１の少なくとも一部は、第２の遮蔽壁２８の上端を超えて外側へ流出する。すなわち、混合流体３のうち、比重の重い被めっき物２は下降して堆積するが、めっき液１の少なくとも一部は、堆積している被めっき物２によって下方への移動が遮られ、第２の遮蔽壁２８に沿って上昇し、第２の遮蔽壁２８の上端を超えて外側へ流出する。

したがって、めっき液１がめっき液通過部を通過して外側へ流出する特許文献２に記載のめっき装置と比べると、本実施形態のめっき装置１００では、第１の遮蔽壁２７および第２の遮蔽壁２８が設けられていることにより、めっき液１の流路が複雑となり、かつ、第２の遮蔽壁２８の上端を超えてめっき液１が外側へと流出するため、めっき液１が第２の遮蔽壁２８の外側へと流出する量を低減することができる。これにより、第２の遮蔽壁２８の上端を超えてアノード２１からカソード２６へと流れる電流量を低減することができるので、バイポーラ現象の発生を抑制することができ、めっきが施される被めっき物２の信頼性低下を抑制することができる。

また、特許文献２に記載のめっき装置では、被めっき物の一部がめっき液通過部へと流されてめっき液通過部に張り付き、そのまま固定されてしまうことがある。そのような事象は、被めっき物が小さいサイズ、例えば、長さ１．０ｍｍ、幅０．５ｍｍ、厚み０．５ｍｍのサイズや、それよりも小さいサイズのときに生じやすく、その場合には、被めっき物にめっきが形成されなくなる。

しかしながら、本実施形態のめっき装置１００では、第２の遮蔽壁２８は通液性を有しないので、上記問題が生じることはない。したがって、被めっき物２が長さ１．０ｍｍ、幅０．５ｍｍ、厚み０．５ｍｍのサイズや、それよりも小さいサイズの場合でも、一部の被めっき物２にめっきが形成されなくなることを抑制することができる。

また、第２の遮蔽壁２８の上端は、めっき液１の液面よりも高い位置にあるので、めっき処理時に、第２の遮蔽壁２８の上端を超えて外側に流出するめっき液１の量をより低減して、バイポーラ現象の発生をより抑制することができる。

また、本実施形態のめっき装置１００では、アノード２１の上端は、めっき液１の液面よりも低い位置にあり、上方から見たときにアノード２１を覆い隠すように、アノード２１の上方に第１の絶縁体３５が配設されているので、第２の遮蔽壁２８の上端を超えて外側へと流出するめっき液１を介して、アノード２１からカソード２６へと流れる電流をより低減することができる。これにより、バイポーラ現象の発生をより効果的に抑制することができ、被めっき物２の信頼性低下をより抑制することができる。

なお、本実施形態のめっき装置１００は、特許文献２に記載のめっき装置と同様に、縦長の形状となるので、水平方向に回転軸を有する回転バレルを用いためっき装置と比べると、装置を設置するための床面積を狭くすることができ、面積生産性を向上させることができる。また、被めっき物２を流動させるための駆動源は、めっき液１を流動させるためのポンプ３３だけであるので、めっき部２０の構造をシンプルにでき、メンテナンスに関する費用を低減することができる。

電解めっきが終了すると、めっきが施された被めっき物２を洗浄する。被めっき物２を洗浄するため、分離部４０、すなわち、一体的に分離可能な隔壁２２、混合部２５、カソード２６、第１の遮蔽壁２７、第２の遮蔽壁２８、導流部２９、および、誘導部３０を、めっき槽１０から引き上げる。分離部４０を引き上げると、めっき液１は、隔壁２２を介して外側に流れ出る。一方、被めっき物２は、外側に流れ出ることなく、被めっき物通過領域２３および混合部２５内に堆積した状態でとどまる。

めっき液１が隔壁２２を介して外側に流れ出た後、図６に示すように、別途用意した洗浄槽５０内に分離部４０をセットする。具体的には、洗浄槽５０の底部に設けられている噴射口５１ａに、分離部４０の先端部４１を接続する。洗浄槽５０には、カソード２６の上端よりも高い位置まで洗浄液が貯留されている。

図１に示すめっき装置１００には、噴射部２４が設けられていたが、洗浄槽５０にも同様の構成の噴射部５１が設けられている。噴射部５１は、循環ライン５２と、ポンプ５３と、異物を除去するためのフィルタ５４とを備えている。

めっきが施された被めっき物２の洗浄時には、ポンプ５３を作動させることによって、洗浄槽５０内の洗浄液を、循環ライン５２を介して噴射口５１ａから噴射させる。これにより、混合部２５において、噴射口５１ａから噴射された洗浄液と、被めっき物２とが混合されて、カソード２６の中空領域２６ａを下方から上方へと流動する。そして、中空領域２６ａの上端から飛び出た洗浄液と被めっき物２との混合流体３のうち、洗浄液の一部は、第２の遮蔽壁２８の上端を超えて、外側へ流出する。また、混合流体３に含まれる被めっき物２は、自身の重みにより沈降していくが、その際に、誘導部３０の形状に沿って、被めっき物通過領域２３に誘導される。

被めっき物通過領域２３を上方から下方へと移動した被めっき物２は、混合部２５で洗浄液と混合されて、再びカソード２６の中空領域２６ａを下方から上方へと流動する。このように、被めっき物２を循環させながら洗浄することにより、短時間で被めっき物２の洗浄を行うことができる。

また、洗浄水を循環させながら洗浄することができるので、使用する洗浄水は少量ですみ、排水する洗浄水の量を低減することができる。

被めっき物２の洗浄後には、分離部４０を上方に引き上げた後、先端部４１を取り外すことにより、混合部２５の下方から、めっきが施された被めっき物２を取り出すことができる。これにより、めっきが施された被めっき物２を簡単に取り出すことができる。また、隔壁２２の内部に被めっき物２の残留が無いか目視で確認することができるので、分離部４０の内部に被めっき物２が残った状態で、別の種類の被めっき物２に対してめっき処理が行われてしまうことを防ぐことができる。

（実施例１）
被めっき物２として、長さ１．０ｍｍ、幅０．５ｍｍ、厚み０．５ｍｍの積層セラミックコンデンサを用意し、後述する方法により、積層セラミックコンデンサの外部電極にＮｉめっきおよびＳｎめっきを施した。後述するように、被めっき物２に対して、最初にＮｉめっきを施し、次にＳｎめっきを施した。

図１～図３に示す構成を備えためっき装置１００において、筒状の隔壁２２のうち、通液性を有する部分は、８０メッシュのメッシュ材料で構成し、直径は７０ｍｍ、長さは１００ｍｍとした。また、通液性を有する部分の上下に位置する通液性を有さない部分は、同じく直径７０ｍｍで、アクリル、ポリプロピレン、塩化ビニル、ポリカーボネートなどのプラスチックからなるパイプを設けることにより構成した。

隔壁２２の上部には、頂角が９０度の円錐台形状の誘導部３０を設けた。誘導部３０の開口下面の直径は、隔壁２２の直径と略同じである。

誘導部３０の上部には、直径２００ｍｍ、高さ１００ｍｍの円筒を配置し、第２の遮蔽壁２８とした。誘導部３０と第２の遮蔽壁２８との間は、隙間が生じないようにした。

第２の遮蔽壁２８の内側に位置する第１の遮蔽壁２７として、直径１４０ｍｍ、高さ１００ｍｍのパイプを上方から吊り下げた。第１の遮蔽壁２７の下端は、第２の遮蔽壁２８の上端よりも低い位置となるようにした。

隔壁２２の内側に配設されるカソード２６として、外形が３５ｍｍ、内径が２５ｍｍのステンレス製のパイプを用いた。このパイプの外側表面のうち、被めっき物２のめっきを行うめっき形成領域に対応する部分は電気導通性があるが、めっき形成領域より高い部分、および、パイプの内側表面は、絶縁材でコーティングされている。このパイプの下端と、円錐台形状を有する混合部２５の下端との間隙は１５ｍｍとし、パイプの上端は、誘導部３０の高さ方向における中央付近の位置とした。パイプは、吊るし部材３６によって上方からつり下げる構成とし、電源３１の陰極と接続した。

カソード２６の上方に、導流部２９となるディフレクターを設けた。ディフレクターの下面、すなわち、カソード２６の中空領域２６ａを下方から上方へと通過した混合流体３が衝突する面は、めっき槽１０内にめっき液１を貯留した際に、めっき液１の液面より低い位置となるようにした。

隔壁２２の外側には、１００ｍｍの間隔をあけて、円環状の形状を有するチタン製のアノードケースを配置した。このアノードケースには、上方からＮｉチップを充填可能な空間が設けられており、この空間内にＮｉチップを充填した。このＮｉチップを充填したアノードケースを電源３１の陽極と接続してアノード２１とした。

隔壁２２の下部には、頂角が９０度の混合部２５を設けた。

めっき槽１０に貯留するめっき液１としてワット浴を用いた。上述したように、めっき槽１０の底部には、噴射口２４ａが設けられている。

ここで、噴射口２４ａの口径をカソード２６の内径（２５ｍｍ）よりも大きい３０ｍｍとしたところ、被めっき物２の循環が安定しないことが分かった。また、噴射口２４ａの口径をカソード２６の内径よりも小さい１２ｍｍとしたところ、被めっき物２の循環を行うことはできるが、被めっき物２が強く吹き上げられるため、被めっき物２に強い衝撃力が加わる可能性がある。また、噴射口２４ａの口径を、カソード２６の内径の６０％以上の大きさである１６ｍｍとしたところ、被めっき物２の循環を安定的に行うことができ、かつ、被めっき物２が強く吹き上げられることもなかった。

したがって、噴射口２４ａの口径は、カソード２６の内径よりも小さい方が好ましく、また、カソード２６の内径の６０％以上の大きさであることが好ましい。本実施例では、噴射口２４ａの口径を２０ｍｍとした。

噴射口２４ａに、混合部２５の下部に設けられている先端部４１をはめ込むように設置した。また、カソード２６の上端よりも高い位置まで、めっき槽１０内にめっき液１を貯留した。

噴射部２４のポンプ３３を作動させることにより、めっき槽１０内のめっき液１が循環ライン３２を介して、噴射口２４ａから上方に噴出される。噴射口２４ａから噴出されためっき液１は、カソード２６の中空領域２６ａを通って、カソード２６の上端から上方に噴出される。

被めっき物２として、積層セラミックコンデンサを１２０００００個、および直径０．７ｍｍの導電性メディアを１２０ｃｃ、めっき槽１０内、より具体的には、円筒形状を有する第２の遮蔽壁２８の内側に投入した。投入された被めっき物２は、沈降して、被めっき物通過領域２３内に堆積しつつ、徐々に下降する。そして、噴射口２４ａからのめっき液１の噴流により、混合部２５に誘引され、混合部２５でめっき液１と混合されて、カソード２６の中空領域２６ａを通って上方に噴出される。噴出されためっき液１と被めっき物２との混合流体３のうち、めっき液１の一部は、第２の遮蔽壁２８の上端を超えて外側に流出し、循環ライン３２を経て、噴射口２４ａから再び噴射される。一方、被めっき物２は、めっき液１の他の一部、すなわち、第２の遮蔽壁２８の上端を超えて流出しなかっためっき液１とともに、誘導部３０を経て、被めっき物通過領域２３に導かれ、堆積しつつ被めっき物通過領域２３内を徐々に下降する。

このように、被めっき物２が循環を繰り返す状態で、電源３１をオンとして、２０Ａで通電し、アノード２１およびカソード２６間に電圧を印加した。通電を１８０分間行って所定の積算電流を通電後、電源３１をオフにした。そして、分離部４０をめっき槽１０から引き上げて、内部のめっき液１を抜いた。その後、分離部４０を、洗浄液である純水を満たした洗浄槽５０に浸漬した。

上述したように、洗浄槽５０には噴射口５１ａが設けられており、分離部４０の先端部４１を噴射口５１ａに接続して、ポンプ５３を作動させることにより、被めっき物通過領域２３、混合部２５、カソード２６の中空領域２６ａ、および誘導部３０の経路で被めっき物２を循環させて洗浄した。その後、分離部４０を引き上げて別の洗浄槽に移動させて、同様の洗浄を行った。この洗浄処理を３回繰り返して行った。

被めっき物２の洗浄後、分離部４０を、Ｓｎめっき液を満たしためっき槽１０に浸漬し、上述したＮｉめっきと同様の手順により、被めっき物２にＳｎめっきを施した。アノード２１およびカソード２６に通電する条件は、１５Ａで１２０分間とした。

被めっき物２にＳｎめっきを施した後、Ｎｉめっきの終了後と同様に、被めっき物２を洗浄した。

被めっき物２の洗浄終了後、図７に示すように、少なくとも隔壁２２の上端まで洗浄水を浸した状態で、分離部４０を洗浄槽５０の噴射口５１ａから取り外し、取り外した分離部４０の下部に、要部が被めっき物２は通過させず、めっき液１を通過させる粗さのメッシュ材料で構成された回収容器６０を配置した。そして、分離部４０の下部に設けられている先端部４１（図４、図５参照）を外した。これにより、被めっき物通過領域２３および混合部２５に堆積している被めっき物２は、沈降して、回収容器６０の中に回収される。このとき、洗浄水を分離部４０の上方から流すことにより、全ての被めっき物２が回収容器６０の中に回収されるようにした。

回収容器６０は、上述のように、めっき液１は通過させるが被めっき物２は通過させないメッシュ材料で構成された通液部を備えているので、回収容器６０を上方に引き上げれば、洗浄水は回収容器６０の外に流出し、めっきが施された被めっき物２のみを回収することができる。

回収容器６０に回収した被めっき物２のＮｉ膜およびＳｎ膜の膜厚を蛍光ｘ線膜厚計で３０カ所測定した。その結果、Ｎｉ膜の平均膜厚は３．３５μｍ、膜厚ばらつきを示すＣＶ（標準偏差／平均値）は６．９％であり、Ｓｎ膜の平均膜厚は３．１μｍ、膜厚ばらつきを示すＣＶは５．４％と、良好であった。すなわち、本実施形態によるめっき装置１００によれば、形成されるめっき膜の膜厚ばらつきを小さくすることができる。

なお、チップの回収率を確認したところ、回収できなかったチップは０個であることを確認した。また、２００００個のチップを対象として、実装機による実装テストを行ったが、半田付け不良は０個であった。

一方、特許文献２に記載のめっき装置を用いて同様に、被めっき物にＮｉめきおよびＳｎめっきを施したところ、一部の被めっき物のめっき液通過部への張り付きが確認された。また、３０個の被めっき物について、Ｎｉ膜およびＳｎ膜の膜厚を蛍光ｘ線膜厚計で測定したところ、Ｎｉ膜のＣＶは８．９％、Ｓｎ膜のＣＶは６．２％となった。すなわち、特許文献２に記載のめっき装置は、本実施形態によるめっき装置１００と比べて、形成されるめっき膜の膜厚ばらつきが大きい。

また、特許文献２に記載のめっき装置を用いてめっきが施されたチップに対して、実装機による実装テストを行ったところ、２００００個のチップのうち、３個のチップが半田付け不良となっていることが確認された。

すなわち、本実施形態のめっき装置１００によれば、長さ１．０ｍｍ、幅０．５ｍｍ、厚み０．５ｍｍのような小さい被めっき物２であっても、安定的にめっきを施すことができる。

（実施例２）
実施例１で説明した方法により、被めっき物２にめっき処理を施すときに、被めっき物通過領域２３および混合部２５に堆積している被めっき物２の表面の電流密度を測定した。ただし、通電時の電流は３０Ａとし、電流密度の測定は、藤化成株式会社の電流密度計ＣＤ－２００を用いた。また、特許文献２に記載のめっき装置を用いた場合についても同様に、堆積している被めっき物の表面の電流密度を測定した。

本実施形態のめっき装置１００を用いた場合の電流密度は、０．６Ａ／ｄｍ²であった。一方、特許文献２に記載のめっき装置を用いた場合の電流密度は、２．３Ａ／ｄｍ²であった。

上述したように、本実施形態のめっき装置１００では、第２の遮蔽壁２８は通液性が無く、カソード２６の中空領域２６ａを下方から上方へと通過した混合流体３のうち、めっき液１の少なくとも一部は、第２の遮蔽壁２８の上端を超えて外側へ流出する。したがって、めっき液１がめっき液通過部を通過して外側へ流出する特許文献２に記載のめっき装置と比べて、外側へと流出するめっき液１の液流の厚みを低減することができる。また、アノード２１の上方には、上方から見たときにアノード２１を覆い隠すように第１の絶縁体３５が設けられているため、アノード２１の上方から、第２の遮蔽壁２８の上端を超えて、堆積している被めっき物２の表面へと至る経路では、電流が流れにくい。これらの要因により、本実施形態のめっき装置１００では、特許文献２に記載のめっき装置と比べて、堆積している被めっき物２の表面の電流密度が１／４になったと考えられる。

また、本実施形態のめっき装置１００を用いてめっきを施したチップと、特許文献２に記載のめっき装置を用いてめっきを施したチップについて、耐湿負荷試験を行った。耐湿負荷試験の条件は、温度１２５℃、湿度９５％ＲＨとし、定格電圧３．２Ｖを７２時間印加し、その間の絶縁抵抗ＩＲを測定した。ここでは、１８個のチップを対象として、絶縁抵抗の対数値ｌｏｇＩＲを求めた。

図８（ｂ）に示すように、特許文献２に記載のめっき装置によりめっきを施したチップでは、電圧印加時間の経過とともに、絶縁抵抗が低下するチップが存在した。これは、バイポーラ現象の発生により外部電極が溶解したことが理由と考えられる。

これに対して、本実施形態のめっき装置１００によりめっきを施したチップでは、図８（ａ）に示すように、絶縁抵抗の大幅な低下は生じなかった。すなわち、本実施形態のめっき装置１００を用いた場合には、バイポーラ現象の発生が抑制されるため、チップの信頼性が向上した。

＜第２の実施形態＞
第１の実施形態におけるめっき装置１００では、アノード２１の上端は、めっき液１の液面よりも低い位置にあり、上方から見たときにアノード２１を覆い隠すように、アノード２１の上方に第１の絶縁体３５が配設されている。

これに対して、第２の実施形態におけるめっき装置では、アノード２１の上端は、めっき液１の液面よりも高い位置にあり、アノード２１のうち、被めっき物のめっきを行う領域よりも高い位置にある部分は、第２の絶縁体で覆われている。

図９は、本発明の第２の実施形態におけるめっき装置１００Ａを示す正面断面図である。上述したように、アノード２１の上端は、めっき液１の液面よりも高い位置にある。また、アノード２１のうち、被めっき物２のめっきを行う領域よりも高い位置にある部分は、第２の絶縁体９０で覆われている。

なお、被めっき物２のめっきを行う領域とは、被めっき物通過領域２３内で被めっき物２が堆積している領域である。

本実施形態におけるめっき装置１００Ａも、第１の実施形態におけるめっき装置１００と同様に、第１の遮蔽壁２７および第２の遮蔽壁２８を備えているので、バイポーラ現象の発生を抑制することができ、めっきが施される被めっき物２の信頼性低下を抑制することができる。

また、アノード２１の上端は、めっき液１の液面よりも高い位置にあるが、アノード２１のうち、被めっき物２のめっきを行う領域よりも高い位置にある部分は、第２の絶縁体９０で覆われているので、第２の絶縁体９０で覆われていない構成と比べると、第２の遮蔽壁２８の上端を超えて外側へと流出するめっき液１を介して、アノード２１からカソード２６へと流れる電流を低減することができる。これにより、バイポーラ現象の発生をより効果的に抑制することができ、被めっき物２の信頼性低下をより抑制することができる。

なお、アノード２１の上端がめっき液１の液面よりも高い位置にある構成において、第２の絶縁体９０を省略した構成とすることもできるが、アノード２１のうち、被めっき物２のめっきを行う領域よりも高い位置にある部分を第２の絶縁体９０で覆う構成とすることにより、上述したように、バイポーラ現象の発生をより効果的に抑制することができる。

本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。

１ めっき液
２ 被めっき物
３ 混合流体
１０ めっき槽
２０ めっき部
２１ アノード
２２ 隔壁
２３ 被めっき物通過領域
２４ 噴射部
２４ａ 噴射口
２５ 混合部
２６ カソード
２６ａ 中空領域
２７ 第１の遮蔽壁
２８ 第２の遮蔽壁
２９ 導流部
３０ 誘導部
３１ 電源
３２ 循環ライン
３３ ポンプ
３４ フィルタ
３５ 第１の絶縁体
３６ 吊るし部材
４０ 分離部
４１ 先端部
５０ 洗浄槽
６０ 回収容器
９０ 第２の絶縁体
１００、１００Ａ めっき装置

Claims (9)

1. めっき液を貯留するめっき槽と、
   前記めっき槽の内部に設けられ、被めっき物に電解めっきを施すめっき部と、
   を備え、
   前記めっき部は、
   前記めっき液は通過させるが前記被めっき物は通過させない隔壁であって、その内側を上方から下方に向かって前記被めっき物が通過する被めっき物通過領域を構成する隔壁と、
   前記めっき液を下方から上方へと噴射する噴射部と、
   前記噴射部より上方、かつ、前記被めっき物通過領域より下方に配設され、前記噴射部によって噴射された前記めっき液と、前記被めっき物通過領域を通過した前記被めっき物とが混合する混合部と、
   前記被めっき物通過領域の外側に配設されたアノードと、
   前記被めっき物通過領域の内側に配設され、前記混合部によって混合された前記めっき液と前記被めっき物との混合流体が下方から上方に向かって通過する中空領域を有するカソードと、
   前記カソードより上方、かつ、前記被めっき物通過領域の延伸方向に見たときに前記カソードより外側に配設され、前記中空領域を通過した前記混合流体を下方へと導くための第１の遮蔽壁と、
   前記第１の遮蔽壁の外側に配設され、前記第１の遮蔽壁に沿って下方に導かれた前記混合流体のうち、前記めっき液の少なくとも一部を上昇させて上端を超えて外側へと導くための第２の遮蔽壁と、
   を備え、
   前記第１の遮蔽壁の下端は、前記第２の遮蔽壁の上端よりも低い位置にあることを特徴とするめっき装置。
2. 前記第２の遮蔽壁の上端は、前記めっき液の液面よりも高い位置にあることを特徴とする請求項１に記載のめっき装置。
3. 前記カソードの前記中空領域を下方から上方へと通過した前記混合流体を衝突させて外側へと導く導流部をさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載のめっき装置。
4. 前記導流部は、前記カソードの上方に配設されていることを特徴とする請求項３に記載のめっき装置。
5. 前記アノードの上端は、前記めっき液の液面よりも低い位置にあり、
   上方から見たときに前記アノードを覆い隠すように、前記アノードの上方に配設された絶縁体をさらに備えることを特徴とする請求項１～４のいずれかに記載のめっき装置。
6. 前記アノードの上端は、前記めっき液の液面よりも高い位置にあり、
   前記アノードのうち、前記被めっき物のめっきを行う領域よりも高い位置にある部分は、絶縁体で覆われていることを特徴とする請求項１～４のいずれかに記載のめっき装置。
7. 前記噴射部の噴射口の口径は、前記カソードの内径よりも小さいことを特徴とする請求項１～６のいずれかに記載のめっき装置。
8. 前記噴射部の噴射口の口径は、前記カソードの内径の６０％以上の大きさであることを特徴とする請求項７に記載のめっき装置。
9. （ａ）めっき液と被めっき物との混合流体を、前記めっき液は通過させるが前記被めっき物は通過させない隔壁に少なくとも一部が囲まれた被めっき物通過領域に誘導する工程と、
   （ｂ）前記被めっき物が前記被めっき物通過領域を上方から下方に向かって通過する際に、前記被めっき物通過領域の外側に配設されているアノードと、前記被めっき物通過領域の内側に配設されているカソードとの間に電圧を印加して、前記被めっき物に電解めっきを行う工程と、
   （ｃ）前記カソードの下方において、前記めっき液を下方から上方へと噴射することによって、噴射された前記めっき液と前記被めっき物通過領域を通過した前記被めっき物とを混合させて、前記めっき液と前記被めっき物との前記混合流体を、前記カソードの内部に設けられている中空領域を下方から上方へと通過させる工程と、
   （ｄ）前記中空領域を通過した前記混合流体を、前記カソードより上方、かつ、前記被めっき物通過領域の延伸方向に見たときに前記カソードより外側に配設された第１の遮蔽壁に沿って下方へ導く工程と、
   （ｅ）前記第１の遮蔽壁に沿って下方に導かれた前記混合流体のうち、前記めっき液の少なくとも一部を、前記第１の遮蔽壁の外側に配設された第２の遮蔽壁に沿って上昇させて、前記第２の遮蔽壁の上端を超えて外側へと導く工程と、
   を備えることを特徴とするめっき方法。

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