JPH10212596A - チップ部品のメッキ方法 - Google Patents
チップ部品のメッキ方法Info
- Publication number
- JPH10212596A JPH10212596A JP9014959A JP1495997A JPH10212596A JP H10212596 A JPH10212596 A JP H10212596A JP 9014959 A JP9014959 A JP 9014959A JP 1495997 A JP1495997 A JP 1495997A JP H10212596 A JPH10212596 A JP H10212596A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plated
- dummy
- barrel
- conductive dummy
- plating
- Prior art date
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- Pending
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明はチップ部品のメッキ方法に関するも
ので、メッキ厚みのバラツキを小さくすることを目的と
する。 【解決手段】 バレル４内に被メッキ物１と導電性ダミ
ー３と非導電性ダミー２を投入し、上記バレルを回転さ
せて上記被メッキ物１にメッキ層を形成するものにおい
て、非導電性ダミーの体積もしくは最大投影面積を被メ
ッキ物と同じか大きいものを使用する。
ので、メッキ厚みのバラツキを小さくすることを目的と
する。 【解決手段】 バレル４内に被メッキ物１と導電性ダミ
ー３と非導電性ダミー２を投入し、上記バレルを回転さ
せて上記被メッキ物１にメッキ層を形成するものにおい
て、非導電性ダミーの体積もしくは最大投影面積を被メ
ッキ物と同じか大きいものを使用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器等に用い
られるチップ部品において、端子電極をバレル電解メッ
キにより形成するチップ部品のメッキ方法に関するもの
である。
られるチップ部品において、端子電極をバレル電解メッ
キにより形成するチップ部品のメッキ方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】以下に従来のチップ部品のメッキ方法を
図を用いて説明する。
図を用いて説明する。
【０００３】プリント基板に高密度実装が可能なチップ
部品の端子電極は、図５に示すように素体１１上に下地
電極１２を設けた上、半田耐熱性を保証するためのＮｉ
メッキなどのメッキ層１３を設け、更に半田付性を保証
するためにＳｎＰｂメッキなどのメッキ層１４を設けて
いた。そして、このメッキ層１３及びメッキ層１４をバ
レル電解メッキにより形成していた。
部品の端子電極は、図５に示すように素体１１上に下地
電極１２を設けた上、半田耐熱性を保証するためのＮｉ
メッキなどのメッキ層１３を設け、更に半田付性を保証
するためにＳｎＰｂメッキなどのメッキ層１４を設けて
いた。そして、このメッキ層１３及びメッキ層１４をバ
レル電解メッキにより形成していた。
【０００４】従来のバレル電解メッキの方法は、図６及
び図７に示すような内部に陰極１５及びセンターバー１
６を備えたバレル１７内に、チップ部品である被メッキ
物１８と導電性ダミー１９を投入し、バレル１７を所望
のメッキ槽に浸漬して回転させながら電解メッキを施す
というものであった。
び図７に示すような内部に陰極１５及びセンターバー１
６を備えたバレル１７内に、チップ部品である被メッキ
物１８と導電性ダミー１９を投入し、バレル１７を所望
のメッキ槽に浸漬して回転させながら電解メッキを施す
というものであった。
【０００５】なお、導電性ダミー１９は、陰極１５と被
メッキ物１８との間の導通を得るためのものであり、被
メッキ物１８に比して、体積もしくは最大投影面積が同
等以下であって、比重がメッキ液よりも大きい。従っ
て、バレル１７を回転させて電解メッキを行うと、図７
に示すように、陰極１５から導電性ダミー１９、被メッ
キ物１８の順に分離してメッキされていた。
メッキ物１８との間の導通を得るためのものであり、被
メッキ物１８に比して、体積もしくは最大投影面積が同
等以下であって、比重がメッキ液よりも大きい。従っ
て、バレル１７を回転させて電解メッキを行うと、図７
に示すように、陰極１５から導電性ダミー１９、被メッ
キ物１８の順に分離してメッキされていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のバレル電解メッ
キでは、バレル１７をメッキ槽に入れる時や、電源等の
異常によりバレル１７の回転速度があがった場合など、
被メッキ物１８がメッキ液中で舞い上がって絶縁保護膜
に覆われたセンターバー１６上に乗ってしまい、メッキ
されなくなるという課題があった。
キでは、バレル１７をメッキ槽に入れる時や、電源等の
異常によりバレル１７の回転速度があがった場合など、
被メッキ物１８がメッキ液中で舞い上がって絶縁保護膜
に覆われたセンターバー１６上に乗ってしまい、メッキ
されなくなるという課題があった。
【０００７】そのため、バレル１７を定期的に大きく振
動させるなどの手段を講じ、被メッキ物１８が陰極１５
から導通を得られる状態を保持するようにしていたので
あるが、固体間のメッキ厚みのバラツキを抑制すること
はできなかった。
動させるなどの手段を講じ、被メッキ物１８が陰極１５
から導通を得られる状態を保持するようにしていたので
あるが、固体間のメッキ厚みのバラツキを抑制すること
はできなかった。
【０００８】そこで、導電性ダミー１９の比重を小さく
するあるいは体積もしくは最大投影面積を大きくするな
どして、被メッキ物１８と導電性ダミー１９を均一に混
合する、導電性ダミー１９の投入量を増加するなどの方
法をとっていたが、課題を解決するには至らなかった。
するあるいは体積もしくは最大投影面積を大きくするな
どして、被メッキ物１８と導電性ダミー１９を均一に混
合する、導電性ダミー１９の投入量を増加するなどの方
法をとっていたが、課題を解決するには至らなかった。
【０００９】本発明は上記課題を解決するものであり、
一度に大量のチップ部品の端子電極をバレル電解メッキ
により形成する際、安定にメッキが行なわれ、また個体
間のメッキ厚みのバラツキを抑制するチップ部品のメッ
キ方法の提供を目的とするものである。
一度に大量のチップ部品の端子電極をバレル電解メッキ
により形成する際、安定にメッキが行なわれ、また個体
間のメッキ厚みのバラツキを抑制するチップ部品のメッ
キ方法の提供を目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、被メッキ物と導電性ダミーと非導電性ダミ
ーとをバレル内に投入し、このバレルを回転させること
により上記被メッキ物に電解メッキを行う際、上記被メ
ッキ物、導電性ダミー、非導電性ダミーの体積もしくは
最大投影面積の関係を、 導電性ダミー≦被メッキ物≦非導電性ダミー とするものである。
に本発明は、被メッキ物と導電性ダミーと非導電性ダミ
ーとをバレル内に投入し、このバレルを回転させること
により上記被メッキ物に電解メッキを行う際、上記被メ
ッキ物、導電性ダミー、非導電性ダミーの体積もしくは
最大投影面積の関係を、 導電性ダミー≦被メッキ物≦非導電性ダミー とするものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１と２のメッキ方
法によれば、被メッキ物が絶縁保護膜に覆われたセンタ
ーバー上に乗り上げることなく安定にメッキを行うこと
ができ、またチップ部品の個体間におけるメッキ厚みの
バラツキも抑制することが可能となる。
法によれば、被メッキ物が絶縁保護膜に覆われたセンタ
ーバー上に乗り上げることなく安定にメッキを行うこと
ができ、またチップ部品の個体間におけるメッキ厚みの
バラツキも抑制することが可能となる。
【００１２】以下、本発明の一実施形態について、図面
を参照しながら説明する。まず、図３のようなチップ部
品の素体７にバレル電解メッキを施すための下地電極８
を設けた被メッキ物１を、図１に示すように、非導電性
ダミー２、導電性ダミー３と共にバレル４内に投入す
る。この時、被メッキ物１は、縦１．３mm、横２．０m
m、高さ０．６mmの直方体で体積１．５６mm3、最大投影
面積２．６０mm2である。非導電性ダミー２および導電
性ダミー３は共に図２，図４のごとく球状で、非導電性
ダミー２は、直径２．０mm、体積４．１９mm3、最大投
影面積３．１４mm2と被メッキ物１よりも大きく、導電
性ダミー３は、直径１．２mm、体積０．９０mm3、最大
投影面積１．１３mm2と被メッキ物１よりも小さくして
いる。また、非導電性ダミー２にはＡｌ2Ｏ3ボールを、
導電性ダミー３にはＮｉボールを使用しており、バレル
４は従来と同じ構造である。被メッキ物１、非導電性ダ
ミー２、導電性ダミー３の投入体積比は、バレル内容積
を１とした場合、下記（表１）に示す通りである。
を参照しながら説明する。まず、図３のようなチップ部
品の素体７にバレル電解メッキを施すための下地電極８
を設けた被メッキ物１を、図１に示すように、非導電性
ダミー２、導電性ダミー３と共にバレル４内に投入す
る。この時、被メッキ物１は、縦１．３mm、横２．０m
m、高さ０．６mmの直方体で体積１．５６mm3、最大投影
面積２．６０mm2である。非導電性ダミー２および導電
性ダミー３は共に図２，図４のごとく球状で、非導電性
ダミー２は、直径２．０mm、体積４．１９mm3、最大投
影面積３．１４mm2と被メッキ物１よりも大きく、導電
性ダミー３は、直径１．２mm、体積０．９０mm3、最大
投影面積１．１３mm2と被メッキ物１よりも小さくして
いる。また、非導電性ダミー２にはＡｌ2Ｏ3ボールを、
導電性ダミー３にはＮｉボールを使用しており、バレル
４は従来と同じ構造である。被メッキ物１、非導電性ダ
ミー２、導電性ダミー３の投入体積比は、バレル内容積
を１とした場合、下記（表１）に示す通りである。
【００１３】
【表１】
【００１４】この被メッキ物１、非導電性ダミー２、導
電性ダミー３を投入したバレル４をメッキ浴中に浸漬
し、下地電極８上にＮｉメッキを施した結果を下記（表
２）に示す。この時、バレル４の回転数は８ｒｐｍとし
た。なお図１の５はセンターバー、６は陰極である。
電性ダミー３を投入したバレル４をメッキ浴中に浸漬
し、下地電極８上にＮｉメッキを施した結果を下記（表
２）に示す。この時、バレル４の回転数は８ｒｐｍとし
た。なお図１の５はセンターバー、６は陰極である。
【００１５】
【表２】
【００１６】尚、本実施形態によるメッキ方法を従来の
メッキ方法と比較するために（表１），（表２）には従
来例を併記している。
メッキ方法と比較するために（表１），（表２）には従
来例を併記している。
【００１７】以上のように、本発明は非導電性ダミー２
を入れることにより、メッキ厚みのバラツキを小さくす
ることができる。また、メッキ厚み０．３μｍ以下とい
うのは、半田付条件として、３６０℃−５ｓｅｃにて、
外電くわれになる。これはユーザーによっては特殊な使
用方法として、絶対でかつ必要な水準でもあり、そのメ
ッキロット内にその水準以下のものがあってはならな
い。よって本発明は、ユーザーに対する品質の信頼性も
向上できる。
を入れることにより、メッキ厚みのバラツキを小さくす
ることができる。また、メッキ厚み０．３μｍ以下とい
うのは、半田付条件として、３６０℃−５ｓｅｃにて、
外電くわれになる。これはユーザーによっては特殊な使
用方法として、絶対でかつ必要な水準でもあり、そのメ
ッキロット内にその水準以下のものがあってはならな
い。よって本発明は、ユーザーに対する品質の信頼性も
向上できる。
【００１８】なお、本実施形態においては被メッキ物
１、導電性ダミー３及び非導電性ダミー２の大きさを指
定したが、その大きさ以外のものでもかまわない。但
し、非導電性ダミー２の大きさは、被メッキ物１に比
べ、大きい方がよい。また導電性、非導電性ダミー３，
２の形状は、球状でなくともよいが、混合の状態から、
球または、楕円のものが特によい。さらに導電性ダミー
３は、Ｎｉ以外の材質でもよいが、Ｎｉのように被メッ
キ物１より比重が大きいものを選択するとよい結果が得
られる。
１、導電性ダミー３及び非導電性ダミー２の大きさを指
定したが、その大きさ以外のものでもかまわない。但
し、非導電性ダミー２の大きさは、被メッキ物１に比
べ、大きい方がよい。また導電性、非導電性ダミー３，
２の形状は、球状でなくともよいが、混合の状態から、
球または、楕円のものが特によい。さらに導電性ダミー
３は、Ｎｉ以外の材質でもよいが、Ｎｉのように被メッ
キ物１より比重が大きいものを選択するとよい結果が得
られる。
【００１９】また非導電性ダミー２は、Ａｌ2Ｏ3以外の
材質でもよいが、Ａｌ2Ｏ3のように、被メッキ物１より
比重が小さいものを選択するとよい結果が得られる。
材質でもよいが、Ａｌ2Ｏ3のように、被メッキ物１より
比重が小さいものを選択するとよい結果が得られる。
【００２０】
【発明の効果】以上のように本発明はバレル内に非導電
性ダミーを同時に投入することによって、メッキ厚みの
バラツキを小さくすることができる。
性ダミーを同時に投入することによって、メッキ厚みの
バラツキを小さくすることができる。
【図１】本発明の一実施形態によるバレルを側面側から
見た断面図
見た断面図
【図２】非導電性ダミーの斜視図
【図３】チップ部品の斜視図
【図４】導電性ダミーの斜視図
【図５】端子電極部の断面図
【図６】バレルの構造を示す断面図
【図７】従来例によるバレルを側面側から見た断面図
１ 被メッキ物 ２ 非導電性ダミー ３ 導電性ダミー ４ バレル
Claims (2)
- 【請求項１】 被メッキ物と導電性ダミーと非導電性ダ
ミーとをバレル内に投入し、このバレルを回転させるこ
とにより上記被メッキ物に電解メッキを行う際、上記被
メッキ物、導電性ダミー、非導電性ダミーの体積もしく
は最大投影面積の関係が、 導電性ダミー≦被メッキ物≦非導電性ダミーであること
を特徴とするチップ部品のメッキ方法。 - 【請求項２】 被メッキ物、導電性ダミー、非導電性ダ
ミーの比重の関係が、 導電性ダミー＞被メッキ物＞非導電性ダミーである請求
項１記載のチップ部品のメッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9014959A JPH10212596A (ja) | 1997-01-29 | 1997-01-29 | チップ部品のメッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9014959A JPH10212596A (ja) | 1997-01-29 | 1997-01-29 | チップ部品のメッキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10212596A true JPH10212596A (ja) | 1998-08-11 |
Family
ID=11875526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9014959A Pending JPH10212596A (ja) | 1997-01-29 | 1997-01-29 | チップ部品のメッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10212596A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008248272A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tdk Corp | めっき装置 |
| JP4496635B2 (ja) * | 2000-10-30 | 2010-07-07 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
| KR20190007047A (ko) | 2016-06-16 | 2019-01-21 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 도금 장치 및 도금 방법 |
| US11186919B2 (en) | 2019-06-13 | 2021-11-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Plating apparatus and plating method |
-
1997
- 1997-01-29 JP JP9014959A patent/JPH10212596A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4496635B2 (ja) * | 2000-10-30 | 2010-07-07 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
| JP2008248272A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tdk Corp | めっき装置 |
| KR20190007047A (ko) | 2016-06-16 | 2019-01-21 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 도금 장치 및 도금 방법 |
| US10711365B2 (en) | 2016-06-16 | 2020-07-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Plating apparatus and plating method |
| US11186919B2 (en) | 2019-06-13 | 2021-11-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Plating apparatus and plating method |
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