JP7156325B2 - めっき方法 - Google Patents

Description

本発明は、めっき方法に関する。

たとえば、チップ型積層コンデンサなどの電子部品においては、はんだ喰われを防止したり、はんだ付けによる実装の信頼性を向上させたりする目的で、電子部品が備える外部電極の表面に、ＮｉめっきやＳｎめっきを施すことが一般的に行われている。

従来、このような電子部品に、ＮｉめっきやＳｎめっきなどのめっきを施す場合、特許文献１に開示されているような、バレルめっきの方法で行われることが多かった。

バレルめっきを行うにあたっては、被めっき物が陰極となるように、バレル内の被めっき物群と接するように陰極端子をバレル内に配置するとともに、バレルの外側に、めっき液に浸かるように陽極端子を配置し、バレルを回転させながら、両極に電流を印加して通電することにより、被めっき物に対してめっきを行う。なお、バレル内には、被めっき物のほかに、導通性を高め、めっき効率を高める目的で、被めっき物と同程度の大きさの導電性のメディアを添加することが一般的である。

しかしながら、バレルめっきには、めっき中にバレル内において被めっき物が偏在し、めっきされ易い位置に長時間滞在した被めっき物と、めっきされ難い位置に長時間滞在した被めっき物とで、めっき厚に大きなばらつきが発生するという問題があった。また、バレルめっき装置は、水平方向に回転軸を配置してバレルを回転させる必要があり、またバレルを回転させるためのモータをバレルの横に配置する必要があるため、平面方向の大きさが大きくなってしまうという問題があった。

そこで、特許文献２に開示されるような、新しいめっき装置が開発されている。このめっき装置によれば、以下に説明するように、一般的に、バレルめっきよりも、めっき厚のばらつきを小さくすることができる。また、このめっき装置は、水平方向に回転軸を配置してバレルを回転させる必要がなく、バレルを回転させるためのモータをバレルの横に配置する必要がないため、一般的に、バレルめっき装置よりも平面方向の大きさを小さくすることができる。

特許文献２に開示されためっき装置は、めっき槽と、被めっき物に電解めっきを施すめっき部と、を備える。めっき部は、少なくとも一部が、めっき液は通過させるが被めっき物は通過させない隔壁に囲まれ、上方から下方に向かって被めっき物を通過させる被めっき物通過領域と、めっき液を下方から上方へと噴射する噴射部と、噴射部によって噴射されためっき液と、被めっき物通過領域を通過した被めっき物とが混合する混合部と、被めっき物通過領域の外側に配設されたアノードと、被めっき物通過領域の内側に配設され、めっき液と被めっき物との混合流体が下方から上方に向かって通過する中空領域を有するカソードと、中空領域を通過した混合流体のうちの被めっき物を被めっき物通過領域に導く誘導部と、を備えている。

特許文献２に開示されためっき装置を使用した被めっき物へのめっきは、たとえば、次の要領で実施する。

まず、被めっき物と、メディアと、めっき液とを準備する。メディアには、通常、被めっき物と同じ程度の大きさのものを用いる。

次に、めっき槽にめっき液を充填する。また、被めっき物とメディアとの混合物を、被めっき物通過領域に堆積させる。

次に、アノードとカソードとの間に電圧を印加したうえ、噴射部によってめっき液を下方から上方へと噴射する。この結果、めっき槽の中にめっき液の循環が発生し、被めっき物とメディアとが被めっき物通過領域を上方から下方に向かって通過する。そして、被めっき物通過領域を通過する被めっき物に対して、電解めっきが施される。

被めっき物通過領域を通過してきた被めっき物とメディアは、混合部において、噴射部から噴射されためっき液と混合されて混合流体になる。そして、混合流体は、カソードの中空領域を下方から上方に向って通過して、誘導部に流入する。

誘導部に流入した混合流体のうち、被めっき物とメディアは、再び、沈降して被めっき物通過領域に堆積し、続いて被めっき物通過領域を上方から下方に向かって通過し、被めっき物に対して電解めっきが施される。

特許文献２に開示されためっき装置は、カソードとアノードが同心円状に配置されているため、被めっき物通過領域を上方から平面視したとき、被めっき物がカソードの中央を中心とした３６０度の方向のどの方向を通過したとしても、めっき時の電流密度が均一であるため、めっき厚にばらつきが発生しにくい。更に、特許文献２に開示されためっき装置を使用しためっき方法においては、被めっき物がメディアとともに、数十回～数百回、被めっき物通過領域を上方から下方に向かって通過し、その都度、被めっき物に対して電解めっきが施されるため、各被めっき物に施されるめっきの厚みが均一化し、めっき厚のばらつきが極めて小さくなる。

特開平１０－２１２５９６号公報 ＷＯ２０１７／２１７２１６Ａ１公報

特許文献２に開示されためっき装置を使用しためっき方法において、めっき厚のばらつきを更に小さくするためには、被めっき物がめっき装置を循環する速度を上げ、単位時間あたりに被めっき物が被めっき物通過領域を通過する回数を増やせばよい。

すなわち、めっき厚は、電流の大きさ、および、めっき時間の双方に比例するため、アノードとカソードとの間の電流の大きさ、および、トータルのめっき時間が一定であれば、めっき厚は同じになる。したがって、被めっき物がめっき装置を循環する速度を上げ、単位時間あたりに被めっき物が被めっき物通過領域を通過する回数を増やせば、めっき厚は同じであっても、めっき厚のばらつきを更に小さくすることができる。

しかしながら、従来のように、メディアとして被めっき物と同じ程度の大きさのものを使用した場合には、被めっき物通過領域と混合部との境界付近において、被めっき物およびメディアの混合物が相互にブロッキングし、被めっき物がめっき装置を循環する速度が抑制されてしまうという問題があった。すなわち、上方から平面視して、被めっき物通過領域の隔壁の直径と、噴射部の噴射口の直径とを比較したとき、前者が後者よりも大きいため、混合部の内面の形状は円錐台形状や半球台形状になっている。つまり、被めっき物通過領域の下方において、被めっき物およびメディアの混合物の通路が狭くなっている。そのため、この部分において、被めっき物同士や、被めっき物とメディアや、メディア同士が相互にぶつかり合い、滞留し、被めっき物がめっき装置を循環する速度が抑制されてしまうという問題があった。

そこで本発明は、この問題を解決し、被めっき物がめっき装置を循環する速度を向上させ、めっき厚のばらつきを改善した、めっき方法を提供することを目的とする。

本発明の一実施態様にかかるめっき方法は、上記従来の課題を解決するため、めっき液を貯留するめっき槽と、めっき槽の内部に設けられ、被めっき物に電解めっきを施す、めっき部と、を備え、めっき部は、少なくとも一部が、めっき液は通過させるが、被めっき物およびメディアは通過させない隔壁に囲まれ、上方から下方に向かって被めっき物およびメディアを通過させる被めっき物通過領域と、めっき液を下方から上方へと噴射する噴射部と、噴射部より上方、かつ、被めっき物通過領域より下方に配設され、噴射部によって噴射されためっき液と、被めっき物通過領域を通過した被めっき物およびメディアを混合する混合部と、被めっき物通過領域の外側に配設されたアノードと、被めっき物通過領域の内側に配設され、混合部によって混合された、めっき液と、被めっき物およびメディアの混合流体が下方から上方に向かって通過する中空領域を有するカソードと、カソードの中空領域を通過した混合流体の被めっき物およびメディアを被めっき物通過領域に導く誘導部と、を備えためっき装置を準備する工程と、めっき槽にめっき液を充填する工程と、メディアとして、被めっき物の最大辺寸法の６０％以上の直径を有する導電性の通常メディアと、被めっき物の最小辺寸法の６０％以下の直径を有する極小メディアとを準備する工程と、被めっき物通過領域に、被めっき物と通常メディアと極小メディアとを、上方から下方に向かって通過させながら、アノードとカソードとの間に電圧を印加して、被めっき物に電解めっきを施すめっき工程と、を備えたものとする。

本発明のめっき方法は、メディアとして極小メディアを加えているため、被めっき物通過領域と混合部との境界付近において、被めっき物および通常メディアの混合物の流動性の低下を抑制する滑剤として働く。そのため、本発明のめっき方法によれば、被めっき物がめっき装置を循環する速度を向上させることができ、単位時間あたりに被めっき物が被めっき物通過領域を通過する回数を増やすことができる。したがって、本発明のめっき方法によれば、めっき厚のばらつきを更に小さくすることができる。

めっき装置１００を示す断面図である。 めっき装置１００を示す断面図であり、図１の一点鎖線矢印Ａ-Ａ部分を示している。 実施例１における、極小メディアの添加量、および、めっき液の噴出量と、被めっき物の通過速度との関係を示すグラフである。 実施例１における、極小メディアの添加量と、めっき厚のばらつきとの関係を示すグラフである。 実施例２における、極小メディアの直径と、被めっき物の通過速度との関係を示すグラフである。 実施例２における、極小メディアの直径と、めっき厚のばらつきとの関係を示すグラフである。

以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。

なお、各実施形態は、本発明の実施の形態を例示的に示したものであり、本発明が実施形態の内容に限定されることはない。また、異なる実施形態に記載された内容を組合せて実施することも可能であり、その場合の実施内容も本発明に含まれる。また、図面は、明細書の理解を助けるためのものであって、模式的に描画されている場合があり、描画された構成要素または構成要素間の寸法の比率が、明細書に記載されたそれらの寸法の比率と一致していない場合がある。また、明細書に記載されている構成要素が、図面において省略されている場合や、個数を省略して描画されている場合などがある。

なお、以下においては、代表的なチップ型電子部品である積層セラミックコンデンサを被めっき物とし、その表面に形成された外部電極に電解めっきを施す場合を例にあげて説明する。

［めっき装置１００の概要］
図１、図２に、本実施形態において使用するめっき装置１００を示す。ただし、図１はめっき装置１００の断面図である。また、図２もめっき装置１００の断面図であり、図１の一点鎖線矢印で示したＡ-Ａ部分を示している。なお、図１においては、後述する、めっき液１、被めっき物２、通常メディア３、極小メディア４を含む混合流体５を、別途、拡大して示している。

めっき装置１００は、めっき液１を貯留するめっき槽１０と、めっき槽１０の内部に設けられ、被めっき物２に電解めっきを施すめっき部２０とを備えている。

めっき部２０は、少なくとも一部が、めっき液１は通過させるが被めっき物２、通常メディア３、極小メディア４は通過させない隔壁２２に囲まれ、上方から下方に向かって被めっき物２、通常メディア３、極小メディア４を通過させる被めっき物通過領域２３と、めっき液１を下方から上方へと噴射する噴射部２４と、噴射部２４より上方、かつ、被めっき物通過領域２３より下方に配設され、噴射部２４によって噴射されためっき液１と、被めっき物通過領域２３を通過した被めっき物２、通常メディア３、極小メディア４とが混合する混合部２５と、被めっき物通過領域２３の外側に配設されたアノード２１と、被めっき物通過領域２３の内側に配設され、混合部２５によって混合されためっき液１と、被めっき物２、通常メディア３、極小メディア４との混合流体５が下方から上方に向かって通過する中空領域２６ａを有するカソード２６と、カソード２６の中空領域２６ａを通過した混合流体５の被めっき物２、通常メディア３、極小メディア４を被めっき物通過領域２３に導く誘導部２７と、を備えている。

アノード２１およびカソード２６には、電源３１から電圧が印加される。本実施形態においては、アノード２１を陽極、カソード２６を陰極としている。

被めっき物通過領域２３を構成する隔壁２２は、円筒状の形状を有しており、たとえばメッシュにより構成されている。上述したように、めっき液１は、隔壁２２を通過することができるが、被めっき物２、通常メディア３、極小メディア４は、隔壁２２を通過することができない。被めっき物通過領域２３は、隔壁２２と、隔壁２２よりも内側に配設されている後述するカソード２６との間の領域である。

噴射部２４は、噴射口２４ａと、循環ライン３２と、ポンプ３３と、フィルタ３４とを備えている。循環ライン３２は、めっき槽１０内のめっき液１を、めっき槽１０の底部に設けられている噴射口２４ａから噴射させるためのめっき液１の流路である。ポンプ３３は、循環ライン３２に設けられており、めっき槽１０内のめっき液１を、循環ライン３２を介して噴射口２４ａから噴射させる。フィルタ３４は、循環ライン３２を流れるめっき液１に含まれる異物を除去する。

混合部２５は、噴射部２４よりも上方、かつ、被めっき物通過領域２３およびカソード２６よりも下方に配設されている。混合部２５の内面は、上面の直径が下面の直径よりも大きく、円錐台形状を有している。上面の直径は、隔壁２２の下側部分に構成された通液性を有しない部分の内径以上の大きさを有している。下面の直径は、噴射部２４の噴射口２４ａの直径と略同じである。混合部２５の上面は開口しており、被めっき物通過領域２３およびカソード２６の中空領域２６ａと繋がっている。また、混合部２５の下面も開口しており、噴射口２４ａと繋がっている。なお、混合部２５の内面は、円錐台形状に代えて、半球台形状であってもよい。

混合部２５は、被めっき物通過領域２３を沈降しつつ通過してきた、被めっき物２、通常メディア３、極小メディア４と、めっき液１とを含み、沈降濃縮されて被めっき物２、通常メディア３、極小メディア４の割合が高くなっている流体と、噴射口２４ａから上方に向かって噴射されるめっき液１とを混合させる領域であって、噴射口２４ａから噴射されためっき液１の噴出力により、被めっき物２、通常メディア３、極小メディア４を高い割合で含む流体が、後述する中空領域２６ａに導かれる過程でめっき液１との混合が行われる領域である。

カソード２６は、金属製のパイプにより構成されており、被めっき物通過領域２３の内側に配設されている。カソード２６は、その内部が空洞となっており、この空洞部分が、めっき液１と、被めっき物２、通常メディア３、極小メディア４との混合流体５が下方から上方に向かって通過するための中空領域２６ａとなる。

アノード２１は、円筒状の形状を有しており、被めっき物通過領域２３よりも外側に配設されている。図２に示すように、隔壁２２は、カソード２６を取り囲むように配置されており、アノード２１は、隔壁２２を取り囲むように配置されている。また、図２に示すように、カソード２６、隔壁２２、およびアノード２１は、それぞれの中心軸が一致するように、同心円状に配置されている。すなわち、同心円状に囲まれた隔壁２２の内周面とカソード２６の外周面との間の領域が被めっき物通過領域２３として構成されている。これにより、めっき時の電流密度を均一にすることができ、均一なめっき膜を形成することが可能になっている。

誘導部２７は、円錐台部２７ａと、垂直壁部２７ｂとを有している。円環形状を有する垂直壁部２７ｂは、円錐台部２７ａの上部に設けられ、余分になっためっき液１が乗り越えて外側に排出されるようになっている。円錐台部２７ａは、上面が下面よりも大きい円錐台形状を有している。円錐台部２７ａの上面および下面は開口面である。円錐台部２７ａの下面の直径は、隔壁２２の内径以下の大きさである。このような構造により、カソード２６の中空領域２６ａの上端から噴出しためっき液１と、被めっき物２、通常メディア３、極小メディア４との混合流体５のうち、被めっき物２、通常メディア３、極小メディア４を自然に、被めっき物通過領域２３に誘導することができる。

なお、誘導部２７の円環形状を有する垂直壁部２７ｂの内側には、カソード２６の中空領域２６ａを下方から上方に向かって通過してきた、めっき液１と、被めっき物２、通常メディア３、極小メディア４との混合流体５の勢いを抑制するために、同じく円環形状を有する抑制板２８が設けられている。

［実施例１］
実施例１として、被めっき物２の量、通常メディア３の量、電流の大きさ、めっき時間をそれぞれ一定にする一方、極小メディア４の量、および／または、噴射口２４ａから噴射されるめっき液１の噴流量を変化させて、複数回の試行をおこなった。そして、被めっき物通過領域２３における被めっき物２の通過速度（１０ｃｍ下降するのに要する時間）と、被めっき物２に施されためっきのめっき厚のばらつきを調べた。

まず、被めっき物２として、長さ３．２ｍｍ、幅２．５ｍｍ、高さ２．５ｍｍの積層セラミックコンデンサを準備した。被めっき物２の最大辺（長さ）の寸法である最大辺寸法は３．２ｍｍであり、被めっき物２の最小辺（幅および高さ）の寸法である最小辺寸法は２．５ｍｍである。被めっき物２の両端には、予め、導電性の下地電極が形成されている。積層セラミックコンデンサの内部構造、材質、質量、下地電極の材質、寸法などは任意である。被めっき物２の量は、いずれの試行においても、１４００ｃｃとした。なお、本発明において、被めっき物２の形状は任意であり、直方体に代えて、たとえば立方体などであってもよい。ただし、立方体の場合は、最大辺寸法と最小辺寸法とが等しくなる。

通常メディア３として、直径がφ２．５ｍｍの導電性メディアを準備した。通常メディア３の材質、質量などは任意である。通常メディア３の量は、いずれの試行においても、３５０ｃｃとした。なお、通常メディア３の直径の大きさφ２．５ｍｍは、被めっき物２（長さ３．２ｍｍ、幅２．５ｍｍ、高さ２．５ｍｍ）の最大辺寸法である３．２ｍｍの７８．１％に該当する。通常メディア３の直径は、被めっき物の最大辺寸法の６０％以上であればよく、その限りにおいて任意である。本実施例のように、被めっき物２の最小辺寸法と同等であってもよい。

極小メディア４として、直径がφ０．７ｍｍの導電性メディアを準備した。極小メディア４の材質、質量などは任意である。極小メディア４の量は、試行ごとに変化させた。具体的には、被めっき物２の量（１４００ｃｃ）と、通常メディア３の量（３５０ｃｃ）との合計である１７５０ｃｃを１００体積％としたとき、極小メディア４の体積を、１体積％、３体積％、５体積％、１０体積％、２０体積％の５通りとした。また、比較のために、極小メディア４を使用しない試行もおこなった（極小メディア４の量＝０体積％；本発明の範囲外）。なお、通常メディア３の直径の大きさφ０．７ｍｍは、被めっき物２の最小辺寸法である２．５ｍｍの２８％に該当する。

めっき液１として、ワット浴を準備した。ただし、めっき液１の種類は任意であり、ワット浴には限られない。なお。めっき中、めっき液１の温度は、加熱して６０℃に維持する。

まず、めっき装置１００のめっき槽１０に、めっき液１を充填する。

次に、めっき装置１００の被めっき物通過領域２３に、被めっき物２、通常メディア３、極小メディア４の混合物を堆積させる。被めっき物２、通常メディア３、極小メディア４の混合物を誘導部２７に投入すれば、自然に沈降して、被めっき物通過領域２３に堆積する。なお、極小メディア４は直径が小さいので、被めっき物通過領域２３において、被めっき物２および通常メディア３の隙間を下方に向って転がり落ちる場合がある。

次に、アノード２１とカソード２６との間に、３０Ａの電流を印加したうえ、噴射口２４ａからめっき液１を下方から上方へと噴射する。めっき液１の噴出量は、試行ごとに、８０Ｌ／分、８５Ｌ／分、９０Ｌ／分のいずれかとする。

この結果、めっき槽１０の中にめっき液１の循環が発生し、被めっき物２、通常メディア３、極小メディア４が、被めっき物通過領域２３を上方から下方に向かって通過する。そして、被めっき物通過領域２３を通過する被めっき物２に対して、電解めっきが施される。

また、被めっき物通過領域２３を通過してきた被めっき物２、通常メディア３、極小メディア４は、混合部２５において、噴射口２４ａから噴射されためっき液１と混合されて混合流体５になる。そして、混合流体５は、カソード２６の中空領域２６ａを下方から上方に向って通過して、誘導部２７に流入する。

誘導部２７に流入した混合流体５のうち、被めっき物２、通常メディア３、極小メディア４は、再び、沈降して被めっき物通過領域２３に堆積し、続いて被めっき物通過領域２３を上方から下方に向かって通過し、被めっき物２に対して電解めっきが施される。また、誘導部２７に流入した混合流体５のうち、余分になっためっき液１は、誘導部２７の垂直壁部２７ｂを乗り越えて外側に排出される。

めっき時間は、いずれの試行においても、１２０分とした。

従来、めっき装置１００のような装置を使用しためっき方法においては、被めっき物通過領域２３と混合部２５との境界付近において、被めっき物２および通常メディア３の混合物が相互にブロッキングし、被めっき物２がめっき装置１００を循環する速度を抑制してしまうという問題があった。しかしながら、本実施形態においては、極小メディア４が滑剤として働き、被めっき物２および通常メディア３の混合物が相互にブロッキングするのを抑制するため、被めっき物２がめっき装置１００を循環する速度が低下しない。

すなわち、本実施形態においては、極小メディア４が、被めっき物２および通常メディア３の混合物と、被めっき物通過領域２３および混合部２５の内壁との間に入り込み、混合物の流動性を高める。また、極小メディア４が、被めっき物２および通常メディア３の混合物の間に入り込み、ブロッキングによる流動性の低下を抑制する。

実施例１においては、上述したとおり、試行ごとに、極小メディア４の量を、０体積％、１体積％、３体積％、５体積％、１０体積％のいずれかとした。また、上述したとおり、試行ごとに、めっき液１の噴出量を、８０Ｌ／分、８５Ｌ／分、９０Ｌ／分のいずれかとした。

図３に、極小メディア４の量、および、めっき液１の噴出量の変化に対する、被めっき物通過領域２３における被めっき物２の通過速度（１０ｃｍ下降するのに要する時間）の変化を示す。

また、図４に、めっき液１の噴出量が８５Ｌ／分である場合における、極小メディア４の量の変化に対する、めっき厚のばらつきの変化を示す。なお、めっき厚のばらつきは、各試行において、めっき終了後の被めっき物２を、３０個、洗浄し、乾燥させ、被めっき物２を、通常メディア３および極小メディア４から分離し、被めっき物２の下地電極上のＮｉめっきの厚みを、蛍光Ｘ線膜厚計で測定した。そして、測定結果から、変動係数ＣＶ（％）を計算した。

図３から分かるように、極小メディア４の配合量を、０体積％から、１体積％、３体積％、５体積％、１０体積％と増やすにつれて、めっき液１の噴出量のいかんにかかわらず、被めっき物通過領域２３における被めっき物２の通過速度は速くなる。すなわち、被めっき物２が１０ｃｍ下降するのに要する時間が短くなる。したがって、単位時間あたりに被めっき物２が被めっき物通過領域２３を通過する回数を増やすことができる。

一方、めっき厚のばらつきは、図４から分かるように、０体積％において約１４ＣＶ（％）であったものが、極小メディア４を１体積％加えることによって、１３ＣＶ（％）以下にまで改善している。更に、極小メディア４の量を、３体積％、５体積％、１０体積％と増やすにしたがって、めっき厚のばらつきが改善し、１０体積％において９ＣＶ（％）以下になる。しかしながら、それ以上、極小メディア４の量を増やしても、めっき厚のばらつきは大きくは改善せず、２０体積％において、８．５ＣＶ（％）よりも大きかった。

以上より、被めっき物２および通常メディア３に、極小メディア４を加えてめっきをおこなう本実施例においては、被めっき物通過領域２３を通過する被めっき物２の速度が速くなり、めっき厚のばらつきが小さくなることが分かった。ただし、極小メディア４の量としては、１０体積％を超えても、めっき厚のばらつきは大きくは改善されないので、１０体積％以下程度が好ましいといえる。

［実施例２］
実施例２として、被めっき物２の量、通常メディア３の量、極小メディア４の量、電流の大きさ、めっき時間をそれぞれ一定にする一方、極小メディア４の直径（φｍｍ）を変化させて、複数回の試行をおこなった。そして、被めっき物通過領域２３における被めっき物２の通過速度（１０ｃｍ下降するのに要する時間）と、被めっき物２に施されためっきのめっき厚のばらつきを調べた。

被めっき物２は、実施例１と同様に、長さ３．２ｍｍ、幅２．５ｍｍ、高さ２．５ｍｍの積層セラミックコンデンサを準備した。被めっき物２の量は、いずれの試行においても、１４００ｃｃとした。

通常メディア３も、実施例１と同様に、直径がφ２．５ｍｍの導電性メディアを準備した。通常メディア３の量は、いずれの試行においても、３５０ｃｃとした。

極小メディア４として、直径が、φ０．６５ｍｍ、φ０．７ｍｍ、φ１．０ｍｍ、φ１．２５ｍｍ、φ１．５ｍｍの導電性メディアを準備した。また、比較のために、φ２．５ｍｍの導電性メディアも準備した（通常メディア３と同じもの；本発明の範囲外）。極小メディア４の量は、被めっき物２の量（１４００ｃｃ）と通常メディア３の量（３５０ｃｃ）との合計（１７５０ｃｃ）を１００体積％としたときに、３体積％（５２．５ｃｃ）となるようにした。

なお。φ０．６５ｍｍは、被めっき物２の最小辺寸法（２．５ｍｍ）の２６％の大きさである。φ０．７ｍｍは、被めっき物２の最小辺寸法の２８％の大きさである。φ１．０ｍｍは、被めっき物２の最小辺寸法の４０％の大きさである。φ１．２５ｍｍは、被めっき物２の最小辺寸法の５０％の大きさである。φ１．５ｍｍは、被めっき物２の最小辺寸法の６０％の大きさである。φ２．５ｍｍは、被めっき物２の最小辺寸法の１００％の大きさである。

めっき液１として、実施例１と同様に、ワット浴を準備した。めっき液１の温度は、実施例１と同様に、加熱して６０℃に維持した。

アノード２１とカソード２６との間には、実施例１と同様に、３０Ａの電流を印加した。また、噴射口２４ａからのめっき液１の噴出量は、８５Ｌ／分とした。また、めっき時間は１２０分とした。

以上の条件において、実施例１と同様の方法で、被めっき物２へのめっき実施した。

図５に、極小メディア４の直径の変化に対する、被めっき物通過領域２３における被めっき物２の通過速度の変化を示す。

また、図６に、極小メディア４の直径の変化に対する、めっき厚のばらつきの変化を示す。

図５から分かるように、極小メディア４の直径を、φ２．５ｍｍから１．５φｍｍに小さくすることによって、被めっき物通過領域２３における被めっき物２の通過速度は速くなる。すなわち、被めっき物２が１０ｃｍ下降するのに要する時間が短くなる。したがって、単位時間あたりに被めっき物２が被めっき物通過領域２３を通過する回数を増やすことができる。また、極小メディア４の直径を、更に、φ１．２５ｍｍ、φ１．０ｍｍと小さくするに従って、被めっき物２の速度が速くなり、φ１．０ｍｍより小さくすると被めっき物２の速度は急激に速くなる。

また、図６から分かるように、極小メディア４の直径を、φ２．５ｍｍから１．５φｍｍに小さくすることによって、めっき厚のばらつきは、約１４ＣＶ（％）から、１３．５ＣＶ（％）以下にまで改善する。そして、極小メディア４の直径を更に小さくすると、めっき厚のばらつきは、φ１．２５ｍｍで約１３ＣＶ（％）、φ１．０ｍｍで約１２．５ＣＶ（％）となり更に改善する

以上の結果より、極小メディア４の直径（φ％）は、被めっき物２の最小辺寸法（２．５ｍｍ）に対して、５０％（φ１．２５ｍｍ）以下であることが好ましく、４０％（φ１．０ｍｍ）以下であることが更に好ましいことが分かった。

［実施例３］
実施例１、実施例２においては、いずれも、極小メディア４に導電性メディアを使用した。実施例３においては、ほぼ同じめっき条件下において、絶縁性の極小メディア４を使用した場合と、導電性の極小メディア４を使用した場合との比較をおこなった。具体的には、実施例３-１においては、直径φ０．６５の絶縁性のＰＳＺ（部分安定化ジルコニアボール）製の極小メディア４を使用した。実施例３-２においては、直径φ０．７０の導電性（金属）の極小メディア４を使用した。

被めっき物２として、実施例１、実施例２と同様に、長さ３．２ｍｍ、幅２．５ｍｍ、高さ２．５ｍｍの積層セラミックコンデンサを準備した。被めっき物２の量は、実施例３-１、実施例３-２とも、１３００ｃｃとした。

通常メディア３として、実施例１、実施例２と同様に、直径がφ２．５ｍｍの導電性メディアを準備した。通常メディア３の量は、実施例３-１、実施例３-２とも、３５０ｃｃとした。

極小メディア４の量は、実施例３-１、実施例３-２とも、被めっき物２の量（１３００ｃｃ）と通常メディア３の量（３５０ｃｃ）との合計（１６５０ｃｃ）を１００体積％としたとき、約３体積％（５７．５ｃｃ）となるようにした。

めっき液１として、実施例１、実施例２と同様に、ワット浴を準備した。めっき液１の温度は、実施例１と同様に、加熱して６０℃に維持した。

アノード２１とカソード２６との間には、実施例１、実施例２と同様に、３０Ａの電流を印加した。また、噴射口２４ａからのめっき液１の噴出量は、８５Ｌ／分とした。また、めっき時間は１２０分とした。

以上の条件において、実施例１、実施例２と同様の方法で、被めっき物２へのめっきをおこなった。そして、被めっき物通過領域２３における被めっき物２の通過速度（１０ｃｍ下降するのに要する時間）と、めっき厚のばらつき（ＣＶ％）とを調べた。結果を表１に示す

表１から分かるように、絶縁性の極小メディア４を使用した実施例３-1と、導電性の極小メディア４を使用した実施例３-２とにおいて、被めっき物２の通過速度や、めっき厚のばらつき（ＣＶ％）に大きな差は発生しなかった。

一方、めっき厚は、絶縁性の極小メディア４を使用した実施例３-1が４．７μｍであるのに対し、導電性の極小メディア４を使用した実施例３-２が２．９１μｍとなった。すなわち、導電性の極小メディア４を使用した場合よりも、絶縁性の極小メディア４を使用した場合の方が、施されためっきのめっき厚が格段に大きかった。これは、極小メディア４に導電性のものを使用した場合には、極小メディア４にもめっきが施されてしまい、めっき効率が低下するからであると考えられる。以上より、めっき効率を考慮する場合には、導電性ではなく、絶縁性の極小メディア４を使用することが好ましいことが分かった。

以上、実施形態にかかるめっき方法について説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って種々の変更をなすことができる。

たとえば、実施形態においては、被めっき物２の例として、代表的なチップ型電子部品である積層セラミックコンデンサを使用し、その表面に形成された外部電極（下地電極）に電解めっきを施したが、被めっき物２の種類は任意であり、積層セラミックコンデンサには限られない。

また、実施形態においては、めっき液１の例としてワット浴を使用し、被めっき物２にＮｉめっきを施したが、めっき液１の種類は任意であり、ワット浴には限られない。また、被めっき物２に施されるめっきも、Ｎｉめっきには限られない。

本発明の一実施態様にかかるめっき方法は、「課題を解決するための手段」の欄に記載したとおりである。

このめっき方法において、めっき装置の混合部の内面の形状が、円錐台形状または半球台形状であってもよい。めっき装置の混合部の内面の形状が円錐台形状や半球台形状であると、被めっき物通過領域と混合部との境界付近において、被めっき物およびメディアの混合物が相互にブロッキングし、被めっき物２の通過速度が低下し易いが、本発明においては、メディアに極小メディアを添加しているため、速度の低下が抑制される。

また、極小メディアの直径が、被めっき物の最小辺寸法の５０％以下であることも好ましい。この場合には、めっき厚のばらつきをより改善できる。また、極小メディアの直径が、被めっき物の最小辺寸法の４０％以下であることも更に好ましい。この場合には、めっき厚のばらつきを更に改善できる。

また、被めっき物と通常メディアとの合計の量を１００体積％としたとき、極小メディアの量が、１０体積％以下であることも好ましい。極小メディアの量を増やすとめっき厚のばらつきが改善するが、極小メディアの量が１０体積％を超えても、めっき厚のばらつきは、それ以上、大きくは改善しないからである。そして、極小メディアの量が１０体積％を超えると、極小メディアのコストが上昇したり、管理が煩雑になったりするからである。

また、極小メディアが絶縁性であることも好ましい。この場合には、めっき効率を向上させることができるからである。すなわち、単位時間あたりにおいて、被めっき物に施されるめっきのめっき厚を大きくすることができるからである。

１・・・めっき液
２・・・被めっき物
３・・・通常メディア
４・・・極小メディア
５・・・混合流体
１０・・・めっき槽
２０・・・めっき部
２１・・・アノード
２２・・・隔壁
２３・・・被めっき物通過領域
２４・・・噴射部
２４ａ・・・噴射口
２５・・・混合部
２６・・・カソード
２６ａ・・・中空領域
２７・・・誘導部
２７ａ・・・円錐台部
２７ｂ・・・垂直壁部
２８・・・抑制板
３１・・・電源
３２・・・循環ライン
３３・・・ポンプ
３４・・・フィルタ
１００・・・めっき装置

Claims (6)

1. めっき液を貯留するめっき槽と、
   前記めっき槽の内部に設けられ、被めっき物に電解めっきを施す、めっき部と、を備え、
   前記めっき部は、
   少なくとも一部が、前記めっき液は通過させるが、前記被めっき物およびメディアは通過させない隔壁に囲まれ、上方から下方に向かって前記被めっき物および前記メディアを通過させる被めっき物通過領域と、
   前記めっき液を下方から上方へと噴射する噴射部と、
   前記噴射部より上方、かつ、前記被めっき物通過領域より下方に配設され、前記噴射部によって噴射された前記めっき液と、前記被めっき物通過領域を通過した前記被めっき物および前記メディアを混合する混合部と、
   前記被めっき物通過領域の外側に配設されたアノードと、
   前記被めっき物通過領域の内側に配設され、前記混合部によって混合された、前記めっき液と、前記被めっき物および前記メディアの混合流体が下方から上方に向かって通過する中空領域を有するカソードと、
   前記カソードの前記中空領域を通過した前記混合流体の前記被めっき物および前記メディアを前記被めっき物通過領域に導く誘導部と、を備えためっき装置を準備する工程と、
   前記めっき槽に前記めっき液を充填する工程と、
   前記メディアとして、前記被めっき物の最大辺寸法の６０％以上の直径を有する導電性の通常メディアと、前記被めっき物の最小辺寸法の６０％以下の直径を有する極小メディアとを準備する工程と、
   前記被めっき物通過領域に、前記被めっき物と前記通常メディアと前記極小メディアとを、上方から下方に向かって通過させながら、前記アノードと前記カソードとの間に電圧を印加して、前記被めっき物に電解めっきを施すめっき工程と、を備えた、
   めっき方法。
2. 前記混合部の内面の形状が、円錐台形状または半球台形状である、
   請求項１に記載されためっき方法。
3. 前記極小メディアの直径が、前記被めっき物の最小辺寸法の５０％以下である、
   請求項１または２に記載されためっき方法。
4. 前記極小メディアの直径が、前記被めっき物の最小辺寸法の４０％以下である、
   請求項３に記載されためっき方法。
5. 前記被めっき物と前記通常メディアとの合計の量を１００体積％としたとき、
   前記極小メディアの量が、１０体積％以下である、
   請求項１ないし４のいずれか１項に記載されためっき方法。
6. 前記極小メディアが絶縁性である、
   請求項１ないし５のいずれか１項に記載されためっき方法。

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