JP7106323B2 - 異物検査装置および異物検査方法 - Google Patents

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Description

本発明は、異物検査装置および異物検査方法に関する。
リチウムイオン二次電池等の非水電解液二次電池は、パーソナルコンピュータ、携帯電話、および携帯情報端末等の電池として広く使用されている。とりわけ、リチウムイオン二次電池は、従前の二次電池と比較して、COの排出量を削減し、省エネに寄与する電池として、注目されている。
従来、非水電解液二次電池用セパレータがコアに対して捲回されてなるセパレータ捲回体の開発が進められている。併せて、このセパレータ捲回体に付着した異物を検出する異物検査が検討されている。
上記異物検査への適用が可能な検査の一例として、特許文献1に開示されている技術が挙げられる。特許文献1に開示されている技術においては、TDI(Time Delay Integration)センサを用いて、下記の要領で、試料に付着した異物を検出する。まず、X線源から放出されたX線をキャピラリレンズによって平行X線に変換し、X線源とTDIセンサとの間を横断するように試料を移動させつつ、試料に対して平行X線を照射する。そして、試料を透過した平行X線をTDIセンサが受け、TDIセンサが取得した画像から異物を検出する。
特開2016-38350号公報(2016年3月22日公開)
セパレータ捲回体に付着する異物はしばしば、非水電解液二次電池用セパレータにおけるn巻目とn+1巻目との間に挟まっている、あるいはn巻目の内部に埋没しているため、セパレータ捲回体の側面と概ね垂直な面状となっている。なお、nは自然数である。セパレータ捲回体の側面とは、捲回された非水電解液二次電池用セパレータの面に対して垂直な面であり、捲回体を略円筒形状とみなす場合でいえば、円筒の底面および天面を指す。一方、電磁波発生源およびイメージセンサを用いた上記異物検査においては、イメージセンサにて非水電解液二次電池用セパレータ全体の画像を鮮明に得るため、電磁波発生源は通常、セパレータ捲回体の側面に対して電磁波を照射する。
これらにより、電磁波発生源およびイメージセンサを用いた上記異物検査においてはしばしば、異物の側面に対して電磁波が照射される。この結果、異物の広い面が画像に十分な画素数をもって写らないことによって、異物の画像が小さくなるため、異物の検出漏れが生じ易いという問題が発生する。
本発明の一態様は、異物の検出漏れの虞を低減することを可能とする、異物検査装置および異物検査方法を実現することを目的とする。
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る異物検査装置は、検査対象物に対して電磁波を照射する電磁波発生源と、上記検査対象物を透過した上記電磁波の画像を構成する多数の画素が設けられた主面を有しているイメージセンサとを備えており、上記主面の法線方向は、上記電磁波発生源が放出する電磁波の強度が最も高い方向に対して傾いている。
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る異物検査方法は、検査対象物に対して電磁波を照射する工程と、イメージセンサの主面に設けられた多数の画素によって、上記検査対象物を透過した上記電磁波の画像を構成する工程とを含んでおり、上記主面の法線方向を、上記検査対象物に対して照射される電磁波の強度が最も高い方向に対して傾けて、上記イメージセンサを配置する。
上記の構成によれば、イメージセンサにおいて、主面の法線方向と、電磁波発生源が放出する電磁波の強度が最も高い方向とが平行な場合には得られない画像が得られるため、検査への新たな適用範囲を提供することができる。具体的には、主面の法線方向を傾けることにより、電磁波発生源が放出する電磁波の強度が最も高い方向と平行な方向に見たときの、主面に設けられた各画素の見かけ上の面積を小さくすることができる。これにより、イメージセンサの画素数はそのままでイメージセンサが構成する画像に写る検査対象物の範囲が狭くなるため、イメージセンサの分解能を上げることと同等の効果を得ることができる。従って、イメージセンサが構成する画像に異物を明りょうに写し、異物の検出漏れの虞を低減することが可能となる。
本発明の一態様に係る異物検査装置において、上記多数の画素は、複数の画素が第1方向に並んでなる検査段が、当該第1方向に対して垂直な第2方向に複数並べられた構成を有しており、上記主面の法線方向は、上記第1方向に伸びる軸に従って回転するように傾いている。
本発明の一態様に係る異物検査方法において、上記多数の画素は、複数の画素が第1方向に並んでなる検査段が、当該第1方向に対して垂直な第2方向に複数並べられた構成を有しており、上記主面の法線方向を、上記第1方向に伸びる軸に従って回転するように傾けて、上記イメージセンサを配置する。
電磁波発生源が放出する電磁波の強度が最も高い方向と平行な方向をZ方向とし、Z方向に見て複数の検査段が並ぶ方向をY方向とする。Z方向およびY方向の具体的な定義については、X方向の具体的な定義と併せて後述する。上記の構成によれば、Y方向に関して、イメージセンサの分解能を上げることと同等の効果を得ることができる。従って、検査対象物をY方向に移動させて行う異物検査において、各検査段が取得する画像のボケを効果的に抑制することができるため、異物の検出漏れの虞を効果的に低減することが可能となる。
また、上記の構成によれば、Y方向における複数の検査段の全長を小さくすることができる。これにより、検査対象物をY方向に移動させて行う異物検査において、全検査段で検査対象物における同一箇所の画像を取得することを、短時間で完了させることができる。従って、全検査段での画像の取得中に画像にボケが生じる虞を低減することができるため、異物の検出漏れの虞をより効果的に低減することが可能となる。
本発明の一態様に係る異物検査装置において、上記電磁波発生源は、広がりを有している上記電磁波を発する。
本発明の一態様に係る異物検査方法において発する上記電磁波は、広がりを有している。
上記の構成によれば、イメージセンサの主面を検査対象物から遠い位置に置くほど、画像の拡大率が大きくなる傾向が出る。この傾向を利用して、画像に異物を大きく写すことによって、当該異物を容易に検出することが可能となる。
本発明の一態様に係る異物検査装置において、上記検査対象物は、フィルムが、上記電磁波発生源が放出する電磁波の強度が最も高い方向に対して垂直な方向に積層された積層体を含んでおり、上記主面の法線方向は、上記積層体における積層の方向に傾いている。
本発明の一態様に係る異物検査方法において、上記検査対象物は、フィルムが、上記検査対象物に対して照射される電磁波の強度が最も高い方向に対して垂直な方向に積層された積層体を含んでおり、上記主面の法線方向を、上記積層体における積層の方向に傾けて、上記イメージセンサを配置する。
上記の構成によれば、2層のフィルムの間に挟まれた異物の厚み方向に関して、イメージセンサの分解能を上げることと同等の効果を得ることができる。従って、イメージセンサが構成する画像において当該異物をその厚み方向に強調し、この異物を容易に検出することが可能となる。
本発明の一態様によれば、異物の検出漏れの虞を低減することが可能となる。
本発明の一態様に係る異物検査装置の概略構成を示す図である。 イメージセンサの主面の平面図である。 主面の法線方向が、電磁波発生源が放出する電磁波の強度が最も高い方向に対して傾いている状態において、主面を、電磁波発生源が放出する電磁波の強度が最も高い方向と平行な方向に見た図である。 本発明の別の態様に係る異物検査装置の概略構成を示す図である。 図4に示す異物検査装置において、実際に多数の画素に導かれる電磁波が、検査対象物の側面を通過する範囲を示すイメージ図である。
図1は、本発明の一態様に係る異物検査装置100の概略構成を示す図である。図2は、イメージセンサ3の主面31の平面図である。
異物検査装置100は、検査対象物1に付着した異物13を検出するものである。検査対象物1は、フィルムである非水電解液二次電池用セパレータ12がコア11に対して捲回されてなるセパレータ捲回体である。但し、検査対象物1は、非水電解液二次電池用セパレータ12以外のフィルムがコア11に対して捲回されてなるものであってもよいし、フィルムがコア11に対して捲回されてなるものでなくてもよい。
異物検査装置100は、電磁波発生源2、およびイメージセンサ3を備えている。電磁波発生源2は、検査対象物1の側面14に対して電磁波21を照射する。検査対象物1の側面14とは、捲回された非水電解液二次電池用セパレータ12の面に対して垂直な面である。電磁波21は、検査対象物1を透過する。電磁波21の一例としてX線が挙げられるが、電磁波21はX線に限定されるものではない。
イメージセンサ3は、主面31を有している。主面31には、検査対象物1を透過した電磁波21を受け、この電磁波21の画像を構成する多数の画素32が設けられている。多数の画素32は、複数の画素32が第1方向に並んでなる検査段33が、当該第1方向に対して垂直な第2方向に複数並べられた構成を有している。各画素32は、第1方向に沿った寸法が寸法D1であり、第2方向に沿った寸法が寸法D2である。
本実施形態において、互いに垂直な3方向である、X方向、Y方向、およびZ方向を規定する。Z方向は、電磁波発生源2が放出する電磁波21、換言すれば検査対象物1に対して照射される電磁波21の強度が最も高い方向と平行な方向である。なお、電磁波発生源2が放出する電磁波21の強度が最も高い方向は、電磁波21を、電磁波発生源2における電磁波21の放出部分の中心22を頂点とする正円錐に近似して見た場合に、この正円錐の高さにあたる方向と略平行である。図1においては、この正円錐の高さに沿った直線を、軸23としている。Y方向は、Z方向に見て、複数の検査段33が並ぶ方向である。X方向は、Z方向に見て、同一の検査段33を構成する複数の画素32が並ぶ方向である。主面31の法線方向34とZ方向とが一致している場合、第1方向および第2方向は、それぞれ、X方向およびY方向と一致している。
ここで、異物検査装置100は、主面31の法線方向34が、Z方向に対して傾いている。Z方向に対する法線方向34の傾き角度θは、主面31が電磁波発生源2側を向いていると共に主面31の法線方向34とZ方向とが一致している状態を0°とすると、-90°<θ<90°であれば特に限られないが、θ≦-60°または60°≦θであることが好ましく、θ≦-85°または85°≦θであることがより好ましい。なお、θ≠0°である。
異物検査装置100によれば、イメージセンサ3において、主面31の法線方向34と、Z方向とが平行な場合には得られない画像が得られるため、検査への新たな適用範囲を提供することができる。具体的には、主面31の法線方向34を傾けることにより、Z方向と平行な方向に見たときの、主面31に設けられた各画素32の見かけ上の面積を小さくすることができる。これにより、イメージセンサ3の画素数はそのままでイメージセンサ3が構成する画像に写る検査対象物1の範囲が狭くなるため、イメージセンサ3の分解能を上げることと同等の効果を得ることができる。従って、イメージセンサ3が構成する画像に異物13を明りょうに写し、異物13の検出漏れの虞を低減することが可能となる。
主面31の法線方向34を傾けることにより、Z方向と平行な方向に見たときの、主面31に設けられた各画素32の見かけ上の面積を小さくすることについて、図1~図3を参照して以下に詳細に説明する。
図3は、主面31の法線方向34が、Z方向に対して傾いている状態において、主面31を、Z方向と平行な方向に見た図である。
図1および図2において、主面31の法線方向34は、Z方向に対して、Y-Z平面上を、右回りに回転するように傾いている。また、上述したとおり、主面31の法線方向34とZ方向とが一致している場合、第1方向および第2方向は、それぞれ、X方向およびY方向と一致している。これらのことから、主面31の法線方向34は、Z方向に対して、X方向と一致する第1方向に伸びる軸35に従って回転するように傾いていると言える。
主面31の法線方向34がこのように回転した場合、主面31をZ方向と平行な方向に見ると、図3に示すとおり、各画素32のY方向に沿った見かけ上の寸法D3は、「寸法D2*cosθ」となり、寸法D2より小さくなっている。また、各画素32のX方向に沿った見かけ上の寸法は、寸法D1である。一方、主面31の法線方向34とZ方向とが一致している場合、主面31をZ方向と平行な方向に見ると、各画素32のY方向およびX方向に沿った見かけ上の寸法は、それぞれ、寸法D2および寸法D1である。Z方向と平行な方向に見たときの各画素32の見かけ上の面積は、主面31の法線方向34を傾けることにより、寸法D1*寸法D2から、寸法D1*寸法D3へと小さくなっていることが分かる。
ところで、イメージセンサ3の一例として、TDIセンサが挙げられる。イメージセンサ3がTDIセンサである場合、異物検査装置100においては、下記の要領で検査対象物1に付着した異物13を検出する。
まず、電磁波発生源2とイメージセンサ3との間を横断するように検査対象物1をY方向に移動させつつ、検査対象物1に対して電磁波21を照射する。または、電磁波発生源2とイメージセンサ3との間で検査対象物1を、側面14に対して垂直な軸によって回転させつつ、検査対象物1に対して電磁波21を照射する。そして、検査対象物1を透過した電磁波21をイメージセンサ3の多数の画素32が受け、多数の画素32が構成した電磁波21の画像から異物13を検出する。多数の画素32は、複数のタイミングについて電磁波21の画像を構成し、これにより、各検査段33において、検査対象物1における同一箇所の画像を構成する。当該複数のタイミングは、換言すれば、検査対象物1が互いに異なる位置にある複数の状態である。そして、各検査段33において構成した、検査対象物1における同一箇所の画像を重ね合わせることにより、異物13を顕在化させた画像を得、異物13を検出する。
TDIセンサであるイメージセンサ3を用いて上記の要領で検査対象物1に付着した異物13を検出する場合、各検査段33が構成した画像において、異物13がY方向にボケるケースがある。特に、検査対象物1の厚み、換言すれば、検査対象物1のZ方向における寸法が大きい場合、この傾向が顕著である。
異物検査装置100によれば、主面31の法線方向34が、Z方向に対して、軸35に従って回転するように傾いていることにより、Z方向と平行な方向に見たときの、各画素32のY方向に沿った見かけ上の寸法が小さくなっている。これにより、Y方向に関して、イメージセンサ3の分解能を上げることと同等の効果を得ることができる。従って、検査対象物1をY方向に移動させて行う異物検査において、各検査段33が取得する画像のボケを効果的に抑制することができるため、異物13の検出漏れの虞を効果的に低減することが可能となる。またこれにより、Y方向における複数の検査段33の全長が小さくなっている。これにより、検査対象物1をY方向に移動させて行う異物検査において、全検査段33で検査対象物1における同一箇所の画像を取得することを、短時間で完了させることができる。従って、全検査段33での画像の取得中に画像にボケが生じる虞を低減することができるため、異物13の検出漏れの虞をより効果的に低減することが可能となる。
また、電磁波発生源2は、放射状に電磁波21を放出しているが、このように広がりを有している電磁波21を発することに下記の利点がある。すなわち、主面31を検査対象物1から遠い位置に置くほど、画像の拡大率が大きくなる傾向が出る。この傾向を利用して、画像に異物13を大きく写すことによって、当該異物13を容易に検出することが可能となる。但し、電磁波発生源2は、広がりを有していない電磁波を発していてもよい。広がりを有していない電磁波の一例として、平行な電磁波が挙げられる。
また、検査対象物1の非水電解液二次電池用セパレータ12は、1巻目に対応する層、2巻目に対応する層、3巻目に対応する層、・・・が、Z方向に対して垂直な方向に、すなわち、X-Y平面における同心円状に積層された積層体であると言える。このとき、主面31の法線方向34は、当該積層体における積層の方向に傾いていることになる。これにより、2層の非水電解液二次電池用セパレータ12の間に挟まれた異物13の厚み方向に関して、イメージセンサ3の分解能を上げることと同等の効果を得ることができる。従って、イメージセンサ3が構成する画像において当該異物13をその厚み方向に強調し、この異物13を容易に検出することが可能となる。
以下では、より実例に近いケースについて説明する。なお、ここでは、イメージセンサ3における複数の検査段33の総数が128、イメージセンサ3上の画素32毎に1辺が48μmの正方形で、中心22から電磁波21が最も強い方向にイメージセンサ3の中央を配置するものとして説明を行う。
異物検査装置100において、Z方向に対する法線方向34の傾き角度θを83°とする。この場合、主面31をZ方向と平行な方向に見ると、検査段33の段数に換算した多数の画素32全体のY方向に沿った見かけ上の寸法は、128段*cos83°=15.6段である。この場合、以下のことが言える。
StF(中心22から、検査対象物1の電磁波発生源2から遠い側面(後述する側面15に該当)までの距離)=2w(wは検査対象物1の側面同士の離間距離)、拡大率4倍、すなわち中心22からイメージセンサ3の中央までの距離がStFの4倍であれば、θ=0°における流動方向(図1ではY方向)の分解能(検査対象物1を画素32毎に何μmで観察できるか)は6~12μm、θ=83°における流動方向の分解能は0.73~1.46μmとなる。
StF=2w、w=100mmの場合、SDD(中心22からイメージセンサ3の中央までの距離)=800mm
128*48=6144μm(主面31上での、第2方向に沿った検査段33の128段分の長さ)
θ=83°のとき、軸23と上記流動方向とのなす平面内で、軸23方向の、電磁波発生源2から各画素32までの距離は、一番近い画素32と一番遠い画素32とで、6144μm*sin83°=約6.1mm異なる。これにより、拡大率も異なり、上記分解能が異なってくる。この差を求める。第2方向の分解能の差の方が、第1方向の分解能の差より小さくなるので、誤差の大きくなる第2方向の分解能の差を求める。
検査対象物1の電磁波発生源2から遠い側面における一番遠い画素32の第1方向分解能は、48*(2*100)/(800+6.1/2)=11.95μm/1画素
検査対象物1の電磁波発生源2から遠い側面における一番近い画素32の第1方向分解能は、48*(2*100)/(800-6.1/2)=12.05μm/1画素
差は0.1μm/1画素で、0.1/12=0.83%と、分解能の差は十分小さい。
側面14における一番遠い画素32の第1方向分解能は、48*100/(800+6.1/2)=5.98μm/1画素
側面14における一番近い画素32の第1方向分解能は、48*100/(800-6.1/2)=6.02μm/1画素
差は0.04μm/1画素で、0.04/12=0.33%と、分解能の差は十分小さい。
異物検査装置100による効果は、下記のように表現することもできる。すなわち、異物検査装置100によれば、Y方向に関して、イメージセンサ3の分解能を上げることと同等の効果を得ることができるため、検査対象物1のY方向への移動に対するイメージセンサ3の速度追随性が上がると共に、Y方向に細くX方向に長い異物13を検出し易くなる。また、異物検査装置100によれば、Y方向における受光幅が小さくなるので、異物13のボケを抑制することができる。
図4は、本発明の別の態様に係る異物検査装置101の概略構成を示す図である。なお、説明の便宜上、異物検査装置101に関連する構成要素において、異物検査装置100に関連する構成要素と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。異物検査装置101においては、イメージセンサ3の一例として、FPD(Flat Panel Detector)センサが挙げられる。イメージセンサ3がFPDセンサである場合、異物検査装置101においては、下記の要領で検査対象物1に付着した異物13を検出する。
まず、電磁波発生源2とイメージセンサ3との間で検査対象物1を、側面14に対して垂直な軸によって所定角度回転させた後、検査対象物1に対して電磁波21を照射する。そして、検査対象物1を透過した電磁波21をイメージセンサ3の多数の画素32が受け、多数の画素32が構成した電磁波21の画像から異物13を検出する。これらの工程を繰り返し、検査対象物1における所望の箇所の画像を得、異物13を検出する。
図5は、異物検査装置101において、実際に図2に示した多数の画素32に導かれる電磁波21が、側面14と対向する検査対象物1の側面15を通過する範囲を示すイメージ図である。図5左側には、主面31の法線方向34とZ方向とが一致している状態における同範囲である範囲41を示しており、図5右側には、主面31の法線方向34がZ方向に対して傾いている状態における同範囲である範囲42を示している。図5から、主面31の法線方向34をZ方向に対して傾けることにより、同範囲は、範囲41から範囲42へと小さくなることが分かる。換言すれば、イメージセンサ3の画素数はそのままでイメージセンサ3が構成する画像に写る範囲が狭くなる。
異物検査装置101に関し、異物13は、検査対象物1に対して、その平らな面をZ方向に対して平行にして混入する場合が多い。イメージセンサ3がFPDセンサである場合、通常、撮影の向きが決まっており、異物13は基本的には非水電解液二次電池用セパレータ12の面に対して略平行な方向に長く写る。このため、非水電解液二次電池用セパレータ12の面に対して略垂直な方向に関して、イメージセンサ3の分解能を上げることと同等の効果を得られれば、異物13を検出することが容易になる。
異物検査装置100による効果は、下記のように表現することもできる。すなわち、非水電解液二次電池用セパレータ12の面に対して略垂直な方向に関して、イメージセンサ3の分解能を上げることと同等の効果を得られるので、同方向に細く、非水電解液二次電池用セパレータ12の面に対して略平行な方向に長い異物13を検出し易くなる。この結果、単純拡大よりも撮影面積を減らさずに、細長い異物13を検出することが容易になる。
なお、本発明のさらに別の態様として、異物検査装置100、101のいずれかに対応する異物検査方法が挙げられる。すなわち、当該異物検査方法においては、検査対象物1に対して電磁波21を照射する工程と、イメージセンサ3の主面31に設けられた多数の画素32によって、検査対象物1を透過した電磁波21の画像を構成する工程とを含んでおり、主面31の法線方向34を、検査対象物1に対して照射される電磁波21の強度が最も高い方向に対して傾けて、イメージセンサ3を配置する。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
1 検査対象物
12 非水電解液二次電池用セパレータ
13 異物
2 電磁波発生源
21 電磁波
3 イメージセンサ
31 主面
32 画素
33 検査段
34 主面の法線方向
35 第1方向に伸びる軸
100、101 異物検査装置
Z 電磁波発生源が放出する電磁波の強度が最も高い方向と平行な方向

Claims (4)

  1. セパレータ捲回体に付着する異物の側面に対して電磁波を照射可能に電磁波発生源を配置する工程と、
    イメージセンサの主面に設けられた多数の画素によって、上記セパレータ捲回体を透過した上記電磁波の画像を構成する工程とを含んでおり
    上記多数の画素は、複数の画素が第1方向に並んでなる検査段が、当該第1方向に対して垂直な第2方向に複数並べられた構成を有しており、
    上記主面の法線方向を、上記セパレータ捲回体に対して照射される電磁波の強度が最も高い方向に対して上記第1方向に伸びる軸に従って回転するように傾けて、上記イメージセンサを配置する異物検査方法。
  2. 上記セパレータ捲回体は、セパレータが、上記セパレータ捲回体に対して照射される電磁波の強度が最も高い方向に対して垂直な方向に積層された積層体を含んでおり、
    上記主面の法線方向を、上記積層体における積層の方向に傾けて、上記イメージセンサを配置する請求項に記載の異物検査方法。
  3. セパレータ捲回体に付着する異物の側面に対して電磁波を照射可能に電磁波発生源を配置する工程と、
    イメージセンサの主面に設けられた多数の画素によって、上記セパレータ捲回体を透過した上記電磁波の画像を構成する工程とを含んでおり、
    上記セパレータ捲回体は、セパレータが、上記セパレータ捲回体に対して照射される電磁波の強度が最も高い方向に対して垂直な方向に積層された積層体を含んでおり、
    上記主面の法線方向を、上記セパレータ捲回体に対して照射される電磁波の強度が最も高い方向に対して上記積層体における積層の方向に傾けて、上記イメージセンサを配置する異物検査方法。
  4. 広がりを有している上記電磁波を発する請求項1から3のいずれか1項に記載の異物検査方法。
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