JP7100126B2 - 半導体デバイス、半導体チップ、及び半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
基板と、
前記基板に設けられる半導体層と、
前記半導体層の前記基板と反対側に設けられる複数のゲート電極、複数のドレーン電極、及び複数のソース電極と、を備え、
前記ゲート電極が前記ソース電極と前記ドレーン電極との間に位置付けられ、前記ゲート電極、ソース電極、ドレーン電極が前記半導体デバイスの活性領域に位置付けられており、
任意の2つの隣接するゲート電極の間には一つのゲート間距離が形成され、形成された各ゲート間距離には、少なくとも2つの等しくないゲート間距離が含まれ、各ゲート間距離のうち、最大のゲート間距離が、当該半導体デバイスの一番外側の両端部にある2つのゲート電極のゲート長方向における距離と、当該半導体デバイスのゲート電極の総数とに基づいて決められた第1のプリセット範囲内にある。
ここで、前記縁部デバイスの中心ゲート間距離が当該縁部デバイス中心にある2つの隣接するゲート電極により形成されたゲート間距離であり、前記中心デバイスの縁部ゲート間距離が当該中心デバイス中心から離れる任意の2つの隣接するゲート電極により形成されたゲート間距離である。
ここで、前記半導体チップにおいて、任意の2つの隣接するゲート電極の間には、一つのゲート間距離が形成され、形成された各ゲート間距離には少なくとも2つの等しくないゲート間距離が含まれ、各ゲート間距離のうち、最大のゲート間距離が、当該半導体チップの一番外側の両端部にある2つのゲート電極のゲート長方向における距離と、当該半導体チップのゲート電極の総数とに基づいて決められた第1のプリセット範囲内にある。
基板を用意し、
前記基板の一側に半導体層を形成させ、
前記半導体層の前記基板と反対側に複数のゲート電極、複数のドレーン電極、及び複数のソース電極を設け、
各ゲート電極がそれぞれ一つの前記ソース電極と一つの前記ドレーン電極との間に位置付けられ、前記ゲート電極、ソース電極、ドレーン電極が前記半導体デバイスの活性領域に位置づけられており、
任意の2つの隣接するゲート電極の間には、一つのゲート間距離が形成され、形成された各ゲート間距離には、少なくとも2つの等しくないゲート間距離が含まれ、そのうち、各ゲート間距離中の最大のゲート間距離が、当該半導体デバイスの一番外側の両端部にある2つのゲート電極のゲート長方向における距離と、当該半導体デバイスのゲート電極の総数とに基づいて決められた第1のプリセット範囲内にある。
図1は本発明の実施例1による半導体デバイス10の平面図である。前記半導体デバイス10は、基板、半導体層11、複数のゲート電極12、複数のドレーン電極14、複数のソース電極13を備える。前記半導体層11は、前記基板の一側に位置し、前記複数のゲート電極12、複数のドレーン電極14、及び複数のソース電極13は、前記半導体層11の前記基板と反対側に位置し、前記ゲート電極12は、前記ドレーン電極14と前記ソース電極13との間に位置し、前記複数のゲート電極12、複数のドレーン電極14、及び複数のソース電極13は前記半導体デバイス10の活性領域30に位置する。選択的に、前記ゲート電極12がストライプ状のゲートであっても良いが、これに限らない。
デバイスにおけるインダクタンスと寄生容量を低下させるために、ソース電極13にビアを設置する必要があるので、隣接するソース電極13とドレーン電極14の両側のゲート間距離が同じではない。図4に示すように、ソース電極13両側のゲートフィンガー間距離がd1で、ドレーン電極14両側のゲートフィンガー間距離がd2であり、通常、隣接するソース電極13とドレーン電極14両側のゲート間距離d1、d2は、d2≦d1≦3d2を満たす。デバイスの損耗を低下させ、熱分布を効果的に均一させるために、最大のゲート間距離は前記活性領域30の中心位置にあり、前記活性領域30の中心位置から当該中心位置を離れる方向では、前記ソース電極13両側の隣接するゲート電極12間の各ゲート間距離が第1の固定値か第1の変数で順次小さくなり、前記ドレーン電極14両側の隣接するゲート電極12間の各ゲート間距離が第2の固定値か第2の変数で順次小さくなる。好ましくは、前記第1の固定値又は第1の変数は、第2の固定値又は第2の変数と等しくない。
実施例1による半導体デバイス10に対する設計と説明に基づいて、図5に示すように、本発明の実施例3は、半導体チップ20を提供する。当該半導体チップ20は、複数の半導体デバイス10を備え、複数の半導体デバイス10が並列に接続している。当該半導体チップ20における任意2つの隣接する半導体デバイス10の縁部ゲート電極12の間には一つのデバイス間ゲート間距離が形成され、前記デバイス間ゲート間距離は、前記半導体チップ20の活性領域30の中心位置から当該中心位置を離れる方向で、第3の固定値か第3の変数で順次小さくなる。このように、半導体チップ20における半導体デバイス10間のゲート間距離を設定することにより、デバイスの縁部同士間の発熱を効果的に緩和でき、チップ全体における熱分布を均一することができる。本実施例による半導体デバイス10は、実施例1による半導体デバイス10と同じ構成特徴を有するので、ここで再び説明はしない。
図6に示すように、本発明の実施例4は、半導体チップ20を提供する。当該半導体チップ20は、複数の半導体デバイス10を備え、複数の半導体デバイス10が並列に接続している。当該半導体チップ20の任意の2つの隣接する半導体デバイス10における縁部ゲート電極12間に形成された一つのデバイス間ゲート間距離がLである。前記複数の半導体デバイス10内部におけるゲート間距離が同じく、選択的に、前記半導体デバイス10内部のソース電極13両側のゲート電極12間の距離が同じくd1であり、前記半導体デバイス10内部のドレーン電極14両側のゲート電極12間の距離が同じくd2であるとともに、各半導体デバイス10d内部においては、2≦d1≦2d2。当該半導体チップ20の活性領域30中心の2つの隣接する半導体デバイス10の縁部ゲート電極12間の距離Lが最大で、前記デバイス間ゲート間距離は前記半導体チップ20の活性領域30の中心位置から当該中心位置を離れる方向で次第に小さくなるとともに、ΔL≦2d1。実際に使用する時には、チップのサイズにより活性領域30の中心損耗を調節し、そして選択的に、半導体チップ20における活性領域30の中心位置付近で少なくとも2つの同じデバイス間ゲート間距離を設置することができる。
図7は本発明の実施例5による半導体チップ20の平面図である。当該半導体チップ20は、複数の半導体デバイス10を備え、複数の半導体デバイス10が並列に接続している。各半導体デバイス10は、複数のゲート電極12、複数のドレーン電極14、及び複数のソース電極13を備え、前記ゲート電極12が前記ソース電極13と前記ドレーン電極14との間に位置する。ここで、前記半導体チップ20において、任意の2つの隣接するゲート電極12同士の間には、一つのゲート間距離が形成され、形成された各ゲート間距離には、少なくとも2つの等しくないゲート間距離が含まれ、各ゲート間距離のうち、最大のゲート間距離が、当該半導体チップ20における一番外側の両端部にある2つのゲート電極12のゲート長方向における距離と、当該半導体チップ20のゲート電極12の総数とに基づいて決まられた第1のプリセット範囲内にある。
本発明の実施例6は、半導体デバイス10の製造方法を提供する。以下は、具体的なステップを組み合わせて当該半導体デバイス10の製造方法を説明する。
ここで、前記基板の材料は上記と同じで、ここで再び説明しない。前記基板の形成方法は、CVD(Chemical Vapor Deposition、化学気相成長)、VPE(Vapour Phase Epitaxy、気相エピタキシー)、MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition、有機金属気相成長)、LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition、減圧化学気相成長)、PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition、プラズムCVD)、PLD(Pulsed Laser Deposition、パルスレーザー堆積)、原子層エピタキシー、MBE(Molecular Beam Epitaxy、分子線エピタキシー)、スパッタリング、PVDなどが挙げられ、本実施例は具体的に制限しない。
前記基板に半導体層11を形成させる方法は、前記基板の形成方法と同じ方法であっても良いが、これに限らない。言い換えると、前記半導体層11の形成方法は、前記基板の形成方法と同じであっても良いが、異なっても良い。
11 半導体層
12 ゲート電極
13 ソース電極
14 ドレーン電極
15 ゲート電極パッド
16 ドレーン電極パッド
20 半導体チップ
30 活性領域
40 中心デバイス
50 縁部デバイス
Claims (16)
- 基板と、
前記基板に設けられる半導体層と、
前記半導体層の前記基板と反対側に設けられる複数のゲート電極、複数のドレーン電極、複数のソース電極と、を備え、半導体デバイスであって、
前記ゲート電極が前記ソース電極と前記ドレーン電極との間に位置付けられ、前記ゲート電極、ソース電極、ドレーン電極が前記半導体デバイスの活性領域に位置づけられており、
任意の2つの隣接するゲート電極の間には一つのゲート間距離が形成され、形成された各ゲート間距離には、少なくとも2つの等しくないゲート間距離が含まれ、各ゲート間距離のうち、最大のゲート間距離が、当該半導体デバイスの一番外側の両端部にある2つのゲート電極のゲート長方向における距離と、当該半導体デバイスのゲート電極の総数とに基づいて決められた第1のプリセット範囲内にあり、
前記第1のプリセット範囲は、(L/(n-1)、L)であり、前記最大のゲート間距離L max は、下記条件を満たし、
- 前記最大のゲート間距離は、前記ソース電極の両側の隣接するゲート電極の間に位置付けられ、前記最小のゲート間距離は、前記ドレーン電極の両側の隣接するゲート電極の間に位置づけられる、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。 - 前記最大のゲート間距離は、前記活性領域の中心位置に位置づけられており、その他のゲート間距離は、前記活性領域の中心位置から当該中心位置を離れる方向に順次並んでおり、いずれも前記最小のゲート間距離である、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。 - 前記活性領域の中心位置から当該中心位置を離れる方向では、前記ソース電極の両側の隣接するゲート電極の間の各距離は、第1の固定値または第1の変数で順次小さくなり、前記ドレーン電極の両側の隣接するゲート電極の間の各距離は、第2の固定値または第2の変数で順次小さくなる、
ことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体デバイス。 - 複数の前記ゲート電極は、当該半導体デバイスの不活性領域にあるゲート電極パッドにより相互接続され、複数の前記ドレーン電極は、当該不活性領域にあるドレーン電極パッドにより相互接続され、複数の前記ソース電極はそれぞれ、前記基板と前記半導体層を貫通する複数のビアを通じて前記基板の前記半導体層と反対側にあるグランド電極と接続される、
ことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体デバイス。 - 前記各ゲート間距離に含まれる少なくとも2つのゲート間距離は前記最大のゲート間距離である、
ことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体デバイス。 - 前記最大のゲート間距離は前記活性領域の中心位置に位置づけられており、且つ、前記活性領域の中心位置から当該中心位置を離れる方向で、最大のゲート間距離と最小のゲート間距離との2つの距離が一つ置きに並んでいる、
ことを特徴とする請求項6に記載の半導体デバイス。 - 請求項1乃至7のいずれか1項に記載のような複数の半導体デバイスを備え、前記複数の半導体デバイスが並列に接続している、
ことを特徴とする半導体チップ。 - 任意の2つの隣接する半導体デバイスの縁部ゲート電極の間には一つのデバイス間ゲート間距離が形成され、前記半導体チップの活性領域の中心位置から当該中心位置を離れる方向では、各デバイス間ゲート間距離は第3の固定値または第3の変数で順次小さくなる、
ことを特徴とする請求項8に記載の半導体チップ。 - 前記第3の固定値または第3の変数は、前記半導体チップの前記半導体デバイスの内部における最大のゲート間距離の2倍以下である、
ことを特徴とする請求項9に記載の半導体チップ。 - 複数の前記半導体デバイスは、活性領域中心に位置する中心デバイス、及び前記活性領域中心から離れる縁部デバイスを備え、前記縁部デバイスの中心ゲート間距離は、前記中心デバイスの縁部ゲート間距離と異なっており、
ここで、前記縁部デバイスの中心ゲート間距離が当該縁部デバイスの中心にある2つの隣接するゲート電極による形成されたゲート間距離であり、前記中心デバイスの縁部ゲート間距離が当該中心デバイスの中心から離れる任意の2つの隣接するゲート電極により形成されたゲート間距離である、
ことを特徴とする請求項8に記載の半導体チップ。 - 前記中心デバイスの中心ゲート間距離は、前記縁部デバイスの中心ゲート間距離と異なっている、
ことを特徴とする請求項11に記載の半導体チップ。 - 複数の半導体デバイスを備え、複数の半導体デバイスが並列に接続している半導体チップであって、各半導体デバイスがそれぞれ、複数のゲート電極、複数のドレーン電極、及び複数のソース電極を備え、前記ゲート電極が前記ソース電極と前記ドレーン電極との間に位置づけられており、
ここで、前記半導体チップにおいて、任意の2つの隣接するゲート電極の間には、一つのゲート間距離が形成され、形成された各ゲート間距離には少なくとも2つの等しくないゲート間距離が含まれ、各ゲート間距離のうち、最大のゲート間距離が、当該半導体チップの一番外側の両端部にある2つのゲート電極のゲート長方向における距離と、当該半導体チップのゲート電極の総数とに基づいて決められた第1のプリセット範囲内にあり、
前記複数の半導体デバイスには、少なくとも一つの半導体デバイス内部における前記ソース電極の両側のゲート電極の間の距離がd1であり、前記少なくとも一つの半導体デバイス内部におけるドレーン電極の両側のゲート電極の間の距離がd2であり、且つ、d2≦d1≦2d2、である
ことを特徴とする半導体チップ。 - 複数の前記半導体デバイスには、少なくとも一つの半導体デバイスにおける全てのゲート間距離が等しい、
ことを特徴とする請求項13に記載の半導体チップ。 - 複数の隣接する半導体デバイスの間の縁部ゲート間距離は等しいか、活性領域中心から両端部へ小さくなる、
ことを特徴とする請求項13に記載の半導体チップ。 - 基板を用意し、
前記基板の一側に半導体層を形成させ、
前記半導体層の前記基板と反対側に複数のゲート電極、複数のドレーン電極、及び複数のソース電極を設け、
各ゲート電極がそれぞれ一つの前記ソース電極と一つの前記ドレーン電極との間に位置付けられ、前記ゲート電極、ソース電極、ドレーン電極が半導体デバイスの活性領域に位置づけられており、
任意の2つの隣接するゲート電極の間には、一つのゲート間距離が形成され、形成された各ゲート間距離には、少なくとも2つの等しくないゲート間距離が含まれ、そのうち、各ゲート間距離中の最大のゲート間距離が、当該半導体デバイスの一番外側の両端部にある2つのゲート電極のゲート長方向における距離と、当該半導体デバイスのゲート電極の総数とに基づいて決められた第1のプリセット範囲内にあり、
前記第1のプリセット範囲は、(L/(n-1)、L)であり、前記最大のゲート間距離L max は、下記条件を満たし、
ことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
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