JP7068797B2 - 電子部品 - Google Patents
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Description
図5(a)および図5(b)は、比較例1に係る電子部品の断面図である。図5(a)および図5(b)に示すように、電子部品110において、誘電体層11eを貫通するビア配線13eの径D2はビア配線13bから13dの径D1と実質的に同じである。その他の構成は、実施例1と同じであり説明を省略する。
実施例1では、誘電体層11eを貫通するビア配線15と導電体層14aとの接触面積を、他のビア配線13bから13dの径より大きくする。これにより、電子部品の小型化が可能となり、かつ端子14とビア配線13eとの間の接触抵抗の低抵抗化が可能となる。
誘電体層11aから11eの材料:Si、CaおよびMgの酸化物を主成分とし、TiO2を3重量%(酸化物換算)含む。
誘電体層11aから11eの厚さ:それぞれ30μm、400μm、10μm、10μmおよび30μm
導電体パターン12bの材料:Agを主成分とし、TiO2を13重量%(酸化物換算)含む。
ストリップ線路L1の導電体パターン12bの寸法:長さ:1400μm、幅:100μm、厚さ:20μm
ビア配線13bから13dおよび15の材料:Agを主成分とする。
ビア配線13bから13dの径D1:65μm
ビア配線15または13eの径D2:実施例1:120μm、比較例1:65μm
導電体層14aの材料:Agを主成分とし、TiO2を13重量%(酸化物換算)含む。
導電体層14aの厚さ:10μm
高周波信号の周波数:3800MHz
高周波信号の電力:39.98dBm
図8(a)および図8(b)は、実施例1の変形例1に係る電子部品の断面図である。図8(a)に示すように、電子部品101において、ビア配線15は入力端子Tinおよび出力端子Toutに接触し、ビア配線13eはグランド端子Tgndに接触する。ビア配線13eの径D3は、ビア配線15の径D2より小さく、ビア配線13bから13dの径D1と同程度である。低抵抗化が求められるのは、主に高周波信号が通過する端子である。よって、入力端子Tinおよび出力端子Toutに接触するビア配線15の径D2をD1およびD3より大きくしてもよい。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。
図9は、実施例1の変形例2に係る電子部品の断面図である。図9に示すように、電子部品103において、ビア配線15は、端子14側の径が大きくなるような円錐台形状である。このように、導電体層14aとビア配線15の接触面積が大きくなれば、ビア配線15の形状は任意に選択できる。
図11は、実施例2の変形例1に係る電子部品の断面図である。図11に示すように、電子部品105において、出力端子Toutに接続されるビア配線13eは1つである。その他の構成は実施例1と同じであり説明書省略する。実施例2の変形例1のように、出力端子Toutに接続されるビア配線13eの個数は入力端子Tinに接続されるビア配線13eの個数より少なくともよい。
11a-11e 誘電体層
12a-12e 導電体パターン
13b-13e、15、15a ビア配線
14 端子
14a、14b 導電体層
16 電極
Claims (10)
- セラミック材料からなり積層された複数の誘電体層と、
各々前記複数の誘電体層のうち1つの誘電体層の表面に形成され回路素子の少なくとも一部を構成する複数の導電体パターンと、
前記複数の誘電体層のうち最も外側の誘電体層の外側の面に設けられ、1または複数の導電体層を含み、前記1または複数の導電体層のうち前記外側の面に接する導電体層は金属材料と絶縁体材料とを含み、高周波信号が入力する入力端子と、グランド端子と、を含む複数の端子と、
前記複数の誘電体層のうち前記最も外側の誘電体層以外の少なくとも1つの誘電体層を貫通し、前記複数の導電体パターンのうち少なくとも2つの導電体パターン間を電気的に接続する第1ビア配線と、
前記最も外側の誘電体層を貫通し、前記入力端子と前記複数の導電体パターンのうち少なくとも1つの導電体パターンとを電気的に接続する第2ビア配線と、
前記最も外側の誘電体層を貫通し、前記グランド端子と前記複数の導電体パターンのうち少なくとも1つとを電気的に接続する第3ビア配線と、
を備え、
前記第2ビア配線の1つと前記入力端子とが接触する第1接触面積は、前記第1ビア配線の1つにおける前記外側の面に平行な断面積より大きく、
前記第3ビア配線の1つと前記グランド端子とが接触する第2接触面積は前記第1接触面積より小さい電子部品。 - 前記複数の端子は高周波信号が出力される出力端子を含み、
前記電子部品は、前記最も外側の誘電体層を貫通し、前記出力端子と前記複数の導電体パターンのうち少なくとも1つとを電気的に接続する第4ビア配線を備え、
前記第4ビア配線の1つと前記出力端子とが接触する第3接触面積は前記第1接触面積より小さい請求項1に記載の電子部品。 - セラミック材料からなり積層された複数の誘電体層と、
各々前記複数の誘電体層のうち1つの誘電体層の表面に形成され回路素子の少なくとも一部を構成する複数の導電体パターンと、
前記複数の誘電体層のうち最も外側の誘電体層の外側の面に設けられ、1または複数の導電体層を含み、前記1または複数の導電体層のうち前記外側の面に接する導電体層は金属材料と絶縁体材料とを含み、高周波信号が入力する入力端子と、高周波信号が出力する出力端子と、を含む複数の端子と、
前記複数の誘電体層のうち前記最も外側の誘電体層以外の少なくとも1つの誘電体層を貫通し、前記複数の導電体パターンのうち少なくとも2つの導電体パターン間を電気的に接続する第1ビア配線と、
前記最も外側の誘電体層を貫通し、前記入力端子と前記複数の導電体パターンのうち第1キャパシタを形成する1つの第1導電体パターンとを互いに並列に接続する複数の第2ビア配線と、
前記最も外側の誘電体層を貫通し、前記出力端子と前記複数の導電体パターンのうち第2キャパシタを形成する1つの第2導電体パターンとを互いに接続する1または複数の第4ビア配線と、
を備え、
前記1または複数の第4ビア配線が複数のとき、前記1または複数の第4ビア配線は、前記出力端子と前記1つの第2導電体パターンとの間に並列に接続され、
前記1または複数の第4ビア配線の個数は前記複数の第2ビア配線の個数より少ない電子部品。 - 前記複数の第2ビア配線の1つと前記入力端子とが接触する第1接触面積は前記1または複数の第4ビア配線の1つと前記出力端子とが接触する第3接触面積と略等しい請求項3に記載の電子部品。
- セラミック材料からなり積層された複数の誘電体層と、
各々前記複数の誘電体層のうち1つの誘電体層の表面に形成され回路素子の少なくとも一部を構成する複数の導電体パターンと、
前記複数の誘電体層のうち最も外側の誘電体層の外側の面に設けられ、1または複数の導電体層を含み、前記1または複数の導電体層のうち前記外側の面に接する導電体層は金属材料と絶縁体材料とを含む1または複数の端子と、
前記複数の誘電体層のうち前記最も外側の誘電体層以外の少なくとも1つの誘電体層を貫通し、前記複数の導電体パターンのうち少なくとも2つの導電体パターン間を電気的に接続する第1ビア配線と、
前記最も外側の誘電体層を貫通し、前記1または複数の端子のうち高周波信号が入力する入力端子と前記複数の導電体パターンのうちキャパシタを形成する1つの導電体パターンとを互いに並列に接続する複数の第2ビア配線と、
を備え、
前記複数の第2ビア配線の1つと前記入力端子とが接触する第1接触面積は前記第1ビア配線の1つにおける前記外側の面に平行な断面積と略等しい電子部品。 - 前記1または複数の端子は、グランド端子を含み、
前記電子部品は、前記最も外側の誘電体層を貫通し、前記グランド端子と前記複数の導電体パターンのうち少なくとも1つの導電体パターンとを電気的に接続する第3ビア配線を備え、
前記第3ビア配線の1つと前記グランド端子とが接触する第2接触面積は、前記第1接触面積と略等しい請求項5に記載の電子部品。 - 前記絶縁体材料は前記最も外側の誘電体層に含まれる材料と同じ材料を含む請求項1から6のいずれか一項に記載の電子部品。
- 前記絶縁体材料は、酸化チタン、酸化ジルコニウムおよび酸化アルミニウムの少なくとも1つである請求項7に記載の電子部品。
- 前記回路素子は、インダクタおよび/またはキャパシタを含む請求項1から8のいずれか一項に記載の電子部品。
- 前記回路素子は前記入力端子と前記出力端子との間に接続されたフィルタを含み、
前記入力端子は、パワーアンプの出力に接続され、
前記出力端子はアンテナに接続される請求項2から4のいずれか一項に記載の電子部品。
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