JP6777755B2 - 高周波基体、高周波パッケージおよび高周波モジュール - Google Patents
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Description
図1は本発明の一実施形態に係る高周波基体1の斜視図を、図2は図1に示した本発明の一実施形態に係る高周波基体であって、図2(a)は、の本発明の一実施形態に係る高周波基体の平面図であり、図2(b)は図1のAで示した拡大斜視図である。図3、図5、図7および図9は本発明の他の実施形態に係る高周波基体の斜視図である。図4、図6、図8および図10は、それぞれ図3、図5、図7および図9に示した本発明の他の実施形態に係る高周波基体であって、図4(a)、図6(a)、図8(a)および図10(a)は、本発明の他の実施形態に係る高周波基体の平面図であり、図4(b)、図6(b)、図8(b)および図10(b)はそれぞれ図3のB、図5のC、図7のDおよび図9のEで示した拡大斜視図である。図11は、本発明の他の実施形態に係る高周波基体の分解斜視図である。図12、図13および図14は、本発明の他の実施形態に係る高周波基体であって、図12(a)、図13(a)および図14(a)は、本発明の他の実施形態に係る高周波基体の斜視図であり、図12(b)は、図12(a)のFを、図13(b)は、図13(a)のGを、図14(b)は、図14(a)のHをそれぞれ示した拡大斜視図である。そして、図15は、本発明の他の実施形態に係る高周波基体のインピーダンスの値を示したグラフである。これらの図において、高周波基体1は、絶縁基体2、第1線路導体3、第2線路導体4を備えている。
絶縁基体2は、たとえば複数の絶縁層2a,2b,2c,2dおよび2eが酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、次のようにして製作される。まず、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の原料粉末に適当な有機バインダおよび溶剤等を添加混合してスラリーを作製する。次に、スラリーをドクターブレード法等の成形法でシート状に成形することにより複数枚のセラミックグリーンシートを作製する。このとき、一番上方に位置するグリーンシートの一部に凹部21になる貫通孔が形成されている。
図16は本発明の一実施形態に係る高周波パッケージ10の斜視図を、図17は本発明の一実施形態に係る高周波パッケージ10の分解斜視図を示している。これらの図において、高周波パッケージ10は、基板8、枠体9および本発明の実施形態に係る高周波基体1を備えている。
図18は本発明の一実施形態に係る高周波モジュール100の斜視図を、を示している。この図において、高周波モジュール100は、本発明の実施形態に係る高周波パッケージ10、半導体素子11および蓋体12を備えている。
2 絶縁基体
21 凹部
22 接地導体層
23 内部接地導体層
24 接続線路導体
3 第1線路導体
31 第1分離部
32 第1電極パッド
33 第1線路
4 第2線路導体
41 第2分離部
42 第2電極パッド
43 第2線路
51 第1コンデンサ
52 第2コンデンサ
7 切欠き部
71 メタライズ層
8 基板
9 枠体
91 貫通孔
10 高周波パッケージ
11 半導体素子
12 蓋体
100 高周波モジュール
Claims (9)
- 上面に凹部を有する絶縁基体と、
前記絶縁基体の上面に位置した、第1線路導体と、
前記絶縁基体の上面に位置するとともに、平面視において前記第1線路導体と間が空いており前記第1線路導体と並行に延びている第2線路導体と、を備えており、
前記凹部は、前記第1線路導体と前記第2線路導体との間に位置しているとともに、前記凹部は前記絶縁基体よりも誘電率が低く、
前記第1線路導体は、第1コンデンサが配置される第1分離部を介して互いに離間して位置する一対の第1電極パッドと、該一対の第1電極パッドに接続されて前記第1分離部から遠ざかるようにそれぞれ延びる一対の第1線路と、を有しているとともに、
前記第2線路導体は、第2コンデンサが配置される第2分離部を介して互いに離間して位置する一対の第2電極パッドと、該一対の第2電極パッドに接続されて前記第2分離部から遠ざかるようにそれぞれ延びる一対の第2線路と、を有しており、
平面視において、前記凹部は、前記第1線路導体が延びる方向において、前記一対の第1電極パッドのうちの一方の第1電極パッドから、前記第1分離部を通り、前記一対の第1電極パッドのうちの他方の第1電極パッドにまで亘って、前記第1線路導体および前記第2線路導体と並行に延びており、
平面視において、前記一対の第1電極パッドと前記一対の第2電極パッドとは、前記凹部を挟んで対向して位置していることを特徴とする高周波基体。 - 平面視において、前記凹部は、前記第1線路導体が延びる方向において、前記一方の第1電極パッドのうち前記一対の第1線路のうちの一方の第1線路が接続される第1端部から、前記第1分離部を通り、前記他方の第1電極パッドのうち前記一対の第1線路のうちの他方の第1線路が接続される第2端部にまで亘って、前記第1線路導体および前記第2線路導体と並行に延びていることを特徴とする請求項1に記載の高周波基体。
- 前記第1分離部および前記第2分離部は凹んでいることを特徴とする請求項1または2に記載の高周波基体。
- 記絶縁基体は、前記上面に、平面視において、前記第1分離部及び前記第2分離部を含むように、前記第1線路導体が延びる方向に交差する方向に沿って前記第1分離部から前記第2分離部に亘って延びる溝を更に有しており、
前記凹部は、前記溝と接続されていることを特徴とする請求項3に記載の高周波基体。 - 前記第1線路導体が延びる方向における前記凹部の端部の側壁には、切欠き部を有していることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の高周波基体。
- 前記切欠き部の表面に、メタライズ層を有していることを特徴とする請求項5に記載の高周波基体。
- 前記絶縁基体の上面に、前記第1線路導体と前記第2線路導体と間を空けて位置した接地導体層をさらに有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の高周波基体。
- 基板と、
前記基板の上面に接合された、貫通孔を有する枠体と、
前記枠体の前記貫通孔に固定された請求項1〜7のいずれか1つに記載の高周波基体とを備えていることを特徴とする高周波パッケージ。 - 請求項8に記載の高周波パッケージと、
前記基板の上面に実装された、前記高周波パッケージの前記高周波基体と電気的に接続された半導体素子と、
前記枠体の上端に接合された、前記半導体素子を覆うとともに前記高周波パッケージの内部を覆った蓋体とを備えていることを特徴とする高周波モジュール。
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