JP7026804B2 - 配線基板、パッケージおよびモジュール - Google Patents
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Description
(構成)
図1は、本実施の形態1における高周波モジュール701の構成を概略的に示す上面図である。なお蓋体730については、図を見やすくするために、外縁のみが二点鎖線で示されている。図2は、高周波モジュール701を得るために用いられる高周波パッケージ501の構成を概略的に示す上面図である。なお、高周波モジュール701(図1)および高周波パッケージ501(図2)の外部端子は、図示されているものに限定されるわけではなく、例えば、高周波モジュール701(高周波パッケージ501)中へ電源を供給するための電源端子(図示せず)が設けられていてよい。図3は、図2の線III-IIIに沿う概略的な部分断面図である。
次に、高周波基板301(図7および図8)に対する第1~第3の比較例について、以下に説明する。
距離D1(図8):0.15mm
距離D2(図8):0.5mm
各パッド(矩形)の幅:0.35mm
各パッド(矩形)の長さ:0.25mm
パッド対の各々を構成するパッド同士の最短距離:0.3mm
第1の配線路51および第2の配線路52のそれぞれの中心線の間の距離:0.8mm
凹部RC1(RC2)(図7)の寸法:幅0.25mm、長さ0.80mm、深さ0.4mm(矩形)
凹部RC3(図13)の寸法:幅0.35mm、長さ0.80mm、深さ0.2mm(矩形)
凹部RC4およびRC5(図11)の総体の寸法:幅1.35mm、長さ0.20mm、深さ0.25mm(矩形)
セラミック基体:アルミナ製(比誘電率8.7)
配線路および接地パターン:タングステン製(ニッケルおよび金の被膜あり、金が最表層)
内層接地パターン:タングステン製
シミュレーションに用いられたソフトウエア:HFSS ver.15 (Ansys社製)
差動線路CA,CB(図4)を用いての信号伝送において、特に図18に示されたシミュレーション結果からわかるように、凹部RC1,RC2が設けられた高周波基板301によって、高周波領域でのエネルギー損失を顕著に抑制することができる。この結果、良好な通過特性(図19参照)を得ることができる。
セラミック基体10は、凹部RC1,RC2(図7)に加えて、凹部RC3(図13)を有していてよい。設計上、凹部RC1,RC2の深さには上限がある。具体的には、凹部RC1,RC2の深さは、深さD2(図8)よりも小さくなければならない。これに起因して、第1のパッド対61および第2のパッド対62の近傍での特性インピーダンスの局所的低下を十分には抑制できない場合がある。そのような場合に、凹部RC3をも設けることによって、特性インピーダンスの局所的低下を十分に抑制することができる。これにより、高周波領域でのエネルギー損失を、より抑制することができる。凹部RC3の長さは、第1のパッド対61の長さLP(図20)以上であるのが好ましい。また、凹部RC3の深さは、凹部RC1,RC2の各々の深さよりも小さいことが好ましい。これにより、凹部RC3を設けることで生じる高周波領域でのクロストークによるエネルギー損失を抑えつつ、特性インピーダンスの局所的低下を抑制することができる。
セラミック基体10は、凹部RC1および凹部RC2(図7)に加えて、凹部RC4,RC5(図11)を有していてよい。
図20は、第3の変形例の高周波基板301v(配線基板)を示す部分上面図である。高周波基板301vにおいては、凹部RC1の長さLRは、第1のパッド対61の長さLP以上である。同様に、凹部RC2の長さは第2のパッド対62の長さ以上である。長さLRが大き過ぎると第1の接地パターン41を設ける領域が減ってしまうため、実際の設計では第1のパッド対61の長さLPの1.5倍程度までが長さLRの上限となる。凹部RC2の長さについても同様である。
図21は、第4の変形例の高周波基板301w(配線基板)を示す部分上面図である。高周波基板301wにおいては、第1のパッド対61は、最小長さLP1および最大長さLP2によって特徴づけられる形状を有している。最小長さLP1の範囲内では、第1のパッド対61は実質的に一定の幅を有している。この範囲の外側において、第1のパッド対61はテーパ形状を有している。
図22は、本実施の形態2における高周波パッケージ502の構成を概略的に示す上面図である。高周波パッケージ502は、高周波基板301(図1:実施の形態1)に代わって、高周波基板302(配線基板)を有している。高周波基板302は、高周波基板301と異なり、その全体がケーシング530のキャビティCV内に実装されている。高周波基板302は、内部回路750(図1)の一部または全部を実装するための実装領域として用いられてもよい。その場合、実装領域550の一部または全部が省略され得る。
RC1~RC5 第1~第5の凹部
CV キャビティ
TH 貫通孔
OP 開口部
WR 配線
WRB 内部配線
WRS 表面配線
10 セラミック基体
31,32 第1および第2の内層接地パターン
41~43 第1~第3の接地パターン
51,52 第1および第2の配線路
61 第1のパッド対
61a,61b 第1パッド
62 第2のパッド対
62a,62b 第2パッド
71~74 内部端子
81~84 外部端子
90 キャパシタ
301,301A~301C,301v,301w,302 高周波基板(配線基板)
501,502 高周波パッケージ
530 ケーシング
531 底部
532 枠部
535 開口部
550 実装領域
701 高周波モジュール
730 蓋体
750 内部回路
751 IC(集積回路)
752 光学部品
Claims (9)
- セラミック基体と、
前記セラミック基体上に設けられた第1の接地パターンと、
前記セラミック基体上に設けられ、前記第1の接地パターンから離れて配置され、前記セラミック基体上を一の方向に延びる部分を有する第1の配線路と、
前記セラミック基体上に設けられ、前記セラミック基体上において前記第1の配線路によって前記第1の接地パターンから隔てられ、前記第1の配線路に並んで前記一の方向に延びる部分を有する第2の配線路と、
前記セラミック基体上に設けられ、前記セラミック基体上において前記第2の配線路によって前記第1の配線路から隔てられ、前記セラミック基体上において前記第2の配線路から離れた第2の接地パターンと、
前記第1の配線路の中途に設けられ、前記第1の配線路の幅よりも大きな幅を有する、キャパシタを実装するための第1のパッド対と、
前記第2の配線路の中途に設けられ、前記第2の配線路の幅よりも大きな幅を有する、キャパシタを実装するための第2のパッド対と、
を備え、
前記第1のパッド対は、前記一の方向に対向する1対の第1パッドを含み、前記第2のパッド対は、前記一の方向に対向する1対の第2パッドを含み、前記第1のパッド対および前記第2のパッド対は前記一の方向に直交する方向に対向しており、
前記セラミック基体は、前記第1の接地パターンと前記第1のパッド対との間に設けられた第1の凹部と、前記第2の接地パターンと前記第2のパッド対との間に設けられた第2の凹部と、を有しており、前記第1の凹部の長さは前記第1のパッド対の長さ以上であり、前記第2の凹部の長さは前記第2のパッド対の長さ以上である、
配線基板。 - 前記セラミック基体の内部に設けられ、厚み方向において前記第1の配線路および前記第2の配線路に対向する部分を有し、前記第1のパッド対および前記第2のパッド対の下方に開口部を有する第1の内層接地パターンと、
前記セラミック基体の内部に前記第1の内層接地パターンに比して深く設けられ、前記第1の内層接地パターンの前記開口部を介して前記第1のパッド対および前記第2のパッド対に対向する部分を有する第2の内層接地パターンと、
をさらに備える、請求項1に記載の配線基板。 - 前記第1のパッド対上に実装されたキャパシタと、前記第2のパッド対上に実装されたキャパシタと、をさらに備える、請求項1または2に記載の配線基板。
- セラミック基体と、
前記セラミック基体上に設けられた第1の接地パターンと、
前記セラミック基体上に設けられ、前記第1の接地パターンから離れて配置され、前記セラミック基体上を一の方向に延びる部分を有する第1の配線路と、
前記セラミック基体上に設けられ、前記セラミック基体上において前記第1の配線路によって前記第1の接地パターンから隔てられ、前記第1の配線路に並んで前記一の方向に延びる部分を有する第2の配線路と、
前記セラミック基体上に設けられ、前記セラミック基体上において前記第2の配線路によって前記第1の配線路から隔てられ、前記セラミック基体上において前記第2の配線路から離れた第2の接地パターンと、
前記第1の配線路の中途に設けられ、前記第1の配線路の幅よりも大きな幅を有する、キャパシタを実装するための第1のパッド対と、
前記第2の配線路の中途に設けられ、前記第2の配線路の幅よりも大きな幅を有する、キャパシタを実装するための第2のパッド対と、
を備え、
前記第1のパッド対は、前記一の方向に対向する1対の第1パッドを含み、前記第2のパッド対は、前記一の方向に対向する1対の第2パッドを含み、前記第1のパッド対および前記第2のパッド対は前記一の方向に直交する方向に対向しており、
前記セラミック基体は、前記第1の接地パターンと前記第1のパッド対との間に設けられた第1の凹部と、前記第2の接地パターンと前記第2のパッド対との間に設けられた第2の凹部と、前記第1のパッド対と前記第2のパッド対との間に設けられた第3の凹部と、を有しており、前記第3の凹部の深さは、前記第1の凹部および前記第2の凹部の各々の深さよりも小さい、
配線基板。 - セラミック基体と、
前記セラミック基体上に設けられた第1の接地パターンと、
前記セラミック基体上に設けられ、前記第1の接地パターンから離れて配置され、前記セラミック基体上を一の方向に延びる部分を有する第1の配線路と、
前記セラミック基体上に設けられ、前記セラミック基体上において前記第1の配線路によって前記第1の接地パターンから隔てられ、前記第1の配線路に並んで前記一の方向に延びる部分を有する第2の配線路と、
前記セラミック基体上に設けられ、前記セラミック基体上において前記第2の配線路によって前記第1の配線路から隔てられ、前記セラミック基体上において前記第2の配線路から離れた第2の接地パターンと、
前記第1の配線路の中途に設けられ、前記第1の配線路の幅よりも大きな幅を有する、キャパシタを実装するための第1のパッド対と、
前記第2の配線路の中途に設けられ、前記第2の配線路の幅よりも大きな幅を有する、キャパシタを実装するための第2のパッド対と、
を備え、
前記第1のパッド対は、前記一の方向に対向する1対の第1パッドを含み、前記第2のパッド対は、前記一の方向に対向する1対の第2パッドを含み、前記第1のパッド対および前記第2のパッド対は前記一の方向に直交する方向に対向しており、
前記セラミック基体は、前記第1の接地パターンと前記第1のパッド対との間に設けられた第1の凹部と、前記第2の接地パターンと前記第2のパッド対との間に設けられた第2の凹部と、前記第1パッド間に設けられた第4の凹部と、前記第2パッド間に設けられた第5の凹部と、を有しており、前記第4の凹部および前記第5の凹部の各々の深さは、前記第1の凹部および前記第2の凹部の各々の深さよりも小さい、
配線基板。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載の配線基板と、
キャビティを有するケーシングと、
を備え、
前記配線基板の少なくとも一部は前記キャビティの内部に位置している、
パッケージ。 - 前記配線基板は、前記キャビティの外部に位置する部分を有している、請求項6に記載のパッケージ。
- 請求項6または7に記載のパッケージと、
前記パッケージの前記キャビティを封止する蓋体と、
前記キャビティ内に実装された集積回路と、
を備え、
前記第1の配線路および前記第2の配線路は、前記集積回路に電気的に接続される差動線路を構成している、
モジュール。 - 前記集積回路は55GHz以上の動作周波数を有している、請求項8に記載のモジュール。
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