JP6923431B2 - 高周波基体、高周波パッケージおよび高周波モジュール - Google Patents
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Description
図1は、本発明の一実施形態に係る高周波パッケージの上面図である。図2は、本発明の一実施形態に係る高周波パッケージの斜視図である。図3は、本発明の一実施形態に係る高周波パッケージの下面斜視図である。図4は、本発明の一実施形態に係る高周波基体の平面図である。図5は、本発明の一実施形態に係る高周波基体の斜視図である。図6は、本発明の一実施形態に係る高周波基体の側面図である。図7は、本発明の一実施形態に係る高周波基体(接続部材無し)の斜視図である。図8は、本発明の一実施形態に係る高周波基体の断面図である。図9は、本発明の他の実施形態に係る高周波基体の斜視図である。これらの図において、高周波パッケージ2は、高周波基体1を備えている。高周波基体1は、絶縁基体10、第1金属層21および第2金属層22を備えている。
等で上下の接地導体が電気的に接続されている。
2金属層22との間の誘電率を小さくすることができる。このため、第1金属層21と第2金属層22との間を狭くすることによって静電容量が大きくなり、このとき凹部13があることによって静電容量を小さくすることができる。このため、静電容量が大きくなることに伴って所望の値より小さくなりやすくなる特性インピーダンスを大きくしやすくすることができる。ひいては、所望の特性インピーダンスに制御することができる。その結果、高周波基体1は、第1金属層21と第2金属層22との間の特性インピーダンスを所望の値に整合しやすくすることができ、高周波特性を向上することができる。また、凹部13があることによって、第1金属層21と第2金属層22の電気的な接触を低減させることができる。
12および凹部13からなる大気中の層と絶縁基体10からなる誘電体材料との境界部における電界の広がりを抑制することができるとともに、第1金属層21同士の間に生じるクロストークや共振を抑制することができ、高周波基体1の周波数特性を向上することができる。
絶縁基体10は、たとえば複数の絶縁層が酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、次のようにして製作される。まず、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の原料粉末に適当な有機バインダおよび溶剤等を添加混合してスラリーを作製する。次に、スラリーをドクターブレード法等の成形法でシート状に成形することにより複数枚のセラミックグリーンシートを作製する。このとき、一番上方に位置するグリーンシートの一部に第1切欠き部11および第2切欠き部12となる貫通孔ならびに凹部13になる切欠きが形成されている。
図1は、本発明の一実施形態に係る高周波パッケージの上面図である。図2は、本発明の一実施形態に係る高周波パッケージの斜視図である。図3は、本発明の一実施形態に係る高周波パッケージの下面斜視図である。これらの図において、高周波パッケージ2は、
基板4、枠体5および本発明の実施形態に係る高周波基体1を備えている。
図10に示すように、本発明の一実施形態に係る高周波モジュール3の斜視図を、を示している。この図において、高周波モジュール3は、本発明の実施形態に係る高周波パッケージ2、半導体素子6および蓋体7を備えている。
2 高周波パッケージ
3 高周波モジュール
4 基板
5 枠体
6 半導体素子
7 蓋体
10 絶縁基体
11 第1切欠き部
12 第2切欠き部
13 凹部
21 第1金属層
22 第2金属層
31 端子部
32 線路部
40 接続部材
50 溝部
Claims (11)
- 上面に第1切欠き部と、前記第1切欠き部と間を空けるとともに前記第1切欠き部よりも外側に位置した第2切欠き部を有する絶縁基体と、
前記絶縁基体の上面に位置するとともに、平面視において前記第1切欠き部および前記第2切欠き部に隣接した、高周波信号を通す第1金属層と、
前記絶縁基体の上面および前記第2切欠き部の側面から下面に連続して位置するとともに、前記第1金属層と間を空けて位置した第2金属層と、を備えており、
前記絶縁基体の上面には、平面視において、前記絶縁基体の内側に、前記第2切欠き部と連続した凹部を有していることを特徴とする高周波基体。 - 前記凹部は、前記第2切欠き部の開口よりも幅が細いことを特徴とする請求項1に記載の高周波基体。
- 前記第1金属層は、接続部材が接続される端子部と、前記端子部と連続した線路部とを有しており、
前記凹部は、前記線路部と互いに並行して位置していることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の高周波基体。 - 平面視において、前記第1金属層は、前記絶縁基体の端部よりも内側に位置し、
前記第2金属層の外縁は、前記絶縁基体の端部と重なって位置していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の高周波基体。 - 平面視において、前記絶縁基体の上面に、前記第1切欠き部と、2つの前記第2切欠き部および前記第2切欠き部と連続した前記凹部と、2つの前記第1金属層と、前記第2金属層とを有しており、
前記第1切欠き部の両端に前記第1金属層が位置しており、
前記第1金属層の前記第1切欠き部と反対側に隣接して前記第2切欠き部および前記凹部が位置しており、
前記第2切欠き部および前記凹部の前記第1金属層と反対側に隣接して前記第2金属層が位置していることを特徴する請求項1〜4のいずれか1つに記載の高周波基体。 - 前記第1金属層は、差動線路であり、前記第2金属層はグランドであることを特徴する請求項5に記載の高周波基体。
- 平面視において、前記凹部の中心は、前記第2切欠き部の中心よりも前記第1切欠き部側に位置していることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の高周波基体。
- 前記第1金属層の上面および前記第2金属層の上面には、互いに並行に位置した複数の接続部材をさらに備えていることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載の高周波基体。
- 前記凹部と重なる位置において、前記絶縁基体の表面は露出していることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1つに記載の高周波基体。
- 基板と、
前記基板の上面に接合された、貫通孔を有する枠体と、
前記枠体の前記貫通孔に固定された請求項1〜9のいずれか1つに記載の高周波基体とを備えていることを特徴とする高周波パッケージ。 - 請求項10に記載の高周波パッケージと、
前記基板の上面に実装された、前記高周波パッケージの前記高周波基体と電気的に接続された半導体素子と、
前記枠体の上端に接合された、前記半導体素子を覆うとともに前記高周波パッケージの内部を覆った蓋体とを備えていることを特徴とする高周波モジュール。
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