JP7197647B2 - 高周波基体、高周波パッケージおよび高周波モジュール - Google Patents
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Description
切欠き部と連続した凹部を有している。
図1は、本発明の一実施形態に係る高周波パッケージの上面図である。図2は、本発明の一実施形態に係る高周波パッケージの斜視図である。図3は、本発明の一実施形態に係る高周波パッケージの下面斜視図である。図4は、本発明の一実施形態に係る高周波基体の平面図である。図5は、本発明の一実施形態に係る高周波基体の斜視図である。図6は、本発明の一実施形態に係る高周波基体の側面図である。図7は、本発明の一実施形態に係る高周波基体(接続部材無し)の斜視図である。図8は、本発明の一実施形態に係る高周波基体の断面図である。図9は、本発明の他の実施形態に係る高周波基体の斜視図である。これらの図において、高周波パッケージ2は、高周波基体1を備えている。高周波基体1は、絶縁基体10、第1金属層21および第2金属層22を備えている。
等で上下の接地導体が電気的に接続されている。
2金属層22との間の誘電率を小さくすることができる。このため、第1金属層21と第2金属層22との間を狭くすることによって静電容量が大きくなり、このとき凹部13があることによって静電容量を小さくすることができる。このため、静電容量が大きくなることに伴って所望の値より小さくなりやすくなる特性インピーダンスを大きくしやすくすることができる。ひいては、所望の特性インピーダンスに制御することができる。その結果、高周波基体1は、第1金属層21と第2金属層22との間の特性インピーダンスを所望の値に整合しやすくすることができ、高周波特性を向上することができる。また、凹部13があることによって、第1金属層21と第2金属層22の電気的な接触を低減させることができる。
12および凹部13からなる大気中の層と絶縁基体10からなる誘電体材料との境界部における電界の広がりを抑制することができるとともに、第1金属層21同士の間に生じるクロストークや共振を抑制することができ、高周波基体1の周波数特性を向上することができる。
絶縁基体10は、たとえば複数の絶縁層が酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、次のようにして製作される。まず、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の原料粉末に適当な有機バインダおよび溶剤等を添加混合してスラリーを作製する。次に、スラリーをドクターブレード法等の成形法でシート状に成形することにより複数枚のセラミックグリーンシートを作製する。このとき、一番上方に位置するグリーンシートの一部に第1切欠き部11および第2切欠き部12となる貫通孔ならびに凹部13になる切欠きが形成されている。
図1は、本発明の一実施形態に係る高周波パッケージの上面図である。図2は、本発明の一実施形態に係る高周波パッケージの斜視図である。図3は、本発明の一実施形態に係る高周波パッケージの下面斜視図である。これらの図において、高周波パッケージ2は、
基板4、枠体5および本発明の実施形態に係る高周波基体1を備えている。
図10に示すように、本発明の一実施形態に係る高周波モジュール3の斜視図を、を示している。この図において、高周波モジュール3は、本発明の実施形態に係る高周波パッケージ2、半導体素子6および蓋体7を備えている。
2 高周波パッケージ
3 高周波モジュール
4 基板
5 枠体
6 半導体素子
7 蓋体
10 絶縁基体
11 第1切欠き部
12 第2切欠き部
13 凹部
21 第1金属層
22 第2金属層
31 端子部
32 線路部
40 接続部材
50 溝部
Claims (11)
- 上面と、側面と、前記上面および前記側面に交差して位置する第1切欠き部と、該第1切欠き部と間を空けて位置するとともに前記上面および前記側面に交差して位置する第2切欠き部と、を有する絶縁基体と、
前記上面に、前記第1切欠き部および前記第2切欠き部と隣り合って位置する第1金属層と、
前記上面に、前記第1金属層と間を空けて位置する第2金属層と、を備えており、
前記第1切欠き部は、前記上面と交差する第1側面と、該第1側面と接続する第1底面と、を有し、
前記第2切欠き部は、前記上面と交差する第2側面と、該第2側面と接続する第2底面と、を有しており、
前記第2金属層は、前記上面から前記第2側面に連続して位置しており、
前記絶縁基体は、平面視において、前記第2切欠き部の端部のうち前記絶縁基体の前記側面とは反対側の端部に、前記第2切欠き部と連続した凹部を更に有している、高周波基体。 - 平面視において、前記凹部の幅は、前記第2切欠き部の幅よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の高周波基体。
- 前記第2金属層は、前記上面から前記第2側面および前記第2底面にかけて位置している、請求項1または2に記載の高周波基体。
- 前記絶縁基体は、複数の絶縁層が積層された積層体であり、
前記第2底面の少なくとも一部は、前記絶縁層が露出している、請求項1~3のいずれか1つに記載の高周波基体。 - 前記絶縁基体は、複数の絶縁層が積層された積層体であり、
前記凹部は、前記第2側面と連続する凹部側面と、前記第2底面と連続する凹部底面と、を有しており、
前記凹部底面の少なくとも一部は、前記絶縁層が露出している、請求項1~4のいずれか1つに記載の高周波基体。 - 前記第1金属層は、平面視において、前記絶縁基体の前記上面における前記側面側の端部まで位置し、
前記上面に位置する前記第2金属層の外縁の少なくとも一部は、平面視において、前記絶縁基体の前記上面における前記側面側の端部と重なって位置している、請求項1~5のいずれか1つに記載の高周波基体。 - 前記上面に、前記第1切欠き部、2つの前記第2切欠き部、前記第2切欠き部と連続した前記凹部、2つの前記第1金属層と、前記第2金属層とを有しており、
平面視において、
2つの前記第1金属層が、前記第1切欠き部を挟んで位置しており、
2つの前記第2切欠き部が、2つの前記第1金属層および前記第1切欠き部を挟んで位置していることを特徴する請求項1~6のいずれか1つに記載の高周波基体。 - 前記第1金属層は、差動線路であり、前記第2金属層はグランドであることを特徴する請求項7に記載の高周波基体。
- 前記第1金属層は、接続部材が接続される端子部と、該端子部と連続した線路部とを有しており、
前記第1金属層が延びる方向と交差する断面視において、前記端子部の幅は、前記線路部の幅以上であることを特徴とする請求項1~8のいずれか1つに記載の高周波基体。 - 基板と、
前記基板に位置する枠体と、
前記枠体に固定された請求項1~9のいずれか1つに記載の高周波基体とを備えていることを特徴とする高周波パッケージ。 - 請求項10に記載の高周波パッケージと、
前記基板に実装された、前記高周波パッケージの前記高周波基体と電気的に接続された半導体素子と、
前記枠体の上端に接合された、前記半導体素子を覆うとともに前記高周波パッケージの内部を覆った蓋体とを備えていることを特徴とする高周波モジュール。
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