JP2021120985A - 配線基体および電子装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高周波信号の伝送が安定した配線基体および電子装置を提供する。【解決手段】本開示の一実施形態に係る配線基体は、絶縁基体と、信号導体と、リード端子と、を有する。絶縁基体は、第１面と、第１面と繋がる第２面と、第２面に開口する第１凹部と、を有する。また、絶縁基体は、絶縁材を含む。信号導体は、第１面上に位置する。リード端子は、信号導体に接続され、第１方向に延びるとともに、前記絶縁基体からはみ出して位置する。第１凹部は、第１面と直交するとともに第１方向を含む断面視をした場合、信号導体と絶縁材を介して対向している。【選択図】図３

Description

本開示は配線基体および電子装置に関する。

従来、ミリ波帯の高周波信号を伝送させるために用いられる入出力端子として、セラミック多層基板上に信号導体と接地導体が位置するとともに、セラミック多層基板の中間層にベタ導体膜が位置する入出力端子が開示されている（特許文献１参照）。

特開２００９−１５８５１１号公報

しかしながら、特許文献１のような入出力端子は、不要な共振が発生しやすかった。また、このような入出力端子を備える誘電体共振は、高周波信号を効率的な伝送の障害となっていた。

本開示の一実施形態に係る配線基体は、絶縁基体と、信号導体と、リード端子と、を有する。絶縁基体は、第１面と、第１面に繋がる第２面と、第２面に開口する第１凹部と、を有する。また、絶縁基体は、絶縁材を含む。信号導体は、第１面上に位置する。リード端子は、信号導体に接続され、第１方向に延びるとともに、前記絶縁基体からはみ出して位置する。第１凹部は、第１面と直交するとともに第１方向を含む断面視をした場合、信号導体と絶縁材を介して対向している。

本開示の一実施形態に係る電子装置は、上述した構成の配線基体と、配線基体と接続された電子部品と、を備える。

本開示の一実施形態に係る配線基体は高周波特性に優れる。上述の配線基体を備える電子装置は、高周波信号の伝送効率に優れる。

本開示の一実施形態に係る電子装置の上方からの斜視図である。 図１に示す電子装置の下方からの斜視図である。 本開示の一実施形態に係る配線基体の上方からの斜視図である。 本開示の一実施形態に係る配線基体の上方からの斜視図である。 本開示の一実施形態に係る配線基体の上方からの斜視図である。 本開示の一実施形態に係る配線基体の上方からの斜視図である。 図４〜図６に示す配線基体の平面図である。 図３に示す配線基体のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩにおける断面図である。 図４に示す配線基体のＩＸ−ＩＸにおける断面図である。 図５に示す配線基体のＸ−Ｘにおける断面図である。 図６に示す配線基体のＸＩ−ＸＩにおける断面図である。 本開示の一実施形態に係る電子装置の上方からの斜視図である。

以下、本開示の実施形態に係る配線基体１および電子装置１００について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明では、配線基体１に電子部品１０１が実装された構成を電子装置１００とする。本明細書において、便宜的に、直交座標系ｘｙｚを定義する場合がある。また、ｚ方向の正側を上方とし、ｚ方向の負側を下方として説明する場合がある。

＜配線基体１の構成＞
図３〜図１１に示す配線基体１は、絶縁基体１０と、信号導体２０と、リード端子４０と、を備えている。

絶縁基体１０は絶縁材１１を含んでいる。絶縁材１１としては、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体または窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、またはガラスセラミック材料等の誘電体材料を用いることができる。

絶縁基体１０は、誘電体材料の積層によって形成されてもよい。本明細書において、誘電体材料の積層を絶縁層として説明する場合がある。また、絶縁基体１０は、第１面１２を有している。絶縁基体１０の形状は、例えば、直方体形状であってもよい。また、絶縁基体１０は、第１面１２に向かう平面視において、矩形状あるいはＵ字形であり、その大きさが２ｍｍ×２ｍｍ〜２５ｍｍ×５０ｍｍであってもよい。また、絶縁基体１０の高さは１ｍｍ〜１０ｍｍであってもよい。なお、絶縁基体１０および第１面１２の大きさは適宜設定できる。

第１面１２に向かう平面視において、第１面１２上には信号導体２０が位置している。信号導体２０は、後述する第１方向に沿って延びていてもよい。本明細書において、第１方向とは、リード端子４０が延びる方向である。また、第１方向は、図面のｘ軸方向に対応する。

本開示における信号導体２０は、高周波信号（例えば１０〜１００ＧＨｚ）が伝送される伝送路である。信号導体２０と接続されるリード端子４０は信号端子として機能する。

信号導体２０は、幅が０．０５ｍｍ〜２ｍｍ、第１方向に沿った長さが０．５ｍｍ〜２０ｍｍ、厚みが０．０１ｍｍ〜０．１ｍｍであってもよい。なお、信号導体２０の幅、長さ、および厚みは限定されるものではなく、適宜設定できる。

第１面１２には、グランド電位を有する接地導体２１が位置していてもよい。接地導体２１に接続されるリード端子４０は接地端子として機能する。接地導体２１は、信号導体２０に沿っていてもよい。信号導体２０が第１方向に沿って延びている場合、接地導体２１も第１方向に延びていてもよい。

接地導体２１の大きさは、幅が０．０５ｍｍ〜２ｍｍで、長さが０．５ｍｍ〜２０ｍｍで、厚みが０．０１ｍｍ〜０．１ｍｍあってもよい。なお、接地導体２１の幅、長さ、および厚みは適宜設定できる。

信号導体２０および接地導体２１は、それぞれ複数あってもよい。また、複数の信号導体２０および複数の接地導体２１は、交互に配列されていても、差動配線となるように配列されていてもよい。差動配線とは、図７に示すように、第１面１２に向かう平面視において、接地導体２１、信号導体２０、信号導体２０、接地導体２１の順に並んでいることを指す。信号導体２０と接地導体２１とが差動配線となるように配列された配線基体１は
、耐ノイズ性に優れる。また、複数の接地導体２１は、図７に示すように、第１面１２に向かう平面視で、第２面１３が位置する外周を基準としてｘ軸方向の負側で繋がっていてもよい。これによって、グランドとして機能する面積が増加する。グランドとして機能する面積が増加した配線基体１は、高周波特性が安定している。

信号導体２０および接地導体２１は第１面１２に形成されたメタライズ層であってもよい。メタライズ層は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）、銀（Ａｇ）、もしくは銅（Ｃｕ）を含んでいてもよく、ニッケルめっきあるいは金めっきなどが施されていてもよい。また、メタライズ層は、上述の金属材料のうち少なくとも１種以上を含有する合金等を含んでいてもよい。信号導体２０または接地導体２１と、リード端子４０とは接合材によって接続されてもよい。接合材は、例えば、半田あるいはろう材を用いることができる。

図７に示す通り、信号導体２０間、あるいは信号導体２０と接地導体２１との間には、第２凹部１５が位置していてもよい。第２凹部１５が形成する空間は比誘電率が１である空気で満たされており、信号導体２０近傍の実効的な誘電率が低くなるため、配線基体１のインピーダンスが整合される。インピーダンスが整合した配線基体１は、高周波特性に優れる。

第２凹部１５の形状は特に限定されないが、第２凹部１５の空間体積を大きくするために、第１方向に直交する断面視において、第２凹部１５を形成する絶縁材１１をテーパ状としてもよい。第２凹部１５の空間体積を大きくすることにより、信号導体２０近傍の実効的な誘電率を低くすることができる。信号導体２０近傍の実効的な誘電率を低くすることで、配線基体１のインピーダンスが整合される。インピーダンスが整合した配線基体１は、高周波特性に優れる。

第２凹部１５は、第１面１２に向かう平面視において、矩形状であってもよい。また、第２凹部１５は、第１面１２に向かう平面視において、半円形状あるいは半長円形状であってもよい。第２凹部１５の形状が半円形状あるいは半長円形状である配線基体１は、第２凹部１５の端部におけるクラックが少ない。

また、図７に示すように、第１面１２に向かう平面視において、第２凹部１５の端部には、窪み１６が位置していてもよい。窪み１６によって、信号導体２０近傍の実効的な誘電率が更に低くなるため、その結果、配線基体１のインピーダンスが整合される。インピーダンスが整合した配線基体１は、高周波特性に優れる。なお、窪み１６は、第１面１２に向かう平面視において、矩形状であってもよい。窪み１６は、半円形状、あるいは、半長円形状であってもよい。窪み１５が半円形状あるいは半長円形状である配線基体１は、第２凹部１５の端部におけるクラックが少ない。

リード端子４０は、第１面１２に向かう平面視をした場合に、第１方向に延びるとともに、絶縁基体１０からはみ出して位置する。リード端子４０は、信号導体２０あるいは接地導体２１に接続されており、外部の電気回路基板等と電気的に接続するために用いられる。信号導体２０あるいは接地導体２１に接続される各リード端子４０は、平行に位置していてもよい。これによって、各リード端子４０は、電気的に絶縁されるとともに、電磁気的な結合が低減された状態で外部の電気回路基板等と接続することができる。

リード端子４０は、第１方向に直交する断面視形状が、例えば、矩形状あるいは円形状であってもよい。また、リード端子４０は、図８〜図１１のように、第１面１２に直交するとともに第１方向を含む断面視において、一部が屈曲した形状であってもよいし、直線形状であってもよい。リード端子４０は、一部が屈曲した形状であることによって、配線
基体１を、リード端子４０を介してプリント板などに接続する際、配線基体１とプリント板との間に発生する応力を緩和できる。その結果、一部が屈曲した形状であるリード端子４０を有する配線基体１は応力による破損がしにくい。また、リード端子４０は、直線形状であることによって、リード端子４０の長さを短く形成することができる。その結果、直線形状であるリード端子４０を有する配線基体１は小型になる。

絶縁基体１０は、第１面１２と繋がる第２面１３を有している。第２面１３の形状は、第２面１３に向かう平面視で、例えば、矩形状であってもよい。第２面１３の形状が矩形状であるとき、第２面１３の大きさは２ｍｍ×２ｍｍ〜２５ｍｍ×５０ｍｍであってもよい。

図３に示すように、絶縁基体１０は、第２面１３に開口する第１凹部１４を有している。また、図８に示すように、第１凹部１４は、第１面１２と直交するとともに第１方向を含む断面視をした場合、信号導体２０と絶縁材１１を介して対向している。第１凹部１４を有する配線基体１は、信号導体２０の下方に絶縁材１１が位置しない領域ができる。その結果、配線基体１は、信号導体２０の下方に位置する絶縁材１１の厚みに起因した誘電体共振の発生が少なく、高周波特性に優れる。なお、信号導体２０および接地導体２１が差動配線となっている場合、第１凹部１４は、一対の信号導体２０と１つの第１凹部１４とが、絶縁材１１を介して対向していてもよい。

絶縁基体１０の厚み方向を第２方向としたとき、配線基体１は、第２方向において信号導体２０から第１凹部１４までの距離Ｄ１が、信号導体２０が伝送する信号の周波数における実効波長の１／２以下であってもよい。Ｄ１が伝送される実効波長の１／２以下であることによって、信号導体２０と第１凹部１４との間において、絶縁基体１０と信号導体２０との共振の発生を低減することができる。絶縁基体１０と信号導体２０との共振の発生が低減された配線基体１は、高周波特性に優れる。なお、実効波長とは、使用する高周波信号の波長を、絶縁基体１０の比誘電率の平方根で割ることによって求められるものである。また、第２方向は、図面のｚ軸方向に対応する。

図６に示すように、配線基体１は、信号導体２０および第１凹部１４を複数有していてもよい。このとき、第１凹部１４は、信号導体２０に一対一対応していてもよい。つまり、複数の信号導体２０のそれぞれの下方に、第１凹部１４が１つ位置していてもよい。言い換えると、配線基体１は、複数の信号導体２０と、それぞれの信号導体２０に対応する複数の第１凹部１４を有していてもよい。それぞれの信号導体２０に対応する複数の第１凹部１４を有する配線基体１は、誘電体共振の発生を低減できるため、高周波特性に優れる。また、後述のように絶縁基体１０を、絶縁層の積層と加圧によって形成する場合、複数の第１凹部１４が絶縁材１１で区切られていることで、第１凹部１４間の絶縁材１１が柱として機能するため、第１凹部１４の形状が保持されやすくなる。第１凹部１４の形状が保持された配線基体１は、強度が高いとともに、高周波信号の伝送が安定している。

複数の第１凹部１４を有するとき、第１面１２と直交するとともに第１方向および各第１凹部１４を含む断面視をした場合のそれぞれの絶縁基体１０の断面形状は、同形状であってもよい。また、各信号導体２０と対応する第１凹部１４とのＤ１も同じであってもよい。

絶縁基体１０は、第２面１３に繋がるとともに、第１面１２と反対に位置する第３面１７を有していてもよい。このとき、図４に示すように、第１凹部１４は、第２面１３から第３面１７にかけて開口していてもよい。第１凹部１４が第２面１３から第３面１７にかけて開口する配線基体１は、誘電体共振の発生を低減できるため、高周波特性に優れる。また、後述のように絶縁基体１０を、絶縁層の積層と加圧によって形成する場合、第１凹
部１４が第２面１３から第３面１７にかけて開口することで、第１凹部１４の下方に絶縁材１１が存在しない。そのため、第１凹部１４を形成する絶縁材１１のうち未加圧になってしまう部分が少ない。第１凹部１４を形成する絶縁材１１のうち未加圧となる部分が少ない配線基体１は、強度が高いとともに、高周波信号の伝送が安定している。

第１凹部１４が第２面１３から第３面１７にかけて開口するとき、第３面１７に向かう平面視で第３面１７はＵ字形状であってもよい。また、第１面１２と直交するとともに第１方向を含む断面視をした場合における絶縁基体１０の断面形状は、図９に示すように、Ｌ字形状となっていてもよい。

第３面１７の形状は、例えば、矩形状であってもよい。第３面１７の形状が矩形状であるとき、第３面１７の大きさは２ｍｍ×２ｍｍ〜２５ｍｍ×５０ｍｍであってもよい。

第２方向における第１凹部１４の幅Ｗ１は、空間波長λの１／４以上であってもよい。Ｗ１が空間波長λの１／４以上であることにより、電磁界が第１凹部１４を介して第１凹部１４の下部の絶縁材１１に伝搬しにくくなるため、誘電体共振の発生を低減できる。そのため、Ｗ１が空間波長λの１／４以上である配線基体１は、高周波特性に優れる。なお、本明細書において、空間波長とは使用する高周波信号の真空中での波長を指す。

図５に示すように、第１凹部１４は、第２面１３を基準として第１方向の負側にかけてＷ１が狭くなる段部１４１を有していてもよい。言い換えると、第１凹部１４は、第２面１３に向かう平面視における第１凹部１４の底を基準として、ｘ軸の正側にかけてＷ１が大きくなるように段部１４１が位置していてもよい。更に言い換えると、図１０に示すように、第１面１２と直交するとともに第１方向を含む断面視をした場合、絶縁基体１０は、第２面１３を基準として第１方向の負側にかけてｚ軸の正側に向かって高くなる階段状となっている部分を有していてもよい。配線基体１は、外部環境との比誘電率の差の影響を受けるため、第１面１２に向かう平面視で、絶縁基体１０の外周近くに位置する信号導体２０の直下ほど共振が発生しやすい。これに対し、第１凹部１４が、上述の段部１４１を有するので、絶縁基体１０と信号導体２０との共振の発生を低減できる。そのため、段部１４１を有する配線基体１は、高周波特性に一層優れる。

段部１４１の大きさは、例えば、第１方向の長さが０．１ｍｍ〜０．３ｍｍ、第２方向の長さが０．１ｍｍ〜０．３ｍｍであってもよい。また、段部１４１は１〜５段あってもよい。

本明細書において、第１方向における第１凹部１４の深さをｄ１とする。また、第１面１２と直交するとともに第１方向を含む断面視をした場合、リード端子４０の端部のうち第１面１２上に位置する端部から絶縁基体１０の外周までの距離をＤ２とする。図８〜図１０に示すように、ｄ１はＤ２よりも大きくてもよい。これによって、第１凹部１４の空間体積を大きく設計しやすくなるため、絶縁基体１０と信号導体２０との共振の発生を一層低減できる。そのため、ｄ１がＤ２よりも大きく、第１凹部１４の空間体積が大きい配線基体１は、高周波特性に優れる。また、図１１に示すように、配線基体１は、ｄ１が、Ｄ２以下でもよい。ｄ１がＤ２以下であることによって、第１凹部１４の空間体積を小さく設計しやすくなる。第１凹部１４の空間体積が小さい配線基体１は、強度が高い。

絶縁基体１０は、絶縁層間に内層導体２２を含んでいてもよい。例えば、絶縁層間に位置する内層導体２２は、第１面１２に向かう平面透視をした場合、信号導体２０、接地導体２１、第２凹部１５の周囲、および窪み１６の周囲と重なる位置等に位置していてもよい。なお、本明細書において、平面透視とは、任意の平面に向かって透視をしたものであり、奥行きが異なる物体の位置関係を説明する場合に用いる。

内層導体２２は、高周波信号が伝送される導体である場合、ビア導体３０によって、第１面１２上に位置する信号導体２０と接続してもよい。信号導体２０と接続する内層導体２２は、信号導体２０と第１凹部１４との間に位置していなくてもよく、これによって、絶縁基体１０と信号導体２０との共振の発生を低減できる。

内層導体２２がグランド電位である場合、第１面１２上に位置する接地導体２１と接続してもよい。また、図１１に示すように、グランド電位を有する内層導体２２は、第２面１３を基準として第１凹部１４のｘ軸の負側に位置していてもよい。これによって、信号導体２０の下方にグランド電位が位置することになるため、その結果、インピーダンスが整合される。インピーダンスが整合された配線基体１は、高周波特性に優れる。

ビア導体３０によって絶縁層間に位置する内層導体２２と信号導体２０および接地導体２１と接続する場合、それぞれと接続する内層導体２２同士は、短絡しないように配置される必要がある。また、同じ電位を持つ内層導体２２は、それぞれがビア導体３０で接続されていてもよい。

絶縁基体１０は、第１面１２および電子部品１０１が実装される部分である載置部５１を有していてもよい。言い換えると、載置部５１は絶縁基体１０と一体であってもよい。絶縁基体１０が載置部５１を有している場合、載置部５１は、第１面１２上に位置する面であってもよいし、第１面１２と反対に位置する面であってもよい。また、載置部５１は、絶縁基体１０と別体である基板５０に位置していてもよい。

基板５０は、平面視をした場合、例えば矩形状であってもよく、平面視をした場合の大きさが５ｍｍ×１０ｍｍ〜５０ｍｍ×５０ｍｍであってもよい。

基板５０は、例えば、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）あるいはタングステン（Ｗ）のような金属、あるいはこれらの金属の合金を含んでいてもよい。基板５０が金属材料を含むとき、金属材料のインゴットに圧延加工法、打ち抜き加工法のような金属加工法を施すことによって、基板５０を作製することができる。また、基板５０は、誘電体材料を含んでいてもよい。誘電体材料としては、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体あるいは窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料あるいはガラスセラミック材料を用いることができる。基板５０が誘電体材料を含んでいる場合、基板５０の表面には、ニッケルめっきあるいは金めっきを設けてもよい。ニッケルめっき、あるいは金めっきを表面に設けた基板５０は、接合材の濡れ性、耐腐食性および耐候性に優れる。

絶縁基体１０は、載置部５１を囲んで位置する枠部６０を有していてもよい。枠部６０は絶縁基体１０と一体であってもよい。また、枠部６０は、絶縁基体１０と別体であってもよい。枠部６０には、側壁に貫通孔６２を設けて、光ファイバ等を配線基体１に導入できるようにしてもよい。なお、図１、図２および図１２では載置部５１、枠部６０および絶縁基体１０が別体になっている配線基体１を開示している。

枠部６０は、平面視をした場合、矩形状であってもよい。枠部６０の大きさは、例えば、５ｍｍ×１０ｍｍ〜５０ｍｍ×５０ｍｍで、高さが２ｍｍ〜１５ｍｍであってもよい。枠部６０の、厚みは０．５ｍｍ〜２ｍｍであってもよい。

枠部６０は、例えば、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）あるいはタングステン（Ｗ）のような金属、ある
いはこれらの金属の合金を含んでいてもよい。枠部６０が金属材料を含むとき、金属材料のインゴットに圧延加工法、打ち抜き加工法のような金属加工法を施すことによって、枠部６０を作製することができる。また、枠部６０は、誘電体材料を含んでいてもよい。誘電体材料としては、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体あるいは窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料あるいはガラスセラミック材料を用いることができる。枠部６０が誘電体材料を含んでいる場合、枠部６０の表面には、ニッケルめっきあるいは金めっきを設けてもよい。表面にニッケルめっき、あるいは金めっきを設けた枠部６０は、接合材との濡れ性、耐腐食性および耐候性に優れる。

載置部５１および枠部６０が絶縁基体１０と別体であるとき、枠部６０の側壁には配線基体１が篏合される篏合部６１を有していてもよい。篏合部６１は、電子部品１０１が実装される載置部５１の実装面に沿った方向に枠部６０の内外を貫通していてもよい。

＜電子装置１００の構成＞
図１２に示す電子装置１００は、上述した配線基体１と、電子部品１０１と、を備えている。

電子部品１０１は、例えば、コンデンサ、ＬＤ（Laser diode）あるいはＰＤ（Photo Diode）等の光半導体であってもよい。また、電子部品１０１は、ＬＥＤ（Light Emitting
Diode）等の発光素子あるいはＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路等であ
ってもよい。

電子装置１００は、載置部５１に電子部品１０１を搭載している。電子部品１０１は、例えば、ボンディングワイヤあるいはフリップチップなどで配線基体１と電気的に接続している。

電子装置１００は、蓋体１０２を備えていてもよい。蓋体１０２は、枠部６０の上方に位置し、電子装置１００を覆っていてもよい。蓋体１０２が電子装置１００を覆うとき、蓋体１０２は、電子装置１００を封止していてもよい。枠部６０が絶縁基体１０と別体であるとき、蓋体１０２と枠部６０とは一体であってもよい。蓋体１０２と枠部６０と一体であるとき、枠部６０と基体２とは同じ材料から構成されていてもよい。蓋体１０２と枠部６０とが別体であるとき、蓋体１０２と枠部６０とは接合材で接合されていてもよい。接合材は、例えば、熱硬化性樹脂または低融点ガラスまたは金属成分を含むろう材等を用いることができる。

蓋体１０２は、第１面１２に向かう平面視をした場合、矩形状であってもよく、矩形状である場合、大きさが５ｍｍ×１０ｍｍ〜５０ｍｍ×５０ｍｍで、厚みが０．５ｍｍ〜２ｍｍであってもよい。蓋体１０２は、例えば、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）あるいはタングステン（Ｗ）のような金属、あるいはこれらの金属の合金を含んでいてもよい。このような金属材料のインゴットに圧延加工法、打ち抜き加工法のような金属加工法を施すことによって、蓋体１０２を構成する金属部材を作製することができる。

＜配線基体１および電子装置１００の製造方法＞
次に、本開示の一実施形態の配線基体１および電子装置１００の製造方法の一例について説明する。なお、下記で示す製造方法の一例は、多数個取り基体を用いた絶縁基体１０の製造方法である。

（１）まず、絶縁基体１０を構成するセラミックグリーンシートを形成する。主に酸化
アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）質焼結体である絶縁基体１０を得る場合は、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３の粉末に、焼結助材としてシリカ（ＳｉＯ_２）、マグネシア（ＭｇＯ）またはカルシア（ＣａＯ）等の粉末を添加する。そして、Ａｌ_２Ｏ_３の粉末に対して、適当なバインダー、溶剤および可塑剤を更に添加する。添加後に混錬することで、混合物をスラリー状とする。多数個取り基体用のセラミックグリーンシートは、スラリー状の混合物に、ドクターブレード法またはカレンダーロール法等の成形方法を施すことで得る。このとき、セラミックグリーンシートの所定の位置に、第１凹部１４、第２凹部１５および窪み１６となる切欠きを設けてもよい。第１凹部１４、第２凹部１５および窪み１６を設ける場合、セラミックグリーンシートの所定の箇所に、金型、パンチングあるいはレーザ等を用いて切欠きを設けてもよい。

（２）次に、スクリーン印刷法等によって、上記（１）の工程で得られたセラミックグリーンシートのうち、信号導体２０、接地導体２１、内層導体２２およびビア導体３０等となる部分に、金属ペーストを塗布または充填する。金属ペーストは、上述した金属材料を含む金属粉末に適当な溶剤およびバインダーを加えて混練し、適度な粘度に調整して作製する。金属ペーストは、絶縁基体１０との接合強度を高めるために、ガラスまたはセラミックスを含んでいてもよい。

（３）次に、（２）までの工程で得られたセラミックグリーンシートを、金型等で加工する。

（４）次に、（３）により加工されたセラミックグリーンシートを積層し、加圧することにより、セラミックグリーンシート積層体を得る。

（５）次に、このセラミックグリーンシート積層体を約１５００℃〜１８００℃の温度で焼成し、絶縁基体１０が複数配列された多数個取り基体を得る。なお、（１）の工程で、第１凹部１４、第２凹部１５および窪み１６となる切欠きを設けておくことで、焼成後に、第１凹部１４、第２凹部１５および窪み１６を作製できる。また、（５）の工程によって、前述した金属ペーストは、絶縁基体１０となるセラミックグリーンシートとともに焼成され、それぞれ信号導体２０、接地導体２１、内層導体２２およびビア導体３０となる。上記の製造方法によって得られた配線基体１は、絶縁基体１０に、信号導体２０、接地導体２１、内層導体２２およびビア導体３０を備える。

（６）次に、（５）の工程で得られた配線基体１の表面にめっきなどの表面処理を行う。

（７）次に、配線基体１が複数配列された多数個取り基体を分断する。多数個取り基体の分断は、配線基体１の外縁となる箇所に沿って多数個取り基体に分断溝を形成し、分割溝に沿って破断させてもよい。あるいは、多数個取り基体の分断は、スライシング装置等を用い、配線基体１の外縁となる箇所に沿って切断してもよい。分断溝は、焼成後にスライシング装置により多数個取り基体の厚みより小さく切り込むことによって形成してもよい。分断溝は、多数個取り基体用のセラミックグリーンシート積層体にカッター刃を押し当てたり、スライシング装置によりセラミックグリーンシート積層体の厚みより小さく切り込んだりすることで形成してもよい。なお、上述した多数個取り基体は、分断する前に電解を用いて、配線基体１にめっきを被着させてもよい。あるいは、上述した多数個取り基体は、分割した後に電解を用いて、配線基体１にめっきを被着させてもよい。

（８）次に、電子部品１０１を、配線基体１に実装することにより、電子装置１００を得ることができる。電子部品１０１はワイヤボンディング等の接合材で配線基体１に電気的に接合させてもよい。このとき、電子部品１０１または配線基体１に接着材等を用いる
ことで、電子部品１０１を配線基体１に固定してもよい。また、配線基体１と蓋体１０２とは、電子部品１０１を配線基体１に実装した後に、接合材を用いて接合してもよい。

なお、本開示は上述の実施形態の例に限定されるものではない。また、各構成は、数値などの種々の変形が可能である。なお、本開示の一実施形態の種々の組み合わせは上述の実施形態の例に限定されるものでない。

１：配線基体
１０：絶縁基体
１１：絶縁材
１２：第１面
１３：第２面
１４：第１凹部
１４１：段部
１５：第２凹部
１６：窪み
１７：第３面
２０：信号導体
２１：接地導体
２２：内層導体
３０：ビア導体
４０：リード端子
５０：基板
５１：載置部
６０：枠部
６１：篏合部
６２：貫通孔
１００：電子装置
１０１：電子部品
１０２：蓋体

Claims (8)

1. 第１面と、前記第１面に繋がる第２面と、該第２面に開口する第１凹部とを有する絶縁基体と、
   前記第１面上に位置する信号導体と、
   前記信号導体に接続され、前記第１面に向かう平面視をした場合に、第１方向に延びるとともに、前記絶縁基体からはみ出して位置するリード端子と、を有し、
   前記絶縁基体は、絶縁材を含み、
   前記第１凹部は、前記第１面と直交するとともに前記第１方向を含む断面視をした場合、前記信号導体と前記絶縁材を介して対向している、配線基体。
2. 前記絶縁基体の厚み方向である第２方向において、前記信号導体から前記第１凹部までの距離をＤ１とし、
   前記Ｄ１は、前記信号導体が伝送する信号の周波数における実効波長の１／２以下である、請求項１に記載の配線基体。
3. 前記第１方向における前記第１凹部の深さをｄ１とし、
   前記断面視をした場合、前記第１面上に位置する前記リード端子の端部から前記絶縁基体の外周までの距離をＤ２とし、
   前記ｄ１は、前記Ｄ２よりも大きい、請求項１または請求項２に記載の配線基体。
4. 前記第２方向における前記第１凹部の幅をＷ１とし、
   前記Ｗ１は、空間波長λの１／４以上である、請求項１〜３のいずれか１つに記載の配線基体。
5. 前記第１凹部は、前記第２面から第１方向にかけて前記Ｗ１が狭くなる段部を有している、請求項４に記載の配線基体。
6. 前記信号導体および前記第１凹部を複数有し、
   前記第１凹部は、前記信号導体に一対一対応する、請求項１〜５のいずれか１つに記載の配線基体。
7. 前記絶縁基体は、前記第２面に繋がるとともに、前記第１面と反対に位置する第３面を有し、
   前記第１凹部は、前記第２面から前記第３面にかけて開口している、請求項１〜６のいずれか１つに記載の配線基体。
8. 請求項１〜請求項７のいずれか１つに記載の配線基体と、
   該配線基体と接続された電子部品と、を備える電子装置。
   

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