JP2004356392A - 入出力端子、入出力端子の製造方法、入出力端子を用いた半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】上面に一辺から対向する他辺にかけて形成された線路導体3および下面に下部接地導体2を有するセラミックスから成る平板部1と、この平板部1の上面に線路導体3の一部を間に挟んで接合され、上面に上部接地導体6が形成されたセラミックスから成る直方体状の立壁部5とを具備し、立壁部5は複数のセラミック層が積層されて成るとともに、最下層のセラミック層5aの線路導体3の線路方向における幅が残部のセラミック層5bの幅よりも広い入出力端子8、およびこの入出力端子8を備えた半導体素子収納用パッケージならびに半導体装置。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波信号で作動する半導体素子を収納するための半導体素子収納用パッケージに関し、半導体素子収納用パッケージの信号入出力部に使用される入出力端子、入出力端子の製造方法およびこの入出力端子を具備している半導体素子収納用パッケージならびに半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、マイクロ波帯やミリ波帯等の高周波信号を用いる半導体素子を収納するための半導体素子収納用パッケージ(以下、パッケージともいう)には、半導体素子と外部電気回路基板とを電気的に接続するための入出力端子が設けられている。この入出力端子を図4に斜視図で示す。
【0003】
同図において、101はアルミナ(Al2O3)質焼結体,窒化アルミニウム(AlN)質焼結体またはムライト(3Al2O3・2SiO2)質焼結体等の誘電体から成る四角平板状の平板部であり、平板部101はその上面に、一辺から対向する他辺にかけて形成され、タングステン(W),モリブデン(Mo)等のメタライズ層から成る線路導体103が形成される。また、平板部101の下面には、その全面に線路導体103と同様のメタライズ層から成る下部接地導体102を有する。
【0004】
また、平板部101の上面には、線路導体103の一部を間に挟んで接合されるとともに、上面に上部接地導体106を有するAl2O3質焼結体,AlN質焼結体または3Al2O3・2SiO2質焼結体等の誘電体から成る直方体状の立壁部105が設置される。そのため、線路導体103は、平板部101と立壁部105とに狭持されていない部位のマイクロストリップ線路と、平板部101と立壁部105とに狭持される部位のストリップ線路とから成る。また、線路導体103の線路方向にほぼ平行な平板部101と立壁部105の側面には線路導体103と同様のメタライズ層から成る側面接地導体107が形成されている(例えば、特許文献1参照)。
【0005】
このような入出力端子108は、パッケージの側壁部に設けられた入出力端子の取付部にロウ付けして取付けられることによりパッケージ内外を遮断,封止し、パッケージ内部を気密に保つ。
【0006】
この入出力端子108の立壁部105は、図5に示すように、平板部101となるセラミックグリーンシートの上に立壁部105となる複数のセラミックグリーンシート105aを順次積層し、その後焼結させて作製される。
【0007】
このような入出力端子108は、上面の中央部に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、この基体の上面に載置部を囲繞するように取着され、側部に形成された貫通孔または切欠きに入出力端子108の取付部が形成された枠体とから成るパッケージにおいて、枠体が金属製である場合(メタルウォールタイプ)は取付部に嵌着されロウ付けされることにより、または枠体がセラミックス製である場合(セラミックウォールタイプ)は、上記の入出力端子108と枠体とが一体的に形成されることにより、内部に収容する半導体素子と外部電気回路基板との間で入出力される信号の伝送線路として機能する。
【0008】
【特許文献1】
特開2002−100693号公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の入出力端子108では、立壁部105となるセラミックグリーンシート105aを平板部101となるセラミックグリーンシートの上面の同一箇所に順次積層していくと、平板部101の上面の同一箇所にセラミックグリーンシート105aを積層するための圧力が繰り返し加わることとなり、この圧力によって平板部101となるセラミックグリーンシートの上面の立壁部105が積層される部位が凹んでしまう場合があった。平板部101となるセラミックグリーンシートが凹むことによって、平板部101となるセラミックグリーンシートにクラックが生じ、上面に形成された線路導体103が断線してしまったり、パッケージ内部を気密に保持できなくなったりする等の問題点が発生していた。
【0010】
また立壁部105を平板部101に積層する際に、立壁部105となるセラミックグリーンシート105aのみをすべて先に積層し、先に積層された立壁部105を平板部101となるセラミックグリーンシートの上面に積層することも考えられる。この場合には、平板部101の上面への積層回数を1回だけとすることができるが、平板部101の上面に立壁部105を積層する際に、立壁部105の上側から積層するための圧力を加えると、上面から加えられた圧力が複数のセラミックグリーンシート105aに吸収されて、立壁部105を平板部101の上面に積層するための圧力が平板部101の上面に伝わり難くなる。その結果、平板部101の上面に立壁部105を強固に固定できなくなり、パッケージ内部を気密に保持できなくなる等の問題点が発生していた。
【0011】
またこの場合には、立壁部105を平板部101の上面に積層する際、立壁部105はセラミックグリーンシート105aが複数積層されて成るため塑性変形し難く、立壁部105を平板部101の上面に積層する際に線路導体103の両側に線路導体103の厚さによって生じる段差を埋めるのが困難となり、線路導体103の両側に隙間が生じてしまい易く、この隙間によって、パッケージ内部を気密に保持できなくなるという問題が発生していた。
【0012】
また近時、パッケージの小型化のため、入出力端子108が小型化され入出力端子108の幅が狭くなり線路導体103と平板部101の側面までの距離が短くなる傾向にあるとともに、パッケージの多機能化のため、平板部101の上面に複数の線路導体103を狭い間隔で配置する傾向にあり、セラミックグリーンシート105aを塑性変形させて線路導体103の両側の段差を埋めることがより困難となってきた。従って、このような入出力端子108においては、線路導体103の両側に隙間が生じてしまい易く、パッケージ内部を気密に保持できなくなるという問題が顕著に現れるようになってきた。
【0013】
従って、本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、半導体素子収納用パッケージに収容した半導体素子に高周波信号を入出力させる入出力端子の線路導体の断線を防止するとともに、半導体素子収納用パッケージの内部を気密に保持することのできる入出力端子、およびこれを用いた高周波信号の入出力が良好で、気密性に優れた半導体素子収納用パッケージならびに半導体装置を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明の入出力端子は、上面に一辺から対向する他辺にかけて形成された線路導体および下面に下部接地導体を有するセラミックスから成る平板部と、この平板部の上面に前記線路導体の一部を間に挟んで接合され、上面に上部接地導体が形成されたセラミックスから成る直方体状の立壁部とを具備している入出力端子において、前記立壁部は、複数のセラミック層が積層されて成るとともに、最下層のセラミック層の前記線路導体の線路方向における幅が残部の前記セラミック層の幅よりも広いことを特徴とするものである。
【0015】
本発明の入出力端子によれば、立壁部の最下層のセラミック層の線路導体の線路方向における幅が、立壁部の残部のセラミック層の幅よりも広いことより、平板部の上面に立壁部を積層する際に加わる圧力が、最下層のセラミック層の幅と残部のセラミック層の幅との間の領域、すなわち最下層のセラミック層の残部のセラミック層が積層されていない領域に分散される。このため、平板部の立壁部が積層される部位の凹みが緩やかに傾斜した凹みとなり、上面に形成された線路導体が断線したり、平板部の凹み部分でクラックが生じたりするのを緩和することができ、気密性に優れたものとすることができる。
【0016】
また残部のセラミック層の積層位置が多少ずれても、最下層のセラミック層の幅が残部のセラミック層の幅よりも幅広とされていることより、残部のセラミック層の積層が容易となる。
【0017】
また、本発明の入出力端子の製造方法は、前記平板部となるセラミックグリーンシートの上面に前記立壁部の前記最下層のセラミック層となるセラミックグリーンシートを積層し、次いで前記立壁部の残部の前記セラミック層となる複数のセラミックグリーンシート同士を積層し、前記最下層のセラミック層となるセラミックグリーンシートの上に積層して前記入出力端子となるセラミックグリーンシートの積層体を作製し、その後この積層体を焼成することを特徴とする。
【0018】
本発明の入出力端子の製造方法によれば、平板部となるセラミックグリーンシートの上面に立壁部の最下層のセラミック層となるセラミックグリーンシートを積層し、次いで立壁部の残部のセラミック層となる複数のセラミックグリーンシート同士を積層し、最下層のセラミック層となるセラミックグリーンシートの上に積層して入出力端子となるセラミックグリーンシートの積層体を作製することから、一層ずつ積層する方法に対し、平板部の上面の同一箇所にセラミックグリーンシートを積層するための圧力が繰り返し加わることを防止でき、その結果、立壁部となるセラミックグリーンシートを積層するための圧力によって平板部上面の立壁部が積層される部位が深く凹むのを防止し、平板部にクラックが生じるのを防止するとともに、線路導体が断線するのを防止し、パッケージ内部を気密に保持することができる入出力端子を製造できる。
【0019】
また、平板部となるセラミックグリーンシートの上面に立壁部の最下層のセラミック層となるセラミックグリーンシートを積層し、次いで立壁部の残部のセラミック層となる複数のセラミックグリーンシート同士を積層し、最下層のセラミック層となるセラミックグリーンシートの上に積層することから、線路導体を有する平板部の上面に最下層のセラミック層となるセラミックグリーンシートを単層で積層するので、十分な積層圧力を加えることができ、最下層のセラミック層となるセラミックグリーンシートが塑性変形して線路導体の両側にある段差を埋めることが容易となる。その結果、線路導体の両側に隙間が生じることがなく、パッケージの内部を気密に保持できる。また、複数の線路導体が狭い間隔で配置されても線路導体の両側の段差を埋めることが容易なので、複数の線路導体が狭い間隔で配置される多機能なパッケージ用の入出力端子とすることができる。
【0020】
また、最下層のセラミック層となるセラミックグリーンシートが幅広であることより、残部のセラミック層となるセラミックグリーンシートを積層する際に平板部に加わる圧力を分散させ、平板部にクラック等の破損が発生するのを防止できる。
【0021】
また残部のセラミック層が積層位置から多少ずれて積層されたとしても、立壁部の最下層のセラミック層の幅が立壁部の残部セラミック層の幅よりも幅広とされていることにより、確実に積層することができる。
【0022】
また、本発明の半導体素子収納用パッケージは、上面の中央部に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、この基体の上面に前記載置部を囲繞するように取着され、側部に形成された貫通孔または切欠きから成る入出力端子の取付部が形成された枠体と、前記取付部に嵌着された上記本発明の入出力端子とを具備していることを特徴とする。
【0023】
本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、本発明の入出力端子を具備していることより、気密性に優れたパッケージとすることができ、多数の信号を入出力するための多数の線路導体を備えた小型のパッケージとすることができる。
【0024】
また、本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置されるとともに前記入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に前記枠体の内側を塞ぐように取着された蓋体とを具備していることを特徴とする。
【0025】
本発明の半導体装置によれば、本発明の半導体素子収納用パッケージを具備していることより、気密性を要する半導体素子を収納することができ、多数の信号を入出力するための多数の線路導体を備えた多機能な半導体装置とすることができる。
【0026】
【発明の実施の形態】
本発明の入出力端子、半導体素子収納用パッケージならびに半導体装置について以下に詳細に説明する。図1は本発明の入出力端子の実施の形態の一例を示す斜視図である。同図において、1は平板部、2は下部接地導体、3は線路導体、5は立壁部、5aは立壁部の最下層のセラミック層、5bは立壁部の残部のセラミック層、6は上部接地導体、8は入出力端子である。
【0027】
本発明の入出力端子8は、上面に一辺から対向する他辺にかけて形成された線路導体3および下面に下部接地導体2を有するセラミックスから成る四角平板状の平板部1と、この平板部1の上面に線路導体3の一部を間に挟んで接合され、上面に上部接地導体6が形成されたセラミックスから成る直方体状の立壁部5とを具備しており、平板部1と立壁部5は複数のセラミックグリーンシートが積層された積層体を焼結した複数のセラミック層から成り、立壁部5の最下層のセラミック層5aの線路導体3の線路方向における幅W1が立壁部5の残部セラミック層5bの幅W2よりも広い形状とされている。
【0028】
平板部1は、アルミナ(Al2O3)質焼結体,窒化アルミニウム(AlN)質焼結体,ムライト(3Al2O3・2SiO2)質焼結体等のセラミックスからなる四角平板状のものである。
【0029】
線路導体3は、平板部1の上面に一辺から対向する他辺にかけて形成されたタングステン(W),モリブデン(Mo)等のメタライズ層から成り、パッケージの外部に露出する一端に鉄(Fe)−ニッケル(Ni)−コバルト(Co)合金やFe−Ni合金等の金属から成るリード端子(図示せず)等が接続される。線路導体3は通常厚さ5〜50μm、幅0.1〜3mmに形成される。
【0030】
立壁部5は、Al2O3質焼結体,AlN質焼結体,3Al2O3・2SiO2質焼結体等のセラミックスからなる直方体状のものであり、平板部1の上面に線路導体3の一部を間に挟んで接合されている。
【0031】
また通常、平板部1の下面および立壁部5の上面にはそれぞれ全面に線路導体3と同様のメタライズ層から成る下部接地導体2および上部接地導体6を有する。さらに、平板部1の側面および立壁部5の側面には線路導体3と同様のメタライズ層から成る側面接地導体7が形成されている。これらの下部接地導体2、上部接地導体6および側面接地導体7により、線路導体3に対する接地が強化され、線路導体3の高周波信号の伝送特性が優れたものとなる。
【0032】
また、立壁部5は図2(a)に示すように複数のセラミックグリーンシートが積層されて成り、立壁部5の最下層のセラミック層5aの幅W1が立壁部5の残部のセラミック層5bの幅W2よりも幅広とされている。
【0033】
最下層のセラミック層5aの幅W1が残部のセラミック層5bの幅W2より幅広とされていることにより、平板部1の上面に立壁部5を積層する際に平板部1の上面に加わる圧力が、最下層のセラミック層5aの幅W1と残部のセラミック層5bの幅W2との間の領域、すなわち最下層のセラミック層5aの残部のセラミック層5bが積層されていない領域に分散されることとなる。このため、平板部1の立壁部が積層される部位に生じる凹みがこの領域にゆるやかな傾斜を有する形状の凹みとなり、この傾斜が急峻な場合にその急峻な傾斜部に応力が集中してクラックが生じたり、上面に形成された線路導体3が急峻な傾斜により断線したりすることを緩和することができる。その結果、気密封止性がよく、線路導体3の導通信頼性もよい入出力端子とすることができる。
【0034】
また、最下層のセラミック層5aの上に残部のセラミック層5bを積層する際に、最下層のセラミック層5aの幅W1が幅広とされているために、残部のセラミック層5bの積層位置が幅方向に多少ずれても問題なく積層できる。
【0035】
このような入出力端子8は以下のようにして作製される。例えば、Al2O3質焼結体(アルミナ質セラミックス)から成る場合、先ず酸化アルミニウム,酸化珪素(SiO2),酸化マグネシウム(MgO)および酸化カルシウム(CaO)等の原料粉末に適当な有機バインダ,可塑剤,溶剤等を添加混合して泥漿状と成す。これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等のテープ成形技術により複数のセラミックグリーンシートを得てから、それぞれのセラミックグリーンシートを所定形状に打ち抜き加工する。
【0036】
次に、タングステン(W),モリブデン(Mo)等の高融点金属粉末に適当な有機バインダ,可塑剤,溶剤等を添加混合して得た金属ペーストを、このセラミックグリーンシートにスクリーン印刷法等の厚膜形成技術により印刷塗布することによって下部接地導体2,線路導体3,上部接地導体6となるメタライズ層の所定パターンに形成する。その後、平板部1となるセラミックグリーンシートの上面の所定位置に立壁部5の最下層のセラミック層5aとなるセラミックグリーンシートを積層し、次いで立壁部5の残部のセラミック層5bとなるセラミックグリーンシート同士を複数枚積層し、これを最下層のセラミック層5aとなるセラミックグリーンシートの上に積層して入出力端子8となるセラミックグリーンシートの積層体を得る。最後に、この積層体の側面接地導体7となる部分に上記同様の金属ペーストを塗布した後、これを還元雰囲気中、約1600℃の温度で焼成することにより製作される。
【0037】
図2(a)に示すように、平板部1となるセラミックグリーンシートの上面に立壁部5となるセラミックグリーンシートを一層ずつ積層する方法では、平板部1の上面のセラミックグリーンシートの積層部分に各層のセラミックグリーンシートを積層するための圧力が繰り返し加わることとなる。これに対し、上記方法によれば、平板部1の上面の積層部分に加わる圧力は、図2(b)に示すように、最下層のセラミックグリーンシート5aを積層するときと、残部のセラミックグリーンシート5bを積層するときとの2度だけとなるので、積層圧力が平板部1に繰り返し加わって平板部1の上面に生じる凹みの深さを浅くすることができる。これにより、平板部1の凹み部分に生じる応力を少なくし、クラックの発生を減少させることができるとともに、線路導体3が凹み部分で断線するのを防止することができて、気密封止性がよく線路導体3の接続にも問題がない入出力端子8とすることができる。
【0038】
また、図2(b)に示すように、平板部1となるセラミックグリーンシートの上面の所定位置に最下層のセラミック層5aとなるセラミックグリーンシートを単層で積層するので、最下層のセラミック層5aとなるセラミックグリーンシートに積層圧力を十分にかけることができる。したがって、最下層のセラミック層5aとなるセラミックグリーンシートが十分に塑性変形し、線路導体3の両側にある段差を容易に埋めることができる。その結果、線路導体3の両側に隙間が生じることがなく、パッケージの気密性を高めることができる。また、複数の線路導体が狭い間隔で配置されていても、線路導体3の両側の段差を埋めることが容易なので、複数の線路導体3が狭い間隔で多数配置される多機能なパッケージ用の入出力端子8とすることができる。
【0039】
さらにまた、最下層のセラミック層5aとなるセラミックグリーンシートが幅広であることより、残部のセラミック層5bを積層する際に平板部1の上面に加わる圧力が、最下層のセラミック層5aの幅W1と残部のセラミック層5bの幅W2との間の領域に分散されることとなり、平板部1の立壁部5が積層される部位に生じる凹みがゆるやかな傾斜を有するものとなり、凹み部分に生じる応力が分散して平板部1にクラックが生じたり、線路導体3が断線したりすることを防止することができる。
【0040】
立壁部5の最下層のセラミック層5aの幅W1は、残部のセラミック層5bの幅をW2とすれば、W2+0.1mm≦W1≦W2+0.5mmとするのがよく、これにより残部のセラミック層5bとなるセラミックグリーンシートを最下層のセラミック層5aとなるセラミックグリーンシートの上に積層する際に平板部1に加わる圧力を有効に分散させ、平板部1にクラック等の破損が発生するのを防止できる。また、最下層のセラミック層5aの上に残部のセラミック層5bが多少ずれて積層されても、残部のセラミック層5bを最下層のセラミック層5aの上に問題なく積層することができるとともに、線路導体3が最下層のセラミック層5aで覆われる部分を最小限に抑えることができる。
【0041】
W1<W2+0.1mmの幅であると、最下層のセラミック層5aの幅が残部のセラミック層5bの幅に対して十分に幅広とならず、残部のセラミック層5bとなるセラミックグリーンシートを積層する際に平板部1に加わる圧力を十分分散させることができず、平板部1にクラック等の破損が発生するのを防止できない場合があり、また、最下層のセラミック層5aの上に残部のセラミック層5bがずれて積層されると、残部のセラミック層5bを最下層のセラミック層5aの上に問題なく積層することができなくなる場合がある。
【0042】
またW1>W2+0.5mmの幅であると、最下層のセラミック層5aの幅が幅広となりすぎて、最下層のセラミック層5aに覆われる線路導体3の長さが長くなってしまう。即ち、平板部1に露出する線路導体3の面積が小さいものとなって、線路導体3にリード端子をロウ付けして外部電気回路基板と電気的に接続したり、ボンディングワイヤを介して半導体素子と電気的に接続することが困難となったりする場合がある。また、線路導体3が立壁部5の最下層のセラミック層5aで覆われる部分が長くなると、線路導体3を伝送する高周波信号の誘電体損失が大きくなってしまい高周波信号を効率よく伝送できなくなる。
【0043】
また立壁部5の残部のセラミック層5bの幅W2は好ましくは0.3〜1.5mmであるのがよく、この幅であればパッケージ内部を気密に保持することのできる入出力端子8とすることができる。W2<0.3mmであると、立壁部5の幅が狭すぎることからパッケージ内部の気密を確実に保持できなくなる場合があり、入出力端子8をパッケージにロウ付けするときのパッケージとの熱膨張差によって、入出力端子8にクラック等の破損が生じる場合がある。W2>1.5mmであると、立壁部5の幅が広くなりすぎてしまい、立壁部5の直下の線路導体3を伝送する高周波信号の誘電体損失が大きくなってしまうので、高周波信号を効率よく伝送できなくなるとともに、入出力端子8が大型化してしまい近時の小型化傾向に適さないものとなる。
【0044】
また好ましくは、最下層のセラミック層5aの厚さは0.1〜0.5mmであるのがよく、これにより最下層のセラミック層5aとなるセラミックグリーンシートを容易に塑性変形させて線路導体3の両側の段差を確実に埋めることができる。その結果、平板部1の上面と最下層のセラミック層5aの間に隙間が生じて気密性が失われるのを確実に防止することができる。最下層のセラミック層5aの厚さが0.1mm未満となると、線路導体3の厚みに対して薄くなりすぎてしまい、最下層のセラミック層5aとなるセラミックグリーンシートを塑性変形させて線路導体3の両側の段差を埋めようとすると、最下層のセラミック層5aとなるセラミックグリーンシートが変形しすぎてクラック等の破損が生じてしまう場合がある。また、最下層のセラミック層5aの厚さが0.5mmを超えると、最下層のセラミック層5aとなるセラミックグリーンシートの厚さが厚くなりすぎてしまい、塑性変形し難くなるので、線路導体3の両側の段差を埋めるのが困難となる。
【0045】
次に、本発明のパッケージについて図3に基づいて説明する。同図は本発明のパッケージの実施の形態の一例を示す斜視図であり、21は基体、22は枠体、23は取付部である。
【0046】
本発明のパッケージは、上面の中央部に半導体素子25が載置される載置部21aを有する基体21と、この基体21の上面に載置部21aを囲繞するように取着され、側部に形成された貫通孔または切欠きから成る入出力端子8の取付部23が形成された枠体22と、取付部23に嵌着された入出力端子8とを具備している。
【0047】
本発明のパッケージによれば、上記本発明の入出力端子8を具備していることから、気密性に優れたパッケージとすることができ、多数の信号を入出力するための多数の線路導体3を備えた小型のパッケージとすることができる。そして、このような特性を有するパッケージを製造する際に、入出力端子8にクラック等の破損が発生するのを確実に防止できることから、高い歩留まりで作製することが可能となり、量産性に優れるものとすることができる。
【0048】
基体21は、上面にIC,LSI,半導体レーザ(LD),フォトダイオード(PD)等の半導体素子25を載置するための載置部21aを有している。図3では載置部21aを凹部とした例を示したが、基体21の上面を平坦にしてその上面に載置部21aを形成してもよい。
【0049】
基体21は、Fe−Ni−Co合金,銅(Cu)−タングステン(W)合金等の金属、またはAl2O3質焼結体,AlN質焼結体,3Al2O3・2SiO2質焼結体等のセラミックスから成る。基体21が金属から成る場合、そのインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施すことによって所定形状に製作される。一方、基体21がセラミックスから成る場合、その原料粉末に適当な有機バインダや溶剤等を添加混合しペースト状と成し、このペーストをドクターブレード法やカレンダーロール法等によってセラミックグリーンシートと成し、しかる後、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施し、これを複数枚積層し約1600℃の高温で焼成することによって作製される。
【0050】
なお、基体21が金属からなる場合、その表面に耐蝕性に優れ、かつロウ材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ0.5〜9μmのNi層と厚さ0.5〜5μmの金(Au)層とを順次めっき法により被着させておくのがよい。これにより、基体21が酸化腐蝕するのを有効に防止できるとともに、基体21上面の載置部21aに半導体素子25を強固に接着固定させることができる。一方、基体21がセラミックスから成る場合、載置部21aに、W,Mo等のメタライズ層を下地層として形成し、この表面に耐蝕性に優れ、かつロウ材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ0.5〜9μmのNi層と厚さ0.5〜5μmのAu層とを順次めっき法により被着させておくのがよい。これにより、載置部21aに半導体素子25を強固に接着固定することができる。
【0051】
枠体22は、基体21上に載置部21aを囲繞するようにAgロウ、Ag−Cuロウ材等の高融点金属ロウ材により接合されており、基体21と同様にセラミックスまたは金属から成る。また、枠体22の側部には、貫通孔または切欠きから成る入出力端子8の取付部23が形成されている。なお、図3に示すように、基体21にも同様の切欠きを設けて入出力端子8の取付部23の一部が形成されていてもよい。
【0052】
取付部23は、枠体22および基体21がセラミックスからなる場合、内面にメタライズ層等の導電層が形成されている。この導電層は、基体21および枠体22またはこれらのうち一方に被着形成された接地導体に接続されて接地される。
【0053】
取付部23には本発明の入出力端子8がAgロウ、Ag−Cuロウ材等の高融点金属ロウ材により嵌着接合されている。そして、入出力端子8の下部接地導体2、上部接地導体6および側面接地導体7は、枠体22および基体21がセラミックスからなる場合、取付部23の内面に形成された導電層に接続されることにより接地され、ケースグランドとなる。あるいは、枠体22および基体21が金属からなる場合、入出力端子8の下部接地導体2、上部接地導体6および側面接地導体7は、金属製の枠体22や基体21に接続されて接地され、ケースグランドとなる。また、入出力端子8の上部接地導体6は、図3に示すように枠体22の上面に取着されるFe−Ni−Co合金等の金属からなるシールリング24に接続されて接地され、ケースグランドとなっていてもよい。
【0054】
なお、枠体22がセラミックスから成る場合、入出力端子8は枠体22の一部として一体的に成形されてもよい。
【0055】
このような本発明のパッケージは、入出力端子8を具備していることから、高周波信号の誘電体損失を最小限に抑えて高周波信号の伝送損失を小さくした、良好な伝送特性を有するものとなるとともに、気密性に優れたものとすることができ、また多数の信号を入出力するための多数の線路導体3を備えた小型のものとすることができる。
【0056】
そして、このようなパッケージの載置部21aに半導体素子25を載置した後、半導体素子25の電極と線路導体3とをボンディングワイヤ等の接続手段(図示せず)を介して接続し、パッケージの外側の線路導体3にFe−Ni−Co合金等の金属からなるリード端子(図示せず)等をAgロウなどの導電性接着材を介して接合して、半導体素子25と外部電気回路基板とを電気的に接続する。次に、必要に応じて枠体22の上面にシールリング24を鉛(Pb)−錫(Sn)半田やAu−Sn半田等の低融点金属ロウ材やAg−Cuロウ材等の高融点金属ロウ材等により取着し、シールリング24の上面にFe−Ni−Co合金等から成る蓋体26を半田付けやシームウエルド法等により取着することにより、半導体素子25がパッケージ内部に収納された製品としての半導体装置となる。
【0057】
また、図3の実施の形態では枠体22の対向する側部にも入出力端子8を設けているが、必要に応じて他の側部に設けてもよく、または1つの側部に複数の入出力端子8を取り付けてもよく、この場合取付部23を1つの側部に複数設けて入出力端子8を並列的に複数取り付ければよい。
【0058】
このような本発明の半導体装置は、上記本発明の入出力端子8を具備しているパッケージを備えていることから、高周波信号の伝送損失が少なく、気密性に優れた信頼性の高いものとすることができ、また多数の信号を入出力するための多数の線路導体3を備えた多機能なものとすることができる。
【0059】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更を施すことは何等差し支えない。例えば、線路導体3となるメタライズ層には、Cu,Ag等の導電性に優れた金属が含まれていてもよく、線路導体3を伝送する高周波信号の伝送損失をさらに低減させ、高周波信号の伝送特性に優れたものとすることができる。
【0060】
【発明の効果】
本発明の入出力端子によれば、上面に一辺から対向する他辺にかけて形成された線路導体および下面に下部接地導体を有するセラミックスから成る平板部と、この平板部の上面に線路導体の一部を間に挟んで接合され、上面に上部接地導体が形成されたセラミックスから成る直方体状の立壁部とを具備している入出力端子において、立壁部は複数のセラミック層が積層されて成るとともに、最下層のセラミック層の線路導体の線路方向における幅が残部のセラミック層の幅よりも広いことより、平板部の上面に立壁部を積層する際に加わる圧力が、最下層のセラミック層の幅と残部のセラミック層の幅との間の領域に分散される。このため、平板部の立壁部が積層される部位の凹みが緩やかに傾斜した凹みとなり、上面に形成された線路導体が断線したり、平板部の凹み部分でクラックが生じたりするのを緩和することができ、気密性に優れたものとすることができる。
【0061】
また残部のセラミック層の積層位置が多少ずれても、最下層のセラミック層の幅が残部のセラミック層の幅よりも幅広とされていることより、残部のセラミック層の積層が容易となる。
【0062】
また、本発明の入出力端子の製造方法によれば、平板部となるセラミックグリーンシートの上面に立壁部の最下層のセラミック層となるセラミックグリーンシートを積層し、次いで立壁部の残部のセラミック層となる複数のセラミックグリーンシート同士を積層し、最下層のセラミック層となるセラミックグリーンシートの上に積層して入出力端子となるセラミックグリーンシートの積層体を作製し、その後この積層体を焼成することから、一層ずつ積層する方法に対し、平板部の上面の同一箇所にセラミックグリーンシートを積層するための圧力が繰り返し加わることを防止でき、その結果、立壁部となるセラミックグリーンシートを積層するための圧力によって平板部上面の立壁部が積層される部位が深く凹むのを防止し、平板部にクラックが生じるのを防止するとともに、線路導体が断線するのを防止し、パッケージ内部を気密に保持することのできる入出力端子となる。
【0063】
また、平板部となるセラミックグリーンシートの上面に立壁部の最下層のセラミック層となるセラミックグリーンシートを積層し、次いで立壁部の残部のセラミック層となる複数のセラミックグリーンシート同士を積層し、最下層のセラミック層となるセラミックグリーンシートの上に積層することから、線路導体を有する平板部の上面に最下層のセラミック層となるセラミックグリーンシートを単層で積層するので、十分な積層圧力を加えることができ、最下層のセラミック層となるセラミックグリーンシートが塑性変形して線路導体の両側にある段差を埋めることが容易となる。その結果、線路導体の両側に隙間が生じることがなく、パッケージの内部を気密に保持できる。また、複数の線路導体が狭い間隔で配置されても線路導体の両側の段差を埋めることが容易なので、複数の線路導体が狭い間隔で配置される多機能なパッケージ用の入出力端子とすることができる。
【0064】
また、最下層のセラミック層となるセラミックグリーンシートが幅広であることより、残部のセラミック層となるセラミックグリーンシートを積層する際に平板部に加わる圧力を分散させ、平板部にクラック等の破損が発生するのを防止できる。
【0065】
また、残部のセラミック層が積層位置から多少ずれて積層されたとしても、立壁部の最下層のセラミック層の幅が立壁部の残部のセラミック層の幅よりも幅広とされていることにより、確実に積層することができる。
【0066】
また、本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、上面の中央部に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、基体の上面に載置部を囲繞するように取着され、側部に形成された貫通孔または切欠きから成る入出力端子の取付部が形成された枠体と、取付部に嵌着された上記本発明の入出力端子とを具備していることより、気密性に優れたパッケージとすることができ、多数の信号を入出力するための多数の線路導体を備えた小型のパッケージとすることができる。
【0067】
また、本発明の半導体装置によれば、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、載置部に載置されるとともに入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、枠体の上面に枠体の内側を塞ぐように取着された蓋体とを具備していることより、気密性を要する半導体素子を収納することができ、多数の信号を入出力するための多数の線路導体を備えた多機能な半導体装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の入出力端子の実施の形態の一例を示す斜視図である。
【図2】(a)〜(c)は図1の入出力端子の製造方法を説明する側面図である。
【図3】本発明の半導体素子収納用パッケージの実施の形態の一例を示す分解斜視図である。
【図4】従来の入出力端子の斜視図である。
【図5】(a),(b)は図4の入出力端子の製造方法を示す側面図である。
【符号の説明】
1:平板部
2:下部接地導体
3:線路導体
5:立壁部
5a:最下層のセラミック層
5b:残部のセラミック層
6:上部接地導体
8:入出力端子
21:基体
22:枠体
23:取付部
25:半導体素子
26:蓋体
Claims (4)
- 上面に一辺から対向する他辺にかけて形成された線路導体および下面に下部接地導体を有するセラミックスから成る平板部と、該平板部の上面に前記線路導体の一部を間に挟んで接合され、上面に上部接地導体が形成されたセラミックスから成る直方体状の立壁部とを具備している入出力端子において、前記立壁部は、複数のセラミック層が積層されて成るとともに、最下層のセラミック層の前記線路導体の線路方向における幅が残部の前記セラミック層の幅よりも広いことを特徴とする入出力端子。
- 請求項1記載の入出力端子の製造方法であって、前記平板部となるセラミックグリーンシートの上面に前記立壁部の前記最下層のセラミック層となるセラミックグリーンシートを積層し、次いで前記立壁部の残部の前記セラミック層となる複数のセラミックグリーンシート同士を積層し、前記最下層のセラミック層となるセラミックグリーンシートの上に積層して前記入出力端子となるセラミックグリーンシートの積層体を作製し、その後該積層体を焼成することを特徴とする入出力端子の製造方法。
- 上面の中央部に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、該基体の上面に前記載置部を囲繞するように取着され、側部に形成された貫通孔または切欠きから成る入出力端子の取付部が形成された枠体と、前記取付部に嵌着された請求項1記載の入出力端子とを具備していることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
- 請求項3記載の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置されるとともに前記入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に前記枠体の内側を塞ぐように取着された蓋体とを具備していることを特徴とする半導体装置。
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