JP7065159B2 - 表示装置とその製造方法 - Google Patents
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Description
本開示は、表示装置とその製造方法に関する。
仮想現実（Ｖｉｒｔｕａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ；ＶＲ）及び拡張現実（Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ；ＡＲ）の応用技術の発展につれて、ヘッドマウントデバイスに対する要求も益々高くなる。しかしながら、従来のプロセスによるヘッドマウントデバイスへ応用される微細化技術の歩留まりの向上には、依然として余地がある。
本開示のある実施形態によると、有機発光ダイオード表示装置は、集積回路と、集積回路に電気的に接続され、上面、下面、及び上面と下面とを接続する斜面を有し、斜面と下面との夾角が約４５度～約８０度である第１の電極と、第１の電極の斜面を被覆するスペーサー層と、第１の電極に設けられる有機材料積層体と、有機材料積層体とスペーサー層に設けられる第２の電極と、を備える。
本開示のある実施形態によると、有機発光ダイオード表示装置の製造方法は、電極層を絶縁層に形成し、前記電極層が絶縁層におけるビアプラグを介して集積回路に電気的に接続されることを備える。続いて、電極層をエッチングして、電極層に対するエッチングがドライエッチングであり、ドライエッチングの反応ガスが塩化ホウ素（ＢＣｌ3）を含み、これにより、第１の電極に上面、下面及び上面と下面とを接続する斜面を持たせる。スペーサー層は、第１の電極の斜面を被覆するように形成される。有機材料積層体は第１の電極に形成される。第２の電極は有機材料積層体とスペーサー層に形成される。
本開示のある実施形態によると、液晶オンシリコン（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ ｏｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ；ＬＣＯＳ）表示パネルの製造方法は、電極層を絶縁層に形成し、前記電極層が絶縁層におけるビアプラグを介して集積回路に電気的に接続され、且つ電極層を形成する堆積速率が毎秒約３０Å～毎秒約２００Åであり、これにより、電極層の厚さが約３００Å～約９００Åの間にあることを備える。続いて、電極層をエッチングし、第１の電極を取得する。第１の電極の側壁を被覆するスペーサー層を形成する。液晶層と第２の電極を第１の電極とスペーサー層に形成する。
下記の添付図面の詳しい説明は、本開示の上記及び他の目的、特徴、メリットと実施形態をより分かりやすくするためのものである。
本開示のある実施形態に係る有機発光ダイオード表示装置の断面模式図である。
本開示のある実施形態に係る有機発光ダイオード表示装置を示す断面模式図である。
本開示のある実施形態に係る有機発光ダイオード表示装置を示す断面模式図である。
～
それぞれ本開示のある実施形態に係る有機発光ダイオードユニットにおける第１の電極を示す上面模式図である。
～
それぞれ本開示のある実施形態に係る有機発光ダイオード表示装置の製造方法の異なる製造段階での断面模式図である。
図５Ｉにおける領域Ｒを示す拡大図である。
本開示の別の実施形態に係る有機発光ダイオード表示装置を示す断面模式図である。
本開示の別の実施形態に係る有機発光ダイオード表示装置を示す断面模式図である。
本開示のある実施形態のヘッドマウントデバイスの外観模式図である。
本開示のある実施形態の液晶オンシリコン（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ ｏｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ；ＬＣＯＳ）表示パネルの異なる製造段階での様子を示す断面模式図である。
本開示のある実施形態の液晶オンシリコン（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ ｏｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ；ＬＣＯＳ）表示パネルの異なる製造段階での様子を示す断面模式図である。
本開示のある実施形態のヘッドマウントデバイスにおける投影装置のブロック図である。
以下に図面及び詳細な説明によって、本発明の精神を明らかに説明し、当業者であれば、本発明の実施形態を理解した上で、本発明の教示した技術に基づいて、本発明の精神と範囲から逸脱せずに、変更や修飾を加えることができる。
本開示のある実施形態に係る有機発光ダイオード表示装置の断面模式図である図１を参照されたい。有機発光ダイオード表示装置１００は、集積回路１１０と、集積回路１１０に設けられる絶縁層１２０と、絶縁層１２０に設けられる複数の有機発光ダイオードユニット１４０（説明の便宜上、図中には一つのみ示す）と、を備える。有機発光ダイオードユニット１４０の各々は、それぞれ絶縁層１２０の中に設けられるビアプラグ１２２を介して下方の集積回路１１０に電気的に接続される。本開示のある実施形態において、集積回路１１０とその上の絶縁層１２０は、有機発光ダイオードユニット１４０の設けられるベースとされる。
本開示のある実施形態において、微細化の目的を達成させるために、有機発光ダイオードユニット１４０及び集積回路１１０の何れも半導体プロセスにより製造される。他の実施形態において、異なる組立要求に対応するように、有機発光ダイオード表示装置１００は、更に、他のキャリア基板に固定されてよい。本開示のある実施形態において、有機発光ダイオードユニット１４０は、マイクロ有機発光ダイオード（ｍｉｃｒｏ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）である。
有機発光ダイオードユニット１４０は、第１の電極１４２、ブロッキング層１４４及び１４６、スペーサー層１４８、有機材料積層体１５０、及び第２の電極１５２を含む。第１の電極１４２は絶縁層１２０に設けられ、第２の電極１５２は第１の電極１４２と対向する。有機材料積層体１５０は第１の電極１４２と第２の電極１５２との間に設けられる。第１の電極１４２は有機発光ダイオードユニット１４０の陽極とされてよく、第２の電極１５２は有機発光ダイオードユニット１４０の陰極とされてよい。有機発光ダイオードユニット１４０の発する光が陰極を介して発光するため、第２の電極１５２は、有機発光ダイオードユニット１４０の発光側と見なされてよい。
第１の電極１４２の対向する両面にそれぞれブロッキング層１４４、１４６が設けられ、つまりブロッキング層１４４は第１の電極１４２と絶縁層１２０との間に設けられ、ブロッキング層１４６は第１の電極１４２のブロッキング層１４４と対向する表面に設けられる。ブロッキング層１４４の目的は、第１の電極１４２の材料と絶縁層１２０とを隔離することにあり、例えば第１の電極１４２の材料が拡散して絶縁層１２０に入って汚染にならないように防止する。ブロッキング層１４６の目的は、第１の電極１４２の材料とその上の有機材料積層体１５０とを隔離することにあり、第１の電極１４２の材料とその上の有機材料積層体１５０とが直接接触して予期しない反応が発生しないようにする。本開示のある実施形態において、ブロッキング層１４４、１４６の材料は、窒化チタン（ＴｉＮ）或いは他の類似な材料のような金属窒化物である。
本開示のある実施形態において、スペーサー層１４８は、例えば第１の電極１４２の側壁を被覆するように第１の電極１４２の外縁に設けられ、また絶縁層１２０の上面に設けられる。スペーサー層１４８の役割の一つとしては、隣接する有機発光ダイオードユニット１４０の第１の電極１４２を分離し、第１の電極１４２の側壁、例えば第１の電極１４２のブロッキング層１４４、１４６から露出された側壁が有機材料積層体１５０に直接接触しないように防止することにある。
有機材料積層体１５０は、第１の電極１４２に設けられる。本開示のある実施形態において、スペーサー層１４８は開口領域Ｏ１を有し、有機材料積層体１５０が開口領域Ｏ１の中に充填される。本開示のある実施形態において、異なる色の色光を発するように、隣接する有機発光ダイオードユニット１４０の有機材料積層体１５０に異なる有機発光層が配置されてよいが、異なる有機発光ダイオードユニット１４０の有機材料積層体１５０が互いに直接接触しないように、隣接する有機発光ダイオードユニット１４０の有機材料積層体１５０同士はスペーサー層１４８により隔離される。第２の電極１５２は、有機材料積層体１５０及びスペーサー層１４８の上面に連続して設けられる共通電極である。
本開示のある実施形態において、第２の電極１５２は有機材料積層体１５０及びスペーサー層１４８にコンフォーマル（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ）に設けられ、即ち、第２の電極１５２の厚さがほぼ均一に維持される。スペーサー層１４８が絶縁層１２０の上面から第１の電極１４２の側壁に沿ってブロッキング層１４６の上面に延在するため、スペーサー層１４８の上面の最上部と最下部との間に段差Ｇ１が生じることがある。第２の電極１５２の光透過性を維持するために、第２の電極１５２の厚さがしばしば非常に薄いため、段差Ｇ１の過大により断線になりやすい。本開示のある実施形態の解決しようとする課題は、如何にスペーサー層１４８の上面の最上部と最下部との段差Ｇ１を低減し、延いて第２の電極１５２の段差Ｇ１の過大による断線問題を避けることにある。
本開示のある実施形態において、第１の電極１４２の横方向の断面形状は、矩形ではなく、例えば上狭下広の台形のような上狭下広の形状となる。つまり、第１の電極１４２の上面１４２ｔは、第１の電極１４２の下面１４２ｂにほぼ平行であり、且つその面積が第１の電極１４２の下面１４２ｂの面積よりも小さく、第１の電極１４２の下面１４２ｂとが斜面１４２ｓによって接続され、ただし、第１の電極１４２の斜面１４２ｓにブロッキング層が被覆されていない。第１の電極１４２の下面１４２ｂと第１の電極１４２の斜面１４２ｓとの間に夾角θが挟まれる。
それぞれ本開示のある実施形態に係る有機発光ダイオード表示装置を示す断面模式図である図２及び図３を参照されたい。本開示のある実施形態において、第１の電極１４２の斜面１４２ｓは平面でなくてもよく、図２に示すように、僅かに凹んだ曲面であってもよく、或いは図３に示すように、僅かに突出した曲面であってもよい。
それぞれ本開示のある実施形態に係る有機発光ダイオードユニットにおける第１の電極を示す上面模式図である図４Ａ～図４Ｃを参照されたい。本開示のある実施形態において、第１の電極１４２の平面視での形状は、図４Ａに示す矩形、例えば図４Ｂに示す円状、図４Ｃに示す六角形、或いは他の好適な形状であってもよい。
続いて、また図１に戻って、本開示のある実施形態において、有機発光ダイオードユニット１４０の各々において、第１の電極１４２は斜面１４２ｓを有し、且つ第１の電極１４２の上面１４２ｔの面積が第１の電極１４２の下面１４２ｂの面積よりも小さいので、第１の電極１４２の斜面１４２ｓと第１の電極１４２の下面１４２ｂとの間に夾角θがある。
本開示のある実施形態において、第１の電極１４２の斜面１４２ｓと第１の電極１４２の下面１４２ｂとの夾角θの範囲は約４５度～約８０度であり、夾角θが約８０度よりも大きくなると、段差Ｇ１を効果的に低下させることができず、且つスペーサー層１４８に広角度の曲がり角を持たせる。例としては、スペーサー層１４８は、順に繋がれる第１の段部１４８２、第２の段部１４８４及び第３の段部１４８６を含み、スペーサー層１４８の第１の段部１４８２がほぼ絶縁層１２０の上面に沿って延在するように絶縁層１２０に設けられる。スペーサー層１４８の第３の段部１４８６は、ブロッキング層１４６の一部を被覆し、且つほぼブロッキング層１４６の上面に沿って延在する。スペーサー層１４８の第２の段部１４８４は、ほぼ第１の電極１４２の斜面１４２ｓに沿って延在し、またスペーサー層１４８の第１の段部１４８２とスペーサー層１４８の第３の段部１４８６に接続される。スペーサー層１４８の上面の最上部と最下部との段差Ｇ１は、スペーサー層１４８の第１の段部１４８２の上面とスペーサー層１４８の第３の段部１４８６の上面との距離である。
第１の電極１４２の斜面１４２ｓと第１の電極１４２の下面１４２ｂとの夾角θが約８０度よりも大きくなると、スペーサー層１４８の第１の段部１４８２とスペーサー層１４８の第２の段部１４８４との曲がり角、或いはスペーサー層１４８の第２の段部１４８４とスペーサー層１４８の第３の段部１４８６との曲がり角は過大になり、垂直に近い広角度の曲がり角になる。第２の電極１５２がスペーサー層１４８にコンフォーマルに製造され、且つ第２の電極１５２の厚さが極めて薄いため、第２の電極１５２は、この広角度の曲がり角で断線になりやすい問題がある。それに対して、第１の電極１４２の斜面１４２ｓと第１の電極１４２の下面１４２ｂとの夾角θが約４５度よりも小さくなると、スペーサー層１４８の第２の段部１４８４の長さが対応して増加するため、有機発光ダイオードユニット１４０の間の間隔が過大になって解像度が低下し、或いは有機発光ダイオードユニット１４０の発光面積を低減させる。
また、第１の電極１４２の斜面１４２ｓと第１の電極１４２の下面１４２ｂとの夾角θが約８０度よりも大きくなると、第１の電極１４２の断面形状は矩形に近似するようになり、スペーサー層１４８の厚さが不十分であれば、スペーサー層１４８の第１の電極１４２に対するステップカバレージ（ｓｔｅｐ ｃｏｖｅｒａｇｅ）が不良になるので、スペーサー層１４８が曲がり角で、例えばスペーサー層１４８の第２の段部１４８４と第３の段部１４８６との接続部で断裂して裂け目ができ、後で製造される有機材料積層体１５０がこの裂け目に浸入して第１の電極１４２に接触しやすくなり、予期しない反応が発生してしまう。
また、第１の電極１４２の斜面１４２ｓと第１の電極１４２の下面１４２ｂとの夾角θが約８０度よりも大きくなる場合、スペーサー層１４８が第１の電極１４２の斜面１４２ｓを好適に被覆するために、スペーサー層１４８の厚さを増加させなければならない。厚くなるスペーサー層１４８によりスペーサー層１４８の上面の最上部と有機材料積層体１５０の上面との段差Ｇ２が増加するので、後で第２の電極１５２を製造する場合、第２の電極１５２が過大の段差Ｇ２により断線しやすく、歩留まりが低下する。
そのため、本開示の複数の実施形態において、第１の電極１４２が斜面１４２ｓを有するように設計され、且つ第１の電極１４２の斜面１４２ｓと第１の電極１４２の下面１４２ｂとの夾角θの範囲は約４５度～約８０度であり、このように、スペーサー層１４８はわりに緩やかな表面形状（ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ）を有し、また第１の電極１４２に対して良好なステップカバレージを有することができる。
このように、本開示のある実施形態は、有機発光ダイオード表示装置を提供する。第１の電極の側壁を斜面に変えることで、スペーサー層１４８の第１の段部１４８２とスペーサー層１４８の第２の段部１４８４との曲がり角、或いはスペーサー層１４８の第２の段部１４８４とスペーサー層１４８の第３の段部１４８６との曲がり角をわりに緩やかにし、延いて第２の電極１５２が曲がり角で断線する可能性を低減すること、スペーサー層１４８が薄い厚さで、被覆斜面１４２ｓ及びブロッキング層１４６の上面の一部を含んで、第１の電極１４２を効果的に被覆し、有機発光ダイオードユニット１４０全体の高度の低下に寄与すること、スペーサー層１４８の上面の最上部と最下部との間の段差Ｇ１を低減し、及びスペーサー層１４８の上面の最上部と有機材料積層体１５０の上面との段差Ｇ２を低減し、延いて第２の電極１５２が段差Ｇ１、Ｇ２の過大により断線する可能性を低減することができる。
続いて、本開示のある実施形態に係る有機発光ダイオード表示装置の製造方法の異なる製造段階での様子を示す断面模式図である図５Ａ～図５Ｊを参照されたい。
図５Ａに示すように、工程Ｓ１０は、半導体プロセスにより製造される集積回路１１０を製造するものである。集積回路１１０は、制御回線、電力回路、スイッチアセンブリ等の関連する集積回路を含む。
続いて、図５Ｂに示すように、工程Ｓ２０は、集積回路１１０に絶縁層１２０及びビアプラグ１２２を形成するものである。本開示のある実施形態において、絶縁層１２０及びビアプラグ１２２を形成する工程は、絶縁層１２０の堆積を含んでよく、絶縁層１２０は、例としては、例えば約３.５よりも低い低誘電率値（ｋ値）を有する金属間誘電体（ｉｎｔｅｒ‐ｍｅｔａｌ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ；ＩＭＤ）であってよい。絶縁層１２０は、酸化ケイ素或いは他の適当な材料のような、誘電材料を含んでよい。
続いて、絶縁層１２０に少なくとも１つの開口が形成される。開口は、例えば、絶縁層１２０の上方にパターン化フォトレジスト層（未図示）を形成する工程と、エッチング工程によって絶縁層１２０の一部を除去して、マスクとしてパターン化フォトレジスト層を使用することで開口を画定する工程と、によって形成されることができる。エッチング工程は、一つ或いは複数の好適なエッチングプロセスの使用を含んでよい。エッチング工程の後で、パターン化フォトレジスト層を除去する。
その後、開口を充填するように導電材料を堆積させて、導電材料で絶縁層１２０を被覆し、その後、化学机械研磨プロセスのような平坦化プロセスを実行して、絶縁層１２０の表面の上方を超えた導電材料の余分を除去し、ビアプラグ１２２を絶縁層１２０の中に存在させる。ビアプラグ１２２の材料は、銅或いは銅合金、或いは他の好適な導電材料、例えば、銀、金、タングステン、アルミニウム或いは他の類似な材料を含んでよい。本開示のある実施形態において、ビアプラグ１２２は、導電材料と絶縁層１２０との間に設けられるバリア層１２４を更に含んでよい。
続いて、図５Ｃに示すように、工程Ｓ３０は、ブロッキング層１４４'、電極層１４２'及びブロッキング層１４６'を絶縁層１２０に順に堆積させるものである。本開示のある実施形態において、ブロッキング層１４４'の材料は、窒化チタンのような金属窒化物、或いは他の類似な材料である。ブロッキング層１４４'の役割は、電極層１４２'の材料が拡散して絶縁層１２０に入らないように、電極層１４２'の材料と絶縁層１２０とを隔離することにある。本開示のある実施形態において、ブロッキング層１４４'の厚さは約５０Å～約１５０Åであり、ブロッキング層１４４'の厚さが約１５０Åよりも大きくなると、厚すぎることでスペーサー層１４８（図１参照）の上面の最上部と最下部との間の段差Ｇ１（図１参照）が増加し、延いて第２の電極１５２（図１参照）の断線の可能性を増加させる。ブロッキング層１４４'の厚さが約５０Åよりも小さくなると、電極層１４２'の材料が拡散して絶縁層１２０に入って汚染するおそれがある。
本開示のある実施形態において、電極層１４２'の材料が金属或いは金属合金であるので、有機発光ダイオードユニットの発する光は、電極層１４２'により反射されて発光側へ発光することができる。電極層１４２'の薄型化の要求に応じて、厚さを低減させると共に阻値が高くなりすぎないようにするために、電極層１４２'の材料は、例えばアルミニウム銅合金（ＡｌＣｕ）のような低抵抗値の導電材料、或いは他の類似な材料であってよい。別の実施形態において、電極層１４２'の材料は、酸化インジウムスズ、金、タングステン、チタン或いは他の類似な材料を含んでもよい。
本開示のある実施形態において、堆積プロセスの設定を調整することで、電極層１４２'の厚さを小さくすると共に、電極層１４２'の表面平滑度及びその反射率を維持し、延いて有機発光ダイオード表示装置の輝度及びコントラストを向上させることができる。例としては、電極層１４２'は、物理的気相成長法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＰＶＤ）のプロセスによって形成されてよく、且つ更に物理的気相成長法反応のパワー及び反応温度を降下し、延いて電極層１４２'の堆積速率を低下させて、堆積された電極層１４２'に良好な表面平滑度を持たせ、延いて電極層１４２'の反射率を維持する。本開示のある実施形態において、パワーは、約１５００Ｗ～約３１５０Ｗである。反応パワーが約３１５０Ｗよりも大きくなると、堆積速率が速すぎて電極層１４２'の表面が不整になる。ある実施形態において、良好な表面平滑度を達成するために、反応パワーは約２５００Ｗよりも小さくてよい。反応パワーが約１５００Ｗよりも小さくなると、堆積反応は、順調に行われない。
本開示のある実施形態において、堆積速率が毎秒約３０Å～毎秒約２００Åである。堆積速率が毎秒約２００Åよりも大きくなると、堆積速率が速すぎることで、電極層１４２'の表面は不整になる。堆積速率が毎秒約５０Åよりも小さくなると、収量が低すぎる。
本開示のある実施形態において、電極層１４２'が良好な表面平滑度を有するとは、電極層１４２'の二乗平均平方根粗さ（Ｒｍｓ）が約３０Åよりも小さくてよいことであり、電極層１４２'の最大谷深さ（Ｒｖ）と最大山高さ（Ｒｐ）との差値は約３００Åよりも小さくてよい。本開示のある実施形態において、電極層１４２'の厚さは約３００Å～約９００Åである。電極層１４２'の厚さが約９００Åよりも大きくなると、厚すぎることでスペーサー層１４８（図１参照）の上面の最上部と最下部との間の段差Ｇ１（図１参照）が増加し、延いて第２の電極１５２（図１参照）の断線の可能性を増加させる。電極層１４２'の厚さが約３００Åよりも小さくなると、電極層１４２'が薄すぎて光透過性を有するようになり、電極層１４２'の反射能力に影響を与えて光が発光側へ反射されないようにする。
本開示のある実施形態において、ブロッキング層１４６'の材料は、同様に窒化チタンのような金属窒化物、或いは他の類似な材料である。ブロッキング層１４６'の厚さは約３０Å～約２００Åである。ブロッキング層１４６'は、その厚さが約２００Åよりも大きくなると、表面が粗くなり、表面の平滑化という特性を失い、延いてその反射能力が影響される。ブロッキング層１４６'は、その厚さが約３０Åよりも小さくなると、薄すぎることで後のプロセスで破壊されて、有機材料積層体と電極層１４２'とを接触させる可能性がある。
続いて、図５Ｄに示すように、工程Ｓ４０は、第１の電極の位置を定義するものである。工程Ｓ４０は、パターン化フォトレジスト層１６０の形成を含み、マスクとしてパターン化フォトレジスト層１６０を使用することで第１の電極の位置を定義する。パターン化フォトレジスト層１６０の位置は、少なくともビアプラグ１２２を被覆しなければならない。
続いて、図５Ｄと図５Ｅを同時に参照すると、工程Ｓ５０は、マスクとしてパターン化フォトレジスト層１６０を利用し、電極層１４２'及びブロッキング層１４４'、１４６'をエッチングして、第１の電極１４２、及び第１の電極１４２の上下面に位置するブロッキング層１４４、１４６を取得するものであり、パターン化フォトレジスト層１６０はエッチングの終了後で除去される。前記のように、本開示のある実施形態における第１の電極１４２が斜面１４２ｓを有するため、工程Ｓ５０のエッチングパラメータも斜面１４２ｓを有する第１の電極１４２を取得するように制御され、且つ第１の電極１４２の斜面１４２ｓと第１の電極１４２の下面１４２ｂとの夾角θの範囲は約４５度～約８０度である。
例としては、本開示のある実施形態において、エッチングプロセスとしてはドライエッチングが選用され、反応圧力は約４ミリトル（ｍＴｏｒｒ）～約１０ｍＴｏｒｒであり、ソース無線周波数（Ｓｏｕｒｃｅ ＲＦ）のパワーは約６００ワット（Ｗ）～約１６００Ｗであり、バイアス無線周波数（Ｂｉａｓ ＲＦ）のパワーは約４０Ｗ～約２００Ｗであり、反応ガスは塩化ホウ素（ＢＣｌ3）を含んでよく、反応ガスの流量は約５０標準立方センチメートル毎分（ｓｔａｎｄａｒｄ ｃｕｂｉｃ ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒｓ ｐｅｒ ｍｉｎｕｔｅ；ｓｃｃｍ）～約５００ｓｃｃｍである。反応パラメータがこの範囲を超えると、夾角θの範囲は約８０度を超え或いは約４５度よりも小さくなるが、夾角θが約８０度よりも大きくなると、第２の電極１５２（図１参照）の断線問題を解決できないが、夾角θが約４５度よりも小さくなると、有機発光ダイオードユニットの間の間隔が過大になって解像度が低下し或いは有機発光ダイオードユニットの発光面積が小さくなる。
エッチング工程を経過した後で、ブロッキング層１４４とブロッキング層１４６が第１の電極１４２の上下面のみに分布され、第１の電極１４２の斜面１４２ｓに被覆されていない。第１の電極１４２の断面形状が上狭下広の形状となるため、ブロッキング層１４４の下面の面積は、ブロッキング層１４６の上面の面積よりも小さい。本開示のある実施形態において、第１の電極１４２、ブロッキング層１４４とブロッキング層１４６の全厚は、約１０００Åよりも小さくてよく、例えば約６００Å～約８００Åの範囲内に制御されてよい。
続いて、図５Ｆに示すように、工程Ｓ６０は、誘電体材料層１４８'を第１の電極１４２、ブロッキング層１４４、１４６及び絶縁層１２０に被覆するものである。誘電体材料層１４８'の材料は、絶縁層１２０の材料と同じでも異なってもよく、例としては、例えば、酸化ケイ素、窒化硅、窒素酸化ケイ素、或いは他の類似な材料のような、酸化物、窒化物、窒化酸化物或いは他の好適な材料であってよい。
第１の電極１４２の側壁が斜面１４２ｓであるため、誘電体材料層１４８'は、薄い厚さで第１の電極１４２とブロッキング層１４４、１４６を完全に被覆することができ、且つ良好なステップカバレージを有し、曲がり角で断裂することはない。また、第１の電極１４２、ブロッキング層１４４とブロッキング層１４６の全厚が約１０００Åよりも小さくてよいため、誘電体材料層１４８'は、第１の電極１４２、ブロッキング層１４４、１４６と絶縁層１２０にわりに滑らかに被覆されることができ、広角度（例えば、約８０度を超える）の曲がり角を有することはない。
例としては、本開示のある実施形態において、誘電体材料層１４８'の厚さは約１００Å～約４００Åである。誘電体材料層１４８'は、厚さが約１００Åよりも小さくなると、第１の電極１４２、ブロッキング層１４４、１４６と絶縁層１２０に完全に被覆されない可能性がある。誘電体材料層１４８'の厚さが約４００Åよりも大きくなると、厚すぎることで、後で形成されるスペーサー層１４８（図１参照）の上面の最上部と有機材料積層体１５０（図１参照）の上面との段差Ｇ２（図１参照）が増加して、後で第２の電極１５２（図１参照）を製造する場合、第２の電極１５２（図１参照）が過大の段差Ｇ２（図１参照）により断線しやすく、歩留まりが低下する可能性がある。
続いて、図５Ｇを参照すると、工程Ｓ７０は、別のパターン化フォトレジスト層１６２を誘電体材料層１４８'に形成して、有機発光ダイオードユニットの開口領域を定義するものである。
その後、同時に図５Ｇと図５Ｈを参照すると、工程Ｓ８０は、パターン化フォトレジスト層１６２をマスクとして誘電体材料層１４８'をエッチングして、第１の電極１４２の側壁に被覆されるスペーサー層１４８を取得するものであり、パターン化フォトレジスト層１６２はエッチングの終了後で除去される。
例としては、誘電体材料層１４８'のパターン化フォトレジスト層１６２により被覆されていない部分は、開口領域Ｏ１を定義するように除去され、誘電体材料層１４８'のパターン化フォトレジスト層１６２により被覆される部分は第１の電極１４２及び絶縁層１２０に保留してスペーサー層１４８を形成し、開口領域Ｏ１はスペーサー層１４８の中に位置する。
本開示のある実施形態において、スペーサー層１４８の厚さは約１００Å～約４００Åである。第１の電極１４２の開口率、つまりブロッキング層１４６の上面の開口領域Ｏ１から露出する面積のブロッキング層１４６の上面の全面積に対する比率は、約９８％以上である。
誘電体材料層１４８'の一部をエッチングして除去するプロセスにおいて、ブロッキング層１４６を終点とするため、ブロッキング層１４６のパターン化フォトレジスト層１６２により被覆されていない部分もエッチングの途中で不可避的に一部が除去されて、ブロッキング層１４６のスペーサー層１４８と第１の電極１４２との間での部分の厚さｔ４は、ブロッキング層１４６の開口領域Ｏ１から露出した部分の厚さｔ３よりも大きくなる。前記のように、工程Ｓ８０のエッチングプロセスにおいて、ブロッキング層１４６のパターン化フォトレジスト層１６２により被覆されていない部分が過度にエッチングされてその下層の第１の電極１４２が開口領域Ｏ１から露出しないように、ブロッキング層１４６の元の厚さ、つまり厚さｔ４、或いは図５Ｄにおける堆積されたブロッキング層１４６'の厚さは約３０Åよりも大きい。
続いて、図５Ｉと図６を参照すると、図５Ｉの工程Ｓ９０は、有機材料積層体１５０を第１の電極１４２の上方の開口領域Ｏ１の中に形成するものである。図６は、図５Ｉにおける領域Ｒを示す拡大図である。本開示のある実施形態において、有機材料積層体１５０は、複合材料の積層体である。例としては、有機材料積層体１５０は、正孔注入層（ｈｏｌｅ‐ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）ＨＩＬ、有機正孔輸送層（ｏｒｇａｎｉｃ ｈｏｌｅ‐ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）ＨＴＬ、有機発光層（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ‐ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）ＬＥＬ、有機電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ‐ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）ＥＴＬ及び電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ‐ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）ＥＩＬを含んでよい。他の実施形態において、有機材料積層体１５０は、電子阻止層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ‐ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｌａｙｅｒ）と正孔阻止層（ｈｏｌｅ‐ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｌａｙｅｒ）等を更に選択的に含んでよい。
本開示のある実施形態において、有機材料積層体１５０は、ブロッキング層１４６に形成され、スペーサー層１４８により定義された開口領域Ｏ１の中に充填される。
異なる有機発光層ＬＥＬ材料を合わせて選用することで、有機発光ダイオードユニットは、異なる色の色光を発することができる。本開示のある実施形態において、複数の有機発光ダイオードユニットからなる表示装置は、赤色光、青色光、緑色光を発する有機発光ダイオードユニット等を含んでよい。
本開示のある実施形態において、有機材料積層体１５０は、蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）によって開口領域Ｏ１の中に製造されてよい。本開示のある実施形態において、異なる色光の有機材料積層体は、数回に分けて異なる色の有機発光ダイオードユニットの開口領域に蒸着され製造されてよい。例えば、まず、赤色光を発する有機材料積層体を赤色有機発光ダイオードユニットの開口領域に製造し、また緑色光を発する有機材料積層体を緑色有機発光ダイオードユニットの開口領域に製造し、最後に青色光を発する有機材料積層体を青色有機発光ダイオードユニットの開口領域に製造してよい。異なる有機発光ダイオードユニットにおける有機材料積層体は、スペーサー層１４８により隔離されてよい。
有機材料積層体１５０が第１の電極１４２に直接接触して予期しない反応を発生しないように、有機材料積層体１５０と第１の電極１４２との間は、ブロッキング層１４６によって隔離される。
図５Ｉに戻って、本開示のある実施形態において、有機材料積層体１５０は、開口領域Ｏ１を完全に充填しないように、その厚さｔ５がスペーサー層の厚さｔ６よりも小さくてよい。つまり、有機材料積層体１５０の上面の高度は、スペーサー層１４８の上面の最上部の高度よりも小さい。
続いて、図５Ｊを参照すると、工程Ｓ１００は、有機材料積層体１５０に第２の電極１５２を形成するものである。本開示のある実施形態において、第２の電極１５２は、有機発光ダイオードユニット１４０の共通電極であり、蒸着によって有機材料積層体１５０とスペーサー層１４８に製造されてよい。本開示のある実施形態において、第２の電極１５２の材料は、銀のような金属である。本開示の他の実施形態において、第２の電極１５２の材料は、酸化インジウムスズ或いは他の類似な材料のような、透明導電材料であってもい。
図５Ｊに示すように、ブロッキング層１４６のスペーサー層１４８と第１の電極１４２との間での第１の部分１４６２の厚さｔ４は、ブロッキング層１４６の有機材料積層体１５０と第１の電極１４２との間での第２の部分１４６４の厚さｔ３よりも大きい。第２の電極１５２は、有機材料積層体１５０の上面及びスペーサー層１４８の上面に均一に形成されるため、うねった上面を有する。本開示のある実施形態は、スペーサー層１４８の上面の最上部と最下部との間の段差Ｇ１を低減することで、第２の電極１５２の製造困難度を低下させ、第２の電極１５２の予期しない断線問題を効果的に避ける。
また、第１の電極１４２の形状が斜角を有する台形となり、且つ第１の電極１４２の斜面１４２ｓと第１の電極１４２の下面１４２ｂとの夾角θの範囲が約４５度～約８０度であり、スペーサー層１４８がわりに緩やかな表面形状を有してよいため、スペーサー層１４８に分布される第２の電極１５２は、広角度に上昇しなくてもよく、延いて断線のリスクを低下させる。
それぞれ本開示の異なる実施形態の有機発光ダイオード表示装置を示す断面模式図である図７と図８を参照されたい。ある実施形態において、図７に示す有機発光ダイオードユニット１４０ａのように、有機材料積層体１５０ａは、開口領域Ｏ１ａを実質的に埋める。即ち、有機材料積層体１５０ａの上面の高度は、スペーサー層１４８ａの上面の最上部の高度にほぼ等しい。別の実施形態において、図８に示す有機発光ダイオードユニット１４０ｂのように、有機材料積層体１５０ｂは、その厚さｔ５ｂがスペーサー層１４８ｂの厚さｔ６ｂよりも大きくてよいので、開口領域Ｏ１ｂを埋める以上に、スペーサー層１４８ｂから突出して、有機材料積層体１５０ｂの上面の高度がスペーサー層１４８ｂの上面の最上部の高度よりも高くなる。
以上をまとめると、本開示のある実施形態の提供する方法は、第１の電極の側面を斜面に設計することで、スペーサー層に必要な厚さを効果的に低下させ、スペーサー層にわりに緩やかな表面形状を持たせ、延いて第２の電極の断線問題を解決することができる。
続いて、本開示のある実施形態のヘッドマウントデバイスの外観模式図である図９を同時に参照されたい。ヘッドマウントデバイス２００は、フレーム２１０と、フレーム２１０の両側に設けられる投影装置２２０と、フレーム２１０の前側に設けられる画像形成スクリーン２３０と、を含む。例としては、フレーム２１０は両側の耳掛け部２１２及び前側のパネル部２１４を有し、パネル部２１４に少なくとも１つの開口を有し、画像形成スクリーン２３０はパネル部２１４の開口に嵌合される。投影装置２２０は、１つ或いは複数であってよく、投影装置２２０は、２つであれば、画像形成スクリーン２３０に共通して投影するように、それぞれ耳掛け部２１２に設けられる。
本開示のある実施形態において、ヘッドマウントデバイス２００の投影装置２２０は、前述した有機発光ダイオード表示装置（例えば、図１に示す有機発光ダイオード表示装置１００）を含み、この有機発光ダイオード表示装置の構造及びその製造方法については、前記の実施形態で既に詳述されるので、ここで詳しく説明しない。
本開示のある実施形態において、投影装置２２０は、プロセッサーにより制御されて、プロセッサーからの信号源を受信して、対応する映像光を発してよい。本開示のある実施形態において、投影装置２２０の出力した映像光の光路を調整するために、投影装置２２０と画像形成スクリーン２３０との間に、一つ或いは複数の反射鏡或いは光学レンズが配置されてもよい。本開示のある実施形態において、投影装置２２０は放熱アセンブリを更に含み、放熱アセンブリの例としては、放熱ベース、放熱フィルム層等であってよい。投影装置２２０への熱蓄積による損傷を避けるように、放熱アセンブリは、有機発光ダイオードアレイに熱的に結合されてよい。
本開示のある実施形態において、ヘッドマウントデバイス２００は透過型ヘッドマウントデバイスであってよく、つまりユーザに見える映像は、投影装置２２０の提供する映像と外界の環境映像との重ね合わせであってよい。本開示のある実施形態において、ヘッドマウントデバイス２００は反射型ヘッドマウントデバイスであってよく、つまりユーザに見える映像は投影装置２２０の提供する映像から由来する。
それぞれ本開示のある実施形態の液晶オンシリコン（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ ｏｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ；ＬＣＯＳ）表示パネルの異なる製造段階での様子を示す断面模式図である図１０と図１１を参照されたい。図１０は、集積回路３１０と、集積回路３１０に設けられる絶縁層３２０と、絶縁層３２０に設けられる複数の第１の電極３３０（説明の便宜上、図中には一つのみ示す）と、第１の電極３３０の両側に設けられるブロッキング層３４０、３４２と、第１の電極３３０の側壁に設けられるスペーサー層３５０と、を含む構造を製造するものである。各第１の電極３３０は、それぞれ絶縁層３２０に設けられるビアプラグ３２２を介して下方の集積回路３１０に電気的に接続される。
集積回路３１０、絶縁層３２０、ビアプラグ３２２、第１の電極３３０、ブロッキング層３４０、３４２及びスペーサー層３５０の製造形態については、図５Ａ～図５Ｈに記載の工程Ｓ１０～工程Ｓ８０を参照してよいので、ここで繰り返して説明しない。
続いて、対向基板３６０及び液晶層３７０を提供して、パッケージングを完成するものである図１１を参照されたい。対向基板３６０に、共通電極である第２の電極３８０が設けられる。本開示のある実施形態において、第２の電極３８０は、対向基板３６０の第１の電極３３０に面する表面に全面にわたって被覆される。第２の電極３８０は、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、或いは他の類似な材料等の、光透過性の高い導電材料であってよい。
本開示のある実施形態において、液晶層３７０は、スペーサー層３５０と第１の電極３３０に形成されてから、対向基板３６０と接合してパッケージングを完成することで、ＬＣＯＳ表示パネル３００を取得してよい。本開示のある実施形態において、対向基板３６０は、集積回路３１０とパッケージングされてから、液晶層３７０を集積回路３１０と対向基板３６０との間に注入してよい。本開示のある実施形態において、液晶層３７０と第１の電極３３０との間、及び液晶層３７０と第２の電極３８０との間に配向層が配置されてよい。
第１の電極３３０の側辺を斜面に変えることで、スペーサー層３５０に必要な厚さを効果的に低下させ、且つスペーサー層３５０に第１の電極３３０に対する良好なステップカバレージ及びわりに緩やかな表面形状を持たせ、延いてスペーサー層３５０の曲がり角での断裂問題を解決することができる。
本開示のある実施形態の投影装置２２０のブロック図である図１２を参照されたく、投影装置２２０は、図９に示すヘッドマウントデバイス２００に応用されることができる。本開示のある実施形態において、投影装置２２０は、光源２２２と、光学アセンブリ２２４と、ＬＣＯＳ表示パネル２２６と、を備える。ＬＣＯＳ表示パネル２２６は、光源２２２からの色光及びコントローラーからの映像信号を受信して、整合して映像光を発して投影することに用いられる。
本開示のある実施形態において、投影装置２２０における光学アセンブリ２２４は、光源２２２の発する光の光路を調整するための、光源２２２の出光側に設けられる一つ或いは複数の光学レンズを含む。本開示のある実施形態において、光源２２２の発する光は白色光であり、光学アセンブリ２２４は光源２２２とＬＣＯＳ表示パネル２２６との間に設けられる分光アセンブリを含む。光源２２２の発する白色光は、光学レンズを通過した後で直線で分光アセンブリに入ってよいので、分光アセンブリを通過した後で、また赤色光、青色光、緑色光等の三原色の色光に分けられ、且つ赤色光、青色光、緑色光は時系列に従って順に発光する。
他の実施形態において、光源２２２は、プログラムされることができ、例えば、プロセッサーにより制御されて、これにより、極短い切換時間内で時系列に従って順に赤色光、青色光、緑色光等の三原色の色光を発することができる。この場合、分光アセンブリは、省略されてよい。
本開示のある実施形態において、光学アセンブリ２２４は、偏光ビームスプリッタ（ｐｏｌａｒｉｚｉｎｇ ｂｅａｍ ｓｐｌｉｔｔｅｒ；ＰＢＳ）を含んでよい。三原色の色光は、光源２２２により白色光を発した後で分光アセンブリにより分光されて取得され或いは光源２２２により直接発するにも拘らず、偏光ビームスプリッタを通過して偏光になった後でＬＣＯＳ表示パネル２２６に入り、その後ＬＣＯＳ表示パネル２２６によりフルカラーの映像光（ｉｍａｇｅ ｂｅａｍ）を出力してまた画像形成スクリーン２３０に出力して表示される。
同様に、ＬＣＯＳ表示パネル２２６と画像形成スクリーン２３０との間に、ＬＣＯＳ表示パネル２２６の出力した映像光の光路を調整するための、一つ或いは複数の反射鏡或いは光学レンズが配置されてもよい。本開示のある実施形態において、投影装置２２０は放熱アセンブリを更に含み、放熱アセンブリの例としては、放熱ベース、放熱フィルム層等であってよい。光源２２２への熱蓄積による損傷を避けるように、放熱アセンブリは、光源２２２に熱的に結合されてよい。
以上をまとめると、本開示のある実施形態は、表示装置の表示ユニットの第１の電極、例えば陽極の側面を斜面に設計することで、スペーサー層に必要な厚さを効果的に低下させ、スペーサー層にわりに緩やかな表面形状を持たせ、延いて第２の電極の断線問題を避けることができる表示装置とその製造方法を提供する。
本開示のある実施形態によると、有機発光ダイオード表示装置は、集積回路と、第１の電極と、スペーサー層と、有機材料積層体と、第２の電極と、を備える。第１の電極は、集積回路に電気的に接続され、上面、下面、及び上面と下面とを接続する斜面を有し、斜面と下面との夾角が約４５度～約８０度にある。スペーサー層は、第１の電極の斜面を被覆するように、第１の電極の両端に設けられる。有機材料積層体は第１の電極に設けられる。第２の電極は有機材料積層体とスペーサー層に設けられる。
本開示のある実施形態において、第２の電極は、うねった上面を有する。
本開示のある実施形態において、有機発光ダイオードユニットは、第１の電極の上面に設けられるブロッキング層を更に備える。
本開示のある実施形態において、ブロッキング層の厚さは約３０Å～約２００Åである。
本開示のある実施形態において、ブロッキング層のスペーサー層と第１の電極との間での第１の部分の厚さは、ブロッキング層の第１の電極と有機材料積層体との間での第２の部分の厚さよりも大きい。
本開示のある実施形態において、有機発光ダイオードユニットは、集積回路に設けられる絶縁層と、絶縁層の中に設けられて、集積回路と第１の電極とを電気的に接続するビアプラグと、を含む。
本開示のある実施形態において、第１の電極の上面の面積は、第１の電極の下面の面積よりも小さい。
本開示のある実施形態において、第１の電極の厚さは約３００Å～約９００Åである。
本開示のある実施形態によると、有機発光ダイオード表示装置の製造方法は、電極層を絶縁層に形成し、前記電極層が絶縁層におけるビアプラグを介して集積回路に電気的に接続されることを備える。続いて、電極層をエッチングして、電極層に対するエッチングがドライエッチングであり、ドライエッチングの反応ガスが塩化ホウ素（ＢＣｌ3）を含み、これにより、第１の電極に上面、下面及び上面と下面とを接続する斜面を持たせる。スペーサー層は、第１の電極の斜面を被覆するように形成される。有機材料積層体は第１の電極に形成される。第２の電極は有機材料積層体とスペーサー層に形成される。
本開示のある実施形態において、スペーサー層の形成は、誘電体材料層を第１の電極に堆積させることと、開口領域を第１の電極に定義するように、誘電体材料層の一部を除去することと、を含み、誘電体材料層と絶縁層との間の厚さが約１００Å～約４００Åである。
本開示のある実施形態において、有機材料積層体は、開口領域の中に充填される。
本開示のある実施形態において、方法は、誘電体材料層を第１の電極に堆積させる前に、厚さが約３０Å～約２００Åであるブロッキング層を第１の電極に形成することを更に備える。
本開示のある実施形態において、開口領域を第１の電極に定義するように、誘電体材料層の一部を除去することは、ブロッキング層のスペーサー層と第１の電極との間での第１の部分の厚さがブロッキング層の第１の電極と有機材料積層体との間での第２の部分の厚さよりも大きくするように、ブロッキング層の一部を除去することを備える。
本開示のある実施形態において、斜面と下面との夾角は約４５度～約８０度である。本開示のある実施形態において、ドライエッチングの反応圧力は、約４ｍＴｏｒｒ～約１０ｍＴｏｒｒである。本開示のある実施形態において、反応ガスの流量は、約５０ｓｃｃｍ～約５００ｓｃｃｍである。
本開示のある実施形態において、ドライエッチングのソース無線周波数（Ｓｏｕｒｃｅ ＲＦ）のパワーは、約６００Ｗ～約１６００Ｗである。
本開示のある実施形態において、ドライエッチングのバイアス無線周波数（Ｂｉａｓ ＲＦ）のパワーは、約４０Ｗ～約２００Ｗである。
本開示のある実施形態によると、液晶オンシリコン（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ ｏｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ；ＬＣＯＳ）表示パネルの製造方法は、電極層を絶縁層に形成し、前記電極層が絶縁層におけるビアプラグを介して集積回路に電気的に接続され、且つ電極層を形成する堆積速率が毎秒約３０Å～毎秒約２００Åであり、これにより、電極層の厚さが約３００Å～約９００Åの間にあることを備える。電極層をエッチングして、第１の電極を取得する。第１の電極の側壁を被覆するスペーサー層を形成する。液晶層と第２の電極を第１の電極とスペーサー層に形成する。
本開示のある実施形態において、前記電極層を形成する反応パワーは、約１５００Ｗ～約３１５０Ｗである。
実施形態で前述の通りに開示されたが、本開示はそれらに限定されず、当業者であれば、本発明の精神と範囲から逸脱しない限り、多様の変更や修飾を加えてもよく、従って、本発明の保護範囲は、後の特許請求の範囲で指定した内容を基準とするものである。
１００：有機発光ダイオード表示装置
１１０、３１０：集積回路
１２０、３２０：絶縁層
１２２、３２２：ビアプラグ
１２４：バリア層
１４０、１４０ａ、１４０ｂ：有機発光ダイオードユニット
１４２、３３０：第１の電極
１４２'：電極層
１４２ｔ：上面
１４２ｂ：下面
１４２ｓ：斜面
１４４、１４４'、１４６、１４６'、３４０、３４２：ブロッキング層
１４６２：第１の部分
１４６４：第２の部分
１４８、１４８ａ、１４８ｂ、３５０：スペーサー層
１４８２：第１の段部
１４８４：第２の段部
１４８６：第３の段部
１４８'：誘電体材料層
１５０、１５０ａ、１５０ｂ：有機材料積層体
１５２、３８０：第２の電極
１６０、１６２：パターン化フォトレジスト層
２００：ヘッドマウントデバイス
２１０：フレーム
２１２：耳掛け部
２１４：パネル部
２２０：投影装置
２２２：光源
２２４：光学アセンブリ
２２６、３００：ＬＣＯＳ表示パネル
２３０：画像形成スクリーン
３６０：対向基板
３７０：液晶層
Ｇ：段差
θ：夾角
Ｏ１、Ｏ１ａ、Ｏ１ｂ：開口領域
Ｒ：領域
ｔ３、ｔ４、ｔ５、ｔ５ｂ、ｔ６、ｔ６ｂ：厚さ
Ｓ１０、Ｓ２０、Ｓ３０、Ｓ４０、Ｓ５０、Ｓ６０、Ｓ７０、Ｓ８０、Ｓ９０、Ｓ１００：工程
１１０、３１０：集積回路
１２０、３２０：絶縁層
１２２、３２２：ビアプラグ
１２４：バリア層
１４０、１４０ａ、１４０ｂ：有機発光ダイオードユニット
１４２、３３０：第１の電極
１４２'：電極層
１４２ｔ：上面
１４２ｂ：下面
１４２ｓ：斜面
１４４、１４４'、１４６、１４６'、３４０、３４２：ブロッキング層
１４６２：第１の部分
１４６４：第２の部分
１４８、１４８ａ、１４８ｂ、３５０：スペーサー層
１４８２：第１の段部
１４８４：第２の段部
１４８６：第３の段部
１４８'：誘電体材料層
１５０、１５０ａ、１５０ｂ：有機材料積層体
１５２、３８０：第２の電極
１６０、１６２：パターン化フォトレジスト層
２００：ヘッドマウントデバイス
２１０：フレーム
２１２：耳掛け部
２１４：パネル部
２２０：投影装置
２２２：光源
２２４：光学アセンブリ
２２６、３００：ＬＣＯＳ表示パネル
２３０：画像形成スクリーン
３６０：対向基板
３７０：液晶層
Ｇ：段差
θ：夾角
Ｏ１、Ｏ１ａ、Ｏ１ｂ：開口領域
Ｒ：領域
ｔ３、ｔ４、ｔ５、ｔ５ｂ、ｔ６、ｔ６ｂ：厚さ
Ｓ１０、Ｓ２０、Ｓ３０、Ｓ４０、Ｓ５０、Ｓ６０、Ｓ７０、Ｓ８０、Ｓ９０、Ｓ１００：工程
Claims (9)
- 集積回路と、
前記集積回路に電気的に接続され、上面、下面、及び前記上面と前記下面とを接続する斜面を有し、前記斜面と前記下面との夾角が約４５度～約８０度である第１の電極と、
前記第１の電極の前記斜面を被覆するスペーサー層と、
前記第１の電極に設けられる有機材料積層体と、
前記有機材料積層体と前記スペーサー層に設けられる第２の電極と、
を備える有機発光ダイオード表示装置。 - 前記第２の電極は、うねった上面を有する請求項１に記載の有機発光ダイオード表示装置。
- 前記第１の電極の前記上面に設けられるブロッキング層を更に備え、前記ブロッキング層の前記スペーサー層と前記第１の電極との間での第１の部分の厚さが前記ブロッキング層の前記第１の電極と前記有機材料積層体との間での第２の部分の厚さよりも大きい請求項１に記載の有機発光ダイオード表示装置。
- 電極層を絶縁層に形成し、前記電極層が前記絶縁層におけるビアプラグを介して集積回路に電気的に接続される工程と、
前記電極層をエッチングして、第１の電極を取得し、前記電極層に対するエッチングがドライエッチングであり、前記ドライエッチングの反応ガスが塩化ホウ素（ＢＣｌ3）を含み、これにより、前記第１の電極に上面、下面及び前記上面と前記下面とを接続する斜面を持たせる工程と、
前記第１の電極の前記斜面を被覆するスペーサー層を形成する工程と、
有機材料積層体を前記第１の電極に形成する工程と、
第２の電極を前記有機材料積層体と前記スペーサー層に形成する工程と、
を備える有機発光ダイオード表示装置の製造方法であって、
前記スペーサー層を形成する工程は、
厚さが約１００Å～約４００Åである誘電体材料層を前記第１の電極に堆積させることと、
前記有機材料積層体が充填される開口領域を前記第１の電極に定義するように、前記誘電体材料層の一部を除去することと、を含む、
有機発光ダイオード表示装置の製造方法。 - 前記誘電体材料層を前記第１の電極に堆積させる前に、厚さが約３０Å～約２００Åであるブロッキング層を前記第１の電極に形成することを更に備える請求項４に記載の方法。
- 前記開口領域を前記第１の電極に定義するように前記誘電体材料層の一部を除去することは、
前記ブロッキング層の前記スペーサー層と前記第１の電極との間での第１の部分の厚さが前記ブロッキング層の前記第１の電極と前記有機材料積層体との間での第２の部分の厚さよりも大きくするように、前記ブロッキング層の一部を除去することを備える請求項５に記載の方法。 - 前記反応ガスの流量は、約５０ｓｃｃｍ～約５００ｓｃｃｍである請求項４に記載の方法。
- 電極層を絶縁層に形成し、前記電極層が前記絶縁層におけるビアプラグを介して集積回路に電気的に接続され、且つ前記電極層を形成する堆積速率が毎秒約３０Å～毎秒約２００Åであり、これにより、前記電極層の厚さが約３００Å～約９００Åにある工程と、
前記電極層をエッチングして、第１の電極を取得する工程と、
前記第１の電極の側壁を被覆するスペーサー層を形成する工程と、
液晶層と第２の電極を前記第１の電極と前記スペーサー層に形成する工程と、
を備える液晶オンシリコン（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ ｏｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ；ＬＣＯＳ）表示パネルの製造方法。 - 前記電極層を形成する反応パワーは、約１５００Ｗ～約３１５０Ｗである請求項８に記載の方法。
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Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001110575A (ja) | 1999-10-04 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP2002015860A (ja) | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Sony Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2003249377A (ja) | 2001-12-18 | 2003-09-05 | Seiko Epson Corp | 表示装置及び電子機器並びに表示装置の製造方法 |
| JP2011091279A (ja) | 2009-10-23 | 2011-05-06 | Canon Inc | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP2012255960A (ja) | 2011-06-10 | 2012-12-27 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法 |
| JP2013101352A (ja) | 2000-02-22 | 2013-05-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
| US20130187163A1 (en) | 2012-01-19 | 2013-07-25 | II-Nam Kim | Organic light emitting device and manufacturing method thereof |
| JP2015053137A (ja) | 2013-09-05 | 2015-03-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネセンス表示装置 |
| US20190058022A1 (en) | 2017-08-16 | 2019-02-21 | Lg Display Co., Ltd. | Organic Light Emitting Display Device, Head Mounted Display Including the Same and Method of Fabricating the Same |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7579771B2 (en) * | 2002-04-23 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP4362696B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2009-11-11 | ソニー株式会社 | 発光素子およびその製造方法、ならびに表示装置 |
| JP4062171B2 (ja) * | 2003-05-28 | 2008-03-19 | ソニー株式会社 | 積層構造の製造方法 |
| JP4534054B2 (ja) * | 2004-06-25 | 2010-09-01 | 京セラ株式会社 | 有機ｅｌ表示パネルとその製法 |
| KR100611652B1 (ko) * | 2004-06-28 | 2006-08-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법 |
| JP2006120983A (ja) * | 2004-10-25 | 2006-05-11 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマエッチング方法 |
| TWI261868B (en) * | 2005-09-06 | 2006-09-11 | Wintek Corp | Electrode partition wall |
| GB2455215B (en) * | 2006-08-31 | 2009-09-30 | Cambridge Display Tech Ltd | Method for fabricating an organic electronic device |
| KR101536194B1 (ko) * | 2008-05-19 | 2015-07-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치와 그 구동 방법 |
| KR100958644B1 (ko) * | 2008-10-21 | 2010-05-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
| WO2014155691A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
| TWI549047B (zh) * | 2014-08-07 | 2016-09-11 | 群創光電股份有限公司 | 觸控面板及其製造方法 |
| TWI576626B (zh) * | 2014-12-19 | 2017-04-01 | 財團法人工業技術研究院 | 顯示裝置 |
| KR102474203B1 (ko) * | 2015-12-22 | 2022-12-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 제조방법 및 이에 따라 제조된 디스플레이 장치 |
| TWI595695B (zh) * | 2016-09-13 | 2017-08-11 | 財團法人工業技術研究院 | 有機發光二極體之製作方法及其結構 |
| KR102630001B1 (ko) * | 2016-10-31 | 2024-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치, 그를 포함한 헤드 장착형 디스플레이, 및 그의 제조방법 |
| CN108206196A (zh) * | 2016-12-16 | 2018-06-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示装置 |
| JP6993809B2 (ja) * | 2017-08-04 | 2022-01-14 | キヤノン株式会社 | 表示装置およびその製造方法ならびに電子機器 |
| US10734474B2 (en) * | 2018-07-30 | 2020-08-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Metal-insulator-metal structure and methods of fabrication thereof |
-
2019
- 2019-09-23 CN CN201910899516.7A patent/CN112542485A/zh active Pending
-
2020
- 2020-07-23 US US16/937,367 patent/US20210091329A1/en active Pending
- 2020-08-25 TW TW109129006A patent/TWI761925B/zh active
- 2020-09-17 KR KR1020200120071A patent/KR102452010B1/ko active IP Right Grant
- 2020-09-18 JP JP2020157067A patent/JP7065159B2/ja active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001110575A (ja) | 1999-10-04 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP2013101352A (ja) | 2000-02-22 | 2013-05-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
| JP2002015860A (ja) | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Sony Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2003249377A (ja) | 2001-12-18 | 2003-09-05 | Seiko Epson Corp | 表示装置及び電子機器並びに表示装置の製造方法 |
| JP2011091279A (ja) | 2009-10-23 | 2011-05-06 | Canon Inc | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP2012255960A (ja) | 2011-06-10 | 2012-12-27 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法 |
| US20130187163A1 (en) | 2012-01-19 | 2013-07-25 | II-Nam Kim | Organic light emitting device and manufacturing method thereof |
| JP2015053137A (ja) | 2013-09-05 | 2015-03-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネセンス表示装置 |
| US20190058022A1 (en) | 2017-08-16 | 2019-02-21 | Lg Display Co., Ltd. | Organic Light Emitting Display Device, Head Mounted Display Including the Same and Method of Fabricating the Same |
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